Conductividad elctrica

La conductividad elctrica, aptitud de una sustancia a conducir la corriente

elctrica, los iones cargados positiva y negativamente son los que conducen la
corriente, y la cantidad depender del nmero de iones presente y de su
movilidad.
Conductividad en diferentes medios
Los mecanismos de conductividad difieren entre los tres estados de la materia, en
los slidos los tomos como tal no son libres de moverse y la conductividad se
debe a los electrones. En los metales existen electrones cuasi-libres que se
pueden mover muy libremente por todo el volumen, en cambio en los aislantes,
muchos de ellos son olido inicos, apenas existen electrones libres y por esa
razn son muy malos conductores.
Conductividad en medio lquidos
La conductividad en medios lquidos (disolucin) est relacionada con la presencia
de sales en solucin, cuya disociacin genera iones positivos y negativos capaces
de transportar la energa elctrica si se somete el lquido a un campo elctrico.
Esto conductores inicos se denominan electrolitos o conductores electrolticos.
Las determinaciones de la conductividad reciben el nombre de determinaciones
conductomtricas y tiene muchas aplicaciones como, por ejemplo:

En la electrolisis, ya que el consumo de energa elctrica en este proceso

depende en gran medida de ella.
En los estudios de laboratorio para determinar el contenido de sales de
varias soluciones durante la evaporacin del agua (por ejemplo en el agua
de calderas o en la produccin de leche condensada)
En el estudio de las basicidades de los cidos, puesto que pueden ser
determinadas por mediciones de la conductividad.
Para determinar la solubilidades de electrolitos escasamente solubles y
para hallar concentraciones de electrolitos en soluciones por titulacin.

Conductividad en los medio solidos

Segn la teora de las bandas de energa en solido cristalinos, son materiales
conductores aquellos en los que las bandas de valencia y conduccin se
superponen, formndose una nube de electrones libres causante de la corriente al
someter al material a un campo elctrico. Estos medios conductores se
denominan conductores elctricos.

La conductividad elctrica en metales

En un metal pura la conductividad elctrica est determinada por su estructura de
bandas. El valor depende del nmero de portadores y de la movilidad de los
mismos.
El valor depende a su vez de la velocidad de desplazamiento de las cargas
elctricas dentro del material.
En un metal real (con defectos) la movilidad y velocidad de las cargas elctricas
depende crticamente del nmero y tipo de defectos estructurales
A mayor nmero de defectos, menor distancia entre colisiones, menor movilidad y
menos conductividad elctrica
La teora clsica empleada para explicar la conductividad de los metales era el
modelo de Drude-Lorentz, donde los electrones se desplazan a una velocidad
media aproximadamente constante que es la velocidad lmite asociada al efecto
acelerador del campo elctrico y el efecto desacelerador de la red cristalina con la
que chocan los electrones produciendo el efecto Joule.
Sin embargo, el advenimiento de la mecnica cuntica permiti construir modelos
tericos ms refinados a partir de la teora de bandas de energa que explican
detalladamente el comportamiento de los materiales conductores.

Modelo de Drude-Lorentz

Fenomenolgicamente la interaccin de los electrones libres de los metales con la

red cristalina se asimila a una fuerza "viscosa", como la que existe en un fluido
que tiene rozamiento con las paredes del conducto por el que fluye. La ecuacin
de movimiento de los electrones de un metal por tanto se puede aproximar por
una expresin del tipo:

As la velocidad de arrastre de la corriente, es aquella en la que se iguala el efecto

acelerador del campo elctrico con la resistencia debida a la red, esta velocidad es
la que satisface:

Para un conductor que satisface la ley de Ohm y con un nmero n de electrones

por unidad de volumen que se mueven a la misma velocidad se puede escribir:

Introduciendo el tiempo de relajacin

y comparando las
expresiones se llega a que la conductividad puede expresarse como:

ltimas

A partir de los valores conocidos de se puede estimar el tiempo de relajacin y

compararlo con el tiempo promedio entre impactos de electrones con la red.
Suponiendo que cada tomo contribuye con un electrn y que n es del orden de
1028 electrones por m en la mayora de metales. Usando adems los valores de la
masa del electrn
y la carga del electrn el tiempo de relajamiento 1014 s.

Factores
afectan a

que
la

conductividad elctrica
Los electrones se desplazan por el material como ondas electromagnticas que
ajustan su periodicidad a la de la red cristalina. Cualquier irregularidad en esta red
cristalina provoca una dispersin (colisin) de dicha onda electrnica y, por tanto,
una disminucin de su movilidad y velocidad (disminucin de la conductividad
elctrica)

La temperatura: un aumento de la temperatura del material supone un aumento de

la energa de vibracin de los tomos de la red cristalina. Los tomos oscilan en
torno a sus posiciones de equilibrio y dispersan a las ondas electrnicas.
Disminucin de la movilidad de los electrones y de la conductividad elctrica.
Las imperfecciones de la red: los defectos reticulares (vacantes, impurezas,
dislocaciones, fronteras de grano) son irregularidades de la red cristalina y, por
tanto, dispersan las ondas electrnicas.

Aumento de la resistividad del material: dependiendo

imperfecciones e independiente de la temperatura.

del

nmero

de

El procesamiento y endurecimiento de un material: todos los mecanismos de un

material destinados a aumentar su resistencia mecnica se basan en la creacin
de irregularidades cristalina en el material. Por tanto, todos estos mtodos de
procesamiento aumentan a su vez.
La resistividad elctrica.
Endurecimiento por solucin solida: introduccin de impurezas o vacantes
Endurecimiento por dispersin o envejecimiento: introduccin de
precipitados en el material
Endurecimiento por deformacin en frio: creacin de dislocaciones
Endurecimiento por control del tamao de grano: creacin o aumento de
fronteras de grano
Los mtodos de endurecimiento del material son ms o menos perjudiciales
para la conductividad elctrica del material segn sean las distancias entre la
irregularidades introducida: distancias pequeas, meno movilidad de los
electrones y mayor resistividad elctrica
Los mtodos de reblandecimiento de los materiales (templados) disminuyen las
irregularidades internas del material y mejoran sus propiedades elctricas
conductora.

Teora de bandas
Niveles electrnicos en un tomo aislado
Orbitales s, p, d, f: niveles de energa
discretos y nmeros cunticos

Ocupacin de los orbitales: Principio

de exclusin de Pauli (dos electrones
en cada distinto nivel de energa)

Niveles electrnicos en un slido (unin de N tomos, donde N es del orden

de10

Necesidad de superponer N
orbitales s, N orbitales p, N
orbitales d

Ocupacin de los N orbitales: Principio

de exclusin de Pauli (dos
electrones en cada distinto
nivel de energa).

Los orbitales de cada tomo deben,

por
tanto,
diferenciarse
levemente de los de otro
tomo para que el slido
pueda contener los 2N
electrones

Ensanchamiento de los
orbitales en una banda
(o rango de energas)

Los electrones del slido rellenan

progresivamente las bandas de
menor a mayor energa.

Las bandas internas llenas

NO
colaboran al transporte de carga
elctrica pues no hay posibilidad de
excitar un electrn a otro nivel vaco.

La banda externa o ltima S puede

colaborar a las propiedades elctricas del
material:

Banda externa no llena: los electrones pueden ser excitados a niveles

energticos superiores (vacos) de la misma banda o a otra banda superior
(necesariamente vaca)
Banda externa llena: los electrones pueden ser excitados a otra banda
superior (necesariamente vaca)

La
ltima
orbitales
electrnicos
slido
que
electrones se
banda
de

banda

de

de
un
contenga
denomina
valencia

La
primera
banda
de
orbitales electrnicos de un slido que contenga niveles de
energa vacos (no ocupados) se denomina banda
de conduccin

La energa del ltimo nivel energtico ocupado a

T=0 K se denomina energa de Fermi

Conduccin elctrica de carga: un aporte de

energa adicional excita a los electrones de la
banda de valencia hasta los niveles de la banda
de conduccin:

 La carga elctrica podr ser transportada por dichos electrones de la banda

de conduccin o por los huecos dejados en la banda de valencia (corriente
elctrica de electrones o huecos)
La fuente de energa adicional puede ser la excitacin trmica o la
aplicacin de un potencial elctrico externo

Superconductividad
Se denomina superconductividad a la capacidad intrnseca que poseen ciertos
materiales
para
conducir corriente
elctrica sin resistencia ni
prdida
de energa en determinadas condiciones.
La resistividad elctrica de un conductor metlico disminuye gradualmente a
medida que la temperatura se reduce. Sin embargo, en los conductores ordinarios,
como el cobre y la plata, las impurezas y otros defectos producen un valor lmite.
Incluso cerca de cero absoluto una muestra de cobre muestra una resistencia no
nula. La resistencia de un superconductor, en cambio, desciende bruscamente a
cero cuando el material se enfra por debajo de su temperatura crtica.
Una corriente elctrica que fluye en una espiral de cable superconductor puede
persistir indefinidamente sin fuente de alimentacin. Al igual que el
ferromagnetismo y las lneas espectrales atmicas, la superconductividad es un
fenmeno de la mecnica cuntica.
La superconductividad ocurre en una gran variedad de materiales, incluyendo
elementos simples como el estao y el aluminio, diversas aleaciones metlicas y
algunos
semiconductores fuertemente
dopados. La
superconductividad,
normalmente, no ocurre en metales nobles como el cobre y la plata, ni en la
mayora de los metales ferromagnticos. Pero en ciertos casos, el oro se clasifica
como superconductor; por sus funciones y los mecanismos aplicados.

 Comportamiento magntico
Aunque la propiedad ms sobresaliente de los superconductores es la ausencia
de resistencia, lo cierto es que no podemos decir que se trate de un material
de conductividad infinita, ya que este tipo de material por s slo no tiene sentido
termodinmico. En realidad un material superconductor de tipo I es
perfectamente diamagntico. Esto hace que no permita que penetre en el campo,
lo que se conoce como efecto Meissner.
El campo magntico distingue dos tipos de superconductores: los de tipo I, que no
permiten en absoluto que penetre un campo magntico externo (lo cual conlleva
un esfuerzo energtico alto, e implica la ruptura brusca del estado superconductor
si se supera la temperatura crtica), y los de tipo II, que son
superconductores imperfectos, en el sentido en que el campo realmente penetra a
travs de pequeas canalizaciones denominadasvrtices de Abrikosov, o fluxones.
Estos dos tipos de superconductores son de hecho dosfases diferentes que fueron
predichas por Lev Davidovich Landau y Aleksey Aleksyevich Abriksov.
Cuando a un superconductor de tipo II le aplicamos un campo magntico externo
dbil lo repele perfectamente. Si lo aumentamos, el sistema se vuelve inestable y
prefiere introducir vrtices para disminuir su energa. stos van aumentando en
nmero colocndose en redes de vrtices que pueden ser observados mediante
tcnicas adecuadas. Cuando el campo es suficientemente alto, el nmero de
defectos es tan alto que el material deja de ser superconductor. ste es el campo
crtico que hace que un material deje de ser superconductor y que depende de la
temperatura.

Comportamiento elctrico
La aparicin del superdiamagnetismo es debida a la capacidad del material de
crear supercorrientes. stas son corrientes de electrones que no disipan energa,
de manera que se pueden mantener eternamente sin obedecer el Efecto Joule de
prdida de energa por generacin de calor. Las corrientes crean el intenso campo
magntico necesario para sustentar el efecto Meissner. Estas mismas corrientes
permiten transmitir energa sin gasto energtico, lo que representa el efecto ms
espectacular de este tipo de materiales. Debido a que la cantidad de electrones
superconductores es finita, la cantidad de corriente que puede soportar el material
es limitada. Por tanto, existe una corriente crtica a partir de la cual el material deja
de ser superconductor y comienza a disipar energa.

En los superconductores de tipo II, la aparicin de fluxones provoca que, incluso

para corrientes inferiores a la crtica, se detecte una cierta disipacin de energa
debida al choque de los vrtices con los tomos de la red.

Semiconductores intrnsecos
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura
representados en el plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energa necesaria
para saltar a la banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en
la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente, son de
1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones
pueden caer, desde el estado energtico correspondiente a la banda de
conduccin, a un hueco en la banda de valencia liberando energa. A este
fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a una determinada

temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin se

igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece
constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
Siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos
(2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin
contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado.
Evidentemente, las impurezas debern formar parte de la estructura cristalina
sustituyendo al correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir
impurezas de una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin
del material.

Semiconductor tipo N:
se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo
n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia
atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As)
o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,
entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera
ampliamente el nmero de huecos, en ese
caso los electrones son los portadores
mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con
cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que "dar", son llamados tomos
donadores. Ntese que cada electrn libre en
el semiconductor nunca est lejos de un ion
dopante
positivo
inmvil,
y
el
material dopado tipo N generalmente tiene
una carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P
se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de
tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga
libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente

vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido
un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14
de la tabla peridica) se le une un tomo con tres
electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de
la tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la
red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,
entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y
un hueco producido que se encontrar en condicin de
aceptar un electrn libre.
As los dopantes crean los "huecos". No obstante,
cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un
protn del tomo situado en la posicin del hueco se
ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando
un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente
la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores
mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los
materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas
de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de
manera natural.