Universidad Nacional Autnoma de Mxico.

Facultad de Ingeniera.

Laboratorio de Ciencia de Materiales.

Trabajo de Investigacin;
Estructuras y defectos Cristalinos.

Espinosa Velzquez Miguel ngel.

Valds Garca Alejandro.

Prof.: Garduo Garca Israel.

24 de Febrero del 2014.

INTRODUCCIN

Todos los materiales estn integrados por tomos los que se organizan de diferentes maneras,
dependiendo del material que se trate y el estado en el que se encuentra.
Un slido es un material que posee forma y volumen definidos y que es una sustancia constituida
por tomos metlicos, tomos no metlicos, iones molculas.

Los slidos se pueden clasificar teniendo en cuenta el arreglo interno de sus partculas, en
amorfos y cristalinos:

Slido amorfo:
Amorfo quiere decir que estos slidos no tienen forma.
Este slido carece de un ordenamiento diendo del material que se trate y el estado en el que se
encuentra.

Slido cristalino: se puede decir que un slido cristalino podra ser el hielo; ya que este posee un
ordenamiento estricto y regular, es decir, que sus tomos, molculas o iones ocupan posiciones

especficas, estos slidos suelen tener superficies planas o caras que forman ngulos definidos
entre s. Los slidos cristalinos adoptan diferentes formas y colores.

Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos de imperfecciones y
defectos, que afectan a muchas de sus propiedades fsicas y mecnicas y tambin influyen en
algunas propiedades de los materiales a nivel de aplicacin ingenieril tal como la capacidad de
formar aleaciones en fro, la conductividad elctrica y la corrosin.
Las estructuras cristalinas no son perfectas. En los metales se encuentran impurezas que influyen
sobre el proceso de cristalizacin y que deforman la red espacial del cristal.

Las imperfecciones se clasifican segn su geometra y forma as:

Defectos puntuales o de dimensin cero
Defectos lineales o de una dimensin llamados tambin dislocaciones
Defectos de dos dimensiones
Tambin deben incluirse los defectos macroscpicos tales como fisuras, poros y las inclusiones
extraas.

DEFECTOS PUNTUALES
VACANTE
Constituye el defecto puntual ms simple. Es un hueco creado por la
prdida de un tomo que se encontraba en esa posicin. Puede
producirse durante la solidificacin por perturbaciones locales
durante el crecimiento de los cristales. Tambin puede producirse por
reordenamientos atmicos en el cristal ya formado como
consecuencia de la movilidad de los tomos.
Son las imperfecciones ms comunes en los cristales. Se dan hasta una por cada 10000 tomos.
Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que forman
divacantes o trivacantes. Las vacantes pueden transladarse cambiando su posicin con sus
vecinos. Este proceso es importante en la migracin o difusin de los tomos en el estado slido,
sobre todo a altas temperaturas donde la movilidad de los tomos es mayor.

DEFECTOS INSTERSTICIALES
Algunas veces, un tomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una posicin que
normalmente no est ocupada formando un defecto llamado Defecto intersticial.
Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes
distorsiones en los alrededores puesto que normalmente el tomo es
sustancialmente ms grande que la posicin intersticial en la que se sita.
Consecuentemente la formacin de este defecto no es muy probable. Se
pueden introducir en una estructura por radiacin.

IMPUREZAS EN SLIDOS
Este defecto se introduce cuando un tomo es reemplazado por un tomo diferente. El tomo
sustituyente puede ser ms grande que el tomo original y en ese caso los tomos alrededor
estn a compresin puede ser ms pequeo que el tomo original y en este caso los tomos
circundantes estarn a tensin. Este defecto puede presentarse como una impureza o como una
adicin deliberada en una aleacin

Otros defectos puntuales importantes son:

DEFECTO FRENKEL
Es una imperfeccin combinada Vacancia Defecto intersticial. Ocurre
cuando un ion salta de un punto normal dentro de la red a un sitio
intersticial dejando entonces una vacancia.

DEFECTO SCHOTTKY
Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para mantener
la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un anin.

DEFECTOS DE LINEA (DISLOCACIONES)

Son defectos que dan lugar a una distorsin de la red centrada en torno a una lnea. Se crean
durante la solidificacin de los slidos cristalinos o por deformacin plstica, por condensacin
de vacantes.
Hay dos tipos de dislocaciones, las de cua y las helicoidales. Tambin puede darse una
combinacin de ambas, denominada dislocacin mezcla
DISLOCACIN DE CUA
Se crea por insercin de un semiplano adicional de tomos dentro de la red. Los tomos a lado y
lado del semiplano insertado se encuentran distorsionados. Los tomos por encima de la lnea
de dislocacin, que se encuentra perpendicular al plano de la pgina, en el punto donde termina
el semiplano insertado, se encuentran comprimidos y los que estn por debajo se encuentran
apartados. Esto se refleja en la leve curvatura de los planos verticales de los tomo ms cercanos
del extra semiplano. La magnitud de esta distorsin decrece con la distancia al semiplano
insertado.

La distancia de desplazamiento de los tomos en torno a una dislocacin se llama

DESLIZAMIENTO o vector de Burgers y es perpendicular a la lnea de dislocacin de cua.
DISLOCACIN HELICOIDAL
Esta dislocacin se forma cuando se aplica un esfuerzo de cizalladura en un cristal perfecto que
ha sido separado por un plano cortante.

Aqu el vector de Burgers o de desplazamiento es paralelo a la lnea de dislocacin.

DISLOCACIONES MIXTAS
Con frecuencia los cristales exhiben mezcla de las dislocaciones
anteriores. Su vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la
lnea de dislocacin, pero mantiene una orientacin fija en el espacio. La
estructura atmica local en torno a la dislocacin mixta es difcil de
visualizar, pero el vector de Burgers proporciona una descripcin
conveniente y sencilla.

DEFECTOS INTERFACIALES O SUPERFICIALES

Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que dividen un material en regiones,
cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina pero diferente orientacin.
SUPERFICIE EXTERNA
Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la red termina
abruptamente. Los tomos de la superficie no estan enlazados al nmero mximo de vecinos que
deberan tener y por lo tanto, esos tomos tienen mayor estado energtico que los tomos de
las posiciones internas. Los enlaces de esos tomos supericials que no estn satisfechos dan lugar
a una energa superficial, expresada en unidades de energa por unidad de rea (J/m2 o Erg/cm2).
Adems la superficie del material puede ser rugosa, puede contener pequeas muescas y puede
ser mucho mas reactiva que el resto del material.

BORDES DE GRANO
Se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de diferentes
orientaciones cristalogrficas en materiales policristalinos.

El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn uniformemente separados,
o sea que hay tomos que estn muy juntos causando una compresin, mientras que otros estn
separados causando tensin. De cualquier forma los limites de grano son reas de alta energa y
hace de esta regin una mas favorable para la nucleacin y el crecimiento de precipitados
MACLAS
Una macla es un tipo especial de lmite de grano en el cual los tomos de un lado del lmite estn
localizados en una posicin que es la imagen especular de los tomos del otro lado.

DESCRIPCION DEL ORDENAMIENTO ATOMICO

Orden de Corto y Largo Alcance

Orden de corto alcance.- es el arreglo espacial de los tomos o molculas que se extiende slo a
los vecinos ms cercanos de stos. A estas estructuras se les denomina como estructuras no
cristalinas.

Ejemplos de estas estructuras son los vidrios, geles y recubrimientos por deposicin de vapor.

Orden de largo alcance.- es el arreglo espacial de los tomos o molculas que se extiende por
todo el slido, formando un patrn repetitivo, regular, que resulta en una red. Los materiales
pueden diferenciarse entre s por el tipo de red que posean. El tipo de red de un material depende
del tamao de los tomos o iones, y del tipo de enlace.
Al patrn geomtrico que sigue una red de un material se le denomina estructura cristalina, y se
define en funcin de su tamao, forma y ordenamiento atmico

DEFINICIONES
Red.- Modelo simtrico, que es tridimensional de varios puntos que define un Cristal

Parmetro de red.- hace referencia a la distancia constante entre las celdas unitarias en una estructura
cristalina. Las estructuras o redes en tres dimensiones generalmente tienen tres parmetros de red, a, b
y c. Sin embargo, en el caso especial de redes cbicas, todos los parmetros son iguales, con lo cual nos
referimos a ellos como a. Del mismo modo, en las estructuras cristalinas hexagonales, los parmetros a
y b son iguales, por lo que nicamente consideraremos a y c.
En el crecimiento epitaxial, el parmetro de red es una medicin de la compatibilidad estructural entre
diferentes materiales. Ya que los parmetros de red tienen dimensiones de longitud, su unidad en el
sistema internacional es el metro. No obstante, suelen darse en submltiplos como el nanmetro o el
angstrom.
Redes de Bravais.- Las Redes de Bravais o celdas unitarias, son paraleleppedos que constituyen la menor
subdivisin de una red cristalina que conserva las caractersticas generales de toda la reticula, de modo
que por simple traslacin del mismo, puede reconstruirse el slido cristalino completo. En funcin de los
parmetros de la celda unitaria, longitudes de sus lados y angulos que forman, se distinguen 7 sistemas
cristalinos.

Cantidad de tomos por celda.- Tal y como dice el nombre es el nmero de nodos o tomos que posee
cada celda. Una celda cuadrada, por ejemplo, poseer un nodo por celda ya que cada esquina la comparte
con cuatro celdas ms. De hecho si una celda posee ms de un nodo de red es que no es unitaria, en
cambio si posee ms de un tomo por celda pudiera ser que estuvisemos en una celda unitaria pero con
una base atmica de ms de un tomo.

Radio atmico.- El radio atmico se define como la distancia media que existe entre los ncleos atmicos
de dos tomos que se encuentren unidos mediante un enlace .

Numero de coordinacin.- El nmero de coordinacin lo podemos definir como el nmero de pares

electrnicos que acepta un cido de Lewis (por lo general es un centro metlico), es decir, si un
compuesto de coordinacin tiene dos especies que estn donando pares de electrones.

Factor de empaquetamiento.- es la fraccin de volumen en una celda unidad que est ocupada por
tomos. Este factor es adimensional y siempre menor que la unidad. Para propsitos prcticos, el FEA de
una celda unidad se determina asumiendo que los tomos son esferas rgidas

Tcnicas de difraccin para el anlisis de la estructura cristalina.- Las tres tcnicas bsicas de
difraccin de cristales tridimensionales, de las cuales derivan otras, son las siguientes:
-Tcnica de Laue, para el estudio de monocristales, particularmente para establecer la orientacin de la
celda de un monocristal de estructura ya conocida.
-Tcnica del monocristal rotatorio, para determinar la estructura cristalina de un monocristal.
-Tcnica de polvos o de Debye-Scherrer, para el estudio de una muestra de polvos de un material
originalmente en polvo o de un policristal que hay que moler.

Defectos puntuales.- En los materiales reales existen defectos estructurales con independencia de las
impurezas qumicas. Los cuales son llamados defectos puntuales

Dislocaciones e importancia.- El proceso de deslizamiento de las dislocaciones es de especial importancia

para conocer el comportamiento mecnico de los metales.

En primera lugar, permite explicar el por qu el esfuerzo terico necesario para deformar plsticamente
(o permanentemente) un material, es mucho mayor que el valor necesario observado en la prctica. En
efecto, el deslizamiento provocado por los movimientos de las dislocaciones, provoca una mayor
facilidad de ruptura de uniones atmicas lo que implica una menor fuerza requerida para la deformacin
plstica del metal. Por tanto, la presencia de dislocaciones, facilita la deformacin plstica de un metal y
cuantos ms sistemas de deslizamiento posea, mayor facilidad presentar.
En segundo lugar, el deslizamiento de las dislocaciones, confiere a un metal ductilidad, propiedad
relacionada con el mecanismo antes expuesto.
Por ltimo, se puede aumentar la resistencia de un metal, controlando el movimiento de sus
dislocaciones. Un obstculo introducido de forma voluntaria en el metal, impedir que las dislocaciones
se deslicen, a menos que se aplique mayor fuerza de deformacin, lo que implica que el material sea ms
resistente. Las distintas formas de aumentar la resistencia de los metales y sus aleaciones, se basan en
este hecho, aumentar el nmero de dislocaciones del material e impedir o anclar su deslizamiento.
Aunque en algunos materiales cermicos y polmeros puede ocurrir deslizamiento, el proceso de
deslizamiento es de particular utilidad para entender el comportamiento mecnico de los metales.
En primer trmino, el deslizamiento explica por qu la resistencia de los metales es mucho menor que el
valor predecible a partir del enlace metlico. Si ocurre el deslizamiento, slo es necesario que se rompa
en algn momento una pequea fraccin de todas las uniones metlicas a travs de la interfase, por lo
que la fuerza requerida para deformar el metal resulta pequea.

BIBLIOGRAFA
http://12528estructuramateriales.blogspot.mx/2012/03/solido-cristalino-se-puede-decir-queun.html
http://elcrisoluspt.files.wordpress.com/2008/09/estructura11.pdf
http://depa.fquim.unam.mx/QI/ncoord/ncoord.htm