EA

Diodo Semicondutores e Trasistores

Prof. Cassius Grillo

Sumrio
1 Curva Caracterstica do Diodo
2 Trasistor Bipolar (BJT)
3 Princpio de Funcionamento de Transistor Bipolar
4 Controle de Corrente no Transistor

1 - CURVA CARACTERSTICA DO DIODO

O comportamento de qualquer componente eletrnico pode ser expresso
atravs de uma curva caracterstica ou curva VI. A curva caracterstica do
diodo serve para determinar seu comportamento real qualquer que seja o seu
estado de polarizao, conforme examinado a seguir.

A medida que aumenta a corrente injetada Id, a queda de tenso Vd ,

observada atravs dos terminais do diodo, aumenta muito pouco em relao
ao valor VB, como conseqncia do baixssimo valor da resistncia de
conduo do diodo.

1 Curva caracterstica do Diodo

Nessa representao, a curva caracterstica do diodo obtida simplesmente
pela unio de todos os pontos representativos dos pares de valores possveis de
corrente Id e tenso Vd, atravs do diodo no regime de conduo.

Deve-se traar inicialmente uma linha horizontal a partir do ponto sobre o eixo vertical
correspondente ao valor I0. Traando-se a partir de P uma linha vertical, obtm-se a
interseo com o eixo horizontal no ponto V0 que o valor desejado da queda de
tenso nos terminais do diodo.

1 Curva caracterstica do Diodo

Atravs da curva verifica-se
tambm que, enquanto a tenso
sobre o diodo no ultrapassa um
valor limite, que corresponde ao
potencial da barreira VB, a corrente
atravs do diodo permanece muito
pequena.

1 Curva caracterstica do Diodo

Regio de Bloqueio
Como discutido anteriormente,
existe uma corrente de fuga
quando o diodo inversamente
polarizado. Essa corrente de fuga
aumenta gradativamente com o
aumento da tenso inversa nos
terminais do diodo.

1 Curva caracterstica do Diodo

Como em polarizao direta a
corrente tipicamente mais de
1.000 vezes superior ao valor da
corrente de polarizao inversa,
a representao das duas
regies de operao em um
mesmo grfico geralmente feita
utilizando-se a escala de mA na
regio de tenses positivas, e a
escala de A na regio de
tenses negativas.

1 Curva caracterstica do Diodo

LIMITES DE OPERAO DO DIODO
A queda de tenso nos terminais do diodo no regime de conduo praticamente
independente do circuito, mantendo-se em um valor prximo ao valor do potencial
da barreira do dispositivo, ou seja, 0,7 V para o silcio e 0,3 V para o germnio.

No regime de polarizao inversa, a tenso atravs do diodo o parmetro

diretamente influenciado pelo circuito de alimentao. A corrente de fuga no
muito influenciada pelo circuito externo pois depende apenas das propriedades
materiais do diodo.

Dessa forma, os limites de operao do diodo so definidos pela corrente de

conduo mxima e tenso inversa mxima descritas a seguir.

1 Curva caracterstica do Diodo

Corrente de conduo mxima
A corrente mxima de conduo de um diodo fornecida pelo fabricante em um
folheto de especificaes tcnicas. Nesses folhetos, a corrente mxima de
conduo aparece designada pela sigla IF, com a abreviao F simbolizando a
palavra inglesa forward que significa para a frente, direto(a) etc.
Tabela 2 Valores de IF para dois diodos.
TIPO

IF

SKE 1/12

1,0 A

1n4004

1,0 A

1 Curva caracterstica do Diodo

Tenso mxima inversa
Sob polarizao inversa, o diodo opera no regime de bloqueio.
Nessa condio, praticamente toda tenso externamente
aplicada atua diretamente entre os terminais do diodo.

1 Curva caracterstica do Diodo

Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado
valor mximo da tenso inversa. A aplicao de um valor de tenso
inversa superior quele especificado pelo fabricante, provoca um
aumento significativo da corrente de fuga suficiente para danificar o
componente.
Na Tabela abaixo esto listadas as especificaes de alguns diodos comerciais
com os respectivos valores do parmetro VR (valor da tenso inversa mxima que o
diodo suporta sem sofrer ruptura).
TIPO
1N4001
BY127
BYX13
SKE1/12

VR
50 V
800 V
50 V
1.200 V

2 Teste de diodo semicondutor

Os testes realizados para determinar as condies de um diodo resumem-se a uma
verificao da resistncia do componente nos sentidos de conduo e bloqueio,
utilizando a tenso fornecida pelas baterias do ohmmetro.
Execuo do Teste
Diodo em boas condies:
O
ohmmetro
deve
indicar
baixa
resistncia para um sentido de
polarizao e alta resistncia ao se
inverterem as pontas de prova nos
terminais do diodo.

2 Transistores
O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo de cristais
semicondutores, capaz de atuar como controlador de corrente, o que possibilita o
seu uso como amplificador de sinais ou como chave eletrnica.

A estrutura bsica do transistor se compe de duas camadas de material

semicondutor, de mesmo tipo de dopagem, entre as quais inserida uma terceira
camada bem mais fina, de material semicondutor com um tipo de dopagem distinto
dos outros dois, formando uma configurao semelhante de um sanduche

2 Trasistores
Um com as camadas externas de material tipo p e com a camada central formada de
um material tipo n. Esse tipo de transistor denominado de transistor bipolar pnp.
Outro com as camadas externas de material tipo n e com a camada central formada
com um material tipo p. Esse tipo de transistor denominado de transistor bipolar
npn.

2 Transistores
Os terminais recebem uma designao que permite distinguir cada uma das
camadas:
A camada central denominada de base, uma das camadas externas
denominada de coletor e a outra camada externa denominada de emissor.

2 Trasistores
Alguns transistores so dotados de blindagem. Essa blindagem consiste de um
encapsulamento metlico envolvendo a estrutura semicondutora, com o fim de evitar
que o funcionamento do componente seja afetado por campos eletromagnticos no
ambiente. Esses transistores apresentam um quarto terminal, ligado blindagem
para que esta possa ser conectada ao terra do circuito eletrnico.

2 Transistores
Os transistores podem se apresentar em diversos encapsulamentos, que variam em
funo do fabricante, do tipo de aplicao e da capacidade de dissipar calor.

Representao de transistores npn e pnp por diodos equivalentes.

2 Transistores
A formao das duas junes no transistor faz que ocorra um processo de difuso
dos portadores. Como no caso do diodo, esse processo de difuso d origem a
uma barreira de potencial em cada juno.

2 Transistores
No transistor, portanto, existem duas barreiras de potencial, mostradas na figura
abaixo, que se formam a partir da juno dos cristais semicondutores:

A barreira de potencial na juno base-emissor.

A barreira de potencial na juno base-coletor.

2 Trasistores
Diodo Semicondutor
Na condio normal de funcionamento,
denominada de funcionamento na
regio ativa, a juno base-emissor fica
polarizada diretamente.

2 Transistores
Para operao na regio ativa, a juno
base-coletor
fica
polarizada
inversamente, ou seja, com o material
tipo p polarizado negativamente em
relao ao material tipo n.

2 Transistores
Para que o transistor funcione
adequadamente, as duas junes
devem
ser
polarizadas
simultaneamente.
Isso

feito
aplicando-se tenses externas nas
duas junes do componente.

2 Transistores
A alimentao simultnea das duas junes, atravs de baterias externas, d origem
a trs tenses entre os terminais do transistor:
Tenso base-emissor, representada pelo parmetro VBE.
Tenso coletor-base, representada pelo parmetro VCB.
Tenso coletor-emissor, representada pelo parmetro VCE.
Como pode ser a observado, as tenses entre os terminais so definidas
matematicamente pelas relaes:
VBE=VB-VE
VCB=VC-VB
VCE=VC-VE
onde VB, VC e VE so os potenciais eltricos na base, coletor e emissor,
respectivamente.

2 Transistores
Tem-se que as tenses entre terminais satisfazem a condio:
VCE = VCB + VBE

3 Princcio de Funcionamento do
Transistor Bipolar
A aplicao de tenses externas ao transistor provoca o movimento de eltrons
livres e lacunas no interior da estrutura cristalina, dando origem s correntes nos
terminais do transistor. Utiliza-se como representao de circuito para essas
correntes aquela indicada na figura abaixo.

As correntes definidas na figura,

recebem as seguintes denominaes:
IB
IC
IE

= corrente de base.
= corrente de coletor.
= corrente de emissor.

IB+IC+IE=0

3 Princcio de Funcionamento do
Transistor Bipolar
Sentido real das correntes nos transistores npn e pnp para operao na regio ativa.

O princpio bsico que explica a origem das correntes no transistor o mesmo para
estruturas npn e pnp, e a anlise do movimento de portadores de carga pode ser
realizada tomando-se como exemplo qualquer das duas estruturas.

3 Princcio de Funcionamento do
Transistor Bipolar
Transistores so construdos com o emissor tendo um grau de dopagem muito
superior quele da base.
Dessa forma o fluxo de portadores ocorre
predominantemente por parte das lacunas injetadas na base.
A pequena quantidade de eltrons
disponveis na base se recombina com
parte das lacunas a injetadas, dando
origem corrente de base. Com o
pequeno grau de dopagem da base,
poucas
recombinaes
ocorrem,
resultando em um pequeno valor para a
corrente de base, normalmente na faixa
de microampres a miliampres.
Assim, a maior parte das lacunas
provenientes do emissor no se
recombina com os eltrons da base,
podendo portanto atingir a juno basecoletor.

3 Princpio de Funcionamento do
Transistor Bipolar
Devido pequena espessura da regio da base e tambm ao seu pequeno grau de
dopagem, o excesso de lacunas que no se recombinaram com os eltrons naquela
regio atingem a juno base-coletor.
Como a juno base-coletor est
inversamente polarizada, essas lacunas
so aceleradas pela queda de potencial
existente naquela juno, dando origem
corrente de coletor.

3 Princpio de Funcionamento do
Transistor Bipolar
A corrente de coletor tem um valor muito superior corrente de base porque a
grande maioria das lacunas provenientes do emissor no se recombinam com os
eltrons da base, sendo portanto injetadas diretamente no coletor.
Tipicamente, um mximo de 5%
do total de lacunas provenientes
do emissor produz a corrente de
base, com o restante dando
origem corrente de coletor.

3 Princpio de Funcionamento do
Transistor Bipolar
Conseqentemente, para o transistor pnp operando na regio ativa:
IB < 0 (IB) > 0, indicando que a corrente na base flui do terminal B para o circuito.
IC < 0 (IC) > 0, indicando que a corrente no coletor flui do terminal C para o
circuito.
IE > 0 indica que a corrente no emissor flui do circuito para o terminal E.

4 Controle de Corrente no Transistor

A principal caracterstica do transistor reside no fato de a corrente de base poder
controlar eficientemente a corrente de coletor. A corrente de base pode ser
modificada pelo ajuste externo da tenso na juno base-emissor.
Como as correntes de base e de
coletor variam em proporo direta
com o nmero de portadores
provenientes do emissor, concluise que variaes na tenso
aplicada juno base-emissor,
ou equivalentemente na corrente
de base, causam variaes na
corrente de coletor.

4 Controle de Corrente no Transistor

atravs de um transistor possvel utilizar um pequeno valor de corrente IB para
controlar a circulao de uma corrente IC, de valor bem mais elevado.
Uma medida da relao entre a corrente controlada IC e a corrente de controle IB
pode ser obtida do parmetro :

IC
DC =
IB
definido como o ganho de corrente contnua entre base e coletor.
Cada transistor fabricado com um valor bem definido para o parmetro DC, que
depende das caractersticas materiais e estruturais do componente e do regime de
operao do transistor.

4 Controle de Corrente no Transistor

importante salientar que o fato de o transistor permitir a obteno de um ganho de
corrente entre base e coletor no implica em criao de correntes no interior da
estrutura. Todas as correntes que circulam em um transistor so provenientes
das fontes de alimentao, com a corrente de base atuando no sentido de
liberar a passagem de mais ou menos corrente do emissor para o coletor.
a aplicao da segunda lei de Kirchhoff malha
do coletor fornece:

VCC = VRC + VCE

4 Controle de Corrente no Transistor

A tenso coletor-emissor depende dos valores da tenso de alimentao e da queda
de tenso no resistor RC.

VCE = VCC RC .I C
A influncia da corrente de base nos parmetros da malha do coletor, pode ser
representada diagramaticamente como indicado na tabela abaixo.

FIM