Laboratorio 6

Curvas caractersticas de los transistores BJT

Que se hizo
Obtener las grficas de las curvas caractersticas de los transistores BJTs
Analizar el comportamiento de las curvas caractersticas estacionarias de los transistores
Se realiz el montaje de un circuito que permitiera obtener las grficas de los transistores BJTs, para
poder obtener estas graficas se realiz el clculo de la corriente de la base, este proceso fue realizado
para transistores PNP y NPN.
Como se hizo
Se realiz el montaje en la protoboard, variando el voltaje de V BB, y dejando fijo a VCC en 12V, de modo
que se obtuviera una corriente de base de 1uA, 10uA, 100uA y 200uA, utilizando Rc=10k y Rb =
47K, a continuacin se procedi a cambiar Rc a 620K y a 620, y se realizo el mismo
procedimiento con el fin de obtener diversas corrientes de base, variando el voltaje de VBB.
Circuito esquemtico

Clculos
Para obtener los clculos se implement la formula:
Despejando VBB
Para la resistencia Rc = 1K
Para un Ib de 1uA
Para un Ib de 10uA
Para un Ib de 100uA
Para Ib de200uA
Para la resistencia Rc = 620k
Para un Ib de 1uA

Para un Ib de 10uA
Para un Ib de 35uA
Para la resistencia Rc=620
Para un Ib de 1uA
Para un Ib de 10uA
Para un Ib de 100uA
Simulaciones

Con Rb = 620k

Con RC=620

Que se logro
Resultados obtenidos con multmetro:
Resultados para Rc=10k
Ib=1uA
Vce=11.5v
Vrc=0.48V
Vrb=0,1V
Ic=0.4mA

Ib=10uA
Vce=9,73V
Vrc=11,14v
Vrb=0,45v
Ic=1,86mA

Ib=100uA
Vce=0.17v
Vrc=11.64v
Vrb=4,6V
Ic=9,7mA

Ib=200uA
Vce=0.14v
Vrc=11,63v
Vrb=9,54v
Ic=9,6mA

Resultados para Rc=620k

Ib=1uA
Vrb=0.47v
Vce=11.83v
Vrc=151mv
Ic=126uA

Ib=10uA
Vrb=6.38v
Vce=9.69v
Vrc=2.26v
Ic=1.9mA

Ib=35uA
Vrb=21.9v
Vce=4.26v
Vrc=7.69v
Ic=6.4m

Resultados para Rc =620

Ib=1ua
Vce=11.84v
Vrc=0.14V
Vrb=35mV
Ic=113uA

Ib=10uA
Vce=9.65v
Vrc=2.33v
Vrb=0,478v
Ic=1.93mA

Ib=100uA
Vce=173mv
Vrc=11.78v
Vrb=4,61V
Ic=9,85mA

Ib=200uA
Vce=0.14v
Vrc=11,63v
Vrb=9,54v
Ic=9,6mA

Como se puede evidenciar, al realizar una comparacin entre los datos obtenidos en la prctica por
medio del multmetro y los obtenidos al realizar las diferentes simulaciones, son en algunos casos muy
parecidos, y en otros, idnticos. As mismo, se evidencio que a medida que se aumenta la corriente de la
base, variando el valor de la fuente de voltaje V BB, y dejando la resistencia constante, el valor de V CE
disminuye, mientras que por otro lado en el caso de la corriente del colector, como se vio en la teora,
sucede lo contrario, esto debido a que en el transistor la corriente I c = IB. Es importante aclarar que el
comportamiento esperado de forma terica y prctica del voltaje en las resistencia depende de las
diferentes variaciones de las corrientes.

Laboratorio 7
Polarizacin en DC con transistores BJTs
Cmo se hizo?

En esta prctica se implementara los diferentes tipos de polarizacin con transistores

BJTS vistos anteriormente en la clase terica de Electrnica Anloga.
A su vez se experimentara el comportamiento de estas mismas polarizaciones haciendo
clculos previos para obtener las resistencias adecuadas para que haya corrientes y
voltajes ptimos.

Se comienza la sesin realizando el montaje de polarizacin por divisin de voltaje en la cual se

implement un transistor NPN y las resistencias que fueron calculadas previamente, con l vemos
sus voltajes y corrientes. Luego para el segundo montaje realizamos la polarizacin por
realimentacin de colector, volvemos usar el transistor NPN y se toman los datos de voltaje y
corriente. Por ltimo se realiza un montaje de polarizacin por base, en este caso usaremos un
transistor PNP, para luego tomar los respectivos datos de voltaje y corriente.
Que se hizo?
Primer montaje:
Para este primer montaje anteriormente dicho se realiz una polarizacin por divisin de voltaje,
utilizamos como valor de resistencias R1: 15K, R 2: 2.7K, RC: 1K y RE: 220, un transistor
NPN y una fuente de voltaje DC de 12V. Todos los clculos hechos para que la corriente I cq = 5mA.
Circuito Esquemtico:

Clculos del circuito:

Isat = 2Icq

Rc Re

Rc 4Re

Isat =

= 1200

4 Re + Re = 1200

Re = 240

220

Rc 4Re = 1K

Para encontrar a R1 y a R2 debemos realizar Thevenin

Icq=

10Rth =

Rth =

Re

Re

Rth =

= 2200

= 2200

Vth =

Rth + 0.7V + Icq Re

Vth =

= 1.91V

2200 + 0.7V + 5mA 220= 1.91V

Teniendo dos ecuaciones con dos incgnitas hallamos R1 y R2 , y normalizando :

R1: 15K
R2: 2.7K

Simulacin:

Segundo Montaje:
Para el segundo montaje se realiz una polarizacin por realimentacin de colector, utilizamos
como valor de resistencias RC: 1.2K y Rb: 120K, un transistor NPN y una fuente de voltaje DC
de 12V. Todos los clculos hechos para que la corriente Icq = 5mA.
Circuito Esquemtico:

Clculos del circuito:

Icq =

Isat =

Para que Icq quede centrado se debe tomar esta ecuacin:

Icq=

5mA =

= 1.2K

Para que se cumplan las ecuaciones de Icq

= 1.2K*100 = 120 K

Simulacines:

Tercer montaje:

Para el ltimo montaje se realiz una polarizacin de base , utilizamos como valor de resistencias
RC: 1.2K y Rb: 68K, un transistor PNP y una fuente de voltaje DC de 12V y 5V. Todos los
clculos hechos para que la corriente Icq = 5mA.
Circuito Esquemtico:

Clculos del circuito:

Icq =

Isat =

Simulacin:

=1.2 K

= 86K

Qu se logr?
Se midieron y obtuvieron las diferentes Corrientes para Icq y Ib, y adems los diferentes voltajes.
Primer montaje:

Resistenci
a ()
Ic
Vrc
Vre
Vcb

Terico
6,32mA
6.32V
1.07V
4.69v

experime
ntal
4.9mA
4.9V
1.07V
6.02V

Segundo montaje:

Resistenci
a ()
Ic
Ib
Vrc
Vrb
Vcb

Terico
6,05mA
0.6A
7.26V
4.02V
4.74v

experime
ntal
5.2mA
0.5A
6.3v
4.9V
5.7V

Tercer montaje:

Resistenci
a ()
Ic
Ib
Vrc
Vrb
Vcb

Terico
5.8mA
0.56A
7.07v
4.2v
4.5v

experime
ntal
6.19mA
0.6A
7.4V
3.4V
4.3V

En este laboratorio se pudo observar los diferentes tipos de polarizacin que existen, unas ms
eficientes que otras. Se podra mirar la diferente entre los dos primeros montajes y el tercero, ya
que los primeros solo requieren de una fuente y el tercero de dos, por lo que en un caso de querer
hacer un productor de amplificacin los costos aumentaran con la tercera. El primer montaje es el
ms efectivo ya que su estructura permite que el circuito no dependa de

, ya que este es un

factor que puede variar y podra causar problemas al momento de querer una polarizacin ms
precisa. La parte de la simulacin varia un poco con la experimental ya que en el programa no se
vio la forma de saber el

del transistor, lo que haca que este cambiara un poco.

Como observacin en importante saber si un transistor en NPN o PNP, ya que esto cambiaria
totalmente el correcto funcionamiento del montaje

Laboratorio # 8
Fuente de corriente

Qu se hizo?
En el desarrollo de esta prctica se pretende hacer el anlisis terico y practico de diferentes
fuentes de corriente con transistores BJT, donde se realizara una fuente con corriente en espejo y
una fuente estabilizadora con zener, y se realizara la comparacin de estos dos mtodos, adems
de realizar el diseo de estos para que el transistor trabaje en la zona activa y as se obtengan los
resultados esperados.
Para comenzar se realiza la consulta de la bibliografa donde se aprende la polarizacin de los
diodos, los montajes y las frmulas necesarias para la objetivos planteados, posteriormente se
hacen los clculos buscando que el transistor funcione en la zona activa, adems que se observen
una corriente y un voltaje emisor colector acorde, posteriormente se encuentra de manera terica
los voltajes y las corrientes, finalmente se realiza el montaje planteado y se toman los datos de
forma experimental, realizando una comparacin entre los mismos.
Cmo se hizo?
Fuente con corriente en espejo
Se empez realizando el montaje de esta fuente, para esto se fijaron algunos valores que
queramos obtener y a travs de estos se realizaron los clculos.
- 12v vcc
- 5mA Corriente de espejo
- Transistores 2N2222 con Beta = 265
- Voltaje emisor colector de 2v
Clculos

Posteriormente se realizo el resto del analisis para dos resistencias que se encuentren en la zona
activa y una resistencias que se encuentre fuera de ella asi:
De acuerdo a la malla principal obtenemos la ecuacion:
Vr2+Vec=VCC
De lo cual se deduce que estara dentro de la zona activa voltajes entre [1v-11v]
Donde el voltaje del transistor y el de la resistencia dos debe sumar 12v asi:
1) Funciona

Obteniendo un voltaje emisor colector de 10,9v y una corriente espejo de aproximadamente 5mA
El montaje a implementar para este caso es:

2) Funciona

Obteniendo un voltaje emisor colector de 4,5v y una corriente espejo de aproximadamente 5mA
El montaje a implementar para este caso es:

3) No funciona

Obteniendo un voltaje emisor colector imposible de acuerdo a la fuente utilizada y una corriente
espejo en la cual no s cumple.
El montaje a implementar para este caso es:

Fuente con corriente con zener

Para dar inicio, se realizo el montaje de esta fuente, para esto se fijar algunos valores que se
esperaban obtener y a travs de estos se realizaron los clculos.
-

12v vcc
Transistores 2N2222 con Beta = 265
Zener de 5.1v
Ie = 8mA

Luego a travs de la malla principal se saca la ecuacin

Vre=Vz-Vbe Vre=5,1-0,7v Vre = 4,4v

Obteniendo un rango de funcionamiento de [1v-6,6v] teniendo en cuenta que la suma de VR2 y

Vec debe ser de 7,6v.
Igualmente para estecaso se usaran 2 resistencias que funcionen y 1 que no asi:
1) Funcione

Obteniendo un voltaje emisor-colector de 5,84v y el circuito implementado fue:

2) Funcione

Obteniendo un voltaje emisor colector de 1,2v lo cual conlleva a implementar el siguiente circuito:

3) No funcione

Obteniendo de esta manera un voltaje emisor-colector imposible segn la fuente usada, el circuito
a implementar es:

Simulaciones
-

Fuente con corriente en espejo

1) Con resistencia de 220

Corrientes:

Voltajes

2) Resistencia 1,5k
Corrientes

Voltajes

3) Resistencia 1M
Corrientes

Voltajes

Fuente con corriente con zener

1) Resistenca de 220
Corrientes

Voltajes

2) Resistencia de 820
Corrientes

Voltajes

3) Resistencia de 12k
Corrientes

Voltajes

Qu se logro?
Fuente con corriente en espejo
Para esta fuente fue fundamental verificar la corriente en espejo, ademas se observaron algunos
voltajes y corrientes, todo esto se consigno en la siguiente tabla:

Rl

IR1

IR2

%ERR
OR

220

5,63
mA

40,78
mA

6,24

1,5k

5,63
mA

7,91m
A

0,4

10M

5,65
mA

10,65u
A

0.99

Como se logra observar en este caso el mejor diseo se presento al usar una resistencia de carga de
1,5k ya que la corriente en espejo era bastante cercana a la deseada, ademas tenia una buena
posicion del punto Q permitiendo al transistor poder funcionar de manera adecuada; tambien se
observa que con una resistencia muy grande la corriente es espejo baja demasiado lo que indica
que el punto Q esta muy cerca a la corriente de saturacion y en el primer caso el punto Q esta muy
cerca de voltaje de corte.
Rl

Vr1

Vr2

VceQ1

VceQ2

220

11,273V

8,97V

726mV

3,02V

1,5k

11,29V

11,95V

708mV

41,91mV

10M

11,31V

12V

690mV

6,33mV

Para este caso se observa que el voltaje en R1 se mantiene constante en casi todos los casos,
mientras que el voltaje en R2 varia significativamente, lo cual conlleva a un caso especial y es que
en la resistencia de 1,5k que es la mejor eleccion, el voltaje R1 Y R2 son casi iguales, tambien se
logra observar que el voltaje colector emisor en el transistor 1 es casi constante y con variaciones
minimas, por el contrario el voltaje en el transistor 2 varia significativamente en el primer y
segundo montaje.
Al implementar esto en la protoboard se obtiene el mismo comportamiento, de lo cual se puede
concluir que el rango de funcionamiento es menor y esta casi entre una resistencia de carga de
1,2k y una resistencia de 1,8k, es importantetener en cuenta estos valores para poder observar
de manera eficaz el fenomeno deseado.
-

Fuente con corriente con zener

Para este caso se tomaron valores de corriente y voltaje en la mayoria de elementos:

Corrientes
Rl

IRz

IRl

220

6,462m
A

10,66m
A

820

6,498m
A

7,348m
A

12k

7,9mA

603,07
uA

Para este caso se observa que en los dos primeros casos se mantuvo dentro del rango esperando y
a que medida que se incrementa el valor de Rl la corriente disminuyo y por lo tanto se observa el
fenomeno en una gran resistencia donde la corriente de carga disminuye a micro amperios lo cual
conlleva a que ya no se encuentre dentro de los valores deseados.
Voltajes
Rl

Vr1

Vrz

Vr2

Vec

Vr3

220

5,29v

6,7v

2,34v

3,63v

6,01
6v

820

5,30v

6,69
v

2,34v

3,64v

6,01
v

12k

6,484
v

5,51
v

7,24v

5,53
mv

4,76
v

En esta oportunidad se logra observar que en los dos primeros casos se obtienen valores que
cumplen con las leyes de kirchoff, ademas con un voltaje colector emisor alto lo que asegura un
correcto funcionamiento del transistor en cuestion, por otro lado, de manera contraria se observa
que el voltaje colector emisor de la tercera carga es bastante menor a los datos previamente
obtenidos, por lo cual el transistor no tiene un correcto posicionamiento del punto Q, por lo tanto
se encuentra fuera de la zona activa obteniendo un comportamiento inesperado.
Finalmente se logra concluir que para las dos fuentes de corriente en espejo y usando un diodo
zener, el comportamiento esperado depende del posicionamiento del punto Q, para asi lograr que
este se encuentre dentro de la zona activa.