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Le transistor bipolaire en haute fréquence.

VIII. Etude du montage charges réparties en hautes fréquences.

Pour toute la suite, on utilisera comme exemple le schéma déja dans le polycopié de cours à par- tir de la page 6. Ce montage appelé montage charge répartie avec découplage d'émetteur a été étudié en statique et en dynamique (basse fréquence), et correspond au schéma structurel ci dessous.

+Vcc

R5 C3 R1 C1 R3 T1 Vs C2 Ve R2 R4
R5
C3
R1
C1
R3
T1
Vs
C2
Ve
R2
R4

GND

Rappel: Vcc=10V, R1=22k, R2=10k, R3=10k, R4=1k, R5=2,2k.

C1, C2, C3 ont été calculés pour avoir une fréquence de coupure de 50Hz pour chaque condensateur de liaison (C1 et C3) et de découplage (C2).

1) Etude du régime dynamique en ajoutant les condensateurs Cbe et Cbc du transistor (schéma petits signaux).

On remplace le transistor par son schéma équivalent simplifié en HF, et on représente le schéma équivalent en dynamique de l'ensemble (On passive les générateurs continus. on court-circuite les générateurs de tension continue, et les condensateurs de liaison et de découplage. On enlève les éventuels générateurs de courants continus).

Attention: certains condensateurs C jouent un rôle de filtrage ou de compensation en fréquence, il faudra alors comparer leur fréquence de coupure avec la fréquence des signaux d'entrée avant d'apporter toute simplification (circuit ouvert ou court-circuit ou prise en compte dans le calcul).

Rappel du schéma équivalent simplifié du transistor en HF.

Schéma équivalent en p du transistor en émetteur commun (Giacoletto). Attention: Pour le mon- tage base commune, on adopte plutôt un schéma équivalent appelé en T (qui n'est valable qu'en HF).

Schéma simplifié en BF B Cbc C ib Cbe h11 1/h22 h21.ib E
Schéma simplifié en BF
B Cbc
C
ib
Cbe
h11
1/h22
h21.ib
E

On ne prend en compte que les capacités Cbe et Cbc que l'on

confond souvent respectivement avec Cib 0 (capacité d'entrée en base commune) et Cob 0 (capacité de sortie en base commune).

Attention le terme 1/h22 n'est pas toujours négligeable (de l'ordre de 10k à 100kW).

Sur la documentation RTC du transistor 2N2222A fournie dans le cours, on peut lire Cc = capacité collecteur = 8pF, et Ce = capacité émetteur = 25pF.

Le modèle SPICE est basé sur des valeurs typiques. Voir: BIPOLAR.LIB, dans le répertoire "ORCAD \ Capture \ Library \ Pspice" utilisez l'éditeur MS-DOS car le fichier est trop

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Le transistor bipolaire en haute fréquence.

volumineux pour le bloc note, et recherchez la chaîne de caractère "Q2N2222A". Recherchez dans les différents paramètres du transistor. On trouve alors: Cjc=7,3pF et Cje= 22pF.

.model Q2N2222A

NPN(Is=14.34f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74.03 Bf=255.9 Ne=1.307

+

Ise=14.34f Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1

+

Cjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22.01p Mje=.377 Vje=.75

+

Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)

*

National pid=19 case=TO18

*

88-09-07 bam creation

Schéma simplifié du montage en dynamique avec les condensateurs Cbe et Cbc.

Si on néglige 1/h 22 par rapport à R5 et Ru (résistances en parallèle), on obtient le schéma suivant.

ie R3 Cbc is Rg ib ve R1//R2 Cbe vs h11 R5 Ru eg h21.ib
ie
R3
Cbc
is
Rg
ib
ve
R1//R2
Cbe
vs
h11
R5
Ru
eg
h21.ib
0
Théorème de Miller.
Soit l'impédance Z placée entre l'entrée et la sortie d'un amplificateur dont l'amplification en
charge est Ac. L'impédance Z peut être remplacée par 2 impédances Z1 et Z2 placées res-
pectivement à l'entrée (Z1) et à la sortie (Z2) de l'amplificateur et telles que.
Z
Z
Z 1 =
Z 2 =
Z
(1-A c )
1 ˆ
Ë Ê 1-
¯
A c
i1
i2
i1
i2
Ac
Ac
V1
V2
V1
Z1
Z2
V2
Ru
Ru

Démonstration du théorème de Miller.

Ac représente l'amplification en charge:

A c = v 2 v 1
A c = v 2
v
1
v 1 = v 2 + Z.i 1 v 1 = Z 1 .i 1
v 1 = v 2 + Z.i 1
v 1 = Z 1 .i 1 et v 2 = A c .v 1
v 1 (1 - A c ) = Z.i 1
Z
Donc: v 1 =
.i 1
(1-A c )
Z
Z 1 =
(1-A c )

De même:

v 2 = v 1 + Z.i 2 v 2 v 2 = Z 2
v 2 = v 1 + Z.i 2
v 2
v 2 = Z 2 .i 2 et v 1 =
A
c
1
ˆ
v 2 Ë Ê 1 -
= Z.i 2
¯
A c
Z
Donc: v 2 =
.i 2
Ê
1 ˆ
Ë 1-
¯
A c
Z
Z 2 =
Ê
1 ˆ
Ë 1-
¯
A c

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Le transistor bipolaire en haute fréquence.

Aplication du théorème de Miller sur le montage à charge répartie:

Rem: Le théorème de miller est surtout utilisé pour remplacer le condensateur C bc par 2 conden- sateurs C 1 et C 2 , l'un en entrée (C 1 = C bc *(1-A c )), et l'autre en sortie (C 2 = C bc *(1-1/A c )).

Attention: Ac correspond ici à v s /v 1 (v 1 étant h 11 .i
Attention: Ac correspond ici à v s /v 1 (v 1 étant h 11 .i b )
ie
R3
is
Rg
ib
ve
R1//R2
v1
vs
h11
R5
Ru
C2
eg
Cbe+C1
h21.ib
0

Rem: Pour simplifier, il est fréquent de calculer Ac = v s /v 1 sans les condensateurs, puis on ajoute les condensateurs pour en déduire la modification de la fonction de transfert v s /v e , mais le résul- tat n'est alors qu'approché. Dans de nombreux cas la précision obtenue est suffisante.

v s = -h 21 .i b .(R 5 //R u ) et v 1 = h 11 .i b

On déduit:

A c

= - h 21 .(R 5 //R u )

h 11

= -135

(h 21 =180, h 11 =2kW,

R 5 = 2.2kW, R u =4.7kW).

1

On obtient donc les valeurs de C 1 et de C 2 .

1 j.C bc .w

=

(1-A c )

j.C 1 .w

C 1 = C bc .(1 - A c ) = 992pF

(avec C bc = 7,3pF)

soit

On remarque que lorsque l'amplification est négative et importante, un condensateur même de faible valeur, peut se reporter en entrée avec une valeur beaucoup plus grande et limiter la bande passante de l'amplificateur (filtre RC passe bas).

Par contre

C 2 = C bc . Ë Ê 1 -

1

A c

ˆ

¯

= 7, 35pF

correspond quasiment à C bc .

Les deux condensateurs ainsi formés apportent 2 filtres de type passe bas et donc 2fréquences de coupure. L'une correspond à l'entrée (condensateur C be en parallèle avec C 1 , soit C be +C 1 ), l'autre

à la sortie (condensateur C 2 ).

TranHF

Ainsi:

à la sortie (condensateur C 2 ). TranHF Ainsi: A c total = ( v v

A c total

= (

v

v

s

e ) en charge =

v s

v 1 .

v 1 Z v e = A c . Ê Ë Z +R 3
v
1
Z
v e = A c . Ê
Ë
Z
+R 3

ˆ ¯ = A v . Ê

Z Ë Z +R 3
Z
Ë
Z
+R 3

ˆ ¯ . Ë Ê

Z

Z+R 5

ˆ

¯

ou Z' correspond à la mise en parallèle de h 11 avec (C be +C 1 ) et Z" à la mise en parallèle de C 2 avec

R u .

A v = Ê Ë
A v = Ê
Ë

v s

ˆ = - h 21 .R
¯

v 1

h 11

A

1 1 . c total = A v . 1 1+R 3 . 1 1+R
1 1
.
c total = A v .
1
1+R 3 . 1
1+R 5 .
Z”
Z

=

 

1

1

 

.

1+R 3 . Ê

Ë

 

1

+j.C e .w ˆ

¯

 

1+R 5 . Ê

Ë

1

+j.C 2 .w ˆ

¯

h

11

R

u

A v .

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Le transistor bipolaire en haute fréquence.

A c total = A v .

h 11

1 R u

1

(h 11 +R 3 ) . (1+j.(R 3 //h 11 )C e .w) . (R u +R 5 ) . (1+j.(R u //R 5 )C 2 .w)

Soit en regroupant A v ' avec les pont diviseur résistif suivit des deux fonction de transfert de type passe bas.

A c total = A v .

h 11

R u

1 1

(h 11 +R 3 ) . (R u +R 5 ) . (1+j.(R 3 //h 11 )C e .w) . (1+j.(R u //R 5 )C 2 .w)

On en déduit 2 fréquences de coupure:

f c1 =

2.p.(R 3 //h 11 ).C e et f c2 = 2.p.(R u //R 5 ).C 2

1

1

f c1 =

2.p.(10k//2k).1014pF = 94,5kHz et f c2 = 2.p.(4,7k//2.2k).7,35pF = 14, 5MHz

1

1

Résultats de simulation avec PSPICE:

5 M H z 1 1 Résultats de simulation avec PSPICE: La simulation avec PSPICE montre

La simulation avec PSPICE montre que la première fré- quence de coupure haute correspondant à f c1 est égale à 143kHz alors que le calcul ne donne que 94,5kHz. Attention: Le calcul par le théo- rème de Miller est ici approché puisque l'amplification en charge varie.

Date/Time run: 11/19/94 11:32:10 Temperature: 27.0 50 (4.01 95K,26.464) (143.301K,23.433) (51.090,17.430) 0 -9db
Date/Time run: 11/19/94
11:32:10
Temperature: 27.0
50
(4.01
95K,26.464)
(143.301K,23.433)
(51.090,17.430)
0
-9db pour 51Hz
-50
Courbe de gain
-100
1.0h
10h
100h
1.0K h
10K h
100Kh
1.0M h
Vdb(VS )- Vdb(VE)
F requency
C1 =
3.9811K ,
26.464
C2 =
51.090,
17.430
dif=
3.9300K ,
9.0343

Conclusion: Malgré les approximations de calcul, les résultats peuvent être proche de la simula- tion ou de la pratique. Le calcul par le théorème de Miller est relativement pessimiste, car il sup- pose que l'amplification en charge est constante. Or l'amplification diminuant, la capacité ramenée est donc plus faible, et la fréquence de coupure plus élevée.

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