INSTITUTO TECNOLOGICO DE LOS

MOCHIS

ING. MECATRNICA
ELECTRNICA ANALOGICA
TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO
PROFESOR:
ING. HUGO CASTILLO
PRESENTA:
PALAZUELOS ARREDONDO JONATHAN MISAEEL
GRUPO:
M51

Transistor efecto de campo (FET)

Qu es?
El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo elctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El
transistor FET est compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos
regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que estn unidas entre s.
Smbolos

Funcionamiento?
Los terminales de este tipo de transistor se llaman
Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es
la compuerta (gate) que son dos regiones con impurezas
tipo P.
La regin que existe entre el drenador y la fuente y que
es el camino obligado de los electrones se llama "canal".
La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S).
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado
por corriente y requieren que haya cambios en la
corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El transistor FET es
controlado por tensin y los cambios en tensin de la compuerta (gate) a fuente (Vgs)
modifican la regin de rarefaccin y causan que vare el ancho del canal.

Este grfico muestra que al aumentar el voltaje Vds

(voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de
compuerta) fijo, la corriente aumenta rpidamente (se
comporta como una resistencia) hasta llegar a un punto A
(voltaje de estriccin), desde donde la corriente se
mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra
en la regin de disrupcin o ruptura), desde donde la
corriente aumenta rpidamente hasta que el transistor se
destruye.

Tipos de Fet

MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls

Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para
amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria
microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de
unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material
de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio
policristalino. El aluminio fue el material por excelencia de la compuerta hasta
mediados de 1970, cuando el silicio policristalino comenz a dominar el mercado
gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas.

JFET

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de campo de

juntura o unin) es un dispositivo electrnico, esto es, un circuito que, segn unos
valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida. En el caso de
los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico, estos valores de entrada son
las tensiones elctricas, en concreto la tensin entre los terminales S (fuente) y G
(puerta), VGS. Segn este valor, la salida del transistor presentar una curva
caracterstica que se simplifica definiendo en ella tres zonas con ecuaciones definidas:
corte, hmica y saturacin.
Fsicamente, un JFET de los denominados "canal P" est formado por una pastilla de
semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre s (puerta). Al aplicar una tensin positiva VGS entre puerta
y fuente, las zonas N crean a su alrededor sendas zonas en las que el paso de
electrones (corriente ID) queda cortado, llamadas zonas de exclusin. Cuando esta V GS
sobrepasa un valor determinado, las zonas de exclusin se extienden hasta tal punto
que el paso de electrones ID entre fuente y drenador queda completamente cortado. A
ese valor de VGS se le denomina Vp. Para un JFET "canal N" las zonas p y n se
invierten, y las VGS y Vp son negativas, cortndose la corriente para tensiones menores
que Vp.

Polarizacin Fija

Al igual que en el BJT, la malla de entrada es la que polariza al JFET,

en este caso la malla de compuerta. Cabe mencionar que para este
dispositivo la corriente de reposo es fijada por el voltaje de compuerta.
ANALISIS
El voltaje en la compuerta siempre ser negativo respecto al Terminal
de Source en jun JFET de canal N:

ANLISIS EN LA MALLA DE COMPUERTA

Ley de Voltajes de Kirchoff en malla de compuerta

Como se supone que la unin compuerta-fuente esta polarizada

inversamente, entonces significa que no existe corriente y por lo tanto
VRG=0.

Esta ecuacin representa la recta de polarizacin

Esta recta se muestra en la siguiente figura, la cual queda representada

por una recta vertical a lado izquierdo del eje de la corriente.

De la figura se observa la gran inestabilidad que puede experimentar el

punto de operacin para el caso de los posibles cambios en los
parmetros que puede presentar un FET aun cuando tratndose del
mismo tipo ya que las tcnicas de fabricacin no son tan perfectas como
para que IDSS y VGS off sean constantes de un dispositivo a otro.
Este tipo de polarizacin es la peor forma de polarizar a un JFET ya que
el punto de operacin (IDSQ, VDSQ) bastante es inestable.
ANLISIS EN LA MALLA DEL DREN
Por Ley de Voltajes de Kirchoff

-VDD+ VRD+ VDS= 0

En trminos de la corriente de Dren:
VDD= IDSRD+ VDS

Ecuacin de la recta de carga en C.C.

En la figura, el punto de operacin depende el punto de operacin fijado

en la curva de transconductancia

EJEMPLO: Encontrar la variacin del punto de operacin para el circuito

mostrado:

VDD= 12V
VGG= -1V
RD= 470
RG= 1M

SOLUCIN

Autopolarizacin

LVK en malla

de compuerta
VRG + VGS + VRS = 0
VGS + RSIDS = 0

A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de polarizacin.

Esta recta tiene pendiente negativa y pasa por el origen, como se
observa en la siguiente figura:

La recta representa una RS pequea y proporciona un elevado valor

de gm, ideal para una buena ganancia de corriente, la desventaja es la
inestabilidad debido a los cambios en los parmetros del JFET, como
puede observarse.

La recta
ofrece las mejores condiciones tales que no compromete la
inestabilidad y los valores de transconductancia, es decir, no se
sacrifican una u otra.
La recta
produce buena estabilidad del punto de operacin, sin
embargo produce valores de gm bajos que se traducen en una baja
ganancia de corriente.
Generalmente muchos diseadores optan por el tipo de polarizacin
dado por la recta
Este tipo de polarizacin es mejor que la
polarizacin fija ya que el punto de operacin es ms estable.
En la recta
la RS puede llamarse ptima ya que esta recta pasa por el
centro de una de las curvas de transconductancia.
Rs ptima puede calcularse:

Las coordenadas del punto de operacin cuando se presenta

RS ptima es:

Estas ecuaciones pueden demostrarse a partir del siguiente anlisis:

Normalizando:

Si el punto de operacin est a la mitad de la curva entonces:

Resolviendo la ecuacin cuadrtica:

ANALISIS EN LA MALLA DE DREN

LVK en la malla de compuerta

A esta ecuacin se le conoce como ecuacin de la recta de carga en

C.C.

Polarizacin por divisor de voltaje

Para simplificar el anlisis en la malla de compuerta encontraremos el

circuito equivalente de Thvenin para facilitar.

Esta ecuacin representa la ecuacin de la recta de polarizacin. Esta

ecuacin puede escribirse como:

Es una recta con pendiente negativa y con la ordenada en el origen a

VGGRS como se observa en la figura:

De la figura puede observarse que este tipo de polarizacin es mejor

que las dos anteriores debido a que IDSQ es menor, sin embargo para
conseguir esto es necesario aplicar valores elevados de VDD para que
VGG sea lo ms grande posible y as el punto de operacin sea ms
estable.
ANLISIS EN LA MALLA DE DREN

Transistor de Efecto de Campo en Conmutacin

Introduccin:
El transistor de efecto de campo se emplea en conmutacin formando parte de los
circuitos integrados, gracias a que ocupa una minscula superficie de silicio y a la
insignificante potencia que consume en conmutacin. Estos factores combinados
permiten integrar hasta miles de estos transistores en una sola pastilla sin grandes
limitaciones de disipacin de calor, a lo que se suma la relativa sencillez del proceso de
fabricacin de los circuitos integrados con estos dispositivos. Igualmente las
resistencias de estos circuitos se realizan mediante transistores de efecto de campo
convenientemente polarizados, ganndose as todava mas espacio. Como se
recordar, el principio de funcionamiento del transistor de efecto de campo o "Field
Effect Transistor" (FET) se basa en el control de la resistencia que presenta un material
semiconductor al paso de la corriente por medio de un campo elctrico perpendicular a

la direccin de esta ultima. As, en un FET con electrodo de control aislado,(figura

anterior) mediante una tensin aplicada a este ltimo, por efecto capacitivo se varia la
conductancia de una porcin del cuerpo semiconductor ("SUSTRATO"), ubicada debajo
de un dielctrico aislador. Dicha porcin se denomina "CANAL", en grisado en la figura
anterior y las dos regiones semiconductoras en contacto con sus extremos, por donde
entra y sale la corriente, se designan fuente o "SOURCE" (S) y drenador o "DRAIN"
(D). El electrodo de control es denominado compuerta, graduador o "GATE" (G). En la
corriente que circula por el canal predominan absolutamente los portadores
mayoritarios, siendo los minoritarios irrelevantes para el funcionamiento del transistor.
Por esta razn el FET es un TRANSISTOR UNIPOLAR, a diferencia del transistor
bipolar de juntura, donde ambos tipos de portadores importan, especialmente en la
base.

Clasificaciones:
Se ha credo necesario dar un panorama general de las distintas clases de transistores
de efecto de campo, a fin de sealar los tipos mas empleados en conmutacin. Una
primera clasificacin contempla la manera en que se originan y controla el campo
elctrico; pudiendo ser:
Transistor de Efecto de Campo de Juntura O "JUNCTION FET" o JFET: en el cual el
campo elctrico de una juntura inversamente polarizada, constituida por el canal y otro
material semiconductor unido al gate, controla la conductancia del primero segn el
valor de la tensin inversa aplicada. Se representa como indica la siguiente figura.

Figura 1
Transistor de efecto de campo con electrodo de control aislado o "INSULATED GATE
FET" ("IGFET"), caracterizado por tener el gate aislado del canal por una capa de oxido
de silicio, se dibuja:

Figura 2
Actualmente se fabrican entre otros, los siguientes dispositivos IGFET:
MOSFET o "MOS" ("Metal Oxide Semiconductor FET"), cuyo nombre deriva de los tres
materiales que aparecen al realizar un corte vertical en su estructura, segn puede
observarse en la figura 1 vista anteriormente:
Hasta hace poco los trminos IGFET y MOS eran sionimos.

SILICON GATE FET, difiere de MOS en que el gate es de silicio policristalino, en lugar
de ser metlico. Se consigue as controlar la conductividad del canal a partir de
tensiones de gate mas bajas.
SOS("Silicon On Saphire FET"), en el cual el canal semiconductor de silicio esta
depositado sobre un sustrato aislante de zafiro, en lugar de un sustrato semiconductor
de silicio. De esta manera se alcanzan velocidades de conmutacin mas altas.
DMOS (MOS de Doble Difusin), que presenta un canal de corta longitud para permitir
muy altas velocidades de conmutacin, gracias al breve tiempo de transito de los
portadores por el citado canal.
Una segunda clasificacin tiene en cuenta la conductancia del canal cuando al gate no
se le aplica ninguna tensin. Asi se tiene:
FET de Canal Normalmente Conductor o de "vaciamiento" ("Depletion FET"), que
permite en las condiciones mencionadas el pasaje de corriente entre los extremos drain
y source del canal, cuando entre los mismos se aplica tensin. Los JFET solo admiten
este tipo de funcionamiento, que tambin puede darse en los IGFET. Se representa
este FET por una lnea llena entre los terminales D y S (Figura 2) que simboliza la
continuidad citada.
FET de Canal Normalmente Abierto, o no conductor, o de "enriquecimiento"
("enhancement FET"): en este FET sin tensin en el gate no circula prcticamente
corriente entre los terminales drain y source al aplicrseles tensin. Se simboliza con
una lnea de trazos entre drain y source. La manera de representarlos es la siguiente.

Figura 3

Figura 4

Por ltimo, por la naturaleza del canal conductor, los transistores de efecto de campo
pueden ser de dos tipos:
FET de Canal P: Los portadores mayoritarios que circulan por el canal son lagunas.
FET de Canal N: Los portadores que circulan por el canal son electrones.
Un MOS de canal P o "PMOS" se indica con una flecha dirigida hacia el sustrato,
sealando que el mismo es de tipo N (figura 3), aunque el canal ser de tipo P. Del
mismo modo, un MOS tipo N o "NMOS" se indica con una flecha saliendo del sustrato
(figura 4).