EL TRANSISTOR EN ALTA FRECUENCIA, FRECUERNCIA SUPERIOR DE

CORTE (Fh) Y PRODUCTO GANANCIA DE CORRIENTE ANCHO DE BANDA

DEL BJT (Ft)

EINNY VIVIANA JIMNEZ RAMIREZ

COD. 20132005028
STEVEN ORLANDO CHAVEZ RODRGUEZ
COD. 20132005103
BRAYHAN STIVEN SUAREZ LEIVA
COD. 20132005099

JOSE HUGO CASTELLANOS

UNIERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOS DE CALDAS

INGENIERA ELECTRNICA
ELECTRNICA II
BOGOT D.C., SEPTIEMBRE 15 DEL 2015

1. INTRODUCCIN
En el siguiente laboratorio se analizar el funcionamiento del
amplificador en configuracin comn en alta frecuencia, para lo cual se
tendrn en cuenta las capacitancias internas del transistor BJT (Modelo
de Giacoletto) y se estudiar la respuesta natural de dichos
componentes.
2. OBJETIVOS
2.1 Conocer los modelos del transistor en alta frecuencia que tienen en
cuenta sus capacitancias parsitas.
2.2 verificar la relacin existente entre la frecuencia y la ganancia, de
voltaje y/o de corriente, del amplificador.
2.3 Aplicar los conocimientos obtenidos para el clculo terico de la
ganancia y la frecuencia del amplificador en alta frecuencia (clculo de
la frecuencia de corte alto y ganancias de media banda).
2.4 comprender el efecto Miller y sus consecuencias
amplificadores en configuracin emisor comn.

en

los

3. MARCO TERICO
3.1 Transistores bipolares
Los transistores bipolares tienen en sus terminales capacitancias muy
pequeas que provocan la disminucin de las ganancias en altas
frecuencias de los amplificadores, debidos a que dichas capacitancia se
comportan como un corto circuito. Para esto, se define un cierto rango
de frecuencia medie, donde dichas capacitancias externar actan como
corto circuito y las capacitancias internas como circuitos abiertos, lo cual
hace que la ganancia de voltaje del amplificador (Av) sea constante.
El rango de frecuencias en donde la ganancia decrece con el incremento
de la misma, se denomina rango de altas frecuencias. Cuando se
incrementa la frecuencia, la impedancia del capacitor disminuye; Esto
causa que la ganancia del amplificador disminuya con el aumento de la
frecuencia. La frecuencia superior de corte, es el valor al cual la
ganancia del amplificador disminuye al 70% de Am.

Las hojas de datos de los transistores, especifican el comportamiento de

hfe contra la frecuencia, sin embargo no especifican el valor de C, de la
transconductancia, sin embargo no especifican el valor de C, de la
transconductancia gm, r, la ganancia de voltaje Av, FH, las cuales se deben
ser calculados de esta manera:

C=

h fe
2 ( r ) fT

gm=

Ic
26 mv

Av =gm RL ( r /(r + Rg) )

FH =

1
n

2 i
i=0

Donde en FH, se tienen en cuenta las constantes de tiempo

i=CiRequ(i)=[C+ C(1+ gm RL)][ Rg/ r ]

Para esto, consideramos un circuito donde el colector esta corto

circuitado con el emisor.

4. PROCEDIMIENTO
4.1 Clculos tericos
4.1.1

4.2 Desarrollo de la gua

4.2.1 Polarizar el transistor para un R B elevado, montar el diseo obtenido en
configuracin EC (para buen fT y hfe segn curvas hojas de datos) y medir la
ganancia de corriente (para esto utilizar R de monitoreo de valor pequeo)
efectuando barrido de frecuencia (mnimo 20 puntos) desde 10 K HZ en
adelante. (Usar uno de transistores del arreglo CA3086 o equivalente).
F
(Hz)

Ii

IO

(uA)

(mA)

Ai
medido

calculado

10K

79,85

4,9

61,3

60

2,167

30K

79,85

4,72

59,11

60

1,483

50K

79,85

4,71

58,9

60

1,833

100K

79,85

4,7

58,8

60

150K

79,85

4,65

58,2

60

200K

79,85

4,62

57,8

60

3,667

300K

79,85

4,61

57,7

60

3,833

400K

79,85

4,53

56,7

57

0,529

500K

79,85

4,51

56,4

57

1,058

600K

79,85

4,48

56,1

55

700K

79,85

4,46

55,8

55

1,454

800K

79,85

4,3

53,8

53

1,509

900K

79,85

4,22

52,8

52

1,531

1M

79,85

4,1

51,3

51

0,552

1,4M

79,85

3,9

48,84

49

0,306

%Error

1,7M

79,85

3,71

46,4

46

0,869

2M

79,85

3,21

40,2

40

0,5

3M

79,85

2,46

30,8

30

2,666

4M

79,85

2,1

26,2

26

0,769

8M

79,85

12,5

13

3,846

Graficar en papel semilog, Ai -f y -f. De esta grfica obtener la f Hi; contrastar

con la medida para el 70% de Ai
2-Obtener fT (producto ganancia de corriente-ancho de banda), para esto,
utilizar una frecuencia por lo menos de 2f . (Consultar cmo efectuar la
medicin prctica)
fT = ______

3-Medir ahora la ganancia de voltaje y el f HV del amplificador EC. Para esta

medida usar: Rb1, Rb2 (aplicando barrido de frecuencia a partir de 10 KHz,
mnimo 20 puntos)

F
(Hz)

Vi

VO

(mV)

(mV)

Ai
medido

calculado

%Error

10 K

25

859

61,3

60

1,06

30 K

25

857

59,11

60

0,82

50 K

25

853

58,9

60

0,35

100K

25

849

58,8

60

0,12

150 K

25

841

58,2

60

1,06

300 K

25

812

57,8

60

1,22

700 K

25

791

57,7

60

1,37

900K

25

759

56,7

57

1,20

1M

25

742

56,4

57

0,61

1,5 M

25

664

56,1

55

6,48

2M

25

601

55,8

55

0,17

3M

25

512

53,8

53

2,48

4M

25

505

52,8

52

3,81

4,5 M

25

501

51,3

51

4,57

4,7 M

25

499

48,84

49

0,20

5M

25

452

46,4

46

0,44

5,2 M

25

439

40,2

40

0,34

5,5 M

25

401

30,8

30

0,25

7M

25

321

26,2

26

2,23

8M

25

215

12,5

13

0,58

Graficar AV-f y -f. Obtener de la grfica f HV. Contrastar con la F medida a 70%
de AV;
Comparar con el fHi

4. CONCLUSIONES
4.1 Se aplicaron correctamente los conocimientos obtenidos en clase
sobre las capacitancias internas de los transistores estudiados y su
respectiva finalidad con respecto a la frecuencia.
4.2 En general, se supone que la respuesta en frecuencia viene fijada
por un Polo Dominante. De esta manera, el anlisis en alta frecuencia se
reduce al clculo de la frecuencia de corte superior asociada a este polo
dominante.
4.3 La determinacin de la respuesta en frecuencia de un amplificador
se describe a travs del BW, L y H. La determinacin exacta de dicha
respuesta se realiza reemplazando el modelo de los dispositivos activos
que consideran el efecto de la variacin de la frecuencia, luego,
mediante la funcin de transferencia se obtiene el diagrama de bode.
Ya que este mtodo puede resultar complejo cuando se cuenta con la
presencia de ms de dos capacitores, se aplicaron todos los

conocimientos adquiridos en clase sobre el teorema de Miller y la

solucin por constantes de tiempo, lo que facilita de gran manera dichos
clculos.

5. BIBLIOGRAFA
5.1 Savat, C., Roden, M., 1992. Diseo Electrnico. Addison-Wesley
5.2 Malik, R. 1996. Circuitos Electrnicos. Anlisis, Diseo. Prentice- Hall.
5.3 Sedra, A. Smith, K, 1998. Microelectronics Circuits. Oxford Press.

ANEXOS (SIMULACIONES)

Anexo1: Primer punto:

Anexo 2: Segundo punto:

Anexo 3: Tercer punto: