UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
(Universidad del Per, Decana de Amrica)

FACULTAD DE INGENIERA ELECTRNICA Y ELCTRICA

TEORIA ATOMICA (PREVIO)

CURSO:

Electrotecnia

ALUMNO:

Jorge Armando Zambrano Rodrguez

PROFESOR:

Javier

HORARIO:

Viernes 2 5 p.m.

Ciudad Universitaria, 23 de Setiembre

2015

CUESTIONARIO PREVIO:
|

1. DESCRIBA LA ESTRUCTURA ATOMICA

En el tomo podemos distinguimos dos partes: el ncleo y la
corteza.
- El ncleo es la parte central del tomo y contiene partculas con
carga positiva, los protones, y partculas que no poseen carga
elctrica, es decir son neutras, los neutrones. La masa de un
protn es aproximadamente igual a la de un neutrn.
Todos los tomos de un elemento qumico tienen en el ncleo el
mismo nmero de protones. Este nmero, que caracteriza a cada
elemento y lo distingue de los dems, es el nmero atmico y se
representa con la letra Z.
- La corteza es la parte exterior del tomo. En ella se encuentran
los electrones, con carga negativa. stos, ordenados en distintos
niveles, giran alrededor del ncleo. La masa de un electrn es
unas
2000
veces
menor
que
la
de
un
protn.
Los tomos son elctricamente neutros, debido a que tienen igual
nmero de protones que de electrones. As, el nmero atmico
tambin coincide con el nmero de electrones.

2. DEFINA EL PRINCIPIO DE PAULI

El principio de exclusin de Pauli, fue desarrollado por el fsico
austriaco Ernst Pauli en el ao 1925. Este principio de la cuntica dice
que dos partculas ( concretamente fermiones) que tiene los nmeros
cunticos con los que constan idnticos, no pueden existir.

Esto significa que dos electrones ( fermiones) que se encuentren

en un tomo no podrn poseer a la vez iguales nmeros cunticos. Este
hecho explicara que los electrones se dispersen en capas o niveles en
torno al ncleo del tomo y por lo cual, los tomos que posean mayor
nmero de electrones ocupen mayor espacio, debido a que aumenta el
nmero de capas de las que consta el tomo. El nmero mximo de
electrones que puede tener una capa o nivel es de 2n^2.

3. DESCRIBA
LA
DIFERENCIA
ENTRE
SEMICONDUCTOR Y UN CONDUCTOR

UN

AISLANTE,

UN

Conductores: Para los conductores la banda de conduccin y la

de valencia se traslapan, en este caso, el traslape favorece ya que as
los electrones se mueven por toda la banda de conduccin.
Aislantes: En este caso las bandas de valencia y conduccin se
encuentran muy bien separadas lo cual casi impide que los electrones se
muevan con mayor libertad y facilidad.
Semiconductores: En el caso de los semiconductores estas dos
bandas se encuentran separadas por una brecha muy estrecha y esta
pequea separacin hace que sea relativamente fcil moverse, no con
una gran libertad pero no les hace imposible el movimiento.

4. DEFINA: PORTADOR LIBRE, MATERIAL INTRINSECO, MATERIAL

EXTRINSECO, BANDA DE VALENCIA, BANDA DE CONDUCCION Y
BANDA PROHIBIDO.
a) PORTADOR LIBRE:
Portador de carga capaz de moverse libremente bajo influencia de
un campo elctrico aplicado.
b) MATERIAL INTRINSECO:
Un material semiconductor hecho slo de un nico tipo de tomo, se
denomina semiconductor intrnseco.
Los ms empleados histricamente son
el germanio (Ge)
y
el silicio (Si); siendo ste
ltimo el
ms empleado (por ser mucho
ms abundante y poder
trabajar a temperaturas mayores que el
germanio).
Cada tomo de un semiconductor tiene 4 electrones
en
su rbita
externa (electrones de valencia), que comparte
con los tomos adyacentes
formando 4 enlaces
covalentes. De esta manera cada tomo posee 8
electrones en su capa ms externa., formando una red cristalina, en la
que la unin
entre los electrones y sus
tomos es muy fuerte.
Por consiguiente, en dicha red, los electrones no se desplazan
fcilmente, y el
material en circunstancias normales se comporta
como
un
aislante.

c) MATERIAL EXTRINSEXO:

Para
mejorar
las
propiedades
de
los
semiconductores, se les somete a un proceso de
impurificacin (llamado dopaje), consistente en
introducir tomos de otros elementos con el fin
de aumentar su conductividad. El semiconductor
obtenido
se
denominar semiconductor
extrnseco. Segn la impureza (llamada dopante)
distinguimos:

Semiconductor tipo P : se emplean elementos trivalentes (3

electrones de valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio
(Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4 electrones
necesarios para establecer los 4 enlaces covalentes, en la red
cristalina stos tomos presentarn un defecto de electrones (para
formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera se
originan huecos que aceptan el paso de electrones que no
pertenecen a la red cristalina. As, al material tipo P tambin se le
denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos

pentavalentes (con 5 electrones de valencia) como el Fsforo (P),
el Arsnico (As) o el Antimonio (Sb). El donante aporta electrones
en exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se movern
fcilmente por la red cristalina aumentando su conductividad. De
ese modo, el material tipo N se denomina tambin donador de
electrones.
d) BANDA DE VALENCIA :

En la teora de slidos, se denomina banda de valencia al

ms alto de los intervalos de energas electrnicas (o bandas)
que se encuentra ocupado por electrones en el cero absoluto.
En semiconductores y aislantes aparece
una banda
prohibida o gap por encima de la banda de valencia, seguida de
una banda de conduccin a energas an mayores. En
los metales, por el contrario, no hay ningn intervalo de
energas prohibidas entre las bandas de valencia y de
conduccin.
e) BANDA DE CONDUCCION:

En semiconductores y aislantes, la banda de conduccin es el

intervalo de energas electrnicas que, estando por encima de
la banda
de
valencia,
permite
a
los
electrones
sufrir aceleraciones por
la
presencia
de
un campo
elctrico externo y, por tanto, permite la presencia
de corrientes elctricas. Los electrones de un semiconductor
pueden alcanzar esta banda cuando reciben suficiente energa,
generalmente debido a la excitacin trmica.
f) BANDA PROHIBIDA:

La banda
prohibida, brecha
de
bandas o brecha
energtica (en ingls bandgap), en la fsica del estado
slido y otros campos relacionados, es la diferencia de energa
entre la parte superior de la banda de valencia y la parte
inferior
de
la banda
de
conduccin.
Est
presente
en aislantes y semiconductores.