Universidad del Atlntico

Facultad de Ingeniera
Programa de Ingeniera Mecnica
Laboratorio de Electrnica

Curva caracterstica del Diodo

Characteristic curve of the diode

D. Pjaro Viloria

a*

, R. Rangel Alarcna, L. Cervantes Oliverosa, L. Otero Herreraa,

Facultad de Ingeniera, Universidad del Atlntico. Barranquilla, Colombia.

Entregado: Septiembre 19 de 2014

Resumen
En esta experiencia de laboratorio se estudia de manera experimental el trazado de la curva caracterstica
de un diodo a partir de las mediciones en un circuito activo as como tambin identificar los terminales
de este semiconductor y determinar el punto comn Q graficando la lnea de carga.
Palabras claves: Diodo, Recta de Carga, Voltaje Umbral
Abstract
In this lab we study experimentally plotting the characteristic curve of a diode from measurements in an
active circuit as well as identify the terminals of this semiconductor and determine the common point

Q plotting the load line.

Keywords: Diode, Straight Load, Voltage Threshold

*dpajaro@mail.uniatlantico.edu.co

1.

Introduccin

Un diodo (del griego "dos caminos") es un

dispositivo semiconductor que permite el
paso de la corriente elctrica en una nica
direccin con caractersticas similares a un
interruptor. De forma simplificada, la curva
caracterstica de un diodo (I-V) consta de
dos regiones: por debajo de cierta diferencia
de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella
como un cortocircuito con muy pequea
resistencia elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele
denominar
dispositivos

rectificadores,
capaces

de

ya

que

son

convertir

una

Fig. 1 Formacin de la zona de carga espacial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una

corriente alterna en corriente continua. Su

difusin de electrones del cristal n al p (Je).

principio de funcionamiento est basado en

Al establecerse estas corrientes aparecen

los experimentos de Lee De Forest.

cargas fijas en una zona a ambos lados de la

Los semiconductores ms comunes son los

unin,

diodos estn formados por la unin de un

zona

denominaciones

semiconductor tipo n y un semiconductor

que
como

recibe
zona

diferentes
de

carga

espacial, de agotamiento, de deplexin, de

tipo p. Hay que destacar que ninguno de

vaciado, etc.

los dos cristales por separado tiene

A medida que progresa el proceso de

carga elctrica, ya que en cada cristal, el

difusin, la zona de carga espacial va

nmero de electrones y protones es el

incrementando su anchura profundizando

mismo, de lo que podemos decir que los

en los cristales a ambos lados de la unin.

dos cristales, tanto el p como el n, son

Sin embargo, la acumulacin de iones

neutros. (Su carga neta es 0).

positivos en la zona n y de iones negativos

en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona
n

con

una

determinada

fuerza

de

desplazamiento, que se opondr a la

corriente

de

electrones

terminar

detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir
que aparece una diferencia de tensin entre
las zonas p y n.

Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V

en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales
son de germanio. La flecha del smbolo del
diodo muestra la direccin en la cual puede
fluir la corriente. Los diodos son la versin
elctrica de la vlvula o tubo de vaco y al
principio

los

diodos

fueron

llamados

realmente vlvulas.

Fig. 4 Curva caracterstica de un Diodo de Silicio

Fig. 2 Vista de un diodo Real

Tensin inversa
Cuando una tensin o voltaje inverso es
aplicado sobre un diodo ideal, este no
conduce corriente, pero todos los diodos
reales presentan una fuga de corriente muy

Fig. 3 Simbologa

Cada

de

tensin

en

directa.

pequea de unos pocos A (10-6 A) o

Curva

menos. Esto puede ignorarse o despreciarse

caracterstica

en la mayora de los circuitos porque ser

La electricidad utiliza una pequea energa

mucho ms pequea que la corriente que

para poder pasar a travs del diodo, de

fluye en sentido directo. Sin embargo, todos

forma similar a como una persona empuja

los diodos tienen un mximo voltaje o

una puerta venciendo un muelle. Esto

tensin inversa (usualmente 50 V o ms) y si

significa que hay un pequeo voltaje a travs

esta se excede el diodo fallar y dejar pasar

de un diodo conduciendo, este voltaje es

una gran corriente en direccin inversa, esto

llamado cada de voltaje o tensin en directa

es llamado ruptura.

y es de unos 0,7 V para todos los diodos

Los diodos ordinarios pueden clasificarse

normales fabricados de silicio. La cada de

dentro de dos tipos:

voltaje en directa de un diodo es casi

constante cualquiera que sea la corriente que

diodos de seal los cuales dejan pasar

pase a travs de l por lo que tiene una

pequeas corrientes de 100 mA o menos, y

caracterstica

muy

pronunciada

(grfica

diodos rectificadores los cuales dejan pasar

corriente-voltaje).

grandes corrientes (diodo zener y diodo

LED)
Conexin y soldadura
Los diodos deben conectarse de la forma
correcta, el diagrama puede ser etiquetado

como (+) para el nodo y () para el ctodo.

El ctodo es marcado por una lnea pintada
sobre el cuerpo del diodo. Los diodos estn
rotulados con su cdigo en una pequea
impresin, puede que necesites una lupa
potente para leer esta etiqueta sobre diodos
de pequea seal. Los diodos de pequea
seal pueden daarse por calentamiento
cuando se suelden, pero el riesgo es
pequeo a menos que ests usando un

Fig. 6 Polarizacin Directa

diodo de germanio (su cdigo comienza con

OA...) en cuyo caso deberas usar

un

En este caso, la batera disminuye la barrera

disipador de calor enganchado al terminal

de potencial de la zona de carga espacial,

entre la unin y el cuerpo del diodo. Un

permitiendo el paso de la corriente de

simple terminal metlico de tipo cocodrilo

electrones a travs de la unin; es decir, el

puede ser usado como disipador de calor

diodo polarizado directamente conduce la

electricidad.
Para

que

un

diodo

est

polarizado

directamente, tenemos que conectar el polo

positivo de la batera al nodo del diodo y el
polo

negativo

al

ctodo.

En

estas

condiciones podemos observar que:

-

El polo negativo de la batera repele los

electrones libres del cristal n, con lo que

Fig. 5 Polarizacin del Diodo

estos electrones se dirigen hacia la unin

Cuando se somete al diodo a una diferencia

de tensin externa, se dice que el diodo est

p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los

polarizado, pudiendo ser la polarizacin

electrones de valencia del cristal p, esto

directa o inversa.

es equivalente a decir que empuja a los

Polarizacin Directa (forward)

huecos hacia la unin p-n.

Cuando la diferencia de potencial entre
los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de
carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente
para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado

hacia la unin p-n.

Una vez que un electrn libre de la zona
n salta a la zona p atravesando la zona de

carga espacial, cae en uno de los

conductor dentro del cual se desplazan

mltiples

hasta llegar a la batera. A medida que

huecos

de

la

zona

convirtindose en electrn de valencia.

los electrones libres abandonan la zona n,

los tomos pentavalentes que antes eran

Una vez ocurrido esto el electrn es atrado

neutros, al verse desprendidos de su

por el polo positivo de la batera y se

electrn en el orbital de conduccin,

desplaza de tomo en tomo hasta llegar al

adquieren estabilidad (8 electrones en la

final del cristal p, desde el cual se introduce

capa de valencia, ver semiconductor y

en el hilo conductor y llega hasta la batera.

tomo) y una carga elctrica neta de +1,

con lo que se convierten en iones

De este modo, con la batera cediendo

electrones libres a la zona n y atrayendo
-

electrones de valencia de la zona p, aparece

positivos.
El polo negativo de la batera cede
electrones libres a los tomos trivalentes

a travs del diodo una corriente elctrica

de la zona p. Recordemos que estos

constante hasta el final.

tomos slo tienen 3 electrones de

Polarizacin Inversa (Reverse)

valencia, con lo que una vez que han

formado los enlaces covalentes con los
tomos de silicio, tienen solamente 7
electrones de valencia, siendo el electrn
que falta el denominado hueco. El caso es
que cuando los electrones libres cedidos
por la batera entran en la zona p, caen
dentro de estos huecos con lo que los
tomos trivalentes adquieren estabilidad
(8 electrones en su orbital de valencia) y
una
-

carga

elctrica

neta

de

-1,

convirtindose as en iones negativos.

Este proceso se repite una y otra vez
hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que

Fig. 7 Polarizacin Inversa

la batera.

En este caso, el polo negativo de la batera se

conecta a la zona p y el polo positivo a la
zona n, lo que hace aumentar la zona de

En esta situacin, el diodo no debera conducir

carga espacial, y la tensin en dicha zona

la corriente; sin embargo, debido al efecto de la

hasta que se alcanza el valor de la tensin de

la

batera,

tal

como

se

explica

temperatura se formarn pares electrn-hueco

(ver semiconductor) a ambos lados de la unin

continuacin:
-

produciendo una pequea corriente (del orden

El polo positivo de la batera atrae a los

de 1A) denominada corriente inversa de

electrones libres de la zona n, los cuales

saturacin.

salen del cristal n y se introducen en el

Adems,

existe

denominada

Dicha recta se conoce como recta de carga y

corriente superficial de fugas la cual, como su

tiene una pendiente negativa. El punto de corte

propio nombre indica, conduce una pequea

de la recta de carga con la exponencial es la

corriente por la superficie del diodo; ya que en

solucin, el punto Q, tambin llamado punto

la superficie, los tomos de silicio no estn

de trabajo o punto de funcionamiento. Al

rodeados de suficientes tomos para realizar los

punto de corte con el eje X se le llama Corte y

cuatro

al punto con el eje Y se le llama Saturacin.

enlaces

tambin

covalentes

una

necesarios

para

obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de

2.

la superficie del diodo, tanto de la zona n como

Procedimiento Experimental

de la p, tengan huecos en su orbital de valencia

Se mont un circuito como se muestra en la

con lo que los electrones circulan sin dificultad a

figura en donde se vari el voltaje en

travs de ellos. No obstante, al igual que la

intervalos de 0,1V para luego incrementarse

corriente inversa de saturacin, la corriente

el intervalo, inmediatamente se mide el

superficial de fuga es despreciable.

voltaje de la fuente y del diodo as como

tambin la cada de tensin en la resistencia.

Rectas de Carga
La recta de carga es una herramienta que se
emplea para hallar el valor de la corriente y la y
la tensin del diodo. As como tambin el punto
en donde la corriente como la tensin converge,
tambin llamado punto Q.

Fig. 10 Circuito de trabajo simulado en LiveWire

En la experiencia se utiliz una resistencia de

1K, un diodo, una fuente DC y un multmetro.

Fig. 8 Circuito para clculo de lnea de carga

De la ecuacin de la malla se despeja la

intensidad y se obtiene la ecuacin de la recta, la
cual grficamente viene dada como sigue:

Fig. 9 Lnea de Carga

Tabla. No 1 Datos experimentales

Dato experimentales del circuito

V Resistencia (V)
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0,02
0,06
0,28
0,38
0,53
0,95
1,18
1,7
2,01
2,36

Fig. 11 Montaje experimental

Fig. 12 Montaje experimental

3.

Diodo

(V)
-1,24
-1,87
-3,65
-4,39
-5,26
0
0,05
0,05
0,2
0,27
0,41
0,45
0,5
0,52
0,53
0,55
0,58
0,59
0,59
0,6

I (A)
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0,00002
0,00006
0,00028
0,00038
0,00053
0,00095
0,00118
0,0017
0,00201
0,00236

2,72

0,6

0,00272

3,15

0,61

0,00315

3,5
3,83
4,31

0,62
0,62
0,63

0,0035
0,00383
0,00431

4,93

0,64

0,00493

5,69
6,53
7,37

0,65
0,65
0,65

0,00569
0,00653
0,00737

Con dichos datos se grafica la curva del diodo

utilizando el programa Excel, y se llega a la

Resultados

siguiente grfica, donde se obtiene a travs de

Se condensa la informacin obtenida en la

una tendencia exponencial de los datos.

experiencia en la siguiente tabla, donde a travs

de la ley de OHM se calcul la corriente del
circuito la cual es la que aparece en dicha tabla

0.01
f(x) = NaN exp( NaN x )

0.01

0.01
0
0
0

La ecuacin que regir la recta para hallar el

0
0

27
0,133977
92
0,079715
6

Voltaje
0.08
0.24
0.4
0.56
0.72
0
0.16
0.32
0.48
0.64

la

siguiente

y=0,13397792 x0,0797156

donde la

el resultado. Se interceptan las dos grficas y se

llega al siguiente resultado.

La lnea roja representa el comportamiento de

los datos tendencia, regidos por la ecuacin que

0.01

se muestra en el recuadro rojo. La lnea amarilla

0.01

se obtiene de los datos experimentales, se

0.01

con

la

grfica

la

tendencia

f(x) = 0.13x - 0.08

exponencial que prevea la literatura.

Para la obtencin del voltaje umbral se utiliza la

ecuacin de una recta que viene dada por la

y=mx +b , donde y toma valores

de corriente del diodo y x valores de voltaje

forma

es

interseccin de la recta con el eje x (V) nos dar

Fig. 13 Curva caracterstica experimental del diodo

comprueba

umbral

del mismo.

Se asume un x arbitrario y se introduce en la

0.08
0.24
0.4
0.56
0.72
0.16
0.32
0.48
0.64

Fig. 14 Voltaje umbral experimental del diodo

frmula de la lnea de tendencia de los datos

y=2109 e23,313 x para obtener un y, as

Se obtiene que el Voltaje Umbral es de 0,595V.

mismo tambin se toma otro punto (x,y)

Por ltimo se halla la lnea de carga y el punto

correspondiente a la tendencia lineal de la

Q, para ello nos basamos en la literatura y de

exponencial para poder hallar la pendiente de la

acuerdo al circuito de trabajo tomamos los

recta y posteriormente la ecuacin

valores de tensin en la fuente y en el diodo as

como

Tabla. No 2 Datos para la obtencin del voltaje umbral

X1
X2
Y1
Y2

tambin

correspondiente,

0,65
0,638
0,00737
0,005762

la
como

corriente
se

muestra

continuacin.
Tabla. No 3 Datos para lnea de carga

Lnea de carga

mxima
a

X (V)
0
0,65

Y (A)
0,00808
0

Fig. 17 Circuito de simulado en Livewire para datos

tericos
Tabla. No 4 Datos tericos del diodo
Fig. 15 Visualizacin de lnea de carga

Datos Tericos de la simulacin en livewire

El valor correspondiente a la coordenada del

V Fuente (V)
V diodo (V)
I diodo (A)
0
0
0
0,05
0,05
0
0,2
0,2
0
0,27
0,27
0
0,43
0,429
1,66E-07
0,51
0,506
3,23E-06
0,78
0,609
1,70E-04
0,9
0,622
2,78E-04
1,06
0,633
4,26E-04
1,5
0,650
8,49E-04
1,76
0,657
1,10E-03
2,29
0,667
1,62E-03
2,61
0,672
1,94E-03
2,96
0,676
2,28E-03
3,33
0,680
2,65E-03
3,77
0,684
3,09E-03
4,12
0,687
3,43E-03
4,46
0,689
3,77E-03
4,94
0,692
4,25E-03
5,57
0,696
4,87E-03
6,34
0,699
5,64E-03
7,2
0,703
6,50E-03
8,08
0,706
7,37E-03
De dicha tabla se grafica la curva ideal del diodo
que se trabaj en la experiencia.

punto Q es (0,57V;0,0011A), dichos datos

corresponden al valor de trabajo del diodo. Para
hallar el valor del intercepto se utiliz como
herramienta Matlab para dar con la solucin del
punto. Tanto para los datos experimentales
como los datos tericos obtenidos en livewire.

Fig. 16 Cdigo de Matlab para solucin del intercepto

Se utiliz el software livewire para la simulacin

del mismo circuito realizado en laboratorio y se
obtuvieron los siguientes datos, los cuales sern
vistos como respuestas tericas.

7.90E-03
6.90E-03

f(x) = 0 exp( 38.6 x )

R = 1

5.90E-03
4.90E-03
3.90E-03
2.90E-03
1.90E-03
9.00E-04
-1.00E-04

Fig. 20 Lnea de carga terica del diodo

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Donde la coordenada tambin se calcul a travs

de
Matlab,
dando
como
resultado
(0,65V;0,00072A).

Fig. 18 Curva caracterstica terica del diodo

De la misma manera como se obtuvo el voltaje

umbral para los datos obtenidos en la
experiencia se realiz el mismo procedimiento
para determinar el voltaje umbral terico.

La grafica correspondiente a los datos del

montaje del diodo en reversa no se presenta
debido a que estos no dan una visualizacin
clara de la curva como consecuencia de datos de
corriente que tienden a cero para los valores de
tensin suministrada.

8.90E-03
7.90E-03

Lo errores en los resultados relevantes se

f(x) = 0 exp( 38.6 x ) consignan a continuacin en la tabla.
R = 1

6.90E-03
5.90E-03

Tabla. No 5 Error absoluto de resultados

4.90E-03
3.90E-03
2.90E-03
1.90E-03
9.00E-04
-1.00E-04

V Umbral
(V)
I Trabajo
(Amp)
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 V Trabajo
(Amp)

Valor
Terico
0,68

Valor
Experimental
0,595

% de
error
12,50

0,00072

0,0011

52,78

0,65

0,57

12,31

Fig. 19 Voltaje umbral terico del diodo

4.

El valor terico del voltaje umbral obtenido fue

de 0,68V basndonos en la grfica anterior.

Conclusiones

Se corrobora la tendencia exponencial que

describe la curva caracterstica de un diodo, as
como tambin que el voltaje umbral hallado es
muy cercano al de referencia de un diodo, el
cual para el caso se esperaba de 0,7V por el
material del semiconductor. Los valores de

Por ltimo se calcula la coordenada terica de

trabajo del diodo de igual manera que se calcul
experimentalmente. Obtenindose lo siguientes
resultados.

10

corriente y tensin del diodo estn dentro del

rango ptimo para su funcin. No se pudo
corroborar la tensin de ruptura del diodo
debido a que no se alcanzaron valores
significativos en la corriente.

[1] Young, Hugh. Fsica Universitaria: con fsica

moderna volumen 2, Mxico, Mxico, Pearson
Educacin, 2009.
[2] El diodo de juntura PN - Caracterstica I-V
Jesus A. de Alamo, Curso MIT "Microelectronic
Devices and Circuits",

Referencias

[3] Malvino Albert, Bates David j., "Principios de

electrnica", 7ma Ed., McGraw Hill, 2007, pg.
132-153.

11