Vous êtes sur la page 1sur 12

1.2.4 Amplificador en Base Comn.

Este Amplificador se caracteriza por tener baja Impedancia de Entrada, no presenta


Ganancia de Corriente pero s de Voltaje, y adems tiene propiedades tiles en Altas
Frecuencias.

Circuito Equivalente de C.C.

Circuito Equivalente de C.A.

Modelo del BJT en Seal Pequea para la configuracin B.C.

Aplicando LVK en el puerto de entrada y LCK en el puerto de salida


veb hib ie hrb vcb
ic h fb ie hob vcb

Estos parmetros quedan definidos bajo las siguientes condiciones:


A) Corto Circuito en la Salida vcb 0 y VCBQ
veb hib ie
ic h fb ie

eb
hib i V
e

CBQ

vcb 0

h fb

ic
ie VCBQ

vcb 0

hib = Impedancia de Entrada con la Salida en Corto

(i = input y b = B.C.)
h fb

= Ganancia de Corriente en sentido directo con la salida en corto


(f = forward y b =B.C.)

Estos dos parmetros pueden calcularse a partir del Circuito Equivalente de Seal
Pequea del BJT en E.C. (Circuito simplificado):

Convirtiendo a Base Comn

hib

veb
hieib

ie h fe 1ib

hib

hie
h fe 1

h fb

h feib
ic

ie h fe 1ib

h fb

h fe
h fe 1

B) Circuito Abierto en la Entrada. ie 0 , con I EQ


veb hrb vcb

ic hob vcb

hrb

hob
hrb =

abierta

veb
vcb

ic
vcb

I EQ
ie 0

I EQ
ie 0

Ganancia de Voltaje en sentido inverso con la Entrada

(r = reverse b = B.C.)
hob = Admitancia de Salida con la entrada abierta

(o = output b = B.C.)
Estos parmetros pueden ser calculados a partir del modelo de Seal Pequea del BJT
(configuracin de emisor comn) con el circuito completo, esto nos conduce a:

hob

hoe
h fe 1

hrb

hie hoe
hre
h fe 1

El Transistor 2N3904 cuando se polariza con I CQ = 1 mA y

VCEQ

= 6v tiene los

siguientes parmetros h de E.C.


hie = 3.1 K
h fe =125

hre =1.3 x 10-4


hoe =8.5x10-6 Siemens

Encontrar los parmetros h de B.C. para el mismo Transistor y en el mismo punto de


operacin.
hib

h fb

hrb

hie
3.1K

24.6
h fe 1
126
h fe
h fe 1

125
0.992
126

hie hoe
hre 1.28 x10 3
h fe 1

hob

hoe
0.067 S
h fe 1

Se observa que los parmetros hob y hrb son muy pequeos, por lo que para fines
prcticos los haremos cero.
ANALISIS DEL AMPLIFICADOR EN BASE COMUN
Realizando estas aproximaciones el circuito equivalente de CA en seal pequea para el
amplificador, este queda:

a simple vista observamos que la Impedancia de entrada, est dada por el paralelo de hib
con RE:
Zi RE hib
de la misma manera tenemos que la impedancia de salida es simplemente:
Z O RC
La ganancia de voltaje AV

vL
puede calcularse mediante la multiplicacin de algunos
vS

factores:

Av

vL vL vcb veb

vs vcb veb vs

vL
1
vcb

R R
vcb h fb ie RC RL
v

cb h fb C L
veb
ie hib
veb
hib
RE hib
veb

vS rs RE hib
Av

vL
R // RL
hfb c

vs
hib

RE // hib

rs RE // hib

La ganancia de corriente Ai

iL
puede calcularse mediante la multiplicacin de los
iS

factores:
Ai

iL iL ie

is ie
is

iL
Rc

h fb
ie Rc RL
ie
RE

is RE hib
Ai

Rc
iL
RE

hfb
is Rc RL
RE hib

EJEMPLO NUMERICO DEL ANALISIS DE UN AMPLIFICADOR EN BASE


COMUN
Para el amplificador que se muestra en la figura, determinar lo siguiente:

R1 18 K rS 50
R 2 90 K
RL 1.2 K
RC 4.8 K

hfe 125

R E 1 .2 K
VCC 12V

A) La Impedancia de Entrada y la Impedancia de Salida.

Av

vL
VS

C) Ai

iL
iS

B)

Suponer en los incisos anteriores que todas las reactancias son despreciables a la
frecuencia de la seal.
D) Calcular el valor mnimo de capacitancia de cada uno de los capacitores para
que el amplificador opere con acoplamiento y desacoplamiento aproximndose
al ideal, a una frecuencia de 100Hz.
Solucin.
Circuito Equivalente de C.C.

Este circuito ya fue analizado previamente y con los mismos valores de resistencia y el
mismo tipo de transistor, por lo tanto:
I CQ 1mA
VCEQ 6v

Circuito Equivalente de C.A.

SOLUCION:
a) Primeramente nos daremos a la tarea de encontrar el valor de Zi, se observa que
Zi R h Pero como vemos en la frmula, nos falta encontrar primero el valor de h ib
para el cual haremos lo siguiente:
E

ib

VT
25m
hfe
(125) 3.12 K
ICQ
1m
hie
3.12 K
hib

24.76
hfe 1 125 1
hie

Por lo tanto:
Zi RE hib 1.2 K 24.76 24.25

Ahora bien, sabemos que:

Zo RC Zo 4.8K

b) Buscamos ahora el valor para la ganancia de voltaje, a travs de la frmula siguiente:


Av

RC RL
RE hib
vL
h fb

vS
hib
rs RE hib
Av

vL

vS

.99

4.8K 1.2 K
1.2 K 25

12.52
25
50 1.2 K 25

c) La ganancia de corriente la encontramos a travs de la frmula:


Ai

iL
RC
RE

( h fb )
iS RC RL
RE hib

Slo hay que sustituir valores y nos lleva al resultado mostrado a continuacin:
Ai

4.8 K
1.2 K
0.77
( 0.99)
4.8K 1.2 K
1.2 K 25

d) Ahora calculamos los valores de los capacitores:


Ci

1
2fRTH

Donde RTH = rs + Zi = 50 + 25 = 75

Por lo tanto:
Ci

1
21.22 F
2 (100)(75)

Vamos ahora a encontrar el valor de Co:


Co

1
2fRTH

Pero ahora RTH = RC + RL = 6K

Entonces:
Co

1
0.265F
2 (100)(6 K )

Por ltimo nos resta conocer el valor del capacitor de base, para ello empleamos la
misma frmula que hemos venido usando, pero ahora el valor de RTH cambia a ser:
RTH RB

hfe 1 rs

RE hie

Sustituyendo valores:
RTH 1.2 K

125 1 50 1.2 K 3.12 K 6.1K

Ahora sustituimos para encontrar CB:


CB

1
0.258 F
2 (100)(6.1K )

EJEMPLO DE DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE SEAL PEQUEA EN CONFIGURACIN


BASE COMN.
Propsito de diseo: Disear un amplificador en
B.C. como el que se muestra en la fig. A (o bien fig.
Vcb
B) de tal manera que la ganancia de voltaje
V Bb
sea de 150.

Figura A
Figura B
Solucin: La fig. Nos sugiere que
el
transistor
deber
estar
polarizado por divisor de tensin.
Sabemos que la ganancia de
voltaje en esta configuracin es:
Vcb
R
h fb c
Veb
hib

Pero h fb (1)

O lo que es lo mismo h fb 1
Ademas hib

VT
I CQ

Si elegimos I CQ 0.5mA y que la operacin de trabajo es a temperatura ambiente (


VT 25mV ) entonces.

Vcb
R
C
Veb VT
I CQ

Rc

Vcb VT
25mV
*
150 *
7.5 K
Veb I CQ
0.5mA

siendo su valor comercial el mismo valor calculado: RC 7.5 K


Si proponemos que el punto de operacin quede a la mitad de la recta de carga de D.C.
entonces de la fig. A, la rama de salida cumple con
VCC V RC VCE V RE

el punto de operacin a la mitad de esta recta tiene un voltaje colector emisor de


VCEQ

1
VCC 6V
2

donde VCC se eligi de 12V por lo que V RE VCC V RC VCE


entonces V RE VCC RC I CQ VCE

V RE 12V 7.5 K 0.5mA 6


V RE 2.25V

como V RE R E I EQ
pero I CQ I EQ
entonces R E

V RE
2.25V

I CQ
0.5mA

R E 4.5 K , siendo R E 4.7 K su calor comercial ms cercano.

Con los valores de RC y R E las condiciones para colocar el punto de operacin ya


estn dadas, solo falta fijarlas a travs de la red de polarizacin formado por VCC , R1
y R2 .
Al igual que antes, R1 y R 2 se pueden obtener a travs del mismo proceso, ya que el
tipo de polarizacin tambin es por divisor de tensin.
Eligiendo R B para estabilizar con respecto a cambios en
RB
RB

1
R E
10

1
100 4.7 K
10

R B 47 K

cabe sealar que se tom 100 ya que este es un valor tpico para un transistor
2N3904 en el punto de operacin de I CQ 0.5mA y VCE 6V

Calculando R1

R1

RB
47 K

64.75 K
V BB
3.29
1
1
12
VCC

RB

R E V BE

Donde V BB I CQ

47 K

0.5mA
4.7 K 0.7
100

3.29V

El valor comercial ms cercano para R1 es 62 K


R1 62 K

para R 2 tenemos
R2

VCC
12
RB
47 K
V BB
3.29

R 2 171K

siendo su valor mas cercano comercial el de R2 180 K


En resumen si queremos obtener una ganancia de voltaje igual a 150 para el circuito
mostrado inicialmente, los elementos deben ser:
VCC 12V
R1 62 K
R 2 180 K
RC 7.5 K
R E 4.7 K

Transistor 2N3904
Vcb
. Si al
Veb
amplificador de la fig. se le conecta una fuente de seal de voltaje con resistencia
interna rS y adems se conecta una resistencia de carga de R L acoplada por capacitor,
VL
entonces la ganancia
ser significativamente menor, segn lo muestra la siguiente
VS
expresin

Cabe sealar que esta ganancia corresponde solo a la relacin

AV

vL
RE // hib
R // RL

h fb c

vS RE // hib rs
hib

RE // hib
Ahora el factor
1 y el termino R h// R
RE // hib rs
c

ib

consecuencia del equivalente paralelo Rc // R L


Pregunta para analizar:

tambin se hace menor como

Es posible que el diseo original con

Vcb
150 pueda ser mantenido por la relacin
Veb

V L Vcb

el cual se da para cuando acoplamos una fuente de seal de voltaje (con rS


VS
Vs
interna y una R L carga)?

Si o no? Por qu?