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ELECTRONICA
Tomo I
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
INDICE TOMO I
MODULO I
Mecanica cuantica
Parte I: Las experiencias conflictivas.
MODULO II
Mecanica cuantica: La ecuacin de Scherodinger
MODULO III
Mecanica cuantica
Parte III: Modelos de potencia
MDULO IV
Atomos, molculas, microsolidos.
MODULO V
Materia condensada: Solidos y Liquidos
MDULO VI
Materia condensada: Efecto de las impurezas en los solidos.
MODULO VII
Los cristales en interaccin con el medio ambiente.
Parte 1: En estado de equilibrio
MDULO VIII
La materia en interaccin con el medio ambiente
Parte 2 : bajo condiciones de no equilibrio
MDULO IX
El proceso de conduccin elctrica
1ra parte : Conduccin elctrica
MODULO X
El proceso de conduccion electrica
2da parte : La ruptura dielectrica
MODULO I
MECANICA CUANTICA
PARTE I :
LAS EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
MECANICA CUANTICA
PARTE I : LAS EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
INDICE:
INTRODUCCION
Fsica Clsica y Fsica Cuntica
EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
Radiacin del cuerpo negro: un problema tecnolgico
La radiacin del cuerpo negro y el cuanto de Planck
Formulacin de Rayleigh - Jeans
Hiptesis de Planck
El efecto fotoelctrico
Einstein y la interpretacin del efecto fotoelctrico
La radiacin electromagntica,... onda o corpsculo?
El Efecto Compton
Explicacin de Compton
Algo ms a partir de Compton.....
Regularidades en los espectros atmicos
El lenguaje de los espectros
Las series espectrales del hidrgeno
Las series espectrales: un enigma pendiente
FISICA ELECTRONICA
MODULO I
INTRODUCCION
Fsica Clsica y Fsica Cuntica
La Fsica Clsica nos muestra el universo como anlogo a un
inmenso mecanismo susceptible de ser descripto con absoluta precisin
por la localizacin de sus partes en el espacio y su modificacin en el
decurso del tiempo, mecanismo cuya evolucin, en principio puede ser
prevista con rigurosa exactitud cuando se posee cierto nmero de datos
acerca de su estado inicial.
Louis De Broglie
S. MARCHISIO
EXPERIENCIAS CONFLICTIVAS
Radiacin del cuerpo negro: un problema tecnolgico
Este problema est vinculado a la medicin ptica de temperaturas.
A principios de siglo, cuano se necesitaba medir una temperatura, se
empleaban mtodos basados en la dilatometra , ya sea por el empleo de un
termmetro , o la medicin a travs de la elongacin por dilatacin de una
varilla o de un fleje metlico.
Estos mtodos se volvan problemticos o imposibles a temperaturas
elevadas, fundamentalmente debido a la prdida de linealidad de la
elongacin de los metales con la temperatura.
l = l - lo =
FISICA ELECTRONICA
T + T2 + .......
MODULO I
S. MARCHISIO
As,
UT = 0 T d
Por otra parte, si analizamos la absorcin por un cuerpo del
flujo
de
energa
radiante
provocado
por
ondas
electromagnticas, veremos que del total incidente, una parte
es absorbida por el mismo. La relacin entre la absorbida y la
incidente es lo que se denomina capacidad de absorcin del
cuerpo, la cual es, al igual que el poder emisivo, una funcin de
la temperatura y de la frecuencia de la radiacin incidente. Por
definicin, la capacidad de absorcin (), no puede ser mayor
que la unidad.
FISICA ELECTRONICA
MODULO I
(, T)
de la
(, T) = (, T)
O. VON PAMEL
mx. T = cte.
S. MARCHISIO
2000 0K
1790 0K
1600 0K
3
2
1
1
2,36
2
1,18
3 (m)
0,59 .105(s-1)
Ley de Stefan-Boltzmann :
0 (, T) d()
= . T 4
MODULO I
<>=
. e-
/KT
e-
/KT
formula de
Rayleigh-Jeans
8
6
4
2
0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
d
.
Tal como se puede observar en
la
figura,
sta
concuerda
satisfactoriamente con los datos
experimentales slo para longitudes
de onda muy largas y diverge
considerablemente del experimento
para longitudes de onda cortas. La
relacin seala que la curva debera
aumentar sin lmite a medida que
se hace ms pequea. Vimos, sin
embargo, que la curva experimental
alcanza un mximo en algn valor
de y a continuacin disminuye
hacia cero a medida que
disminuye.
Hiptesis de Planck
Uno de los fsicos que estaba trabajando en la bsqueda de un marco
terico explicativo para la radiacin del cuerpo negro fue Max Planck. Ya
haba desarrollado una relacin emprica que describa con xito la
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
= h.
cuanto de energa
con n = 0, 1, 2, ....
0
<> =
. e
/KT
por: <> =
0 n.o e- n.o/KT
/KT
0 o e- n.o/KT
10
MODULO I
h.
<> =
e h./
; con =
KT
<> = KT)
(, T) = cte. 3.
h
h . / 2KT
e
- 1
h./
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
El efecto fotoelctrico
Otro conjunto de resultados experimentales sin explicacin en el
comienzo de este siglo se relacionba con el efecto fotoelctrico. Se
denomin efecto fotoelctrico a la emisin de electrones por una
sustancia bajo la accin de la luz. Este efecto se observa de la siguiente
manera:
Luz
Tubo de vidrio al vacio
Placas
Se encierran
dos
electrodos
metlicos en un
tubo de vidrio,
como se muestra
en la figura.
Se vaca todo el
aire de su interior
y se conecta el
tubo en serie con
una batera y con un galvanmetro sensible, segn se indica.
Claro est, no fluir corriente en el circuito en virtud de que las dos
piezas de metal en el tubo no se tocan, por lo que el circuito est abierto. La
resistencia de esta porcin del circuito es infinita.
Sin embargo, si se ilumina una de las superficies metlicas, llamada
placa, con una luz de longitud de onda suficientemente corta, fluye una
corriente estacionaria en el circuito. Obviamente, esta corriente est
sustentada por los electrones emitidos por la placa bajo la accin de la luz,
los que se desplazan a lo largo del tubo hacia el colector positivo, cerrando
el circuito.
Distintas observaciones experimentales de este fenmeno permiten
establecer que:
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO I
m1
Cs
u1
K
u2
m2
m3
Na
u3
1
2
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
u = / h
o lo que es lo mismo: c = hc /
= +K
K
K
= A B
14
MODULO I
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
Volver
El Efecto Compton
Las propiedades corpusculares de la luz se manifiestan con ms claridad
en un fenmeno asociado a la dispersin de la radiacin que recibi el
nombre de efecto Compton.
Se sabe que, si una radiacin golpea un cuerpo material, una parte de la
energa de esta radiacin es dispersada en todas direcciones en forma de
radiacin difusa. La teora electromagntica interpreta esta dispersin
diciendo que, bajo la influencia del campo elctrico de la onda incidente, los
electrones contenidos en el cuerpo material, entran en vibracin forzada y se
convierten en fuentes de pequeas ondas esfricas secundarias que
dispersan as en todas las direcciones una parte de la energa aportada por
la onda primaria. Segn esta interpretacin, la vibracin dispersada bajo la
accin de una onda primaria monocromtica (de frecuencia p), debe tener
exactamente la misma frecuencia que esta onda primaria; por ende, lo
esperable en este caso sera: d = p.
Durante mucho tiempo, esta teora, asentada sobre la base del
comportamiento ondulatorio de la radiacin, se mostr satisfactoria para la
interpretacin de las experiencias de dispersin realizadas.
Un estudio ms preciso de la dispersin de los rayos X por diversos
materiales, realizado por Compton, puso de manifiesto en 1923, un efecto no
observado anteriormente.
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO I
Esto es:
haz incidente de
rayos X
grafito
rayos X dispersados
Explicacin de Compton
= 00
= 45 0
= 900
=1350
dispersado h/
incidente h/
P de los electrones
En la figura, esta radiacin dispersada est caracterizada por una
longitud de onda mayor que la de la incidente.
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
= m.c2
energa
p= /c
y cantidad de movimiento
p = m.c
= h.
p= /c
p = h. / c
pfotn = h /
o, lo que es lo mismo:
cantidad de movimiento:
antes
despus
Segn el eje x :
pax = h/
y en el eje y
pay = 0
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO I
energa
antes
Ea = h.c/
despus
=
= + h . (1- cos )
m.c
Obsrvese que en esta ecuacin de Compton se predice que =
cuando = 0. Por otra parte, a medida que aumenta, la
longitud de onda de la radiacin dispersada tambin aumenta,
tal como se observ en la experiencia, pudindose reproducir
los valores experimentales.
19
S. MARCHISIO
lampara de
descarga
prisma
pantalla
espectro gaseoso
diafragma
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO I
6562.8 0A
4861.3 0A
4340.5 0A
4101.7 A
= 0
n2
n - 22
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
1 =R ( 1
m2
1 )
2
frmula generalizada
de Balmer
m = 1 ; n = 2, 3, 4, ...
de Pashen:
m = 3 ; n = 4, 5, 6 ,...
de Brackett:
m = 4 ; n = 5, 6, 7,....
de Pfund:
m = 5 ; n = 6, 7, 8, ...
22
MODULO I
MODULO II
MECANICA CUANTICA:
LA ECUACION DE SCHROEDINGER
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Contenidos
HACIA EL CONOCIMIENTO DE LA ESTRUCTURA ATOMICA
El tomo de Thomson
La experiencia de Lenard
El origen del tomo nuclear: Rutherford
Limitaciones del modelo de Rutherford
El modelo de Bohr del tomo de hidrgeno
Limitaciones del modelo de Bohr
Hiptesis de De Broglie: el electrn como onda
El experimento de Davisson - Germer
La ecuacin de Schroedinger
A partir de la dualidad onda - corpsculo del electrn
FISICA ELECTRONICA
MODULO II
La experiencia de Lenard
El modelo atmico de Thomson fue sometido a prueba seriamente
por Lenard en 1903.
Dispar un haz de electrones a travs de una delgada hoja de metal
y midi las propiedades de los electrones que podan atravesar una hoja.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
electrones
Arriba.
Volver
MODULO II
material
radiactivo
haz de
particulas
luz
ojo
amplificador
escudo de plomo
pantalla
fluorescente
hoja de oro
confirmaron
las
Particulas
Marsden
S. MARCHISIO
v
-e
r
+e
De
acuerdo
con
la
teora
electromagntica clsica, el electrn orbital deba
por ello radiar continuamente, lo cual explicaba la
emisin de luz por los tomos. Obviamente, esta
emisin de luz no era discreta.
FISICA ELECTRONICA
MODULO II
O. VON PAMEL
m.v2
2
e2
8. .. 0. r.
S. MARCHISIO
e .V =
e2 .
4. . 0. r
Er4
Ecinet.
Epot.
e2
8. .. 0. r4
e2
8. .. 0. r4
e2
4. . 0. r4
Resolviendo, resulta:
Er4
e2
8. .. 0. r5
FISICA ELECTRONICA
MODULO II
h.
5--4
5--4
e2
8. .. 0. r5
e2
8. .. 0.
( 1/ r4
e2
8. .. 0. r4
o lo que es lo mismo:
h.
5--4
1/ r5 )
e2
. ( 1/ r4
8. .. 0. h.c.
1/ r5 )
1 =R ( 1 - 1 )
m2
n2
frmula generalizada
de Balmer
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
m.vn.rn = n. h
2
siendo:
n un nmero entero diferente para cada rbita;
vn la velocidad del electrn en la rbita;
rn el radio correspondiente a n.
Reemplazando rn y utilizando la expresin de la energa cintica
del electrn para eliminar vn , se puede obtener en nuestra
transicin de la rbita 5 a la rbita 4:
1/ 5-4 =
e4 . m
0.2 h3.c.
. ( 1
42
1 )
52
e4 . m
0.2 h3.c.
concuerda dentro del error experimental con la constante de
Rydberg ; representada por R en la frmula de Balmer.
10
MODULO II
De Broglie
h / m.v
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
lo
que
se
obtiene
de
este
; con n entero
= h / m.v ,
m.v.r = n. h./ 2
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO II
fu e n t e d e
electron es
cr ista l
esquema
del experimento
de Davisson y
Germer
d etector
Patrn
de
intensidad
distancia para el fenmeno
de interferncia.
onda
intensidad
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
x
onda
Interferencia
luminosas
de
ondas
intensidad
x
haz de
electrones
intensidad
Arriba.
Volver
La ecuacin de Schroedinger
Desarrollando las ideas de De Broglie sobre las propiedades
ondulatorias de la materia, E. Schroedinger obtuvo, en el ao 1926 (antes
de la experiencia de Davisson y Germer), su clebre ecuacin.
El compar el movimiento de una micropartcula con una funcin
compleja de la posicin y el tiempo, a la cual denomin funcin de onda y
design como funcin (psi).
La funcin de onda caracteriza el estado de la micropartcula. La
expresin para se obtiene de la solucin de la ecuacin de Schroedinger,
expresada como:
- h2
82m
+ U = i.h.
2 t
ecuacin de Schroedinger
2 = 2 + 2 + 2
x2
y2
z2
con la letra U en la ecuacin de Schroedinger se designa una
funcin de las coordenadas y el tiempo, cuyo gradiente tomado con signo
inverso define la fuerza que acta sobre la partcula. En el caso que la
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO II
est definida por la funcin U; o sea, por el carcter de las fuerzas que
actan sobre la partcula.
La ecuacin de Schroedinger es la ecuacin fundamental de la
mecnica cuntica no relativista. La misma no puede ser deducida de
oreas relaciones. Debe ser considerada como el punto de partida
fundamental, cuya justeza se demuestra por el hecho de que todas las
consecuencias que se derivan de la misma concuerdan con los datos
experimentales.
Cmo estableci Schroedinger su ecuacin?
Parti de una analoga ptico-mecnica que consiste en la
similitud de las ecuaciones que describen el recorrido de los rayos
lumnicos y las ecuaciones que describen la trayectoria de las
partculas en la mecnica analtica. En ptica, el recorrido de los
rayos satisface el principio de Fermat; en mecnica, la forma de la
trayectoria satisface el llamado principio de la accin mnima.
(x, y, z, t) = ( x, y, z ). e -i..t
si consideramos la relacin entre la energa E de la partcula y la
frecuencia angular :
E = h. / 2
el factor dependiente del tiempo toma la forma:
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
- h2 . e-i(2 E/h)t .2
82m
- h2 2
82m
de
la
+ U = E
ecuacin
se
Schroedinger
= - 82m / h2 . ( E - U ).
16
MODULO II
del tiempo y del espacio. Tomemos, por ejemplo una funcin sencilla
general, de tipo armnica.(Recordemos que cualquier otra forma de
onda, puede ser descompuesta por Fourier en ondas armnicas de
diferente frecuencia)
modulacin de la
amplitud
onda
vg
x
vf
x
paquete de ondas
De este modo podemos distinguir lo que se llama un paquete de onda
17
S. MARCHISIO
v = vf
A
x
vg
x
18
MODULO II
O. VON PAMEL
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S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO II
MODULO III
MECNICA CUNTICA
PARTE III
Modelos de potencial
Objetivos:
A travs del desarrollo del presente mdulo se pretenden
lograr tres objetivos fundamentales :
1- introducir modelos de potencial simples
que ilustren los principales fenmenos que se
presentan en la Mecnica Cuntica.
2- mostrar cmo se calcula mediante la
ecuacin de Schroedinger
3- generar capacidad de modelar y de
interpretar modelos
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
INDICE :
Modelos de potencial.
Un mtodo de anlisis a partir del clculo de la funcin
de onda
Resolucin de la ecuacin de Schrodinger para un electrn en
una Casilla de potencial unidimensional
Casilla de potencial tridimensional
Escaln de potencial
Efecto tnel.
Electrones en un pozo de potencial finito.
Electrones en un pozo de potencial asimtrico
Escaln de potencial con un campo elctrico aplicado a uno
de sus lados.
Escaln de potencial con un campo elctrico intenso aplicado
a uno de sus lados. Emisin por campo intenso.
Transmisin y reflexin de electrones a travs de un escaln
de potencial
Reflexin de electrones frente a una barrera de potencial .
El electrn en el potencial de una molcula diatmica.
El electrn en el potencial peridico de un cristal
FSICA ELECTRNICA
MODULO III
Modelos de potencial.
Un mtodo de anlisis a partir del clculo de la funcin de onda
Como hemos visto en el marco del trabajo de Schroedinger, la
funcin de onda no tiene interpretacin fsica real, debiendo ser entendida
como una descripcin matemtica que nos permite analizar el
comportamiento de los electrones en los tomos de una manera
conveniente.
Desde un punto de vista prctico, podemos considerar entonces a
como una magnitud intermedia cuyo conocimiento nos permitir calcular
algunas otras magnitudes, reales stas, que s tienen una interpretacin
fsica, aunque de orden estadstico. Por otra parte, la forma de dicha funcin
quedar definida por la forma de la funcin potencial U que se considere.
Para conocer esas magnitudes y resolver as problemas que
involucren comportamientos cunticos de la materia, es necesario plantear
la representacin de la funcin potencial ms aproximada a la situacin
concreta en estudio. Es decir, se requiere trabajar con modelos de potencial
representados matemticamente por la funcin U de la ecuacin de
Schroedinger, que contendr la informacin caracterstica en cada caso.
Es as como a travs de una seleccin adecuada de la funcin
potencial podremos modelar el tomo, una barra de metal, la unin de dos
metales, un slido cristalino, el efecto de un campo elctrico sobre un
material, etc. Asimismo, y de acuerdo con la situacin a modelar, los
potenciales a considerar sern diferentes. Segn su tipo, stos pueden ser
expresados en coordenadas cartesianas ortogonales, en coordenadas
radiales, etc.
A modo de ejemplo, si queremos modelar un tomo, podemos
suponer en principio al electrn encerrado en una caja de potencial
cuadrada; un modelo mejor resultara de considerar un potencial central del
tipo - e2/r , aunque este tipo de potencial hace ms dificultosa la resolucin
de la ecuacin de Schroedinger.
A lo largo de este mdulo nos proponemos analizar slo potenciales
simples; stos, no obstante, con menor o mayor aproximacin, modelarn
situaciones que se nos presentan habitualmente en el estudio de los
materiales. De todos los casos propuestos, resolveremos con detalle
aqullos que consideramos ms formativos para los objetivos de este curso;
de los restantes, desarrollaremos el modelo y expondremos las soluciones y
los principales resultados que de ellas se desprenden.
Concretamente estudiaremos
cartesiano, crecientes en complejidad,
O. VON PAMEL
distintos
potenciales
de
S. MARCHISIO
tipo
desde:
la casilla de potencial unidimensional
hasta :
el potencial peridico de un cristal
para finalizar estudiando:
el potencial central de tipo electrosttico, o lo que es lo mismo, la
representacin del tomo de hidrgeno.
FSICA ELECTRNICA
MODULO III
E (x)
U=
casilla de potencial
unidimensional
x
x=0
x=a
2 = 2 = 0 y
-
2 = 1
0
n = A sen n x
a
donde n = 1,2,3...... y
A = cte.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
donde n = 1 , 2 , 3 , .......
2 x = 1
_____
de donde, reemplazando se obtiene A = 2/a
Imagen cuntica
Imagen clsica
La
energa
asume
determinados valores discretos
E = n2
16
En = n E1
con n 0
h2
E1 = ------8ma2
n =3
n =2
n =1
n =0
FSICA ELECTRNICA
n=4
La energa
asume
valores
continuos.
MODULO III
n (x)
3 2
(x)
2 = cte.
2 2
= cte.
1 2
1
a x
La probabilidad de encontrar
a la partcula vara en el
intervalo
La probabilidad de encontrar
a la partcula es igual en todo el
intervalo
z
a
La energa potencial de la
partcula en el interior de la casilla
es constante.( por simplicidad
igual a cero). Fuera de ella posee
una
magnitud
infinitamente
grande.
a
x
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
FSICA ELECTRNICA
h2 .
8ma2
MODULO III
Escaln de potencial
Supondremos al electrn propagndose en el sentido positivo de la
coordenada x, encontrndose con una barrera de potencial Vo ( alto de la
barrera ), que es mayor que la energa total E del electrn, pero de un valor
finito.
La figura siguiente representa esta situacin.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
V(x)
Vo
E
I
II
y en la regin ( II ) :
2 2m
-------- + ------- ( E - Vo ) =0
h2
x2
Las soluciones a estas ecuaciones son:
(I)
donde :
y
I = A ei x + B e-i x
= 2mE / h2
( II )
donde : =
II = C e x + D e- x
2m
/ h2 ( E - Vo)
2m
/ h2 ( Vo - E ),
II = C e x + D e - x
Aplicando condiciones de contorno encontramos :
FSICA ELECTRNICA
10
MODULO III
si x entonces
si x = 0
I (x=0) II (x=0)
entonces
por lo que A + B = D
A i + B i = - D
de donde obtenemos :
A = D/2 ( 1+ i / )
B = D/2 ( 1 - i / )
Vo
e-x
+
II
En efecto , cuando los electrones van del seno del material hacia su
superficie, al llegar a ella, mantienen su estado de movimiento. En ese
instante el material gana una carga equivalente positiva, y los electrones se
ven atrados por la accin de esta fuerza atractiva. Al cabo de un cierto
recorrido invierten su sentido de movimiento y retornan al seno del material.
Obsrvese
que,
en
promedio, los electrones se
encuentran ms afuera del
material que los iones de la red,
generndose as un campo
elctrico en la superficie del
material, por lo que un modelo
de potencial ms realista de los
bordes del material sera el de
la figura.
V(x)
Vo
e-x
+
I
a
O. VON PAMEL
II
x
11
S. MARCHISIO
Efecto tnel.
Consideremos ahora que la barra de potencial posee un espesor a,
muy delgado, menor que la penetracin de los electrones en la barrera.
V(x)
Vo
I
0
II
a
III
x
V(x)
Vo
e-x
+
3
I
II
FSICA ELECTRNICA
III
a
12
MODULO III
V(x)
V=
e-x
+
I
0
II
Vo
III
a
V(x)
Vo
3
Vo + E.(x - a )
+
I
O. VON PAMEL
II
a
13
S. MARCHISIO
Vo
3
II
I
0
III
Vo
Vo
haz transmitido
I
0
II
a
II
a
FSICA ELECTRNICA
14
MODULO III
I = T + R ( en x = a )
Obsrvese que clsicamente no debera haber onda reflejada.
Esto es equivalente a lo que se presenta para una onda
electromagntica, en una lnea de transmisin frente a un cambio de la
impedancia de sta. ( en este caso el cambio de potencial es equivalente al
cambio de impedancia).
Para ondas electromagnticas en el rango de la luz visible esto
equivaldra al cambio de ndice de refraccin del medio.
En este caso el haz de partculas se comporta como una onda (Recordar
la dualidad partcula onda ).
En este caso I = R
V(x)
V=
I
R
E
V0 =0
0
V(x)
Vo =
I haz incidente
R haz reflejado
0
x
I
II
III
-V
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
V
Vs =
2- E2 > Vo
E2
Vo
En este caso el
electrn prcticamente no
ver la barrera de altura Vo
y se mover a lo largo de
toda la molcula. (ver figura)
E1
E1
x
nucleos
V
Vo
E
II
II
II
x
-b
FSICA ELECTRNICA
16
MODULO III
V
Potencial superficial
Un modelo mejor es el de
Muffin
que se
puede
observar en la figura,
aunque
sigue
siendo
unidimensional.
nucleos
(I)
2
2m
------ + ------ E = 0
h2
x2
( II )
2m
2
------ + ------ ( E - Vo ) = 0
x2
h2
2 = 2m /h2 E
y
2 = 2m /h2 ( Vo - E)
(x) = u(x) . ei kx
En la ecuacin de Bloch, u(x) es una funcin peridica, la cual
posee la periodicidad de la red en el sentido de las x. No posee una
amplitud constante en el sentido x, cambiando peridicamente ( Amplitud
modulada). Obviamente es distinta para cualquier otra direccin de la red.
calculando
2
2u
u
------ = ( ------- + ------- 2ik - k2u ) e i k x
x2
x2
x
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
(I)
u
2u
------- + 2ik ----- - ( k2 - 2 ) u = 0
x
x2
( II )
2u
u
------- + 2ik ----- - ( k2 + 2 ) u = 0
x
x2
(I)
uI = e - i k x ( A e i x + B e - i x )
( II ) uII = e - i k x ( C e - x + D e x )
A , B , C , D pueden determinarse a partir de las siguientes
condiciones de continuidad y periodicidad (en a+b ) :
x=0
= uII /x
x=0
uI /x
= uII /x
x= a
x=-b
A+B =C+D
A ( i - ik ) + B ( -i - ik ) = C ( - - ik ) + D ( - ik )
A e( i - i k ) a + B e( - i - i k ) a = C e( i k +
)b
+ D e( i k - ) b
A i( - k)e i a ( - k ) -B i( + k)e - ia ( + k ) =
= -C ( + ik)e ( i k + ) b + D ( - ik)e ( i k - ) b
Por lo tanto hemos resuelto el problema. En este caso, sin embargo,
el conocimiento de no es lo que reviste mayor importancia. En
cambio, es de sumo inters determinar una condicin para la
existencia de las soluciones de la ecuacin de Schroedinger en las
regiones I y II.
Esta condicin limitar los posibles niveles de energa En .
Para hallarlos bastar emplear el ltimo sistema de cuatro
ecuaciones. Recordemos que para que en este sistema existan soluciones
basta con estudiar su determinante.
FSICA ELECTRNICA
18
MODULO III
cosh( b ) 1
sinh( b ) b
Si llamamos:
P = m Vo b / h2
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
Finalmente obtenemos :
P . sin a /a + cos a = cos ka
Esta es la relacin deseada que provee las soluciones permitidas de
la ecuacin de Schroedinger, puesto que slo algunos valores de a
son posibles debindose cumplir cos(ka) 1. Esta condicin se
aprecia en la figura:
P.sina/a + cosa
solucion
6
5
4
3
2
1
solucion
-4
-3
-2
-1
2 3
4
a
0
-1
-2
2 =2m/h2 E ,
FSICA ELECTRNICA
20
MODULO III
Volver
e2
U(r) = -----r
z
x = r sen cos
y = r sen cos
z = r cos
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
R ( r ) = F1 ( n, l )
( ) = F2 ( l, m )
( ) = F3 ( m )
FSICA ELECTRNICA
22
MODULO III
l .......................s
que
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
4r2 R2(r)
n=1
l=0
En el eje de las coordenadas
estn situados los valores de R2
( r ), multiplicados por 4r2.
2s n = 2
l=0
1s
2p n = 2
l=1
Las
magnitudes
dadas
caracterizan la probabilidad de
estancia del electrn en una
fina capa esfrica de radio r ,
esta
probabilidad
es
2 2
proporcional
a
4r R (r)dr
donde dr es el espesor de la
capa.
4 r (A0)
3s
n=3
l=0
3p
n=3
l=1
3d
2 4
n=3
l=2
8 10 12 14 r ( A0)
De la figura se deduce que a diferencia de la teora de BohrSomerfeld , de acuerdo con la cual el electrn se mueve por rbitas
predeterminadas, la mecnica cuntica nos muestra que el electrn puede
encontrarse en cualquier parte del tomo. Sin embargo, la probabilidad
de su estancia en distintas zonas del espacio no es igual, de esta forma,
si pudiramos observar el electrn en el tomo veramos que se encuentra
ms frecuentemente en unas zonas que en otras.
FSICA ELECTRNICA
24
MODULO III
1s
2pz
x
z
2py
2px
x
y
y
z
3d z2
3d x2 - y2
x
3d x z
z
3d x y
3d y z
Volver
O. VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
FSICA ELECTRNICA
26
MODULO III
MDULO IV
TOMOS, MOLCULAS,
MICROSLIDOS
OBJETIVOS :
A partir de conocimientos elementales de la Mecnica Cuntica, en
el presente mdulo nos proponemos discutir un modelo de la materia
basado en consideraciones energticas.
No es objeto de este mdulo brindar una teora muy elaborada del
tema, sino introducirnos en un modelo que nos ser de utilidad a la hora de
querer interpretar el funcionamiento fsico de dispositivos electrnicos.
Para elaborar este modelo de materia partiremos de estudiar su
componente mas simple, es decir el tomo, a partir de l veremos como se
construye una molcula, y a partir de sta construiremos el slido.
O.Von Pamel
S. Marchisio
INDICE:
El tomo
Nmeros cunticos de los electrones en los tomos.
tomos polielectrnicos
Principio de exclusin de Pauli.
Molculas.
Explicacin mecnico-cuntica del enlace covalente.
Resultados del anlisis mecnico - cuntico de la
molcula de hidrgeno segn Heitler y London.
Distintos tipos de enlaces entre molculas
Slidos
Diagramas de energa en un slido
FISICA ELECTRONICA
MODULO IV
El tomo
Nmeros cunticos de los electrones en los tomos.
Los nmeros cunticos caracterizan el movimiento de los electrones
no solo en los tomos de hidrogeno sino tambin en cualquier otro tomo.
Estas caractersticas son muy importantes para la comprensin de
las propiedades de las sustancias y la naturaleza del enlace qumico.
Por ello debemos examinar ms detalladamente su sentido:
O.Von Pamel
S. Marchisio
Los nmeros cunticos n, l, m, que figuran en la ecuacin de
Schroedinger para el tomo de hidrgeno, no determinan con plenitud el
movimiento de los electrones en los tomos.
El estudio de espectros y otras investigaciones mostraron que hay
que aadir a estas caractersticas otras ms. Surge de la experimentacin
que el electrn tiene un cuarto grado de libertad; brevemente se puede
decir que el electrn gira alrededor de su eje. Este movimiento se llama
spin.
s,
caracterizan
-------- s = +1/2
l = 1 ------- m = +1
-------- s = 1/2
-------- s = +1/2
n = 2 --------- l = 0 ------- m = 0
-------- s = 1/2
-------- s = +1/2
l = 1 ------- m = --1
-------- s = 1/2
FISICA ELECTRONICA
MODULO IV
tomos polielectrnicos
Anlisis mecnico-cuntico de los tomos polielectrnicos.
S. Marchisio
Como en el tomo de hidrogeno, en los tomos polielectrnicos el
estado de cada electrn se determina por los valores de los cuatro nmeros
cunticos n, l, m, s.
Estos nmeros pueden tomar los mismos valores que en el
tomo de hidrgeno.
.
- energa
------ f
------ d
------- s
------- p
------ d
------- s
------ p
------ d
------s
------ p
------ s
------p
------ s
MODULO IV
3
1
0
+/- 1
1
0
2
+/- 1
+/- 1
+/- 2
+ 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2 + 1/2
- 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2 - 1/2
1s
2s
2px
2py
2pz
3s
3px
3py
3pz 3dx2
3dxz
3dyz
3dxy
+ 1/2
- 1/2
3dx2-y2
nmero mximo de
electrones con un valor
10
dado de l
nmero mximo de
electrones con un valor
18
dado de n
Volver
Molculas.
Explicacin mecnico-cuntica del enlace covalente.
Antes de pasar a la exposicin de los resultados del anlisis
mecnico-cuntico de las molculas, es necesario conocer la dependencia
entre la energa potencial de la molcula y la distancia entre tomos.
S. Marchisio
E
ncleo 1
ncleo 2
E , eV
3
2
1
0
r,
-1
-2
Zona de atraccin
-3
-4
-5
r0
La dependencia
de la energa potencial
con respecto a r es una
curva que presenta un
mnimo.
En la figura se
representa la curva de
energa
potencial
correspondiente
a
la
molcula de hidrgeno.
FISICA ELECTRONICA
MODULO IV
La
curva
de
energa potencial tiene la
forma representada en la
figura y se observa que
con la disminucin de r la
curva
asciende,
sin
presentar mnimos.
O.Von Pamel
S. Marchisio
electrn 1
r12
electrn2
rb2
r a1
ra2
rb1
En
la
molcula
de
hidrgeno hay dos
electrones, que se
mueven en el campo
de dos ncleos .
Rab
+
Si
representamos
las
distancias entre las
partculas, como est hecho en la figura, entonces la expresin para la
energa potencial se escribe de la siguiente forma :
e2
e2
e2
e2
e2
e2
U = ------ + ------ ------ ------ ---- -- ----r12
ra1
ra2
rb2
rb1
Rab
tomo 1
tomo 2
2
FISICA ELECTRONICA
10
MODULO IV
s = 1 + 2
a = 1 - 2
a 2
s 2
E , eV
1- curva experimental.
4
3
2
1
3
2
0
-1
-2
-3
r ,A
-4
-5
0 0,6
O.Von Pamel
11
S. Marchisio
simtrica
antisimtrica
spines paralelos
12
MODULO IV
Ionizacin
Estados ligados ( E = - E1 / n2 )
18 e
continuo
discreto
n=3
( d ) l=2
8e
n=2
( p ) l= 1
- E1
2e
n=1
( S ) l=0
O.Von Pamel
13
S. Marchisio
Los diversos estados corresponden a capas que slo pueden
acomodar a un nmero particular de electrones. El principio que conduce a
esta limitacin del nmero es, segn vimos, el Principio de exclusin de
Pauli.
E3
E2
Energa potencial
E1
E
r
E3
E3
E3
E2
E1
En realidad se ha empleado en esta representacin una imagen o
aproximacin semiclsica del tomo, la cual, si bien no es estricta, resulta
conveniente a los fines de visualizar el fenmeno que estamos analizando.
Al estar los tomos fijos a muy corta distancia uno del otro, la
atraccin que cada ncleo ejerce sobre sus electrones se ve perturbada por
la accin del ncleo vecino.
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO IV
E1
r1
O.Von Pamel
15
S. Marchisio
r1 E
r
En la figura se
aprecia
la
aproximacin
semiclsica para
una molcula.
Slidos
Diagramas de energa en un slido
Si analizamos un slido debemos generalizar nuestro estudio para
una cantidad muy grande de tomos .
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO IV
E
rs
ra
E4
E3
E2
E1
Los
resultados
de
esta
cristal
ncleos
Definimos :
O.Von Pamel
17
S. Marchisio
2p
6N
2s
2N
1s
2N
tomo aislado
2 tomos que
interactan
3 tomos que
interactan
sistema formado
por N tomos
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO IV
E (eV)
r0
r4
r3 r2
r1
r (A0)
Ec
l= 1
capa n
ltima capa
l=0
Eg
Ev
l= n-2
penltima capa
l=0
A medida que los tomos se van acercando (por ej. a una distancia
r2 ) existe desdoblamiento de niveles y aparecen dos bandas de energa
separadas por una zona vaca de estados permitidos.
La magnitud r2 no representa an, en este ejemplo la distancia
interatmica correspondiente a un slido, por lo que necesitamos acercar
an ms los tomos para constituirlo.
19
S. Marchisio
estados
E (eV) r0
r (A )
vacios
4p
4s
ocupados
3s
E (eV)
Eg
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO IV
E (eV )
Eg
AsGa Si Ge
O.Von Pamel
21
S. Marchisio
r0
r
4p
4s
3s
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO IV
MODULO V
MATERIA CONDENSADA
SLIDOS Y LQUIDOS
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
INDICE: Modulo V.
Estructura de la sustancia
Estados de agregacin de la materia
Temperatura de la sustancia
Estado condensado
Slidos.
Slidos cristalinos.
Sistemas cristalinos
Planos cristalinos
Lquidos.
Lquidos cristalinos.
Distintos tipos de cristales Lquidos.
Lquidos amorfos.
Vidrios.
Polmeros
FISICA ELECTRONICA
MODULO V
Estructura de la sustancia
Estados de agregacin de la materia
En funcin de la distancia entre las partculas y de las fuerzas de
interaccin entre ellas, la sustancia puede encontrarse en los estados:
slido, liquido, gaseoso, plasma .
dpp
Tp
O O O O O
O O O O O
U>K
Las
distancias
entre partculas ( dpp ) son
del orden de la dimensin
de las partculas( Tp ).
La
energa
potencial media ( U ) es
mayor que su energa
cintica media ( K ).
El movimiento de
las partculas que componen los cristales es muy limitado.
Las fuerzas que actan sobre ellas las mantienen cerca de las
posiciones de equilibrio, por eso la probabilidad de permanencia de las
partculas en estos lugares es mxima.
Con esta circunstancia est relacionada la propiedad de los cuerpos
slidos de forma y volumen propios, y la gran resistencia a la dislocacin.
dpp
o o
o o
Dpp
Tp
o o
o
o o
UK
La
sustancia
lquida se diferencia de la
slida en que no todas las
partculas
estn
distribuidas a distancias
del mismo orden del
tamao de ellas, como en
los slidos. Una parte de
las
molculas
se
encuentran a distancias
considerablemente
mayores.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Tp
Dpp
En este estado,
las
partculas
se
encuentran a distancias
que considerablemente
sobrepasan
sus
dimensiones .
Por eso las
fuerzas de interaccin
entre ellas son muy
pequeas, lo que se
traduce en que puedan
K >> U
desplazarse libremente.
La energa cintica media de las partculas de un gas es mucho
mayor que la energa potencial media de las mismas.
Si en la sustancia slida todas las partculas constituyen un
agregado entero, y en el lquido una gran cantidad de agregados
voluminosos y resistentes, en los gases pueden encontrarse solo partculas,
compuestas de 2 - 5 molculas, y su nmero, con frecuencia es
comparativamente pequeo.
Este estado, el ms
abundante en la naturaleza,
presenta
propiedades
distintas a las de los
anteriores.
En l, la materia que
lo constituye est formada por
iones positivos y negativos, de
forma
tal
que,
tomado
globalmente es neutro, pero si
lo consideramos localmente,
no lo es.
Volver
FISICA ELECTRONICA
MODULO V
Temperatura de la sustancia
Resulta interesante a fin de aclarar ideas ver qu se entiende por
temperatura en cada uno de los estados anteriormente descriptos :
Temperatura de un slido:
La temperatura en un slido es la energa interna de ste.
Temperatura de un gas:
Temperatura de un lquido
Temperatura de un plasma:
S. MARCHISIO
b- Plasma colisional :
Predominan las colisiones entre partculas por lo que las
energas cinticas de electrones y de iones se igualan en el
tiempo. Esta igualacin se traduce en una unificacin de la
temperatura media del plasma, la que se denomina
temperatura del plasma Tp.
Estado condensado.
Para facilitar el estudio de este estado vamos a considerar a los lquidos y
los slidos segn la siguiente subdivisin:
estado condensado
Slidos
Amorfos
Cristalinos
Lquidos
Vidrios
Amorfos
Cristalinos
Volver
Slidos.
Slidos cristalinos.
La propiedad fundamental de los slidos cristalinos (cristales) es la
regularidad de la distribucin de los tomos en ellos, constituyendo lo que
se llama una red cristalina.
sta est compuesta por una unidad bsica (celda de la red) que
se repite a lo largo de ella. Es por ello que para el anlisis de la estructura
de un cristal basta estudiar esta celda unitaria considerando que todas las
propiedades se repiten de una celda a la otra.
Las redes cristalinas se subdividen en varios tipos, en dependencia
de:
el tipo de partculas que la forman
el tipo de enlace entre ellas
FISICA ELECTRONICA
MODULO V
Cristales covalentes:
Consisten
en
un
arreglo regular de iones
positivos
y
negativos
resultantes de la transferencia
de uno o ms electrones de
una clase de tomo a otro.
En las figuras se
representan
las
redes
cristalinas del NaCl y del
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
CsCl respectivamente.
Los iones se disponen
de tal modo que se produce
una configuracin estable bajo
sus interacciones electrnicas
mutuas.
Estos cristales :
son duros, frgiles y tienen alto punto de fusin debido a las
fuerzas electrostticas relativamente fuerte entre iones;
son malos conductores de la electricidad, pero a altas
temperaturas, los iones pueden adquirir una cierta movilidad que
se traduce en una mejor conductibilidad elctrica;
son malos conductores del calor al carecer de electrones libres;
algunos absorben fuertemente radiacin infrarroja.
cristales metlicos
MODULO V
un
alto
coeficiente
de
reflexin
Cristales moleculares
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
10
MODULO V
Estas capas estn unidas entre s por fuerzas dbiles de van der
Walls, lo que explica la naturaleza escamosa y resbaladiza del grafito. Esta
caracteriza lo hace til como lubricante.
Sistemas cristalinos
Como dijimos, un cristal es una estructura que para su estudio
puede ser reducida a una unidad mnima denominada celda.
Si bien existen 14 tipos de celdas o cristales, las que resultan de
mayor inters para el estudio de los semiconductores presentan estructuras
reducibles a una red cbica.
stas son:
a - cbica
b - cbica centrado en las caras
c - cbica centrado en el cuerpo
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO V
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
Planos cristalinos.
A continuacin se presentan los principales planos cristalinos para
un sistema cbico. Los planos cristalinos se identifican mediante la
representacin en coordenadas cartesianas del vector unitario normal al
plano en cuestin.
x
( 1,0,1 )
( 0,0,1 )
y
y
z
( 0,1,0 )
( 0,1,1 )
y
z
z
( 1,0,0 )
y
z
( 1,1,1 )
y
z
( 1,1,0 )
y
z
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO V
Super-redes
En la actualidad las modernas tcnicas de fabricacin de cristales
permiten obtener cristales formados de modo tal que a continuacin de una
capa cristalina de una especie se superpone otra de una especie diferente y
as sucesivamente.
Estas tcnicas permiten alterar la estructura energtica del cristal a
lo largo del mismo, alterando asimismo sus propiedades elctricas y
pticas.
De esta forma se pueden fabricar microlentes y/o microespejos,
dentro de algunos dispositivos.
Un ejemplo de aplicacin tecnolgica de super-red lo constituyen
las fibras pticas no lineales.
Slidos amorfos.
Las sustancias amorfas se diferencian de las cristalinas por la
isotropa (no hay direcciones privilegiadas en su interior). Son distinguibles
de las cristalinas debido a que su transicin del estado slido al lquido no
va acompaada de cambios bruscos de propiedades.
V sustancia cristalina
slido
lquido
fusin
sustancia amorfa
slido
lquido
reblandecimiento
T
T
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
Lquidos.
Es un estado intermedio entre el slido y el gaseoso.
A elevadas temperaturas las propiedades del lquido se acercan a
las del gas no perfecto y a bajas temperaturas a las de la sustancia slida.
Un liquido se puede explicar representando su estructura como la
acumulacin
de
agregados
ultramicroscpicos
significativamente
deformados, o bien en forma de una malla estructural continua, en la cual
los elementos de orden estructural estn limitados por los vecinos ms
cercanos.
La primera suposicin significa que un gran numero de islotes
cristalinos estn divididos por zonas de partculas de desordenada
disposicin.
La segunda suposicin lleva a la representacin casi cristalina del
lquido en la cual el orden del cristal se va perdiendo capa a capa.
Es difcil decir qu punto de vista es preferible.
Lo importante es que en el lquido existe un orden determinado, el
que es tanto ms superior cuanto ms se acerca el lquido al punto de
fusin.
Lquidos cristalinos.
Estos lquidos se diferencian de los corrientes por su anisotropa.
sta se revela de manera ms notable en sus propiedades pticas .
Estos lquidos cristalinos se observan en muchos compuestos
orgnicos de grandes molculas, generalmente de forma alargada.
En un lquido corriente la orientacin y disposicin de las molculas
son completamente arbitrarias. En otras palabras, en el movimiento trmico
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO V
lquido amorfo
lquido cristalino
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
nemtico
esmtico
colestrico
FISICA ELECTRONICA
18
incoloro
rojo
amarillo
verde
azul
MODULO V
violeta
incoloro
de
las
molculas
Torsionada o giratoria :
en una placa la orientacin de
las molculas es paralela a esta y en la otra perpendicular. En
este caso la orientacin de las molculas gira 90 de una placa
a otra.
Las propiedades pticas de estos cristales son alteradas
fuertemente por campos elctricos, magnticos y fuerzas mecnicas.
Debido a su simetra cristalina se comportan como cristales
uniaxiales cuyo eje ptico es paralelo a la direccin de alineacin de las
molculas.
Son birrefringentes (su birrefringencia es siempre positiva) y la
constante dielctrica, la susceptibilidad magntica y la resistividad son
anistropas.
Estas propiedades permiten la fabricacin de deflectores y
moduladores magneto-pticos. Una de las aplicaciones ms difundidas es
su empleo en la fabricacin de visualizadores o displays de cristal lquido
(LCD).
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
Visualizadores ( Displays)
En particular para visualizadores se emplean cristales nemticos.
En la figura siguiente se muestran los tres modos de visualizacin
de un LCD:
LCD
LCD
LCD
Trasmisivo
Reflectivo
Transflectivo
Tcnica empleada
Ventajas
Inconvenientes
Dispersin
nemtica
sencillez de construccin
no necesita polarizadores
mayor conductividad
mayor consumo
vida mas corta
Nemtica
Giratoria
Anfitrin
invitado
posibilidad de colores
mayor brillo
mayor ngulo visual
menor distorsin por paralaje
FISICA ELECTRONICA
20
bajo contraste
mayor tensin de operacin
MODULO V
Modo de funcionamiento
Aparte del cristal lquido con el correspondiente circuito de
polarizacin el display cuenta con el siguiente arreglo de elementos :
polarizador
espejo
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
sin polarizacin
polarizador cristal lquido
polarizador
espejo
polarizador
22
MODULO V
espejo
Lquidos amorfos.
Estos lquidos se diferencian de los cristalinos por su isotropa (no
tienen direcciones privilegiadas en su seno). Esto se debe a que las
molculas en su interior, debido al efecto trmico efecta movimientos
caticos tanto de traslacin como de rotacin.
No es objeto de este curso profundizar en este tema.
Volver
Vidrios.
Un vidrio es un material formado por enfriamiento del estado lquido
normal. En ese proceso sufre un cambio no discontinuo tal como la
cristalizacin hacindose ms rgido debido a un aumento de la viscosidad .
Se asume normalmente que un lquido se convierte en vidrio
cuando su viscosidad es superior a 103 poises.
Consideramos por lo tanto que un vidrio es un cuerpo slido con un
denso empaquetamiento de tomos. Estos se caracterizan por no mantener
entre s las distancias regulares y ordenadas que mantienen los cristales.
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
Polmeros
Se llaman polmeros a los cuerpos cuyas molculas estn
formadas por un gran nmero de grupos que se repiten, llamados unidades
monmeras . Los grupos que se hallan en los extremos de la molcula,
llamados grupos finales, se diferencian por su estructura de las unidades
monmeras fundamentales. El nmero de unidades monmeras que hay en
una molcula recibe el nombre de grado de polimerizacin.
Los polmeros se dividen en lineales y tridimensionales:
FISICA ELECTRONICA
24
MODULO V
* En los tridimensionales
aparecen enlaces transversales
de manera que constituyen una
red espacial.
No son fusibles ni solubles;
solamente se pueden hinchar en
un disolvente, absorbiendo una
cantidad limitada del mismo,
pero
conservando,
en
lo
fundamental, las propiedades del
slido.
Polietileno
HHHHHHH
... -C-C-C-C-C-C-C- ...
HHHHHHH
Tefln
F F F F F F F
...-C-C-C-C-C-C-C-...
F F F F F F F
Poliestireno
H H H H H
-----C----C----C----C----C----
H C H C H
CH CH CH CH
CH CH CH CH
CH
CH
Volver
O. VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
MDULO VI
MATERIA CONDENSADA
EFECTO DE LAS IMPUREZAS EN LOS
SLIDOS
Objetivos:
Estudiar cmo se alteran sustancialmente las propiedades
de un material mediante el agregado de impurezas. En
particular, el inters del estudio es la modificacin de las
propiedades pticas y elctricas.
O.VON PAMEL
S. MARCHISIO
INDICE:
MDULO VI
Metalizaciones
- Impurezas en aisladores
- Partculas en el slido cristalino
- Efecto de las impurezas en los slidos amorfos
- Efecto de las impurezas en los polmeros
- Efecto de las impurezas en los vidrios.
FISICA ELECTRONICA
MODULO VI
tomo intersticial
O
O
Impureza sustitucional
tomo de otra especie que reemplaza
a otro de la red
Impureza intersticial
tomo de otra especie que ocupa un
intersticio de la red
O.VON PAMEL
S. MARCHISIO
dislocacin de arista
O
O
Aleaciones:
Una aleacin se forma cuando a un material base se le hacen
agregados de otros materiales llamados aleantes.
Tiene como fin obtener una sustancia que posea determinadas
propiedades diferentes de las que poseen sus componentes aisladamente.
Estas propiedades dotan a cada aleacin de una utilidad especfica, por lo
general vinculada a mayor resistencia a la corrosin, maleabilidad, etc.
En general el trmino aleacin se emplea para los compuestos
metlicos, aunque en la actualidad tambin se ha extendido esta
denominacin a combinaciones de compuestos no metlicos.
Las aleaciones pueden ser del tipo sustitucional o intersticial.
En el presente curso hablaremos de los efectos de los materiales
aleantes cuando estos estn en una proporcin respecto al material base
mayor al 1/1000. Si la proporcin es menor, los llamaremos impurezas y
hablaremos de sus efectos.
Volver
FISICA ELECTRONICA
MODULO VI
Introduccin
Las impurezas, an en pequeas cantidades, tienen un efecto
importante sobre las propiedades mecnicas, elctricas y pticas de los
materiales.
Como vimos, estas impurezas pueden ser intersticiales
sustitucionales. Podemos caracterizarlas de la siguiente manera:
O.VON PAMEL
S. MARCHISIO
Impurezas en semiconductores
En gran parte de las
aplicaciones
prcticas se requieren
O O O O O
semiconductores en los que se
O O O O O
haya realizado la sustitucin de
tomos de la red por tomos de
O O O O
impurezas
en
pequeas
O O O O O
cantidades.( un tomo en 106 a 109
).
O O O O O
Debido al gran desarrollo
tecnolgico que histricamente se ha alcanzado en torno al germanio y el
silicio, los emplearemos como ejemplo de los principales semiconductores a
estudiar.
De todos modos cabe destacar que existen otros materiales
semiconductores que rpidamente los van desplazando en la actualidad; tal
es el caso del AsGa .
IIIB
IV B
VB
1 0 ,8 1
1 2 ,0 1
1 4 ,0 0
15
13
14
Al
Si
2 6 ,9 8
2 8 ,0 8
3 0 ,9 7
31
32
33
Ge
As
6 9 ,7 2
Ga
7 2 ,5 9
7 4 ,9 2
49
50
51
In
Sn
Sb
1 1 4 ,8 2
1 1 8 ,6 9
1 2 1 ,7 5
81
82
83
Ti
2 0 4 ,3 7
Pb
Bi
2 0 7 ,1 9
2 0 8 ,9 8
IIIB
IV B
VB
Al
Si
Ga
Ge
As
In
Sn
Sb
Ti
Pb
Bi
FISICA ELECTRONICA
MODULO VI
Para : C, Si y Ge
a = 5,56 , 5,13
y 5,66 0A
respectivamente
.
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
O.VON PAMEL
+4
En el anlisis no
debe olvidarse, sin embargo,
que los fenmenos ocurren
en el espacio.
+4
S. MARCHISIO
IIIB
IV B
V B
1 0 ,8 1
1 2 ,0 1
13
14
A l
S i
2 6 ,9 8
2 8 ,0 8
1 4 ,0 0
15
En nuestro caso
concreto
de
semiconductores de Si
o Ge (grupo IV de la
tabla peridica), los
tomos de impurezas
corresponden al grupo
V.
3 0 ,9 7
31
32
33
G a
G e
A s
Observamos
adems
en la figura,
6 9 ,7 2
7 2 ,5 9
7 4 ,9 2
que
aquellos
49
50
51
elementos de la tabla
In
S n
S b
peridica que guardan
1 1 4 ,8 2
1 1 8 ,6 9
1 2 1 ,7 5
en todos los aspectos
81
82
83
mayor semejanza con
T i
P b
B i
los tomos de SI y Ge
2 0 4 ,3 7
2 0 7 ,1 9
2 0 8 ,9 8
son el fsforo (P) y el
arsnico
(As).
La
impureza encajar sin dificultad en la estructura covalente quedando un
electrn sobrante.
ste queda sin cumplir funcin alguna en los enlaces que
mantienen la unidad del cristal y realiza movimientos orbitales alrededor de
la impureza.
Las impurezas de este tipo, tomos pentavalentes que suministran
al cristal electrones que pueden ser liberados fcilmente, (con energas
menores a 0,1 eV) son las impurezas donantes.
.
+4
+4
El semiconductor as
constituido es de tipo n porque
conduce
la
corriente
principalmente
mediante
electrones
de
conduccin
cargados negativamente.
+4
.
+4
+4
+5
+4
FISICA ELECTRONICA
+4
En
este
caso
semiconductor
tipo
n,
electrones de conduccin son
portadores
mayoritarios
corriente.
+4
MODULO VI
de
los
los
de
IIIB
IV B
1 0 ,8 1
1 2 ,0 1
1 4 ,0 0
13
14
15
A l
S i
2 6 ,9 8
2 8 ,0 8
31
32
33
G a
G e
A s
6 9 ,7 2
7 2 ,5 9
7 4 ,9 2
49
50
In
S n
S b
1 1 8 ,6 9
1 2 1 ,7 5
1 1 4 ,8 2
81
82
T i
P b
2 0 4 ,3 7
2 0 7 ,1 9
V B
Los
tomos
que
pueden
constituirse en impurezas debido a su
similitud con los de Si o Ge son el aluminio
(Al), el galio (Ga), y el indio (In).
3 0 ,9 7
51
83
B i
2 0 8 ,9 8
.
+4
+4
+4
.
+4
+3
+4
+4
+4
+4
O.VON PAMEL
En
este
caso
la
circulacin de corriente se explica
por desplazamiento de los
huecos o faltantes de electrones,
que se constituyen en portadores
mayoritarios para el material tipo
p.
S. MARCHISIO
Nota
debido a lo cual:
cm
/seg.
Volver
FISICA ELECTRONICA
10
MODULO VI
El diagrama de bandas de
energa de un material semiconductor
puro se altera por el agregado de
impurezas.
Es necesario ubicar en l los
estados de energa permitidos de los
tomos donantes y aceptantes, segn
sean los materiales tipo n o p
respectivamente.
El
electrn
Energa de los electrones
sobrante
del
tomo
banda de conduccin
donante no se encuentra
Ec
en libertad de deambular
Ed
O.VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
Nota :
Eg
Ea
Ev
banda de valencia
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO VI
Nota :
.11A
. 14
1,12 eV
.2A
.3 .32
.35D
.17
.26
.25A
.43 .36A .45A
.34A
.53
.
.5 .5 .48
.55 .36 .49D
.45D .33D .3
.3D .19D
.22
.31A .28 .27
.25 .25A
.26 .25
.3
.37
.51 .51
1,12 eV
donantes
.4
.53
.34D .33D .5D .5D .4
.4
aceptantes
.3 .34
.072 .16
.35D
.35
.17 .26 .29D
.045 .067
B Al Ga In Tl Pd Na Be Zn Au Co V Ni Mo Mg Zr Ge Cu K Sn W Pb O Fe
Bandas de impurezas.
Cuando la concentracin de impurezas es muy grande (Ni >1018)y
los niveles donantes (o aceptantes) interaccionan entre s, el principio de
exclusin de Pauli provoca el desdoblamiento de niveles generando una
banda permitida de impurezas dentro de la banda prohibida del cristal.
Las siguientes figuras representan los modelos en este caso.
O.VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
banda de conduccin
banda de las impurezas donantes
Ec
banda de conduccin
Ec
Ev
Ev
banda de valencia
banda de valencia
E n er g a d e los electr on es
ba n d a d e con d u ccin
. Ec
Eg
Eg = 0
. Ev
ba n d a d e va len cia
Impurezas indeseables.
En muchos procesos de fabricacin de cristales es imposible evitar
que el material puro no incorpore impurezas indeseables.
Las impurezas indeseables agregaran niveles energticos al
material, algunos de los cuales, - los que se encuentran dentro de la banda
prohibida -, alteraran las propiedades elctricas y pticas del material.
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO VI
niveles de impurezas
banda de valencia
Nota:
Las imperfecciones cristalogrficas de la red (dislocaciones, etc)
generan, del mismo modo que las impurezas indeseables,
niveles
energticos dentro de la banda prohibida. Puesto que stos alteraran las
propiedades del material, se busca que estas imperfecciones sean las
menores posibles.
Nota:
Se pude considerar a la superficie del material como una
discontinuidad de la red cristalina. En consecuencia, sobre sta existirn
enlaces incompletos que darn lugar a la aparicin de gran nmero de
estados cunticos.
Es decir esto causar que en la superficie del material exista un
mayor nmero de estados cunticos que en su interior. Es esperable por
ello que las propiedades en la superficie del material sean distintas a las de
su interior. Ms adelante analizaremos este tema con mayor profundidad.
Impurezas en conductores.
Como es previsible, las impurezas no existen slo asociadas a los
semiconductores. Las impurezas en un conductor generarn niveles
energticos que caern necesariamente dentro de la banda continua
conduccin-valencia de ste. Sus efectos sern la alteracin de las
propiedades elctricas y magnticas del material puro.
En la figura siguiente se observa la resistividad de tres muestras de
sodio con impurezas diferentes.
Obsrvese que se puede escribir:
= i + t ,
O.VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
i
(resistividad
residual)
es
la
resistividad
del
metal debido a las
impurezas.
sta
resulta
independiente de la
temperatura,
aunque vara de
una muestra a otra.
(Resistividad) en .m
2.10
-2
1.10
-2
t es la resistividad
debida
a
las
vibraciones trmicas, por lo cual aumenta con la temperatura.
10
20 T ( K)
Volver
Metalizaciones
Las metalizaciones que se emplean en los circuitos integrados
constituyen un ejemplo de material que es frecuentemente objeto de
impurificacin. La metalizacin en integrados se realiza tanto para hacer
contactos al semiconductor como para transportar la corriente de un
dispositivo a otro del circuito integrado, formando las denominadas pistas
conductoras.
Las metalizaciones ocupan alrededor del 60% del rea de un chip y
por lo tanto tienen una influencia esencial en todos los aspectos
relacionados con la reduccin del tamao de los chips. Del mismo modo, la
mayor parte de los fallos detectados en los circuitos integrados se debe a
las metalizaciones.
Para mejorar las prestaciones de stas, los metales empleados se
impurifican para mejorar sus propiedades, estas impurificaciones dependen
del uso y del problema a resolver.
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO VI
O.VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
Impurezas en aisladores.
En la banda prohibida de un material, sea cristalino o no, aparecen
niveles debido a imperfecciones de diverso tipo, tales como dislocaciones,
tomos de impurezas extraos, tomos del material en exceso o defecto,
estructuras en forma de mosaico, etc.
Tengamos en cuenta que estos niveles en un aislador son muy
pocos y por lo tanto no alteran la posicin energtica del nivel de Fermi, el
cual se encuentra aproximadamente en el centro de la banda prohibida.
Estos niveles en cuanto a sus efectos son totalmente equivalentes a
los de impurezas; por este motivo hablaremos indistintamente de ambos.
Estos niveles aparecen distribuidos en todo el Gap, obviamente,
algunos ms cerca de la banda de conduccin y otros ms cerca de la
banda de valencia, segn sea su origen. En particular, los niveles
provenientes de dislocaciones y otros defectos de la red aparecern cerca
de la banda de conduccin.
En general en los aisladores podemos encontrarnos con dos tipos
de niveles: los indeseables y los que pueden ser incorporadas a stos para
obtener propiedades especficas.
Existen diferencias en el origen y la ubicacin energtica de estos
niveles en el aislador segn sea el tipo de enlace molecular y/o su
estructura cristalina, a saber:
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO VI
Eg 5 eV
banda de valencia
Nota:
Nota:
banda de conduccin
O.VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
electrn de conduccin
electrn de valencia
hueco
F
m = --------a
electrn libre
electrn de conduccin
electrn de valencia
hueco
masa
carga
me
m*c
m*v
mh
e
e
e
+e
20
MODULO VI
el fotn
el fonn
el plasmn
interaccin
fotn
asociada a
electromagntica
energa
momento
emisin por
decaimiento
electrnico
E = h
p = h/c
E = h
p = h/v
con v << c
fonn
mecnica
vibracin
de la red
plasmn
mecnica
vibracin
colectiva de
electrones o
huecos
E = h
Fotn.
Es la partcula asociada a una radiacin electromagntica.
Su energa
E = h
Su momento
p = h / c
Su masa
m = E / c2
de la luz )
Fonn
El fonn es la partcula asociada a una vibracin mecnica de la
estructura cristalina.
La onda de vibracin mecnica se propaga y su energa esta
cuantificada y asociada a la frecuencia de vibracin.
O.VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
El momento p = h / v = h / ,
toda onda que viaja a la velocidad v .
siendo
= v / ,como en
y el momento
Plasmn
El plasmn es la partcula asociada a una vibracin mecnica
colectiva de los electrones o los huecos. La onda de energa mecnica se
propaga en el gas de electrones o de huecos.
Su energa esta cuantizada y puede hallarse una frecuencia
asociada a ella.
Para que un plasmn pueda propagarse, es necesario que la
densidad de portadores sea muy grande debido a que la energa pasa de
uno a otro por interaccin entre ellos.
El plasmn es de mayor importancia prctica en los metales donde
el nmero de portadores es del orden de 1023 electrones / cm3.
Las frecuencias del plasmn en los metales es del orden de las del
rango lumnico, pero no debe olvidarse que la naturaleza de la vibracin es
mecnica.
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO VI
O.VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
log
+2
(CH(ASF2)x)n
La
conductividad
elctrica de estos
materiales en funcin
de la temperatura se
representa
en
la
figura.
( CHIx)n
(CHBrx)n
-2
-4
-6
5%
molar
15%
10%
Tc = 0,3 K
106
Grafito
+AsF5
10 5
(SNb0,4)x
Fe
(SN)x
104
Si
103
102
n-Ge
{CH(AsF6 )0,1}4
{(PPP) (AsF6)0,4}4
101
100
El polmero con
mayor
conductividad
elctrica que se ha
desarrollado es el SNBr.
Su conductividad se ubica
tan slo dos rdenes de
magnitud por debajo del
cobre.
KCP
{(PPS)(AsF6)1,45}4
{PPV(AsF5)}4
50
100
150 200
250
300 350
T ( K)
En el contacto
metal-polmero ste acta
como un semiconductor.
FISICA ELECTRONICA
24
MODULO VI
Indice de refraccin
1.49
1.48
Indice de refraccin
1.47
.
1.46
.
1.45
60
30
30
60
radio de la fibra
O.VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
n2 sen 2 = n1 sen 1
por lo tanto:
sen 2 = n1 /n2 sen 1
si n1 > n2
n2
n1 < n2
i
c
n2
Es fcil ver que cuanto mayor sea r menor ser la prdida por
refraccin en la fibra ptica.
FISICA ELECTRONICA
26
MODULO VI
D.sen
27
S. MARCHISIO
Los
materiales
usados en esta aplicacin
son cuarzo, Slice, LiNbO3
y BSO .
sustrato
Materiales no lineales :
Son aquellos en los cuales la respuesta del slido a la luz presenta
un comportamiento super lineal.
El comportamiento no lineal ms conocido es el efecto de inversin
de poblacin que da lugar a la emisin lser.
Los materiales utilizados como lseres los podemos dividir en
materiales dielctricos o aisladores y semiconductores.
La tabla de la pgina siguiente muestra los lseres sintonizables de
matriz dielctrica, que, como se puede ver, combinan la impureza que emite
la radiacin con la matriz que los contiene.
FISICA ELECTRONICA
28
MODULO VI
el
rang o d e
o p eracio n
660-986
1520-2280
1650-2280
1700-2260
1600-1740
708.5
745
658-720
729-809
980-1090
735-820
742-842
766-820
785-865
1070-1150
1240-1340
1825-1020
tep eratu ra
d e trab ajo
RT
80K
80K
77K
77K
77K
77K
>80K
80K
<210K
77K
77K
RT
RT
RT
77K
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
RT
80K
RT
Volver
O.VON PAMEL
29
S. MARCHISIO
Mdulo VII
Objetivos :
Estudiar el comportamiento de los cristales frente al agregado de energa
externa de distinto tipo:
Energa trmica
Energa radiativa
Energa mecnica
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Piezoelectricidad
- Explicacin cuntica
- Cristales de cuarzo
- Fabricacin de laminas de cristal de cuarzo
- Aplicaciones del efecto piezoelctrico
FISICA ELECTRONICA
MODULO VII
Ec
Ev
Entonces, el incremento de
energa de un hueco, se representa
por un hueco que se mueve hacia
abajo en la banda de valencia.
Ev
Es
importante
que
consideremos por ltimo, que el
nivel ms bajo en la banda de
conduccin determina la energa
del electrn de conduccin cuando
est en reposo, es decir, su energa potencial; por lo que Ec es el nivel que
marca la energa potencial del electrn.
En forma anloga, el extremo superior de la banda de valencia Ev
representa la energa potencial de un hueco.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Nota :
Radiacin
Conduccin
Conveccin
Calentamiento Joule
Calentamiento por prdidas dielctricas a alta frecuencia.
Etc.
FISICA ELECTRONICA
MODULO VII
Nota :
00K.
Sabemos
por
Termodinmica, que en estas
condiciones, la energa promedio
de los tomos de la red es mnima.
Ei
A 0 0 K estarn ocupados
todos los niveles energticos permitidos hasta el nivel E1, quedando vacos
todos los estados permitidos por encima de ste.
A temperatura ambiente, la energa promedio de los tomos de la
red aumenta.
Energa
Estados
Estados
parcialmente
ocupados
1,3 eV a 300 0K
Ei
Estados
ocupados
T0
T>0
conductor
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Energa
Ei
En cambio en caso de un
aislante, -con Eg 2 eV-, el efecto
energtico de la temperatura no es
suficiente para generar portadores
en la banda de conduccin.
AsGa
Si
Ge
En
el
caso
de los
conductores, el efecto de la
temperatura los hace que los electrones puedan trasladarse a niveles ms
altos de energa, que estaban vacos a 0 0K.
En algunos casos puede incluso lograrse extraer electrones del
metal.
Efecto termoinico
Emisin de electrones en los metales por efecto trmico
Para liberar un electrn de un cuerpo, es decir, para que el electrn
sea emitido por la superficie, ste debe tener:
una cantidad de energa suficiente para vencer las fuerzas
superficiales que lo ligan al cuerpo.
una velocidad dirigida hacia el exterior.
FISICA ELECTRONICA
MODULO VII
Energa
vaco
metal
energa de un
electrn en
reposo en el
vaco E0v
vaco
W
Eb = E0v E0m
E1
x
energa de un electrn en
reposo en el metal E0m
sta depende
del material y del
estado de la superficie.
La
energa
suplementaria
por
sobre la ms alta a
00K, (E1 en la figura),
que hay que proveer
para la emisin, es la
llamada trabajo de
extraccin o funcin
trabajo del material
W. Normalmente se
expresa:
W = Eb E1
siendo
Eb : energa barrera
E1 : energa ms alta de
eW
/k
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
A0 x104
amp/m2/grado2
60,2
16,2
60,2
26,8
32,0
60,2
60,2
60,2
b0
54500
21000
49900
32100
61700
47600
39400
52400
Ew Punto de fusin 0K
eV
4,70
..............
1,81
301
4,30
2895
5,00
1725
5,32
2047
4,10
3123
3,40
2118
4,52
3655
de
de
de
es
En la figura se observa la
variacin de la densidad de emisin
en funcin de la temperatura para
el tungsteno en su margen normal
de trabajo.
Emisin ( A/ cm2 )
2,0
1,5
De
todo
lo
anterior
podemos
deducir
que
las
condiciones que deben reunir los
materiales
adecuados
para
funcionar
como
emisores
electrnicos son:
1,0
0,5
0
2400
2500
2600
2700
Temperatura K
MODULO VII
Material
Tungsteno
Tungsteno toriado
Revestidos de oxidos
b0
60,20 52400
3,00 30500
0,01 11600
Ew
eV
4,52
2,60
1,00
Rendimiento de
emisin
mA/Vatio
4 a
20
50 a 100
100 a 10000
Temperatura de trabajo
0
K
2500 a 2600
1900 a 2000
1000 a 1200
Semiconductores intrnsecos
ni (cm -3 )
1018
1017
1016
1015
GaAs
Si
Ge
1014
Eg = 1,4 eV
1,1
0,7
1013
1012
1011
1010
0,5
1,0
1,5 2,0
O. VON PAMEL
2,5
3,0 3,5
1000 / T(0K)
S. MARCHISIO
1019
1018
1017
1016
1015
1014
1013
1012
1011
1010
109
108
portadores /cm3
para el Silicio
a 0K
entre :
T=100 0C
y 0 0C
n
1000
1200
900
700
600
500
450
400
350
320
290
265
250
De acuerdo a lo ya
analizado,
la
concentracin
intrnseca es una funcin de la
energa vibracional de la red o
temperatura.
Por otro lado, ni es
funcin de la energa requerida
para romper un enlace, es decir,
de Eg.
ni e Ea / kT
Eg
/2
FISICA ELECTRONICA
10
MODULO VII
Nota :
Semiconductores extrnsecos
Tipo n
Segn vimos en los semiconductores extrnsecos tipo n, los
donantes suministran niveles de energa que estn representados como
niveles localizados en la banda prohibida.
La diferencia de energa entre Eg y Ed corresponde a la energa de
ionizacin del electrn adicional del donante, el cual, al ganar esta energa,
pasa a la banda de conduccin.
Esto ocurre para los donantes a temperaturas ms bajas que en el
caso del semiconductor intrnseco.
Aproximadamente a 50 0K prcticamente todos los tomos de
impurezas estn ionizados con lo que se alcanza lo que se llama
ionizacin completa.
Podemos afirmar que dada esta condicin, la concentracin de
electrones n = Nd donde Nd es la concentracin de impurezas donantes del
cristal.
A partir de la temperatura para la cual se produce la ionizacin
completa, Nd es independiente de ella.
Podemos ver en la figura la dependencia con la temperatura de la
concentracin de portadores en un semiconductor extrnseco tipo n.
n ( c m -3 )
3 .1 0
Segn la figura
vemos que a bajas
temperaturas, (regin
1), la concentracin de
electrones n proviene
de
las
impurezas
donantes.
S ilic io tip o N
16
2 .1 0 1 6
n
1 .1 0 1 6
ni
0
O. VON PAMEL
0
1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0 511
00 600 700
T (0K )
S. MARCHISIO
n (cm -3)
3.10
16
2.1016
n
Si
1.1016
Ge
ni
En
ella
se
observan
las
concentraciones
de
portadores
con
la
temperatura
del
Si
dopado con arsnico
(1,15 e16 tomos/cm3 ) y
del Ge dopado con
arsnico
(
7,5.e15
3
atomos/cm ).
0
0
Tipo p.
Si analizamos lo que ocurre en el caso en que los tomos de
impurezas son aceptantes, las condiciones son similares.
FISICA ELECTRONICA
12
MODULO VII
Nd > N a
p = Na Nd
Na > N d
si
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
Ec
Ef
Ev
En la banda de conduccin
hay gran nmero de estados. Sin
embargo,
la
probabilidad
de
ocupacin de estados por los
electrones es pequea, por esto
habr muy pocos electrones en la
banda de conduccin
f(E)
FISICA ELECTRONICA
14
MODULO VII
Ef
f(E)
1 f(E)
O. VON PAMEL
Ef
15
S. MARCHISIO
para E > Ef .
para E < Ef .
Nota 1.
Nota 2
N ( Ec ) = Nc f (E) E
0
Nota 3
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO VII
can tidad de
electron es
libres
Ec
can tidad de
h uecos
Ef
can tidad de
electron es
ligados
Ev
Nota 4
17
S. MARCHISIO
En la figura
se esquematiza esta
variacin para un
material N, en la que
por simplicidad se ha
omitido
la
disminucin que sufre
Eg con el aumento de
la temperatura
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO VII
N i = 1 0 12
E F - E i (e V )
0 ,6
0 ,6
0 ,4
0 ,2
0
-0 ,2
-0 ,4
-0 ,6
N i = 1 0 16
N i = 1 0 18
Ec
N
Ei
P
Ev
150
300
450
600
T (0K )
Volver
Semiconductores en equilibrio con el medio ambiente
Concentracin de electrones y de huecos.
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
peso atmico o
molecular
tomos/cm 3 o
moleculas/cm 3
estructura del
cristal
Ge
72,60
Si
28,09
AsGa
114,63
SiO2
60,08
4,42 x 1022
5 x 1022
2,21 x1022
2,3 x1022
Diamantina
8 tomos por
celda unitaria
Diamantina
8 tomos por
celda unitaria
Zinc-Blenda
8 tomos por
celda unitaria
Red aleatoria
tetragonal de
SiO4
50% coovalente
50% inica
cte. de la red
cristalina (A0)
densidad
(g/cm3)
salto de
energa (E g)
(eV)
5,56
5,44
5,65
------------
5,32
2,33
5,32
2,27
1,67
1,11
1,40
1,44 x 1019
2,08 x 1019
7 x 1018
------------
6 x 1018
1,04 x 1017
4,7 x 1017
--------------
densidad efectiva
de estados
banda de
cond. Nc ( cm 3
)
banda de val.
Nv ( cm -3 )
n = Nc e ( Ec Ef ) / kT
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO VII
Ei = ( Ec + Ev ) + kT ln ( Nv / Nc )
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
Efinal = Einicial + h c / .
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO VII
estados
vacos
El proceso de absorcin de
radiacin electromagntica se ilustra
en la figura para un semiconductor
puro a 0 0K.
Ef
hc/
E Fermi
estados Ei
ocupados
fotn
estados vacios a 0 K
Ef
Eg1
Ef
Eg2
Ei
Eg1 > Eg2 > hc /
0
estados ocupados a 0 K
hc /
En
el
caso
de
los
semiconductores y aislantes, para
valores de la longitud de onda tales que
la energa del fotn es menor que el
ancho de la banda prohibida Eg , la
condicin requerida no puede ser
satisfecha.
ser
absorbida
en
el
Respuesta espectral
El valor c correspondiente al signo igual de la frmula anterior
determina la longitud de onda de corte o umbral de longitud de onda larga:
c = h c / Eg = 1,24 / Eg ( eV) ( m )
Que obviamente depender de cada material.
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
En el Ge
Eg = 0,67 eV
c = 1,73 m
En el
Si
Eg = 1,1 eV
c = 1,13 m
En el
AsGa
Eg = 1,3 eV
c = 0,903 m
En el
PGa
Eg = 1,8 eV
c = 0,700 m
infrarrojo
75
50
25
0
0.5
1.7 (m)
0.9 1.13
FISICA ELECTRONICA
24
MODULO VII
Fotoemisin en conductores.
metal
K
X
O. VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
construccin de un tubo
fotoelectrnico tpico
Luz
Ctodo
FISICA ELECTRONICA
26
MODULO VII
banda de conduccion
nivel donante
ED
EA
nivel aceptante
banda de valencia
Nota :
Obsrvese que estos casos
en menor medida tambin son
posibles:
ba nda de c ondu c c i on
Ed
En la figura se agreg un
nivel de impurezas en el centro de
la banda Ei.
Ei
Observe
que
las
transiciones que comienzan en Ea
suponen que este estado este
ocupado y Ed y Ei vacos.
Ea
Suposicin
anloga
transicin Ei, Ed
ba nda de va l e nc i a
para
la
Nota
O. VON PAMEL
27
S. MARCHISIO
Nota
Nota :
Nota :
Comparemos los distintos efectos:
Fenomenos termicos Fenomenos radiativos
efecto
termoionico
fotoelectrico
produce
emision de electrones emision de electrones
se produce por absorcion de energia absorcion de fotones
interna
se produce a altas temperaturas del temperatura ambiente
material
efecto
fotoelectrico interno fotoelectrico interno
semiconductores
transiciones
produce
transiciones
electronicas banda a electronicas banda a
banda
banda
se produce por absorcion de energia absorcion de fotones
interna
de energia mayor a
Eg
se produce a
temperaturas
temperatura ambiente
mayores que Eg
efecto
fotoelectrico interno
aislantes
produce
transiciones
electronicas banda a
banda
se produce por
absorcion de fotones
de energia mayor a
Eg
conductores
FISICA ELECTRONICA
28
MODULO VII
Volver
Piezoelectricidad
El efecto piezoelctrico fue observado por primera vez por Pierre
Jacques Cune, quien al aplicar un peso (deformacin) a un cristal de
cuarzo detect una carga elctrica proporcional en su superficie.
Es decir en sus caras surgen cargas elctricas distintas. Al invertir
la deformacin se invierte el signo de las cargas.
Un ao despus se demostr el fenmeno contrario: al aplicar una
tensin elctrica al cristal se obtiene un desplazamiento (deformacin)
proporcional a sta.
Adems : al invertir la polaridad de la tensin aplicada se
cambia el sentido del desplazamiento de sta.
O. VON PAMEL
29
S. MARCHISIO
El efecto piezoelctrico se
produce a lo largo de los ejes elctricos
del cristal X1 , X2 , X3, perpendiculares a
su eje ptico.
Z
X3
X1
El efecto piezoelctrico se
observa en cristales de: cuarzo,
turmalita, sal de Rochelle, titanato de
X2
Ec
EF
Ev
Si se deforma el
material en toda su
extensin
en
forma
homognea,
solo
se
producir una variacin de
Eg.
Pero
si
la
deformacin
no
es
homognea o si se realiza
en solo una parte del
material, aparecer entre
distintos
puntos
del
material una variacin de
las energas EC y Ev, la
que traer aparejada la
aparicin de una tensin
microscpica V
FISICA ELECTRONICA
30
MODULO VII
Cristales de cuarzo
Los cristales de mayor uso son los cristales de cuarzo (SiO2) .
Estos se cortan en laminas o placas de distintas formas y tamaos
para darles propiedades determinadas.
Al cortar un cristal de cuarzo en bruto siguiendo distintos ngulos
segn los ejes, se puede obtener una gran variedad de placas con
diferentes propiedades de frecuencia y temperatura.
Ciertas placas obtenidas con este procedimiento se denominan
placas normales y se clasifican en dos grupos X e Y.
La dimensin del espesor de las placas del grupo X es normal al eje
X (eje elctrico) del cristal en bruto del cual se obtuvieron.
En cambio en el grupo Y la dimensin del espesor es paralela al eje
Y (eje mecnico).
La denominacin de las placas normales es: AT, BT, CT, etc.
La frecuencia de resonancia de los cristales depende de las
dimensiones de la placa, en combinacin con el modo de vibracin.
El margen de frecuencias de resonancia que se puede obtener es
amplio, va desde 400 Hz a 125 mhz.
A mayor tamao de placa menor frecuencia de resonancia.
En cuanto al limite superior de frecuencias que se puede obtener,
queda limitado por el tamao ms chico que se pueda ser manejado sin que
se rompa durante su funcionamiento.
Los modos de vibracin del cuarzo son: el Flexor, el transversal y el
longitudinal.
Flexor
O. VON PAMEL
31
S. MARCHISIO
Longitudinal
El
longitudinal
es un movimiento a lo
largo de la extensin de
la placa partiendo del
centro.
Transversal
El transversal,
que es el ms complejo,
consiste
en
el
desplazamiento de dos
planos paralelos de la
placa en sentidos opuestos, conservando estos su paralelismo.
Todos los tipos de vibracin se pueden producir en un modo
fundamental o en uno armnico.
Para cada modo de vibracin se pueden trabajar unas frecuencias
solamente:
Modo flexor
Modo longitudinal
Modo transversal
0,4
40
100
a
a
a
100 KHz
15000 KHz
125000 KHz
L1
C1
La frecuencia de resonancia en
serie depende de los valores de la
autoinduccin distribuida (L1 ) y de la
capacidad distribuida ( C1 )
La frecuencia resonante en
paralelo, depende de los factores ya
mencionados y de la capacidad paralela (C0).
C0
FISICA ELECTRONICA
32
MODULO VII
Terminales
O. VON PAMEL
33
S. MARCHISIO
Volver
FISICA ELECTRONICA
34
MODULO VII
MDULO VIII
La materia en interaccin con el medio
ambiente
Parte 2 : bajo condiciones de no equilibrio
Objetivos :
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Retorno al equilibrio
Expresin general
semiconductor
FISICA ELECTRONICA
del
flujo
de
portadores
en
MODULO VIII
el
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
MODULO VIII
Luz
material tipop
cuando
n . p < ni2
nos
referimos a la extraccin de portadores
del semiconductor .
Niveles de inyeccin .
nno
Concentracin de donantes
Nd =1016cm-3
Para el Si a temperatura ambiente
( T 300 0K ) la concentracin
intrnseca es :
ni = 1010 cm-3
por lo que en condiciones de equilibrio
es:
el Si
n . p = ni2 = 1020 cm-6
Concentracin de portadores n
n
n
18
n
10
pn
1016
1014
pn
Nd
1012
1010
pno
ni para
0
a T = 300 K
108
106
104
102
equilibrio inyeccin inyeccin
bajo
alto
nivel nivel
O. VON PAMEL
nn , pn concentraciones de electrones y
huecos en un semiconductor tipo n
fuera del equilibrio.
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
MODULO VIII
Retorno al equilibrio
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
x
Concentracin de portadores minoritarios
pl
p .G l
p n0
x
pn(t)- pn0
pL - pn0
1.0
0.8
p = 10 ( unidades arbitrarias )
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.1
1
10
t ( unidades arbitrarias )
FISICA ELECTRONICA
MODULO VIII
En vez de
iluminar
la
totalidad de la
muestra,
lo
hacemos slo en
un extremo, de tal
forma
que
la
absorcin
se
produce en una
capa muy delgada.
Una vez ms, despus del pulso, hay generacin de pares electrnhueco, pero ahora slo en el extremo donde la luz es absorbida.
En las condiciones de baja inyeccin que estamos considerando no
se lleva al sistema muy lejos del equilibrio en ningn punto y los portadores
inyectados comparten el movimiento aleatorio (trmico) de la red, al igual
que todos los portadores.
An cuando el movimiento es totalmente aleatorio, habr ms
partculas que se alejen del extremo que recibi el pulso de luz respecto de
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
las que provienen del resto de la muestra, debido a que en ese lugar hay
inicialmente mayor concentracin de portadores. Ocurre as el proceso de
difusin que provoca un flujo que depende de la diferencia o gradiente de
concentraciones de las partculas.
Asociada a este proceso , podemos definir la longitud de difusin
(Lp) como el trecho medio recorrido por los portadores antes de
recombinarse.
Esta longitud es normalmente del orden de 10-2 cm .
p n (x) - p n0
p n (o) - p n0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
1
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
x (unidades arbitrarias )
FISICA ELECTRONICA
10
MODULO VIII
Consideremos
ahora
una
muestra
de
material
semiconductor homog-neo tipo n
iluminada uniformemente como
en el primer caso analizado, pero
ahora
sin
suspender
la
iluminacin.
x
Concentracin de los portadores minoritarios
pn(x)
Fp
Fn
pl
p Gl
pn0
x
la
de
se
un
se
observa en la figura .
Debido a la velocidad de recombinacin mayor
correspondiente a la superficie x = 0 , la concentracin de los portadores
minoritarios en exceso ser menor en este plano que en el cuerpo del
semiconductor .
Resulta de esto que los portadores mayoritarios y minoritarios
difundirn creando un flujo de cargas hacia la superficie donde se
recombinarn.
Debido a que los electrones y huecos se recombinan de a
pares (uno a uno) , el flujo de huecos hacia la superficie ser igual al flujo
de electrones. Es por ello que no habr flujo de corriente neto.
Para describir la distribucin espacial de los portadores
minoritarios inyectados necesitamos considerar diferentes valores para la
magnitud velocidad de recombinacin en el extremo de la muestra.
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
10
0.4
0.2
0
100
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
x ( un idades arbitrarias )
la
pn (x) = pl ( pl pn0 ) e -x / Lp
Volver
12
MODULO VIII
U = ( pn - pn0 ) . 1 / p .
G ter = R ter
( en equilibrio )
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
Ec
Ev
Cuando
se
recombinan
directamente electrones
que se encuentran en
la banda de conduccin
con huecos en la banda
de valencia hablamos
de
recombinacin
banda a banda.
Podemos
( k constante de proporcionalidad )
14
MODULO VIII
G = k . nn0 . pn0
Expresando la velocidad de recombinacin neta como:
U = ( pn - pn0 ) / p .
Como adems:
Tenemos
U=R-G
R - G = k nn0 ( pn - pn0 ) = ( pn - pno ) / p = U
De donde obtenemos :
p =
/ k .nn0
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
a
1
a
2
a : antes
3
d: despus
d
4
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO VIII
Resulta as :
1
p = -----------p vt Nt
siendo :
Volver
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
Ec
Et
Er
Ello se debe a
imperfecciones
luz o calor
llamadas trampas que
Ev
no actan de la forma
descripta
anteriormente, sino que permiten que el electrn (portador generado en
exceso ) en el material p regrese a la banda de conduccin antes de
recombinarse con el hueco.
De esta forma el electrn puede pasar un tiempo considerable
ligado a las trampas (Et en la figura) antes de encontrar un centro de
recombinacin (Er).
En este caso, aunque el tiempo total de vida del electrn puede ser
de varios minutos, solamente una pequea fraccin de ese tiempo
transcurre en la banda de conduccin.
La diferencia entre las trampas y los centros de recombinacin se
basa en al alta probabilidad de que los electrones evadan las trampas y
pasen a la banda de conduccin comparado con la baja probabilidad de que
los electrones se recombinen con el hueco.
En general existen procesos anlogos para los huecos.
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO VIII
Estados metaestables
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
Efecto lser
Este efecto se logra en materiales que presentan estados
metaestables. Consta de tres procesos :
1- inyeccin de electrones a la banda de conduccin por algn
mecanismo, por ejemplo mediante luz;
2- inversin de la poblacin: los electrones decaen al estado
metaestable quedando fuera del equilibrio.
3- emisin de luz coherente: gran cantidad de electrones decae .
emitiendo luz monocromtica coherente .
Para lograr un haz, se refuerza este efecto a lo largo de un eje en el
que en un extremo se coloca un espejo y en el otro un semi espejo.
.
.
.
.
.
.
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO VIII
Cristales centelladores.
banda de conduccin
estados de impurezas
banda de valencia
Expresin general
semiconductor
del
flujo
de
portadores
en
el
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
en equilibrio
fuera del equilibrio ( caso de inyeccin )
Caso del semiconductor en equilibrio ( n . p = ni2 )
Para poder dar la expresin del flujo de portadores en este caso,
conociendo los distintos procesos dinmicos, debemos dar una definicin.
Llamamos flujo F de cualquier especie al nmero de entes de esa
especie que atraviesan la unidad de rea en la unidad de tiempo .
Se hace evidente a partir de lo expresado que un proceso que tiene
lugar en el semiconductor aportar directamente al flujo de portadores si
provee un desplazamiento neto por unidad de tiempo .
En el caso de un semiconductor en equilibrio los distintos procesos
a considerar son :
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO VIII
q p p E q Dp p
x
arrastre
difusin
y la de electrones :
Jn = q n n E
+ q Dn n
x
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
9 Nota :
En el caso del semiconductor fuera de equilibrio la recombinacin
provee una variacin de concentracin por unidad de tiempo (velocidad de
recombinacin neta) y una distribucin de portadores no constante en
algunos casos a lo largo del eje x.
El flujo de portadores que se origina debido a este hecho se
produce mediante el mecanismo de difusin .
La recombinacin en s misma no provee flujo de portadores en el
semiconductor. Los portadores inyectados difunden debido a que existe
recombinacin que hace disminuir las concentraciones de huecos y
electrones; es decir, provee gradiente de concentraciones.
En metales
FISICA ELECTRONICA
24
MODULO VIII
Supongamos
una
barra
metlica que se calienta en forma no
uniforme, segn se ve en la figura .
distribucin de portadores
metal
Obsrvese la distribucin de
portadores en exceso as como la
corriente de difusin.
fuente de
En la tercer representacin
en la figura se mantiene la inyeccin
trmica , mientras que en la
siguiente, sta cesa y se produce el
retorno al equilibrio.
calor
difusin de portadores
El efecto Thompson se
produce cuando al fenmeno de
inyeccin trmica le agregamos el
arrastre de portadores por parte del
campo elctrico.
campo externo
arrastre
difusin
O. VON PAMEL
difusin
25
S. MARCHISIO
En semiconductores
El proceso
ser similar excepto
que tendremos dos
tipos de portadores.
Puede observarse
en la figura la
aparicin de la fem.
calor
de pares
Volver
FISICA ELECTRONICA
26
MODULO VIII
MDULO IX
El proceso de conduccin elctrica
1ra parte :
Conduccin elctrica
objetivos:
En el presente mdulo se pretende lograr tres objetivos
fundamentales :
1- introducir un modelo de conduccin
elctrica en slidos.
2- extender este modelo a gases y lquidos
3- ver ejemplos donde el modelo no rige
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
El proceso de conduccin
Introduccin:
Perturbaciones del movimiento de los electrones en la red
Masa eficaz:
Centros de dispersin ( o desviacin )
Movimiento trmico
Movimiento por campo elctrico
Velocidad de arrastre . Movilidad
Resistividad
Resistividad de un semiconductor
Variacin de la resistividad con la temperatura
Variacin de la resistividad con la iluminacin
Corriente fotoconductiva y resistencia ( L D R )
Difusin
Expresin general del flujo de portadores en el
semiconductor
Conduccin elctrica en campos magnticos : Efecto Hall
Superconductividad.
Modelo de la molcula de dos electrones:
Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
El proceso de conduccin
Introduccin :
Una de las propiedades que distinguen a un slido de otro es su
posibilidad o no de conducir una corriente elctrica.
Recordemos que la intensidad de corriente representa la carga
transportada por unidad de tiempo a travs de una superficie normal a ella
(debe existir entonces un desplazamiento neto de cargas en una direccin
determinada ).
La intensidad depender :
del nmero de cargas que puedan moverse libremente y
de
la velocidad con que lo hagan
Debido a esto , para hablar de intensidad de corriente es necesario
que haya cargas ( electrones o huecos ) que puedan alcanzar niveles de
energa cintica que estn disponibles.
Por ultimo , es importante tener en cuenta que las intensidades son
el resultado de los movimientos de muchsims cargas individuales y no la
componente originada por el movimiento de una cualquiera .
Vamos a analizar por separado cuales son los posibles cambios en
el estado de movimiento de los portadores en el cristal , as como quienes
los generan con el objeto de posibilitar la comprensin de su dinmica.
Msa eficaz:
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Potencial
a
Distancia
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
Potencial
a
a
Los tomos se
hallan ms separados o
ms concentrados en una
regin de lo que lo estn
en la red peridica ideal.
Estas variaciones
alteraran el potencial
elctrico
en
las
proximidades de dichas
regiones , y estas diferencias de potencial representan campos elctricos
aplicados sobre ellas que alteran la direccin y magnitud de la velocidad y
de la cantidad de movimiento de la partcula cargada.
Dispersin por las impurezas:
Nota:
Desde luego , ambas forms de dispersin pueden combinarse ,
cuando por ejemplo , se produzca una compresin vibratoria en una regin
del cristal que contenga un tomo de impureza cargado.
Volver
Movimiento trmico
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
5
6
2
1
7
Puede sintetizarse
lo dicho mediante la
observacin de la figura en
la que se representa en
forma sencilla el tipo de
movimiento
trmico
aleatorio de un electrn.
3
4
Potencial
a
W
.. .
Distancia
.
Potencial
campo electrico
F1
x -a
F2
F3
F4
x+a
Al
incrementar
su
velocidad el electrn tambin
cambia su energa.
Es decir, un electrn no
puede ser acelerado de la
primera a la segunda banda , ni de la segunda a la tercera , en general el
electrn no puede cruzar ninguna discontinuidad de energa .
El proceso de aceleracin es adems compatible con el principio de
exclusin de Pauli, es decir un electrn cambia su velocidad siempre y
cuando el estado que el electrn tenga que asumir este desocupado.
Si esto no sucede el proceso de aceleracin se detiene.
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
2
1
7
7
6
E
3 2
1arrastre del E
Esta
velocidad
adicional,
llamada
velocidad de arrastre , vd ,
tendr
una
direccin
opuesta al campo elctrico
para los electrones e igual
ala del campo para los
huecos.
Se encuentra que
la fuerza resultante crece
con
esta
velocidad
promedio, como en las
fuerzas de origen viscoso.
1
3
4
movimiento combinado del electron en el campo E
La velocidad de
arrastre, por lo tanto ser
proporcional a la intensidad
del campo aplicado.
vd = E
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Nota:
El resultado que aparece en la expresin obtenida para vd proviene
de un anlisis en el que se supone que el tiempo entre colisiones es
independiente del campo elctrico.
Esto es cierto , si la velocidad vd es pequea comparada con las
velocidades trmicas de los portadores ( del orden de 107 cm/seg. para el
silicio a temperatura ambiente ).
Cuando el valor de vd se hace comparable al de las velocidades
trmicas ,su dependencia respecto del campo elctrico se aleja un poco de
la simple relacin de proporcionalidad a la vista .
vd ( cm/seg )
La variacin de vd
con el campo elctrico
puede interpretarse
a
partir de la observacin de
la figura.
10 x106
8
6
4
En
ella
se
representan los resultados
experimentales de vd vs.
E.
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2 x 104
E (V/cm )
Puede observarse
que cuando el campo se
hace suficientemente importante se alcanza una velocidad limite superior
que deja de depender del valor del campo.
Otra conclusin que puede extraerse de las curvas concierne al
valor de la movilidad , en ella se ve claramente la diferencia entre el valor
de las movilidades de los huecos y de los electrones.
FSICA ELECTRNICA
MDULO IX
semiconductor N
podemos
de
su
Si cerramos la llave, el
terminal negativo de la batera
inyectar electrones en el extremo de
la barra.
V(x)
Enseguida
alcanzaran
la
velocidad limite y comenzaran a
moverse con v = cte. , por lo que se
formara un frente de electrones que se
mover a lo largo de la barra con
velocidad constante.
V(x)
V(x)
S. MARCHISIO
E
V(x)
En la figura puede
observarse una muestra
de semiconductor tipo n
sin polarizacin.
semiconductor n
FSICA ELECTRNICA
10
MDULO IX
Los electrones en
la banda de conduccin se
acelerarn
debido
al
campo aplicado.
+2V
Ee
U
Eh
Debido a que en
este proceso la energa
total de los electrones no
cambia significativamente,
el aumento de energa
cintica
traer
como
compensacin
una
disminucin de la energa
potencial.
Este hecho se hace evidente en la ultima figura donde vemos que el
electrn se aleja hacia arriba (ganando energa cintica) del borde inferior
de la banda de conduccin Ec que representa como ya analizramos la
energa potencial del electrn.
Cuando el electrn sufre una colisin (en promedio al haber
recorrido una longitud de colisin) pierde parte de su energa cintica y la
transfiere a la red del semiconductor. Este es el proceso de conversin de
la energa cintica en calor. (este fenmeno se conoce como efecto joule)
A continuacin, luego de que el electrn perdi total o parcialmente
su energa cintica, vuelve a acelerarse repitiendo el proceso. sta es la
forma en que puede esquematizarse la conduccin en el diagrama de
bandas.
En este anlisis consideramos un semiconductor homogneo, es
decir, aqul que posee una concentracin de impurezas uniforme. Por esta
razn, en las figuras anteriores hemos indicado el nivel de Fermi
conservando la misma distancia respecto a la banda de conduccin a lo
largo de toda la muestra.
Nota:
+ 2V
Obsrvese
que
para un semiconductor tipo
p ocurrir lo mismo si
cambiamos electrones en
la banda de conduccin por
huecos en la banda de
valencia.
semiconductor P
Ee
U
Eh
O. VON PAMEL
11
En este caso la
corriente de huecos tendr
la direccin de la corriente
convencional.
S. MARCHISIO
Conductores.
conductor
Aisladores.
En este caso N es muy pequeo respecto de los anteriores y Eg es
grande.
+V
aislador
Ee
U
Por
lo
tanto
el
fenmeno de circulacin de
corriente ser despreciable,
pero s se harn visibles dos
fenmenos
colaterales
observados por la Fsica
Clsica.
FSICA ELECTRNICA
12
MDULO IX
Si aplicamos un campo
elctrico variable en el tiempo,
los electrones en cada semiciclo de este se desplazarn en
contra de la direccin del
campo aplicado, colisionando
segn el modelo propuesto y
cediendo por lo tanto energa a
la red cristalina fenmeno que
conocemos
como
calentamiento dielctrico a altas
Ea
frecuencias.
O. VON PAMEL
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
temp. ambiente
luz
portador de
carga
e
colisiona con
efecto
ion de la red
ion de la red
ion de la red
ion de la red
aumento
temp.red
aumento
temp. red
aumento
temp. red
aumento
temp. red
13
S. MARCHISIO
e,
me
, como
a = F / m
FSICA ELECTRNICA
14
MDULO IX
gas
radiacion
cosmica
e
iones +
e-ion
aumento temp. y
presion gas
liquido polar
dipolos
iones +
iones -
aumento
temp.liquido
Volver
O. VON PAMEL
15
S. MARCHISIO
Resistividad
La densidad de corriente J que fluye a travs del material se
expresa o define por el producto del nmero de electrones por unidad de
volumen que pueden ser acelerados ( n ) , la carga del electrn ( q ) y la
velocidad media vd.
Por lo cual podemos escribir :
n q2 tcol
J = n q vd = n q E = ------------ . F
m*
La resistividad ( resistencia por unidad de longitud de un cristal,
cuya seccin transversal es la unidad de rea ) viene dada por el cociente
entre el campo elctrico E y la densidad de corriente J , es decir :
1
m*
= --------- = ------------nq
q2 tcol n
Resistividad de un semiconductor
FSICA ELECTRNICA
16
MDULO IX
si ND > NA
P = NA - N D
si NA > ND
Nota:
En la figura siguiente se grafica la correlacin entre el nmero de
impurezas y la resistividad , para un semiconductor de silicio impurificado
con fsforo y boro ( dopado n y p ) a temperatura ambiente.
21
1020
Boro
1019
1018
1017
1016
1015
Fosforo
1014
1013
1012
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 104
Resistividad ( / cm )
O. VON PAMEL
17
S. MARCHISIO
18
MDULO IX
1-a metales
1-b semiconductores
2-a metales
En este caso n es casi independiente de la temperatura por lo tanto
si T crece , entonces tcol disminuye , por lo tanto crece al crecer T.
2-b semiconductores ( termistores )
2-b-1 extrnsecos
Segn hemos visto la concentracin de portadores n en el caso de
un semiconductor extrnseco tiene una dependencia con la temperatura que
puede visualizarse a travs de la figura.( trazo lleno )
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
n (cm -3 )
3.10
Silicio tipo N
16
2.10 1 6
3
n
1.10 1 6
ni
0
0
100
200 300
700
En
esta
distinguimos tres zonas (
para n ) , en donde a altas y
bajas temperaturas ( zonas
1 y 3 ) se incrementa con
ella segn las leyes ya
analizadas y en otra ( zona
2
) n se mantiene
prcticamente constante.
Vemos que a 0 K ,
la ausencia de portadores
libres
hace
del
conductividad (mu/m)
50
40
.
30
20
.
10
temp
200
400
600
La figura es para un
dado semiconductor , para otro
semiconductor y distinto dopaje
slo se modifican las escalas y
no la forma de la curva .
2-b-2 Intrnsecos
La dependencia de ni con la temperatura puede observarse tambin
en la figura siguiente.
FSICA ELECTRNICA
20
MDULO IX
conductividad (mu/m)
50
40
.
30
20
.
10
temp
200
400
600
foton
O. VON PAMEL
21
S. MARCHISIO
dv
d v
No
todos
los
electrones
llegan
al
electrodo positivo , si no ,
slo aquellos que han sido
liberados a una distancia
del ctodo inferior a v. ,
siendo la vida media de
un electrn libre .
La fraccin de los
electrones que continuara
la corriente ser :
v./d
y la fotocorriente y medida se obtiene a partir de :
i=Nqv/d =qlLV/d
donde q : carga elctrica del electrn.
Por lo tanto la resistencia R causada por la luz vale :
ql
R = V / i = ------------- L-1
d
FSICA ELECTRNICA
22
MDULO IX
R = A L-
De las ecuaciones anteriores resulta que :
q 0 l
A = --------------d
material fotoconductor
ventana
capsula
metalica
sustrato
ceramico
terminales
Estos
fotoconductores
disipan sin problems 300 mW y
pueden disearse para manejar sin problems varios vatios.
Existen otros tipos
aplicaciones especificas :
ultravioleta
4000
de
dispositivos
visible 7000
fotoconductores
para
infrarrojo
100
R
e
s
p
u
e
s
t
a
r
e
l
a
t
i
v
a
80
ZnS
CdS
PbS
PbTe 900K
Si
60
CdSe
40
Ge
InSb 50k
GaAs
20
PbSe
0
3000
O. VON PAMEL
5000
10.000
20.000
23
50.0000
100.000
S. MARCHISIO
Difusin
ID
FSICA ELECTRNICA
24
MDULO IX
Expresin general
semiconductor
del
flujo
de
portadores
en
el
en equilibrio
fuera del equilibrio ( caso de inyeccin )
O. VON PAMEL
25
S. MARCHISIO
generacin de pares por efecto trmico: el efecto fundamental
de la generacin sobre el semiconductor es suministrar portadores
(despreciando la transferencia de impulso).
La generacin en s misma no provee un desplazamiento de cargas
en una direccin determinada por lo que no aporta al flujo de portadores
en el semiconductor.
q p p E q Dp p
x
arrastre
difusin
y la de electrones :
Jn = q n n E
+ q Dn n
x
26
MDULO IX
En metales
O. VON PAMEL
27
S. MARCHISIO
Supongamos una
barra metlica que se
calienta en forma no
uniforme, segn se ve en la
figura .
distribucin de portadores
metal
Obsrvese
la
distribucin de portadores
en exceso as como la
corriente de difusin.
fuente de
calor
En la
tercer
representacin en la figura
se mantiene la inyeccin
trmica , mientras que en la
siguiente, sta cesa y se
produce el retorno al
equilibrio.
difusin de portadores
El efecto Thompson
distribucin de portadores gen erados
trm icam en te
cam po extern o
arrastre
difusin
difusin
se produce cuando al
fenmeno de inyeccin
trmica le agregamos el
arrastre de portadores por
parte del campo elctrico.
El campo elctrico
aplicado dar origen a la
aparicin de una fem. entre
los extremos de la barra.
En semiconductores
FSICA ELECTRNICA
28
MDULO IX
calor
de pares
O. VON PAMEL
29
S. MARCHISIO
La fuerza
electrn es igual a:
sobre
el
fx = q Ex
Ez
Ey
Hz
fm = - 1/c v x H
donde :
x
H
Semiconductor intrinseco
Ey
Hz
Semiconductor tipo N
---
Jx Hz
vx Hz
Ey = ---------- = --------c
nqc
-- ----
Semiconductor tipo P
FSICA ELECTRNICA
30
MDULO IX
Superconductividad .
La
superconductividad
es
un
fenmeno
caracterizado
esencialmente por la ausencia de resistencia al paso de la corriente
elctrica.
As pues un superconductor puede dejar pasar cantidades
importantes de corriente, incluso a travs de una seccin muy estrecha sin
sufrir perdidas por calentamiento. Del mismo modo , si se induce una
corriente en un anillo superconductor la corriente puede circular
indefinidamente por el anillo sin ninguna atenuacin.
Este estado de superconduccin lo presentan solamente algunos
materiales cuando son enfriados a temperaturas muy bajas.
Sin embargo , no es esta la nica propiedad que se observa en los
materiales superconductores . Otra propiedad muy caracterstica es la
repeler los campos magnticos inducidos en las proximidades del material
superconductor. Este fenmeno se pone de manifiesto por la experiencia de
levitacin magntica o efecto Meissner , que consiste en la suspencin o
flotacin en el aire de un imn cuando se sita encima de una muestra
superconductora.
En la actualidad existen dos modelos que se emplean para explicar
este fenmeno . Nos limitaremos a presentar uno de ellos , por simplicidad
el que ms se aproxima a los modelos empleados en este curso.
Este modelo supone que por debajo de una temperatura critica que
denominaremos de superconduccin Ts los iones estn fijos en sus
posiciones de equilibrio ( sin vibrar alrededor de ella ).
En la figura se observa
un corte plano de una red
cristalina en la cual todos los
iones se encuentran inmviles
en sus posiciones de equilibrio.
O. VON PAMEL
31
S. MARCHISIO
Cuando un electrn de
conduccin ( mvil a lo largo
de la red , y por lo tanto alejado
del ncleo del ion ), se acerca
a
ella
,
la
atraccin
electrosttica entre este y los
iones , har que la red se
deforme.
Los
iones
ms
prximos al electrn saldrn de
su posicin de equilibrio
acercndose a este.
A medida que el
electrn avanza, avanza con el
la deformacin , la cual tiene la
forma aproximada de dos
troncos de pirmide unidas en
su base menor.
Si
aparece
otro
electrn en la misma direccin
, vera que la red deformada
forma una especie de cono .
Por
lo
tanto
la
configuracin de fuerzas de la
red sobre los electrones hace
parecer como si estos se
atrajeran constituyendo una
molcula , que se desplaza por
la red.
FSICA ELECTRNICA
32
MDULO IX
Alta inyeccin
Efectos de altas corrientes en los semiconductores
O. VON PAMEL
33
S. MARCHISIO
Ms
adelante
veremos que esta ultima
har
desaparecer las
diferencias entre regiones
neutras y regiones de carga
espacial .
21
1020
Boro
1019
1018
1017
1016
Fosforo
1015
1014
1013
1012
Nota :
Un fenmeno similar ocurrir durante la descarga de arco en un
gas.
Volver
FSICA ELECTRNICA
34
MDULO IX
MODULO X
El proceso de conduccion electrica
2da parte :
La ruptura dielectrica
objetivos:
Completar el estudio de la conduccion electrica cuando aparecen
efectos de ionizacion por colisiones.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Ruptura en gases
Regimen transitorio de la descarga electrodica.
Descripcion del proceso de ruptura dielectrica en un gas.
Ley de Paschen
Interpretacion de la ley de Paschen
Regimen permanente de la descarga electrodica de corriente
continua en un gas. ( Descarga gaseosa automantenida )
FISICA ELECTRONICA
MODULO X
Introduccion :
En el capitulo anterior cuando se elaboro el modelo de conduccion
electrica , aunque no se lo explicito , se supuso que el campo electrico
aplicado era bajo.
En este capitulo se estudiara que sucede con la conduccion
electrica cuando el campo electrico adopta valores cada vez mas altos .
semiconductor N
Por
simplicidad
comenzaremos el estudio a
partir de polarizar con una
tension
negativa
un
semiconductor tipo N ,
analizaremos que ocurre
con el movimiento de los
electrones y a posteriori
intentaremos
generalizar
los resultados.
-V pol
lo n g itu d
de
colisio n
V2
va lor d e la
en er g ia cin etica
en el m o m en to
d e la c o lisio n
V1
K
K
V= 0
ban da de
v a le n cia
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
cada colision cede mas energia a la red a medida que Vpol crece ,
aumentando asi mas la temperatura de la red T .
La temperatura de la red se puede incrementar hasta :
T T cambio de fase
Superada esta temperatura la red se destruye , fundiendose en este
caso el material.
Ionizacion por impacto
Antes de llegar al cambio de fase puede ocurrir que :
Para determinado valor del
campo, la energia cedida a la red ,
durante la colision , puede alcanzar
un valor tal que permita que un
electron se desprenda de esta
durante el impacto electron-red.
e n e r g ia d e lo s e le c tr o n e s
ban da de
co n d u c cio n
V
Cada
uno
de
estos
electrones
se
acelerara
y
colisionara a su vez con la red
arrancando a su vez otro electron ,
por lo tanto se generara un efecto
en cascada .
V= 0
ban da de
v a le n c ia
el efecto avalancha
Para un incremento mayor del campo valor del campo, la energia
cedida a la red aumenta , hasta alcanzar un valor tal que permita que en
cada colision se desprendan de esta 2 o 3 electrones durante la colision.
Cada uno de estos electrones a su vez se acelerara y colisionara
con la red arrancando nuevamente 2 o 3 electrones , por lo tanto el efecto
de ionizacion en cascada aumentara generandose una avalancha .
Esta avalancha aumentara notablemente la conductividad del
material a la vez que aumentara la temperatura de este .
A menos que uno pueda controlar este efecto denominado de
avalancha , manteniendo la temperatura del material por debajo de Tcf , el
material procedera a destruirse.
FISICA ELECTRONICA
MODULO X
el efecto tunel
Si seguimos aumentando el campo aplicado, la banda prohibida
continuara inclinandose y para una dada energia E , el ancho de esta en la
direccion del eje x disminuira.
Por otra parte habra estados en la banda de valencia y en la de
conduccion que tengan la misma energia E.
Por lo tanto si combinamos ambos fenomenos vermos que para un
valor dado del campo electrico aplicado, el ancho de la banda prohibida en
la direccion de x sera tal que permitira que por efecto tunel , electrones de la
banda de valencia pasen a la de conduccion haciendo que el material
conduzca.
e n e r g ia d e lo s e le c tr o n e s
e n e r g ia d e lo s e le c tr o n e s
ban da de
c o n d u ccio n
ban da de
c o n d u ccio n
V
V= 0
V= 0
banda de
v a le n c ia
banda de
v a le n c ia
Nota:
Observe que estos fenomenos que se dan en el seno de un material
tienen su correlato con otros que se dan en la superficie de los materiales.
El fenomeno de emision
secundaria se da cuando un
electron que se desplaza en el
vacio choca contra una superficie .
Si su energia cinetica es
baja, cedera energia la red del
material y esta se calentara, pero
en cambio si su enrgia cientica es
alta puede al chocar arrancar 2 o 3
electrones del material los que
constituyen
una
emision
secundaria.
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
El fenomeno de emision
por campo intenso se da cuando
sobre la superficie de un material
se
aplica
un
campo
lo
suficientemente
grande
que
permite
que se desprendan
electrones por efecto tunel.
+V
m etal
Volver
MODULO X
ruptura en conductores
En este caso al no existir la banda prohibida solo se podra producir
la ruptura por efecto avalancha.
Como en este caso la cantidad de portadores es muy elevada (
mucho mayor que la de los semiconductores , en los cuales los portadores
son escencialmente los provenientes de las impurezas Ni ), rapidamente se
producira una elevacion de la temperatura del material , la que provocara a
su vez un aumento de su resitividad , perdiendo linealidad el mismo , hasta
llegar a la fusion .
Cabe destacarse que este proceso en los conductores se produce
con campos mucho menores que en los otros casos y el proceso de ruptura
puede interrumpirse antes de la fusion del material.
NOTA:
En la figura siguiente se pude ver fuera de escalas relativas las
curvas genericas para un conductor , un semiconductor y un aislador
respectivamente.Se indican las distintas zonas de conduccion.
Zona
ohmica
Zona
de
perdida
de
linealidad
Zona
de
saturacion
zona
de
ruptura
O. VON PAMEL
S. MARCHISIO
Volver
Ruptura en gases
Introduccion :
La ruptura dielectrica de un gas , en un recipiente cerrado que lo
contenga puede hacerce de dos formas :
- introduciendo un par de electrodos dentro del gas (acoplamiento
capacitivo ), ( descarga electrodica )
- mediante una bobima que rodee el recipiente ( acoplamiento
inductivo ) , ( descarga inelectrodica )
Nos abocaremos al estudio de las descargas electrodicas en el
regimen de descarga continuo.
En una descarga electrodica de corriente continua , debemos
considerar :
- el regimen transitorio de la descarga ( transitorio de encendido )
en el cual se produce la ruptura dielectrica del gas y,
- el regimen permanente de la descarga
Si bien en este capitulo analizamos preferentemente la ruptura
dielectrica ( transitorio ) en este caso tambien nos explayaremos sobre el
regime permanente de la descarga a altas y bajas presiones.
A
V
FISICA ELECTRONICA
MODULO X
S. MARCHISIO
I
Descarga autonoma
Descarga no autonoma
Is
T0
Vs
T1
T2
VR
En esta region
podemos expresar la densidad de corriente J como :
J = e n 0 ( u+ + u- ) E
donde :
u+ : movilidad de los iones positivos
u- : movilidad de los iones negativos
n0 : numero de pares electron - ion positivo monovalente en la
unidad de volumen
e : valor absoluto de la carga del electron.
Para presiones entre 10-4 y 10-2 atm. u+ y u- son inversamente
proporcionales a la presion del gas.
3- como la ionizacion que genera los portadores de carga es
externa y por lo tanto independiente de la tension aplicada . Para
incrementos mayores de esta ultima habra una perdida de la linealidad con
la corriente , debido a que los portadores de carga que se generan por
unidad de tiempo en un volumen dado , permanecen constantes frente a las
variaciones de esta.
4- en la region T0 la corriente se satura porque no aumentan los
portadores de carga. En esta region las colisiones electron-atomo no
alcanzan a ionizar a este ultimo.
En esta region todos los iones que surgen en el gas alcanzan los
electrodos , y por tanto :
IS = e N0
FISICA ELECTRONICA
10
MODULO X
O. VON PAMEL
11
S. MARCHISIO
12
MODULO X
c <<< D
Para que pueda desarrollarse la avalancha. Esto nos lleva a
estudiar como afectan la presion y la distancia entre electrodos la ruptura
dielectrica.
- Conviene recordar que una descarga electrodica no solo se
genera por un efecto de avalancha sino que intervienen otros factores ya
mencionados , pero que son todos de indole colisional.
Ley de Paschen :
Segun la teoria aproximada de Towsend la condicion para la tension
de encendido Ve del gas es :
( e d 1 ) = 1
donde :
d , distancia entre electrodos
, coeficiente de ionizacion volumetrica del gas por los
electrones ( o primer coeficiente de Towsend ) , que es
igual al valor medio de la cantidad de ionizaciones
producidas por un electron en un recorrido de longitud
unitaria
, coeficiente de ionizacion superficial ( otro coeficiente de
Towsend ), que es igual al numero de electrones
arrancados
del catodo por un ion positivo.
Para un gas y un material de catodo dados , tenemos que :
-B
----- = A . e E / p
p
y para dos electrodos planos :
E=V/d
donde :
A , B : constantes que dependen del gas
p : presion del gas
V : tension entre electrodos
E : campo en la zona interelectrodica.
Reemplazando las dos ultimas ecuaciones en la primera , y
despreciando en esta el 1 frente ala exponencial , se obtiene la ley de
dependencia de la tension de encendido Ve con el producto p.d , concida
como ley de Paschen :
B.P.d
Ve = ------------------------ln A p d
O. VON PAMEL
13
S. MARCHISIO
ln ( 1/ )
Las coordenadas del
minimo de la curva de Paschen
son:
Ve
region de encendido
(p.d)
Ve
Vemin
(p.d)
la ruptura se realiza a
travez del recorrido mas corto.
Observese que si disminuyen:
- el potencial de ionizacion
- el trabajo de salida de los
electrones del catodo.
Ve disminuye.
Algunas constantes de interes
Ar
H2
0.12
0.095
0.14
----------0.014
0.058 0.050
0.058 0.061
-----0.008
0.22
0.22
0.077 0.125
0.058 0.053
0.058 0.020
-----------
FISICA ELECTRONICA
He
0.021
0.100
Aire
0.035
------
N2
0.10
0.14
-----0.015
0.020
0.17
0.031
0.019
0.010
------
0.025
0.020
0.066
0.059
0.022
0.077
0.038
0.036
0.017
------
0.12
0.089
0.077
0.069
------
0.22
0.11
0.023
0.023
0.045
14
Ne
0.053
MODULO X
Constantes de la ecuacion
-B
/ p = A. e E / p
Gas
Aire
Ar
CO2
H2
H2 O
He
14.6
13.6
20.0
5.0
12.9
2.8
365
235
466
130
289
34
rango de E / p
V
cm. mmHg
150----600
100----600
500----1000
150----400
150----1000
20----150
La experiencia se
repite a tres presiones
distintas
Lampara a presion P1
En la figura se
observa que pasa en este
transitorio.
Arriba a la izquierda
de la figura
se ha
representado una lampara
sin gas y las lineas de
campo que generan las
placas paralelas.
Lampara a presion P2
A continuacion se ha
representado
la
misma
lampara
a
distintas
presiones del gas , a la
izquierda , se remarcan las
lineas de campo por las
cuales
se
produce
la
descarga. A la derecha la
luminosidad de la descarga ,
Lampara a presion P3
15
S. MARCHISIO
FISICA ELECTRONICA
16
MODULO X
ca tod o
( )
a n od o
(+ )
V ac
( )
0
En la figura se puede
observar :
- La apariencia fisica
de la descarga
- El potencial entre
electrodos
- La distribucion de
carga espacial neta en
la descarga.
(+ )
l
Plano
negativo
columna positiva
O. VON PAMEL
17
A
continuacion
describiremos detalladamente
las regiones en que podemos
dividir la descarga y los
procesos predominantes en
estas.
S. MARCHISIO
()
FISICA ELECTRONICA
18
MODULO X
catodo
()
anodo
(+)
La caida de tension en
los limites de la columna
positiva
es
relativamente
pequea , y siendo iguales las
demas condiciones , aumenta al
disminuir el diametro del tubo
de descarga gaesosa.
Vac
()
0
En la grafica del
potencial se observa que junto
al catodo se produce una
brusca caida de potencial
debida a la gran concentracion
de iones positivos en el limite
entre las zonas de Crookes y la
del brillo negativo .
(+)
l
La zona fundamental de
la descarga , en la que se
producen los procesos de
ionizacion volumetrica del gas ,
necesarios para mantener la
descarga , es el espacio oscuro
de Crookes .(o espacio oscuro
del catodo )
Se denomina longitud
del espacio oscuro del catodo
( lc ) a la distancia entre el catodo hasta el punto de la descarga en que la
curva V(x) tiene su maximo La caida de tension Vc a lo largo del espacio
oscuro del catodo se denomina caida de tension catodica.
La descarga luminiscente puede tener lugar solo si la distancia
entre electrodos es d lc .
La luminiscencia de la columna positiva ,que determina las
propiedades opticas de la descarga luminiscente, esta relacionada con la
radiacion de los atomos (o moleculas) exitados del gas.
La recombinacion de los electrones e iones se produce
principalmente en las paredes del tubo de descarga gaseosa,
calentandolas.
La columna positiva
frecuentemente es a franjas , es
decir cuenta con franjas claras y
oscuras que se alternan.
O. VON PAMEL
19
S. MARCHISIO
I(A)
arco
10 1
zona de transicion
10-1
10-2
luminiscencia anormal
luminiscencia normal
10-4
zona de transicion
10-6
descarga automantenida
10-10
descarga no autonoma
10-12
Va Ve
V(V)
a- luminiscencia normal :
Cuando el aumento de la intensidad de corriente no produce
aumento en la densidad de corriente en el catodo.( a medida que crece la
corriente crece el area del catodo que participa en la descarga crece el
brillo negativo hasta cubrir todo el catodo disminuye la resistencia del
plasma )
b- luminiscencia anomala :
Cuando un aumento de la intensidad de corriente produce un
aumeto en la densidad de corriente del catodo ( todo el catodo participa de
la descarga la resistencia del plasma permanece constante, por lo tanto
para aumentar la corriente hay que aumentar la tension entre electrodos
aumenta el campo en el catodo y la carga espacial )
FISICA ELECTRONICA
20
MODULO X
V(x)
3- Luminiscencia anormal
2- Luminiscencia normal
X
catodo
anodo
21
S. MARCHISIO
descarga de corona:
Se produce en un gas que se halla en un intenso campo electrico no
uniforme, es decir, junto a electrodos cuyas superficies presentan pequeos
radios de curvatura ( por ej. junto alas puntas de objetos , en los
conductores de las lineas de alta tension , etc. )
La ionizacion del gas y su luminiscencia se produce solamente en
espacios raltivamente pequeos junto al electrodo de superficie de pequeo
radio de curvatura y recibe el nombre de capa de efecto corona .
El electrodo correspondiente se llama electrodo de efecto corona.
La region restante de la descarga , que se halla fuera de la capa de
efecto corona ( o de las dos capas si la corona aparece en los dos
electrodos ) se denomina region de la corriente negra.
Cuando la corona aparece en el catodo , corona negativa , los
iones positivos arrancan al catodo los electrones que originan la ionizacion
volumetrica del gas.
Cuando la corona aparece en el anodo , corona positiva , los
electrones surgen junto al anodo por fotoionizacion del gas debido a la
radiacion de la capa de efecto corona .
En la region de corriente negra , la conductibilidad del gas es
relativamente pequea ya que se realiza solamentea costa de las particulas
cargadas de un mismo signo que vienen de la capa de coronacion . Por eso
la intensidad de corriente en el efecto corona , adiferencia de otrs clases de
descarga automantenida , viene determinada por la resistencia de la region
de la corriente negra y no por la resistencia de la parte exterior del circuito.
En la figura se observa
la iniciacion de una corona
positiva (para una varilla de
2cm de diametro )
Se observa la variacion
del volumen inicial en funcion
del voltaje aplicado.
70
75
85
110 kV
descarga radiante
Al elevar la tension , el efecto corona adquiere la forma de penacho
luminiscente, constituyendo un haz de intermitentes lineas quebradas
FISICA ELECTRONICA
22
MODULO X
Nota
Los tipos de descarga descriptos se producen a altas tensiones
(miles de Volts ) . Examinemos ahora un tipo de descarga que se produce a
bajas tensiones ( decenas de volts )
O. VON PAMEL
23
S. MARCHISIO
descarga en arco
La descarga en arco se produce a gran densidad de corriente
siendo la tension entre los electrodos de varias decenas de voltios .
catodo
Es resultado de de una
intensa emision termoionica del
catodo incandescente .
anodo
columna del arco
V(x)
Va
Vc
x
dc
da
Distribucion de potencial tipica
a lo largo de un arco
Al elevar la intensidad de la
corriente de descarga de arco, la
conductibilidad
del
espacio
gaseoso aumenta de tal manera ,
que la tension entre los electrodos
del arco cae . ( caracteristica decreciente corriente - tension )
La temperatura del catodo ( a la presion atmosferica ) alcanza los
3000 C .
Al bombardear el anodo , los electrones forman en este un hoyo o
crater del arco , con una temperatura de unos 4000 C ( a p = 760 mmHg.)
.
La temperatura del gas en el canal es de 5000 - 6000 C.
Si la descarga se produce a una temperatura del catodo
relativamente baja ( ej. lampara de mercurio ) el papel fundamental lo
emplea la emision de campo de los electrones del catodo. (emision en frio )
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FISICA ELECTRONICA
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MODULO X