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TRAVAIL PRATIQUE DE

TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE
MICROELECTRONIQUE
REALISATION DE CIRCUITS
CIRCUITS INTEGRES
MOSTEC
MtalMtal-OxydeOxyde-Silicium
TEChnologie
TRANSISTORS MOS A GRILLE EN
POLYSILICIUM SUBMICRONIQUES

Mj aot 2009

D. Constantin, aot 2009

INTRODUCTION
INTRODUCTION ................................................................
................................................................................................
.....................................................................................
..................................................... 3
REALISATION DU TRANSISTOR
TRANSISTOR MOS,
MOS, VUE D'ENSEMBLE DE LA FILERE ..................... 5
OXYDE DE GRILLE ET DEPOT
DEPOT CVD DE SI POLYCRISTALLIN
POLYCRISTALLIN .........................................
......................................... 6
NETTOYAGE AVANT OYDATION SECHE .........................................................................................7
LOBTENTION DOXYDE DE SILICIUM .............................................................................................8
DEPOT CVD ..................................................................................................................................15

LITHOGRAPHIE ET GRAVURE
GRAVURE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
POLYCRISTALLIN .................................
................................. 17
LA PHOTOLITHOGRAPHIE ...........................................................................................................20
LA GRAVURE ...............................................................................................................................23
DOPAGE DES SOURCES, DRAINS ET GRILLES ................................................................
.................................................................
................................. 29
LE DOPAGE DU SILICIUM .............................................................................................................31
DIFFUSION THERMIQUE .......................................................................................................31
L'IMPLANTATION IONIQUE ..................................................................................................35
LA METHODE DES 4 POINTES .......................................................................................................39
L'ELLIPSOMETRIE ........................................................................................................................43
LE MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE ...........................................................................46
REALISATION DE L'OXYDE DE PROTECTION
PROTECTION................................
CTION ................................................................
.................................................................
................................. 51
REALISATION DES CONTACTS
CONTACTS ................................................................
..........................................................................................
.......................................................... 53
LA METALLISATION .....................................................................................................................55
EVAPORATION SOUS VIDE ....................................................................................................56
PULVERISATION CATHODIQUE ............................................................................................58
ANNEXES ................................................................
................................................................................................
...............................................................................................
............................................................... 59
DESCRIPTIF DU CIRCUIT MOSTEC.................................................................................................60
SURPERPOSITION DES NIVEAUX ...................................................................................................61
MASQUE OUVERTURE ZONES ACTIVES ET MASQUE SI POLY .......................................................62
MASQUE OUVERTURE CONTACTS ET MASQUE METALLISATION .................................................63
DETAILS DES DIFFERENTS DISPOSITIFS .........................................................................................64

D. Constantin, aot 2009

INTRODUCTION

D. Constantin, aot 2009


INTRODUCTION
Le but de ce cycle de travaux pratiques est de permettre une prise de contact concrte avec les
mthodes de fabrication des circuits intgrs. A cette fin, plusieurs sances en salle permettent de
passer en revue les principales tapes de fabrication pour la filire NMOS naturelle grille en
silicium polycristallin, savoir :
-

oxydation,

dpt de couches par CVD (Chemical Vapour Deposition),

photolithographie,

gravure,

implantation,

mtallisation,

et des moyens de caractrisation :


- mthode des quatre pointes,
- ellipsomtrie, profilomtre,
- MEB (microscope lectronique balayage)
Le circuit intgr MOSTEC est un circuit de test technologique qui comporte tous les motifs utiles
pour dterminer la cause d'un ventuel dfaut au cours de la fabrication. Sa description dtaille
est fournie en fin du fascicule.

Le TP dbute avec des plaques en silicium oxydes (0.5m doxyde thermique humide).
Cette couche doxyde de champ a t photolithographie puis grave afin douvrir les zones
utiles aux dispositifs qui vont tre raliss par la suite.

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Ralisation du transistor MOS vue densemble de la filire :

Dbut du TP

Pour raliser les


transistors grilles
submicroniques, dopage
du Si poly pleine plaque
ncessaire, tape soustraite

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Oxyde de grille
et Dpt CVD de Silicium
Polycristallin

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NETTOYAGE AVANT OXYDATION
OXYDATION ET OXYDE DE GRILLE

Nettoyage du silicium, dgraissage et dcapage de l'oxyde natif.


natif Ce nettoyage est garant
de la qualit de la future interface Si-SiO2.
- prparation des bains de HF dilu (5%) et mlange H2O2 :H2SO4 en proportion
1/1
- attaque HF dilu (5 s) et rinage
- attaque mlange H2O2 :H2SO4 (15 min) et rinage
- attaque HF dilu (5 s) et rinage
- schage des plaquettes la centrifugeuse
- nettoyage des bchers et de la paillasse
Calcul thorique
- l'aide du modle de Deal et Grove et des abaques joints, on peut dterminer le
temps ncessaire la formation d'une couche de 50 nm d'oxyde la temprature
de 1050C. (Application : calcule de l'paisseur de Si consomm pour former les
50 nm de SiO2).
Oxydation mince du Si : elle s'effectue dans un four parois de quartz.
- disposer les plaquettes et une plaquette tmoin dans la nacelle en quartz
- dfinition des conditions d'oxydation l'aide d'un automate programmable
(rgulation PID de la temprature 1050C)
-

entre automatique de la nacelle dans le four sous flux d'azote


temps d'oxydation
temps de recuit sous azote (diminution des charges fixes dans l'oxyde)
sortie de la nacelle sous flux d'azote

Dpt du Silicium polycristallin


polycristallin par LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition)
partir du silane SiH4 pyrolys dans un four 625C une pression totale de 0,5 torr.
- les plaquettes seront places dans une nacelle, mplat vers le bas, face polie vers le
flux de gaz (l'injection de silane se fait par l'avant du four)
- contrle des diffrentes squences (purge, pompage, test de fuite...) effectu par
un automate programmable
- dure du dpt 40 minutes, paisseur de silicium dpos 250nm

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LOBTENTION DOXYDE DE SILICIUM

INTRODUCTION
NTRODUCTION:
L'objectif est de crer la surface du silicium un oxyde (SiO2) qui sera utilis, soit
comme isolant dilectrique (grille de transistor MOS, isolation entre interconnexions),
soit comme couche de protection.
L'oxydation du silicium peut tre effectue de plusieurs manires :
- haute temprature (700 1250C) en prsence d'un courant gazeux oxydant
(oxyde thermique),
- basse temprature par dpt chimique en phase vapeur CVD (oxyde dpos).
L'OXYDATION THERMIQUE :
Principe :
On forme une couche de silice SiO2 la surface de la plaquette de silicium par
oxydation dans un four haute temprature (voir figure) parcouru par un courant gazeux
oxydant. On distingue deux types d'oxydation selon la nature de l'oxydant :
- l'oxydation sche est ralise en prsence d'un courant gazeux d'oxygne sec :
<Si> + O2 -> <SiO2>
- l'oxydation humide, beaucoup plus rapide, se caractrise par un courant d'oxygne
charg en vapeur d'eau, soit :
<Si> +2 H2O -> <SiO2> + 2 H2

Systme d'oxydation thermique.


Pour raliser des oxydes pais, on utilisera l'oxydation humide car plus rapide.
Toutefois, l'oxyde humide tant plus poreux que l'oxyde sec, ce mode d'oxydation sera
suivi d'un oxyde sec de manire densifier l'oxyde total. De mme, l'opration
d'oxydation sera commence en oxygne sec de faon obtenir une interface Si/SiO2 de
bonne qualit.
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Pour les oxydes minces, de l'ordre de quelques Angstrms, l'oxygne sec donne des
taux de croissance encore relativement levs. Pour bien contrler les faibles paisseurs,
on utilise alors l'effet de dilution de l'oxygne dans un gaz neutre, tel que l'azote ou
l'argon.
Cintique de croissance :
La cintique d'oxydation du silicium dpend essentiellement de deux phnomnes :
- - la raction la surface Si/SiO2
<Si> +O2 -> <SiO2>
- la diffusion de l'oxygne travers la couche d'oxyde dj forme.
L'paisseur d'oxyde form volue alors avec le temps suivant une loi parabolique
linaire :

e2 + A.e = B.t (modle de Deal et Grove)


o e est l'paisseur d'oxyde form
t
le temps d'oxydation
B
une constante qui caractrise la diffusion de O2 dans
SiO2

B/A

une constante qui caractrise la raction l'interface.

Les paramtres B et B/A sont lis au dopage, aux conditions de temprature et de


pression des gaz et sont trs diffrents selon que l'oxydation est sche ou humide. C'est
ainsi qu' 1000C, il faut 8h pour obtenir une paisseur de 2000 en oxygne sec, alors
qu'une mme paisseur est obtenue en moins d'une heure en oxydation humide. Les
figures de la page suivante permettent de dterminer la constante B et le rapport B/A en
fonction de la temprature et des conditions d'oxydation.
Durant l'oxydation, il y a consommation de Si, et par consquent, l'interface Si/SiO2 se
dplace vers l'intrieur de la plaquette. On admet en premire approximation que :

eSi = 0,44 eOx


o eSi est l'paisseur de Si consomme et eOx
l'paisseur d'oxyde form. Donc pour avoir 1 m de
SiO2 thermique, on consomme environ 0,5 m de

55%
45%

direction de
croissance

SiO2
Si

Si.
Les tempratures leves ainsi que la consommation du silicium font que l'oxydation
thermique n'est pratique qu'au cours des premires tapes du processus technologique
(oxyde pais) sous peine de modifier profondment les structures existantes.

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Qualit de l'interface Si/SiO2 :
La tension de claquage de SiO2 est de l'ordre de 12MV/cm (soit pour une paisseur de
l'oxyde de grille de 500, une tension de 60V thorique). Toutefois, cette valeur n'est
atteinte que si l'interface Si/SiO2 est parfaite, ce qui suppose une bonne qualit
"mcanique" et lectrique du SiO2 form qui est en gnral fortement dpendant de la
procdure de nettoyage du substrat avant l'oxydation. De plus, afin de diminuer la densit
des charges la surface, un recuit final est ralis (10 min 1050C sous azote).

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Evolution de B et B/A en fonction de la temprature pour diffrents types d'oxydation (Si,


orientation <100>).
B.E. Deal and Grove, Journal of Applied Physics, Vol. 36, page 3770 (1965)

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Contrle de l'paisseur :
Le contrle de l'paisseur d'oxyde peut tre ralis par diffrentes mthodes, telle que
la profilomtrie mcanique (alphastep) ou l'ellipsomtrie. Une premire indication de
l'paisseur est donne par la couleur rflchie par la plaquette de silicium recouverte de
silice, claire en lumire blanche sous incidence normale (cf. tableau).
Couleur

Epaisseur (en microns)

Gris

0,01

Brun
Bleu
Violet
Bleu

0,05
0,08
0,10
0,15

0,28
0,30

0,46
0,49

0,65

Vert
Jaune
Rouge

0,18
0,21
0,25

0,33
0,37
0,44

0,52
0,56
0,62

0,68
0,72
0,75

L'OXYDE DEPOSE
Les oxydes d'isolement entre couches conductrices ou de protection ne peuvent tre
obtenus que par dpt. Le principe gnral est de provoquer une raction chimique au
niveau d'un mlange gazeux conduisant la formation de SiO2 et de composs volatils,
par exemple : SiH4 + 2 O2 -> <SiO2> + 2 H2O. On utilise frquemment le silane SiH4 ou le
SiCl4 pour l'apport de silicium, la raction chimique tant une combustion (par O2) ou
une pyrolyse (par CO2, H2). Les tempratures de raction se situent entre 300 et 1000C ce
qui permet de ne pas modifier profondment les caractristiques des structures
prexistantes.
La dsignation gnrale du procd est dpt chimique en phase vapeur, plus connu
sous l'appellation anglo-saxonne CVD (chemical vapor deposition) avec les variantes
LPCVD (low pressure CVD) qui conduit un oxyde de bonne qualit et LTO (low
temperature oxydation) o l'nergie d'activation est obtenue par haute frquence (plasma)
ce qui permet de travailler des tempratures infrieures 400C.

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MISE EN UVRE DE LOXYDATION SECHE

L'oxydation proprement dite s'effectue dans un four parois de quartz.


-

disposition des plaquettes de travail et dune plaquette tmoin dans la


nacelle en quartz
NE JAMAIS TOUCHER LA NACELLE ET LE PORTE-NACELLE AVEC
AUTRE CHOSE QUE LA FOURCHETTE ELLE-MEME EN QUARTZ

dfinition des conditions d'oxydation l'aide d'un automate programmable


(rgulation PID de la temprature 1050C)
entre automatique de la nacelle dans le four sous flux d'azote
temps d'oxydation
-

temps de recuit sous azote (diminution des charges fixes dans l'oxyde)
sortie de la nacelle sous flux d'azote

Loxydation est ralise laide dune installation qui permet de soumettre les
plaquettes un cycle de temprature sous atmosphre contrle. Ce cycle est dtaill dans
le tableau ci-dessous.

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PAS

NOM DU PAS

DUREE DU
PAS

NATURE

DESCRIPTION DU PAS

GAZ

0000

ATTENTE

N2

position dattente

0001

SOR25

N2

sortie du bateau

0002

CHARGE

N2

attente (le chargement se fait sur ce pas)

0003

ENT10

N2

entre du bateau

0004

STAB800

5 min

N2

stabilisation 800C

0005

RAMP1050

20 min

N2

monte 1050C

0006

STAB1050

5 min

N2

stabilisation 1050C

0007

DRY

x min

O2

oxydation sche 1050C sous O2

0008

ANNEAL

30 min

N2

recuit 1050C sous N2

0009

RAMP800

20 min

N2

descente 800C

0010

ATTENTE

N2

position dattente

0011

SOR10

N2

sortie du bateau

0012

DECHARGE

N2

attente (dchargement des plaquettes)

0013

ENT25

N2

entre du bateau

0014

IDLE

N2

programme termin

0015

ABORT

N2

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LE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
VAPEUR DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
POLYCRISTALLIN
Le silicium polycristallin est utilis dans la fabrication des circuits intgrs comme
grille de transistors MOS, rsistance ou conducteur. Les avantages du silicium
polycristallin par rapport l'aluminium sont de deux ordres :
- la tension de seuil des transistors MOS dont la grille est en silicium
polycristallin est diminue par rapport une grille en aluminium,
- le silicium polycristallin accepte des tempratures assez leves, environ 900C
contre 450C pour l'aluminium.
Le dpt chimique en phase vapeur basse pression (LPCVD Low Pressure Chemical
Vapor Deposition) est une mthode de dpt de couches dilectriques ou semiconductrices par passage de gaz ractifs sur un substrat chauff induisant une raction
thermique stimule la surface de ce substrat. Ce procd utilise une chambre de
raction, gnralement constitue d'un tube de quartz. Un bloc support chauffant reoit le
substrat; l'ensemble est complt par un systme de tubes, vannes et dbitmtres qui
permettent d'amener les gaz doss dans la chambre.
Le dpt de silicium polycristallin est ralis partir du ttra hydrure de silicium SiH4,
appel aussi silane (gaz dangereux et explosif en prsence d'oxygne) qui est pyrolys
des tempratures comprises entre 600 et 650C. La raction chimique mise en jeu est :

SiH 4 600

Si + 2H 2
650 C ( basse temprature )
0 , 46 Torr ( basse pression )

A ces tempratures (600C), il faut noter que le coefficient de diffusion des dopants est
tout fait ngligeable. Le dpt se faisant une pression de 0,46 torr, la gomtrie du
racteur influe trs peu sur la vitesse de dpt du silicium polycristallin.

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Cette couche de Silicium polycristallin, une fois photolithographie et grave, va
constituer la grille des transistors.
Le Si poly ntant pas bon conducteur, il va falloir le doper. Si lon choisit de fabriquer,
partir de ce jeu de masque MOSTEC, les transistors grille submicronique, le choix de
llment dopant est capital : il faut choisir un donneur dlectron plus gros que le
phosphore, habituellement utilis, afin que la trajectoire des espces implantes ne se
termine pas sous le grille et ne dplte le futur canal. Larsenic est un bon candidat pour
cela, nanmoins il sera impossible de doper correctement la future grille en silicium
polycristallin en mme temps que le drain et la source seront raliss.
En effet, pour activer lectriquement les dopants aprs implantation et reconstruire la
maille cristalline, un recuit doit tre effectu ; dans notre cas, il doit tre rapide pour
ne pas faire diffuser jusque sous les grilles submicroniques les espces implantes. Or, sans
diffusion, la grille ne sera pas dope correctement.
Une mthode peut alors tre envisage : implanter pleine plaque (avec du phosphore) la
couche de Si Poly, recuire dans un four diffusion, puis procder la photolithogravure
de cette couche de silicium polycristallin.
Une fois les grilles cres, nous procderons une implantation darsenic et un recuit
dactivation rapide pour crer le drain et la source.

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Lithographie et Gravure du
Silicium Polycristallin

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LITHOGRAPHIE ET GRAVURE
GRAVURE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN
POLYCRISTALLIN

3 tapes technologiques:
(i) la photolithographie du niveau poly ;
(ii) la gravure sche (plasma en mode RIE) du silicium polycristallin
polycristallin ;
(iii) l'limination par la gravure sche de la rsine
Photolithographie du niveau poly (pour raliser les motifs subsub-microniques)
 mise en place du masque
 dpt de rsine photosensible : pour lobtention des grilles submicroniques,
utilisation
utilisation de la rsine S1805
- mise en place de la plaquette sur la tournette, rotation 4000t/min pendant 20 s et
dpt de quelques gouttes daccroche (primer)
- dpt de la rsine au centre de la plaquette puis talement par rotation
- schage de la rsine sur plaque chauffante 90C, 230
 reproduction du masque sur la rsine
- mise en place de la plaquette sous le masque
- alignement du masque avec les motifs prsents sur la plaquette
- contact mode vacuum et insolation 5 sec sur MA6
- dveloppement de la rsine ( 1 min) de faon liminer les zones insoles
- contrle des motifs au microscope
- durcissement de la rsine sur plaque chauffante 90C, 230
Mesure l'alphastep de l'paisseur de rsine
Gravure sche (plasma de SF6 en mode RIE) du Si poly
- mise en route du programme de gestion, ouverture de la cloche vide (air), mise en
place des plaquettes, rglage du laser
- fermeture de la cloche (vacuum) et lancement du programme de gravure (logiciel
NAPS, execute, new, choix de la recette puis run et OK)
- observation de l'volution de la gravure (teinte mate du bord vers l'intrieur de la
plaquette), environ 1 minute pour 2500 de Si poly graver avec une seule plaquette
dans le bti.
- arrt de la gravure en route (abort), fin du programme puis ouverture de la cloche
(air), enlever les plaquettes et refermer la cloche sous vide (vacuum)
Mesure l'alphastep de l'paisseur de rsine restante + l'paisseur de Si poly grave
Elimination par gravure sche (plasma O2) de la rsine

Mesure l'alphastep de l'paisseur de Si poly aprs gravure RIE


En dduire l'paisseur de rsine grave par RIE. Conclure sur la slectivit de la
gravure RIE avec SF6 du SiPoly par rapport la rsine. Dans ces conditions et en
supposant que la vitesse de gravure est constante, en dduire l'paisseur maximale de
SiPoly qui pourrait tre grave.

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LA PHOTOLITHOGRAPHIE
La photolithographie est l'opration qui consiste graver selon un certain motif une
couche mince d'un matriau donn. Le motif graver se trouve initialement (en positif ou
en ngatif) sur un support appel masque. Il s'agit d'une plaque de verre comportant une
couche de chrome ou de glatine sur laquelle a t grave le motif que l'on veut
reproduire. L'laboration du circuit MOSTEC ncessite au minimum 3 niveaux de
masquage, permettant de dfinir successivement les zones utiles, les rgions en silicium
polycristallin et celles doper, les prises de contact (facultatif) et enfin les
interconnexions.
Le procd de photolithographie se droule selon les squences suivantes :
rsine
SiO 2

SiO 2

Si

Si

1. talement d'une rsine photosensible

3. dvelopement de la rsine

faisceau
d'exposition U.V.
masque
SiO 2

SiO 2

Si

Si

2. exposition de la rsine travers le masque align

4. gravure de la couche

SiO 2
Si
5. limination des rsidus de rsine

ETALEMENT D'UNE RESINE PHOTOSENSIBLE


PHOTOSENSIBLE sur la couche graver par centrifugation. La
plaquette est plaque par aspiration sous vide sur un support tournant; quelques gouttes de
rsine sont dposes au centre ; la force centrifuge tale la rsine en un film ayant une
paisseur bien dfinie suivant la fluidit de la rsine et la vitesse de rotation.
SECHAGE DE LA RESINE : 230 sur une plaque chauffante 120C pour la rsine S1813
(pour les photolithographies autre que le niveau poly)

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EXPOSITION DE LA RESINE
RESINE A UN RAYONNEMENT U.V. (lampe vapeur de mercure)
travers le masque reproduire. La rsine S1813 est expose lensemble du spectre
dmission du Hg mais elle est sensibilise par deux longueurs donde du spectre du Hg,
situes dans lultraviolet:
- 405 nm avec une intensit de 10 milliwatts/cm2
- 365 nm avec une intensit de 5,3 milliwatts/cm2
Le mcanisme de sensibilisation est bas sur
labsorption du rayonnement UV qui modifie la
structure des molcules organiques et permet ainsi
lattaque chimique. Sur la figure ci-contre, on
constate que la rsine utilise prsente une
transmittance quasi nulle (et donc une absorption
maximum) aux longueurs donde des raies
ultraviolettes de la lampe utilises (flches) pour la
lithographie
masque

Avant d'effectuer l'exposition, il faut procder


l'alignement
alignement du masque reproduire par rapport
aux motifs dj existant sur la plaquette de faon
extrmement prcise. Ceci est ralis grce une
machine d'alignement qui permet de mouvoir la
plaquette par rapport au masque dans les deux
directions x, y et en rotation. Cet alignement est
facilit en plaant sur les diffrents niveaux de
masquage des croix d'alignement (fig. ci-contre).

oxyde

Croix d'alignement.
Positionnement du niveau 4
(motifs reproduire sur le SiPoly)
par rapport au niveau 2 (oxyde)

Pour viter les phnomnes de diffraction travers les motifs de petite dimension,
lorsque l'alignement est jug correct, on met en contact optique le masque et la plaquette
(la couche de chrome contre la plaquette), ce qui assure un transfert de l'image avec un
maximum de prcision lors de l'insolation. Le masquage par contact avec une lumire UV
(longueur d'onde de 0,3 0,4 m) permet ainsi d'avoir une rsolution de 0,3 0,5 m sur
les motifs reproduire.
DEVELOPPEMENT : la plaquette est place dans un bain de dveloppement ( base de
soude) qui va dissoudre la rsine insole (rsine positive) ou non insole (rsine ngative).
On reproduit de cette faon les motifs du masque mre sur la rsine. La concentration du
dveloppeur ainsi que le temps de trempage dpend du type de rsine utilise. Les
plaquettes sont ensuite rinces et sches.
CONTROLE VISUEL (au microscope) des motifs dvelopps.
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DURCISSEMENT DE LA RESINE
RESINE (polymrisation) : 230 sur une plaque chauffante 120C
pour la rsine S1813
Il reste procder l'ATTAQUE DE LA COUCHE A GRAVER dans les rgions non protges
par la rsine (cf. gravure).
ELIMINATION DES RESIDUS
RESIDUS DE RESINE de manire chimique (dans un bain de remover) ou
l'aide d'un plasma oxygne. La plaquette est alors prte pour une autre tape.

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LA GRAVURE
INTRODUCTION
Succdant immdiatement la lithographie, la gravure est parfois assimile cette
opration sous le nom de lithogravure.
Initialement, la gravure s'est faite par voie d'attaque chimique en milieu humide. Les
oxydes sont gnralement gravs par des bases ou des acides (acide fluorhydrique HF pour
la silice). Les proprits principales de l'attaque chimique sont :
- la slectivit trs grande qui est lie au choix des agents chimiques permettant
d'arrter l'attaque l'interface de deux couches diffrentes,
- l'isotropie qui conduit une mauvaise dfinition du motif graver, en particulier
sur la gravure latrale. Par contre, le profil rsultant est favorable pour la
continuit du dpt des couches suprieures.
Les procds de gravure sche ont t introduits plus rcemment pour rsoudre les
problmes d'isotropie et de contamination poss par la gravure humide. C'est le passage
oblig pour accder aux technologies de plus en plus denses avec une matrise accrue de la
qualit. Il s'agit donc de choisir le type de gravure suivant les dimensions des motifs
reproduire. En effet, avec un systme d'attaque chimique par voie humide qui est
isotropique, le rsultat de la gravure est inacceptable ds que les dimensions des motifs
sont du mme ordre de grandeur que l'paisseur des couches attaques.
Avant
5m

Aprs gravure
1m

4m

rsine
0,5m (SiO2 , SiPoly, Al, ...)

rsine

motif
acceptable

motif non
acceptable

GRAVURE
RAVURE CHIMIQUE PAR VOIE HUMIDE
Les problmes rencontrs lors d'une attaque chimique par voie humide sont : (i)
l'isotropie de l'attaque, (ii) l'utilisation d'agent d'attaque dangereux et (iii) le rinage
correct des chantillons. Le principale avantage est la grande slectivit de toutes ces
solutions ce qui permet de toujours avoir un substrat indemne aprs l'attaque.

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Couche graver
SiO2

Solution d'attaque

Si

HF dilue
HNO3 (oxydation) + HF (attaque SiO2) ou KOH

Al

H3PO4 40C

GRAVURE SECHE
La technique de gravure par plasma utilise une dcharge luminescente tablie faible
pression (10-2 1 torr) pour gnrer des espces chimiquement actives partir d'un gaz;
ces espces se combinent avec la couche graver pour former des composs volatils
vacus par le systme de pompage.
Le principe de gravure ionique consiste utiliser des faisceaux d'ions dirigs vers la
cible traiter. Si les ions possdent une nergie importante et sont chimiquement inactifs
(par exemple l'argon), alors il y a raction mcanique (usinage ionique). La gravure
rsultante est verticale (anisotropie importante) mais sans slectivit. En outre, les dchets
de gravure peuvent retomber sur la cible.
La combinaison des systmes plasma avec la gravure ionique a conduit la gravure
gravure
ionique ractive (RIE Reactiv Ion Etching).
Etching) De cette manire, on associe le mcanisme
chimique (plasma) l'origine de la slectivit vis--vis de la couche graver et le
mcanisme physique (bombardement ionique) induisant l'anisotropie.
La gravure ionique ractive s'opre dans un racteur plasma lectrodes parallles
dont l'une est relie lectriquement au substrat, ce qui augmente le nombre d'ions
direction normale la surface, entranant donc une anisotropie leve sans perte notable
de la slectivit.

23

D. Constantin, aot 2009

Schma du racteur plasma planaire.


Il faut cependant noter que si le principal avantage de la gravure sche est l'anisotropie
de l'attaque tout en gardant une forte slectivit par un choix judicieux du gaz de raction,
certains inconvnients nouveaux apparaissent : les nergies mises en jeu peuvent
provoquer des dfauts la surfaces des plaquettes ou des tempratures leves. Par
ailleurs, il y a toujours une consommation plus ou moins importante de la rsine
protectrice car la slectivit n'est jamais parfaite, ce qui entrane des contraintes
d'paisseur pas toujours compatibles avec les ncessits de la lithographie.

Principe de la gravure ionique ractive:


La cathode qui supporte le substrat est relie au gnrateur HF (13,56 Mhz) par
lintermdiaire dun adaptateur dimpdance. Les parois de la chambre relies la masse
jouent le rle danode. Le systme de pompage est reli la chambre par une vanne
papillon de rgulation de la pression.
Les molcules du gaz introduit dans lenceinte sont ionises par collision avec les
quelques lectrons primaires contenus dans le gaz ou issus des parois. Ces lectrons, agits
par le champ HF, se multiplient lors des collisions ionisantes et assurent le maintien de la
dcharge luminescente.
On distingue, entre les deux lectrodes, la zone lumineuse (le plasma) qui touche
lanode relie la masse, et une zone sombre appele zone de Crookes ou bien gaine
dont sentoure la cathode. Cette gaine sombre constitue la zone dinfluence de la cathode
vis vis du plasma.

24

D. Constantin, aot 2009

La zone lumineuse correspond au plasma, gaz ionis globalement neutre ou quasi-neutre.


Dans la gaine se trouvent alternativement des ions ou des lectrons selon le signe de
lalternance de la tension haute frquence. Lors de lalternance positive de la tension HF,
les lectrons sont attirs par la cathode. Pendant lalternance ngative, ce sont les ions
positifs qui sont attirs et qui neutralisent les lectrons. Les ions ayant une vitesse de
diffusion dans le plasma infrieure celle des lectrons, il y a plus dlectrons qui
atteignent la cathode, et il en rsulte lapparition dune polarisation ngative sur cette
lectrode.

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D. Constantin, aot 2009

Le systme volue rapidement vers une polarisation dquilibre (-V) telle que le flux
dlectrons pendant t1 soit neutralis par le flux dions positifs pendant t2. Cest dans
lespace sombre de Crookes que seffectue la chute de tension et lacclration des espces
charges. Il ny a pas dionisation dans cette zone. Les ions et les lectrons qui bombardent
la cible viennent de linterface entre lespace sombre de Crookes et le plasma. Lpaisseur
de cette zone sombre volue comme la polarisation continue ngative. Elle dpend de la
nature du gaz employ. Elle augmente lorsque la tension haute frquence crot ou bien
lorsque la pression dans lenceinte diminue et inversement.
Les gaz les plus frquemment utiliss sont donns ci-aprs :
Matriau graver

Gaz utiliss dans le plasma


CF4(+O2), SF6(+O2), CCl4 ...

Si, Si poly
SiO2,Si3N4

CF4(+H2),C2F6 ...

Aluminium

CCl4 (+Cl2)

Rsine

O2

Mcanisme de gravure de Si avec SF6


- mise en place du plasma en appliquant une dcharge RF au gaz SF6 prsent

dans la chambre de raction basse pression


- dissociation du SF6 dans le plasma :

SF6 -> SF4+ + 2 F+

- adsorption du fluor sur le silicium


- formation spontane du produit volatil :

Si + 4 F (ads.) -> SiF4 (gaz)

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D. Constantin, aot 2009


Effet de chargement
La vitesse d'attaque du silicium dans un plasma de SF6 dpend de la taille de la surface
graver. La vitesse de raction (Si + 4 F (ads.) -> SiF4 (gaz)) n'est limite que par le taux de
cration d'espces actives neutres F qui doivent tre disponibles pour former SiF4. Ce taux
tant considr comme constant pour un plasma donn, l'augmentation de surface de
silicium graver entrane donc un appauvrissement en espces actives F et une
diminution de la vitesse de raction, donc de la vitesse de gravure.
Slectivit de la gravure
En gnral, la gravure chimique par voie humide est parfaitement slective (il suffit de
choisir correctement le mlange d'attaque chimique). On dfinit un coefficient de
slectivit S qui est gal au rapport de la vitesse de gravure de la couche enlever sur la
vitesse de gravure de la couche de protection (qui est souvent la rsine). Ce taux de
slectivit est pratiquement infini pour la gravure chimique humide mais il baisse
largement dans le cas de la gravure sche par RIE. En effet, les gaz ractifs ayant aussi une
action mcanique sur la couche de protection, cette dernire est aussi grave. Il faut donc
rgler le processus de gravure sche (choix des gaz, pression, puissance du plasma...) pour
avoir un taux de slectivit suprieur 1 (c'est--dire que la couche enlever se grave plus
vite que la couche de protection). Bien videmment, l'paisseur de la couche de protection
tant limite, l'paisseur maximale de la couche graver ne sera pas illimite!

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D. Constantin, aot 2009

Dopage des Sources et


Drains

28

D. Constantin, aot 2009


DOPAGE DES SOURCES, DRAINS
(ET GRILLES)

1 tape technologique : l'implantation ionique et 3 tapes de caractrisations


Caractrisation physique
Ellipsomtrie : mesure dpaisseur doxyde (plaquette tmoin)..
Rsistance carre (mthode des quatre pointes).
Microscope lectronique balayage : analyse des motifs.
Observer et commenter vos observations des croix d'alignement et des verniers, des
barres de SiPoly, des grilles des transistors.

Implantation ionique
Implantation ionique :
Description de l'implanteur.
Implantation des impurets et recuit d'activation.
Calcul thorique :
Supposant que l'implantation ionique de phosphore se fasse avec un courant de 200A
pendant 2 minutes sur une surface de 91cm2, calculer la dose implante. L'implantation
se fait une nergie de 25keV dans du silicium de type P dop environ 1016cm-3 ;
quelle est la concentration maximale en phosphore et la profondeur de la jonction juste
aprs l'implantation ? Un recuit thermique de 20 minutes 1000C est ensuite effectu ;
quelle est la profondeur de la jonction finale ?

ionique
Alternative limplantation ion
ique
Diffusion thermique, principe
Au lieu dutiliser limplantation ionique, il est possible davoir recours la diffusion
thermique, cette mthode est constitue de deux tapes :
- le prdpt dimpurets en surface
- la redistribution des impurets par recuit 1000C
Le dopant choisi est le phosphore, il est introduit dans le four sous forme de POCl3
gazeux. Les ractions chimiques mises en jeu sont les suivantes :
4 POCL3 + O2 2 P2O5 + 6Cl2
2 P2O5 + 5Si 4 P + 5SiO2

Une couche de silice va donc se former en mme temps que le dopage, elle sera enleve
par la suite.
Calcul thorique :
Sachant que lon choisit un temps de prdpt de 20 min une temprature de 1000C et
un temps de redistribution de 20 min 1000C, en dduire la quantit dimpurets
introduites dans le silicium au cours du prdpt et la profondeur de la jonction obtenue
aprs redistribution. Le substrat est de type p avec une rsistivit entre 1 et 10 ohmcm.
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D. Constantin, aot 2009


LE DOPAGE DU SILICIUM
INTRODUCTION
Le dopage consiste introduire des impurets qui se substituent des atomes de
silicium dans le rseau cristallin de faon le rendre de type p ou n. Deux mthodes sont
utilisables pour raliser ce dopage : la diffusion thermique ou l'implantation ionique.
DIFFUSION THERMIQUE
Le processus de diffusion thermique est la combinaison de deux tapes :

la premire est le prdpt o le dopant est fourni sous forme gazeuse en quantit
contrle et suffisante pour que la concentration en surface atteigne la solubilit
limite du dopant dans le silicium (1020 1021 atomes/cm3). La rpartition des
impurets au voisinage de la surface obit alors la loi de diffusion concentration
superficielle constante qui est dfinie par :

x
c(x, t) = cs . erfc

2 D1 t1
o

erfc
D1

est la fonction erreur complmentaire,


le coefficient de diffusion qui suit la loi d'Arrhnius en

cs

fonction de la temprature,
la solubilit limite de l'impuret la temprature de diffusion

t1

donne pour le silicium,


le temps de prdpt.

L'allure des profils obtenus pour diffrentes valeurs du paramtre 2 D1t1 est:

Sachant que le prdpt est ralis une temprature de l'ordre de 1000C pendant
environ une heure, le dopant diffuse de la surface vers le coeur de la plaquette sur une

30

D. Constantin, aot 2009


profondeur de l'ordre du micron. La quantit d'impurets introduite dans le silicium par
unit de surface pour un temps t1 est alors :

Q(t1 ) = 2cs

D1 t1

Solubilits limites de diffrents composants dans le silicium en fonction


de la temprature

31

D. Constantin, aot 2009

Coefficients de diffusion moyens pour diffrents composant


substitutionnels dans le silicium en fonction de la temprature

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D. Constantin, aot 2009


la seconde tape est la redistribution
redistribution ; les plaquettes, soustraites toute source de
dopant, subissent un long traitement thermique destin faire pntrer plus
profondment les impurets introduites au cours de la premire tape. La nouvelle
distribution des impurets obit la loi de diffusion source d'impurets limite (et
constante) qui est une gaussienne :

c(x, t2 ) =

Q
x2
exp
o Q est la densit initiale de charges par
D2 t2
4 D2t 2
units de surface, soit la quantit totale d'impurets en cm-2 dans la
couche de prdpt suppose de taille trs mince.

L'allure des profils obtenus aprs redistribution est la suivante:

Il apparat une diffusion latrale des impurets lors de la redistribution due au caractre
isotropique de la diffusion. Ceci impose de contrler la profondeur de la jonction et donc
le temps de diffusion pour ne pas avoir de chevauchement latral des zones diffuses.

localisation des impurets


aprs le prdpt

localisation des impurets


aprs la redistribution

Un contrle de la diffusion effectue pourra se faire en mesurant la rsistance carre


qui caractrise la couche par son dopage et sa profondeur l'aide de la mthode des quatre
pointes. La profondeur de jonction xj peut tre mesure par "la mthode du biseau".
L'chantillon dop est poli en biseau, la jonction est alors teste lectriquement par
mesure locale de la rsistance (spreading resistance). La mthode est destructive.
Les dopants utiliss sont les suivants : type p : bore, aluminium, gallium, indium et type
n : phosphore, arsenic, antimoine, lithium. Le choix pratique se restreint en fonction de
plusieurs considrations :
- la solubilit limite des impurets dans le silicium doit tre la plus leve
possible. Les plus performants sont P, B, As avec 1020 1021 atomes/cm3,

33

D. Constantin, aot 2009


- l'aptitude du dopant se localiser dans le silicium plutt que dans la silice.

Cette aptitude est mesure par le coefficient de sgrgation m qui reprsente


le rapport des concentrations dans le silicium et l'oxyde l'quilibre. P et As
ont un coefficient de sgrgation de 10 contre 0,3 pour B.
L'IMPLANTATION IONIQUE
L'implantation ionique tend remplacer systmatiquement la diffusion par prdpt. Elle
permet d'introduire des impurets dans un substrat grce l'nergie cintique qui leur est
fournie dans un acclrateur (implanteur).
L'avantage principal de cette technique est le contrle prcis du nombre d'ions implants
par un systme extrieur au semi-conducteur et non par les proprits physiques du
substrat, ce qui permet un meilleur contrle de la prcision des profils d'impurets.
L'inconvnient majeur est que ce procd cr des dfauts inhrents la technique
employe : cration de dislocation dans le rseau cristallin sous l'impact des particules
ioniques nergtiques. Cet endommagement est maintenant guri par recuit thermique
basse temprature. L'ensemble des avantages de cette technique ajout son caractre
anisotropique font qu'elle est prfre la diffusion thermique notamment pour les
circuits haute densit d'intgration.
Description de l'implanteur ionique :
L'implanteur ionique est un acclrateur de particules compos (i) d'une chambre de
ionisation (source) dans laquelle un corps contenant l'lment implanter (un mlange
arsine 10%, phosphine 10%, non 80% pour l'implantation soit de l'arsenic, du phosphore
ou du non) est amen l'tat de plasma, (ii) dun tage d'acclrateur, (iii) dun tage de
dflection magntique qui agit en sparateur de masse (dans un champ magntique B, un
1 2VM
ion de masse M et de charge Q dcrit une trajectoire circulaire de rayon R =
o
B
Q

V est la tension d'extraction 25kV) et permet d'liminer les produits non dsirables
(arsenic et non pour n'implanter que le phosphore), (iv) dune dflection lectrostatique
du faisceau d'ions qui permet de balayer le faisceau d'ions sur l'chantillon de manire
homogne, et (v) de la chambre de cible, o se trouve les plaques de silicium. Les nergies
d'implantation sont de l'ordre de 15 200keV

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D. Constantin, aot 2009

Schma synoptique de l'implanteur ionique.


Profil de distribution des atomes implants :
Les ions acclrs par l'implanteur vont pntrer le silicium jusqu' une certaine
profondeur. La dclration de l'ion aboutissant son arrt une certaine profondeur se
fait par interaction avec les atomes du rseau cristallin et avec les lectrons prsents dans
le cristal. Le profil de concentration des impurets implantes est en premire
approximation gaussien, le sommet de la courbe tant situ l'intrieur du substrat une
profondeur gale la pntration moyenne des ions, note Rp (fig.). La largeur de cette
distribution des impurets est dcrite par un cart moyen Rp. Le profil d'implantation
peut donc tre dcrit par la relation :

x Rp

c(x) = c p .exp
2
2.
R

o cp est la concentration au pic de la gaussienne.


L'intgrale du dopant sous cette courbe nous donne la quantit totale implante, ce qui
permet de relier cp (exprim en cm-3) la dose implante N (exprime en cm-2) :

N
cp =

2.R p

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D. Constantin, aot 2009


La dose implante est donne par la relation :
1
N=
ZeS

t1

I(t)dt

avec

Z le nombre de charges,

0
S l'aire implante,
t1 le temps d'implantation
I le courant du faisceau (de l'ordre du mA).
Cependant, ces quations ne sont applicables que dans le cas de l'implantation dans un
matriau amorphe.
Ainsi, dans le cas de monocristaux, on approxime de faon empirique les valeurs de Rp
et de Rp (exprims en nanomtres) en fonction de l'nergie d'implantation, E (exprim
en keV). Pour limplantation de phosphore dans du silicium monocristallin, on trouve :

Rp=1,23612E1,0000

et

Rp=0,76046E0,8287.

Diffusion des dopants :


Aprs toute tape d'implantation, il est bon d'oprer un recuit thermique qui va
restaurer la structure cristalline du silicium et permettre aux impurets implantes de
s'introduire en position interstitielle et, donc, de devenir lectriquement actives. Cette
tape de diffusion thermique (800 1000C) des dopants conduit un talement du profil
gaussien obtenu par implantation. La quantit totale d'atomes d'impuret reste constante
et la nouvelle distribution est alors elle aussi gaussienne.
La position du pic de concentration, Rp, reste inchange mais pas l'talement de la
distribution ainsi que la valeur du pic de concentration.

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D. Constantin, aot 2009


Le profil de dopage final est alors :
2

x Rp

c(x,t) = c' p .exp


2
L'

avec

L' = 2. R p2 + 4Dt

37

et

c' p =

N
L'

D. Constantin, aot 2009


LA MESURE R CARREE
LA METHODE
METHODE DES 4 POINTES

Ces mesures permettent daccder la valeur de la rsistivit des substrats de silicium et


des couches minces. Dans le cas prsent elles permettront ltude du substrat et de la
mtallisation (la couche doxyde possde une rsistivit trop leve pour que sa mesure
soit possible). Toutefois, la mesure de rsistivit pour les couches mtalliques ne sera pas
effectue par la mthode 4 pointes en contact car ces dernires seraient contamines. On
prendra soin alors, si lon souhaite effectuer la mesure pour la couche de mtal, de la faire
par la mthode inductive.
Le rsultat de la mesure est donn par ce quon appelle la
rsistance carre R Cette rsistance est celle dun chantillon du
matriau tudi, en forme de carr de 1 cm de ct. Cette mesure
suppose que lpaisseur e de lchantillon est constante et petite
devant son tendue.
De R on peut alors tirer la valeur de la rsistivit en ohm.cm, connaissant son
paisseur e:

(.cm) = R().e(cm)
PRINCIPE EXPERIMENTAL DE LA METHODE 4 POINTES ALIGNEES:
Cette mthode consiste faire passer un courant I
entre les deux pointes extrmes de quatre pointes
alignes quidistantes (en gnral en tungstne) qui
sont appliques sur la surface de lchantillon. La
mesure de la tension aux bornes des deux pointes
centrales permet de dterminer la rsistance carre R .
Un calcul lectrostatique de la rpartition des lignes de
champ sous les pointes permet de montrer que:
V
V
R =
= 4,53
ln 2 I
I

plaquette de silicium

Cette technique nest applicable que sur un chantillon de rsistivit homogne.

38

xj

D. Constantin, aot 2009


Ce procd permet
de contrler soit la
rsistivit
substrat,
rsistivit
diffuses

initiale du
soit
la
des zones
(la

dtermination
de
l'paisseur de la zone
tant faite par ailleurs)
et l'aide de la courbe
ci-contre,
on
peut
dduire le dopage de la
zone diffuse.

PRINCIPE THEORIQUE DE LA METHODE INDUCTIVE


INDUCTIVE
Elle
utilise
un
circuit
radiofrquence LC comportant
deux bobines identiques (avec
noyau en ferrite), montes en srie,
places lune en face de lautre et
espaces de quelques millimtres.
Lchantillon est gliss entre ces deux bobines. Le champ magntique haute frquence
cr entre les deux bobines induit des courants de Foucault dont la valeur dpend de la
rsistance de lchantillon. De lnergie est dissipe dans lchantillon, le coefficient de
surtension Q du circuit diminue. Une tension supplmentaire V doit tre applique pour
rtablir la valeur initiale de Q. V est directement proportionnelle R .
Il est important de noter que cette mthode permet deffectuer une mesure de la
rsistance carre sur la totalit de lpaisseur de lchantillon. Si sa rsistivit est
homogne sur toute son paisseur, elle pourra tre dtermine sans ambigut par:

(.cm) = R().e(cm).
Par contre si la rsistivit varie avec lpaisseur (couche mince et substrat de rsistivits
diffrentes, ou bien gradient de concentration de dopant), le systme dduira de la
puissance dissipe dans toute lpaisseur de lchantillon la rsistance carre totale Rt
partir de laquelle il ne sera pas toujours possible de dduire les rsistivits.
39

D. Constantin, aot 2009


Dans le cas dune couche mince (R = Rf)

dpose sur un substrat (R = Rs) la mesure


donne:
Rt =

R f .RS
R f + RS

Si Rf est petit devant Rs alors Rt ~ Rf et f ~ Rt.ef.


Par contre si Rf et Rs sont comparables, seule la connaissance de Rs permettra de dterminer

Rf
Dans le cas dun substrat dop par diffusion

(diffusion sur les deux faces) ou implant (sur


une seule face), deux cas se prsentent :

(i) La diffusion ou limplantation conduit un


dopage peu prs homogne sur la
profondeur concerne par le dopage (cela
peut
se
produire
dans
certaines
conditions) : connaissant la rsistance du
substrat, il sera possible den dduire celle
des deux paisseurs dopes par diffusion ou
de lpaisseur unique dope par

1
2
1
=
+
Rt R f RS
si RS >> Rf
Rf
alors Rt =
2
et f = 2Rt.ef

implantation.

(ii) Par contre si un gradient de concentration


subsiste sur lpaisseur du substrat, la
valeur de la rsistance carre mesure nest
plus lie dune manire simple la
rsistivit (x) qui prsente elle-mme un
gradient suivant lpaisseur.

1
1
1
=
+
Rt R f RS

MISE EN UVRE DE LA METHODE


METHODE DES 4 POINTES
- enlever avec prcaution le capuchon protge-pointe et positionner la tte avec les

pointes environ 5 mm de la table (attention bien bloquer la tte)


- mettre en place la plaquette sur le bord de la table (attention ce quelle ne glisse
pas) et la pousser dlicatement sous les pointes
- aprs avoir vrifi le montage, mettre en marche le voltmtre et la source de

courant
- entrer les paramtres de mesure (Vlimit, 100, enter ; Isource, 100.10-3, enter ; Ilimit,
100.10-3, enter)
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D. Constantin, aot 2009


- abaisser DELICATEMENT, avec le levier, la tte de mesure jusqu ce que les

pointes viennent au contact de lchantillon et maintenez-les en pression (elles


sont montes sur ressort)
- faire la mesure (injection du courant) : Output operate
- lire la mesure
- dsactiver la mesure (output operate) avant de relever les pointes
- faire au moins 3 mesures avec trois valeurs diffrentes du courant (1-10-100) pour

vrifier lohmicit du contact


TRAVAIL A REALISER
 Etude du substrat utilis pour la ralisation de la structure MOS
Mesure de la rsistance carre R et calcul de la rsistivit.
En dduire le dopage.

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D. Constantin, aot 2009


L'ELLIPSOMETRIE
L'ellipsomtrie est une mthode non destructive de mesure de l'paisseur et de l'indice
de trs fines couches dilectriques.
PRINCIPE:
Considrons une trs fine couche de silice sur un substrat de silicium. Une onde
lumineuse monochromatique plane, polarise rectilignement, arrivant sur ce systme peut
tre considre comme la somme de deux composantes :
- l'onde p, parallle au plan d'incidence,
- l'onde n, normale au plan d'incidence.
Aux interfaces air-SiO2 et SiO2-Si, les coefficients de rflexion et de transmission sont
diffrents pour les deux composantes. Il en rsulte que la lumire mergente provenant
des rflexions multiples sur les deux interfaces possde une polarisation elliptique. Cette
polarisation est caractrise par deux paramtres angulaires et dfinis comme suit :
A
- Psi est li au rapport des amplitudes des ondes n et p par = arctan p
An
- est le dphasage entre les deux ondes n et p, = p n
De la mesure de et Psi il est possible de dduire l'paisseur e et l'indice n de la couche
dilectrique l'aide d'un abaque.
PRATIQUE :
Pour des raisons de commodit, on prfre, pour mesurer et Psi envoyer sur
l'chantillon une lumire polarise elliptiquement de telle faon que la lumire mergente
soit polarise rectilignement. Cette disposition ne change en rien le principe de mesure,
mais seulement la disposition des parties constituantes d'un ellipsomtre.
En pratique, un ellipsomtre comporte les lments suivants :
- une source lumineuse monochromatique de longueur d'onde connue,
- un polariseur permettant de polariser la lumire incidente selon un angle

variable,
- une lame quart d'onde induisant un dphasage entre l'onde p et l'onde n de la
lumire incidente,
- un porte chantillon,
- un analyseur permettant d'teindre la lumire mergente lorsqu'elle est
polarise rectilignement,
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D. Constantin, aot 2009


- un photomultiplicateur jouant le rle de dtecteur d'extinction.

La technique de mesure consiste rechercher l'extinction complte de la lumire


mergente en agissant sur :
- l'orientation du polariseur par rapport la lame quart d'onde : La lumire
polarise elliptiquement qui est envoye sur l'chantillon doit tre telle que la
lumire mergente soit polarise rectilignement,
- l'orientation de l'analyseur qui doit assurer l'extinction de la lumire

mergente.
Ces deux rglages sont convergents. Il y a en principe 16 couples d'orientation relative
analyseur/polariseur qui assurent l'extinction. Cependant, le relev de deux d'entre eux,
judicieusement choisis, permet de dterminer et Psi sans ambigut. Un programme
d'acquisition et de traitement des donnes coupl l'ellipsomtre permet alors de
remonter l'paisseur ou/et l'indice de la couche connaissant l'ordre de grandeur de
l'une des deux valeurs.

chantillon
lame quart d'onde

so

e
urc

polariseur

analyseur

d
tec
te

ur

Schma synoptique de l'ellipsomtre.


Avant de faire des mesures lellipsomtre, les paisseurs doivent tre dtermines
lalphastep.
MISE EN OEUVRE DE LELLIPSOMETRIE:

Power botier rouge + ordinateur


Logiciel Ellipsometer (bote de dialogues : OK)
Dans loculaire, rgler la croix blanche nette au moyen de la grosse molette en
dessous
Ensuite aligner le rticule dans la croix blanche au moyen des deux petites molettes

en dessous (cela permet de rgler lhorizontalit)


Placer le substrat de sorte ce que le faisceau laser tombe sur une zone sans motifs

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D. Constantin, aot 2009


-

Paramtres dacquisition :
mode : Polarizer + retarder, aperture strict
indices : ambiant=1 ; upper=1,46 ; substrat=3,875

absorption : 0 sauf kS=0,016


Measure
cocher thickness measure
Les rsultats sont lus dans le cadre measurement
Librer lindice (en choisissant refractiv index and thickness
Eteindre

Remarque : Si et Psi ont des valeurs qui correspondent une zone pleine de traits sur
le rouleau servant dabaque et disponible en salle, les rsultats seront faux.

FERMER LE FAISCEAU LASER A CHAQUE CHANGEMENT DECHANTILLON.

TRAVAIL A EFFECTUER : ETUDE OPTIQUE DE LA COUCHE DOXYDE


On se propose dtudier par ellipsomtrie:
i.
un oxyde labor sur Si <100> dans les mmes conditions que celles
utilises pour laborer le circuit JOPE (plaquette tmoin)
ii.

une srie doxyde humides labors sur Si <111> en prsence de vapeur


deau avec des dures doxydation croissantes.

Ainsi, pour chaque chantillon, mesurer par ellipsomtrie la valeur de lindice n et de


lpaisseur e.
Afin de lever lindtermination qui peut subsister sur la valeur de lpaisseur pour
certains chantillons, contrler la valeur de cette paisseur avec lAlpha-step.
Au vu de ces rsultats:
- dterminer lpaisseur de loxyde de grille.
- pour la srie doxydes humides , tracer lvolution de e avec la dure

doxydation et dterminer les constantes A et B intervenant dans la loi de


Deal et Grove pour une oxydation humide la temprature utilise.
Comparer loxydation sche et loxydation humide. Noter lvolution de la
couleur avec lpaisseur doxyde (observation en incidence normale).

44

D. Constantin, aot 2009


LE MICROSCOPE ELECTRONIQUE
ELECTRONIQUE A BALAYAGE
BALAYAGE
GENERALITE:
Le microscope lectronique balayage (MEB) ou SEM pour Scanning Electron
Microscope est relativement rcent dans la famille des microscopes (milieu des annes 30
par Max Knoll) et constitue un complment du microscope optique (MO) ou lectronique
transmission (MET) plus anciens.
Avec leurs avantages et leurs inconvnients, chaque type de microscope couvre un
domaine spcifique d'applications. Par exemple, le MO est idal pour les observations
d'objets o le pouvoir de rsolution et la profondeur de champ ne sont pas critiques. Le
MET est indispensable pour les observations haut pouvoir de rsolution. Cependant, les
chantillons doivent tre amincis une paisseur maximale dune dizaine de nanomtres
et cette limitation est intrinsque au principe de fonctionnement du MET.
Le MEB offre un pouvoir de rsolution intermdiaire entre le MO et le MET et
l'observation d'chantillon massif ne pose pas de problme. De plus, la profondeur de
champ est suffisamment grande pour permettre des observations en trois dimensions.

PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
FONCTIONNEMENT:
Un faisceau d'lectrons est mis par le canon lectrons, puis est concentr et focalis
sous un vide lev dans la colonne du MEB. Ce faisceau balaye l'chantillon. Lorsque le
faisceau rencontre le spcimen, certains lectrons sont rtrodiffuss, d'autres provoquent
ljection dlectrons secondaires de basses nergie (environ 50eV) issus des couches
suprieures des atomes, alors que certains autres produisent des rayons X. Ces signaux sont
analyss par des dtecteurs puis envoys, via un amplificateur, vers l'cran de contrle. La
synchronisation du balayage lectronique de l'chantillon avec celui de l'cran permet
d'obtenir une image par balayage . Lorsque les lectrons secondaires sont utiliss pour
former limage, le contraste de celle-ci traduit la topographie de lchantillon
Le grossissement est dtermin par le rapport de la surface balaye sur lchantillon la
surface de limage reproduite sur lcran cathodique. Ce grossissement peut varier dans un
trs large ventail allant de 20 105 environ. La rsolution de limage est directement
lie au diamtre du faisceau dlectrons utilis pour balayer la surface de lchantillon. Ce
diamtre est ajustable et conditionne galement lintensit. Cette rsolution est voisine de
10 nm dans le meilleur des cas (contre 1 nm dans le cas du MET). Par contre l'image du
MEB a une grande profondeur de champ (intervalle des distances objets pour lesquelles
l'image est assez bien focalise). Par exemple, avec un diamtre de faisceau de 50 nm (
45

D. Constantin, aot 2009

1000), la profondeur de champ est de 50 m, c'est--dire 100 fois plus que celle d'un MO
de mme grossissement. Le MEB produit donc un effet pratiquement tridimensionnel.
LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT
FONCTIONNEMENT DU MEB : FORMATION DE LIMAGE

50 m

2
1= e
Bzdz
f 8mV axe

500 nm

Dtecteur
dlectrons
rtrodiffuss

Dtecteur
dlectrons
secondaires

5 nm

46

Ecran

D. Constantin, aot 2009

47

D. Constantin, aot 2009


LES DIFFERENTS TYPES DE DETECTEURS

(i) Dtecteur dlectrons secondaires : le dtecteur dEverhart


Ce type de dtecteur est un aspirateur dlectrons de faible nergie

Energie des lectrons mis


ou rmis

(ii) Dtecteur dlectrons rtrodiffuss : le


dtecteur conducteur
Ce type de dtecteur permet de dtecter les
lectrons de forte nergie

48

D. Constantin, aot 2009


MODELISATION DE LA TRAJECTOIRE
TRAJECTOIRE DES ELECTRONS
ELECTRONS DANS LE MATERIAU
MATERIAU PAR SIMULATION
DE MONTE CARLO

Nous avons modlis ici au moyen dune simulation de Monte Carlo la trajectoire des
lectrons incidents (issus du faisceau dlectrons) dans le silicium pour trois nergies
diffrentes :

10eV,

20eV

30eV.

49

et

D. Constantin, aot 2009

Ralisation de lOxyde de
Protection

50

D. Constantin, aot 2009


REALISATION DE L'OXYDE DE PROTECTION
ISOLATION DES GRILLES
GRILLES PAR RAPPORT A LA SOURCE
SOURCE COMMUNE
COMMUNE - OPTIONNEL

.
Dpt CVD du SiO2

Cette tape ne sera pas effectue par les lves tant donn quelle napporte aucune
nouveaut technologique ; de plus, elle utilise du silane, gaz dangereux.
Cet oxyde disolement nest
ncessaire que si lon souhaite
raliser les transistors source
commune, afin disoler le contact
aluminium des grilles en silicum
poly cristallin

Cet oxyde d'isolation est dpos par dpt chimique en phase vapeur une
temprature d'environ 420C (LTO Low Temperature Oxyde) partir de silane et
d'oxygne une pression totale de 0,2 Torr. Cette faible temprature permet de
geler la diffusion des dopants prcdemment introduits dans le substrat et de
conserver ainsi les profils pralablement dfinis.
Photolithographie des trous de contact.
contact. (masque de niveau 5)
5)
Gravure du LTO
Le LTO est grav par voie humide (solution de HF). Un brassage intermittent de la
solution par ultrasons est ncessaire de manire dcaper correctement l'oxyde au
fond des trous de contact qui sont de dimensions trs rduites.
Retrait de la rsine
La rsine est retire par voie humide.

51

D. Constantin, aot 2009

Ralisation des Contacts

52

D. Constantin, aot 2009


REALISATION DES CONTACTS
CONTACTS

Cette sance comporte deux tapes technologiques: la mtallisation et la


photolithographie du niveau 6 avec gravure humide de l'aluminium.

Nettoyer les plaques


dpt daluminium soit par pulvrisation
pulvrisation cathodique soit par vaporation par
effet joule
Dpt d'aluminium par pulvrisation cathodique : une cathode en aluminium est
bombarde par des ions argon. Les atomes d'aluminium ainsi expulss viennent se dposer
sur le substrat.
Dpt d'aluminium par vaporation :
Dans le cadre de lvaporation, dterminer la masse d'aluminium ncessaire pour obtenir
une paisseur d'aluminium de 4000, sachant que les substrats sont une hauteur de 30
cm et excentrs de 0 5 cm suivant le point d'impact. Dterminer l'cart sur l'paisseur
obtenue suivant le point considr sur la plaquette.
Photolithographie de niveau 6.
6 Attention, la couche suprieure tant de laluminium, il
ne faut pas dposer daccroche avant dtaler la rsine
Gravure humide de l'aluminium :
- prparation du mlange d'attaque (prchauffage ~ 30 min 40C, le prvoir
lavance)
- gravure (130 : jusqu' ce que les circuits soient visibles), rinage et schage
- contrle visuel au microscope

Gravure humide de la rsine :

1 min 30s dans le remover

Test du motif alphastep - Mesurer les diffrentes paisseurs de couche (aluminium,


oxyde mince, LTO, SiPoly) et comparer avec les rsultats dj obtenus. Cest vous de
dterminer le profil du motif alphastep laide des diffrents masques fournis.

53

D. Constantin, aot 2009


LA METALLISATION
INTRODUCTION
L'une des dernires tapes intervenant dans le procd de fabrication d'un circuit
intgr est la mtallisation. Elle consiste dposer sur la surface de la plaquette une
couche conductrice qui sera ensuite grave pour dfinir les contacts (qui permettent de
relier le circuit intgr au monde extrieur) et les interconnexions (qui relient certains
composants entre eux). La mtallisation intervenant en fin de fabrication, la surface de la
plaquette est trs irrgulire (en raison de toutes les tapes prcdentes, il existe de
nombreuses marches d'oxyde de plusieurs milliers d'Angstrms, des trous profonds,
raliss pour les prises de contact, ). Le dpt mtallique, pour recouvrir parfaitement
toute la surface, doit donc tre relativement pais, de l'ordre de 5000 8000.
Le mtal utilis doit satisfaire un grand nombre de conditions, on peut citer :
- l'ohmicit des contacts avec le silicium quel que soit son dopage,
- l'adhsion de la couche de mtal sur le silicium ou sur la silice, mme aprs

gravure,
- le mtal doit pouvoir tre facilement grav par les procds courants de
lithographie,
- les irrgularits du circuit doivent pouvoir tre recouvertes sans discontinuit,
- un bon compromis cot de revient / conductivit lectrique.

Le mtal qui offre le meilleur compromis pour toutes ces exigences est l'aluminium
(=2,7.cm 300K). Le dpt de l'aluminium sur les plaquettes de silicium peut se faire
soit par vaporation sous vide, soit par pulvrisation cathodique.

54

D. Constantin, aot 2009


EVAPORATION SOUS VIDE
Cette opration est effectue dans un bti
d'vaporation dans lequel on ralise un vide de
l'ordre de 10-6 torr. Le mtal vaporer est plac
dans un creuset (souvent en tungstne) qui est
chauff par effet Joule. L'nergie fournie permet
ainsi de convertir le mtal de sa phase condense
sa phase vapeur (il faut atteindre une temprature
d'environ 1000C pour une pression de l'ordre de
10-4torr). L'vaporation se fait dans toutes les
directions ; lorsque les atomes arrivent sur des
surfaces froides (parois de l'enceinte, plaquette de
silicium), ils vont se condenser et former un film
stable si les paramtres de l'vaporation sont
correctement choisis (temprature des substrats,
vitesse des particules, pression dans l'enceinte...).

Bti d'vaporation sous vide.

Un cache, que l'on peut actionner, permet de ne mettre en contact les substrats et les
molcules projetes grande vitesse que lorsque le rgime permanent de lvaporation est
atteint. L'uniformit du dpt est obtenue en disposant les plaquettes sur un support
anim d'un mouvement de rotation plantaire autour de sa source d'vaporation. Le
contrle de l'paisseur du mtal dpos et de la vitesse de dpt est ralis au moyen d'un
quartz pizolectrique dont la frquence propre d'oscillation est fonction de l'paisseur
d'aluminium.
Quantit de mtal ncessaire pour une vaporation

s'vapore dans toutes les directions avec un

dS2 surface
de rception

taux m (en g/s). Ce type de source peut tre


assimil une source ponctuelle. Soit dS2 la
surface de rception du matriau qui s'vapore.

La part de matriau qui passe dans l'angle


solide d dans la direction par unit de temps
m
est dm =
d
4

55

Soit une petite sphre dS1 de matriau qui

d angle
solide

S
dS1 source ponctuelle

D. Constantin, aot 2009


Par contre, si le matriau ne s'vapore que dans un demi-plan, alors dm =

cos d . Le

matriau arrive sur la petite surface dS2, l'angle solide considrer est donc
dS cos
m
cos
d = 2 2
et on obtient dm = cos 2 dS 2 pour la source considre
r

r
ponctuelle. Dautre part, si le matriau a une densit d (g/cm3) et que l'paisseur dpose
par unit de temps est e (cm/s), le volume de matriau dpos sur dS2 est edS2 et on a

dm = d .e. dS2 ce qui permet de dduire e =

m cos. cos

d
r2

Si e est en (cm/s) alors m est en (g/s) mais il


est possible de supprimer le temps en mettant e
en cm et m en g; la relation relie alors

l'paisseur de la couche la masse totale


vapore. Si le substrat est dans un plan
parallle celui de la source et est situ une
hauteur h et excentr de l par rapport la
source alors on obtient

m
h2
.
e=
d (h 2 + l 2 )2

h
=
S
dS1 source ponctuelle

56

dS2 substrat

D. Constantin, aot 2009


PULVERISATION CATHODIQUE
La pulvrisation cathodique est un procd de dpt en phase vapeur. Dans une enceinte
sous vide (pression de l'ordre de 10-2 torr) un plasma est dvelopp entre deux lectrodes
partir d'un gaz neutre tel que l'argon. L'une des lectrodes est porte un potentiel ngatif
(cathode quelques kilovolts), il s'agit de la cible du mtal que l'on souhaite dposer.
La seconde, relie la masse, supporte les
chantillons mtalliser (anode). Les ions
positifs contenus dans le plasma sont attirs par
la cathode et, en bombardant celle-ci, en
expulsent des atomes. Ceux-ci vont se
condenser sur les parois de l'enceinte mais
aussi sur les chantillons disposs sur l'anode.
Les valeurs typiques de vitesses de dpt sont
voisines de quelques centaines d'Angstrms
par minute.
Les principes physiques la base de cette

Bti de pulvrisation cathodique.

technique sont les mmes que ceux entrant en


jeu pour la RIE.
L'avantage de cette mthode par rapport l'vaporation est double :
- elle permet de dposer tous les matriaux, simples ou composs, rfractaires ou

non, conducteurs ou dilectriques sur tous les types de substrats qui acceptent
une mise sous vide et un lger chauffement;
- les dpts obtenus ont une meilleure adhrence sur les substrats en raison de
l'nergie leve des atomes pulvriss.
L'inconvnient majeur de la pulvrisation cathodique est d'tre une technique
agressive : une partie des atomes expulss de la cible possdent une nergie suprieure
10eV; cette nergie peut tre suffisante pour endommager la surface des chantillons.

57

D. Constantin, aot 2009

Annexes

58

D. Constantin, aot 2009


ANNEXES

DESCRIPTIFS DU CIRCUIT
CIRCUIT MOSTEC :

Annexe 1 page 60:


60:
Annexe 22-1 page 61 :

circuit finalis niveau 2+4+5+6 superposs


masque niveau 2 et masque niveau 4

Annexe 2-2 page 62 :


Annexe 3 page 63 :
Annexe 4-1 page 64 :

masque niveau 5 et masque niveau 6


lgende - Croix dalignements motif profilomtre
tests visuels

Annexe 44-2 page 65 :


Annexe 5 page 66 :
Annexe
An
nexe 66--1 page 67 :
Annexe 66--2 page 68 :

tests visuels suite


passage de marches
capacit MOS ligne S
diodes ligne S

Annexe 7 page 69 :
Annexe 8 page 70 :

tests lectriques ligne S et T : VDP, chanes de contacts,


kelvin
tests lectriques ligne E : rsistances et inverseur

Annexe 9 page 71 :
Annexe 10 page 72 :

enrichi/enrichi
transistors ligne M : W=100m ;
transistors ligne O : W=10m ;

L=10 ;6 ;4 ;2 ;1m
L=6 ;2 ;1 ;0.8 ;0.5m

Annexe 11 page 73 :
Annexe 12-1 page 74 :
Annexe 12-2 page 75 :
Annexe 13-1 page 76 :

transistors ligne T : W=25m ;

L=1 ;0.8 ;0.5m

transistors ligne T : W=25m ;

L=1 ;0.8 ;0.5m

transistors ligne T : W=10m ;


transistors ligne C : W=100m ;

L=1 ;0.8 ;0.5m


L=10 ;6 ;4 ;2 ;1m

Annexe 13-2 page 77 :


Annexe 13-3 page 79 :

transistors ligne C : W=25m ;

L=6 ;2 ;1 ;0.8 ;0.5m


L=6 ;2 ;1 ;0.8 ;0.5m

transistors ligne C : W=10m ;

59

D. Constantin, aot 2009


Annexe 1
CIRCUIT MOSTEC

Superposition de tous les niveaux Circuit finalis

TM1

TM2

TM3

TM4

TM5

TO1

TO2

TO3

TO4

TO5

TE4

TE5

TE6

TT1

TT2

TT3

TE1

TE2

TE3

TC1G TC2G TC3G TC4G TC5G

TC1M TC2M TC3M TC4M TC5M

TC1D TC2D TC3D TC4D TC5D

De gauche droite:

Ligne M: T MOS W=100; L=10; 6; 4; 2; 1


Ligne O: T MOS W=10;L=6;2;1;0.8;0.5
Ligne S: capacit MOS 200x200m; capacit MOS 100x100m; 2 diodes; 2 VDP
Ligne T: 2 chanes de contact; T MOS W=25 L=1;0.8;0.5; 2 kelvin; 1 VDP
Ligne E: T MOS W=25 L=1; 0.8; 0.5; W=10 L=1;0.8;0.5; inverseur
Ligne C: T MOS W=100 L=10; 6; 4; 2; 1; W=25 L=6;2;1;0.8;0.5; W=10 L=6; 2;1;0.8;0.5

60

D. Constantin, aot 2009


Annexe 22-1
MASQUE DE NIVEAU 2

Ouverture des zones actives

MASQUE DE NIVEAU 4

Gravure du polysilicium

61

D. Constantin, aot 2009


Annexe 2-2
MASQUE DE NIVEAU 5

Dfinition des contacts Gravure du LTO

MASQUE DE NIVEAU 6

Dfinition des interconnexions daluminium

62

D. Constantin, aot 2009


Annexe 3
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Lgendes Croix dalignement motif pour profilomtrie

Substrat (niveau2)
LTO (niveau 5)

Si poly (niveau 4)
Aluminium (niveau 6)

63

D. Constantin, aot 2009


Annexe 4-1
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests visuels
Espacement entre 2 points de maillage : 5m
Alignement des motifs
Si poly dans les zones actives

douvertures
Motifs douver
tures des zones actives
Largeur du carr en haut droite : 10m
Largeur 1re bande en forme de L : 2m
Largeur 2me bande en forme de L : 4m
Largeur 3me bande en forme de L : 6m
Largeur 4me bande en forme de L : 8m
Largeur 5me bande en forme de L : 10m
Largeur 6me bande en forme de L : 15m
Largeur 7me bande en forme de L : 20m

Largeur des bandes de Si poly : 10m


Espace entre 2 bandes de Si poly : 10m

Taille des carrs Si poly de bas en haut et de gauche droite


(du plus grand au plus petit) :
20x20m, 15 x15m, 12 x12m, 10 x10m, 8 x8m, 6 x6m, 4 x4m, 2 x2m
64

D. Constantin, aot 2009


Annexe 4-2
Tests de rsolution Si poly / passage de marche ouverture zones actives
Largeur de la 1re paire de bandes de Si poly : 10m ; Espace entre ces 2 bandes : 10m
Largeur de la 2me paire de bandes de Si poly : 8m ; Espace entre ces 2 bandes : 8m
Largeur de la 3me paire de bandes de Si poly : 6m ; Espace entre ces 2 bandes : 6m
Largeur de la 4me paire de bandes de Si poly : 4m ; Espace entre ces 2 bandes : 4m
Largeur de la 5me paire de bandes de Si poly : 2m ; Espace entre ces 2 bandes : 2m
Largeur de la 6me paire de bandes de Si poly : 1m ; Espace entre ces 2 bandes : 1m

Alignement Si poly /
ouverture zone active :
espacements de 2, 4 et 6 m

Tests de rsolution Aluminium et passage de marches : ouverture zone active et Si poly


Largeur de la 1re paire de bandes dAl: 10m ; Espace entre ces 2 bandes : 10m
Largeur de la 2me paire de bandes dAl: 8m ; Espace entre ces 2 bandes : 8m
Largeur de la 3me paire de bandes dAl: 6m ; Espace entre ces 2 bandes : 6m
Largeur de la 4me paire de bandes dAl: 4m ; Espace entre ces 2 bandes : 4m
Largeur de la 5me paire de bandes dAl: 2m ; Espace entre ces 2 bandes : 2m
Largeur de la 6me paire de bandes dAl: 1m ; Espace entre ces 2 bandes : 1m
65

D. Constantin, aot 2009


Annexe 5
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

marchess
Tests lectriques Passage de marche

Passage de marche
Les bandes de diffusion ont une largeur de 0,02 mm et les bandes de silicium polycristallin
et daluminium une largeur de 0,01 mm.
Le motif permettra de dtecter dventuelles coupures en lutilisant comme indiqu sur la
figure ou dventuels court-circuits entre les diffrents niveaux (il faudra alors disposer les
pointes de faon adquate).
Les bandes de silicium polycristallin passent sur des marches doxyde de champ (oxyde de
champ / zone active).
Les bandes daluminium passent sur des marches doxyde de champs (SiPoly / zone
active, SiPoly / LTO, oxyde de champ / zone active).

66

D. Constantin, aot 2009


Annexe 6-1
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques Capacits ligne S

De gauche droite :
320*200m Si poly / oxyde mince / substrat Si
Capacit MOS surface utile 320*200m
320*200m Si poly / oxyde mince / substrat Si
Capacit MOS surface utile 320*200m
200*200m Si poly / oxyde mince / substrat Si
Capacit MOS surface utile 200*200m
utile
100*100m Si poly / oxyde mince / substrat Si
Capacit MOS surface ut
ile 100*100m

67

D. Constantin, aot 2009


Annexe 6-2
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques Diodes ligne S

50*1000m
diode PIN 1 : 50*10
m
100*100m
diode PIN 2 : 100*100m

Diode de grande surface


et de petit primtre
surface 200*200m
primtre : 800m

Diode de grande surface


et de grand primtre
surface 40*160m
primtre :4056m

68

D. Constantin, aot 2009


Annexe 7
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques lignes S et T (hors T MOS)

Motif de Van Der Pauw :


gauche sur silicium dop N+
droite sur Silicium poly
Dimen
nsion ddun contact : 6*12 m
Dime

Chanes de contacts :
gauche : Al sur Si dop N+
droite : Al sur Si poly

2 motifs de kelvin : permettent la mesure

Motif de Van Der Pauw

de la rsistance de contact

contrl par la grille sur substrat naturel

Al/ Si N+ et Al / Si poly (12*6m)

dimension de la grille: 200*10m


Largeur des zones dopes: 20 ou 50 m
Annexe 8
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D. Constantin, aot 2009


DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques Divers ligne E

Rsistance de gauche : silicium dop N+


Rsistance du milieu : Si poly dop
Rsistance de gauche : Aluminium

Inverseur enrichi / enrichi :

Sortie

VDD

Ls = 0.01 mm ; Ws=0.3mm
Le = 0.02 mm ; We=0.02mm

Entre

masse

70

D. Constantin, aot 2009


Annexe 9
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques transistors ligne M

W = 100 m

(1)

L = 10 ; 6 ; 4 ; 2 ; 1 m

(2)

(3)

(5)

2m

2m

10m

W=100m

71

(4)

(5)

(5)

D. Constantin, aot 2009


Annexe 10
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques transistors ligne O

W = 10 m

2m

L = 6 ; 2 ; 1 ; 0.8 ; 0.5 m

2m

W
10m

W=10m

72

D. Constantin, aot 2009


Annexe 11
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

transistors
ors ligne T
Tests lectriques - transist

W=25 m

2m

L= 1 ; 0.8 ; 0.5 m

2m

L
10m
W=25m

73

D. Constantin, aot 2009


Annexe 12-1
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques - transistors ligne E

W=25 m

2m

L= 1 ; 0.8 ; 0.5 m

2m

L
10m
W=25m

Annexe
Annexe 12-2
74

D. Constantin, aot 2009


DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC
MOSTEC

Tests lectriques - transistors ligne E

W=10 m

2m

L= 1 ; 0.8 ; 0.5 m

2m

L
10m
W=10m

75

D. Constantin, aot 2009


Annexe 13-1
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques - transistors source commune ligne C gauche

W=100
W=100 m

2m

L= 10
10 ; 6 ; 4 ; 2 ; 1 m

2m

10m

L
W=100m

76

D. Constantin, aot 2009


Annexe
Annexe 13-2
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques - transistors source commune ligne C milieu

W=25
W=25 m

2m

L= 6 ; 2 ; 1 ; 0.8 ; 0.5 m

2m

L
10m
W=25m

77

D. Constantin, aot 2009


Annexe 13-3
DETAILS DU CIRCUIT MOSTEC

Tests lectriques - transistors source commune ligne C droite

W=10
W=10 m

2m

L= 6 ; 2 ; 1 ;0.8 ; 0.5 m

2m

L
10m
W=100m

78