IMPERFEIES DE PONTO (defeitos pontuais)

LACUNAS
O defeito pontual mais simples a lacuna (do ingls: vacancy), ou seja a
ausncia de um tomo em uma posio atmica originalmente ocupada por um
tomo.

So formados durante a solidificao do cristal ou como resultado das

vibraes atmicas (os tomos deslocam-se de suas posies normais)
As lacunas constituem O NICO tipo de defeito que est em equilbrio com o
cristal. Assim o n de lacunas para uma dada quantidade de material funo da
temperatura de acordo com a equao:

Nv = N.exp (-Qv/k.T)
onde: N o n de tomos
T a temperatura absoluta (K)
k a constante de Boltzmann (1,38 10-23 J/tomo K ou 8,62 10-5 eV/tomo K)
Qv a energia de ativao (J ou eV)
Para grande parte dos metais, a frao de lacunas (Nv/N) logo abaixo da
temperatura de fuso da ordem de 10-4 (0,01%)
Exemplo: 1 m3 de Cobre possui 8 1028 tomos e a 1000C apresenta Nv = 2.2 1025

AUTO-INTERSTICIAL
um tomo do cristal posicionado em uma stio intersticial, que em
circunstncias normais estaria vago.

Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o

hospedeiro. Como os materiais metlicos tem geralmente fator de
empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas.
Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios.

FRENKEL

Ocorre em slidos inicos quando um on sai de sua posio normal e vai

para um interstcio

SCHOTTKY

Presentes em compostos que tem que manter o balano de cargas. Envolve a

falta de um nion e/ou um ction.

CONSIDERAES GERAIS
-Vazios e Schottky favorecem a difuso
-Estruturas de empacotamento fechado tem um menor nmero intersticiais e
Frenkel que de vazios e Schottky porque necessria energia adicional para
forar os tomos para novas posies.

IMPUREZAS
NO existe metal 100% puro!
tomos estranhos (impurezas ou elementos de liga) sempre estaro dispersos
na estrutura cristalina. Na realidade, utilizando-se as tcnicas atuais de refino,
muito difcil e caro refinar metais com nveis de pureza superiores a 99,9999%. Nesta
pureza ainda esto presentes cerca de 1022 1023 tomos por m3 de impurezas.
Estas impurezas so classificadas em duas classes:
SUBSTITUCIONAIS - Na qual os tomos de soluto esto alocados em posies
atmicas originalmente pertencentes ao tomo de solvente
INTERSTICIAIS - Na qual os tomos de soluto esto posicionados nos interstcios
das clulas cristalinas do solvente.

LIGAS METLICAS
As impurezas (chamadas elementos de liga) so adicionadas
intencionalmente com a finalidade de:
- Aumentar a resistncia mecnica
- Aumentar a resistncia corroso
- Aumentar a condutividade eltrica, etc.
A estrutura cristalina do material que atua como matriz mantida e no
formam-se novas estruturas. As solues slidas (ligas) formam-se mais
facilmente quando o elemento de liga (impureza) e matriz apresentam
estrutura cristalina e dimenses eletrnicas semelhantes.
Esta adio deve manter a estrutura cristalina e evitar a precipitao de outra fase.
Do mesmo modo que os defeitos, as solues slidas tambm so classificadas em
substitucionais e intersticiais

-FATORES QUE INFLUEM NA FORMAO DE SOLUES SLIDAS

SUBSTITUCIONAIS
-REGRA DE HOME-ROTHERY
-Raio atmico ---> deve ter uma diferena de no mximo 15%, caso
contrrio pode
promover distores na rede e assim formao de
nova fase
-Estrutura cristalina ----> mesma
-Eletronegatividade ----> prximas
-Valncia ----> mesma ou maior que a do hospedeiro
-SOLUES SLIDAS INTERSTICIAIS
Ocorre quando a impureza apresenta raio atmico bem menor que o
hospedeiro. Como os materiais metlicos tem geralmente fator de
empacotamento alto as posies intersticiais so relativamente pequenas.
Geralmente, no mximo 10% de impurezas so incorporadas nos interstcios
Exemplos:
- Soluo slida substitucional: Prata 925 - constitui uma soluo slida
substitucional com 7,5% de cobre na prata.
-Soluo slida intersticial: Aos extra-doce - nestes aos, os tomos de C
ficam alocados nos interstcios das clulas cristalinas.

A ADIO DE IMPUREZAS PODE FORMAR

Solues slidas: Se a adio for menor ou igual ao limite de solubilidade
Segunda fase: Se a adio for maior que o limite de solubilidade
A solubilidade depende da:
-Temperatura
-Tipo de impureza
-Concentrao da impureza

Termos usados
-Elemento de liga ou Impureza:
-Soluto (Menor quantidade)
-Matriz ou solvente:
-Hospedeiro (Maior quantidade)

DEFEITOS LINEARES:
-DISCORDNCIAS
As discordncias esto associadas com a cristalizao e a deformao
(origem: trmica, mecnica e supersaturao de defeitos pontuais).
Toda a teoria de deformao e endurecimento de metais fundamentada na
movimentao de discordncias.

A presena deste defeito a responsvel pela deformao, falha e ruptura

dos materiais.
Podem ser:
-DISCORDNCIA EM CUNHA:
Caractersticas principais: Pode ser entendida como um plano extra de tomos
no reticulado que provoca uma imperfeio linear. O vetor de Burguers (b) representa
a magnitude e a direo da distoro do reticulado. A magnitude desta distoro
normalmente tem a ordem de uma distncia interatmica. Na discordncia em cunha
o vetor de Burguers perpendicular a linha de discordncia (plano extra) .
-DISCORDNCIA EM HLICE:
A discordncia em hlice pode ser imaginada como sendo o resultado da aplicao
de uma tenso de cisalhamento. O vetor de Burgues paralelo a linha de
discordncia A-B.
-DISCORDNCIAS MISTAS:
Na verdade os materiais metlicos s apresentaro discordncias mistas,
entretanto como estas discordncias so complexas, mais fcil estuda-las como
misturas de discordncias de discordncias em cunha e hlice.

-INTERAES ENTRE DISCORDNCIAS

Algumas caractersticas das discordncias so importantes com relao as
propriedades mecnicas dos materiais. Entre elas, destacam-se as interaes entre
os
campos de tenso associados s discordncias.
Estes campos afetam a mobilidade e a habilidade de multiplicao das discordncias
Interaes entre discordncias:

-CONSIDERAES GERAIS
-A quantidade e o movimento das discordncias podem ser controlados pelo
grau de deformao (conformao mecnica) e/ou por tratamentos trmico.
-Com o aumento da temperatura h um aumento na velocidade de
deslocamento das discordncias favorecendo o aniquilamento mtuo das

mesmas e formao de discordncias nicas.

-Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em torno das discordncias
formando uma atmosfera de impurezas.
-O cisalhamento se d mais facilmente nos planos de maior densidade
atmica, por isso a densidade das mesmas depende da orientao
cristalogrfica.
-As discordncias geram vacncias.
-As discordncias influem nos processos de difuso.
-As discordncias contribuem para a deformao plstica.

OBSERVAO DE DISCORDNCIAS

-MET - MICROSCOPIA ELETRNICA DE TRANSMISSO

-ATAQUE QUMICO ("ETCH PITS")

-DEFEITOS PLANOS/INTERFACIAIS
-Envolvem fronteiras (defeitos em duas dimenses) e normalmente separam
regies dos materiais de diferentes estruturas cristalinas ou orientaes
cristalogrficas.
- DEFEITOS NA SUPERFCIE EXTERNA
-Na superfcie os tomos no esto completamente ligados, ento o estado
energia dos tomos na superfcie maior que no interior do cristal
-Os materiais tendem a minimizar esta energia
-A energia superficial expressa em erg/cm2 ou J/m2
- CONTORNO DE GRO

-Corresponde regio que separa dois ou mais cristais de orientao

diferente
-Um cristal = um gro
-No interior de cada gro todos os tomos esto arranjados segundo um
nico modelo e nica orientao, caracterizada pela clula unitria

-MONOCRISTAL OU POLICRISTAL
-Monocristal: Material com apenas uma orientao cristalina, ou seja, que
contm apenas um gro
-Policristal: Material com mais de uma orientao cristalina, ou seja, que
contm vrios gros

LINGOTE DE ALUMNIO POLICRISTALINO

-GRO
-FORMAO DOS GROS
-A forma do gro controlada pela presena dos gros circunvizinhos
-O tamanho de gro controlado pela composio qumica e taxa
(velocidade) de cristalizao ou solidificao

-CONSIDERAES GERAIS SOBRE CONTORNO DE GRO

-H um empacotamento ATMICO menos eficiente
-H uma energia mais elevada
-Favorece a nucleao de novas fases (segregao)
-Favorece a difuso
-O contorno de gro ancora o movimento das discordncias

-Discordncia e Contorno de Gro

A passagem de uma discordncia atravs do contorno de gro requer energia

O contorno de gro ancora o movimento das discordncia pois constitui um

obstculo para a passagem da mesma, logo quanto menor o tamanho do
gro, maior a resistencia do material.
-CONTORNO DE PEQUENO NGULO

-Ocorre quando a desorientao dos cristais pequena.

- formado pelo alinhamento de discordncias.
-CONTORNOS DE MACLA
Podemos considerar as maclas como um tipo especial de contorno de gro no
qual existe uma simetria especular, ou seja, os tomos de um lado do contorno esto
localizados em uma posio que a posio refletida do outro lado.
A regio de material entre os contornos chamada de macla.
As maclas so resultantes de deslocamentos atmicos produzidos por tenses
de cisalhamento (maclas de deformao) ou durante tratamento trmico (maclas de
recozimento)
A formao de maclas (maclao) ocorre em planos cristalogrficos definidos e
direes cristalogrficas especficas, que so dependes da estrutura cristalina.
Maclas de recozimento ocorrem em metais com estrutura CFC
Maclas de deformao ou mecnicas so observveis em metais CCC e HC
Observao dos contornos de macla em microscpio:

-OBSERVAO DOS GROS E CONTORNOS DE GRO

-Por microscopia (TICA OU ELETRNICA).
-Utilizao de ataque qumico especfico para cada material ----> O contorno
geralmente mais reativo.

Gros vistos no microscopio optico.