Hola, si quieres descubrir ms sobre esta historia esperate a la siguiente entrega

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Michael Faraday descubri que el sulfuro de plata tiene un coeficiente negativo de
resistencia.
En 1839 A. E. Becquerel observ un fotovoltaje al alumbrar un electrodo de un elec
trolito.
W. Smith, en 1873, advirti que la resistencia del selenio disminuye al iluminarlo
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En 1874, F. Braun descubri que la resistencia de los contactos entre metales y pi
ritas de galena
depende de la tensin aplicada sobre ellos; A. Schuster observ algo similar en supe
rficies pulidas
y no pulidas en cables de cobre.
En 1876, W. G. Adams y R. E. Day construyen la primera fotoclula, y C. E. Fritts
presenta el primer
rectificador con selenio.
En la dcada de 1930, E. H. Hall descubre que la cantidad de portadores de carga e
lctrica en los
semiconductores es mucho menor que en los metales, aunque a diferencia de stos, a
umentan rpidamente
con la temperatura, y tambin que en los semiconductores tienen mucha mayor movili
dad. Tambin observ
que en algunos casos los portadores eran negativos y en otros positivos.
Una de las propiedades ms importantes de los semiconductores es la cantidad de po
rtadores como funcin
de la temperatura. El modelo de las 2 corrientes es el usado para describir los
portadores, donde los
electrones excitados son los que conducen cargas negativas y los huecos transpor
tan carga positiva.
As que las cantidades importantes a determinar son la cantidad de portadores en l
a banda de conduccin
( n_c ) y la cantidad de portadores en la banda de valencia ( p_v ).
Dependiendo de la relacin entre la cantidad de portadores en cada banda podremos
clasificar a los
semiconductores. As es como si la cantidad de portadores (huecos) en la banda de
valencia es igual a la
cantidad de portadores de la banda de conduccin (electrones) tendremos lo que se
llama un semiconductor
intrnseco (n_c=p_v). Si, en cambio, la relacin cambia se dice que es un semiconduc
tor extrnseco.
El caso intrnseco se da en cristales puros, donde la densidad de carga es desprec
iable. Las bandas de conduccin solo pueden ser ocupadas por electrones que abando
naron la banda de valencia, dejando una vacancia, o sea un hueco. De esta manera
la cantidad de cada tipo de portador esta siempre balanceada.
El caso extrinseco, por el contrario, tiene exceso ya sea de electrones o huecos
. Esto se debe que el cristal puro se encuentra "contaminado" con un tomo de otro
tipo que puede agregar un donor (electron) o un aceptor (hueco), esto pasa cuan
do ese tomo contaminante tiene una cantidad distinta de electrones en la capa de
valencia a los de la red pura.