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de
tcnicas
litogrficas.
La
litografa
es
tambin
un
Tecnologa
Autor(es)/inventor(es)
1918
Czochralski
1925
Bridgman
1952
Compuestos III-V
Welker
1952
Difusin
Pfann
1957
Andrus
Mscara de xido
Frosch y Derrick
1957
1958
Implantacin de iones
Shockley
1959
Kilby
1959
Noyce
1960
Proceso planar
Hoerni
1963
CMOS
Wanlass y Sah
1967
DRAM
Denard
1969
1969
MOCVD
Manasevit y Simpson
1971
Gravado en seco
1971
Cho
1971
Microprocesador 4004
Hoff y otros
1982
Barrera aislante
1989
Davari y otros
1993
Interconectado de cobre
Paraszczak y otros
una estructura
impurezas dopantes. La
Fig. 1 Primer circuito integrado monoltico. (Fotografa cortesa del Dr. G. Moore)
El concepto CMOS fue propuesto por Wanlass y Sah en 1963. Las ventajas
de la tecnologa CMOS es que los elementos lgicos consumen corriente
significativa slo durante la transicin de un estado a otro (por ejemplo de 0
a 1) y jala poca corriente entre transiciones (cuando se mantiene en 0 o 1),
por lo que el consumo de potencia es mnima. La tecnologa CMOS es la
tecnologa dominante para CIs avanzados. En 1967, un importante circuito
de dos elementos fue inventado por Dennard, la memoria dinmica de
acceso aleatorio (DRAM). Una celda de memoria contiene un MOSFET y un
capacitor que almacena carga. El MOSFET sirve como un interruptor para
alta fidelidad. Esta tcnica fue iniciada por Irving y otros en 1971 usando una
mezcla de gas de CF4-O2 para gravar obleas de silicio. Otra tcnica
importante desarrollada en este mismo ao fue la del haz molecular para
crecimiento epitaxial hecha por Cho. Esta tcnica tiene la ventaja de tener un
control vertical casi perfecto en los compuestos y en la aplicacin de
impurezas en dimensiones atmicas. Es la tcnica responsable de la creacin
de numerosos dispositivos fotnicos y de efecto cuntico.
En 1971, el primer microprocesador fue fabricado por Hoff y otros. Ellos
pusieron toda la unidad central de proceso (CPU) de una computadora simple
en un chip o trozo de material semiconductor. Este fue un microprocesador
de cuatro bits (Intel 4004), mostrado en la Fig. 2 en un trozo de 3 mm x 4
mm que contiene 2300 MOSFETs. Este fue fabricado en canal p usando un
proceso
le
produjo
alrededor
de
$300,000.00
dlares
en
computadoras
a la IBM a principio de los aos 60s. Este fue el mayor impacto para la
industria
de
los
semiconductores.
Actualmente
los
microprocesadores
(1)
(2)
(3)
Fig. 3 Dibujo esquemtico simplificado del jalador de Czochralski. En sentido de las manecillas del reloj (CW), en
sentido contrario de las manecillas del reloj (CCW).
10
Fig. 4
11
qumicos
relativa
los
semiconductores.
Los
elementos
el
germanio
como
material
para
la
fabricacin
de
semiconductores. La razn principal por la que ahora se usa silicio es que los
dispositivos de silicio exhiben mejores propiedades a temperatura ambiente,
y de que el dixido de silicio de alta calidad puede ser crecido trmicamente.
Hay tambin consideraciones econmicas. Los dispositivos
Tabla
Porcin
de
la
Tabla
Peridica
Relativa
los
Semiconductores
Perido
Columna II
IV
VI
Boro
Carbono
Nitrgeno
Oxgeno
Mg
Al
Si
Magnesio
Aluminio
Silicio
Fsforo
Asufre
III
Zn
Ga
Ge
As
Se
Zinc
Galio
Germanio
Arsnico
Selenio
Cd
In
Sn
Sb
Te
Cadmio
Indio
Tin
Antimonio
Teluro
Hg
Pb
Mercurio
Plomo
12
aplicacin
en
varios
dispositivos
electrnicos.
Los
de
los
semiconductores
compuestos
en
un
solo
cristal
13
con
los
dispositivos
fsicos
en
la
tecnologa
del
Materiales Semiconductores
Clasificacin general
Semiconductor
Smbolo
Elemento
Nombre
Si
Silicio
Ge
Germanio
IV-IV
SiC
Carbonato de silicio
III-V
AlP
Fosfato de aluminio
AlAs
Arseniuro de aluminio
AlSb
Antimonio de aluminio
GaN
Nitruro de galio
GaP
Fosfuro de galio
GaAs
Arseniuro de galio
GaSb
Antimonio de galio
InP
Fosfuro de indio
InAs
Arseniuro de indio
InSb
Antimonio de indio
ZnO
xido de zinc
Compuestos binarios
II-VI
14
IV-VI
Compuestos ternarios
Compuestos cuaternarios
ZnS
Sulfuro de zinc
ZnSe
Selenuro de zinc
ZnTe
Teluro de zinc
CdS
Sulfuro de cadmio
CdSe
Selenuro de cadmio
CdTe
Teluro de cadmio
HgS
Sulfuro de mercurio
PbS
Sulfuro de plomo
PbSe
Selenuro de plomo
PbTe
Teluro de plomo
AlxGa1-xAs
AlxIn1-xAs
GaAs1-xPx
GaIn1-xAs
GaxIn1-xP
15
Fig. 5 Tres celdas unitarias cristalinas. ( a ) Cbica simple. ( b ) Cbica centrada en el cuerpo. ( c ) Cbica
centrada en la cara.
16
17
de
valencia
con
los
cuatro
tomos
ms
cercanos.
Este
18
19
Fig. 8 Representacin bsica de enlaces del silicio intrnseco. ( a ) Enlace roto en la posicin A, resultando un
electrn y un hueco de conduccin. ( b ) Un enlace roto en la posicin B.
20
de
estados
energticos
permitidos
(considerando
el
spin
21
Etop
n( E )dE
Etop
(4)
N ( E ) F ( E )dE
np ni
(20)
ni N C NV exp E g kT
(21)
ni N C NV exp E g 2kT
(22)
22
E H m0 q 4 8 0 h 2 n 2 13.6 n 2
2
eV
(5)
23
24
25
26
Fig. 1 1 Formacin de las bandas de energa de un cristal con retcula diamante la cual es formada por tomos de
silicio aislados que fueron unidos.
Diagrama de Energa-Momento
La energa E de un electrn libre est dada por
p2
2m 0
(6)
27
p2
2m n
(7)
La
masa
efectiva
del
electrn
depende
de
las
propiedades
del
d 2E
m0 2
dp
(8)
por lo que podemos ver que a una parbola ms angosta corresponde una
segunda derivada ms grande y una masa efectiva ms pequea. Una
expresin similar puede ser escrita para los huecos (con masa efectiva mp
donde el sundice p se refiere a la carga positiva de un hueco). El concepto
28
de energa-momento
de un
mn =
29
30
Fig. 1 4 Estructura de bandas de energa del Si y del GaAs. Los crculos ( ) indican huecos en la banda de valencia
y los puntos () indican electrones en la banda de conduccin.
enorme
variacin
de
la
conductividad
elctrica
de
los
metales,
31
Fig. 1 5 Representacin esquemtica de las bandas de energa. (a ) Un conductor con dos posibilidades (ambas, la
banda de conduccin parcialmente llena mostrada en la parte superior o las bandas traslapadas mostradas en la
porcin de abajo), (b) Un semiconductor, y (c) Un aislante.
F (E)
1
1 e
( E EF ) kT
(10)
en
32
para
(11a)
para
(11b)
33
Fig. 1 7
Semiconductor intrseco.
34
N C kT
3 2
E 1 2 exp E EC kT dE ,
(12)
Donde
N C 12 2mn kT h 2
2 2mn kT h 2
32
32
para el Si
(13a)
para el GaAs
(13b)
Tomamos ETop como porque F(E) llega a ser muy pequea cuando (E - EC)
>>
kT
N C exp E F kT x1 2 e x dx .
(14)
2 . Por lo que
n N C exp E F kT
(15)
(16)
35
NV 2 2m p kT h 2
32
(17)
(18)
(19)
36
np ni
(20)
ni N C NV exp E g kT
(21)
ni N C NV exp E g 2kT
(22)
donde E g EC EV .
Donadores y aceptores
Cuando un semiconductor es dopado o contaminado con impurezas, el
semiconductor se convierte en extrnseco y son introducidos niveles de
energa por dichas impurezas. La Fig. 18a muestra esquemticamente que si
un tomo de silicio es reemplazado (o sustituido) por un tomo de arsnico
con cinco electrones de valencia. El tomo de arsnico forma enlaces
covalentes con sus cuatro tomos de silicio ms cercanos. El quinto electrn
tiene relativamente una pequea energa de enlace con su tomo de arsnico
y puede ser ionizado y convertirse en un electrn de conduccin a
temperaturas moderadas. Decimos que estos electrones han sido donados
a la banda de conduccin. El tomo de arsnico es llamado donador y el
37
hueco
es
creada
en
la
banda
de
valencia.
Este
es
un
de
38
E D 0
D
mn
m0
E H
(23)
de
la
energa
de
ionizacin,
particularmente
para
los
ionizacin
3kT ).
Sin
embargo,
los
clculos
hechos
predicen
39
Fig. 1 9 Energas de ionizacin dadas en (eV) para varias impurezas en Si y GaAs. Los niveles por abajo del centro
de la banda prohibida son niveles aceptores y estn medidos desde la parte alta de la banda de valencia y solamente
los indicados por D son niveles donadores. Los niveles por arriba de la lnea de centro de la banda prohibida son
niveles donadores y estn medidos desde la parte baja de la banda de conduccin y nicamente los indicados por A
son niveles aceptores.
un semiconductor no degenerado.
Para donadores superficiales en el silicio y en el arseniuro de galio,
usualmente es suficiente la energa trmica para suplir la energa de
ionizacin E D en todas las impurezas donadoras a temperatura ambiente y
as proveer el mismo nmero de electrones en la banda de conduccin. Esta
condicin es llamada ionizacin completa. Bajo una condicin de ionizacin
completa, podemos escribir la densidad de electrones como
40
n ND ,
(24)
(25)
p NA
(26)
Fig. 20 Representacin esquemtica de las bandas de energa de un semiconductor extrnseco con ( a ) donadores
ionizados y ( b ) aceptores ionizados.
41
(27)
E F EV kT ln( NV N A )
de
donadores,
ms
se
acerca
el
nivel
Fermi
EC .
Fig. 21
np ni .
2
ni
y el nivel Fermi
42
o
n ni exp ( E F Ei ) kT ,
(28)
p ni exp ( Ei E F ) kT
(29)
y similarmente,
resultado es idntico al caso intrnseco, la Ec. 20. Esta Ec. Es llamada ley de
masa activa, la cual es vlida para ambos tipos de semiconductores
intrnsecos y extrnsecos bajo conduccin en equilibrio trmico. En un
semiconductor extrnseco, el nivel Fermi se mueve hacia la parte baja de la
banda de conduccin (tipo n) o hacia la parte alta de la banda de valencia
(tipo p). Cualquiera de los dos tipos de portadores de carga n o p dominar,
pero el producto de los dos tipos de portadores permanecer constante a una
temperatura dada.
EJEMPLO
Un lingote de silicio es dopado con 3.7 x 1016 tomos de arsnico/cm3.
Encontrar la concentracin de portadores de carga y el nivel Fermi a
temperatura ambiente (300 K).
43
SOLUCIN
De la Ec. 20
p ni
El nivel Fermi medido desde el nivel intrnseco de Fermi est dado por
la Ec. 28
n ni exp ( E F Ei ) kT ,
E F Ei kT ln( N D ni )
ambas
impurezas
donadoras
aceptoras
estn
presentes
de
conductividad
en
el
semiconductor.
El
nivel
Fermi
deber
44
n N A p ND ,
(30)
n 1 N D N A
2
N D N A 2 4ni 2 ,
p n n i nn
2
(31)
(32)
45
p 1 N A N D
2
N A N D 2 4ni 2
(33)
n p ni
(34)
pp
de
Boltzmann
es
la
temperatura
absoluta.
En
un
46
1
3
mn vth2 kT
2
2
(35)
10 5 vth 10 12 s ).
Cuando es aplicado un
47
vn
(36)
o
vn
q c
E
mn
(36a)
48
en unidades de
cm 2 V s o
q c
.
mn
(36)
vn n E
(37)
n
as,
(38)
49
c ,red
c ,impureza
(39)
(40)
50
q
1.6 x10 19 C
1.48x10 13 s 0.148 ps
Resistividad y Conductividad
Ahora
consideraremos
la
conduccin
en
un
material
semiconductor
51
Fig. 24 Movilidad y difusividad en el Si y el GaAs a 300 K como una funcin de la concentracin de impurezas.
dEC
dx
(41)
el
nivel
intrnseco
de
Fermi
Ei
porque
usaremos
Ei
cuando
52
Fig. 25
voltaje
1 dEC 1 dE i
q dx
q dx
(42)
d
dx
(43)
Ei
q
(44)
53
A , una longitud
y una concentracin de
Jn
n
In
(qvi ) qnvn qn n E
A i 1
(45)
54
(46)
(47)
q(n n p p )
(48)
Fig. 26 Corriente de conduccin en una barra semiconductora uniformemente dopada con longitud L y con rea de
seccin transversal A.
55
1
qn n p p
(49)
1
qn n
(50)
1
qp p
(51b)
56
Fig. 27 Concentracin de electrones versus distancia; l es la trayectoria media libre. La direccin de los electrones
y de la corriente fluyen como es indicados por las flechas.
57
1
n(l )l
1
2
F1
n(l )vth
c
2
(52)
F2
1
nl v th
2
(53)
F F1 F2
1
vth n(l ) n(l ). .
2
(54)
1
dn
dn
F v n(0) l n(0) l
2 th
dx
dx
vth l
donde
Dn vth l
dn
dn
,
Dn
dx
dx
(55)
58
J n qF qDn
dn
,
dx
(56)
SOLUCIN
J n,dif qDn
dn
n
qDn
dx
x
1x1018 7 x1017
10.8
1.6 x10 19 22.5
0.1
A cm 2
Relacin de Einstein
La Ec. 56 puede ser escrita en una forma ms usual usando el teorema de
equiparacin de energa para este caso unidimensional. Podemos escribir
1
1
2
mn vth kT ,
2
2
(57)
59
m
Dn vth l vth vth c vth2 n n
q
kT n mn
mn q
kT
Dn n
q
(58)
(59)
SOLUCIN
vp
1cm
10 4
6
100 x10 s
vp
Dp
kT
p 0.0259 x200 5.18
q
10 4
200
50
cm s ;
cm 2 V s ;
cm 2 s
60
J n q n nE qDn
dn
,
dx
(60)
J p q p pE qD p
dp
,
dx
(61)
(62)
61
dx
generacin
recombinacin
son
designados
por
Gn
Rn ,
62
J ( x) A J n ( x dx) A
n
Adx n
(Gn Rn ) Adx ,
t
q
q
(63)
J n
dx
x
(64)
(Gn Rn )
t q t
(65)
63
p
1 J p
(G p R p )
t
q t
(66)
n p
n p
2np
n p n po
E
n p n
n E
Dn
,
n
t
x
x
n
x 2
(67)
p n
p
2 pn
p p no
E
pn p
p E n Dp
Gp n
,
2
t
x
x
p
x
(68)
dE s
dx s
Deben
ser
satisfechas,
donde
es
(69)
la
permitividad
dielctrica
del
64
pn
2 pn pn pno
0 Dp
dt
p
x 2
Las
condiciones
de
frontera
son
pn ( x 0) pn (0) valor
(70)
constante
La longitud L p es igual a
x Lp
(71)
65
Fig. 29 Inyeccin de portadores de estado estable por un lado. ( a ) Muestra semiinfinita. ( b ) Muestra con espesor
W
W x
senh
p .
pn ( x) pno pn (0) pno
senh(W L p )
(72)
66
J p qD p
pn
x
q pn (0) pno
W
Dp
1
.
L p senh(W L p )
(73)
qD p
dpn
dx
qU s qS lr pn (0) p no .
(74)
x 0
67
pn
2 pn
p pno
,
0 Dp
GL n
2
t
p
x
(75)
p S lr e x L p
pn ( x) pno p GL 1
L p p S lr
(76)
Una grfica de esta ecuacin para una S rl finita es mostrada en la Fig. 30.
cuando
S rl 0 ,
pnx ( x) pno p GL ,
como
fue
obtenido
propuesto
pn ( x) pno p GL (1 e
x Lp
),
(77)
Experimento de Haynes-Shockley
Uno de los experimentos clsicos en fsica de semiconductores es la
demostracin del arrastre y difusin de los portadores de carga minoritarios,
primeramente hecho por Haynes y Shockley. El experimento permite medir
independientemente la movilidad de los portadores minoritarios
y el
68
pn
pn
2 p n pn pno
.
p E
Dp
t
x
p
x 2
(78)
pn ( x, t )
x2
N
t
exp
4D t
4D p t
p
p
pno ,
(79)
69
EJEMPLO
En el experimento de Haynes-Shockley, la amplitud mxima de los
portadores de carga minoritarios ocurre en t1 100s y en t 2 200s difiere en
un factor de 5. Calcular el tiempo de vida de los portadores minoritarios.
SOLUCIN
( x p Et ) 2 t
N
p pn pno
exp
.
4
D
t
p
4D p t
p
En la amplitud mxima
t
N
exp .
4D p t
p
Por esto
200 100
t exp( t1 p )
p(t1 )
200
5
2
exp
( s)
p(t 2 )
100
t1 exp( t 2 p )
p
200 100
79s.
ln(5 2 )
70
71
72
72
algunos
descompensados
por
de
los
los
iones
electrones
positivos
que
donadores ( N D )
abandonan
el
quedan
lado
n.
Fig. 1 ( a ) Semiconductores tipo p y tipo n uniformemente dopados antes de que la unin sea formada. ( b ) El
campo elctrico en la regin de agotamiento y el diagrama de las bandas de energa de la unin p-n en equilibrio
trmico.
73
J p J p (arrastre) J p (difusin )
q p pE qD p
dp
dx
1 dEi
q p p
q dx
dp
kT p
0
dx
(1)
(2)
y su derivada
dp
p dEi dE F
dx kT dx
dx
(3)
74
J p p p
dE F
0
dx
(4)
o
dE F
0
dx
(5)
q n nE qDn
n n
dn
dx
dE F
0
dx
(6)
2.2.1
Potencial de Contacto
El nivel Fermi constante requiri de un equilibrio trmico que da como resultado una
distribucin espacial de carga nica en la unin. Repetimos la unin p n en una
dimensin y su correspondiente diagrama de bandas de energa en equilibrio en las
Figs. 5a y 5b, respectivamente. La distribucin de carga espacial nica y el potencial
electrosttico estn dados por la ecuacin de Poisson:
75
d 2
dE
q
s ( N D N A p n)
2
dx
s
s
dx
(7)
Aqu asumimos que todos los donadores y todos los aceptores estn ionizados.
En regiones lejanas a la unin metalrgica, la neutralidad de carga se mantiene y la
densidad espacial de carga es cero. Para esta regin neutral podemos simplificar la
Ec. 7 a
d 2
0
dx 2
(8)
(9)
ND N A p n 0
1
Ei EF x x p kT ln N A
q
q ni
(10)
1
q
n ( Ei E F ) x x
n
kT N D
ln
q ni
(11)
76
Vbi n p
kT N A N D
.
ln
q ni 2
(12)
p y n
Las magnitudes de p
(13)
77
Fig. 2 ( a ) Una unin p-n con un cambio abrupto de dopado en la unin metalrgica. ( b ) Diagrama de bandas de
energa de una unin abrupta en equilibrio trmico. ( c ) Distribucin espacial de carga. ( d ) Aproximacin
rectangular de la distribucin espacial de carga.
EJEMPLO
Calcular el potencial de contacto de una unin p n de silicio con N A 1018 cm 3
y N D 1015 cm 3 a 300K.
78
1018 x1015
Vbi (0.0259) ln
0.774 V.
9 2
(9.65 x10 )
Tambin de la Fig. 3,
Fig. 3 Potencial de construccin en el lado p y en el lado n de una unin abrupta en el Si y en el GaAs como una
funcin de las impurezas
2.2.2
Campo Elctrico
79
2
s
dx
para
x p x <0
(14a)
qN
d 2
D
2
s
dx
para
0< x x n
(14b)
Fig. 4
80
N A x p N D xn
W x p xn
dx
s
E ( x)
para
x p x <0
(17a)
0< x xn
(17b)
y
E ( x) Em
qN D x
qN D
( x xn ) para
Em
qN D xn
qN A x p
(18)
Vbi :
xn
xp
xp
qN A x 2p
2 s
xn
lado p
E ( x)dx
0
ladon
qN D xn2 1
EmW .
2 s
2
(19)
81
2 s N A N D
Vbi .
q N A N D
(20)
abrupta
de
un
solo
lado
Fig. 5 ( a ) Distribucin de carga espacial en la regin de agotamiento en equilibrio trmico. ( b ) Distribucin del
campo elctrico. El rea sombreada corresponde al potencial de contacto.
82
W xn
2 sVbi
.
qN D
(21)
E ( x) Em
qN B x
(22)
Em
qN BW
(23)
E ( x)
qN B
W x Em 1
x
,
W
(24)
x2
constante.
( x) Edx Em x
0
2W
(25)
83
Fig. 6 ( a ) Unin abrupta de un solo lado (con NA>>ND) en equilibrio trmico. ( b ) Distribucin espacial de carga
( c ) Distribucin de campo elctrico ( d ) Distribucin del potencial respecto de la distancia, donde Vbi es el
potencial de contacto.
( x)
Vbi x
2
2
W W
(26)
y N D 1016 cm 3 ,
84
1019 x1016
Vbi 0.0259 ln
0.895V
2
9.65 x109
W
Em
2.2.3
2 sVbi
3.41x10 5 0.343m
qN D
qN BW
0.52 x10 4 V / cm
Zona de Vaciamiento
de
impurezas
vara
linealmente
travs
de
la
unin.
2.2.4
Carga Almacenada
85
de transicin).
Fig. 7 Unin linealmente graduada en equilibrio trmico. ( a ) Distribucin de impurezas. ( b ) Distribucin de del
campo elctrico. ( c ) Distribucin del potencial con la distancia. ( d ) Diagrama de bandas.
86
Fig. 8
( a ) Unin p-n con un perfil de impurezas arbitrario bajo polarizacin inversa. ( b ) Cambio en la
distribucin de la carga espacial debido al voltaje aplicado. ( c ) Cambio correspondiente en la distribucin del
campo elctrico.
87
dQ
dQ
s
dQ W
dV
W
(27)
o
Cj
2.2.5
F cm 2
(27a)
Capacitancia
Cj
s
W
q s N B
2(Vbi V )
(28)
o
Instituto Tecnolgico de Lzaro Crdenas.
88
1 2(Vbi V )
.
Cj
q s N B
En la Ec. 29
(29)
polarizacin
2 x1019 x8 x1015
Vbi 0.0259 ln
0.906V .
(9.65 x109 ) 2
W V 0
Cj
V 0
2 sVbi
2 x11.9 x8.85 x10 14 x0.906
s
W V 0
q s N B
2.728 x10 8 F cm 2
2Vbi
W V 4
2 s (Vbi V )
2 x11.9 x8.85 x10 14 x(0.906 4)
89
Cj
V 4
s
W V 4
q s N B
1.172 x10 8 F cm 2
2(Vbi V )
2 s (Vbi V )
.
qN B
(30)
90
Fig. 9 Representacin esquemtica del ancho de la capa de agotamiento y diagrama de bandas de energa de una
unin p-n bajo varias condiciones de polarizacin. ( a ) Condicin de equilibrio trmico. ( b ) Condicin de
polarizacin directa. ( c ) Condicin de polarizacin inversa.
2.3.1
Polarizacin Directa
91
Vbi
kT p ponno kT nno
ln
ln
2
q
q n po
ni
(31)
tenemos
n no n poe qV bi kT
(32)
p po pnoe qVbi kT
(33)
Similarmente, tenemos
92
nn n p e q (Vbi V ) kT
(34)
n p n poe qV kT
(35)
n p n po n po e qV kT 1
(35a)
Similarmente, tenemos
(36)
pn pnoe qV kT
pn pno pno e qV kT 1
(36a)
en x xn para la frontera del tipo n . Las Figs. 10a y 10b muestra el diagrama
de bandas y concentracin de portadores de carga en una unin p n bajo
Instituto Tecnolgico de Lzaro Crdenas.
93
agotamiento.
Estas
ecuaciones
son
las
condiciones
de
frontera
ms
2.3.2
Polarizacin Inversa
94
d 2 pn pn pno
0
D p p
dx 2
(37)
pn ( x ) pno da
pn pno pno e qV kT 1 e
( x xn ) L p
(38)
J p xn qD p
dpn
dx
xn
qD p pno
Lp
qV kT
1 .
(39)
n p n po n po e qV kT 1e
x x p L n
(40)
95
J n x p qDn
dn p
dx
qDn n po
Ln
xp
qV kT
1 .
(41)
grficas
recombinan
ilustran
con
los
que
los
portadores
portadores
minoritarios
mayoritarios
mientras
inyectados
los
se
portadores
respectivamente.
La
corriente
de
difusin
de
huecos
decaer
J J p xn J n x p J s e qV kT 1 .
Js
qD p pno
Lp
qDn n po
Ln
(42)
(42a)
96
el plano de escala
97
N D 1016 cm 3 ,
SOLUCIN
qD p pno
Lp
p n 5x10 7 s
D p 10 cm 2 s ,
Dn 21cm 2 s ,
Js
ni 9.65x109 cm 3
qDn n po
Ln
1
qni2
ND
Dp
1
NA
Dn
,
n
2 1
10
1
21
1.6 x10 19 x 9.65 x109 16
7
16
5 x10
5 x10
5 x10 7
10
8.58x10 12 A cm 2
De la seccin transversal con rea A 2 x104 cm 2 , obtenemos
debe
ser
limitada
por
un
circuito
externo
para
evitar
un
98
Fig. 12 Caracterstica corriente- voltaje ideal. ( a ) Grfica en el plano cartesiano. ( b ) Grfica en plano de escala
semilogartmico.
99
Fig. 13 Diagramas de bandas de energa bajo condiciones de rompimiento de la unin. ( a ) Efecto tnel. ( b )
Multiplicacin avalancha.
impurezas para ambas regiones debern ser altas (> 5x1017 cm 3 ). El mecanismo
de rompimiento para las uniones de silicio y arseniuro de galio con voltajes
de rompimiento de menos que 4 E g q , donde E g es la banda prohibida, son el
resultado del efecto tnel. Para uniones con voltajes de rompimiento arriba
de 6 E g q , el mecanismo de rompimiento es el resultado de multiplicacin
avalancha. Para los voltajes entre 4 y
6 E g q , el rompimiento es debido a
100
2.4.1
de su energa para
pn
concentracin de impurezas de
N D 1017 cm 3
p n
con una
polarizacin inversa.
Para derivar la condicin de rompimiento, asumiremos que la corriente I no
incide por el lado izquierdo de la regin de agotamiento de ancho W, como
se muestra en la Fig. 14. Si el campo elctrico en la regin de agotamiento
es suficientemente alto para iniciar el proceso de multiplicacin avalancha, la
corriente de electrones I n se incrementar con la distancia a travs de la
101
M n I no en W , donde M n , el
Mn
I n(W )
I no
(43)
Fig. 14
Regin de agotamiento en una unin p-n con multiplicacin de una corriente incidente.
I I
I
d n n n dx P p dx
q q
q
(44)
dI n
p n I n p I
dx
(44a)
102
(45)
W
1
dx .
0
Mn
(45a)
dx 1
(46)
tnel
solamente
ocurre
en
semiconductores
que
tienen
alta
concentracin de impurezas.
103
el
campo
crtico
determinado,
podemos
calcular
el
voltaje
de
Fig. 15
lado
Campo crtico de rompimiento contra el dopado bajo para el Si y el GaAs en una unin abrupta de un solo
E cW sEc2
N B 1
VB voltaje..de..ruptura
2
2q
(47)
2E W 4E
VB c c
3
3
32
2 s
12
a 1 2
(48)
104
2.4.2
Ruptura Zener
NB
para una unin abrupta de un solo lado y con a 1 2 para una unin
graduada linealmente.
La fig. 16 muestra el clculo de voltajes de rompimiento avalancha para las
uniones de silicio y de arseniuro de galio. La lnea de puntos y rayas (a la
derecha) a altas concentraciones de impurezas o altos gradientes de
impurezas indica el comportamiento del efecto tnel. El arseniuro de galio
tiene un voltaje de rompimiento ms alto que el silicio para una N B o una a
dada, principalmente porque su banda prohibida es ms grande. Debido a la
banda prohibida ms grande, un campo crtico ms grande se requerir para
ganar suficiente energa cintica entre colisiones. Como las Ecs. 47 y 48 lo
demuestran, el campo elctrico grade, a su vez, da como resultado un
voltaje de rompimiento ms grande.
Los trazos de la Fig. 17 muestra la distribucin de una carga espacial de una
unin difundida con un gradiente lineal cerca de la superficie y un dopado
constante en el semiconductor. El voltaje de rompimiento se tiende entre los
dos casos lmite de una unin abrupta y una unin linealmente graduada
considerada previamente. Para una a grande y N B pequea , el voltaje de
rompimiento de la unin difundida est dado por la unin abrupta cuyos
105
Fig. 16 Voltaje de rompimiento avalancha contra concentracin de impurezas para una unin abrupta de un solo
lado y voltaje de rompimiento avalancha contra gradiente de impurezas para una unin linealmente graduda en Si y
GaAs. La lnea de lneas y puntos indica el comportamiento del mecanismo tnel.
p n con N D 5x1016 cm 3
SOLUCIN
2
2q
106
2 x1.6 x10 19
5x10
2
16 1
21.4V
Fig. 16
Voltaje de rompimiento para una unin por difusin. Muestra la distribucin de la carga espacial.
107
EcWm 2
VB
W
W
2
W
W
m
m
(49)
108
m , calcular el voltaje de
rompimiento.
SOLUCIN
2 s (Vbi V )
qN B
EcWm 2
VB
W
W
m
m
W
W
20
20
2
500x
V B ' VB
2
449V
29.3
29.3
Wm Wm
109
Fig. 18a
p n.
Este
incremento
repentino
de
corriente
es
referido
como
110
Fig. 8 ( a ) Una barra tipo n de una oblea de Si. ( b ) Una oblea de Si oxidada por oxidacin seca o mojada. ( c )
Aplicacin de resistencia. ( d ) Resistencia expuesta a travs de la mscara.
111
Fig. 9 ( a ) La oblea despus del revelado. ( b ) La oblea despus de la remosin del Si2O2. ( c ) El resulatado final
despus de completar el proceso litogrfico. ( d ) Una unin p-n es formada en el proceso de difusin o implantacin.
( e ) La oblea despus de la metalizacin. ( f ) Una unin p-n despus de completar el proceso.
Oxidacin
El desarrollo del dixido de silicio (SiO2) de alta calidad ha ayudado al
establecimiento del dominio del silicio en la produccin comercial de CIs.
Generalmente, el SiO2 funciona como un aislante en un buen nmero de
Instituto Tecnolgico de Lzaro Crdenas.
112
113
superficie de SiO2 que no fue protegida (Fig. 20b). Por ltimo, la resistencia
removida por una solucin qumica o un sistema de plasma de oxgeno. La
Fig. 20c muestra el resultado final de una regin sin xido (una ventana)
despus del proceso de litografa. La oblea est ahora lista para formar la
unin p n por un proceso de difusin o
un proceso de implantacin de
iones.
Difusin e Implantacin de Iones
En el mtodo de difusin, la superficie del semiconductor no protegida por el
xido es expuesta a una fuente con una alta concentracin de impurezas del
tipo opuesto. Las impurezas penetran dentro del cristal semiconductor por
difusin de estado slido. En el mtodo de implantacin de iones, las
impurezas
que
se
requieren
son
introducidas
al
semiconductor
por
114
115