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1.FATORDEPOTNCIAEDISTOROHARMNICA
1.1 FATOR DE POTNCIA
1.1.1 Definio de Fator de Potncia
1.1.2 Caso 1: Tenso e corrente senoidais
1.1.3 Caso 2: Tenso senoidal e corrente distorcida
1.1.4 Caso 3: Tenso e corrente no-senoidais, mas de mesma freqncia.
1.2 DESVANTAGENS DO BAIXO FATOR DE POTNCIA (FP) E DA ALTA DISTORO DA
CORRENTE
1.2.1 Perdas
1.2.2 Capacidade de transmisso
2. NORMAS RELATIVAS CORRENTE DE LINHA: FATOR DE POTNCIA E
HARMNICAS DE BAIXA FREQNCIA
2.1 FATOR DE POTNCIA
2.2 NORMA IEC 1000-3-2: LIMITES PARA EMISSO DE HARMNICAS DE CORRENTE (<16 A
POR FASE)
2.3 RECOMENDAO IEEE PARA PRTICAS E REQUISITOS PARA CONTROLE DE
HARMNICAS NO SISTEMA ELTRICO DE POTNCIA: IEEE-519
3. COMPONENTES SEMICONDUTORES DE POTNCIA
3.1 DIODOS DE POTNCIA
3.2 TIRISTOR
3.2.1 Princpio de funcionamento
3.2.2 Maneiras de disparar um tiristor
3.2.3 Parmetros bsicos de tiristores
3.2.4 Circuitos de excitao do gate
3.2.5 Redes Amaciadoras
3.2.6 Associao em Paralelo de Tiristores
3.2.7 Associao em srie de tiristores
3.2.8 Sobre-tenso
3.2.9 Resfriamento
3.3 GTO - GATE TURN-OFF THYRISTOR
3.3.1 Princpio de funcionamento
3.3.2 Parmetros bsicos do GTO
3.3.3 Condies do sinal de porta para chaveamento
3.3.4 Circuitos amaciadores (snubber)
3.3.5 Associaes em srie e em paralelo
3.4 TRANSISTOR BIPOLAR DE POTNCIA (TBP)
3.4.1 Princpio de funcionamento
3.4.2 rea de Operao Segura (AOS)
3.4.3 Conexo Darlington
3.4.4 Mtodos de reduo dos tempos de chaveamento
3.5 MOSFET
3.5.1 Princpio de funcionamento (canal N)
3.5.2 Caracterstica de chaveamento - carga indutiva
3.6 IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)
3.6.1 Princpio de funcionamento
3.7 MCT - MOS-CONTROLLED THYRISTOR
3.7.1 Princpio de funcionamento
3.7.2 Comparao entre P-MCT e N-MCT
4. EFEITOS E CAUSAS DE HARMNICAS NO SISTEMA DE ENERGIA ELTRICA
Figura1.1CircuitogenricoutilizadonasdefiniesdeFPetringulodepotncia.
(1.1)
(1.2)
A figura 1.2 mostra sinais deste tipo, com defasagem nula. O produto das senides d
como resultado o valor instantneo da potncia. O valor mdio deste produto a
potncia ativa, e tambm est indicada na figura. Em torno deste valor mdio flutua o
sinal da potncia instantnea. O valor de pico deste sinal numericamente igual
potncia aparente. Quando a defasagem nula o produto (potncia instantnea) ser
sempre maior ou igual a zero.
Figura1.2Potnciacomsinaissenoidaisemfase.
Figura1.3Potnciaemsinaissenoidaisdefasadosde90graus.
Figura1.4Potnciaemsinaissenoidais.
(1.3)
A figura 1.5 mostra uma situao em que se tem uma corrente quadrada (tpica, por
exemplo, de retificador monofsico com filtro indutivo no lado cc). Observe que a
potncia instantnea no mais uma onda senoidal com o dobro da freqncia da
senide. Neste caso especfico ela aparece como uma senide retificada.
Neste caso, a potncia ativa de entrada dada pelo produto da tenso (senoidal) por
todas as componentes harmnicas da corrente (no-senoidal). Este produto nulo para
todas as harmnicas exceto para a fundamental, devendo-se ponderar tal produto pelo
cosseno da defasagem entre a tenso e a primeira harmnica da corrente. Desta forma, o
fator de potncia expresso como a relao entre o valor RMS da componente
fundamental da corrente e a corrente RMS de entrada, multiplicado pelo cosseno da
defasagem entre a tenso e a primeira harmnica da corrente.
Os valores eficazes de tenso e de corrente so, respectivamente, 141,4V e 100A. Logo,
a potncia aparente de 14,14kW. No entanto, a potncia mdia de 12,7kW. Este
valor corresponde ao produto dos valor eficaz da tenso pelo valor eficaz da
componente fundamental da onda de corrente, j que a defasagem nula. O valor de
pico da componente fundamental de 127,3 A, correspondendo a um valor eficaz de 90
A.
A figura 1.6 mostra uma decomposio da onda quadrada, indicando as componentes
harmnicas (at a de stima ordem). Note que se for feito o produto da onda
fundamental por qualquer das harmnicas, o valor mdio ser nulo, uma vez que se
alternaro intervalos positivos e negativos de mesma rea.
Figura1.5Potnciaemsistemacomtensosenoidalecorrentenosenoidal.
Figura1.6Decomposioharmnica(sriedeFourier)deondaquadrada.
A figura 1.7 mostra uma situao em que a corrente est "defasada" da tenso. esta
forma de onda tpica, por exemplo, de retificadores controlados (tiristores), com filtro
indutivo no lado cc. Nesta situao, a componente fundamental da corrente (que est
"em fase" com a onda quadrada) apresenta uma defasagem de 36 graus em relao ao
sinal de tenso. Fazendo o clculo do FP pela equao (1.3) chega-se ao valor de 10,3
kW, que corresponde ao valor obtido da figura. Note que no h alterao no valor da
potncia aparente.
Figura1.7Potnciacomondadecorrentenosenoidal.
(1.4)
Define-se a Taxa de Distoro Harmnica (TDH) como sendo a relao entre o valor
RMS das componentes harmnicas da corrente e a fundamental:
(1.5)
Assim, o FP pode ser reescrito como:
(1.6)
evidente a relao entre o FP e a distoro da corrente absorvida da linha. Neste
sentido, existem normas internacionais que regulamentam os valores mximos das
harmnicas de corrente que um dispositivo ou equipamento pode injetar na linha de
alimentao.
O clculo do FP, neste caso, deve seguir a equao (1.1), ou seja, necessrio obter o
valor mdio do produto dos sinais a fim de se conhecer a potncia ativa. Num caso
genrico, tanto a componente fundamental quanto as harmnicas podem produzir
potncia, desde que existam as mesmas componentes espectrais na tenso e na corrente,
e que sua defasagem no seja 90 graus.
A figura 1.8 mostra sinais de tenso e de corrente quadrados e "defasados". Os valores
eficazes so, respectivamente, 200 V e 100 A. O que leva a uma potncia aparente de
20kW.
Os valores eficazes das componentes fundamentais so, respectivamente, 180 V e 90 A.
A defasagem entre elas de 36 graus. Se o clculo da potncia ativa for feito
considerando apenas estes componentes, o valor obtido ser de 13,1 kW. No entanto, a
potncia mdia obtida da figura, e que corresponde potncia ativa, de 11,9 kW. O
motivo da discrepncia devido ao valor mdio a ser produzido por cada componente
harmnica presente tanto na tenso quanto na corrente. Valores mdios negativos so
possveis desde que a defasagem entre os sinais seja superior a 90 graus. o que ocorre
neste exemplo, levando a uma potncia ativa menor do que aquela que seria produzida
se apenas as componentes fundamentais estivessem presentes.
Figura1.8Potnciaparaformasdeondaquaisquer.
AmximapotnciaativaabsorvveldaredefortementelimitadapeloFP;
Asharmnicasdecorrenteexigemumsobredimensionamentodainstalaoeltricae
dostransformadores,almdeaumentarasperdas(efeitopelicular);
Acomponentede3aharmnicadacorrente,emsistematrifsicocomneutro,pode
sermuitomaiordoqueonormal;
Oachatamentodaondadetenso,devidoaopicodacorrente,almdadistoroda
formadeonda,podecausarmaufuncionamentodeoutrosequipamentosconectados
mesmarede;
Ascomponentesharmnicaspodemexcitarressonnciasnosistemadepotncia,
levandoapicosdetensoedecorrente,podendodanificardispositivosconectados
linha.
Perdas
As perdas de transmisso de energia eltrica so proporcionais ao quadrado da corrente
eficaz que circula pelos condutores. Assim, para uma dada potncia ativa, quanto menor
for o FP, maior ser a potncia reativa e, conseqentemente, a corrente pelos
condutores. A figura 1.9 mostra o aumento das perdas em funo da reduo do FP.
Figura1.9AumentodasperdasdevidoreduodoFP(compotnciaativaconstante).
A tabela I.1 mostra um exemplo de reduo de perdas devido elevao do FP. Tomase como exemplo uma instalao com consumo anual de 200MWh, na qual supe-se
uma perda de 5%. e se eleva o FP de 0,78 para 0,92. Observa-se uma reduo nas
perdas de 28,1%.
TabelaI.1AnlisecomparativadareduodeperdasdevidoaoaumentodoFP
Situao1
Situao2
Fatordepotncia
0,78
0,92
Perdasglobais(%)
3,59
Perdasglobais(MWh/ano)
7,18
10
Reduodasperdas
28,1%
Uma outra questo relevante, e que ser discutida mais detalhadamente em outros
captulos deste texto, refere-se a se fazer a correo do FP em cada equipamento
individualmente ou apenas na entrada de uma instalao. A referncia [1.2] estuda o
caso de um edifcio comercial com uma instalao de 60 kVA. Verifica o efeito de uma
compensao em quatro situaes (em termos do posicionamento do compensador): no
primrio do transformador; no secundrio do transformador de entrada (o que elimina as
perdas adicionais neste elemento); em centrais de cargas (sub-painis); e em cada carga.
A compensao em cada carga faz com que a corrente que circula em todo o sistema
seja praticamente senoidal (FP~1). Fazendo-se a compensao de um grupo de cargas,
as harmnicas circulao por trechos reduzidos de cabos. Com a compensao no
secundrio do transformador, a corrente ser distorcida em toda a instalao, mas no
no transformador. Com uma compensao na entrada, apenas o fornecedor de energia
ser beneficiado.
A tabela I.2 mostra resultados deste estudo.
TabelaI.2Economia(potencial)deenergiacomcompensaodeharmnicosemdiferentes
alocaes
Posicionamentodacompensao
Primrio
trafode
entrada
Secundrio
Central Equipa
trafode
decargas mento
entrada
Perdastotaissemcompensao(W)
8148
8148
8148
8148
Perdastotaiscomcompensao(W)
8125
5378
4666
3346
%totaldeperdascomcompensao
13,54
8,96
7,78
5,58
23
2770
3482
4802
0,04
4,62
5,8
8,0
10
1213
1523
2101
Reduodeperdasparacargade60kVA(W)
%dereduodeperdas/60kVA
Economiaporano(US$)
Capacidade de transmisso
Analisemos agora o caso do sistema de transmisso, para o qual a grandeza constante
a potncia aparente, uma vez que ela que define a capacidade trmica das linhas.
Uma anlise fasorial s pode ser aplicada para grandezas senoidais e de mesma
freqncia. Assim, o tringulo de potncia pode ser usado em anlises dentro destas
condies, ou seja, quando as ondas de tenso e/ou de corrente so no-senoidais a
anlise s ser correta se for feita uma combinao de fasores relativos a cada
componente harmnica.
Um baixo FP significa que grande parte da capacidade de conduo de corrente dos
condutores utilizados na instalao est sendo usada para transmitir uma corrente que
no produzir trabalho na carga alimentada. Mantida a potncia aparente (para a qual
dimensionada a instalao), um aumento do FP significa uma maior disponibilidade de
potncia ativa, como indicam os diagramas da figura 1.10.
Figura1.10EfeitodoaumentodoFPnaampliaodadisponibilidadedepotnciaativa.
Uma anlise anloga pode ser feita em termos de uma instalao existente, a qual
poderia ser utilizada para alimentao de uma carga de maior potncia, ou para uma
quantidade maior de cargas.
Consideremos aqui aspectos relacionados com o estgio de entrada de fontes de
alimentao. As tomadas da rede eltrica domstica ou industrial possuem uma corrente
(RMS) mxima que pode ser absorvida (tipicamente 15A nas tomadas domsticas).
A figura 1.11 mostra uma forma de onda tpica de um circuito retificador alimentando
um filtro capacitivo. Notem-se os picos de corrente e a distoro provocada na tenso de
entrada, devido impedncia da linha de alimentao. O espectro da corrente mostra o
elevado contedo harmnico.
Figura1.11Correntedeentradaetensodealimentaoderetificadoralimentandofiltro
capacitivo.Espectrodacorrente.
Tabela1.3Comparaodapotnciaativadesada
Convencional
PFcorrigido
Potnciadisponvel
1440VA
1440VA
Fatordepotncia
0,65
0,99
EficinciadocorretordeFP
100%
95%
Eficinciadafonte
75%
75%
Potnciadisponvel
702W
1015W
Fator de potncia
A atual regulamentao brasileira do fator de potncia [2.1] estabelece que o mnimo
fator de potncia (FP) das unidades consumidoras de 0,92. A partir de abril de 1996 o
clculo do FP deve ser feito por mdia horria. O consumo de reativos alm do
permitido (0,425 VArh por cada Wh) cobrado do consumidor. No intervalo entre 6 e
24 horas isto ocorre se a energia reativa absorvida for indutiva e das 0 s 6 horas, se for
capacitiva.
Conforme foi visto anteriormente, as componentes harmnicas da corrente tambm
contribuem para o aumento da corrente eficaz, de modo que elevam a potncia aparente
sem produzir potncia ativa (supondo a tenso senoidal). Assim, uma correta medio
do FP deve levar em conta a distoro da corrente, e no apenas a componente reativa
(na freqncia fundamental).
Figura2.1.EnvelopedacorrentedeentradaquedefineumequipamentocomoclasseD.
(2.1)
TabelaII.1
LimitesparaasHarmnicasdeCorrente
ClasseB
Mxima
corrente[A]
Mxima
corrente[A]
OrdemdaHarmnica
n
ClasseC
(>25W)
ClasseA
ClasseD
(>10W,
<300W)
%da
fundamental
ClasseD
[A]
[mA/W]
Harmnicasmpares
2,30
3,45
30.FP
3,4
2,3
1,14
1,71
10
1,9
1,14
0,77
1,155
1,0
0,77
0,40
0,60
0,5
0,40
11
0,33
0,495
0,35
0,33
13
0,21
0,315
0,296
0,21
3,85/n
2,25/n
15<n<39
HarmnicasPares
2
1,08
1,62
0,43
0,645
0,3
0,45
8<n<40
Harmnicampares:
Icc/Io
<11
11<n<17
17<n<23
23<n<35
35<n
TDD(%)
<20
1,5
0,6
0,3
20<50
3,5
2,5
0,5
50<100
10
4,5
1,5
0,7
12
100<1000
12
5,5
15
>1000
15
2,5
1,4
20
TabelaII.3
LimitesdeDistorodaCorrenteparaSistemasdeSubdistribuio(69001Va161kV)
LimitesparaharmnicasdecorrentedecargasnolinearesnoPACcomoutrascargas
Harmnicampares:
Icc/Io
<11
11<n<17
17<n<23
23<n<35
35<n
TDD(%)
<20
0,75
0,3
0,15
2,5
20<50
3.5
1,75
1,25
0,5
0,25
50<100
2,25
0,75
0,35
100<1000
2,75
2,5
0,5
7,5
>1000
7.5
3,5
1,25
0,7
10
TabelaII.4
Limitesdedistorodecorrenteparasistemasdealtatenso(>161kV)esistemasdegerao
ecogeraoisolados.
Harmnicampares:
Icc/Io
<11
11<n<17
17<n<23
23<n<35
35<n
THD(%)
<50
0,75
0,3
0,15
2,5
>50
1,5
1,15
0,45
0,22
3,75
Para os limites de tenso, os valores mais severos so para as tenses menores (nvel de
distribuio). Estabelece-se um limite individual por componente e um limite para a
distoro harmnica total.
TabelaII.5
Limitesdedistorodetenso
Distoroindividual
THD
69kVeabaixo
3%
5%
69001Vat161kV
1,5%
2,5%
Acimade161kV
1%
1,5%
Diodos de Potncia
Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que, dentro de seus limites de tenso e de
corrente, permite a passagem de corrente em um nico sentido. Detalhes de
funcionamento, em geral desprezados para diodos de sinal, podem ser significativos
para componentes de maior potncia, caracterizados por uma maior rea (para permitir
maiores correntes) e maior comprimento (a fim de suportar tenses mais elevadas). A
figura 3.1 mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo.
Figura3.1Estruturabsicadeumdiodosemicondutor
Diodos rpidos possuem trr da ordem de, no mximo, poucos micro-segundos, enquanto
nos diodos normais de dezenas ou centenas de micro-segundos.
O retorno da corrente a zero, aps o bloqueio, devido sua elevada derivada e ao fato
de, neste momento, o diodo j estar desligado, uma fonte importante de sobretenses
produzidas por indutncias parasitas associadas aos componentes por onde circula tal
corrente. A fim de minimizar este fenmeno foram desenvolvidos os diodos "softrecovery", nos quais esta variao de corrente suavizada, reduzindo os picos de tenso
gerados.
Em aplicaes nas quais o diodo comuta sob tenso nula no se observa o fenmeno da
recombinao reversa.
Figura3.2.Estruturatpicadediododepotncia.e
Formasdeondatpicasdecomutaodediododepotncia.
Tiristor
O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em
regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de 4 camadas semicondutoras numa
sequncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel.
O tiristor de uso mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio),
usualmente chamado simplesmente de tiristor. Outros componentes, no entanto,
possuem basicamente uma mesma estrutura: LASCR (SCR ativado por luz), tambm
chamado de LTT (Light Triggered Thyristor), TRIAC (tiristor triodo bidirecional),
DIAC (tiristor diodo bidirecional), GTO (tiristor comutvel pela porta), MCT (Tiristor
controlado por MOS).
Princpio de funcionamento
O tiristor formado por quatro camadas semicondutoras, alternadamente p-n-p-n,
possuindo 3 terminais: anodo e catodo, pelos quais flui a corrente, e a porta (ou gate)
que, a uma injeo de corrente, faz com que se estabelea a corrente andica. A figura
3.3 ilustra uma estrutura simplificada do dispositivo.
Se entre anodo e catodo tivermos uma tenso positiva, as junes J1 e J3 estaro
diretamente polarizadas, enquanto a juno J2 estar reversamente polarizada. No
haver conduo de corrente at que a tenso Vak se eleve a um valor que provoque a
ruptura da barreira de potencial em J2 [3.1].
Se houver uma tenso Vgk positiva, circular uma corrente atravs de J3, com
portadores negativos indo do catodo para a porta. Por construo, a camada P ligada
porta suficientemente estreita para que parte destes eltrons que cruzam J3 possuam
energia cintica suficiente para vencer a barreira de potencial existente em J2, sendo
ento atrados pelo anodo.
Figura3.4Analogiaentretiristoretransistores
Quando uma corrente Ig positiva aplicada, Ic2 e Ik crescero. Como Ic2 = Ib1, T1
conduzir e teremos Ib2=Ic1 + Ig, que aumentar Ic2 e assim o dispositivo evoluir at
a saturao, mesmo que Ig seja retirada. Tal efeito cumulativo ocorre se os ganhos dos
transistores forem maior que 1. O componente se manter em conduo desde que, aps
o processo dinmico de entrada em conduo, a corrente de anodo tenha atingido um
valor superior ao limite IL, chamado de corrente de "latching".
Para que o tiristor deixe de conduzir necessrio que a corrente por ele caia abaixo do
valor mnimo de manuteno (IH), permitindo que se restabelea a barreira de potencial
em J2. Para a comutao do dispositivo no basta, pois, a aplicao de uma tenso
negativa entre anodo e catodo. Tal tenso reversa apressa o processo de desligamento
por deslocar nos sentidos adequados os portadores na estrutura cristalina, mas no
garante, sozinha, o desligamento.
Devido a caractersticas construtivas do dispositivo, a aplicao de uma polarizao
reversa do terminal de gate no permite a comutao do SCR. Este ser um
comportamento dos GTOs, como se ver adiante.
Figura3.5Caractersticaestticadotiristor.
Figura3.6Condiesparadisparodetiristoratravsdecontrolepelaporta.
(3.1)
Onde Cj a capacitncia da juno.
Quando Vak cresce, a capacitncia diminui, uma vez que a regio de transio aumenta
de largura. Entretanto, se a taxa de variao da tenso for suficientemente elevada, a
corrente que atravessar a juno pode ser suficiente para levar o tiristor conduo.
Uma vez que a capacitncia cresce com o aumento da rea do semicondutor, os
componentes para correntes mais elevadas tendem a ter um limite de dv/dt menor.
Observe-se que a limitao diz respeito apenas ao crescimento da tenso direta (Vak >
0). A taxa de crescimento da tenso reversa no importante, uma vez que as correntes
que circulam pelas junes J1 e J3, em tal situao, no tem a capacidade de levar o
tiristor a um estado de conduo.
Como se ver adiante, utilizam-se circuitos RC em paralelo com os tiristores com o
objetivo de limitar a velocidade de crescimento da tenso direta sobre eles.
d) Temperatura
A altas temperaturas, a corrente de fuga numa juno p-n reversamente polarizada dobra
aproximadamente com o aumento de 8o C. Assim, a elevao da temperatura pode levar
a uma corrente atravs de J2 suficiente para levar o tiristor conduo.
e) Energia radiante
Energia radiante dentro da banda espectral do silcio, incidindo e penetrando no cristal,
produz considervel quantidade de pares eltron-lacuna, aumentando a corrente de fuga
reversa, possibilitando a conduo do tiristor. Este tipo de acionamento o utilizado nos
LASCR, cuja aplicao principal em sistemas que operam em elevado potencial, onde
a isolao necessria s obtida por meio de acoplamentos ticos.
k) Tempo de disparo (ton): o tempo necessrio para o tiristor sair do estado desligado
e atingir a plena conduo.
l) Tempo de desligamento (toff): o tempo necessrio para a transio entre o estado de
conduo e o de bloqueio. devido a fenmenos de recombinao de portadores no
material semicondutor.
m) Corrente de recombinao reversa (Irqm): valor de pico da corrente reversa que
ocorre durante o intervalo de recombinao dos portadores na juno.
A figura 3.8 ilustra algumas destas caractersticas.
Figura3.7Expansodareadeconduodotiristorapartirdasvizinhanasdaregiodegate.
Figura3.8:Caractersticasdotiristor
acionador que fornea uma tenso Vgk de 6V com impedncia de sada 12 ohms
adequado. A durao do sinal de disparo deve ser tal que permita corrente atingir IL
quando, ento, pode ser retirada.
Observamos ser bastante simples o circuito de disparo de um SCR e, dado o alto ganho
do dispositivo, as exigncias quando ao acionamento so mnimas.
b) Comutao
Se, por um lado, fcil a entrada em conduo de um tiristor, o mesmo no se pode
dizer de sua comutao. Lembramos que a condio de desligamento qua a corrente
de anodo fique abaixo do valor IH. Se isto ocorrer, juntamente com a aplicao de uma
tenso reversa, o bloqueio se dar mais rapidamente.
No existe uma maneira de se desligar o tiristor atravs de seu terminal de controle,
sendo necessrio algum arranjo ao nvel do circuito de anodo para reduzir a corrente
principal.
b.1) Comutao Natural
utilizada em sistemas de ca nos quais, em funo do carter ondulatrio da tenso de
entrada, em algum instante a corrente tender a se inverter e ter, assim, seu valor
diminudo abaixo de IH, desligando o tiristor. Isto ocorrer desde que, num intervalo
inferior a toff, no cresa a tenso direta Vak, o que poderia lev-lo novamente
conduo.
A figura 3.8.1 mostra um circuito de um controlador de tenso ca, alimentando uma
carga RL, bem como as respectivas formas de onda. Observe que quando a corrente se
anula a tenso sobre a carga se torna zero, indicando que nenhum dos SCRs est em
conduo.
Figura3.8.1ControladordetensocacomcargaRLeformasdeondatpicas.
Figura3.8.2Circuitoeformasdeondadecomutaoporressonnciadacarga.
Figura3.8.3TopologiacomcomutaoforadadeSCReformasdeondatpicas.
Figura3.8.4Detalhesdasformasdeondadurantecomutao.
Redes Amaciadoras
O objetivo destas redes evitar problemas advindos de excessivos valores para dv/dt e
di/dt, conforme descrito anteriormente.
a) O problema di/dt
Uma primeira medida capaz de limitar possveis danos causados pelo crescimento
excessivamente rpido da corrente de anodo construir um circuito acionador de gate
adequado, que tenha alta derivada de corrente de disparo para que seja tambm rpida a
expanso da rea condutora.
Um reator saturvel em srie com o tiristor tambm limitar o crescimento da corrente
de anodo durante a entrada em conduo do dispositivo.
Alm deste fato tem-se outra vantagem adicional que a reduo da potncia dissipada
no chaveamento pois, quando a corrente de anodo crescer, a tenso Vak ser reduzida
pela queda sobre a indutncia.
O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar necessidade de um pulso
mais longo de disparo, ou ainda a uma sequncia de pulsos, para que seja assegurada a
conduo do tiristor.
b) O problema do dv/dt
A limitao do crescimento da tenso direta Vak, usualmente feita pelo uso de circuitos
RC, RCD, RLCD em paralelo com o dispositivo, como mostrado na figura 3.9.
(a)(b)(c)
Figura3.9:Circuitosamaciadoresparadv/dt
No caso mais simples (a), quando o tiristor comutado, a tenso Vak segue a dinmica
dada por RC que, alm disso desvia a corrente de anodo facilitando a comutao.
Quando o SCR ligado o capacitor descarrega-se, ocasionando um pico de corrente no
tiristor, limitado pelo valor de R.
No caso (b) este pico pode ser reduzido pelo uso de diferentes resistores para os
processos de carga e descarga de C. No 3o caso, o pico limitado por L, o que no traz
a) Impedncia srie
A idia adicionar impedncias em srie com cada componente a fim de limitar o
eventual desequilbrio. Se a corrente crescer num ramo, haver aumento da tenso, o
que far com que a corrente se distribua entre os demais ramos. O uso de resistores
implica no aumento das perdas, uma vez que dado o nvel elevado da corrente, a
dissipao pode atingir centenas de watts, criando problemas de dissipao e eficincia.
Outra alternativa o uso de indutores lineares.
b) Reatores acoplados
Conforme ilustrado na figura 3.10, se a corrente por SCR1 tende a se tornar maior que
por SCR2, uma fora contra-eletro-motriz aparecer sobre a indutncia,
proporcionalmente ao desbalanceamento, tendendo a reduzir a corrente por SCR3. Ao
mesmo tempo uma tenso induzida do outro lado do enrolamento, aumentando a
corrente por SCR2. As mais importantes caractersticas do reator so alto valor da
saturao e baixo fluxo residual, para permitir uma grande excurso do fluxo a cada
ciclo.
Figura3.10:Equalizaodecorrentecomreatoresacoplados
Disparo
H duas caractersticas do tiristor bastante importantes para boa diviso de corrente
entre os componentes no momento em que se deve dar o incio da conduo: o tempo de
atraso (td) e a mnima tenso de disparo (Vonmin).
O tempo de atraso pode ser interpretado como o intervalo entre a aplicao do sinal de
porta e a real conduo do tiristor.
A mnima tenso de disparo o valor mnimo da tenso direta entre anodo e catodo
com a qual o tiristor pode ser ligado por um sinal adequado de porta. Recorde-se, da
caracterstica esttica do tiristor, que quanto menor a tenso Vak, maior deve ser a
corrente de gate para levar o dispositivo conduo.
Diferenas em td podem fazer com que um componente entre em conduo antes do
outro. Com carga indutiva este fato no to crtico pela inerente limitao de di/dt da
carga, o que no ocorre com cargas capacitivas e resistivas. Alm disso, como Vonmin
maior que a queda de tenso direta sobre o tiristor em conduo, possvel que nem
seja factvel ao outro dispositivo entrar em conduo.
Esta situao crtica quando se acoplam diretamente os tiristores, sendo minimizada
atravs dos dispositivos de equalizao j descritos e ainda por sinais de porta de
durao maior que o tempo de atraso.
Desligamento
Especialmente com carga indutiva, deve-se prever algum tipo de arranjo que consiga
manter o equilbrio de corrente mesmo que haja diferentes caractersticas entre os
tiristores (especialmente relacionadas com os tempos de desligamento). A capacitncia
do circuito amaciador limita o desbalanceamento, uma vez que absorve a corrente do
tiristor que comea a desligar.
Circuito de disparo
A corrente de porta deve ser alvo de atenes. O uso de um nico circuito de comando
para acionar todos os tiristores minimiza os problemas de tempos de atraso. Alm disso,
deve-se procurar usar nveis iguais de corrente e tenso de porta, uma vez que influem
significativamente no desempenho do disparo. Para minimizar os efeitos das diferenas
nas junes porta-catodo de cada componente pode-se fazer uso de um resistor ou
indutor em srie com a porta, para procurar equalizar os sinais. importante que se
tenha atingido a corrente de disparo (IL) antes da retirada do pulso de porta, o que pode
levar necessidade de circuitos mais elaborados para fornecer a energia necessria.
Uma seqncia de pulsos tambm pode ser empregada.
Figura3.11:Tensesemassociaodetiristoressemrededeequalizao.
Estado estacionrio
O mtodo usual de equalizar tenses nas situaes I e VI colocar uma rede resistiva
com cada resistor conectado entre anodo e catodo de cada tiristor. Estes resistores
representam consumo de potncia, sendo desejvel usar os de maior valor possvel. O
projeto do valor da resistncia deve considerar a diferena nos valores das correntes de
bloqueio direta e reversa.
Disparo
Um mtodo que pode ser usado para minimizar o desequilbrio do estado II fornecer
uma corrente de porta com potncia suficiente e de rpido crescimento, para minimizar
as diferenas relativas ao tempo de atraso. A largura do pulso deve ser tal que garanta a
continuidade da conduo de todos os tiristores.
Desligamento
Para equalizar a tenso no estado V um capacitor ligado entre anodo e catodo de cada
tiristor. Se a impedncia do capacitor suficientemente baixa e/ou se utiliza a constante
de tempo necessria, o crescimento da tenso no dispositivo mais rpido ser limitado
at que todos se recombinem. Esta implementao tambm alivia a situao no disparo,
uma vez que realiza uma injeo de corrente no tiristor, facilitando a entrada em
conduo de todos os dispositivos.
Figura3.12.Circuitodeequalizaodetensoemassociaosriedetiristores.
Circuito de disparo
Em muitas aplicaes, devido necessidade de isolamento eltrico entre o circuito de
comando e o de potncia, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum
dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores ticos.
a) Transformador de pulso
Neste caso, tem-se transformadores capazes de responder apenas em alta frequncia,
mas que possibilitam a transferncia de pulsos de curta durao (at centenas de
microsegundos), aps o que o transformador satura. Caso seja necessrio um pulso mais
largo, ele poder ser obtido por meio de um trem de pulsos, colocando-se um filtro
passa-baixas no lado de sada. Com tais dispositivos deve-se prever algum tipo de
limitao de tenso no secundrio (onde est conectado o gate), a fim de evitar
sobretenses.
Quando se usar transformador de pulso preciso garantir que ele suporte pelo menos a
tenso de pico da alimentao. Como as condies de disparo podem diferir
cosideravelmente entre os tiristores, comum inserir uma impedncia em srie com a
porta para evitar que um tiristor com menor impedncia de porta drene o sinal de
disparo, impedindo que os demais dispositivos entrem em conduo. Esta impedncia
em srie pode ser um resistor ou um capacitor, que tornaria mais rpido o crescimento
do pulso de corrente.
b) Acoplamento luminoso
Sobre-tenso
As funes gerais da proteo contra sobre-tenso so: assegurar, to rpido quanto
possvel, que qualquer falha em algum componente afete apenas aquele tiristor
diretamente associado ao componente; aumentar a confiabilidade do sistema; evitar
reaes na rede (como excitao de ressonncias). Estas sobre-tenses podem ser
causadas tanto por aes externas como por distribuio no homognea das tenses
entre os dispositivos.
Em aplicaes onde as perdas provocadas pelos resistores de equalizao devem ser
evitadas, a distribuio de tenso pode ser realizada pelo uso de retificadores de
avalanche controlada, que tambm atuam no caso de sobre-tenses. Uma possvel
restrio ao uso de supressores de sobre-tenso (geralmente de xido metlico, os
varistores), que a falha em um certo componente (um curto em um tiristor) pode levar
a uma sobrecarga nos demais supressores, provocando uma destruio em cascata de
todos.
A fim de evitar disparos indesejados dos tiristores em virtude do aumento repentino da
tenso, superando o limite de dv/dt ou o valor da mxima tenso direta de bloqueio,
deve-se manter uma polarizao negativa no terminal da porta, aumentado o nvel de
tenso suportvel.
Resfriamento
Princpio de funcionamento
O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, tpica dos componentes da famlia dos
tiristores. Sua caracterstica principal sua capacidade de entrar em conduo e
bloquear atravs de comandos adequados no terminal de gate.
O mecanismo de disparo semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado,
quando a corrente de gate injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte
de tais portadores, como a camada de gate suficientemente fina, desloca-se at a
camada N adjacente, atravessando a barreira de potencial e sendo atrados pelo
potencial do anodo, dando incio corrente andica. Se esta corrente se mantiver acima
da corrente de manuteno, o dispositivo no necessita do sinal de gate para manter-se
conduzindo.
A figura 3.14 mostra o smbolo do GTO e uma representao simplificada dos
processos de entrada e sada de conduo do componente.
A aplicao de uma polarizao reversa na juno gate-catodo pode levar ao
desligamento do GTO. Portadores livres (lacunas) presentes nas camadas centrais do
dispositivo so atrados pelo gate, fazendo com que seja possvel o reestabelecimento da
barreira de potencial na juno J2.
Figura3.14.Smbolo,processosdechaveamentoeestruturainternadeGTO.
facilidadedeextraodeportadorespeloterminaldegateistopossibilitadopelo
usodedopantescomaltamobilidade
desaparecimentorpidodeportadoresnascamadascentraisusodedopantecom
baixotempoderecombinao.IstoimplicaqueumGTOtemumamaiorquedade
tensoquandoemconduo,comparadoaumSCRdemesmasdimenses.
suportartensoreversanajunoportacatodo,sementraremavalanchemenor
dopagemnacamadadecatodo
absorodeportadoresdetodasuperfciecondutoraregiodegateecatodomuito
interdigitada,comgrandereadecontato.
VdrxmTensodepico,repetitiva,deestadodesligado:sobcondiesdadas,a
mximatensoinstantneapermissvel,emestadodesligado,quenoultrapasseo
dv/dtmximo,aplicvelrepetidamenteaoGTO.
ItCorrente(RMS)deconduo:mximacorrente(valorRMS)quepodecircular
continuamentepeloGTO.
ItcmCorrentedeconduorepetitivacontrolvel:mximacorrenterepetitiva,cujo
valorinstantneoaindapermiteodesligamentodoGTO,sobdeterminadascondies.
I2t:escalaparaexpressaracapacidadedesobrecorrentenorepetitiva,comrespeito
aumpulsodecurtadurao.utilizadonodimensionamentodosfusveisde
proteo.
di/dt:taxadecrescimentomximadacorrentedeanodo.
VgrmTensoreversadepicodegaterepetitiva:mximatensoinstantnea
permissvelaplicveljunogatecatodo.
dv/dt:mximataxadecrescimentodatensodiretadeanodoparacatodo.
IHcorrentedemanuteno:CorrentedeanodoquemantmoGTOemconduo
mesmonaausnciadecorrentedeporta.
ILcorrentededisparo:correntedeanodonecessriaparaqueoGTOentreem
conduocomodesligamentodacorrentedegate.
tgttempodedisparo:tempoentreaaplicaodacorrentedegateeaquedada
tensoVak.
tgqtempodedesligamento:tempoentreaaplicaodeumacorrentenegativade
gateeaquedadacorrentedeanodo(tgq=ts+tf)
tstempodearmazenamento
Desde que, geralmente, o GTO est submetido a condies de alto di/dt, necessrio
que o sinal de porta tambm tenha rpido crescimento, tendo um valor de pico
relativamente elevado [3.9]. Deve ser mantido neste nvel por um tempo suficiente (tw1)
para que a tenso Vak caia a seu valor de conduo direta. conveniente que se
mantenha a corrente de gate durante todo o perodo de conduo, especialmente se a
corrente de anodo for pequena, de modo a garantir o estado "ligado". A figura 3.16
ilustra as formas de corrente recomendadas para a entrada em conduo e tambm para
o desligamento.
Durante o intervalo "ligado" existe uma grande quantidade de portadores nas camadas
centrais do semicondutor. A comutao do GTO ocorrer pela retirada destes portadores
e, ainda, pela impossibilidade da vinda de outros das camadas ligadas ao anodo e ao
catodo, de modo que a barreira de potencial da juno J2 possa se reestabelecer.
O grande pico reverso de corrente apressa a retirada dos portadores. A taxa de
crescimento desta corrente relaciona-se com o temo de armazenamento, ou seja, o
tempo decorrido entre a aplicao do pulso negativo e o incio da queda (90%) da
corrente de anodo. Quanto maior for a derivada, menor o tempo.
Quando a corrente drenada comea a cair, a tenso reversa na juno gate-catodo cresce
rapidamente, ocorrendo um processo de avalanche. A tenso negativa de gate deve ser
mantida prxima ao valor da tenso de avalanche. A potncia dissipada neste processo
controlada (pela prpria construo do dispositivo). Nesta situao a tenso Vak cresce e
o GTO desliga.
Para evitar o disparo do GTO por efeito dv/dt, uma tenso reversa de porta pode ser
mantida durante o intervalo de bloqueio do dispositivo.
O ganho de corrente tpico, no desligamento, baixo (de 5 a 10), o que significa que,
especialmente para os GTOs de alta corrente, o circuito de acionamento, por si s,
envolve a manobra de elevadas correntes.
Figura3.16.FormasdeondatpicasdocircuitodecomandodeportadeGTO.
Desligamento
Durante o desligamento, com o progressivo restabelecimento da barreira de potencial na
juno reversamente polarizada, a corrente de anodo vai se concentrando em reas cada
vez menores, concentrando tambm os pontos de dissipao de potncia. Uma limitao
da taxa de crescimento da tenso, alm de impedir o gatilhamento por efeito dv/dt,
implicar numa reduo da potncia dissipada nesta transio.
O circuito mais simples utilizado para esta funo uma rede RCD, como mostrado na
figura 3.17.
Supondo uma corrente de carga constante, ao ser desligado o GTO, o capacitor se
carrega com a passagem da corrente da carga, com sua tenso vaiando de forma
praticamente linear. Assim, o dv/dt determinado pela capacitncia. Quando o GTO
entrar em conduo, este capacitor se descarrega atravs do resistor. A descarga deve
ocorrer dentro do mnimo tempo em conduo previsto para o GTO, a fim de assegurar
tenso nula inicial no prximo desligamento. A resistncia no pode ser muito baixa, a
fim de limitar a impulso de corrente injetado no GTO.
Figura3.17CircuitoamaciadordedesligamentotipoRCD.
(3.2)
onde V a tenso de alimentao e fs a freqncia de chaveamento.
Como exemplo, suponhamos um circuito alimentado em 1000V, operando a 1kHz com
um capacitor de 1F. Isto significa uma potncia de 500W!
Entrada em conduo
A limitao de di/dt nos GTOs muito menos crtica do que para os SCR. Isto se deve
interdigitao entre gate e catodo, o que leva a uma expanso muito mais rpida da
Figura3.18GTOacionandocargaindutivaeamaciadorparadesligamento.
Princpio de funcionamento
A figura 3.19 mostra a estrutura bsica de um transistor bipolar.
Figura3.19.Estruturabsicadetransistorbipolar
Figura3.20.EstruturainternadeTPBeseusmbolo
O uso preferencial de TBP tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o
que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas,
reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente.
Figura3.23.AspectotpicodeAOSdeTBP
Conexo Darlington
Como o ganho dos TBP relativamente baixo, usualmente so utilizadas conexes
Darlington (figura 3.22), que apresentam como principais caractersticas:
- ganho de corrente = 1(2+1)+2
- T2 no satura, pois sua juno B-C est sempre reversamente polarizada
- tanto o disparo quanto o desligamento so seqenciais. No disparo, T1 liga primeiro,
fornecendo corrente de base para T2. No desligamento, T1 deve comutar antes,
interrompendo a corrente de base de T2.
Os tempos totais dependem, assim, de ambos transistores, elevando, em princpio, as
perdas de chaveamento.
Figura3.22.ConexoDarlington.
Figura3.23FormadeondadecorrentedebaserecomendadaparaacionamentodeTBP.
Neste arranjo, a tenso mnima na juno B-C zero. Excesso na corrente Ib desviado
por D3. D3 permite a circulao de corrente negativa na base.
Figura3.24.Arranjodediodosparaevitarsaturao.
MOSFET
Atualmente no existem transistores MOSFET para aplicaes em potncias mais
elevadas. Os componentes disponveis tem caractersticas tpicas na faixa de:
1000V/20A ou 100V/200A. Sua principal vantagem a facilidade de acionamento, feita
em tenso, e a elevada velocidade de chaveamento, tornando-o indicado para as
aplicaes de freqncia elevada (centenas de kHz).
Figura3.25.EstruturabsicadetransistorMOSFET.
Figura3.26.CaractersticaestticadoMOSFET.
O que ocorre que, enquanto Vds se mantm elevado, a capacitncia que drena corrente
do circuito de acionamento apenas Cgs. Quando Vds diminui, a capacitncia dentre
dreno e source se descarrega, o mesmo ocorrendo com a capacitncia entre gate e dreno.
A descarga desta ltima capacitncia se d desviando a corrente do circuito de
acionamento, reduzindo a velocidade do processo de carga de Cgs, o que ocorre at que
Cgd esteja descarregado.
b) Desligamento
O processo de desligamento semelhante ao apresentado, mas na ordem inversa. O uso
de uma tenso Vgg negativa apressa o desligamento, pois acelera a descarga da
capacitncia de entrada.
Como os MOSFETs no apresentam cargas estocadas, no existe o tempo de
armazenamento, por isso so muito mais rpidos que os TBP.
Figura3.27FormasdeondanaentradaemconduodeMOSFETcomcargaindutiva.
Princpio de funcionamento
A estrutura do IGBT similar do MOSFET, mas com a incluso de uma camada P+
que forma o coletor do IGBT, como se v na figura 3.28.
Em termos simplificados pode-se analisar o IGBT como um MOSFET no qual a regio
N- tem sua condutividade modulada pela injeo de portadores minoritrios (lacunas), a
partir da regio P+, uma vez que J1 est diretamente polarizada. Esta maior
condutividade produz uma menor queda de tenso em comparao a um MOSFET
similar.
O controle de componente anlogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicao de uma
polarizao entre gate e emissor. Tambm para o IGBT o acionamento feito por
tenso.
A mxima tenso suportvel determinada pela juno J2 (polarizao direta) e por J1
(polarizao reversa). Como J1 divide 2 regies muito dopadas, conclui-se que um
IGBT no suporta tenses elevadas quando polarizado reversamente.
Os IGBTs apresentam um tiristor parasita. A construo do dispositivo deve ser tal que
evite o acionamento deste tiristor, especialmente devido s capacitncias associadas
regio P, a qual relaciona-se regio do gate do tiristor parasita. Os modernos
componentes no apresentam problemas relativos a este elemento indesejado.
Figura3.28.EstruturabsicadeIGBT.
Princpio de funcionamento
Considerando o modelo de 2 transistores para um tiristor, um MCT pode ser
representado como mostrado na figura 3.29. Nesta figura tambm se mostra uma seco
transversal de uma clula do dispositivo. Um componente formado pela associao em
paralelo de milhares de tais clulas construdas numa mesma pastilha [3.15].
Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsvel pela entrada em conduo
do tiristor (on-FET) tambm de canal P, sendo levado conduo pela aplicao de
uma tenso negativa no terminal de gate. Estando o anodo positivo, a conduo do onFET realiza uma injeo de portadores na base do transistor NPN, levando o
componente conduo. Uma vez que o componente formado pela associao de
dezenas de milhares de clulas, e como todas elas entram em conduo
simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt.
O MCT permanecer em conduo at que a corrente de anodo caia abaixo do valor da
corrente de manuteno (como qualquer tiristor), ou ento at que seja ativado o offFET, o que se faz pela aplicao de uma tenso positiva no gate.
A conduo do off-FET, ao curto-circuitar a juno base-emissor do transistor PNP (
possvel tambm uma estrutura que curto-circuita as junes base-emissor de ambos os
transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao
bloqueio do MCT. A queda de tenso deve ser menor que Vbe.
O MCT no apresenta o efeito Miller, de modo que no se observa o patamar de tenso
sobre o gate, o qual pode ser modelado apenas como uma capacitncia.
Esta capacidade de desligamento est associada a uma intensa interdigitao entre o offFET e as junes, permitindo absorver portadores de toda superfcie condutora do
anodo (e do catodo).
Assim como um GTO assimtrico, o MCT no bloqueia tenso reversa acima de poucas
dezenas de volts, uma vez que as camadas n+ ligadas ao anodo curto-circuitam a juno
J1, e q juno J3, por estar associada a regies de dopagem elevada, no tem capacidade
de sustentar tenses mais altas. possvel, no entanto, faz-los com bloqueio simtrico
[3.16], tambm sacrificando a velocidade de chaveamento.
O sinal de gate deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a fim de
evitar comutaes (por "latch-down" ou por dv/dt) indesejveis.
Na figura 3.30 mostra-se uma comparao entre a queda de tenso entre os terminais
principais, em funo da densidade de corrente, para componentes (MCT, IGBT e
MOSFET).
Nota-se que o MCT apresenta tenses muito menores do que os transistores, devido
sua caracterstica de tiristor. Ou seja, as perdas em conduo deste dispositivo so
consideravelmente menores, representando uma de suas principais caractersticas no
confronto com outros componentes.
Figura 3.30
Comparao entre componentes para 600V, com 1us de tempo
de desligamento, desprezando a resistncia do encapsulamento.
Efeitosecausasdeharmnicasnosistemadeenergiaeltrica
A anlise aqui feita baseia-se no texto da recomendao IEEE-519 [4.1] que trata de
prticas e requisitos para o controle de harmnicas no sistema eltrico de potncia. No
referido texto so identificadas diversas referncias especficas sobre os diferentes
fenmenos abordados.
1. Efeitosdeharmnicasemcomponentesdosistemaeltrico
1. Motoresegeradores
2. Transformadores
3. Cabosdealimentao
Figura 4.1 rea de seo e dimetro de fio de cobre que deve ser usado
em funo da freqncia da corrente para que o aumento da resistncia
seja menor que 1%.
4. Capacitores
Figura 4.6 Formas de onda relativas aos circuitos da figura 4.5: (a) superior; (b) - intermedirio; (c) - inferior.
5. Equipamentoseletrnicos
(4.1)
onde:
h a ordem harmnica;
k qualquer inteiro positivo;
q o nmero de pulsos do circuito retificador (6, no exemplo).
(4.2)
(4.3)
(a) (b)
Figura 4.16 (a)Corrente de entrada e tenso de alimentao de retificador
alimentando filtro capacitivo. (b) Espectro da corrente.
5. Filtrospassivos
A soluo clssica para a reduo da contaminao harmnica em sistemas
eltricos o uso de filtros sintonizados (LC conectados em srie) em derivao.
Outra possibilidade a melhoria do comportamento de cada carga
individualmente, tambm utilizando apenas componentes passivos (indutores e
capacitores). Estas alternativas sero apresentadas neste captulo e discutidas.
1. Filtrospassivosaplicadosaumconjuntodecargas
A figura 5.4 mostra um sistema simulado, com uma carga no-linear, que
absorve uma corrente aproximadamente quadrada. Insere-se um filtro de
terceira ordem, cujo resultado observa-se na figura 5.5 (superior).
Quando se utilizam tambm filtros de quinta e stima ordem, alm de um
capacitor para correo do fator de potncia, obtm-se o resultado
mostrado na parte inferior da mesma figura. Note a significativa
melhoria na forma de onda.
Na prpria simulao possvel verificar como facilmente podem
ocorrer ressonncias entre a impedncia da rede e este capacitor de
correo do FP. Alm disso importante que os filtros possuam
atenuao de modo a que os transitrios (que excitam as ressonncias)
sejam rapidamente atenuados.
2. Filtrospassivosaplicadoscarga
Solues passivas para a correo do FP [5.2] [5.3] [5.4] oferecem caractersticas como
robustez, alta confiabilidade, insensibilidade a surtos, operao silenciosa. No entanto,
existem diversas desvantagens, tais como:
Sopesadosevolumosos(emcomparaocomsoluesativas);
Afetamasformasdeondanafreqnciafundamental;
Algunscircuitosnopodemoperarnumalargafaixadatensodeentrada(90a240V);
Nopossibilitamregulaodatenso;
Arespostadinmicapobre;
Ocorretodimensionamentonosimples.
1. Exemplosmonofsicos
que h uma queda de tenso sobre ele. O valor da tenso mdia sobre o capacitor ser
cerca de 72% do valor obtido sem o indutor, num projeto otimizado [5.2].
A figura 5.7 mostra as formas de onda relativas s correntes de entrada com filtro
capacitivo e com filtro LC. Pelos espectros de tais correntes nota-se a reduo
significativa no contedo harmnico da "onda quadrada" em relao "onda
impulsiva". Note ainda a maior amplitude da componente fundamental obtida no
circuito com filtro capacitivo, devido sua defasagem em relao tenso da rede.
Figura 5.7 Formas de onda e espectro da corrente de retificador monofsico com filtro
capacitivo e com filtro LC.
6. Condicionamentodacorrenteabsorvida:PrreguladoresdeFatorde
PotnciaPFP
Este tipo de conversor tem sido o mais utilizado como PFP em funo de suas
vantagens estruturais como [6.1]:
apresenadoindutornaentradabloqueiavariaesbruscasnatensoderede
("spikes"),almdefacilitaraobtenodaformadesejadadacorrente(senoidal).
Energiaarmazenadamaiseficientementenocapacitordesada,oqualoperaemalta
tenso(Vo>E),permitindovaloresrelativamentemenoresdecapacitncia.
Ocontroledaformadeondamantidoparatodovalorinstantneodatensode
entrada,inclusiveozero.
Comoacorrentedeentradanointerrompida(nomododeconduocontnuo),as
exignciasdefiltrosdeIEMsominimizadas.
Otransistordevesuportarumatensoigualtensodesadaeseuacionamento
simples,umavezquepodeserfeitoporumsinaldebaixatensoreferenciadoao
terra.
Oconversorposteriordeveoperarcomumatensodeentradarelativamenteelevada.
Aposiodointerruptornopermiteproteocontracurtocircuitonacargaou
sobrecorrente.
Nopossvelisolaoentreentradaesada.
Outras topologias tambm podem ser utilizadas como PFP, mas no sero discutidas
neste captulo, o qual tem como objetivo indicar algumas possibilidades gerais de
melhoria na forma de onda fornecida pela rede a uma carga qualquer.
O Conversor elevador de tenso (boost) com entrada CC
(6.1)
(6.2)
(6.3)
(6.4)
(6.5)
(6.6)
(6.7)
Caracterstica de sada
(6.8)
Sejam:
(6.9)
(6.10)
Utilizando as equaes
anteriores tem-se
(6.11)
(6.12)
onde
(6.13)
(6.14)
(6.16)
(6.16)
(6.17)
(6.18)
(6.19)
(6.20)
(6.21)
(6.22)
(6.23)
(6.24)
(6.25)
A figura 6.10 mostra uma forma de onda
tpica da corrente no conversor.
(6.26)
(6.27)
(6.28)
Em relao ao mtodo anterior, uma vantagem a melhor
estabilidade do sistema, dada a robustez do controle por
histerese. A variao da freqncia um inconveniente
para um dimensionamento timo dos elementos de
filtragem.
A figura 6.12 mostra resultado de simulao. Nota-se que
a ondulao da corrente se mantm constante para
qualquer tenso de entrada.
Filtragem ativa de uma carga nica, ou um conjunto delas, uma opo a fazer-se a
correo do fator de potncia no estgio de entrada de cada equipamento, utilizado os
chamados pr-reguladores de fator de potncia.
O objetivo da filtragem da corrente obter uma forma de onda que siga a forma da
tenso, ou seja, que o conjunto carga + filtro represente uma carga resistiva,
maximizando o fator de potncia, o que vale dizer, minimizando a corrente eficaz
absorvida da fonte, mantida a potncia ativa da carga.
Sntese de formas de onda utilizando inversores
exige que nunca conduzam 2 chaves de um mesmo ramo do inversor, pois isso colocaria
em curto o capacitor.
bvio que para que seja possvel o controle das formas de onda (seja de corrente ou de
tenso), os valores de Io ou de Vcc devem ser maiores do que os valores de pico
mximos, respectivamente de corrente e de tenso, presentes no sistema.
Tcnicas de modulao
Diferentes tcnicas de modulao podem ser empregadas. As mais usuais so a MLP e a
por histerese (quando se trata de controle de corrente). Outras possibilidades so, por
exemplo, modos deslizantes (sliding mode), lgica nebulosa (fuzzy), etc.
Modulao por Largura de Pulso - MLP
Uma maneira de obter um sinal alternado de baixa frequncia atravs de uma
modulao em alta frequncia.
possvel obter este tipo de modulao ao comparar uma tenso de referncia (que seja
imagem da tenso de sada buscada), com um sinal triangular simtrico cuja frequncia
determine a frequncia de chaveamento. A frequncia da onda triangular (chamada
portadora) deve ser, no mnimo 20 vezes superior mxima frequncia da onda de
referncia, para que se obtenha uma reproduo aceitvel da forma de ondadesejada,
aps efetuada a filtragem. A largura do pulso de sada do modulador varia de acordo
com a amplitude relativa da referncia em comparao com a portadora (triangular).
Tem-se, assim, uma Modulao por Largura de Pulso.
A tenso de sada formada por uma sucesso de ondas retangulares de amplitude igual
tenso de alimentao CC e durao varivel.
A figura 7.2 mostra a modulao de uma onda senoidal, produzindo na sada uma
tenso com 2 nveis, na frequncia da onda triangular.
possvel ainda obter uma modulao a 3 nveis (positivo, zero e negativo). Este tipo
de modulao apresenta um menor contedo harmnico. A produo deste sinal de 3
nveis ligeiramente mais complicado para ser gerado analogicamente.
Quando se trata de um inversor trifsico, 2 arranjos podem ser feitos: utilizando 3
inversores monofsicos (o que exige 12 transistores, e chamado de ponte completa) ou
um arranjo chamado de semi-ponte, com 6 transistores, como o mostrado na figura 7.3.
filtro passa baixas com frequncia de corte acima e 50/60 Hz perfeitamente capaz de
produzir uma atenuao bastante efetiva em componentes na faixa dos kHz. Na figura
7.4 tem-se tambm as formas de onda filtradas (filtro LC, 2mH, 20F). Uma reduo
ainda mais efetiva das componentes de alta frequncis obtida com o uso de filtro de
ordem superior.
O uso de um filtro no amortecido pode levar ao surgimento de componentes
oscilatrias na frequncia de ressonncia, que podem ser excitadas na ocorrncia de
transitrios na rede ou na carga. Em regime elas no se manifestam, uma vez que o
espectro da onda MLP no as excita. O uso de filtros amortecidos pode ser indicado em
situaes em que tais transitrios possam ser problemticos, com a inevitvel perda de
eficincia do filtro.
Figura 7.4 Formas de onda da tenso de fase e de linha em inversor trifsico em semiponte. Indica-se ainda os respectivos sinais MLP filtrados. Espectro dos sinais MLP de
2 e 3 nveis.
Figura 7.5. Espectro de sinal MLP (referncia cc) com portadora de frequncia varivel.
Modulao por limites de corrente - MLC (Histerese)
Neste caso, so estabelecidos os limites mximo e/ou mnimo da corrente, fazendo-se o
chaveamento em funo de serem atingidos tais valores extremos. O valor instantneo
da corrente, em regime, mantido sempre dentro dos limites estabelecidos e o
conversor comporta-se como uma fonte de corrente.
Tanto a freqncia como o ciclo de trabalho so variveis, dependendo dos parmetros
do circuito e dos limites impostos. A figura 7.6 mostra as formas de onda para este tipo
de controlador.
MLC s possvel em malha fechada, pois necessrio medir instantaneamente a
varivel de sada. Este tipo de modulao usado, principalmente, em fontes com
controle de corrente e que tenha um elemento de filtro indutivo na sada.
Figura 7.6. Formas de onda de corrente e da tenso instantnea de sada com controle
MLC.
A obteno de um sinal MLC pode ser conseguida com o uso de um comparador com
histerese, atuando a partir da realimentao do valor instantneo da corrente. A
referncia de corrente dada pelo erro da tenso de sada (atravs de um controlador
integral). A figura 7.7 ilustra este sistema de controle. Na figura 7.8 v-se a forma de
onda da tenso de sada, aplicada carga e o respectivo espectro. Note-se o
espalhamento devido ao fato de a frequncia no ser constante.
Quando a chave S1 aberta, uma outra chave da semi-ponte superior deve ser fechada
para permitir a continuidade da corrente. Quando S5 aberta, outro interruptor da semiponte negativa deve entrar em conduo. Para estas funes, S3 e S6 so usadas, uma
vez que elas no alteram as correntes pelas fases a e b. A forma senoidal desejada para a
fase c resultado do fato que a soma das correntes nas 3 fases nula. Quando S3 e S6
conduzirem simultaneamente, cria-se um caminho de livre-circulao para a corrente cc.
A figura 7.10 mostra os sinais de comando para os interruptores e a forma de onda da
tenso instantnea sobre o indutor cc, a qual apresenta um comportamento de 3 nveis.
Uma vez que a freqncia de chaveamento deve ser muito maior do que a freqncia da
rede, pode-se considerar que, dentro de cada ciclo de chaveamento as tenses da rede
so constantes.
As formas de onda mostradas correspondem ao intervalo t1<t<t2, no qual va>vb, em
mdulo e, conseqentemente, a>b.
Figura 7.10. Sinais de comando para os interruptores e tenso instantnea no lado cc.
As correntes instantneas pelas fases tem forma retangular, com amplitude dada pela
corrente cc e largura determinada pela lei de modulao (figura 7.11). Simultaneamente
haver corrente apenas por 2 das 3 fases, uma vez que a existncia de 3 correntes
simultneas colocaria em curto 2 das fases. A corrente injetada na rede acompanhar o
valor mdio desta corrente.
Seja x(t) uma funo lgica que descreve o estado de uma chave genrica S.
Correspondentemente, a lei de modulao m(t) pode ser definida como uma funo
contnua dada pelo contedo de baixa freqncia de x(t). Como x(t) assume apenas
valores 0 e 1, m(t) limitada entre 0 e 1.
O fato de apenas um interruptor estar fechado em cada semi-ponte ao mesmo tempo, faz
com que apenas um x(t), relacionado a cada semi-ponte, a cada instante, possa ser 1
[7.2]:
(7.1)
(7.2)
(7.3)
(7.4)
(7.5)
Para obter as correntes senoidais de entrada tem-se (note que estamos supondo corrente
em fase com a tenso, mas esta anlise vale para qualquer tipo de corrente):
(7.6)
(7.7)
(7.8)
(7.9)
Note que se o inversor fornece apenas energia reativa a tenso mdia no lado cc nula,
como de se esperar, j que se trata de um elemento puramente indutivo.
Generalizando um pouco mais, qualquer forma de corrente pode ser absorvida da rede,
desde que uma referncia adequada seja utilizada, o que torna esta topologia bastante
prpria para a implementao de filtros ativos de potncia.
Controle da corrente cc
Numa situao de regime, para que no haja mudana na corrente cc, a tenso mdia
sobre o indutor deve ser nula, como mostrado na equao (7.9). Como o indutor possui
perdas, ou ainda, porque transitoriamente houve uma absoro (ou entrega) de potncia
ativa, possvel que ocorra uma variao no nvel da corrente cc. O controle do
conversor deve prever um modo de manter, em regime, a corrente no valor Io desejado.
Isto pode ser feito alterando a fase das referncias de corrente. Se a defasagem entre
tenso e corrente for 90o, o inversor s trabalha com energia reativa. Se a fase for menor
do que 90o, isto significa que o inversor est entregando ao resto do sistema um pouco
de potncia ativa, o que faz com que a corrente Io tenda a diminuir (aparece uma tenso
mdia positiva no lado cc). Fazendo com que a defasagem seja maior do que 90o o
inversor absorve potncia ativa do sistema, levando ao crescimento da corrente Io. Uma
vez atingido o valor Io desejado, o controle deve retornar referncia de regime. O
mesmo efeito pode ser obtido controlando-se a amplitude do sinal de referncia em
funo do erro da corrente cc.
Sntese de correntes em inversor com acmulo capacitivo
Neste caso, a corrente mdia de sada determinada pela diferena entre as tenses
mdias da rede e da sada do inversor. Tal diferena aplicada sobre os indutores de
filtro, definindo, assim, a corrente. As diferenas instantneas determinam a ondulao
da corrente na freqncia de chaveamento.
Como no se faz uma sntese direta da corrente, a correta operao desta topologia
necessita da realimentao da corrente, a ser comparada com a referncia, gerando um
sinal de erro que, se necessrio, corrige a largura de pulso.
Esta realimentao da corrente permite, tambm para este conversor, a sntese de
qualquer forma de corrente.
Controle da tenso cc
A tenso presente no capacitor, numa situao de regime na qual o inversor fornea
apenas energia no ativa ao sistema, constante. Transitoriamente, no entanto,
possvel que esta tenso varie em funo de mudanas na carga ou na rede.
A correo do erro de tenso feita controlando-se a amplitude do sinal de referncia de
corrente. Por exemplo, caso a tenso cc diminua, o circuito de controle deve produzir
um ajuste na amplitude da corrente em relao tenso da rede de modo a absorver
potncia ativa, elevando a tenso do capacitor. O ajuste da fase da referncia tambm
permite a correo da tenso cc.
O valor da tenso cc deve ser maior do que o valor de pico da tenso da rede,
permitindo, assim, a sntese de corrente mesmo em condies de mnima diferena de
tenso aplicada sobre a indutncia de sada.
Sntese de tenses
As mesmas topologias que so capazes de produzir formas arbitrrias de corrente,
podem tambm faz-lo em relao tenso sintetizada em suas sada, valendo aqui as
mesmas observaes relativas ao tipo de elemento de armazenamento de energia, isto ,
caso o inversor fornea apenas energia reativa, ele no precisa de uma fonte de potncia,
podendo operar a partir apenas de elementos de armazenamento de energia.
O estgio de sada deve ser adaptado de modo a ser obtida uma tenso filtrada dos
componentes relativos freqncia de chaveamento, obtendo-se apenas a tenso mdia
sintetizada pelo inversor.
Figura 7.12 Inversor trifsico, com acmulo capacitivo, para sntese de tenso.
Figura 7.13 Inversor trifsico, com acmulo indutivo, para sntese de tenso.
De maneira similar ao que se viu para os sintetizadores de corrente, neste caso o circuito
com acmulo capacitivo pode operar em malha aberta (em relao tenso mdia
produzida). J no inversor com acmulo indutivo, como a tenso resultado da
passagem da corrente pelos capacitores de filtro, necessrio fazer uma realimentao
desta tenso para certificar-se que ela acompanha a referncia.
(7.10)
Para esta anlise, representa-se cada corrente ca (em p.u.,sendo Io a base) por um vetor
unitrio (j que, instantaneamente as correntes ca s podem assumir este valor ou serem
nulas) na direo dos eixos a,b,c.
Por exemplo, quando a corrente ia for igual a +Io, ela ser representada pelo vetor +1
sobre o eixo a. Sua representao ser -1, sobre o mesmo eixo quando ia=-Io e ser o
vetor nulo quando ia=0.
Os vetores obtidos pela adio de todos os pares de vetores no-nulos podem ser usados
para representar o estado do conversor. Como resultado tem-se 6 vetores de estado, j1 a
j6, mais o vetor zero (o vetor zero corresponde a estados de livre-circulao, quando
conduzem interruptores do mesmo ramo).
(7.11)
(7.12)
(7.13)
H diferentes maneiras de fazer o comando dos interruptores. Neste caso, por exemplo,
o interruptor S5, por ser comum aos dois estados adjacentes, fica sempre ligado.
Durante ', S1 mantido ligado. Ao ser desligada essa chave, S3 entra em conduo,
durante ". Ao se encerrar este intervalo, desliga-se S3 e liga-se S2, realizando o
intervalo de livre-circulao (durante o). Observe que neste estratgia de comando dos
interruptores h uma comutao a menos do que a obtida na estratgia indicada na
figura 7.10, o que contribui para reduzir as perdas de comutao do conversor.
Na situao mostrada na figura 7.16 o vetor sintetizado i coincide com a referncia i*.
Isto no ocorre em situaes saturadas, como mostrado na figura 7.17. Entende-se por
saturao o fato de no ser possvel sintetizar exatamente a corrente de referncia.
Quando o vetor de referncia, i*, est fora do hexgono, a maior componente, i',
mantida constante (i'=i*'), enquanto a outra, i", reduzida at trazer o vetor sintetizado,
(7.14)
(7.15)
(7.16)
A figura 7.17 mostra tambm uma situao de saturao profunda, que ocorre quando a
maior das componentes de i* resulta fora do hexgono. Neste caso esta componente
feita igual ao vetor mais prximo (j1, no exemplo) e a corrente de sada do conversor se
torna quadrada. Os ciclos de trabalho so:
(7.17)
(7.18)
(7.19)
(7.20)
(7.21)
(7.22)
Tais potncias esto mostradas na figura 7.23. Note que a potncia ativa possui um
valor mdio e uma parte oscilatria. J a potncia reativa tem valor mdio nulo. Isto se
deve ao fato de as correntes serem simtricas e estarem centradas em relao s
respectivas tenses. As potncias, separadas em suas componentes mdia e varivel
esto mostradas nas figuras 7.24 e 7.25. Os valores mdios so calculados tomando-se
um intervalo mnimo de 1/6 de perodo da rede.
(7.23)
(7.24)
(7.25)
(7.26)
(7.27)
O filtro ativo deve ser capaz de compensar todos os elementos de potncia, exceto a
potncia ativa mdia, que a que, efetivamente, est realizando trabalho junto carga.
Utilizando os termos de potncia a serem compensados, as equaes anteriores
permitem obter as correntes de compensao no plano .
(7.28)
(7.29)
Aplicando-se a transformao inversa a, obtm-se as correntes nas fases abc que devem
ser geradas para compensar a corrente:
(7.30)
A corrente de compensao necessria para a fase a est mostrada na figura 7.28. Este
sinal deve servir de referncia para produzir o padro MLP para o inversor. A figura
7.29 mostra a tenso da fase a, a corrente da carga e a corrente fornecida aps a
compensao. Observa-se que o fator de potncia resultante unitrio e que todas as
harmnicas foram compensadas.
As figura 7.31 mostra as correntes no plano , que tambm possuem amplitudes iguais
e so senoidais.
Uma vez que o sistema a 3 fios, tambm no existe corrente de seqncia zero, como
se v na figura 7.38.
As componentes ativa e reativa das correntes no plano 0 esto mostradas nas figuras
7.40 e 7.41. Observa-se que estas correntes so no-senoidais.
A corrente de compensao para a fase a est mostrada na figura 7.42. Ela senoidal e
leva compensao da corrente de linha, como mostrado na figura 7.43. Observa-se que
possvel compensar o desequilbrio e obter um fator de potncia unitrio.
Figura 7.43 Tenso, corrente de carga e da rede nas fases a e b, aps compensao.
Estudo de caso com alimentao desequilibrada
Temos aqui tenses de entrada desequilibradas e uma carga resistiva equilibrada. As
tenses esto mostradas na figura 7.44.
A figura 7.45 mostra as tenses no plano 0. Note-se a presena de tenso de
seqncia zero. As tenses de linha so mostradas na figura 7.46, e tambm apresentam
desequilbrio.
As correntes no plano 0 esto na figura 7.47. Por ser um sistema a 3 fios, no tem-se
corrente de seqncia zero.
A figura 7.48 mostra as potncias instantneas. Observe que tanto a potncia reativa
quanto a de seqncia zero so nulas. Temos apenas potncia ativa, com um valor
mdio e uma parcela varivel. A obteno do valor mdio exige uma integrao por
ciclo.
Como h uma parcela varivel de potncia ativa a ser compensada, este mtodo produz
uma corrente de compensao, mostrada na figura 7.50 para a fase a. Esta corrente
no-senoidal e, portanto, introduzir distoro harmnica na corrente da rede, aps a
compensao. Na figura 7.51 tem-se as correntes compensadas nas fases a e b,
juntamente com as tenses de fase e as correntes de carga.
Figura 7.51 Tenso, corrente na carga e na linha (aps compensao), nas fases a e b.
conseguido, mas isto no significa que se tenha o mximo fator de potncia, como
evidenciam as formas de onda mostradas em 7.51.
A corrente de compensao produzida para a fase a est mostrada na figura 7.57. Sua
injeo no sistema leva s formas de onda mostradas na figura 7.58. Note-se que, sem
compensao, a corrente da fase a segue a mesma forma da tenso, dado que a carga
equilibrada e resistiva. A ao da corrente de compensao distorce a corrente
resultante, de modo que a rede no mais v uma carga resistiva. A figura 7.41 mostra
que o objetivo do mtodo, que o de obter apenas a potncia ativa mdia foi atingido.
Figura 7.60 Formas de onda e circuitos simulados para cargas resistiva e "senoidal".
Filtro ativo monofsico
Filtros ativos monofsicos podem ser utilizados na correo do fator de potncia de
cargas de pequena e mdia potncia. As aplicaes restringem-se tipicamente a
potncias de 4kVA (para alimentao em 220V), dado que cargas maiores possuem
entrada trifsica [7.9].
A figura 7.61 mostra resultados de simulao em um filtro monofsico (acmulo
capacitivo) com controle MLP. As formas de onda de uma carga no-linear (prxima
que se tem em um retificador monofsico com filtro capacitivo) e a corrente a ser
produzida pelo filtro para compens-la so mostradas. Como esta simulao foi feita em
malha aberta, no se tem um controle mais preciso da corrente na linha, o que explica
algumas oscilaes decorrentes da excitao de ressonncias do sistema.
A figura 7.62 mostra a corrente obtida aps o filtro de sada. Observe que o circuito no
conseguiu fazer uma compensao perfeita, devido aos problemas citados. O espectro
est mostrado na figura 7.63, onde se v que a corrente no senoidal e que restam
componentes na freqncia de chaveamento. De qualquer forma, a distoro harmnica
da corrente caiu de 155% (sem o filtro ativo) para 7,5%.
De maneira anloga, a figura 7.64 mostra uma corrente "trapezoidal" a ser compensada,
bem como a corrente a ser produzida pelo filtro. Na figura 7.65 tem-se a corrente de
linha aps a filtragem. Nota-se aqui uma melhor forma de onda, o que se justifica por 2
fatores. O primeiro que a corrente da carga apresenta um espectro mais concentrado
nas harmnicas de baixa ordem, facilitando a compensao pelo filtro. A segunda que
as maiores variaes ocorrem quando a tenso da rede baixa, ou seja, quando a
diferena entre a tenso da rede e a tenso contnua do barramento do filtro grande,
havendo uma grande folga de tenso para a imposio da corrente desejada. O espectro
das correntes da carga e da rede (aps a filtragem) esto mostradas na figura 7.66.
Figura 7.61 Forma de onda na carga e corrente do filtro necessria para compens-la.
Este limite poderia ser, em primeira anlise, limitado a freqncias 10 vezes menores do
que o valor da freqncia de chaveamento.
Outro aspecto muito importante que o filtro no deve, idealmente, apresentar
amortecimento. A razo para isso que, como a tenso Vcc deve ser maior do que a
tenso de pico presente na rede, o conversor deve atuar, nos momento de acmulo de
energia no capacitor, como um elevador de tenso. Conforme j foi dito, isto se d pelo
aumento da corrente absorvida da rede, a qual flui para o filtro. Caso o filtro passivo
apresente amortecimento, esta potncia adicional poder ser dissipada nos elementos
resistivos, impedindo sua efetiva transferncia para o capacitor. Obviamente a eficincia
de um filtro com amortecimento comprometida, tanto no aspecto energtico, devido s
maiores perdas, como na resposta em freqncia, pois reduz a ordem resultante.
Desprezando as perdas nos conversores, o nico fator de amortecimento que resta a
prpria carga. Conclui-se que, quanto maior a potncia (ativa) consumida pela carga,
mais amortecido se mostrar o sistema como um todo, e vice-versa. Ou seja, deve-se
prever uma estratgia de superviso do filtro para evitar instabilidades em vazio.
Desta forma, como o filtro de sada apresenta ressonncias, elas devem ser devidamente
atenuadas pelo circuito de controle, garantindo a estabilidade do sistema.
Considerando o diagrama mostrado na figura 7.68, um dos blocos capaz de realizar esta
funo o chamado "condicionador de sinal", que atua na realimentao da corrente.
O comportamento deste "condicionador" vital para o bom desempenho do filtro. Dado
que ele atua sobre a forma real da corrente da linha, um bom resultado na compensao
da corrente s ocorre se o sinal realimentado for fiel corrente da linha. Uma vez que,
em princpio, deseja-se fazer a compensao total das harmnicas, a faixa de passagem
deste bloco deveria apresentar um ganho constante e uma defasagem nula na faixa at
3kHz (50a harmnica). Alm desta freqncia deve-se atenuar o sinal de modo que, nas
freqncias de ressonncia do filtro o ganho (em malha aberta) do sistema seja menor
do que 0dB (condio de estabilidade).
Via de regra esta no uma condio simples de ser satisfeita, visto que para ter uma
atenuao adequada na freqncia de chaveamento (digamos em 20kHz), a freqncia
de ressonncia do filtro de sada estar na faixa dos kHz, ou mesmo inferior,
dependendo da ordem deste filtro.
Conclui-se assim que o filtro de sada (tipicamente numa estrutura LC) deve ser de
ordem mais elevada, o que vem permitir usar componentes de menor valor
(individualmente), e tambm produzir ressonncias em valores elevados de freqncia.
Quanto ao condicionador de sinais, ele, em princpio, no deve ser um simples filtro
passa-baixas, uma vez que para satisfazer ao papel de atenuar as ressonncias, teria que
possuir uma freqncia de corte bastante baixa, o que implica em produzir defasagens
importantes na faixa de interesse para a corrente da linha. Deve-se, assim, buscar
circuitos que mantenham o ganho, no alterem a fase e atenuem satisfatoriamente os
sinais fora desta faixa.
Figura 7.70 Figura 7.14 Tenso da rede (superior - 150V/div.), corrente aps
compensao (intermedirio - 5A/div.) e corrente sem compensar (inferior - 5A/div.)
A figura 7.71 mostra a corrente de sada do filtro, aps ser filtrada pelo filtro passivo,
para o caso do retificador com filtro capacitivo.
A figura 7.73 mostra a corrente de sada do inversor antes de passar pelo filtro passivo e
em um estgio intermedirio.
Um dos parmetros a ser utilizado no dimensionamento deste filtro respeitar os limites
impostos pelas normas de Interferncia Eletromagntica (IEM) conduzida, uma vez que,
do ponto de vista da rede, o filtro faz parte da carga.
Figura 7.73 Corrente de sada do inversor e aps o primeiro estgio do filtro passivo.
A fim de reduzir a potncia a ser manobrada pelo filtro ativo possvel utiliz-lo em
associao com filtros passivos, de maneira que a parte ativa deve atuar apenas sobre as
componentes no corrigidas pelo filtro passivo [7.11].
A figura 7.75 ilustra o princpio de um filtro hbrido monofsico. Na figura tem-se o
esquema geral, considerando a existncia de uma fonte de tenso na freqncia
fundamental (Vs) e uma fonte de tenso que representa a distoro harmnica da tenso
(Vsh). A carga modelada como uma fonte de corrente (IL), a qual tambm possui
componente harmnica (Ilh). Existe uma reatncia da fonte, (Zs) e um filtro LC srie
sintonizado na freqncia da harmnica de interesse. O filtro ativo modelado como
uma fonte de corrente.
Observe-se que a componente harmnica a ser drenada pelo filtro passivo no ter que
circular pelo filtro ativo, de modo que tem-se uma reduo na corrente eficaz a ser
controlada pela parte ativa. Entretanto, no h diminuio na tenso de projeto do filtro
ativo.
Na figura 7.76 tem-se uma outra alternativa topolgica, na qual o filtro ativo colocado
em srie com um filtro passivo. Na verdade podem estar colocados diversos filtros
passivos, sintonizados ou passa-altas.
O sistema de controle do filtro ativo tal que ele absorve uma componente de corrente
na freqncia fundamental com tal valor que produza sobre a parte passiva do filtro uma
queda de tenso igual tenso da rede,Vs, como indica a figura (b). Isto faz com que a
tenso a ser suportada pelo estgio ativo seja somente a tenso relativa s componentes
harmnicas.
Alm desta componente, o filtro absorve uma corrente igual ao contedo harmnico da
carga, de modo que pela fonte circule apenas uma corrente na freqncia fundamental.
Na freqncia de ressonncia do filtro passivo a parte ativa dever suportar uma tenso
aproximadamente igual parcela distorcida da tenso da rede (figura (c)). Nas demais
freqncias a tenso harmnica divide-se entre o filtro passivo e o ativo (figura (d)).