> Informe nmero 8

El Transistor MOSFET: Amplificadores y fuentes

de corrientes
Andrs E. Olaya, Harold S. Portilla y Alberto J. Bermdez

Abstract One of the most important applications of Mosfet are

the amplifiers. This is accomplished by taking advantage of
dependence of the current, by the voltage across of its terminals
Gate and Source. For choose values of resistors and capacitors we
most see the saturation point in transfer voltage graphic to obtain
voltage outputs required. This practice made use of some of the
basic amplifier configurations to achieve specifics gains of certain
signal.
Index
TermsAmplifier,
gain,
impedance,
Mosfet,
configuration pi and T, little signal analysis and DC analysis.

II. OBJETIVOS.
A. General
Disear e implementar circuitos elctricos aplicados, usando
transistores MOSFET.
B. Especficos
-

I. INTRODUCCIN

L transistor de efecto de campo (FET) tiene diversas

aplicaciones relacionadas con las etapas en las cuales
trabaja de acuerdo a sus niveles de tensin en cada una de sus
entradas (Gate, Drain y Source). Estas etapas de trabajo pueden
ser en corte, saturacin y triodo. En otras palabras el transistor
puede trabajar como interruptor o amplificador.
El nombre del transistor se deriva de su operacin fsica, debido
a que el control de corriente se debe a un campo elctrico que
se crea gracias a la tensin en el terminal de entrada. Al estar
compuesto por un semiconductor, el transistor tipo FET
transporta la corriente debido a huecos y electrones
dependiendo del tipo de canal que se use en el transistor.
Particularmente en esta prctica, se us el transistor de efecto
de campo de semiconductor de xido (MOSFET), el cual se
encuentra en un circuito integrado. A pesar de que el diseo de
los transistores de los CI est enfocado al trabajo en zona de
triodo, sus caractersticas de amplificacin son debidamente
perceptibles, como se pudo ver en la prctica.
En este informe se podr apreciar que cuando el transistor se
encuentra en su etapa de saturacin, este puede amplificar la
pequea seal que entre a travs de una de sus terminales que
puede ser el Gate o el Source dependiendo de la configuracin
de su terminal comn. En este caso se podr apreciar la
configuracin de Source y Drain comn en las cuales se pueden
ver diferencias determinantes para que el diseador use en
etapas de un circuito que requieran diferentes caractersticas.
Finalmente se mostrar como el amplificador en cascada es
fundamental para producir mayores ganancias totales. En este
caso se utilizaron dos etapas.
Informe presentado a revisin el 27 de Mayo del 2015. Realizado por Andrs
Eduardo Olaya Patio (aeolayap@unal.edu.co), Harold Sebastin Portilla
Ceballos (hcportillac@unal.edu.co) y Alberto Jos Bermdez Hernndez

Disear amplificadores de tensin, aplicando el concepto

de pequea seal y usando transistores Mosfet.
Comprobar experimentalmente el comportamiento del
transistor Mosfet como amplificador de tensin de
pequea seal.
Validar la operacin del transistor Mosfet como fuente de
corriente.
III. MARCO TERICO

A. Etapa de diseo
Circuito espejo de corriente
Al tener un circuito como el que se aprecia en la imagen, en la
cual se aprecia que el transistor Q1 tiene el drain en corto
circuito con el Gate, se garantiza de esta manera que este est
en saturacin. La corriente Io depende de la ecuacin 1.
1 = 0.5 2
Eq (1).
Donde Kn es una constante propia de las dimensiones del canal
del Mosfet y las cualidades capacitivas del Mosfet. Esta
constante se halla por medio de la caracterizacin del
Transistor [1].

Imagen 1. Circuito espejo de corriente [1].

(ajbermudezh@unal.edu.co). Laboratorio de Electrnica Anloga I,

Universidad Nacional de Colombia, Facultad de ingeniera, departamento de
Ingeniera elctrica y electrnica.

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Este circuito en la prctica lo que produce es una corriente Io
=ID1 por lo cual se le llama espejo de corriente o fuente de
corriente bsica. En la etapa de diseo lo que se debe hallar es
la resistencia R de entrada de acuerdo a la ecuacin que
relaciona la corriente ID1 con la tensin de fuente y de GateSource:

1 =

Eq (2).
Para que esta aplicacin funcione es fundamental que las
caractersticas geomtricas de los Mosfet sean iguales. Esto
implica que el Kn sea igual en ambos casos por lo que se
establece la siguiente relacin [1]:

( ) (1)

=
1 ( ) (2)

Eq (3).
Polarizacin en DC para saturacin
Para que el Transistor tipo Mosfet se encuentre en saturacin se
debe cumplir la condicin de que vgs>>2Vov, por lo general
para que esta condicin se cumpla es muy til construir y
observar la grfica de transferencia de tensin con el fin de
hallar el punto medio de la regin de saturacin [1].

2
Una vez calculada la tensin Vgs a la cual el transistor se
encuentra en saturacin, entonces se puede proceder a calcular
los valores de las resistencias conectadas al Gate y las
conectadas al Drain y Source. En la conexin al Gate, se puede
escoger una de las resistencias. Estas resistencias deben ser del
orden de cientos de Kilo-ohmios pues si se ponen resistencias
del orden de los Mega ohmios puede ocurrir que la corriente sea
muy pequea para hacer funcionar las capacitancias que
fundamentan el funcionamiento del dispositivo. De esta manera
una vez escogida R2, el clculo de la resistencia R1 se hace por
medio de la frmula:
1 =

/2

Eq(4).
Esta relacin surge de que como la corriente de entrada del Gate
es cero se establece un divisor de tensin entre las resistencias
que tiene que dar la tensin a la cual el voltaje Vds>=Vgs-Vt.
Sabiendo la corriente ID por medio de la ecuacin 1, se pueden
obtener las resistencias de Drain y Source, sabiendo que al
Drain le corresponden 2/3 de la tensin de la fuente y que al
Source le corresponde 1/3. As se obtiene que:
1
( )
(2/3)
= 3
=

Eq(5).
Utilizando estas frmulas se obtiene el circuito polarizado en
DC, en saturacin. La ganancia se puede aumentar aumentando
RD o disminuyendo RS, o aumentando la tensin Vgs para
poner el poner el punto de polarizacin en saturacin a un nivel
de tensin ms alto. Todo depende de la ganancia que quiera
obtener el diseador.

Imagen 2. Grfica de transferencia de tensiones [1].

Por lo general para garantizar la saturacin del diodo este se

debe colocar en una tensin Vgs en el medio de la recta de
saturacin. Los valores de A y B dependen de los valores de
entrada del transistor.
Se aprecia que la puesta a tierra sirve para determinar el
terminal comn entre la tierra de los amplificadores. Adems
de los tres terminales de seales y los dos terminales de las
fuentes de alimentacin, el amplificador operacional puede
tener terminales con fines especficos, como compensacin de
frecuencia e invalidacin del desnivel [1].

B. Etapa de Anlisis
Anlisis AC:
Para hacer el anlisis en pequea seal del circuito se asumen
varias cosas. La primera es, que como la corriente de Gate es
igual a cero debido a la resistencia infinita (idealmente) que
hay en la entrada se asume como un circuito abierto. El factor
de amplificacin que tiene el mosfet depende de la tensin de
pequea seal en la entrada y la transconductancia que puede
relacionar el Kn y la corriente ID o el Kn y la tensin Vov. Un
modelo equivalente se puede apreciar a continuacin [1].

Imagen 4. Circuito equivalente en AC [1]

Imagen 3. Polarizacin en DC del transistor para funcionar en saturacin [2].

Dependiendo de si se conecta una resistencia al Source, se

puede modelar el circuito de dos maneras: La primera es el
modelo y el modelo T. La forma en que se modele el circuito

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no tiene mayor relevancia si se tiene un buen nivel en resolucin

de circuitos, sin embargo se hace ms fcil la resolucin de
algunos circuitos por medio del modelo T y otros por medio del
. Una vez se ha modelado el circuito con los valores de Rs y
Rl se puede hallar la tensin vo con el fin de hallar la ganancia
sabiendo la tensin de entrada.
C. Configuraciones del transistor MOSFET:
Para realizar nuestro anlisis AC debemos siempre tener en
cuenta los modelos a usar; en los cuales se busca obtener un
voltaje en un terminal del transistor; que sea proporcional y
apropiado, que depende del voltaje de la seal de entrada:
Para un Source comn, lo ms aconsejable es usar el Modelo
Pi:

Figura 1: Gate comn polarizado con fuente de corriente

IV. PROCEDIMIENTO Y DATOS ESTIMADOS

A. Procedimiento:
Para el da de la prctica se deba llevar montado el circuito
espejo de corriente, el circuito de source comn y source comn
degenerado, junto con el de drain comn y el amplificador en
cascada. Lo que se hizo fue observar en el osciloscopio la seal
de entrada y la seal de salida en cada uno de los casos. Esto
con el fin de mirar el factor de amplificacin de la pequea
seal. Tambin fue medida la resistencia de entrada y de salida
en cada uno de los circuitos.

Imagen 5. Modelo Pi, un modelo en pequea seal para MOSFET

En la configuracin de Source comn es muy comn utilizar el

modelo debido a que se hace cmodo calcular la tensin de
salida por tener un solo nodo. La amplificacin de la fuente de
corriente est determinado por el valor de transconductancia
gm.
Para las dems configuraciones, el modelo ms apropiado es
el Modelo T:

B. Circuito espejo de corriente

Este circuito tiene como finalidad hacer que la corriente de
entrada del circuito sea exactamente igual a la de salida del
mismo. Esto se fundamenta en que el Mosfet se encuentra en
saturacin debido a que se produce un corto circuito entre el
drain y el gate, lo cual garantiza la saturacin. En el diseo de
acuerdo al Kn encontrado en la prctica de caracterizacin se
utiliz una resistencia R de 6K como se muestra en la figura.

Imagen 6. Modelo T, modelo en pequea seal para MOSFET

En la configuracin Gate comn (Imagen 6), se tiene una seal

de entrada en el Source y observaremos como las resistencias
colocadas en los terminales, afecta el voltaje que se obtiene en
el Drain.
Por ltimo, en la configuracin Drain comn , se tiene una seal
de entrada en el Gate y observaremos como las resistencias
colocadas en los terminales, afecta el voltaje que se obtiene en
el Source.

Imagen 7. Circuito espejo de corriente con los valores de R del diseo.

La corriente en el Gate de ambos Mosfet es igual a cero. Se

evidencia al pasar esto, que la tensin Vgs vt es mayor a la
tensin del Drain pues la cada es igual a Vgs entonces como
Vgs>Vgs-vt y Vgs = Vds se garantiza la condicin de
saturacin que dice que Vds>=Vgs-Vt. De esta manera
independientemente de la resistencia de salida se obtienen
corrientes iguales de entrada y de salida para el circuito.

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C. Circuito configuracin en source comn

Para la configuracin en source comn se llev a cabo el
siguiente circuito:

Imagen 10. Circuito amplificador de fuente comn degenerado. Se observa

como se disminuye la ganancia.

Imagen 8. Circuito amplificador de fuente comn. Montaje con las

resistencias calculadas.

La ganancia obtenida no alcanza a ser cinco pero es un poco

mayor a 3 en la simulacin. Para obtener una mayor ganancia
sera conveniente hacer otra etapa de amplificacin y por ultimo
una etapa en drain comn con el fin de estabilizar la salida.
Para calcular la polarizacin en dc se lleva a cabo el proceso
que se muestra en el marco terico donde se encuentra el punto
de saturacin por medio de la curva de transferencia de
tensiones. Para hacer el anlisis en pequea seal de este
circuito, lo que se hizo fue el circuito equivalente de tal
manera que se obtuvo que la resistencia de entrada Ri = 68.75K
y la de salida es igual a RD=8.2k. La ganancia obtenida es de
3.2. Seguramente con una tensin DC ms alta (cmo se pudo
comprobar en circuitos posteriores) el punto de polarizacin en
saturacin pueda subir y la amplificacin sea mayor, aunque se
debera cambiar las resistencias de salida y las de entrada.

E. Circuito con Drain comn:

En este caso la mxima ganancia a obtener es de 1. En el caso
del circuito del diseo se obtuvo una ganancia del 0.82. Este
circuito no est diseado para amplificar sino para entregar una
salida de tensin constante despus de varias etapas de
amplificacin por lo general.

Imagen 11. Circuito de drain comn.

Para lograr conseguir una mayor amplificacin fue necesario

polarizar con un VDD ms alto, para obtener una ganancia ms
cercana a uno. Como se puede ver en la imagen 12.

Imagen 9. Amplificacin obtenida en el simulador para el circuito de fuente

comn.
Imagen 12. Atenuacin con circuito de Drain comn.

D. Circuito con fuente comn degenerado

En este circuito la ganancia se reduce considerablemente (1.95)
sin embargo el hecho de tener Rs conectado al source en el
modelo de pequea seal permite que el circuito sea ms estable
gracias al feedback que se establece en el Source. El circuito
es una variacin del mostrado en la imagen 8 sino que se quita
el capacitor C3. Para este caso la resistencia de salida es
igualmente Ro=8.2K y la de entrada es Ri=68.75K. En la
imagen 10 se puede apreciar claramente que la amplificacin se
baja considerablemente.

F. Circuito amplificador en cascada.

Para la implementacin de este circuito se utiliz en una etapa
el amplificador de fuente comn y en otra etapa el amplificador
de drain comn, aunque se increment la tensin de entrada
Vdd con el fin de obtener una mayor amplificacin por parte
del drain comn, sin embargo se obtuvo prcticamente la
misma amplificacin obtenida en el de Source comn. El
montaje del circuito y los resultados de la simulacin se pueden
apreciar en la imagen 13.

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5
medicin, pues la tendencia del circuito es a conservar la
corriente a pesar de la resistencia que tenga en la salida. Los
anlisis de este circuito ya se han hecho con antelacin, aunque
vale la pena mencionar que el descenso ms abrupto de la
corriente (sin contar el dato atpico) se produce cerca de los
7.5K. Vale la pena recordar que este circuito garantiza su
saturacin por medio del puente entre Gate y Drain, como se
mencion en la parte de B de procedimientos y datos estimados.
B. El amplificador de fuente comn.
Para este circuito se obtuvo un nivel de amplificacin muy
similar al calculado en el simulador:

Imagen 13. Amplificador en cascada con dos etapas: Una de Source comn y
una de drain comn.

V. ANLISIS DE RESULTADOS
Imagen 14. Grfica de V vs T para un transistor Mosfet con fuente comn. La
escala de tiempo est a un ajuste de 0.2 Volts.

A. El espejo de corriente
Para este circuito se obtuvo los siguientes resultados:
R(K)
Vsub(R)(volts)
ID(mA)
1
1.150
1.150
2
2.29
1.145
3
3.39
1.13
4
4.44
1.11
5
5.42
1.084
6
6.08
1.0133
7
7.02
1.0028
8
7.80
0.975
9
8.30
0.922
9.77
8.43
0.862

Se observa claramente que el grado de amplificacin es de 3,

sin embargo con una tensin de 12 volts era muy difcil llegar a
un nivel de amplificacin mayor. Posiblemente si se encuentra
el punto de saturacin con una tensin DC ms alta, el nivel de
amplificacin sea mayor. El resultado coincide muy bien con el
obtenido en las simulaciones.
C. Amplificador con fuente comn degenerado:
Para este circuito se obtuvo que la ganancia baj
significativamente a casi 1.9, lo cual aunque concordaba con la
simulacin estaba por debajo del valor esperado en la prctica.

Tabla 1. Resultados de corriente en la resistencia RD.

Grfico I (eje y) vs R(eje x)

1,4
1,2
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0

Imagen 15. Grfica de V vs T presentada en el osciloscopio debido a un

circuito de fuente comn degenerado. La escala de tiempo est a 0.2 Volts.

10

12

Imagen 14. Grfica de Corriente vs Resistencia para la salida del espejo de

corriente.

Se observa que cuando R=6K hay un dato anmalo que se sale

de la tendencia. Esto puede ser debido a una incorrecta

En el circuito de fuente comn degenerado se baj

significativamente la ganancia debido a la resistencia Rs
conectada al source. A pesar de que esta resistencia brinda un
feedback que proporciona ms estabilidad con carga, tambin

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produce que se sacrifique factor de amplificacin, debido a esta
conexin.
D. Circuito con drain comn
En este circuito la mxima ganancia a esperar era de 1. Sin
embargo, obtener la ganancia unitaria es algo complicado, por
lo cual llegar a un valor bastante cercano est bien para los fines
de la prctica. La grfica obtenida en el osciloscopio es la
siguiente:

6
poner como ltima etapa, pues brinda estabilidad en la
amplificacin.
VI. CONCLUSIONES

Es evidente que el amplificador de source comn puede

llegar a obtener grandes ganancias (hasta de 8 o 9) quitando
la resistencia de carga. Por otro lado la configuracin de
drain comn solamente logra obtener por mucho ganancias
unitarias.
Aunque los resultados difirieron de lo que se pidi se pudo
observar que la diferencia del source comn y el de
cascada es que este ltimo brinda una amplificacin ms
estable al poner una carga, lo cual en la realidad brinda
ventajas increbles debido a que estos amplificadores se
enfocan principalmente en la conexin de carga en los
bornes de salida.
A pesar de que las configuraciones difieren en su
amplificacin cada una posee ventajas al trabajar en
diferentes condiciones, ya sean de alta frecuencia o
ganancia en corriente, etc.

Imagen 16. Amplificador de drain comn. El osciloscopio se encuentra

configurado en escala de 0.2 V.

Como se observa, la ganancia para este caso fue de casi uno.

Como ya se ha dicho, obtener la ganancia unitaria es un proceso
algo complicado de conseguir incluso con Mosfet diseados
para amplificar. Vale la pena recordar que los Mosfet utilizados
en la prctica est diseados para trabajar en la regin de Triodo
comnmente.

VII. RESPUESTA A PREGUNTAS SUGERIDAS

A qu se debe el hecho de que la resistencia de carga

E. Circuito amplificador en cascada.

Para este circuito se utiliz una configuracin en drain comn
y una en source comn, por lo cual la ganancia esperada era de
3 igual a la obtenida en el circuito de source comn, recordando
claro est, que la ganancia mxima que puede obtener el de
drain comn es de 1. La representacin obtenida es la siguiente.

Imagen 17. Grfica de V vs T en el circuito amplificador en cascada. La

divisin de tiempo es de 0.2 V.

Es importante hacer hincapi en que si se hace un amplificador

en cascada con ms de un source comn, se puede obtener
grandes ganancias totales, ventaja que da este circuito respecto
a otras configuraciones como el drain comn o el gate comn.
Por otro lado la configuracin de drain comn es muy til para

de las fuentes deba estar en un rango determinado de

valores o de lo contrario no se garantizara el
funcionamiento como espejo de corriente?
Esto se debe a que la tensin en el Drain no debe ser menor
a la tensin llamada lmite de triodo Este lmite est dado
por la frmula . Al tener una corriente
constante independiente de la resistencia , lo que vara
al aumentar o disminuir la resistencia ser la tensin que
cae sobre esta, lo cual tiene consecuencia en darnos una
tensin limite al que puede llegar la tensin sin estar en
etapa de triodo.
Describa la transicin del transistor Q2 a travs de las
regiones de operacin del Mosfet, conforme la
resistencia Rl aumenta desde cero hasta infinito.
La corriente que atraviesa al transistor es siempre constante
y de 1mA. Cuando la resistencia Rl es mayor a cero y
menor a aproximadamente 9.1 K, al ir aumentando mucho
la corriente decrecer.
Describa el comportamiento real de los circuitos con
amplificadores en funcin de la frecuencia de trabajo y
explique a que se puede deber este fenmeno.
A altas frecuencias el en el Drain y el Source comn
tienden a comportarse de una manera no esperada, debido
a que tienen una impedancia de entrada muy alta que no
permite hacer un control idneo del Mosfet. Por otro lado
realmente el transistor se modela con dos capacitancias
conectadas en paralelo que al igual que un condensador
normal poseen un tiempo caracterstico que al trabajar en

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alta frecuencia puede que el tiempo de duracin de la seal

no sea suficiente para que el capacitor trabaje idneamente.
Basado en la teora y en los diseos realizados realice
una breve descripcin de las ventajas y desventajas y
posibles escenarios de aplicacin para cada una de las
cuatro configuraciones trabajadas. Tenga en cuenta
aspectos como la ganancia, frecuencia de trabajo y
limitaciones en pequea seal, impedancia de entrada y
salida, entre otros.
Source comn: Con esta configuracin se pueden obtener
ganancias altas (De hasta diez) aunque su
comportamiento en altas frecuencias es algo inestable. Su
aplicacin puede ser para fuentes de tensin que
conserven la relacin de potencia y donde se desee
amplificar la tensin.
Source comn degenerado: Aunque su ganancia es
menor, se garantiza un feedback en el source que
permite una mayor estabilidad en presencia de carga.
Puede ser utilizado como amplificador operacional de
baja ganancia.
Drain comn: Aunque su ganancia es siempre menor a
uno, se puede utilizar como atenuador teniendo como
ventajas su ganancia y estabilidad en salida de corriente,
adems de su baja impedancia en la salida.
Cascada: Esta configuracin puede llegar a tener grandes
ganancias y se hace principalmente con tener varias
etapas de amplificacin. Sirve esencialmente en
aplicaciones donde se tenga una entrada de pequea seal
con una amplitud demasiado baja. Un ejemplo es un
medidor de pulso cardiaco, donde se necesitan muchas
etapas para llegar al resultado esperado.
VIII. REFERENCIA

[1]
[2]

K.C.S. Adel S. Sedra, Circuitos Microelectrnicos, volumen 1, cuarta

edicin. 1999. Oxford University Press. Pp 78-89.
Prctica 8. Electrnica anloga Unal. Freddy Velandia-Jair Farouk
Ladino-Diego Jos Acosta. Realizado en el 2015.