Dislocation

In materials science, a dislocation is a crystallographic defect or irregularity, within a

crystal structure. The presence of dislocations strongly influences many of the properties of
materials. The theory was originally developed by Vito Volterra in 1905. Some types of
dislocations can be visualized as being caused by the termination of a plane of atoms in the
middle of a crystal. In such a case, the surrounding planes are not straight, but instead bend
around the edge of the terminating plane so that the crystal structure is perfectly ordered on
either side. The analogy with a stack of paper is apt: if a half a piece of paper is inserted in
a stack of paper, the defect in the stack is only noticeable at the edge of the half sheet.
There are two primary types: edge dislocations and screw dislocations. Mixed dislocations
are intermediate between these.

Figure 1: An edge-dislocation (b = Burgers vector)

Mathematically, dislocations are a type of topological defect, sometimes called a soliton.
The mathematical theory explains why dislocations behave as stable particles: they can be
moved about, but maintain their identity as they move. Two dislocations of opposite
orientation, when brought together, can cancel each other (this is the process of
annihilation), but a single dislocation typically cannot "disappear" on its own.

Contents

1 Dislocation geometry
o 1.1 Edge dislocations
o

1.2 Screw dislocations

1.3 Mixed dislocations

2 Observation of dislocations

3 Sources of dislocations

4 Dislocations, slip and plasticity

5 Dislocation climb

6 Notes

7 References

8 External links

Dislocation geometry

Figure A Crystal lattice showing atoms and lattice planes

Two main types of dislocation exist: edge and screw. Dislocations found in real materials
typically are mixed, meaning that they have characteristics of both.
A crystalline material consists of a regular array of atoms, arranged into lattice planes
(imagine stacking oranges in a grocers, each of the trays of oranges are the lattice planes).
One approach is to begin by considering a 3-d representation of a perfect crystal lattice,
with the atoms represented by spheres. The viewer may then start to simplify the
representation by visualising planes of atoms instead of the atoms themselves (Figure A).

Figure B Schematic diagram (lattice planes) showing an edge dislocation. Burgers vector
in black, dislocation line in blue.

Edge dislocations
An edge dislocation is a defect where an extra half-plane of atoms is introduced mid way
through the crystal, distorting nearby planes of atoms. When enough force is applied from
one side of the crystal structure, this extra plane passes through planes of atoms breaking

and joining bonds with them until it reaches the grain boundary. A simple schematic
diagram of such atomic planes can be used to illustrate lattice defects such as dislocations.
(Figure B represents the "extra half-plane" concept of an edge type dislocation). The
dislocation has two properties, a line direction, which is the direction running along the
bottom of the extra half plane, and the Burgers vector which describes the magnitude and
direction of distortion to the lattice. In an edge dislocation, the Burgers vector is
perpendicular to the line direction.
The stresses caused by an edge dislocation are complex due to its inherent asymmetry.
These stresses are described by three equations:[1]

where is the shear modulus of the material, b is the Burgers vector, is Poisson's ratio
and x and y are coordinates.
These equations suggest a vertically oriented dumbbell of stresses surrounding the
dislocation, with compression experienced by the atoms near the "extra" plane, and tension
experienced by those atoms near the "missing" plane.[1]

Screw dislocations

Top right: edge dislocation.

Bottom right: screw dislocation.

Figure C Schematic diagram (lattice planes) showing a screw dislocation.

A screw dislocation is much harder to visualize. Imagine cutting a crystal along a plane and
slipping one half across the other by a lattice vector, the halves will fit back together
without leaving a defect. If the cut only goes part way through the crystal, and then slipped,
the boundary of the cut is a screw dislocation. It comprises a structure in which a helical
path is traced around the linear defect (dislocation line) by the atomic planes in the crystal
lattice (Figure C). Perhaps the closest analogy is a spiral-sliced ham. In pure screw
dislocations, the Burgers vector is parallel to the line direction.
Despite the difficulty in visualization, the stresses caused by a screw dislocation are less
complex than those of an edge dislocation. These stresses need only one equation, as
symmetry allows only one radial coordinate to be used:[1]

where is the shear modulus of the material, b is the Burgers vector, and r is a radial
coordinate. This equation suggests a long cylinder of stress radiating outward from the
cylinder and decreasing with distance. Please note, this simple model results in an infinite
value for the core of the dislocation at r=0 and so it is only valid for stresses outside of the
core of the dislocation.[1]

Mixed dislocations
In many materials, dislocations are found where the line direction and Burgers vector are
neither perpendicular nor parallel and these dislocations are called mixed dislocations,
consisting of both screw and edge character.

Observation of dislocations

Transmission Electron Micrograph of Dislocations

When a dislocation line intersects the surface of a metallic material, the associated strain
field locally increases the relative susceptibility of the material to acidic etching and an etch
pit of regular geometrical format results. If the material is strained (deformed) and
repeatedly re-etched, a series of etch pits can be produced which effectively trace the
movement of the dislocation in question.
Transmission electron microscopy can be used to observe dislocations within the
microstructure of the material. Thin foils of metallic samples are prepared to render them
transparent to the electron beam of the microscope. The electron beam suffers diffraction by
the regular crystal lattice planes of the metal atoms and the differing relative angles
between the beam and the lattice planes of each grain in the metal's microstructure result in
image contrast (between grains of different crystallographic orientation). The less regular
atomic structures of the grain boundaries and in the strain fields around dislocation lines
have different diffractive properties than the regular lattice within the grains, and therefore
present different contrast effects in the electron micrographs. (The dislocations are seen as
dark lines in the lighter, central region of the micrographs on the right). Transmission
electron micrographs of dislocations typically utilize magnifications of 50,000 to 300,000
times (though the equipment itself offers a wider range of magnifications than this).

Transmission Electron Micrograph of Dislocations

Some microscopes also permit the in-situ heating and/or deformation of samples, thereby
permitting the direct observation of dislocation movement and their interactions. Note the
characteristic 'wiggly' contrast of the dislocation lines as they pass through the thickness of

the material. Note also that a dislocation cannot end within a crystal; the dislocation lines in
these images end at the sample surface. A dislocation can only be contained within a crystal
as a complete loop.
Field ion microscopy and atom probe techniques offer methods of producing much higher
magnifications (typically 3 million times and above) and permit the observation of
dislocations at an atomic level. Where surface relief can be resolved to the level of an
atomic step, screw dislocations appear as distinctive spiral features - thus revealing an
important mechanism of crystal growth: where there is a surface step, atoms can more
easily add to the crystal, and the surface step associated with a screw dislocation is never
destroyed no matter how many atoms are added to it.
(By contrast, traditional optical microscopy, which is not appropriate for the direct
observation of dislocations, typically offers magnifications up to a maximum of only
around 2000 times).
After chemical etching, small pits are formed where the etching solution preferentially
attacks the sample surface around the dislocations intercepting this surface, due to the more
highly strained state of the material . Thus, the image features indicate points at which
dislocations intercept the sample surface. In this way, dislocations in silicon, for example,
can be observed indirectly using an interference microscope. Crystal orientation can be
determined by the shape of the etch pits associated with the dislocations (in the case of the
illustration below; 100 elliptical, 111 - triangular/pyramidal).

Dislocations in silicon,
orientation 100

Dislocations in silicon,
orientation 111

Dislocation in silicon,
orientation 111

Sources of dislocations
Dislocation density in a material can be increased by plastic deformation by the following
relationship:
. Since the dislocation density increases with plastic deformation, a
mechanism for the creation of dislocations must be activated in the material. Three
mechanisms for dislocation formation are formed by homogeneous nucleation, grain
boundary initiation, and interfaces the lattice and the surface, precipitates, dispersed phases,
or reinforcing fibers.
The creation of a dislocation by homogeneous nucleation is a result of the rupture of the
atomic bonds along a line in the lattice. A plane in the lattice is sheared, resulting in 2
oppositely faced half planes or dislocations. These dislocations move away from each other
through the lattice. Since homogeneous nucleation forms dislocations from perfect crystals
and requires the simultaneous breaking of many bonds, the energy required for

homogeneous nucleation is high. For instance the stress required for homogeneous
nucleation in copper has been shown to be
, where G is the shear
modulus of copper (46 GPa). Solving for
, we see that the required stress is 3.4 GPa,
which is very close to the theoretical strength of the crystal. Therefore, in conventional
deformation homogeneous nucleation requires a concentrated stress, and is very unlikely.
Grain boundary initiation and interface interaction are more common sources of
dislocations.
Irregularities at the grain boundaries in materials can produce dislocations which propagate
into the grain. The steps and ledges at the grain boundary are an important source of
dislocations in the early stages of plastic deformation.
The surface of a crystal can produce dislocations in the crystal. Due to the small steps on
the surface of most crystals, stress in certain regions on the surface is much larger than the
average stress in the lattice. The dislocations are then propagated into the lattice in the same
manner as in grain boundary initiation. In monocrystals, the majority of dislocations are
formed at the surface. The dislocation density 200 micrometres into the surface of a
material has been shown to be six times higher than the density in the bulk. However, in
polycrystalline materials the surface sources cannot have a major effect because most
grains are not in contact with the surface.
The interface between a metal and an oxide can greatly increase the number of dislocations
created. The oxide layer puts the surface of the metal in tension because the oxygen atoms
squeeze into the lattice, and the oxygen atoms are under compression. This greatly
increases the stress on the surface of the metal and consequently the amount of dislocations
formed at the surface. The increased amount of stress on the surface steps results in an
increase of dislocations.[2]
The stresses produced by a dislocation source may be visualized by photoelasticity in a
gamma-irradiated LiF single crystal. The tensile stress along the glide plane is red. The
compressive stress is dark green:

Dislocation source (schematic)

Stresses in a dislocation pile-up

Dislocations, slip and plasticity

Main article: Dislocation creep
Until the 1930s, one of the enduring challenges of materials science was to explain
plasticity in microscopic terms. A naive attempt to calculate the shear stress at which
neighbouring atomic planes slip over each other in a perfect crystal suggests that, for a
material with shear modulus G, shear strength m is given approximately by:

As shear modulus in metals is typically within the range 20 000 to 150 000 MPa, this is
difficult to reconcile with shear stresses in the range 0.5 to 10 MPa observed to produce
plastic deformation in experiments.
In 1934, Egon Orowan, Michael Polanyi and G. I. Taylor, roughly simultaneously, realized
that plastic deformation could be explained in terms of the theory of dislocations.
Dislocations can move if the atoms from one of the surrounding planes break their bonds
and rebond with the atoms at the terminating edge. In effect, a half plane of atoms is moved
in response to shear stress by breaking and reforming a line of bonds, one (or a few) at a
time. The energy required to break a single bond is far less than that required to break all
the bonds on an entire plane of atoms at once. Even this simple model of the force required
to move a dislocation shows that plasticity is possible at much lower stresses than in a
perfect crystal. In many materials, particularly ductile materials, dislocations are the
"carrier" of plastic deformation, and the energy required to move them is less than the
energy required to fracture the material. Dislocations give rise to the characteristic
malleability of metals.

When metals are subjected to "cold working" (deformation at temperatures which are
relatively low as compared to the material's absolute melting temperature, Tm, i.e., typically
less than 0.3 Tm) the dislocation density increases due to the formation of new dislocations
and dislocation multiplication. The consequent increasing overlap between the strain fields
of adjacent dislocations gradually increases the resistance to further dislocation motion.
This causes a hardening of the metal as deformation progresses. This effect is known as
strain hardening (also work hardening). Tangles of dislocations are found at the early
stage of deformation and appear as non well-defined boundaries; the process of dynamic
recovery leads eventually to the formation of a cellular structure containing boundaries with
misorientation lower than 15 (low angle grain boundaries). In addition, adding pinning
points that inhibit the motion of dislocations, such as alloying elements, can introduce
stress fields that ultimately strengthen the material by requiring a higher applied stress to
overcome the pinning stress and continue dislocation motion.
The effects of strain hardening by accumulation of dislocations and the grain structure
formed at high strain can be removed by appropriate heat treatment (annealing) which
promotes the recovery and subsequent recrystallisation of the material.
The combined processing techniques of work hardening and annealing allow for control
over dislocation density, the degree of dislocation entanglement, and ultimately the yield
strength of the material.

Dislocation climb
Dislocations can slip in planes containing both the dislocation and the Burgers Vector. For a
screw dislocation, the dislocation and the Burgers vector are parallel, so the dislocation
may slip in any plane containing the dislocation. For an edge dislocation, the dislocation
and the Burgers vector are perpendicular, so there is only one plane in which the dislocation
can slip. There is an alternative mechanism of dislocation motion, fundamentally different
from slip, that allows an edge dislocation to move out of its slip plane, known as dislocation
climb. Dislocation climb allows an edge dislocation to move perpendicular to its slip plane.
The driving force for dislocation climb is the movement of vacancies through a crystal
lattice. If a vacancy moves next to the boundary of the extra half plane of atoms that forms
an edge dislocation, the atom in the half plane closest to the vacancy can "jump" and fill the
vacancy. This atom shift "moves" the vacancy in line with the half plane of atoms, causing
a shift, or positive climb, of the dislocation. The process of a vacancy being absorbed at the
boundary of a half plane of atoms, rather than created, is known as negative climb. Since
dislocation climb results from individual atoms "jumping" into vacancies, climb occurs in
single atom diameter increments.
During positive climb, the crystal shrinks in the direction perpendicular to the extra half
plane of atoms because atoms are being removed from the half plane. Since negative climb
involves an addition of atoms to the half plane, the crystal grows in the direction
perpendicular to the half plane. Therefore, compressive stress in the direction perpendicular
to the half plane promotes positive climb, while tensile stress promotes negative climb.

This is one main difference between slip and climb, since slip is caused by only shear
stress.
One additional difference between dislocation slip and climb is the temperature
dependence. Climb occurs much more rapidly at high temperatures than low temperatures
due to an increase in vacancy motion. Slip, on the other hand, has only a small dependence
on temperature

Dislocacin
En ciencias de los materiales, Un dislocacin es una defectos cristalogrficos o
irregularidad, dentro de un estructura cristalina. La presencia de trastornos influye
fuertemente en muchas de las propiedades de los materiales. La teora fue desarrollada
originalmente por Vito Volterra en el ao 1905. Algunos tipos de trastornos pueden ser
visualizados como causados por la terminacin de un plano de tomos en medio de un
cristal. En tal caso, el entorno planos no son rectos, sino que se curvan alrededor del borde
de la placa de terminacin para que la estructura cristalina es perfectamente ordenado a
cada lado. La analoga con una pila de papel es apto: si la mitad de una hoja de papel se
inserta en una pila de papel, el defecto de la pila es slo perceptible en el borde de la hoja
de la mitad.
Hay dos tipos principales: dislocaciones borde y dislocaciones de tornillo. trastornos
mixtos son intermedios entre estos.

Figura 1: Un borde-luxacin (b = Hamburguesas de vectores)

Matemticamente, las dislocaciones son un tipo de defectos topolgicos, A veces llamado
solitones. La teora matemtica explica por qu las dislocaciones se comportan como
partculas estables: se pueden mover alrededor, pero mantener su identidad a medida que
avanzan. Dos dislocaciones de orientacin opuesta, cuando se reuni, puede cancelar el uno
al otro (este es el proceso de aniquilacin), Pero una luxacin sola por lo general no puede
"desaparecer" por su propia cuenta.

Contenido

1 Luxacin geometra
o 1.1 Dislocaciones de borde
o

1.2 Tornillo dislocaciones

1.3 trastornos mixtos

2 Observacin de dislocaciones

3 Fuentes de las dislocaciones

4 Dislocaciones, resbalones y plasticidad

5 Luxacin subir

6 Notas

7 Referencias

8 Enlaces externos

Luxacin geometra

Figura A Enrejado cristalino mostrando los tomos y planos reticulares

Dos tipos principales de trastornos existen: el borde y el tornillo. Dislocaciones en los
materiales reales suelen ser mixtos, Lo que significa que tienen caractersticas de ambos.
Un material cristalino consiste en un arreglo regular de tomos, dispuestos en planos
reticulares (imagino apilar naranjas en una tienda de alimentacin, cada una de las bandejas
de las naranjas son los planos reticulares). Un mtodo consiste en comenzar por considerar
una representacin 3-d de una red cristalina perfecta, con los tomos representados por
esferas. El espectador podr empezar a simplificar la representacin mediante la
visualizacin de planos de tomos en vez de los tomos de s mismos (figura A).

Figura B Diagrama esquemtico (planos reticulares) que muestra una dislocacin de borde.
Hamburguesas de vectores en la lnea de dislocacin negro, en color azul.

Dislocaciones de borde
Una dislocacin de borde es un defecto en un medio extra-plano de los tomos se introduce
a medio camino a travs del cristal, lo que distorsiona los aviones cerca de los tomos.
Cuando la fuerza se aplica suficiente de un lado de la estructura cristalina, este plano extra
pasa a travs de planos de tomos de ltima hora y unir lazos con ellos hasta llegar al lmite

de grano. Un simple diagrama esquemtico de tales planos atmicos pueden usarse para
ilustrar defectos en la red, tales como dislocaciones. (Figura B representa el "extra-plano
medio" concepto de una luxacin tipo de borde). El desplazamiento tiene dos propiedades,
una direccin de lnea, que es el sentido de la marcha a lo largo de la parte inferior del
plano medio extra, y la Hamburguesas de vectores que describe la magnitud y direccin de
la distorsin de la red. En una dislocacin de borde, el vector de Burgers es perpendicular a
la direccin de la lnea.
Los problemas causados por una dislocacin de borde son complejas debido a la asimetra
inherente. Estas tensiones son descritos por tres ecuaciones:[1]

donde es la mdulo de corte del material, b es el Hamburguesas de vectores, es la

relacin de Poisson y x e y son las coordenadas.
Estas ecuaciones sugieren una mancuerna de orientacin vertical de las tensiones que
rodean el desplazamiento, con la compresin experimentada por los tomos, cerca de la
"extra" plano, y la tensin experimentada por los tomos cercanos a los "desaparecidos"
plano.[1]

[edicin] Tornillo dislocaciones

Arriba a la derecha: la dislocacin de borde.

Abajo a la derecha: dislocacin de tornillo.

Figura C Diagrama esquemtico (planos reticulares) que muestra una dislocacin de

tornillo.
Un tornillo de la dislocacin es mucho ms difcil de visualizar. Imagina cortar un cristal a
lo largo de un avin y caer a la mitad en el otro por un vector de red, las mitades se ajuste
de nuevo juntos sin dejar un defecto. Si el corte no hace ms parte del camino a travs del
cristal, y luego se desliz, el lmite de la corte es una dislocacin de tornillo. Se compone
de una estructura en la que un helicoidal camino est trazado alrededor del defecto lineal
(lnea de dislocacin) por los planos atmicos de la red cristalina (Figura C). Tal vez la
analoga ms cercana es un de jamn cortado en espiral. En dislocaciones tornillo puro, el
vector de Burgers es paralelo a la direccin de la lnea.
A pesar de la dificultad en la visualizacin, las tensiones causadas por una dislocacin de
tornillo son menos complejos que los de una dislocacin de borde. Estos esfuerzos
necesitan una sola ecuacin, como la simetra permite una sola coordenada radial que se
utilizar:[1]

donde es la mdulo de corte del material, b es el vector de Burgers, y r es una coordenada

radial. Esta ecuacin sugiere un cilindro largo de la tensin que irradian hacia fuera del
cilindro y la disminucin de la distancia. Tenga en cuenta, el resultado es simple modelo de
un valor infinito para el ncleo de la dislocacin en r = 0 y por lo que slo es vlida para
tensiones fuera del ncleo de la dislocacin.[1]

trastornos mixtos
En muchos materiales, luxaciones se encuentran en la direccin de la lnea y el vector de
Burgers no son paralelas y perpendiculares, ni estos trastornos son llamados trastornos
mixtos, Integrado por el tornillo y el carcter extremo.

Observacin de dislocaciones

Micrografa electrnica de transmisin de dislocaciones

Cuando una lnea de dislocacin intersecta la superficie de un material metlico, el campo
de deformacin asociados a nivel local aumenta la vulnerabilidad relativa del material a
cidos aguafuerte y una etch pozo regular de resultados en formato geomtrico. Si el
material se filtra (deformados) y en varias ocasiones volver grabado, una serie de pozos de
grabado se puede producir lo que efectivamente rastrear el movimiento de la dislocacin
que se trate.
Microscopa electrnica de transmisin se puede utilizar para observar dislocaciones en el
microestructura del material. lminas delgadas de muestras metlicas estn dispuestos a
hacerlos transparentes para el haz de electrones del microscopio. La de electrones haz sufre
difraccin por la red regular de aviones de cristal de los tomos del metal y los ngulos
diferentes en relacin entre la viga y los planos de red de cada grano en el resultado de la
microestructura del metal en el contraste de la imagen (entre los granos de la orientacin
cristalogrfica distinta). Las estructuras atmicas menos regular de la lmites de grano y en
los campos de tensin alrededor de las lneas luxacin tienen diferentes propiedades de
difraccin de la red regular dentro de los granos, y por lo tanto presentan diferentes efectos
de contraste en el microscopio electrnico. (Los trastornos se ven como lneas oscuras en el
ms ligero, en la regin central de las micrografas de la derecha). micrografas de
transmisin de electrones de dislocaciones utilizan tpicamente aumentos de entre 50.000 y
300.000 veces (aunque el propio equipo ofrece una amplia gama de aumentos de esto).

Micrografa de transmisin de electrones de dislocaciones

Algunos microscopios permiten tambin la calefaccin in-situ y / o deformacin de las

muestras, lo que permite la observacin directa del movimiento de desplazamiento y sus
interacciones. Nota contraste "saltones" la caracterstica de las lneas de dislocacin a su
paso por el espesor del material. Tenga en cuenta tambin que una dislocacin no puede
terminar dentro de un cristal, las lneas de dislocacin en estas imgenes finales en la
superficie de la muestra. Una dislocacin slo puede ser contenida dentro de un cristal
como un bucle completo.
Campo de la microscopa de iones y sonda atmica tcnicas ofrecen mtodos de produccin
de aumentos mucho ms altos (tpicamente de 3 millones de veces ms) y permitir la
observacin de las dislocaciones a nivel atmico. Cuando la franquicia de superficie
pueden ser resueltos a nivel de una actividad atmica, dislocaciones de tornillo aparecen
como rasgos distintivos de caracol - lo que revela un importante mecanismo de crecimiento
de los cristales: donde hay un paso de la superficie, los tomos es ms fcil aadir el cristal,
y la superficie paso asociado con una dislocacin de tornillo no se destruye, no importa
cuntos tomos se agregan a l.
(Por el contrario, tradicionales microscopa ptica, Que no es apropiado para el directa la
observacin de las luxaciones, por lo general ofrece aumentos de hasta un mximo de slo
alrededor de 2000 veces).
Despus del ataque qumico, se forman pequeos hoyos en la solucin de la aguafuerte
preferentemente ataca la superficie de la muestra en torno a las dislocaciones interceptar
esta superficie, debido al estado ms altamente tensas del material. Por lo tanto, la
caractersticas de la imagen indican los puntos en que las dislocaciones interceptar la
superficie de la muestra. De esta manera, las dislocaciones en silicio, por ejemplo, se puede
observar indirectamente utilizando un microscopio de interferencia. orientacin de cristal se
puede determinar la forma del grabado fosas asociadas a los trastornos (en el caso de la
ilustracin de abajo, 100 elptica, 111 - triangular / piramidal).

Dislocaciones en el silicio, la Dislocaciones en el silicio, la Dislocacin en el silicio, la

orientacin 100
orientacin 111
orientacin 111

Fuentes de las dislocaciones

densidad de dislocaciones en un material puede ser aumentado por deformacin plstica por
la siguiente relacin:
. Dado que el aumento de la densidad de dislocaciones en la
deformacin plstica, un mecanismo para la creacin de dislocaciones se debe activar en el
material. Tres mecanismos para la formacin de la luxacin se forman por nucleacin
homognea, la iniciacin del lmite de grano, y las interfaces de la red y la superficie,
precipitados, fases dispersas, o fibras de refuerzo.

La creacin de una dislocacin de la nucleacin homognea es el resultado de la ruptura de

los enlaces atmicos a lo largo de una lnea en la red. Un avin de la red se corta, dando
lugar a dos semiplanos enfrentadas o dislocaciones. Estos trastornos se alejan el uno del
otro a travs de la red. Dado que la nucleacin homognea formas dislocaciones de los
cristales perfectos y exige la ruptura simultnea de muchos bonos, la energa necesaria para
la nucleacin homognea es alta. Por ejemplo, la tensin requerida para la nucleacin
homognea en el cobre ha demostrado ser
, Donde G es el mdulo
de corte de cobre (46 GPa). Resolviendo para
, Vemos que el esfuerzo requerido es de
3.4 GPa, que est muy cerca de la fuerza terica del cristal. Por lo tanto, en la nucleacin
deformacin homognea convencional requiere un esfuerzo concentrado, y es muy poco
probable. la iniciacin del lmite de grano y la interaccin de interfaz son las fuentes ms
comunes de dislocaciones.
Irregularidades en los lmites de grano en los materiales puede producir trastornos que se
propagan en el grano. Los pasos y salientes en el lmite de grano son una fuente importante
de dislocaciones en las primeras etapas de la deformacin plstica.
La superficie de un cristal puede producir trastornos en el cristal. Debido a los pequeos
pasos en la superficie de la mayora de los cristales, el estrs en determinadas regiones en la
superficie es mucho mayor que la tensin media en la red. Las dislocaciones son
reproducidas a continuacin, en el enrejado de la misma manera como en el inicio del
lmite de grano. En monocristales, la mayora de las dislocaciones se forman en la
superficie. La dislocacin de densidad 200 micras en la superficie de un material que ha
demostrado ser seis veces mayor que la densidad en la mayor parte. Sin embargo, en los
materiales policristalinos las fuentes de superficie no puede tener un efecto importante
porque la mayora de los granos no estn en contacto con la superficie.
La interfaz entre un metal y xido de uno puede aumentar el nmero de dislocaciones
creadas. La capa de xido pone la superficie del metal en la tensin debido a la compresin
de tomos de oxgeno en la red, y los tomos de oxgeno a la compresin. Esto aumenta la
presin sobre la superficie del metal y por consiguiente la cantidad de dislocaciones forman
en la superficie. El aumento en la cantidad de estrs en la superficie de los pasos a un
aumento de las dislocaciones.[2]
El estrs producido por una fuente de perturbacin puede ser visualizado por fotoelasticidad
en un cristal de LiF gamma-irradiados sola. El esfuerzo de tensin a lo largo del plano de
deslizamiento es de color rojo. El esfuerzo de compresin es de color verde oscuro:

fuente de dislocacin (esquema)

Destaca, en una dislocacin choque en cadena

Dislocaciones, resbalones y plasticidad

Artculo principal: Luxacin fluencia
Hasta la dcada de 1930, uno de los problemas persistentes de la ciencia de los materiales
era explicar plasticidad en trminos microscpicos. Un intento ingenuo para calcular el
esfuerzo de corte en la que vecinos planos atmicos deslizamiento una sobre la otra en un
cristal perfecto sugiere que, para un material con mdulo de corte G, resistencia al cortem
est dada aproximadamente por:

Como mdulo de corte en metales sita generalmente en el rango de 20 000 a 150 000
MPa, Esto es difcil de conciliar con esfuerzos de corte en el rango de 0.5 a 10 MPa
observado para producir deformacin plstica en los experimentos.
En 1934, Egon Orowan, Michael Polanyi y I. G. Taylor, Ms o menos al mismo tiempo, se
dio cuenta de que la deformacin plstica puede ser explicado en trminos de la teora de
dislocaciones. Dislocaciones pueden moverse si los tomos de uno de los aviones alrededor
romper sus lazos y Rebond con los tomos en el borde de terminacin. En efecto, un avin
de la mitad de los tomos se mueve en respuesta a esfuerzo cortante por hora y la reforma
de una lnea de bonos, uno (o unos pocos) a la vez. La energa requerida para romper un
enlace simple es mucho menor que la necesaria para romper todos los vnculos en un plano
entero de tomos a la vez. Incluso este modelo simple de la fuerza requerida para mover
una dislocacin muestra que la plasticidad es posible en mucho menor hincapi en que en
un cristal perfecto. En muchos materiales, especialmente los materiales dctiles, luxaciones
son el "portador" de la deformacin plstica, y la energa necesaria para moverlos es menor

que la energa requerida para fracturar el material. Dislocaciones dan lugar a la

maleabilidad caracterstica de los metales.
Cuando los metales son sometidos a "trabajo en fro"(Deformacin a temperaturas que son
relativamente bajos en comparacin con la temperatura del material de fusin absoluta, Tm,
Es decir, por lo general menos de 0.3Tm) La densidad de dislocaciones aumenta debido a la
formacin de nuevas dislocaciones y la multiplicacin de la dislocacin. El consiguiente
aumento de superposicin entre los campos de la cepa de dislocaciones adyacentes aumenta
gradualmente la resistencia al movimiento luxacin posterior. Esto provoca un
endurecimiento del metal como la deformacin progresa. Este efecto se conoce como
endurecimiento por deformacin (Tambin "endurecimiento de trabajo"). Nudos de
dislocaciones se encuentran en la fase inicial de la deformacin y aparecen como no los
lmites bien definidos, el proceso de la dinmica la recuperacin conduce finalmente a la
formacin de una estructura celular que contiene los lmites con desorientacin inferior a
15 (bajo los lmites de grano del ngulo). Adems, la adicin de puntos de fijacin que
impiden el movimiento de dislocaciones, como elementos de aleacin, puede introducir los
campos de esfuerzos que en ltima instancia, reforzar el material, exigiendo un esfuerzo
mayor aplicada para superar la tensin de fijacin y contine el movimiento dislocacin.
Los efectos del endurecimiento por deformacin por acumulacin de dislocaciones y la
estructura de grano formado en la tensin alta puede ser removido por el tratamiento
trmico adecuado (recocido), Que promueve la la recuperacin y la posterior
recristalizacin del material.
Las tcnicas de procesamiento combinado de endurecimiento por deformacin y recocido
permitir el control de densidad de dislocaciones, el grado de entrelazamiento luxacin, y en
ltima instancia la resistencia a la fluencia del material.

Luxacin subir
Dislocaciones pueden deslizarse en planos que contienen tanto la dislocacin y el vector de
Burgers. Para una dislocacin de tornillo, la dislocacin y el vector de Burgers son
paralelas, por lo que la luxacin puede deslizarse en cualquier plano que contiene la
dislocacin. Para una dislocacin de borde, la dislocacin y el vector de Burgers es
perpendicular, por lo que slo hay un plano en el que la dislocacin puede deslizarse. No es
un mecanismo alternativo de movimiento dislocacin, fundamentalmente diferente de
deslizamiento, que permite una dislocacin de borde a salir de su plano de deslizamiento,
conocido como subir dislocacin. Luxacin permite subir una dislocacin de borde para
mover perpendicular a su plano de deslizamiento.
La fuerza motriz para el ascenso dislocacin es el movimiento de las vacantes a travs de
una red cristalina. Si la vacante se mueve junto a la frontera del semiplano adicional de
tomos que forma una dislocacin de borde, el tomo en el plano medio ms cercano a la
vacante puede "saltar" y llenar la vacante. Este cambio de tomo "mueve" la vacante de
conformidad con el plano de la mitad de los tomos, provocando un cambio, o positiva de
ascenso, de la dislocacin. El proceso de una vacante que se absorbe en el lmite de un

avin de la mitad de los tomos, en vez de crear, que se conoce como subir negativo. Dado
que los resultados subir luxacin de tomos individuales "salto" en las vacantes, subir
ocurre en incrementos del dimetro del tomo.
Durante el ascenso positivo, el cristal se contrae en la direccin perpendicular al plano
medio extra de tomos por tomos se estn eliminando del plano medio. Desde escalar
negativo implica una adicin de tomos al plano medio, el cristal crece en la direccin
perpendicular al plano medio. Por lo tanto, el esfuerzo de compresin en la direccin
perpendicular al plano medio promueve positiva de ascenso, mientras que promueve la
resistencia a la tensin suba negativo. Esta es una diferencia principal entre resbalones y
subir, ya que de deslizamiento es causado por el estrs de corte solamente.
Una diferencia adicional entre deslizamiento luxacin y subir es la dependencia de la
temperatura. Suba se produce mucho ms rpidamente a altas temperaturas que las bajas
temperaturas debido a un aumento en el movimiento de vacantes. Deslizamiento, por el
contrario, slo tiene una pequea dependencia de la temperatura