UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

SISTEMA NACIONAL ACADEMICO (W)

PLAN ANALITICO
Fri Oct 16 10:50:25 ECT 2015
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1. INFORMACIN GENERAL DEL PROYECTO ACADMICO

Denominacin del INGENIERIA ELECTRONICA - PROPUESTA UNIFICADA 10-01-2006 - MENCION SISTEMAS
Cdigo del proyecto : 93
Sede :
Campus :

GUAYAQUIL
CENTENARIO

Carrera : INGENIERA ELECTRNICA

Nivel de Formacin :
Nmero de Nivel :
Modalidad de Estudios :

TERCER NIVEL
10
PRESENCIAL

2. NIVEL MICROCURRICULAR
DATOS INFORMATIVOS
Asignatura : ELECTRONICA ANALOGICA I
Cdigo asignatura :
Area Curricular :
Crditos :

5810
AREA DE FORMACION PROFESIONAL
6

Horas :

96

Nivel :

CONTENIDO
DESCRIPCIN DE LA ASIGNATURA
En esta asignatura se tratan los temas relacionados con los principios de la electrnica analgica, los transistores y sus aplicaciones.
OBJETIVOS DE APRENDIZAJE
Objetivo General:
Estudiar el comportamiento del diodo semiconductor, los transistores BJT y FET, con sus aplicaciones.
Objetivos Especficos:
Conocer los principios de funcionamiento de los filtros pasivos
Conocer los principios bsicos de los semiconductores.
Estudiar el principio de funcionamiento de los transistores BJT y FET.
CONTENIDOS COGNITIVOS PROCEDIMENTALES Y ACTITUDINALES
1.
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6

FILTROS PASIVOS RC Y RL
Conceptos de filtro y diagramas de Bode.
Tipos de Filtro.
Filtros pasa bajo (RC-LR).
Filtros pasa alto (CR - RL).
Filtros pasa banda.
Filtros pasa bajo y pasa alto con rgimen impulsivo.

2.
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8

EL DIODO SEMICONDUCTOR
Materiales semiconductores.
Caractersticas y propiedades de la unin PN.
Comportamiento del diodo en corriente contina.
Comportamiento del diodo en corriente alterna (rectificadores).
Recortadores y Sujetadores.
Diodo zener: principio de funcionamiento, caractersticas y aplicaciones.
Fuentes estabilizadas de tensin con circuito integrado.
Otros Diodos.

3.
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6

TRANSISTOR BIPOLAR BJT

Operacin, tipos y configuraciones.
Circuito, caractersticas bsicas de ingreso y salida para BC, EC y CC.
Zonas de trabajo, lmites de operacin, hojas especificaciones y pruebas.
Polarizaciones del transistor BJT.
El transistor BJT en conmutacin.
Conmutacin con circuitos integrados.

4.
4.1
4.2
4.3
4.4

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

Estructura y caractersticas de los FET
Tipos de transistores FET.
Caractersticas de transferencia.
Polarizacin del FET.

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publico

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4.5
4.6

MOSFET de tipo decremental e incremental.

Redes combinadas de transistores.

MTODOS DE APRENDIZAJE
Se regir a lo que se indica en el Reglamento Interno de Rgimen Acadmico vigente en la Universidad Politcnica Salesiana.
EVALUACIN
Se regir a lo que se indica en el Reglamento Interno de Rgimen Acadmico vigente en la Universidad Politcnica Salesiana.
BIBLIOGRAFA
BIBLIOGRAFIA BASE
[1] Robert Boylestad, "Electrnica Teora De Circuitos Editorial", Dcima Edicin, Editorial Prentice Hall Hispanoamericana S.A, 2009
BIBLIOGRAFIA COMPLEMENTARIA
[2] Huijsing, (2011), Amplifier Operational, Theory and Design, E. Springer*
[3] Floyd T, (2011), Electronic Device, E. Prentice Hall*, 2011
[4] Karris S, (2012) Electronic Device and amplifier circuits with Matlab, E. Orchard Pubns*, 2008
[5] Robert Boylestad. Introduccin al anlisis de Circuitos, Editorial Prentice Hall Hispanoamericana S.A, dcima Edicin, 2011

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