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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE INFORMTICA Y ELECTRNICA
ESCUELA DE INGENIERA ELECTRNICA EN TELECOMUNICACIONES Y
REDES
INGENIERA EN ELECTRNICA, TELECOMUNICACIONES Y REDES

GUA DE LABORATORIO DE ELECTRNICA I

PRCTICA No. 2 INSTRUMENTACIN VIRTUAL - SIMULACIN EN LABVIEW

DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

1.

DATOS GENERALES:

NOMBRE: estudiante(s)

CODIGO(S): de estudiante(s)

Daniel Pea

427

Cristian Cardoso

703

Daniela Toainga

679

Adriana Paca

422

Magali Lpez

592

GRUPO No.: 7
FECHA DE REALIZACIN:
23/04/2015

FECHA DE ENTREGA:
30/04/2015

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

2. OBJETIVO(S):
2.1. GENERAL
Comprobar los diferentes niveles de resistencia de un diodo de Si, Ge Y GaAs,
con ayuda del instrumento virtual Labview.
2.2. ESPECFCOS
Comprobar los niveles de resistencia CD de un diodo ingresando valores de
voltaje y corriente en los diferentes diodos.
Comprobar los niveles de resistencia CA de un diodo ingresando valores de
voltaje y corriente en los diferentes diodos.
Calcular los niveles de resistencia promedio CA Y CD de un diodo ingresando
valores de voltaje y corriente en los diferentes diodos.
Comprobar los estados de conduccin y no conduccin de los diodos.
3. METODOLOGA
Experimental.
4. EQUIPOS Y MATERIALES:
EQUIPOS:
-

Computador con Labview.

5.- MARCO TEORICO:

Labview
LabVIEW (Laboratory Virtual Instrument Engineering Workbench) es un lenguaje de
programacin grfico para el diseo de sistemas de adquisicin de datos,
instrumentacin y control. Labview permite disear interfaces de usuario mediante
una consola interactivo basado en software.

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

Labview es a la vez compatible con herramientas de desarrollo similares y puede

trabajar con programas de otra rea de aplicacin, como por ejemplo Matlab. Tiene
la ventaja de que permite una fcil integracin con hardware, especficamente con
tarjetas de medicin, adquisicin y procesamiento de datos (incluyendo adquisicin
de imgenes). Es decir:

Se reduce el tiempo de desarrollo de las aplicaciones al menos de 4 a 10

veces, ya que es muy intuitivo y fcil de aprender.

Dota de gran flexibilidad al sistema, permitiendo cambios y actualizaciones

tanto del hardware como del software.

Da la posibilidad a los usuarios de crear soluciones completas y complejas.

Con un nico sistema de desarrollo se integran las funciones de adquisicin,

anlisis y presentacin de datos.

El sistema est dotado de un compilador grfico para lograr la mxima

velocidad de ejecucin posible.

Tiene la posibilidad de incorporar aplicaciones escritas en otros lenguajes.

LabVIEW es un entorno de programacin destinado al desarrollo de

aplicaciones, similar a los sistemas de desarrollo comerciales que utilizan el
lenguaje C o BASIC.
Niveles de resistencia de un diodo

A medida que el punto de operacin de un diodo se mueve de una regin a otra, su

resistencia tambin cambia debido a la forma no lineal de la curva de
caractersticas.
Existen tres niveles diferentes de resistencias de un diodo.
1.-Resistencia de CD o esttica.- La aplicacin de un voltaje de cd a un circuito
que contiene un diodo semiconductor produce un punto de operacin en la curva de

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

caractersticas que no cambia con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de

operacin se halla determinando los niveles correspondientes de VD e ID como se
muestra en la figura 1 y aplicando la ecuacin 1:

Fig.1. ( R. BOYLESTAD. Determinacin de la resistencia de cd de un diodo en un punto de operacin

particular. Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Editorial PEARSON. Dcima edicin.)

Los niveles de resistencia de cd en la rodilla y debajo de ella son mayores

que los niveles de resistencia obtenidos para la seccin de levantamiento vertical de
las caractersticas. Los niveles de resistencia en la regin de polarizacin en inversa
son por naturaleza bastante altos.
En general, por consiguiente, cuanto mayor sea la corriente a travs de un diodo,
menor ser el nivel de resistencia de cd

Ec. 1. ( R. BOYLESTAD. resistencia del diodo en el punto de operacin. Electrnica teora de circuitos y
dispositivos electrnicos. Editorial PEARSON. Dcima edicin.)

La resistencia de cd de un diodo es independiente de la forma de las caractersticas

en la regin alrededor del punto de inters.

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

2.- Resistencia de CA o dinmica.- Si se aplica una entrada senoidal en lugar de

una de cd, la situacin cambiar por completo. La entrada variable mover el punto
de operacin instantneo hacia arriba y hacia abajo de una regin de las
caractersticas, y por lo tanto define un cambio especfico de la corriente y voltaje
como se muestra en la figura 2. Sin ninguna seal variable aplicada, el punto de
operacin sera el punto Q que aparece en la figura 2, determinado por los niveles
de cd aplicados. La designacin de punto Q se deriva de la palabra quiescente, que
significa fijo o invariable

Fig.2. ( R. BOYLESTAD. Definicin de la resistencia dinmica o resistencia de ca. Electrnica teora de

circuitos y dispositivos electrnicos. Editorial PEARSON. Dcima edicin.)

Una lnea recta trazada tangente a la curva por el punto Q como se muestra
en la figura 3 definir un cambio particular del voltaje y corriente que se puede
utilizar para determinar la resistencia de ca o dinmica en esta regin de las
caractersticas del diodo. Se deber hacer un esfuerzo por mantener el cambio de
voltaje y corriente lo ms pequeo posible y equidistante a ambos lados del punto
Q. En forma de ecuacin 2.

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

Fig.3. ( R. BOYLESTAD. Determinacin de la resistencia de ca en un punto Q. Electrnica teora de circuitos y

dispositivos electrnicos. Editorial PEARSON. Dcima edicin.)

Ec. 2. ( R. BOYLESTAD. Resistencia de ca o dinmica. Electrnica teora de circuitos y dispositivos

electrnicos. Editorial PEARSON. Dcima edicin.)

Cuanto ms inclinada sea la pendiente, menor ser el valor de Vd con el

mismo cambio de Id y menor es la resistencia. La resistencia de ca en la regin de
levantamiento vertical de la caracterstica es, por consiguiente, bastante pequea,
en tanto que la resistencia de ca es mucho ms alta con niveles de corriente bajos.
En general, por consiguiente, cuanto ms bajo est el punto de operacin
(menor corriente o menor voltaje), ms alta es la resistencia de ca.
La derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la lnea
tangente trazada en dicho punto.
En la ecuacin 3 implica que la resistencia dinmica se determina con slo sustituir
el valor quiescente de la corriente de diodo en la ecuacin.

Ec. 3. ( R. BOYLESTAD. Resistencia de ca o dinmica. Electrnica teora de circuitos y dispositivos

electrnicos. Editorial PEARSON. Dcima edicin.)

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

3.- Resistencia de ca promedio

La resistencia de ca promedio es, por definicin, la resistencia determinada por una
lnea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores mximo
y mnimo del voltaje de entrada.

Ec. 3. ( R. BOYLESTAD. Resistencia de ca promedio. Electrnica teora de circuitos y dispositivos

electrnicos. Editorial PEARSON. Dcima edicin.)

Fig.4. ( R. BOYLESTAD. Determinacin de la resistencia de ca promedio entre los lmites indicados.

Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Editorial PEARSON. Dcima edicin.)

Como con los niveles de resistencia de cd y ca, cuanto ms bajo sea el nivel
de las corrientes utilizadas para determinar la resistencia promedio, ms alto ser el
nivel de resistencia.
6. PROCEDIMIENTO
IMPLEMENTACIN Y RECOLECCIN DE DATOS:
Silicio (Si)

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

Germanio (Ge)

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

Arseniuro de Galio (GaAs)

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

INTERPRETACIN DE RESULTADOS:
Silicio (Si)
Resistencia (CD) o dinmica

0,77
10 103

= 77
Resistencia (CA) o esttica

(0,7 0,55)
2,8 103

= 53,5714
Resistencia Promedio (CA)

(0,7 0,475)
4 103

= 56,25

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

Germanio (Ge)
Resistencia (CD) o dinmica

0,35
10 103

= 35
Resistencia (CA) o esttica

(0,3 0,175)
3 103

= 41,6667
Resistencia Promedio (CA)

(0,3 0,075)
4 103

= 56,25

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

Arseniuro de Galio (GaAs)

Resistencia (CD) o dinmica

1,27
10 103

= 127
Resistencia (CA) o esttica

(1,2 1,07)
2,8 103

= 46,4286
Resistencia Promedio (CA)

(1,2 0,95)
4 103

= 62,5

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

7. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:
Conclusiones:

Comprobamos que cuando se ingresa el voltaje del elemento del cual

queremos calcular el nivel de resistencia como puede ser de (Si, Ge, GaAs) es
mayor a 0.7 (Si), 0.3 (Ge), 1.2 (GaAs) existe conduccin y se enciende un diodo
led. mientras que cuando el voltaje ingresado es menor al voltaje del elemento
no existe conduccin.

Pudimos comprobar los niveles de resistencia de corriente directa de un diodo

mediante el ingreso de valores de voltaje y corriente en cada uno de los diodos.

Tambin comprobamos los niveles de resistencia de corriente alterna de un

diodo, lo observamos ingresando valores de voltaje y corriente en los diferentes
diodos.

Se pudo calcular los niveles de resistencia promedio tanto en corriente directa

como en corriente alterna de un diodo ingresando valores de voltaje y corriente
en los diferentes diodos.

Hemos podido comprobar los estados de conduccin y no conduccin de los

diodos.
Recomendaciones:

Es necesario contar con los conocimientos previos en cuanto al tema

estudiado, en este caso el diodo para realizar la prctica dada.

Para que pueda funcionar correctamente es necesario conocer los materiales

a utilizar, las condiciones que nos presenta cada uno de ellos para evitar
cualquier tipo de dao.

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SIMULACIN EN LABVIEW DE NIVELES DE RESISTECIA DE UN DIODO.

Debemos tener en cuenta que un diseo bien estructurado nos lleva a obtener
una prctica bien realizada, es decir, no confundirse en el momento de armarlo.

8.- BIBLIOGRAFA

R. BOYLESTAD. Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos.

Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Editorial
PEARSON. Dcima edicin

J SANCHEZ. TUTORIAL LABVIEW. UNIVERSIDAD DE IBAGUE

FACULTAD DE INENIERIA PROGRAMA INGENIERIA ELECTRONICA
PROYECTOS IBAGUE (2011).