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Circuits actifs et systmes micro-ondes

Amplificateur gain maximal 5.8 GHz

Ralis par : ZAIDI Slim

Sommaire

Introduction 3
Chapitre I : Etude thorique
I.1 Stabilit.. 4
I.2 Test de stabilit.4
I.3 Cercles de stabilit...5
I.4 Conception dun amplificateur.7
I.5 Adaptation dun amplificateur..9

Chapitre II : Conception
II.1 Choix du transistor.10
II.2 Polarisation..10
II.3 Etude de la stabilit .............. 12
II.4 Stabilisation.........15
II.5 Adaptation........... 16
.

Conclusion...............................................................................................................19

-2-

Introduction

Dans le domaine micro-ondes, les dimensions des composantes et de leurs


connexions sont de mme ordre de grandeur que la longueur donde des
signaux. Pour cela, il est vident quun amplificateur RF est plus dlicat
concevoir quun autre dans la bande basse. On doit alors tablir de
nouveaux concepts spcifiques aux amplificateurs en micro-ondes. Le
concept le plus important est la matrice de rpartition [S]. Elle permet de
dfinir prcisment le comportement dun composant une frquence
donne. Cette matrice servira, entre autres, tudier la stabilit du
transistor, lment indispensable dans la conception de tout amplificateur.
Dans le cadre de ce projet, on se propose de concevoir un amplificateur RF
gain maximal oprant dans la bande de frquences 5,8 GHz. Pour se faire,
on commence par lidentification du point de polarisation du transistor, puis
on fait la conception du circuit de polarisation. Ensuite, on tudie la
stabilit de ce transistor. Et enfin, on soccupe de la conception et
loptimisation des circuits dadaptations. Tout ceci ncessite lutilisation de
deux outils: labaque de Smith et le logiciel ADS Advanced Design
System.

-3-

Chapitre I: Etude Thorique


I.1 Stabilit
Le but de cette tude est de sloigner le plus possible de la zone dinstabilit, ou zone
doscillation du transistor. Dans la Figure 1, loscillation est possible, si limpdance
dentre ou de sortie a une partie relle ngative c'est--dire in <1 et out t<1. En
consquent, la stabilit dpend de S et L puisque in et out dpendent du circuit du
gnrateur et celui de la charge.

Figure 1. Circuit dun amplificateur


On dfinit deux types de stabilit :
Stabilit inconditionnelle: le circuit est dit inconditionnellement stable si in <1
et out <1 pour toutes les impdances passives du gnrateur et de la charge
( S <1 et L < 1)
Stabilit conditionnelle: le circuit est dit conditionnellement stable ou
potentiellement instable si in <1 et out <1 pour un ensemble dimpdances
passives du gnrateurs et de la charge.

I.2 Test de stabilit


Afin de dterminer si lamplificateur est inconditionnellement stable ou potentiellement
instable, on utilise K et sachant que:

1 S11 S 22
2

K
et

(1.2.1)

2 S12 S 21

S11S 22 S12 S 21

(1.2.2)

-4-

Si K>1 et <1 alors le systme est inconditionnellement stable. Sinon, il est


potentiellement instable.
Cependant, ce test ne donne aucune information sur les valeurs des coefficients de
rflexion lentre et la sortie, qui permettent davoir la stabilit dans le cas o
lamplificateur est potentiellement instable (stabilit conditionnelle). Pour se faire, on
doit avoir recours aux cercles de stabilit.

I.3 Cercles de stabilit


Les expressions des coefficients de rflexion de lentre et de la sortie en fonction des
paramtres S de la matrice de dispersion sont les suivantes:
in S11

S12 S 21L
1 S 22L

(1.3.1)

S12 S 21S
1 S11S

(1.3.2)

et

out S 22

Etant donn que les conditions de la stabilit sont in <1 et out <1, on peut remarquer
que si le transistor est unilatral S12 0 , les conditions sont rduit | S11 |<1 et | S 22 |<1.
Les solutions de ces ingalits forment les cercles de stabilit lentre et la sortie. Ces
cercles dfinissent les limites entre les rgions de stabilit inconditionnelle et de stabilit
conditionnelle pour les valeurs de S et L .
On peut dduire lquation du cercle de stabilit la sortie en posant in = 1 et par suite
on aboutit lquation suivante:

| S11 (1 S 22L ) S11S 22L || 1 S 22L |


Et puisque:

(1.3.3)

S11S 22 S12 S 21

Lquation (1.3.3) sera :

| S11 L || 1 S 22L |

(1.3.4)

Par la suit, on peut aboutir :

* *

22

S11

S 22
2

S12 S 21
S 22
2

(1.3.5)

Cette quation dfinit le cercle de stabilit la sortie dont le centre C L et le rayon RL sont
respectivement donns par :

-5-

RL

CL

S12 S 21
S 22
2

(1.3.6)

* *

22

S11

S 22
2

(1.3.7)

De la mme manire on peut obtenir le cercle de stabilit lentre dont le rayon RS et le


centre C S sont respectivement donns par:

CS

RS

11

S 22

* *

S11
2

S12 S 21
S11
2

(1.3.8)

(1.3.9)

Connaissant les paramtres S, on peut alors dessiner les cercles de stabilit l'entre et
la sortie pour dterminer les parties de l'abaque de Smith qui reprsentent la rgion de
stabilit, o on a in <1 et out <1. Une des mthodes de reconnaitre ces parties est de
comparer la sortie S11 (ou S 22 lentre) par rapport 1. En effet, si S11 1 le centre
de labaque de Smith appartient la rgion stable. Sinon, il est dans la rgion instable.

Figure 2. Cercles de stabilit

-6-

La Figure 2 montre la position du cercle de stabilit la sortie et les rgions de stabilit


de labaque de Smith.
Si le dispositif est inconditionnellement stable, les cercles de stabilits sont compltement
lextrieur de labaque de Smith.

I.4 Conception dun amplificateur


On peut concevoir un amplificateur en se basant sur trois diffrents critres: le gain
maximal, le gain constant ou bien le faible bruit.

Amplificateur gain maximal


Si les conditions suivantes sont runies, on a un transfert maximal de puissance du circuit
dentre vers le circuit de sortie:
in S*

(1.4.1)

out L*
Ces deux conditions maximisent le gain total du circuit :

G T, max

S21
K k 2 1
S12

(1.4.2)

(1.4.3)

Pour trouver les valeurs des coefficients de rflexions lentre et la sortie


correspondantes au gain maximal, il faut rsoudre le systme dquation suivant:

S12 S 21L
1 S 22L
S S
L* S 22 12 21 S
1 S11S
Si le transistor est bilatral S12 0 , les solutions sont comme suit:
S* S11

MS
ML

B1 B12 4 C1

(1.4.4)

2C1
B2 B22 4 C2
2C21

(1.4.5)

Avec
B1 1 S11 S 22

B2 1 S 22 S11

C1 S11 S

*
22

*
C 2 S 22 S11

-7-

(1.4.6)

Par contre, dans le cas dun transistor unilatral S12 0 , les solutions sont :
*
S S11

(1.4.7)

*
L S 22

(1.4.8)

Amplificateur gain constant


Afin de concevoir un amplificateur ayant un gain constant, il faut commencer par
dessiner les cercles de gain constant de lentre et de la sortie. Ceci permet de dterminer
les valeurs des coefficients de rflexions qui donnent une valeur fixe du gain.
Dans le cas unilatral, le gain dentre et de la sortie GS et G L sont donns par :
1 S

GS

1 S11S

1 L

GL

(1.4.9)

(1.4.10)

1 S 22L

On dfinit le facteur de gain normalis:


2

1 S
GS
gS

GS max 1 S11S

(1 S11 )

(1.4.11)

1 L
GL
2
gL

(1 S 22 )
2
G L max 1 S 22L

(1.4.12)

On peut alors extraire les quations des cercles de gain constant lentre et la sortie.
Le centre et le rayon du cercle de gain constant lentre sont donns par :
*

CS

g S S11

1 (1 g S ) S11

(1.4.13)

1 g S (1 S11 )
2

RS

1 (1 g S ) S11

(1.4.14)

Ceux du cercle de gain constant la sortie sont donns par :

CL

g L S 22

1 (1 g L ) S 22

-8-

(1.4.15)

1 g L (1 S 22 )
2

RS

1 (1 g L ) S 22

(1.4.16)

Finalement, le choix de S et L doit tre fait sur les cercles dfinis prcdemment afin
davoir le gain fix au pralable.

Amplificateur faible bruit


Gnralement, on doit faire un compromis entre le gain maximal et le faible bruit. Pour
se faire, on considre non seulement les cercles gain maximal mais aussi les cercles
facteur de bruit constant. Le centre et le rayon des cercles facteur de bruit constant sont
donns par:

CF

opt

(1.4.17)

N 1
2

RF

N ( N 1 opt )
N 1

(1.4.18)

Avec

S opt
1 S

(1.4.19)

La valeur de opt est fournie par le fabriquant.

I.5 Adaptation dun amplificateur


Gnralement, le but traves la conception d'un amplificateur est davoir un maximum
de gain aussi constant que possible sur toute la bande de frquence dsire. Pour se faire,
on procde l'adaptation du transistor l'entre et la sortie dans le but de maximiser le
transfert de puissance. Ladaptation simultane conjugue permet le transfert maximal de
puissance. Elle est obtenue pour les conditions suivantes:
in S*
out L*

Cette adaptation peut tre ralise grce l'abaque de Smith. Pour concevoir les circuits
d'adaptation on peut utiliser soit des lignes de transmission (parallles et ou en sries) soit
des lments localiss (capacit et ou inductance).

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Chapitre II : Conception
II.1 Choix du transistor
Dans la plupart des circuits micro-ondes, on utilise soit les transistors bipolaires base de
silicone soit des transistors GaAS effet de champs. Les premiers permettent de raliser
un gain lev de puissance tandis que les seconds permettent davoir un faible bruit. Dans
le cadre de notre projet, on a choisit dutiliser le transistor bipolaire NEC_NE71000HI
_19920211 disponible dans la bibliothque dADS. Ses spcifications techniques,
fournies par le fabriquant, sont les suivantes: Vds (typical) = 3V, Idss = 64.88 mA.

II.2 Polarisation
Pour que le transistor fonctionnement correctement, on doit appliquer sur ces ports les
bonnes valeurs de tensions et de courants.
Le circuit de polarisation est reprsent sur la Figure suivante :

Figure 3. Circuit de polarisation


Dans la figure ci-dessus :
DC : la simulation en courant continu pour la polarisation.
V_Dc : les sources continues de tension.
I_Probe : ampremtre.

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T : le transistor NEC choisi de la librairie ADS.


Le point de fonctionnement obtenu grce la simulation ADS est :
Vds = 5 V, Ids = 44.08 mA.
Aprs avoir dtermin le point de fonctionnement de notre transistor, nous allons
maintenant chercher ses paramtres S pour la frquence 5.8 GHz laide du circuit
suivant :

Figure 4. Circuit servant dterminer la matrice de rpartition


Dans la Figure ci-dessus :
S_Parameters : simule les paramtres [S].
Term : adapte le port 50 .
DC_block et DC_Feed : remplacent les bobines et les condensateurs pour sparer
les alimentations DC et RF.

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StabFac et StabMeas : vrifient si le transistor est inconditionnellement stable ou


non. (Si StabFact> 1 et StabMeas> 0 alors le transistor est inconditionnellement
stable).
S_StabCircle et L_StabCircle : nous aident tracer les cercles de stabilit
lentre et la sortie sur la mme figure.
La simulation ADS permet davoir les rsultats suivants :

Tableau 1. Paramtres [S]


A la frquence 5.8 GHz la matrice de rpartition est la suivante :
0.924 -72.140
( 3.006
124.734

[S] =

0.071 46.283
0.505 -40.596

II.3 Etude de la stabilit


Dans cette partie, on vrifie la stabilit du transistor travers le calcul de K et .

S11S 22 S12S 21 0.924 - 72.140 0.505 - 40.596 0.071 46.283 3.006 124.734
Donc :
0.464 86.154 et

1 S11 S 22
2

2 S12 S 21

1 0.924 2 0.505 2 0.464 2


0.251
2 0.071 46.283 3.006 124.734

On a K<1 et <1 alors le systme est potentiellement instable.

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Pour dessiner les cercles de stabilit lentre et la sortie, on peut soit utiliser ADS soit
calculer la valeur du rayon et la position du centre de chaque cercle laide des quations
mentionnes au chapitre prcdent.
Pour le cercle de stabilit lentre:

CL

* *

22

S11

S 22

RL

S12 S 21
S 22
2

5.71798.23

5.372

Pour le cercle de stabilit la sortie:

CS

RS

11

S 22

S11
2

S12 S 21
S11
2

* *
2

1.1380.489

0.334

Avec ADS on aura les rsultats suivants :

Tableau 2. Facteur de stabilit

- 13 -

Figure 5. Cercles de stabilit pour des diffrentes frquences

Figure 6. Cercles de stabilit 5.8 GHz

- 14 -

Puisque, dans notre cas, S11 1 et S 22 1 , la rgion qui contient le centre de labaque
est une rgion stable. On peut, alors, remarquer quune partie importante de labaque de
Smith est une rgion instable. Do la ncessit de stabiliser le transistor.

II.4 Stabilisation
En se basant sur les cercles de stabilit, tracs sur labaque de Smith [1], on peut dduire
quen rajoutant en entre une rsistance en parallle de valeur 208 , le transistor devient
stable. Donc, en simulant le circuit suivant avec ADS, on obtient la nouvelle matrice de
rpartition la frquence 5.8 GHz est :
[S] =

-75.489
(0.677
2.591 129.862

0.062 51.421
0.522 -39.188

Figure 7. Stabilisation du transistor


On calcule de nouveau K et : K = 1.16 >1 et || = 0.319<1.

- 15 -

Maintenant, le transistor est inconditionnellement stable et les cercles de stabilit, comme


illustr sur la Figure suivante sont lextrieur de labaque de Smith.

Figure 8. Cercles de stabilit aprs stabilisation

II.5 Adaptation
Dans le cadre de ce projet, on veut concevoir un amplificateur gain maximal oprant
la frquence 5.8 GHz. Pour avoir le gain maximal, il faut un transfert optimal de
puissance. Pour cette raison, on a opt pour ladaptation simultane conjugue, dtaille
dans le premier chapitre. Donc, il faut que :
in S*
out L*
On commence par la vrification de lunilatralit du transistor :

S12 S 21 S11 S 22

1 S 1 S 0.1416 0.03
2

11

22

Donc le transistor est bilatral.

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Dans ces conditions et daprs ltude thorique du chapitre I, les coefficients de lentre
et de sortie sont comme suit :
MS
ML

B1 B12 4 C1

2C1
B2 B22 4 C 2

2C 21

On utilise le signe (-) parce que le transistor est inconditionnellement stable. On a aussi :
B1 1 S 11 S 22 1.083
2

B 2 1 S 22 S 11 0.711
2

*
C1 S 11 S 22
0.534 - 83.35
*
C 2 S 22 S 11
0.342 - 55.50

Enfin:

MS 0.839 83.33

ML 0.762 55.51
En utilisant labaque de Smith [2] on obtient les circuits dadaptation suivants :
Circuit dadaptation la
sortie

Circuit dadaptation
lentre

50
L2

Transistor

L3
50

L1

L4

Figure 9. Circuits dadaptation du transistor


Avec :
L1 = 0.048

L3 = 0.118

L2 = 0.091

L4 = 0.065

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Figure 10. Calcul des paramtres des circuits dadaptation


En utilisant loutil LineCalc dADS on trouve les valeurs suivantes :
L1 = 1.78 mm

L3 = 4.4 mm

L2 = 3.39 mm

L4 = 2.42 mm

Figure 10. Adaptation


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La simulation avec ADS du circuit, illustr sur la figure ci-dessus, permet davoir la
matrice de rpartition suivante:
[S] =

-141.675
(0.736
2.181 42.739

0.052 -35.702
0.648 -130.075

Daprs lquation (1.4.3) dans ces conditions le gain de lamplificateur est :


G G T, max

S 21
S12

k 2 1

2.181
1.16 1.16 2 1 24 13.8dB
0.052

Le lay-out du circuit final est le suivant :

Figure 11. Lay-out du circuit dadaptation

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Conclusion

Ce projet nous a permis de mieux assimiler les connaissances acquises dans


le cours des circuits actifs et systmes micro-ondes. En effet, on a mis en
pratique les tapes indispensables pour le design dun amplificateur gain
maximal. Ces tapes ont t ralises grce ADS qui offre une vaste
bibliothque de composants micro-ondes et permet une grande maniabilit
dans la conception des circuits. Finalement, la familiarisation avec ce
puissant logiciel savre trs intressante pour des applications futures,
relatives mes travaux de recherches dans le domaine des communications
sans fils.

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