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Dveloppement dun nouvel onduleur mixte 5 niveaux pour

les applications photovoltaques domestiques 3 kW


Adelphe CALDEIRA
GREMAN UMR-CNRS 7347
Universit de Tours, 7 avenue Marcel Dassault, 37200 Tours (France). Tel.: +33 (0)2 47 36 13 38
adelphe.caldeira@univ-tours.fr

RSUM Les onduleurs multiniveaux sont trs utiliss dans les applications de puissance de lordre de 10 kW du fait de
leur capacit gnrer une trs bonne qualit des formes d'ondes, en rduisant la frquence de commutation des
interrupteurs, et leur niveau de tension lors du blocage des dispositifs de puissance. Cependant, ce type donduleur doit tre
modifi pour la fois limiter les courants de fuite la terre et amliorer la robustesse du systme. Cet article prsente une
nouvelle architecture mixte donduleur 5 niveaux, ddie aux applications photovoltaques (PV) domestiques, permettant
de rpondre ces problmatiques. Une analyse thorique du convertisseur est propose. Des mesures exprimentales sont
dcrites pour le fonctionnement de londuleur. En particulier, la tension et le courant de sortie, ainsi que le THD de la tension
de sortie sont analyss.
ABSTRACT Multilevel inverters are well used in high power electronic applications (about 10 kW) because of their ability
to generate a very good quality of waveforms, reducing switching frequency, and their low voltage stress across the power
devices. However, this kind of inverter has to be modified to both limit earth leakage currents and improve the robustness of
the system. This paper presents a new mixed 5-level inverter, dedicated to domestic photovoltaic (PV) systems, that meets
these challenges. A theoretical analysis is proposed. Several experimental measurements are described to validate the new
inverter operation. The output voltage and current, and the THD of the output voltage are analyzed.
MOTS-CLS applications photovoltaques, fiabilit des condensateurs, courant de fuite, onduleur NPC 5 niveaux,
distorsion harmonique.

1. Introduction
Depuis plus de dix ans, le march mondial des systmes photovoltaques connat un taux de croissance trs lev, de
lordre de 30% 40% par an, d en particulier aux installations raccordes au rseau lectrique de distribution [1]. Cette
croissance exceptionnelle passe ncessairement par des innovations technologiques et une baisse des cots des modules
photovoltaques, mais galement par des efforts significatifs de recherche et de dveloppement, notamment dans le
domaine de llectronique de puissance.
Les performances techniques et la robustesse des onduleurs utiliss pour le raccordement des modules photovoltaques
au rseau de distribution dlectricit sont des lments-cls qui peuvent fortement impacter la production dnergie
lectrique et par consquent, la rentabilit financire dun systme [1].
Les interrupteurs de puissance des onduleurs peuvent tre soumis de fortes contraintes en tension. Ces composants
doivent en particulier tre en mesure de bloquer la pleine tension impose par le bus continu de la chane
photovoltaque. La rptition de ces contraintes peut conduire la limitation de lendurance du convertisseur.
Londuleur, coupl des modules photovoltaques, peut galement tre assujetti de forts courants de fuite. Leur
amplitude peut conduire au dclenchement de lunit de surveillance des courants de dfaut du convertisseur et ainsi,
provoquer la dconnexion de ce dernier au rseau lectrique de distribution. Ces courants de dfaut sont dus aux
capacits parasites inhrentes aux proprits physiques fondamentales des modules. Les capacits parasites, qui peuvent
en particulier atteindre des valeurs importantes pour des modules photovoltaque, sont proportionnelles la surface et
inversement proportionnelles lpaisseur [2], [3], [4].
La structure des onduleurs multiniveaux permettent de pallier ces problmatiques en gnrant une tension de sortie
dcoupe et compose dau moins trois niveaux. Lutilisation de ce type darchitecture aide la limitation des
contraintes en tension subies par les interrupteurs en fractionnant le bus de tension continu du gnrateur
photovoltaque. Chaque composant, lorsquil est ltat bloqu, supporte ainsi, seule une partie de la pleine tension du
bus continu. La multiplication des niveaux permet de rduire lamplitude de chaque front montant et descendant de la
tension de sortie. Dans le cas dun fonctionnement en modulation de la largeur dimpulsion (MLI), lassociation dune

architecture de type multiniveau une commande judicieuse des interrupteurs de puissance permet en outre de
supprimer certaines familles de raies harmoniques et par consquent, damliorer le contenu spectral des signaux de
sortie (tension et courant) [5], [6]. Toutefois, le nombre de dispositifs semi-conducteurs pourrait tre important et
impacter la robustesse du convertisseur.
Cet article prsente une nouvelle architecture donduleur mixte 5 niveaux ddie aux applications photovoltaques
domestiques (puissance typique de 3 kW). Cette topologie, qui permet de rpondre aux problmatiques prcdemment
dcrites, est issue dune association dun onduleur en pont complet et dune structure NPC symtrique 3 niveaux. Une
description de cet onduleur mixte sera propose. Les apports dune telle architecture, par rapport des structures
existantes, seront explicits. Enfin, une campagne de mesures exprimentales permettra de valider le fonctionnement du
convertisseur.

2. Problmatique des courants de fuite capacitifs des modules photovoltaques


Les modules photovoltaques de type mono-verre, illustrs dans la figure 1, actuellement utiliss pour les applications
domestiques, sont gnralement constitus dun empilement de six matriaux [7], [8]. Un cadre en aluminium sert de
support de fixation et garantit la rigidit suffisante du module photovoltaque. Un antireflet, communment une vitre en
verre tremp ayant une structure en nid dabeille , est utilis pour permettre une bonne transmission des photons de
la lumire vers les cellules solaires (gnralement en silicium cristallin). Deux couches de rsine transparente ou EVA
(Ethylene-Vinyl Acetate) sont prsentes de part et dautre des cellules photovoltaques. LEVA sert la fois dadhsif
pour les cellules, de dilectrique, de conducteur thermique et de couche protectrice contre lhumidit. Enfin, un film en
Tedlar permet de protger la face arrire du module contre les rayons UV et la corrosion. Tous les modules
photovoltaques prsentent, selon leurs proprits physiques fondamentales, une certaine capacit parasite.
Le montage des modules photovoltaques sur la toiture dun btiment, comme lillustre la figure 1, peut tre ralis
laide de rails. Dans le cas des installations en Basse Tension, le guide UTE C 15-712 prcise en particulier que toutes
les masses mtalliques des modules photovoltaques doivent tre raccordes la terre. Ainsi, la conception dun module
photovoltaque rappelle la constitution dune capacit o la couche de silicium est porte une polarit et la carcasse
une autre. Suivant les proprits des matriaux et du type de montage des modules, des condensateurs parasites sont
alors crs. En utilisant la relation (1), il est possible dvaluer de faon simplifie la valeur de leur capacit. Ces
dernires peuvent atteindre prs de 150 nF.kW-1 [4].

Cadre
Capacit parasite

Verre
EVA
Semi-conducteur
Tedlar
Fixation

Fixation

Figure 1 : Capacits parasites des modules photovoltaques de type mono-verre implments sur la toiture dun btiment

Cd = 0 r

Sa
e

[F]

(1)

- 0 : permittivit du vide (0 8,85.10-12 F.m-1).


- r : permittivit relative du matriau (pour le verre, entre 5 et 10).
- Sa : surface du condensateur (en m2).
- e : paisseur du dilectrique (en m).

La combinaison des capacits parasites des modules photovoltaques avec le fonctionnement des onduleurs peut
engendrer de forts courants de fuite dans linstallation photovoltaque. Dans certains cas, si ces courant dpassent un
certain seuil (> 30mA), le dclenchement de l'unit de surveillance des courants de dfaut de linstallation lectrique est
provoqu. Cela entrane alors la dconnexion momentane de l'onduleur du rseau lectrique de distribution. Certains
fabricants donduleurs (e.g. SMA Solar Technology AG) prconisent ainsi dutiliser un transformateur pour isoler les
modules du rseau. Toutefois, le rendement de ce type de convertisseur est plus faible que celui des onduleurs sans
transformateur (de lordre de -2%) et son cot est relativement lev [9]. Les onduleurs multiniveaux de type NPC
peuvent alors pallier ces problmatiques.

3. Limitations des structures multiniveaux existantes


3.1

Critres de comparaison et paramtres de simulation

Afin didentifier leurs avantages et leurs inconvnients, mais galement dvaluer qualitativement les apports dune
nouvelle architecture de conversion par rapport des structures existantes, nous avons celles-ci laide du logiciel
LTspice. Ltude comparative sappuie en particulier sur une analyse du THD de la tension de sortie, du niveau de
courant de fuite gnr par la structure, ainsi que de la rpartition du spectre harmonique sur une bande de frquences.
La modlisation lectrique essaie de reproduire fidlement les cartes de puissance donduleurs dune puissance de 3 kW
disponibles sur le march. Nous avons utilis des composants de puissance dimensionns suivant lapplication
(onduleur dune puissance de 3 kW raccord au rseau lectrique 230 V, 50 Hz). La figure 2 illustre le modle de
simulation dun onduleur en pont complet (ou pont en H ). Les interrupteurs commands utiliss sont des transistors
MOSFETs de calibre 650 V, 33 A, RDS(ON) = 78 m ( STP42n65m5 ) du fabricant STMicroelectronics. En ce qui
concerne les diodes de redressement, nous avons choisi des diodes rapides (temps de recouvrement maximal de 155 ns)
de calibre 1000 V, 25 A ( BYT12PI1000) du fabricant STMicroelectronics. La charge est assimile une rsistance
pour assurer un courant de sortie en phase avec la tension sans prise en compte dun quelconque filtrage. Les modules
PV sont modliss par des sources de tension puisque nous considrons un fonctionnement de la structure en amont (i.e.
du convertisseur DC/DC) au point de puissance maximale.
Les lments parasites (rsistances, inductances et capacits) sont pris en compte. Les MOSFETs sont assembls dans
des botiers TO-247 non isols. Le potentiel de la face arrire du botier est alors au mme niveau que celui du drain.
Ces composants sont monts sur un dissipateur thermique. Il est ncessaire dinsrer un dilectrique entre ces deux
parties afin dassurer lisolation galvanique de linterrupteur. Le dissipateur tant lui-mme soud la masse du circuit
et par consquent la terre, le dilectrique est soumis deux potentiels de diffrentes amplitudes. La simulation tient
alors en compte de la capacit parasite entre larrire du botier du transistor et le dissipateur thermique. Les rsistances
des pistes de cuivre ( Rp ), Les inductances et les capacits parasites ( Lp et Cp ) existantes entre les pistes et le
plan de masse du circuit imprim ont galement t considrs. Enfin, les courants de fuite des structures de puissance
sont pris en compte en modlisant les capacits des modules photovoltaques la terre. La valeur de 100 nF.KW-1 a t
arbitrairement choisie.
Cp/2

Cp/2

Chssis

PV +
Rp

Lp
Cd

Cd

Phase
Neutre
Cd

Rp

PV Cfuite

Cp/2

Cd

Lp

Cp/2

Dissipateur

Figure 2 : Exemple de modle de simulation dun onduleur en pont en H (la charge est reprsente par le rseau lectrique)

La frquence de dcoupage (frquence de la porteuse) a t fixe 16 kHz. Ltude du spectre harmonique est faite sur
une bande de frquences allant de 0 Hz 208 kHz (soit 13 fois la frquence de dcoupage) et sans fentrage.

3.2

tude de londuleur en pont complet

Larchitecture donduleur la plus employe dans les applications photovoltaques de lordre du kilowatt est celle en pont
en H . Bien que relativement facile mettre en uvre et peu coteuse du point de vue du nombre dlments qui la
compose, elle prsente toutefois deux inconvnients en interaction directe avec les problmatiques relatives au
fonctionnement des convertisseurs PV mises prcdemment en exergue.
La tension de sortie de londuleur en pont complet volue entre les niveaux +E et E (E reprsente lamplitude du bus
de tension continue dentre). Daprs la figure 3, le niveau +E est obtenu lorsque les interrupteurs K1 et K4
(interrupteurs commands + diodes) conduisent. Le niveau E est induit par la conduction des interrupteurs K2 et
K3 . tant donns la connexion de londuleur au rseau et le souhait de minimiser le THD du signal de sortie, une
commande MLI bipolaire est souvent utilise [10]. Ce type de commande permet la tension de sortie dvoluer entre
E et +E. Le principe de fonctionnement rside dans la comparaison dune modulante (i.e. signal synthtiser, ici une
sinusode) avec une porteuse de frquence suprieure ou gale 20 fois celle du signal modulant (gnralement un

triangle centr ou en dents de scie ). Lintrt de cette technique de commande est ltalement du spectre harmonique
vers les hautes frquences, ce qui permet de faciliter le filtrage. De plus, la profondeur de modulation (i.e. quotient entre
lamplitude de la modulante et la porteuse dont la valeur est infrieure ou gale 1) permet de fixer lamplitude du
fondamental du signal gnr (ici, la tension de sortie Vs).
La figure 3 illustre en particulier la gnration des courants de fuite capacitifs au sein de londuleur en pont en H .
Lors de la mise en marche de londuleur, lorsque les interrupteurs K1 et K4 conduisent, la terre est dans la
configuration . Dans ce cas, le potentiel Vfuite est nul tout comme le courant de fuite. Ds que les interrupteurs
K2 et K3 samorcent, la terre passe de la position et le potentiel Vfuite de 0 E. Pendant cette
phase de transition, un courant de fuite est gnr dont lamplitude dpend la fois du temps de commutation des
interrupteurs et de lamplitude du bus de tension continue. Enfin, ds que les interrupteurs complmentaires K1 et
K4 samorcent nouveau, le potentiel Vfuite passe de E 0, ce qui une nouvelle fois gnre un courant de fuite.
K3

K1

Vs= -E

Vs=E
1

K1

K2

K4
Ifuite

Ifuite=0

K3

Vfuite= -E

Vfuite=0
E
Vs
K2

K4
K1

K3

Ifuite

Vfuite

Vs=E

Vs= -E
K4

K2

Ifuite

Ifuite=0
Vfuite=E

(a)

Vfuite= -E

(b)

Figure 3 : Gnration des courants de fuite capacitifs dans un onduleur en pont complet

Ce type darchitecture donduleur prsente deux inconvnients majeurs. Le premier est limportant niveau de
commutation de la tension aux bornes de la capacit parasite du champ de modules PV. Cette diffrence de potentiels
peut, selon la conduction des diffrents interrupteurs, atteindre en valeur absolue la tension maximale dentre. Le
second problme concerne le condensateur dentre du convertisseur utilis pour lisser la tension fournie par le bus DC.
Pour une puissance de 3 kW, la structure en H doit disposer dune capacit denviron 1,5 mF (0,5 mF par kW).
Cette structure de puissance ncessite en outre la capacit la plus importante des architectures PV puisquaucune
discrtisation de ltage dentre nest ralise. Lune des causes de panne dun onduleur en pont complet concerne la
fatigue progressive de ces condensateurs de type lectrolytique [11]. La fiabilit de ce type darchitecture de conversion
peut alors tre limite.

3.3
3.3.1

tude des architectures NPC symtriques


Onduleur NPC symtrique 3 niveaux

Contrairement londuleur en pont en H , lintrt majeur de larchitecture NPC est de pouvoir fixer le point neutre
du rseau au point milieu du bus dentre DC. Ce point neutre, reli la charge dans le cas dun onduleur symtrique,
est galement connect la terre par le rgime TT . Ainsi, les capacits parasites des modules voient leurs bornes
un potentiel fixe et par consquent, aucun courant de fuite ne peut tre gnr. Ce type de convertisseur est souvent
employ dans une configuration asymtrique (le neutre de la charge nest pas reli au point milieu du bus DC). Les
applications vises concernent les charges triphases telles que les variateurs de vitesse des machines asynchrones
triphases [12], [13].
La figure 4 (a) illustre le schma de principe dun onduleur NPC symtrique 3 niveaux. La logique de commande de
cette architecture sappuie sur celle de londuleur en pont complet. Pour un onduleur N niveaux, il est ncessaire
de comparer la modulante N-1 porteuses. Dans le cas dune architecture NPC 3 niveaux, la modulante est
compare 2 porteuses triangulaires (cf. Figure 4 (b)). Les trois niveaux de la tension de sortie VS sont : 0, +E et E. La porteuse positive Tri1 permet dobtenir le niveau +E et la porteuse symtrique Tri2 (en inversion de phase
avec Tri1 ), le niveau -E. En particulier, lorsque la modulante est comprise entre les porteuses Tri2 et Tri1 , les

interrupteurs K2 et K1 sont passants et le signal de sortie VS est au niveau 0. Lorsque le


signal modulant est suprieur Tri1 (respectivement infrieur Tri2 ), les interrupteurs K1 et K2
(respectivement K1 et K2 ) sont passants et le signal de sortie VS est au niveau +E (respectivement E). La
forme obtenue du signal de sortie obtenue est analogue celle qui pourrait tre issue dun onduleur en pont complet
disposant dune commande MLI unipolaire. Ce type de commande permet la tension de sortie dvoluer entre 0 et +E,
puis entre 0 et E.
Comme attendu, londuleur NPC ne gnre pas de courant de fuite contrario de londuleur en pont complet. La figure
5 prsente une comparaison du spectre harmonique du signal de sortie entre un onduleur en pont complet utilisant une
commande unipolaire et une architecture NPC symtrique 3 niveaux. Le THD de VS est sensiblement identique entre
les deux structures. Il est intressant de prciser que sa valeur est environ divise par deux par rapport celle dun
onduleur en pont en H utilisant une commande bipolaire. Pour que la valeur du THD soit encore plus faible, il est
ncessaire daugmenter le nombre de niveaux de tension.
Londuleur NPC symtrique 3 niveaux prsente cependant quelques inconvnients. Lors de la phase de blocage,
chaque interrupteur doit tre en mesure de tenir le niveau E. De plus, pour gnrer un signal de sortie damplitude
maximale gale E, il est ncessaire de disposer de deux sources de tension de mme valeur (i.e. E) et donc, deux
capacit de filtrage supportant cette mme tension.

K1
Vfuite

Modulante = a.sin(wt)

Porteuses

Tri1
K2

Tri2
Vs
K1
Vfuite

-1
Vs
E

-E

K2

(a)

(b)

Figure 4 : Schma lectrique de principe (a) et signaux de commande (b) dun onduleur NPC symtrique 3 niveaux

Figure 5 : Comparaison du spectre harmonique de la tension de sortie entre un onduleur en pont complet commande
unipolaire et une structure NPC symtrique 3 niveaux

3.3.2

Onduleur NPC symtrique 5 niveaux

La figure 6 (a) illustre le schma de principe dun onduleur NPC symtrique 5 niveaux. Pour gnrer les 5 niveaux de
la tension de sortie, soit 0, +E/2, +E, -E/2 et E, il est ncessaire de disposer de 4 sources de tension dentre, chacune
damplitude gale E/2. La logique de commande de cette architecture consiste comparer la modulante 4 porteuses
triangulaires. Comme lillustre la figure 6 (b), les signaux Tri1 et Tri2 permettent respectivement de gnrer les
niveaux +E/2 et +E. Par symtrie, les niveaux E/2 et E sont crs respectivement par les porteuses Tri3 et Tri4 .

K1

K2

Tri2
1
Tri1
Tri3
-1
Tri4

E/2

Vfuite

Porteuses

Modulante = a.sin(wt)

-2

K3

Vs
E/2

E
K4

E/2

Vs

-E/2

Vfuite

K1

-E

E/2
K2
Vfuite
K3
E/2
K4
Vfuite

(a)

(b)

Figure 6 : Schma lectrique de principe (a) et signaux de commande (b) dun onduleur NPC symtrique 5 niveaux

Les conditions de commutation de tous les interrupteurs commands de londuleur sont rsumes dans le tableau 1. La
figure 7 illustre les tats des interrupteurs de puissance pour les niveaux 0, +E/2 et +E de la tension de sortie.
Tableau 1. Conditions de commutation des interrupteurs dun onduleur NPC symtrique 5 niveaux
Logique de commande
Tri3 < Sinus < Tri1
Sinus > Tri1
Sinus > Tri2
Sinus < Tri3
Sinus < Tri4

Interrupteurs ON
K1 ; K2
K1 ; K2 ; K3
K1 ; K2 ; K3 ; K4
K2 ; K3 ; K4
K1 ; K2 ; K3 ; K4

Niveau de la tension VS
0
+E/2
+E
-E/2
-E

K1

E/2

K2

K1

E/2

K2

K3

E/2

E/2

A
Vs

K2

K3

K3

(a)

E/2

K4

(b)

K1

K2

K4

K4

O
Vs

E/2

E/2

K3

E/2

K1

E/2

K2

K4

O
Vs

E/2

K3

K4

K1

K1

E/2
K2

K3

E/2

K4

(c)

Figure 7 : Gnration des niveaux 0 (a), +E/2 (b) et +E (c) de la tension de sortie dun onduleur NPC symtrique 5 niveaux

La figure 8 met en vidence significative (diminution dun facteur 2) du THD de la tension de sortie de londuleur NPC
symtrique 5 niveaux par rapport une structure NPC symtrique 3 niveaux. De plus, la fonction NPC permet
encore une fois de garantir quil ny a pas de circulation dun courant de fuite dans le convertisseur.

Figure 8 : Comparaison du spectre harmonique de la tension de sortie entre un onduleur NPC symtrique 3 niveaux et une
structure NPC symtrique 5 niveaux

Londuleur NPC symtrique 5 niveaux permet galement de limiter les contraintes en tension lorsque les interrupteurs
sont bloqus. En effet, ces derniers voient leurs bornes une tension E/2, soit deux fois plus faible que celle dans le cas
dune architecture NPC symtrique 3 niveaux.
Malgr tous les avantages dcrits prcdemment, cette structure de conversion prsente de quelques inconvnients. Le
nombre de composants actifs mis en jeu augmente considrablement (suprieur un facteur 2). En effet, il est
ncessaire de disposer de 8 interrupteurs commands et 6 diodes de clamping pour obtenir les 5 niveaux de la
tension de sortie. De plus, quatre sous-champs photovoltaques, chacun damplitude gale E/2, sont ncessaires pour
alimenter le convertisseur. Quatre condensateurs dentre et quatre tages de recherche du point de puissance maximale
doivent tre utiliss. Le nombre dtages de conversion, de composants actifs (interrupteurs) et passifs (condensateurs)
est donc consquent. Compte-tenu de la fragilit de ces derniers lments, la robustesse de lensemble du convertisseur
pourrait tre compromise.

4. Dveloppement dune nouvelle architecture mixte donduleur 5 niveaux


4.1

Principe de fonctionnement

La nouvelle architecture donduleur, dcrite dans cet article et illustre dans la figure 9, est fonde sur lassociation
dune structure NPC 3 niveaux (constitue des interrupteurs K1 , K2 , K3 , K4 et des deux diodes
connectes la terre) et celle dun pont complet (constitue des interrupteurs K1 , K4 , K7 et K8 ). Les
interrupteurs K5 et K6 connects en anti-srie tablissent la liaison du point milieu du bus DC la terre. Ces
interrupteurs sont judicieusement commands afin de gnrer les niveaux de tension 0, E/2 et -E/2. Cette association en
anti-srie autorise la bidirectionnalit en tension et en courant de llment assurant la liaison au point milieu dentre.
Pont en H

K7

NPC 3 niveaux

K1

E/2
Point Neutre

K2

Vfuite
Vs
K5

K6

K3

E/2
K8

K4

Vfuite

Figure 9 : Nouvelle architecture mixte donduleur 5 niveaux

Lalgorithme de commande des interrupteurs qui composent cette architecture est strictement identique celui dun
onduleur NPC 5 niveaux (cf. Figure 6 (b)). Les conditions de commutation de tous les composants actifs commands
de londuleur sont rsumes dans le tableau 2. La figure 10 illustre les tats des interrupteurs de puissance pour les
niveaux 0, +E/2 et +E de la tension de sortie.

Tableau 2. Conditions de commutation des interrupteurs de la nouvelle architecture mixte donduleur 5 niveaux
Logique de commande
Tri3 < Sinus < Tri1
Sinus > Tri1
Sinus > Tri2
Sinus < Tri3
Sinus < Tri4

Interrupteurs ON
K2 ; K3
K3 ; K4 ; K5 ; K6
K3 ; K4 ; K7
K1 ; K2 ; K5 ; K6
K1 ; K2 ; K8

K1

K7

K1

K7

Niveau de la tension VS
0
+E/2
+E
-E/2
-E

E/2

E/2

K2

K2

A
K5

E/2
K2

K6

K6

Vs

K6

K5

K3

O
Vs

(a)

O
Vs

K3

E/2

K8

K4

K8

K5

K3

E/2

E/2

K1

K7

(b)

K4

K8

K4

(c)

Figure 10 : Gnration des niveaux 0 (a), +E/2 (b) et +E (c) de la tension de sortie du nouvel onduleur mixte 5 niveaux

La gnration des niveaux +E et E, fonde sur la structure NPC, sappuie sur les deux interrupteurs K7 et K8 .
Ainsi, partir de deux gnrateurs photovoltaques, chacun damplitude gale E/2, londuleur mixte propos est en
mesure de crer les 5 niveaux de tension (0, +E/2, +E, -E/2, -E). Lintrt est alors de diviser par deux le nombre de
sources de tension, mais aussi le nombre de capacits dentre, par rapport un onduleur NPC 5 niveaux.
Puisque cette nouvelle architecture fixe le point neutre du rseau au point milieu du bus dentre DC (fondements de la
fonction NPC), le THD de la tension de sortie est du mme ordre de grandeur que celui de londuleur NPC symtrique
5 niveaux. De plus, les contraintes en tension sur les interrupteurs sont divises par deux par rapport la structure en
pont en H . Londuleur mixte propos permet galement de diminuer lamplitude maximale du courant de fuite. En
effet, lamplitude de la tension aux bornes de la capacit de fuite (en valeur absolue) atteint au maximum E/2, par
consquent deux fois moins leve que celle obtenue dans le cas dune structure en pont complet. Pour conclure sur les
avantages de ce convertisseur, le nombre de composants actifs mis en jeu est sensiblement diminu en comparaison
avec un onduleur NPC symtrique 5 niveaux (8 interrupteurs et 2 diodes de clamping pour londuleur mixte
propos par rapport 8 interrupteurs et 6 diodes de clamping pour la structure NPC symtrique 5 niveaux). Enfin,
2 condensateurs de dcouplage sont ici ncessaires, soit deux fois moins que dans le cas dune architecture NPC 5
niveaux. Il est intressant de rappeler que la fiabilit de ces composants passifs est largement discute dans la littrature.
Pour toutes ces raisons, la robustesse de londuleur mixte dcrit dans cet article semble tre un atout majeur par rapport
aux structures dj existantes.

4.2
4.2.1

Validation exprimentale
Prototype de londuleur mixte 5 niveaux

La figure 11 illustre le prototype de londuleur mixte 5 niveaux dcrit dans cet article.

Figure 11 : Prototype de londuleur mixte 5 niveaux propos

Le convertisseur utilise une commande MLI sinusodale. La gestion gnrale du convertisseur, ainsi que la mise en
forme des signaux de commande, sont ralises laide dune commande numrique. Une commande analogique
permet non seulement dadapter les signaux gnrs au pilotage des interrupteurs, mais galement de grer les temps
morts.
Le principe de la commande numrique consiste gnrer 4 signaux MLI indpendants. Pour cela, un DSP ( Digital
Signal Processor ), dsPIC30F6010a du fabricant Microchip, a t choisi. Ce DSP est habituellement utilis pour la
variation de vitesse de moteurs car il possde 8 sorties MLI (dont 4 sorties complmentaires) et 4 gnrateurs de rapport
cyclique indpendants. La programmation est ralise laide de lenvironnement MPLAB du fabricant Microchip et
code en langage C. La fonction PWM interne au circuit fonctionne selon le principe suivant. Un signal triangulaire
Trix est gnr. Une constante a , fixant lamplitude du rapport cyclique, est ensuite charge dans un registre par
lutilisateur pour tre compare au premier signal. Le rsultat de cette comparaison gnre un signal TTL ( Transistor
Transistor Logic ) 0 5 V rapport cyclique constant. Dans notre cas, nous souhaitons obtenir une PWM sinusodale.
Le signal a volue donc dans le temps. Pour cela, une modulante sinusodale est discrtise en tableau de points et
charge une frquence constante (ici, 18 kHz) dans le registre. Ltat logique de chacune des quatre sorties MLI (cf.
tableau 3) du DSP est alors la consquence de la comparaison entre la modulante et la porteuse triangulaire.
Tableau 3. Synthse des ordres de commande des 8 interrupteurs de londuleur mixte 5 niveaux propos
Logique de commande
Sinus > Tri2

Correspondance DSP
MLI2

Interrupteurs ON
K1, K2, K8

Tri1 < Sinus < Tri2

MLI1 & MLI2

K1, K2, K5, K6

+E/2

Tri3 < Sinus < Tri1

MLI3 & MLI1

K2, K3

Tri4 < Sinus < Tri3

MLI4 & MLI3


MLI4

K3, K4, K5, K6

-E/2

K3, K4, K7

-E

Sinus < Tri4

Niveau de la tension VS
+E

Une commande rapproche analogique permet, partir de la combinaison des quatre signaux MLI gnrs par le DSP,
de crer les signaux de commande des 8 interrupteurs qui composent londuleur. Ce circuit est compos dun tage de
mise en forme des signaux, de circuits retard (de type R-C + diode), ainsi que dun montage dadaptation des
amplitudes en tension et en courant des signaux de commande. Le circuit retard, de type R-C et diode permet
ensuite de grer les temps morts vitant ainsi toute combinaison pouvant induire un court-circuit des sources de tension
pendant les phases de commutation. Le retard est actif uniquement sur le front montant du signal de commande. Pour
cela, une diode place en antiparallle de la rsistance de grille est utilise.
La structure multiniveau propose ncessite des commandes flottantes et isoles entre elles. Il est donc ncessaire de
sparer lectriquement (isolation galvanique) les pistes vhiculant les signaux de commande des pistes dalimentation
du circuit puissance et celles non rfrences un mme potentiel. Pour cela, nous utilisons des drivers isols
(optocoupleurs) ddis la commande de MOSFETs et/ou dIGBTs du type HCPL-3101 du constructeur Agilent.
Les 8 alimentations flottantes ont t ralises laide de montages Bootstrap . Ce type de montage est couramment
employ dans les onduleurs en pont complet puisquil est constitu de composants discrets (rsistance, condensateur et
diode). Le circuit Bootstrap est donc relativement simple concevoir, peu coteux et peu nergivore par rapport
des alimentations dcoupage [14]. La ralisation de chaque circuit BootStrap ncessite de dimensionner une
capacit et une diode vhiculant le courant de charge. Les phases de charge des condensateurs dpendent des cycles de
commutation des interrupteurs. Ces temps diffrent galement selon le rapport cyclique et la priode de dcoupage. La
dure de charge varie entre 0 et 1 / Fd = 55 s (avec Fd la frquence de dcoupage). Dans le cas le plus critique, ces
capacits doivent assurer la conduction de leurs interrupteurs respectifs pendant une priode du signal fourni par le
rseau (soit 20 ms) avec une chute de tension choisie de V = 1 V.
Concernant la diode, elle doit pouvoir conduire le courant de charge rapidement. Un faible temps de recouvrement est
donc privilgier. Sa tension inverse doit galement supporter la tension dcoupe, soit 400 V. Pour ces raisons, la
rfrence UF4005 du fournisseur Gnral Instrument a t choisie (600 V / 1A).
La commande des interrupteurs K5 et K6 (cf. Figure 9) est ralise par le biais dune source isole et
indpendante. En effet, le circuit BootStrap prcdent ne possde pas de rfrence commune aux autres
interrupteurs

4.2.2

Analyse des rsultats exprimentaux

Les essais de validation du fonctionnement de londuleur mixte 5 niveaux ont t mens au moyen de deux
gnrateurs DC isols 300 V / 10 A pour simuler les sources dentre. Lensemble des relevs ont t effectus avec un
oscilloscope 500 MHz de rfrence TDS5054 (Tektronix). Une mthode indirecte a t employe pour la mesure du
taux de distorsion harmonique. Elle consiste mesurer les signaux de sortie de londuleur, post-traiter les graphiques
obtenus laide du logiciel LTspice pour enfin dterminer la valeur du THD. La figure 12 illustre la tension et le
courant de sortie, validant ainsi le bon fonctionnement du convertisseur. Ces relevs ont t obtenus une puissance
dentre rduite (500 W). La tension de sortie prsente bien les 5 niveaux souhaits. Sa valeur efficace est aux alentours

des 220 V attendus. Le courant de sortie du convertisseur prsente des variations amorties dues au comportement
inductif (inductance mesure de lordre de 0,1 mH) du rhostat de charge utilis. Le rendement de conversion a t
mesur laide de deux wattmtres ( MetraHit 29S ) avec une prcision de 0,1 W. Le rendement obtenu dans ces
conditions, cest--dire sans optimisation du prototype ralis, slve 90%.
La figure 13 illustre la comparaison entre la mesure et la simulation du spectre harmonique de la tension de sortie. Nous
observons bien un fondamental 50 Hz, puis des raies multiples de la frquence de dcoupage (soit 18 kHz). Dans ces
conditions de fonctionnement, le taux de distorsion calcul est de lordre de 26%. Cette valeur conforte lobservation
dun signal de sortie modulante sinusodale. Nous observons galement la similitude du spectre simul et observ
(cart relatif entre lexprience et la simulation infrieur 4%).

CH1: Vs
218 V RMS

CH4: Is
2 A RMS

CH1: 200 V/div


CH4: 2 A/div

Balayage: 4 ms/div

Figure 12 : Relev exprimental des grandeurs de sortie (tension et courant) de londuleur mixte 5 niveaux

Figure 13 : Comparaison du spectre harmonique de la tension de sortie mesur et simul de londuleur mixte 5 niveaux
propos

4.2.3

Synthse

Les allures de la tension et du courant de sortie du convertisseur mixte propos sont cohrentes avec celles attendues.
Nous obtenons en sortie de londuleur un signal 5 niveaux damplitude maximale, de frquence et de frquence de
dcoupage qui valent respectivement 400 V, 50 Hz et 18 kHz. Le rendement de conversion est aux alentours de 90%
malgr le fait que le prototype ralis nait subi aucune optimisation. Le THD de la tension de sortie du convertisseur
est du mme ordre de grandeur (proche de 25%) que celui obtenu lors de la simulation. Tous ces rsultats permettent de
valider le principe de fonctionnement de londuleur mixte propos.
Des amliorations sur le fonctionnement doivent cependant encore tre apportes. En effet, lors du fonctionnement de la
structure, nous avons observ un dsquilibre de la rpartition des tensions appliques aux bornes des interrupteurs
connects en srie. En effet, suivant les phases de fonctionnement, certains interrupteurs supportent la pleine tension
ltat OFF au lieu de bloquer une tension damplitude divise par le nombre dinterrupteurs associs en srie. Le
problme d au dsquilibre est en ralit li aux temps de propagation des signaux de commande. En effet, les ordres
de commande des interrupteurs narrivent pas sur leur grille de faon synchronise. Cela entrane ainsi une mise hors
conduction des interrupteurs (qui supportent ainsi la pleine tension) plus ou moins rapide.

5. Conclusion
Les installations photovoltaques domestiques raccordes au rseau lectrique de distribution (applications de quelques
kilowatts) peuvent tre pnalises par les courants de fuite capacitifs inhrents la structure des modules
photovoltaques. Lamplitude de ces courants peut tre suffisamment leve pour provoquer la dconnexion de
londuleur du rseau lectrique de distribution. De plus, la fatigue des capacits de filtrage de la source de tension
continue, ainsi que les niveaux importants de la tension de blocage des interrupteurs peuvent tre des facteurs limitant la
robustesse du convertisseur DC/AC. Les onduleurs multiniveaux permettent en partie de rpondre ces problmatiques.
Toutefois, leur mise en uvre parfois difficile, ainsi que le nombre important de composants actifs et passifs mis en jeu,
sont des critres discriminants vis--vis de la robustesse du systme de conversion.
Dans cet article, une nouvelle architecture mixte donduleur 5 niveaux a t propose pour la fois, limiter les
courants de fuite capacitifs induits par les modules photovoltaques et garantir une robustesse satisfaisante du
convertisseur. Cette nouvelle structure permet de sappuyer sur les performances de londuleur de type NPC 3 niveaux
permettant llimination du courant de fuite la terre, mais aussi de sinspirer de la conception simple de londuleur en
pont complet qui limite le nombre de composants actifs (interrupteurs) et passifs (condensateurs de dcouplage). La
solution propose comptabilise 10 interrupteurs (par rapport 14 pour une structure NPC quivalente dj existante) et
2 condensateurs de filtrage du bus de tension DC impos par le gnrateur photovoltaque (par rapport 6 dans le cas
dune structure NPC 5 niveaux dj existante).
Les simulations lectriques et les rsultats dessais exprimentaux mettent en vidence que le niveau des courants de
fuite est rduit de moiti par rapport celui obtenu dans le cas dun onduleur en pont complet. Le THD du signal de
sortie est du mme ordre de grandeur que celui obtenu dans le cas dun onduleur NPC symtrique 5 niveaux. Le
nombre de sources de tension DC ncessaires pour raliser la fonction est diminu de moiti par rapport la structure
NPC existante.

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