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COURS DE PHYSIQUE

ELECTROCINETIQUE
ELECTRONIQUE

1 PC
Anne scolaire 2012-2013

Cours

Auteur de la Ressource Pdagogique


Equipe pdagogique de physique du Premier Cycle

Dpartement Premier Cycle

Premire Anne PC

COURS DE PHYSIQUE
ELECTROCINETIQUE
ELECTRONIQUE

P. MERLE, C. PLOSSU, G. TRAVIN, V. WIEDEMANN

Edition 2012-2013
Mise jour: G. BREMOND, J.M. CHENAL, F. CALMON

Institut National des Sciences Appliques de Lyon

[Equipe pdagogique de physique du premier cycle], [2012], INSA de Lyon, tous droits rservs.

REMERCIEMENTS

Remerciements Michel Babout, ancien professeur de physique lINSA, dont


les textes ont t largement utiliss pour la ralisation de ce fascicule
lectrocintique.

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PLAN

CHAPITRE I :
CONDUCTION ELECTRIQUE: ASPECTS MICROSCOPIQUES
ET ASPECTS MACROSCOPIQUES
REGIME PERMANENT - LOI DOHM-KIRCHHOFF

p. 1

CHAPITRE II :
RESEAUX ELECTRIQUES EN REGIME PERMANENT

p. 31

CHAPITRE III :
RESEAUX ELECTRIQUES EN REGIME VARIABLE

p. 63

CHAPITRE IV :
NOTIONS D'LECTRONIQUE :
FONCTIONS DE TRANSFERT. AMPLIFICATEURS ET FILTRES

p. 93

ENONCES DEXERCICES DE NIVEAU 2

p. 101

SUJETS DINTERROGATIONS ECRITES

p. 122

ENONCES DE DEVOIRS DE SYNTHESE

p. 129

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

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CHAPITRE I
CONDUCTION ELECTRIQUE: ASPECTS
MICROSCOPIQUES ET ASPECTS MACROSCOPIQUES
REGIME PERMANENT - LOI DOHM-KIRCHHOFF
I GENERALITES: CONDUCTION ASPECTS MICROSCOPIQUES
I-1. Dfinitions.
I-2. Niveaux dnergie dun atome isol.
I-3. Niveaux dnergie dans un cristal ; Bandes permises et bandes interdites.
II ISOLANTS.
III - CONDUCTEURS.
III-1. Solides.
III-2. Electrolytes.
IV SEMI-CONDUCTEURS.
IV-1.Semi-conducteurs intrinsques.
IV-1.1. Mcanismes de la conduction. Schma de bandes.
IV-1-2. Calcul de la conductivit.
IV-2. Semi-conducteurs extrinsques.
IV-2.1. Mcanismes de la conduction. Schma de bandes.
IV-2-2. Calcul de la conductivit.
V EXEMPLES.
VI CONDUCTION. ASPECTS MACROSCOPIQUES. DEFINITIONS.
VI-1. Densit volumique de courant. Lignes et tubes de courant
VI-2. Intensit.
VI-3. Courant de surface.
VII EQUATION DE CONTINUITE.
VIII REGIME PERMANENT.
VIII-1. Dfinition.
VIII-2. Densit de charge volumique et distribution du potentiel dans un conducteur
homogne en rgime permanent.
VIII-3. Loi des nuds.
VIII-4. Loi dOhm-Kirchhoff.
VIII-4-1. Rsistance dun conducteur homogne de section constante.
VIII-4-2. Loi dOhm-Kirchhoff.
VIII-4-3. Association de conducteurs.
VIII-4-4. Dtermination de la rsistance dun conducteur massif.

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

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CHAPITRE I
CONDUCTION ELECTRIQUE: ASPECTS
MICROSCOPIQUES ET ASPECTS MACROSCOPIQUES
REGIME PERMANENT - LOI DOHM-KIRCHHOFF
I GENERALITES: CONDUCTION -ASPECTS MICROSCOPIQUES
I-1. Dfinitions.
On appelle courant lectrique tout mouvement ordonn de charges lectriques
positives ou ngatives. Ces charges lectriques en mouvement sappellent les porteurs de
charge. On distingue plusieurs types de courants lectriques :
- les courants transports par des faisceaux de particules charges en mouvement
dans le vide (lectrons ou ions); cest le cas des courants dans les tubes cathodiques
(tlvision, oscilloscope) ou dans les acclrateurs de particules,
- les courants crs par des particules charges places sur un support isolant en
mouvement,
- les courants de conduction qui sont dus au mouvement densemble des porteurs au
sein dun conducteur; ce sont les plus rpandus.
Ce chapitre a pour but de donner quelques notions simples sur les phnomnes
physiques de conduction lectrique dans les solides. Nous nous contenterons ici dune
approche phnomnologique permettant de comprendre les phnomnes fondamentaux
lorigine de la conduction. Vous verrez par la suite, que les fondements de la thorie de la
conductivit lectrique des matriaux pourront tre traits prcisment et approfondis par
lutilisation de la mcanique quantique.

I-2. Niveaux d'nergie d'un atome isol.


On peut considrer latome comme form dun noyau central form de protons (charge
positive) et de neutrons (charge nulle) autour duquel gravitent des lectrons (charge ngative).
Ltude de latome en mcanique quantique (voir cours de Chimie I) permet darriver aux
conclusions suivantes :
- Ltat nergtique des lectrons est quantifi, cest--dire que les lectrons se
dplacent autour du noyau sur des niveaux dont les nergies sont bien dtermines et dfinies
par le nombre quantique principal n.
- D'aprs le principe d'exclusion de Pauli, dans un tat quantique dfini par un
ensemble donn de quatre nombres quantiques (n, , ml, ms), il ne peut y avoir qu'un seul
lectron. Ainsi, le cortge lectronique dun atome est-il dcrit par le remplissage des couches
(n = 1, 2, ), sous-couches ( = 0 (s), 1(p), 2(d),..) et cases quantiques dnergie
(correspondant ml) successives (voir cours datomistique). Exemple : Al (Z=13) : 1s2 2s2 2p6
3s2 3p1.
- Les orbitales (reprsentation de la densit de probabilit de prsence de llectron
autour du noyau) sont dautant plus proches du noyau que la valeur de n est faible. Ceci peut
sinterprter facilement dans une vision purement mcanique du systme noyau-lectron,
en portant sur un mme graphe :

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W, U

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- lnergie totale dun niveau,


sexprimant approximativement par

W = W0

Figure 1
Reprsentation, dans le cas dun atome isol ou datomes
spars par une grande distance d :
- des niveaux dnergie totale E (____)
- de lnergie potentielle U (----) dun lectron en fonction
de sa position par rapport aux positions atomiques
(cas unidimensionnel)

Z*2
n2

, Z* tant la charge

nuclaire
effective
(voir
cours
datomistique),
- lnergie potentielle U de llectron
en prsence du noyau.
On montre alors (Figure 1) que
llectron est localis dans un puits
de potentiel au niveau du noyau et
quil lest dautant plus que son nergie
est plus fortement ngative (faibles
valeurs de n).

I-3. Niveaux d'nergie dans un cristal ; Bandes permises et bandes


interdites.
Envisageons tout dabord une chane linaire datomes spars par une distance d. Si
cette distance est grande, (Figure 1), linfluence entre chaque atome est ngligeable et les
niveaux dnergie W des lectrons sont ceux de latome isol. En revanche si cette distance
est petite (de lordre des distances inter-atomiques dun cristal, soit de lordre du nanomtre
ou dune fraction de nanomtre), les lectrons de chaque atome sont influencs par les autres
atomes
Ceci aura deux consquences
(Figure 2):
W, U
d
-i) Pour satisfaire au principe
dexclusion de Pauli, les niveaux
dnergie identique se scinderont en
N niveaux. Dans le cas dun solide (N
trs grand) ces N niveaux formeront
pratiquement une bande dnergie
permise (bandes noires sur la figure
2).

UM

Figure 2

Bandes permises

- Pour les lectrons des couches internes, la perturbation apporte par les atomes voisins sera
faible.
- Pour les lectrons des couches externes, linfluence des atomes voisins est plus importante.
Il sensuit que les bandes dnergie permise auront une largeur plus grande. Entre ces tats
permis dnergie, subsisteront des valeurs dnergie non permises, formant ce que lon
appelle des bandes interdites .
-ii) Les lectrons les plus priphriques aux atomes vont correspondre aux bandes dnergie
permise les plus hautes sur lchelle nergtique W de la figure 2. Du fait de leur plus grande

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proximit, leur tat dnergie vont mieux se coupler entre eux et ils ne seront plus localiss
sur un atome mais pourront appartenir lensemble des atomes de ldifice cristallin.
Parmi les bandes dnergie possible, et considrant celles correspondant aux niveaux
dnergie les plus levs algbriquement (les plus hautes sur lchelle nergtique W de la
figure 2), cest dire aux bandes qui correspondent en fait aux lectrons les plus faiblement
lis au cristal, on peut distinguer :
La bande de conduction : elle correspond aux tats pour lesquels llectron est libr
de lobligation de rester en orbite autour du noyau et peut ainsi se mouvoir dans tout le cristal.
Ces lectrons sont appels lectrons libres. Ils peuvent circuler en tous sens dans le cristal.
Ces lectrons sont cependant lis au cristal. Ils ne peuvent en tre extraits que si on leur
fournit une nergie Ws correspondant la diffrence dnergie entre le niveau suprieur de la
bande de conduction et ltat dnergie nulle (lectron libr du solide dans le vide).
La bande de valence : elle concerne les lectrons impliqus dans les liaisons de
covalence. Ces lectrons sont lis aux atomes. Cette bande dnergie est la bande dnergie
immdiatement infrieure la bande de conduction. Elle peut dans certains cas la recouvrir.

W 0
Bande de conduction (vide)

Wc
WF
Wv

Bande interdite large


(plusieurs eV)
Bande de valence (sature)

Remarque : Pour reprsenter les tats dnergie


possibles dans le cristal, la seule indication des
niveaux de bande est suffisante. Une
reprsentation sur un axe gradu en nergie suffit
donc. On adoptera cependant dans la suite du
cours, et pour plus de clart dans lexpos, une
reprsentation en 2 bandes : bande de valence et
bande de conduction (voir figure 3) dont
lintrt est de permettre une reprsentation plus
lisible des niveaux nergtiques.

Figure 3

II LES MATERIAUX ISOLANTS.


Un matriau est dit isolant sil nest le sige daucun courant de conduction quel que
soit le champ lectrique qui lui est appliqu.
Un isolant solide est donc un corps dont les lectrons remplissent toutes les bandes
dnergie jusqu la bande de valence, laquelle est totalement sature (tous les niveaux sont
occups). La bande de conduction est par ailleurs totalement vide (Figure 3) et ces deux
bandes sont spares par une bande interdite dont la largeur est trs importante (7 9 eV par
exemple pour le verre (silice)).
Sous l'action d'un champ appliqu, les lectrons ne peuvent acqurir aucune nergie
supplmentaire, le gain d'nergie possible tant trs infrieur au saut d'nergie que
ncessiterait le franchissement de la bande interdite. Une augmentation importante de
temprature pourrait ventuellement conduire une probabilit d'occupation non nulle, mais
trs faible, des niveaux nergtiques de la bande de conduction, les lectrons provenant alors
de la bande de valence initialement sature.

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III LES CONDUCTEURS.


III-1. Solides.
Sous l'influence du champ lectrique appliqu, les lectrons de conduction acquirent une
vitesse v et donc une nergie Ec =

1
m v2 . Si tous les tats nergtiques d'une bande permise
2

sont occups, une telle translation d'ensemble des occupations des niveaux nergtiques est
impossible. Les lectrons d'une bande permise sature ne peuvent donc pas participer la
conduction lectronique.

W 0

WF
Wc

Bande de conduction

Bande de valence

Les conducteurs sont donc des matriaux tels


que les niveaux de la bande de conduction et de
la bande de valence se chevauchent et quainsi,
0K, en labsence de tout apport dnergie
extrieure, certains tats nergtiques (les plus
bas) de la bande de conduction sont remplis. Il
subsiste de nombreux tats nergtiques vides
qui pourront tre occups lorsqu'un lectron
augmentera son nergie soit suite une
augmentation
de
temprature
(nergie
thermique) soit sous l'effet de l'application d'un
champ lectrique (nergie cintique).

Figure 4

Exemple : Dans le Magnsium (Z=12, 1s2 2s2 2p6 3s2), les niveaux nergtiques de la bande
de valence sature (3s2) recouvrent en partie ceux de la bande de conduction vide (3p0).
Ces lectrons peuvent alors se mouvoir librement dans l'ensemble du matriau, de la
mme faon que les molcules d'un gaz peuvent se dplacer dans le volume total de l'enceinte
renfermant ce gaz. C'est la raison pour laquelle, on peut dire que ces lectrons constituent un
gaz d'lectrons libres.
Si le potentiel lectrostatique des ions du rseau tait parfaitement priodique, le
mouvement de ces lectrons serait libre. La prsence de vibrations collectives d'ions du rseau
cristallin introduit des perturbations, ou phonons, qui interagissent avec les lectrons. Sans
diffrence de potentiel applique au conducteur, ces lectrons libres sont donc anims dans le
cristal d'un mouvement brownien compos de trajectoires entre deux interactions successives
avec les modes de vibration du rseau cristallin. La longueur moyenne parcourue entre
deux collisions s'appelle le libre parcours moyen des lectrons.
En l'absence de champ appliqu, la somme moyenne de tous les dplacements des
lectrons du gaz lectronique est nulle : il n'y a aucun mouvement d'ensemble du gaz
d'lectrons. Si l'on applique un champ E , les lectrons de conduction contenus dans un
lment de volume dv du conducteur sont soumis une force motrice :
n tant le nombre dlectrons de conduction par unit de volume.

df m = n e E dv .

Sous l'influence de cette force, ils tendent prendre une vitesse v . Leur interaction
avec le rseau peut alors tre traduite par lexistence dune force de frottement visqueux,

df f = v dv .

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La masse dM de lensemble de ces lectrons tant :


dM = n m dv
Lquation du mouvement densemble de ces lectrons scrira :

dv
df m + df f = d dM v = n m dv
dt
dt
v(t)

Soit :

dv

e
+
v = E
dt n m
m

Ou encore :

dv v
e
nm
= E , avec =
+
.
dt
m

La solution de cette quation est :

v=

Figure 5

t
t

e
E 1 e = v0 1 e
m

dont le graphe est reprsent par la figure 5. Le rgime permanent sera caractris par une
vitesse d'ensemble constante v0 du nuage lectronique :

v0 =

e E
= E
m

avec
- est appel la mobilit des lectrons et s'exprime en m2(V.s)-1.
- est appel temps de relaxation. Il est une indication, ainsi que le montre la figure 5,
de la vitesse dtablissement du rgime permanent partir dune vitesse initiale nulle.
Le vecteur densit de courant volumique est alors dfini par :

j = n (e)v0 = n e E = E
avec tant la conductivit au matriau.
Units : Nous verrons plus loin que le vecteur j peut tre directement associ au flux de
charges

travers

une

surface

et

que,

lquation

dimensionnelle

de

j tant

[j] = [Q][T]1[L]2 , lunit SI correspondante est lAmpre/mtre carr (A.m-2). Lunit de


conductivit est l(ohm.mtre)-1 ou Siemens. Ces grandeurs seront dfinies plus compltement
dans le chapitre II.
Quelques ordres de grandeur : (cuivre T=300K)
En l'absence du champ appliqu
Temps moyen entre deux collisions
Libre parcours moyen :
Vitesse thermique :
Conduction :
Mobilit des lectrons :
Nombre de porteurs de charge
par unit de volume :

th = 2,4 10-14s
= 3,75 10-8m = 37,5 nm
vth = 1,5.106 m.s-1
= 2,4. 10-3 m2(V.s)-1
n = 1,5 1028m-3

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Vitesse de dplacement du nuage lectronique pour J = 10A/mm


Conductivit :

v = 0,74 mm.s-1
= 5,8 107 -1.m-1

Remarque:
- La vitesse de dplacement des lectrons libres correspondant au phnomne de
conduction est trs faible et trs infrieure la vitesse d'agitation thermique.

III-2. Electrolytes.
Dans un milieu liquide, tel que les lectrolytes, la conduction est assure par le
mouvement conjoint des ions positifs et ngatifs. Soit C+ la concentration en ions positifs de
charge q+, C- celle des ions ngatifs de charge q-. Par suite de llectro-neutralit de la
solution, on a ncessairement : C+q + + C q = 0
+

Sous linfluence dun champ E , soit v = + E , la vitesse des ions positifs, et

v = E celle des ions ngatifs dont les mobilits respectives sont + et -.


(On remarquera que les dfinitions prcdentes entranent le fait que + et - sont toutes deux
des grandeurs positives).
La densit de courant j totale sera :
+

j = j + j = C + q + v + C q v = C+ q + + + E
Do la conductivit :

= C+ q + + +

IV - SEMI-CONDUCTEURS.
IV-1. Semi-conducteurs intrinsques.
IV-1-1. Mcanismes de la conduction. Schma de bandes.
Si

Si

Si
(-)

Si

Si

(+)
(+)

(-)
Si

Si

Si
(-)
Figure 6

Si

Certains lments cristallisent par


tablissement de liaisons covalentes entre
atomes, ce qui correspond pour chacun d'eux
une couche lectronique externe sature de
huit lectrons. La liaison entre ces lectrons et
les atomes peut alors tre facilement rompue
par la seule agitation thermique. Lorsque cette
liaison est rompue, l'lectron devient un
lectron libre (Figure 6).
Le passage des lectrons de l'tat li
l'tat libre fait alors apparatre des lacunes
dlectron appels "trous",

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dans le cortge lectronique des atomes, auxquels on peut associer une charge positive
puisqu'ils correspondent un dficit d'lectrons. Ces places vacantes peuvent tre occupes
par des lectrons de liaison des atomes voisins. On peut donc avoir aussi un dplacement de
proche en proche des lectrons des couches lectroniques externes, ce qui correspond un
dplacement du trou du ct oppos. A ct des lectrons libres, les trous positifs participent
donc galement au phnomne de conduction. Ce schma correspond au cas d'un matriau
pur. On dit que l'on a alors un semi-conducteur intrinsque. Parmi les matriaux les plus
courants citons le silicium (Si), le germanium (Ge) et l'arsniure de gallium (GaAs).
Schma de bandes : Un semi-conducteur intrinsque (Figure 7) est un matriau dont la
bande de valence 0K est sature (couche lectronique externe sature) et dont la bande de
conduction est vide, mais pour lequel la largueur de
la bande interdite est
faible, de l'ordre de 1eV
(la liaison entre un
W 0
lectron de valence et
latome
auquel il
appartient
est
alors
Bande de conduction (vide)
facilement rompue). C'est
Wc
Bande interdite de
WF
par exemple le cas du
Wv
faible largeur
silicium
Bande de valence (sature)
(Wc - Wv = 1,12eV).
Figure 7

IV-1-2. Calcul de la conductivit.


Le mcanisme de conduction dans un semi-conducteur fait donc intervenir la fois le
dplacement d'ensemble du nuage lectronique et des trous qui se dplacent au sens contraire,
du fait de leur charge oppose.
Dans le cas dun semi-conducteur intrinsque, le nombre d'lectrons de conduction
(charge e) par unit de volume est gal au nombre de "trous" mobiles (charge +e) puisque la
cration dun lectron libre dans la bande de conduction saccompagne obligatoirement de la
cration dun trou dans la bande de valence (Figure 7). Si ni (i pour intrinsque) est leur
concentration, on peut montrer qu'elle s'exprime en fonction de la temprature sous la forme :
W

3
/
2
n i = A T e 2kT , W = Wc-Wv tant la largeur de la bande interdite, A une constante et k

la constante de Boltzmann ( k =

R
, N nombre dAvogadro, R constante des gaz parfaits)
N

Sous linfluence dun champ E , soit vp , la vitesse des trous (positifs), vn celle des
lectrons (ngatifs), dont les mobilits respectives sont telles que vn = n E et vp = p E .
La densit de courant j totale sera :

j = jp + jn = n i e vp n i e vp = ni e p +n E
Do la conductivit :

= n i e p + n

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IV-2. Semi-conducteurs extrinsques.


IV-2-1. Mcanismes de la conduction. Schma de bandes.

Si

Si

Si
(-)

Si

P(+)

Si

Si

Si

Si

Figure 8

Si

Si

Si

Il est possible de faire varier la densit


relative des trous et des lectrons libres dans un
semi-conducteur, en particulier par l'ajout
contrl d'impurets. Supposons que l'on
introduise dans le rseau de silicium, des atomes
d'lments du groupe V de la classification
priodique, cest--dire par exemple des atomes
de phosphore ou d'arsenic (Figure 8). Ces
atomes ont une couche priphrique de cinq
lectrons.

L'environnement lectronique des atomes


de silicium est tel que quatre lectrons
seulement sont ncessaires pour tablir les
liaisons. Celle du 5me lectron est donc trs
faible et il ne lui faut acqurir qu'une trs faible
nergie pour qu'il puisse se rendre libre et
participer ainsi la conduction.

(+)
Si

B(-)

Si

Si

Si

Si

Si l'on introduit au contraire la place


des atomes de silicium, des atomes du groupe
III trivalents (bore ou aluminium), trois liaisons
covalentes peuvent seulement tre tablies entre
chacun de ces atomes et les atomes de silicium
voisins (Figure 9).

Figure 9
Dans ce cas, un trs faible gain d'nergie permet un lectron proche de venir
complter cette liaison, ce qui provoque la formation d'un "trou" positif, lequel peut migrer de
proche en proche dans le cristal.
Ces types de matriaux, dont la conduction dpend fortement de la concentration en
impurets sont dits semi-conducteurs extrinsques de type N dans le cas o un excs
d'lectrons est introduit, de type P dans le cas contraire.

IV-2-2. Calcul de la conductivit.


Le courant total dans le semi-conducteur est d la contribution des lectrons et des
trous provenant d'une part de la contribution des atomes donneurs ou accepteurs, et d'autre
part de la conductivit intrinsque du semi-conducteur de base. La densit n des lectrons de
conduction sera donc en gnral diffrente de la densit p des trous. On aura comme
prcdemment

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j = jp + jn = p e vp n e vn = p e p + n e n E
Soit :

= e p p + n n

(1)

Un semi-conducteur extrinsque est caractris par la densit NA datome accepteurs


et ND datomes donneurs ; n et p seront calculs dans lhypothse o lon suppose que tous
ces centres (donneurs ou accepteurs) sont ioniss, cest--dire que tous les atomes donneurs
ont cd leur lectron et tous les atomes accepteurs ont capt un lectron. Dans ces conditions
le cristal comporte donc une densit NA de centres fixes ngatifs et une densit ND de centres
fixes positifs. La condition dlectro-neutralit du cristal exige que la somme de toutes les
charges fixes ou mobiles soit nulle, soit :

NA + n = ND + p
Par ailleurs, on dmontre que :

n . p = ni2

(2)
(3)

(1), (2), (3) permettent le calcul de .


Cas particuliers :
- Pour un semi-conducteur de type N, dont tous les atomes donneurs de densit ND

e ND n
sont ioniss, n >> p et :
- De mme, pour un semi-conducteur de type P contenant une densit NA de niveaux
accepteurs tous ioniss, p >> n et : e NA p

V- EXEMPLES
La figure 10 ci-aprs reprsente la variation en fonction de la temprature de la
conductivit de divers matriaux allant des matriaux dits conducteurs (cuivre, plomb), aux
matriaux considrs comme isolants, mais possdant tout de mme une trs faible
conductivit (verre), en passant par les semi-conducteurs tels que le silicium ou le
germanium.
On remarquera que lchelle de variation de cette proprit est importante, de 10-18
7
10 (Ohm.cm)-1, soit un facteur de variation de 1025 en allant de l isolant au conducteur.

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Par ailleurs lvolution de


proprit
avec
la
cette
temprature confirme ce que lon
peut dduire des modles simples
dvelopps plus haut :
Pour
les
matriaux
conducteurs mtalliques ayant
une conductivit leve, tels que
le cuivre ou le plomb, celle-ci
diminue lorsque la temprature
augmente : cet effet est d
laugmentation de linteraction
des lectrons avec les vibrations
du rseau, traduite dans notre
modle simple, par lintroduction
dune force de freinage qui
augmente avec la temprature et
conduit donc une mobilit plus
faible des lectrons.
En revanche, concernant les
matriaux semi-conducteurs, une
augmentation de temprature
saccompagnera dune forte
augmentation de la densit de
porteurs mobiles, conduisant
donc une augmentation de
avec la temprature.

Figure 10
Conductivit lectrique de divers matriaux
(Daprs E.M. Purcell, Berkeley, Cours de Physique Tome 2, Librairie
Armand Colin)

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VI CONDUCTION. ASPECTS MACROSCOPIQUES. DEFINITIONS.


VI-1. Densit volumique de courant. Lignes et tubes de courant.
a) Porteurs de charge identiques.
On tudie dabord le cas simple suivant : le courant est un faisceau de particules toutes
identiques et de charge individuelle q. Au voisinage dun point M, un instant t, il y a n
2

particules par unit de volume, leur vitesse est v . Calculons la charge lectrique d Q qui
traverse un lment de surface dS entourant M entre 2 instants infiniment voisins t et t + dt.
Supposons les porteurs positifs et
introduisons le vecteur surface dS orient dans le
2
mme sens que v (angle aigu). d Q se calcule
en remarquant que cette charge est contenue dans
le cylindre oblique de base dS, de longueur de
gnratrice v dt (Figure 11) et dont le volume est :

v
dS

d=v dS cos dt = v .dS dt . Donc :


d 2Q = n q d =n q v .dS dt

Figure 11

En introduisant le vecteur densit volumique de courant, j = n q v , dfini au chapitre


prcdent :

d 2Q = j .dS dt

(1)

Remarque :
m = n q dsignant la densit de charges mobiles, on peut crire : j = m v
b) Porteurs de charge despces diffrentes.
Les porteurs de charge peuvent appartenir plusieurs espces diffrentes. Prenons
lexemple dun lectrolyte, pour lequel ils sont constitus par les anions (porteurs positifs, de
nombre n+ par unit de volume et de charge q+) et les cations (porteurs ngatifs, de nombre npar unit de volume et de charge q-). Chaque type de porteur de charge est caractris par sa
+

vitesse propre ( v et v ). Ces vitesses sont diffrentes par leur sens, les particules de charge
contraire se dplaant dans un sens oppos dans un champ lectrique donn, et par leur
norme, la mobilit des espces pouvant tre diffrente (voir chapitre I).
2
Le flux local de charge d Q travers une surface dS, scrira donc :

d2Q =d2Q+ + d2Q = n + q+ v+ .dS dt + n q v .dS dt= j .dS dt , en posant :


j = j+ + j = n + q + v+ + n q v
Dune faon gnrale, le vecteur densit volumique de courant dans un matriau scrira

j=

n q v
i i

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

-13-

n i , qi , vi tant les caractristiques de chaque famille de porteurs.


Sens conventionnel du courant : On remarquera que tous les vecteurs ji = ni qi vi ont mme
sens, quel que soit le signe de qi. En effet, dans un conducteur soumis un champ lectrique
donn, charges positives et ngatives ont des vitesses de sens contraire, de sorte que le produit

q v est un vecteur orient dans le sens de propagation des charges positives.


Cest ce sens de propagation des charges positives qui a t adopt comme tant le sens
conventionnel du courant dans un circuit.
Lignes et tubes de courant : Les lignes de champ du champ vectoriel dfini par le vecteur j
sont appeles lignes de courant. Elles sont donc en tout point de lespace tangentes au vecteur

j . Un tube de courant est form par les lignes de courant sappuyant sur une courbe ferme.

VI-2. Intensit de courant.


On considre un conducteur parcouru par un courant. Le courant arrive par un
conducteur damene autour du point A et repart par une rgion entourant B. Les lignes de
courant vont de A B comme il est indiqu sur la figure 12. Soit alors une surface ouverte (S)
trace dans le volume du conducteur et qui coupe une seule fois les lignes de courant quelle
rencontre.
Cette surface est dcompose en lments dS orients dans le sens du vecteur j (en
tout point de la surface, dS et j font un angle aigu). On appelle intensit lmentaire di du
courant qui traverse dS linstant t, la quantit

d 2Q
di =
, si d2Q est la charge
dt

(S)
B

lmentaire traversant la surface


dS pendant linstant dt. Daprs
(1), on a donc :

dS

di= j .dS

Lintensit
i
du
courant
transport par le conducteur

Figure 12

sera donc exprime par le flux du vecteur j travers la surface considre :

i=

(S)

di =

j . dS

(S)

la charge dQ qui traverse (S) pendant le temps dt valant :

dQ=

di dt = i dt
(S)

La quantit dlectricit Q qui traverse (S) entre les instants t1 et t2 vaut alors :

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-14-

t2

Q=

idt

(il faut intgrer car, en gnral, i dpend du temps).

t1

Units :
Lunit S.I. dintensit est lAmpre. Sa dfinition sera donne dans le cours
dlectromagntisme.
Lunit de densit volumique de courant sera donc lAmpre.m-2
Remarque : vitesse des porteurs de charge .
Evaluons la vitesse v des porteurs de charge dans le cas dun fil conducteur en cuivre
de 1,2 mm de diamtre parcouru par un courant de 0,5 A. Pour le cuivre, la densit des
porteurs de charge est n = 0,84 10 29 electrons / m 3 .
On a :

j
I
= 0,44.106 A.m-2 et v =
= 0,33.10 -4 m.s -1
S
ne
La vitesse est extrmement faible puisque infrieure au 1/10 mm.s-1.
j=

VI-3. Courant de surface.

Considrons un volume de trs faible paisseur (Figure 13a) et une surface


lmentaire dS = d de sa section, dfinie autour dun point M. Le courant di travers dS

sexprime par : di = j.dS = j. n d = j. n d

n tant le vecteur normal la section dS.

d M
n
dS
j
a

d
M

(C)
n

k
b
Figure 13

Si lon convient de ngliger lpaisseur de ce volume, le systme est alors quivalent


une surface transportant un courant (Figure 13b). Les lignes de courant surfaciques sont les
trajectoires des porteurs. On dfinit la densit surfacique de courant k par analogie avec j :
on considre un lment de longueur d ( la place de dS) contenu dans le plan tangent la
nappe surfacique.
Le courant qui traverse alors d est en fait le courant
calcul prcdemment, soit :
di = j n d = k n d
n

M
d

( )

Figure 14

Les vecteurs n et k sont alors contenus dans le plan tangent


en M la surface conductrice, le vecteur n , tant lui-mme,
dans ce plan, normal llment d de courbe travers par
les lignes de courant (Figure 14).

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-15-

Lintensit totale I traversant un contour (C) trac sur la surface conductrice (en
pointill sur la figure 13b) sera alors :

I=

k . n d
(C)

VII - EQUATION DE CONTINUITE.


Considrons une surface ferme (S) trace lintrieur dun milieu conducteur
(Figure 15). Le courant total I sortant de cette surface ferme scrira :

I=

j . dS

(S)

en choisissant une normale dS tout lment dS de la surface oriente vers lextrieur du


volume () limit par la surface(S).
Si Q est la charge contenue dans () ( Q = d ,
( )

dS
j

tant la charge volumique), on peut galement


crire :
dQ
,
I=
dt
en remarquant, (principe de conservation de la charge)
que la quantit de charge traversant (S) est
ncessairement gale la variation de charge
intrieure.

(S)

()
Figure 15

Soit :

j .dS=

div j d =

(S)

On en tire :

()

div j d = d
dt
()

()

()

d =

()

d
t

d
t

Cette galit devant tre vrifie quel que soit le volume () choisi, on a donc en tout
point (relation locale) :

div j +

=0
t

VIII REGIME PERMANENT.


VIII-1. Dfinition.
Le rgime permanent est le rgime pour lequel le vecteur densit de courant ne varie pas au
cours du temps, et les lignes de courant sont donc fixes. On dit alors que lon a un courant
continu. Il ne peut pas par dfinition avoir accumulation de charges en un point donn de
lespace. Il en rsulte que

= 0 . Le vecteur j satisfait donc : div j = 0


t

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-16-

Il sensuit que, considrant une surface ferme quelconque (S), on a :

(S)

j .dS = 0

En rgime permanent le flux du vecteur densit de courant est donc conservatif.


Consquence : Si on considre un tube de courant
(Figure 16) il rsulte de ce qui prcde que, le flux de
j tant nul travers le tube de courant
( j perpendiculaire dS ), le flux de j en rgime
permanent travers les diverses sections du tube est
constant, la normale ces sections tant toujours

S2
S1

oriente dans le mme sens (celui de j par exemple).

Figure 16
Ce flux reprsente lintensit qui traverse la section qui a donc la mme valeur travers toutes
les sections dun tube de courant.
En particulier, la surface dun fil conducteur limite un tube de courant; il circule donc dans ce
fil un courant dintensit constante, la mme en tout point du circuit filiforme.

VIII-2. Densit de charge volumique et distribution du potentiel dans un


conducteur homogne en rgime permanent.
De div j = 0 on dduit :
div ES = 0

div E S = 0

Comme le champ lectrostatique vrifie div ES =

=0

(quation 1)

La charge volumique dun conducteur homogne en rgime permanent (courant continu)


reste nulle.
Ceci veut dire que la charge locale due aux porteurs mobiles est compense par la
charge locale due aux porteurs fixes (par exemple dans un mtal la charge ngative des
lectrons de conduction est compense par la charge positive des ions fixes du rseau).
Puisque le champ lectrique nest pas nul lintrieur du conducteur parcouru par un courant,
le volume du conducteur nest plus quipotentiel et, en particulier, sa surface nest plus une
surface quipotentielle : les lignes de champ lextrieur du conducteur ne sont donc pas,
comme en lectrostatique, perpendiculaires la surface du conducteur.

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-17-

Ce champ lectrique est un champ lectrostatique. Il est cr par la rpartition de charges


superficielles amenes par lappareil lectromoteur extrieur, charges en gnral accumules
sur les deux surfaces dentre et de sortie du courant. Il est reli au potentiel V par

ES = -gradV et dont la circulation est conservative :

E . d = 0 .
S

(C)

= 0,
0

Puisque = 0, lquation de Poisson (voir cours lectrostatique) V +


vrifiera, au sein dun conducteur parcouru par un courant, lquation de Laplace :

V = 0

(quation 2)

La rsolution de cette quation permettra de dterminer le potentiel lintrieur du


conducteur.

VIII- 3. Loi des nuds.


I2

dS

Soit une surface ferme () entourant la jonction O


de n conducteurs transportant chacun une intensit Ik
(Figure 17).
La relation

I1

(S)

j .dS = 0 , entrane :
k =n

I4

I3

(S)

k =1

avec k = +1

Figure 17

k k

=0

pour les courants partant de O et

k = 1 pour ceux y arrivant si dS est oriente vers

lextrieur du volume dlimit par (S). On aura la convention inverse sur k si le vecteur

dS est orient en sens contraire. Dans lexemple de la figure 17, la loi des nuds donnera :
-I1 -I2 + I3 + I4 = 0, soit : I1 +I2 = I3 + I4.

VIII-4. Loi dOhm-Kirchhoff.


VIII-4-1. Rsistance dun conducteur homogne de section constante

Es
M dS j
VA

VB

Figure 18

Cherchons, pour un conducteur


homogne et de section constante
(Figure 18) la relation entre la diffrence
de potentiel U ses bornes et le courant I
qui le traverse.
On applique une diffrence de potentiel
U = VA - VB entre deux sections droites du
conducteur distantes de . La section droite
du cylindre est note S et sa conductivit
est .

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-18-

En raison de la symtrie et des invariances, analogues celles vues en lectrostatique pour le


condensateur plan, les lignes de champ, donc les lignes de courant, sont des droites parallles
aux gnratrices. Les tubes de champ sont des cylindres et lintensit du champ est constante
le long dune ligne de champ; alors :
B

ES = VA VB

VA VB = ES .d =ES.

Soit :

j = ES =

VA - VB
.

Lintensit I traversant une section du conducteur est I=

j . dS . On prend pour (S) une

(S)

section droite. j et dS tant colinaires et j constant dans tout le volume.

I = jS =
Soit :

(VA - VB) S
,

U 1
=
I S
U
Ce rapport R = , qui ne dpend que des caractristiques gomtriques et physiques
I

du conducteur, sappelle la rsistance de ce conducteur.


En posant =

on dfinit la rsistivit du matriau constituant le conducteur et on peut

donc crire : R =

Units :
Lunit de rsistance est lohm (), do drive lunit de rsistivit, dfinie partir de
R = / S , dont la dimension est [] = [R] [L], lohm.mtre (.m). On emploie aussi le
.cm pour la rsistivit des mtaux (1 .cm = 10-8 .m). La conductivit dun matriau
sexprime en siemens (S) ou (ohm.m)-1 (.m)-1.

VIII-4-2. Loi dOhm-Kirchhoff.


a) Dmonstration.
Nous avons vu que la densit volumique de courant est relie au champ lectrique par

j = ES .
la relation :
Cette relation sappelle la loi dOhm-Kirchhoff locale.

(B)
(A)
PA

ES

dS

PB

Dune faon gnrale, tudions la


relation entre la diffrence de potentiel
applique U = VA-VB entre deux sections
quipotentielles (A) et (B) dun conducteur et
le courant I qui le traverse (Figure 19).
PB

U=
Figure 19

S . d et

I=

PA

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j . dS .
(S)

Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

-19-

La densit de courant j et le champ ES tant des grandeurs proportionnelles (loi


dOhm locale), U et I sont donc ncessairement proportionnelles, le coefficient de
proportionnalit ne dpendant que des caractristiques gomtriques et physiques du tronon
de conducteur considr.
PB

La relation entre U et I sexprime donc par :

S . d

= R

j . dS
(S)

PA

VA-VB = U = RI

Ou encore :

(loi dOhm-Kirchhoff)

Remarque
Sens conventionnel du courant

q>0
VA

ff
A

Sens conventionnel du courant

VB

q<0

fs
v

Es

VB

ff

B
VA

fs

Es
U

A
Figure 20

On rappelle que cette relation traduit lexistence, au sein du conducteur, dun rgime
dcoulement permanent des charges, soumises deux forces opposes de mme amplitude :
- la force motrice f S due au champ lectrostatique ES engendr par la diffrence de potentiel
VA-VB,
- la force de freinage f f ayant pour origine la rsistance oppose par le rseau au mouvement
des porteurs de charge.
On remarquera que le sens conventionnel du courant relatif une diffrence de
potentiel donne U est toujours le mme quel que soit le signe des porteurs de charge
(Figure 20).

b) Expression algbrique.
Dfinition : on appelle diple un lment ou un ensemble dlments contenus entre deux
points A et B dun circuit.
La loi dOhm sera considre comme une relation algbrique,
si lon convient de dfinir un signe pour les grandeurs U et I,
U
I
partir de leur sens rel par rapport un sens dfini au
+
pralable. Ainsi, dans la reprsentation de la figure 21, on
B
A
convient de compter I positivement si son sens conventionnel
(sens de parcours des porteurs de charge positif) correspond
Figure 21
celui de la flche (de A vers B), et ngativement dans le cas
contraire. Dans la reprsentation choisie pour U, cette
grandeur sera compte positivement dans le sens indiqu par
la flche, cest--dire si VA >VB et ngativement dans le cas
contraire.

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Dfinition : On dit, avec les conventions prcdentes, que le diple AB est dcrit en
convention rcepteur. Avec cette convention, la relation U = RI devient bien une relation
algbrique ( U > 0 correspond I> 0, et U < 0, I < 0).
Dfinition : Un diple tel que le prcdent, pour lequel, si I = 0, alors U = 0 est dit diple
passif.
Dfinition : un diple passif ne comprenant que des rsistances porte le nom de rsistor.

VIII-4-3. Association de conducteurs.


a) Association en srie.
Soit un ensemble de n conducteurs de rsistance R1, R2,.Rk., Rn associs en srie
(Figure 22). En formulant la loi dOhm pour chaque conducteur, on a :

U1

U2

Un

R2
U

Rn

U=

k =1

I
R1

k =n

Uk =

R=

Soit :

k =n

k =1

k =n

R k I =
R k I = R I
k =1

k =n

R
k =1

Figure 22

Les rsistances dun ensemble de conducteurs en srie sajoutent.

b) Association en parallle.
U
I1
I2
I

Soit un ensemble de n conducteurs de


rsistance R1, R2,.Rk., Rn associs en
parallle (Figure 23). En formulant la loi dOhm
pour chaque conducteur, ainsi que la loi aux
nuds, on a :
k =n

k =n
U
1 U
I = Ik =
=U
=
R
k =1
k =1 R k
k =1 R k

k =n

Ik

1 k =n 1
=
R
R

In

Soit :

k =1

Figure 23
En appelant G k =

1
1
la conductance du rsistor k et G = celle de lensemble des rsistors
R
Rk

en parallle, on obtient immdiatement :

G=

k =n

G
k =1

Les conductances dun ensemble de conducteurs en parallle sajoutent.

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VIII-4-4. Dtermination de la rsistance dun conducteur massif.


La rsistance dun conducteur dpend non seulement de ses caractristiques
intrinsques, physiques (rsistivit ou conductivit ) et gomtriques (forme, dimensions),
mais galement de la faon dont est applique la diffrence de potentiel U produisant le
courant I. Le calcul de la rsistance (ou de la conductance) dun conducteur massif
comprendra donc les tapes suivantes :
- dtermination de la forme des quipotentielles et des lignes de champ dans le
conducteur et donc des lignes de courant,
- choix, selon la gomtrie des tubes de courant, dune description du conducteur
comme une somme dlments en srie de rsistances lmentaires dR =
dune somme dlments en parallle de conductance lmentaire dG =
-

d
, ou
S

dS
,

calcul de la rsistance R ou de la conductance G par intgration de dR ou dG.

Une autre mthode consiste calculer la puissance totale P dissipe par effet Joule par
intgration de la puissance volumique (dP/d, voir chapitre II) dans le conducteur, puis
didentifier la rsistance R telle que P = U/R = RI.

Des exemples seront donns en TD.

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EXERCICES DE NIVEAU I
NONCS
1 Questions dnergie.
a) Quelle est, en Joule, la valeur de llectron-volt (eV)?
b) Quelle est la valeur SI de k, constante de Boltzmann ?
(on rappelle que k = R/N, R tant la constante des gaz parfaits et N le nombre dAvogadro)
c) Quelle est la valeur, en eV de kT la temprature ambiante (300K) ?

2 Vrifiez vos connaissances.


W, U

a) Quelles sont les significations de W et


U et quelles sont les indications de cette
figure relatives ces deux grandeurs ?
b) Quelle est la considration nergtique
qui permet daffirmer quun lectron ne
peut pas tre positionn en M ?
c) Pouvez-vous placer sur un diagramme
nergtique, la bande de valence, la
bande de conduction, la bande interdite
dun matriau ?

d) Pouvez-vous, laide de ces concepts diffrencier qualitativement un conducteur, un


isolant, un semi-conducteur ?
e) Quelle est la diffrence entre un semi-conducteur de type N et un semi-conducteur de type
P?
f) La conductivit dun semi-conducteur P (respectivement N) est essentiellement assure par
des --------- (resp. ---------)
g) Pouvez-vous exprimer la conductivit dun semi-conducteur (les donnes sont la densit
de trous et dlectrons, la mobilit de ces porteurs) ?
h) Comment sexprime lquation dlectroneutralit dun semi-conducteur extrinsque ?

3 Vrai ou Faux ?
a) Dans tous les semi-conducteurs, la cration dun lectron de conduction saccompagne
toujours de la cration dun trou mobile.
b) Les centres donneurs et les centres accepteurs dun semi-conducteur extrinsque ont des
mobilits diffrentes.
c) Un centre accepteur porte une charge ngative lorsquil nest pas ionis.
d) Un centre donneur porte une charge positive lorsquil est ionis.
e) La densit n des lectrons et la densit p des trous dun semi-conducteur extrinsque
satisfont la relation : n . p = ni pi , ni et pi tant les densits dlectrons et de trous dans le
semi-conducteur intrinsque correspondant la mme temprature.

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4 a) Pour un semi-conducteur intrinsque ou un isolant, le niveau de Fermi WF est situ au


milieu de la bande interdite. Pour le silicium, semi-conducteur intrinsque, la largeur de la
bande interdite est de 1,12 eV. Pour la silice SiO2, isolant, la largeur de la bande interdite est
de 9 eV. Calculez et comparez les probabilits doccupation, la temprature ambiante, des
niveaux infrieurs de la bande de conduction de ces deux matriaux. Conclusion ?
b) Pour le silicium, la densit dtats dnergie au voisinage des niveaux infrieurs de la
bande de conduction est de lordre de 1026m-3. Le nombre ni de porteurs intrinsques est de
1,6.1016 m-3 300K. Montrez que ces valeurs sont bien compatibles.
5 Donner la dfinition de la densit volumique de courant en fonction des caractristiques
de transport des particules charges.
6 La densit de courant transporte par le faisceau dlectrons dun tube cathodique est de
10 A.cm-2. La vitesse des lectrons est de 2.107 m.s-1. Quel est le nombre dlectrons par
unit de volume du faisceau ?
7- La densit dlectrons libres dans largent est n = 5,8.1028 m-3. Quel est le courant
transport par un fil de 2mm de diamtre, si la vitesse moyenne de dplacement des lectrons
de conduction est de 0,25mm.s-1 ?
8 1) La masse atomique du Cuivre est 63,6 g ; sa masse volumique est = 8,9 g.cm-3. On
suppose que chaque atome de cuivre fournit en moyenne 1,2 lectrons de conduction (certains
en fournissent un, dautres deux). Quelle est la densit de porteurs de charges mobiles ?
2) Un fil lectrique de cuivre de 1mm2 de section est utilis pour alimenter une lampe
traverse par un courant de 1A. Cette lampe se trouve 4 m dun interrupteur. Quel est le
temps mis par un lectron, situ au niveau de linterrupteur, pour atteindre la lampe quand on
ferme linterrupteur ?
9 Un faisceau dlectrons transporte une intensit module avec le temps, de la forme I(t)= 5
(A.s-2) t2 + 8 (A.s-1)t + 3 (A). Quelle est la charge reue par un dtecteur plac sur le trajet du
faisceau entre les instants t = 3 s et t = 4 s ?

R2

R1

10 Un conducteur a la forme dun manchon cylindrique de


rayon intrieur R1, de rayon extrieur R2 et de hauteur h. Une
diffrence de potentiel V lui tant applique, il transporte un
courant dintensit I. Dans les deux cas suivants, dcrire la forme
h des quipotentielles et des lignes de courant et donner la valeur de
la densit de courant en tout point de ce conducteur :
a) La diffrence de potentiel V est applique entre les deux
sections droites du manchon distantes de h. ;
b) V est applique entre le cylindre intrieur et le cylindre
extrieur. On choisira ici un paramtre pertinent pour donner
lexpression de la densit volumique de courant.

11 Un conducteur cylindrique de rayon R est parcouru par une densit volumique de


courant j(r) = Ar2, dpendant de la distance r du point considr laxe du cylindre. Calculer
lintensit totale transporte par ce conducteur.

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

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12 Une fibre nerveuse (axone) peut tre assimile un fil cylindrique homogne de
diamtre 10 m et de rsistivit 2 .m. Quelle est la rsistance dune fibre de 0,5m de long ?
13 - On associe quatre rsistances identiques de valeur R en srie entre 2 points A et B.
Quelle est la valeur R de quatre rsistances identiques associes en parallle conduisant la
mme rsistance RAB entre A et B ?
14 On considre un bloc paralllpipdique, de dimensions 1 , 2 , 3 . On appelle R1
(resp. R2 ou R3) la rsistance lectrique de ce bloc parcouru par le courant dans le sens de la
dimension 1 (resp. 2 ou 3 ). est la rsistivit du matriau qui le compose. On pose
= 1 2 3 . Calculer le produit R1R2R3. Si Gi est la conductance associe la rsistance Ri,
en dduire la valeur de G1G2G3.

15 1) Un conducteur ayant la forme dun ruban de trs faible paisseur de longueur L =


100m et de largeur = 1 cm transporte un courant de 1,5 A. Donner, en unit SI, la valeur de
la densit surfacique de courant, suppose uniforme sur le ruban.
2) On considre un conducteur ayant la forme dune couche sphrique de trs faible
paisseur, de centre O et de rayon R. Ce conducteur est parcouru par un courant I amen par
un fil fin branch en deux ples opposs S et N de cette sphre ports par un axe zOz orient
dans le sens SN. Quelle est la forme des lignes de courant et la valeur de la densit surfacique
de courant en tout point de ce conducteur sphrique ? Indication : On reprera la position dun
point M de la surface sphrique par langle = (OM , Oz) .

16 - On considre un fil de cuivre de diamtre d et de rsistivit . Quelle est la rsistance R


dun bobinage constitu par ce fil de cuivre enroul en une seule couche de spires jointives
sur un cylindre de diamtre D et de longueur L ? Donner la valeur numrique de R pour =
1,6. 10-8 .m ; d = 1 mm ; D = 5 cm ; L = 25 cm .

SOLUTIONS
1 a) 1,6.10-19 J. ; b) 1,38.10-23 J.K-1 ; c) 26 mJ.
2 Voir cours
3 a) Faux : cest vrai pour les semi-conducteurs intrinsques mais faux pour les extrinsques
; b) Faux : ces centres sont immobiles !!! ; c) Faux : il est neutre ; d) Vrai ; e) Vrai puisque ni
= pi .
4 a) pour Si : P(W) = 4,07.10-10 ; pour SiO2, P(W) = 3,5.10-76, incomparablement plus faible !!!
b) ni doit tre de lordre de grandeur du produit du nombre dtats par la probabilit
doccupation, ce que lon vrifie.
5 - Voir cours
6 - n = 3,12.1010 m-3.

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

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7 I = 7,29 A
8 -1) n = 1,01.1029 m-3
2) j = 1A.mm-2 = n e v, si v est la vitesse de dplacement du nuage lectronique On trouve v
= 0,62.10-4 m.s-1, ce qui conduit un temps de trajet de lordre de 18 heures( ! ! !) (Ne pas
confondre la vitesse des lectrons avec la vitesse de propagation de londe lectromagntique
engendre par la mise sous tension du circuit).
9- q=

(5 t
4

+ 8 t + 3 dt = 92,67 coulombs

10 a) Les quipotentielles sont des couronnes circulaires parallles la base. Les lignes de
courant sont des droites parallles aux gnratrices du cylindre. j =

I
( R 22 R12 )

b) Les quipotentielles sont des cylindres de rayon r et les lignes de courant sont les lignes
radiales, perpendiculaires laxe des cylindres et aux surfaces cylindriques. En crivant que le
courant I est gal au flux de j travers le cylindre de rayon r et de hauteur h, on obtient, la
distance r de laxe des cylindres : j =
R

11 - I = A r . 2 r dr =

I
2r h

A R4
2

12 1,27. 1010 .
13 R = 16 .
14 - R i =

3
i
1
do R1R2R3 =
. Comme G i =
, G1G2G3 =

j k
Ri
3

15 1) k = 150 A.m-1

2) Les lignes de courant sont les mridiens de la sphre.

I
I
=
2 r 2 R sin

z
N

k=

M
R

16 R = 0,8 .
S
z
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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

-26-

Annexes
A-I. Probabilit doccupation dun niveau dnergie par des lectrons
W
T = 300K
WF

T = 0K

P(W)
1

Figure A1

La rpartition des lectrons dans les diffrents


niveaux dnergie permis obit une loi statistique
tablie par E. Fermi et P. Dirac. La probabilit P(W)
doccupation dun niveau dnergie W est donne par
W WF

P(W) = 1 + e kT

(courbe Figure A1)

WF tant appele lnergie de Fermi du cristal.


k est la constante de Boltzmann, T la temprature
absolue.

Ainsi, 0K,
- Pour W < WF tous les niveaux dnergie sont occups ( P = 1 quelle que soit W),
- Pour W > WF , P = 0 , tous les niveaux sont inoccups.
Pour T croissant, certains niveaux dnergie suprieure WF deviennent accessibles aux
lectrons, par suite de lnergie qui leur est communique par lagitation thermique. On a
alors une probabilit doccupation du type de celle donne par la courbe en trait plein de la
figure A1.

A-II. Niveaux dnergie associs aux donneurs et aux accepteurs dans un


semi-conducteur.
Les lectrons des impurets dopantes d'un semi-conducteur extrinsque de type N introduisant
des lectrons pour lesquels un trs faible apport d'nergie est ncessaire pour passer dans la
bande de conduction, ceci correspond, dans le schma de bandes, l'existence d'un niveau
d'nergie dit niveau donneur, d'nergie Wd, voisin du bas de la bande de conduction. Wc Wd
reprsente l'nergie d'ionisation des atomes (Figure A2).
Les impurets dopantes d'un semi-conducteur extrinsque de type P introduisant un dficit
lectronique local qui peut tre facilement combl par un lectron provenant du cortge
lectronique d'un atome voisin, ceci correspond dans le schma de bandes (FigureA2)
l'apparition d'un niveau accepteur d'nergie Wa proche du niveau d'nergie maximal de la
bande de valence Wv. Wa - Wv reprsente l'nergie d'ionisation ncessaire la cration d'un
trou.

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

(-)

-27-

Bande de conduction
Electrons (mobiles)

(-)

Wc
Conduction intrinsque
(transition BV- BC)

Wa
Wv
(+)

Centres accepteurs fixes


(ngatifs si ioniss)
(-)

(+)

Wd
(+)
Centres donneurs fixes
(positifs si ioniss)

Bande de valence
Trous (mobiles)

Figure A2

A-III. SUPRACONDUCTEURS.
Dcouverte en 1911 dans le laboratoire
de H.K. Onnes Leyde (Pays-Bas) au
cours d'tudes sur la conductivit du
mercure,
la
supraconductivit
se
caractrise par le fait que, au-dessous
d'une temprature Tc, dite temprature
critique, la rsistance du matriau devient
nulle. Dans le cas spcifique du mercure,
cette temprature est de 4,2K (-269C)
(Figure A3.1).
Ceci signifie qu'un courant lectrique en
rgime de supraconductivit peut
persister sans s'amortir puisque les
facteurs de dissipation nergtiques ont
disparu. Certaines tudes (voir C. KittelFigure A3.1
Physique de l'tat Solide - Dunod
Dcouverte de la supraconductivit
Universit) ont montr que la priode
Courbe de rsistance d'un chantillon de mercure en fonction
d'amortissement pouvait tre de l'ordre de
de la temprature absolue obtenue par K. Onnes en 1911
100000 ans!
Bc
Nous ne dvelopperons ici aucune
interprtation de la supraconductivit.
Etat
B0
Nous indiquerons seulement que la valeur
Normal
du champ magntique auquel est soumis
le matriau est galement un paramtre
Etat
important : sous leffet dun champ
Supraconducteur
magntique trop lev et suprieur une
valeur critique Bc, le matriau peut
perdre ses proprits supraconductrices.
T
Tc
Figure A3.2

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

-28-

T 2
Bc varie avec la temprature absolue selon une loi de la forme : Bc = B0 1
o Tc
Tc

est la temprature critique (temprature de transition champ nul). B0 est le champ critique
temprature nulle (B0 = 0,04T pour Hg, 0,01T pour Al). La loi prcdente dtermine le
domaine (B,T) pour lequel le matriau devient supraconducteur (Figure A3.2).
La supraconductivit est la proprit de nombreux matriaux mtalliques, composs
intermtalliques ou semi-conducteurs. Jusque vers 1970-1980, de nombreux composants ont
t tudis mais les tempratures critiques de ces matriaux ne dpassaient pas le seuil de
25K. Dans les annes 1980, l'tude de cramiques base d'oxydes de cuivre montra que
celles-ci possdaient un caractre de rsistance mtallique basse temprature. Le caractre
supraconducteur de ces cramiques fut mis en vidence par E. Muller en 1986 une
temprature de 35K sur un matriau de type (La1-xBax)2CuO4. Rapidement, une temprature
suprieure celle de l'azote liquide (77K : barrire importante pour les applications) fut
atteinte avec un oxyde similaire (YBa2Cu3O7- 90K). Des composs ayant des tempratures
critiques de 125K 130K ont t rcemment mis au point. La figure A3.3 rsume les progrs
rcents faits dans la recherche de matriaux supraconducteurs temprature critique Tc
leve.

Tc (K)
160
Oxydes
140
Ti-2223
120

temprature de lespace
satellitaire

Bi-2223

100
YBa2Cu3O7
80

azote liquide

60
40

LaSrCuO4
Nb3Ge

20
Hg

Nb

Pb

NbN

BaKBiO3

Nb3Sn
LiTi2O4
NbO

1900

1920

1940

1960

1980

Figure A3.3
Evolution des tempratures critiques de quelques matriaux supraconducteurs en fonction de
leur anne de dcouverte
(D'aprs J.L. THOLENCE et M. CYROT. Encycopedia Universalis. Universalia 1995 p. 266)

Il existe en fait deux types de matriaux supraconducteurs.


- Ceux qui ne peuvent supporter qu'un champ magntique critique trs faible (de
l'ordre de 10-2 Tesla) au-del duquel ils perdent leurs proprits. Ils ne peuvent donc laisser

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

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passer qu'un courant trs faible et ne peuvent avoir d'applications dans le domaine du
transport des courants.
- Ceux qui peuvent supporter des champs beaucoup plus levs (de l'ordre de la
centaine de Tesla). Ces matriaux peuvent alors supporter des densits de courant leves (de
l'ordre de 107A.cm-2), 104 fois suprieures celles supportes par le cuivre. On conoit alors
tout l'intrt pratique de ces matriaux, pourvu que leur temprature critique ne soit pas trop
basse. La principale application est la production de champs magntiques intenses. Ds
maintenant des champs de l'ordre de 20 30 Tesla ont pu tre obtenus l'aide de bobines
supraconductrices.
En lectronique et en informatique, la supraconductivit peut permettre, du fait de la
suppression des phnomnes d'chauffement, une miniaturisation encore plus pousse des
composants. De mme, du fait des faibles tempratures rgnant dans l'espace, l'utilisation de
matriaux supraconducteurs peu consommateurs d'nergie, et ncessitant donc une puissance
embarque plus faible, peut tre particulirement avantageuse.

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Electrocintique Chapitre I Conductions lectrique

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Electrocintique Chapitre II Rseaux lectriques en rgime permanent

CHAPITRE II
RESEAUX ELECTRIQUES EN
REGIME PERMANENT

I- FORCE ELECTROMOTRICE ET LOI DOHM LOCALE


GENERALISEE.
I.1. Dfinition.
I-2. Loi dohm locale gnralise.
II- DIPOLE ACTIF ET LOI DOHM GENERALISEE.
II-1. Les diffrents types de diples
II-2. Force lectromotrice et contre-lectromotrice.
II-3. Loi dOhm-Kirchhoff gnralise
III- ETUDE ENERGETIQUE DUN DIPOLE.
III-1. Conventions gnrateur et rcepteur.
III-2. Cas du diple passif (rsistance). Loi de Joule.
III-3. Bilan de puissance.
III-4. Source de tension et source de courant.
III-5. Equivalence source de tension - source de courant.
IV- LOIS DE KIRCHHOFF.
IV-1. Loi des nuds.
IV-2. Loi des mailles.
ANNEXE 1 : LES GENERATEURS
ANNEXE 2 : LES METHODES DE RESOLUTION DE CIRCUITS
(trait en TD) .
A) Mthode gnrale de rsolution.
B) Thorme de superposition.
C) Transfiguration des rseaux.
EXERCICES DE NIVEAU 1

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Electrocintique Chapitre II Rseaux lectriques en rgime permanent

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CHAPITRE II
RESEAUX ELECTRIQUES EN
REGIME PERMANENT
I- FORCE ELECTROMOTRICE
GENERALISEE

ET

LOI

DOHM

LOCALE

I-1. Dfinition.
Nous avons tudi le cas dune portion de circuit parcourue par un courant (loi dohm) mais
sans nous proccuper de savoir comment ce courant est produit et entretenu. Nous
envisageons maintenant le cas des circuits ferms et nous allons dabord montrer la ncessit
dintroduire de nouvelles forces dites motionnelles pour entretenir un courant dans de tels
circuits.
La figure 1 reprsente un circuit ferm parcouru par un
courant. Dans le prcdent chapitre, nous avons fait
intervenir
dans le mouvement des porteurs:
M
- une force lectrostatique dont la valeur par

porteur est f s = q E s ,
une force de freinage dont la valeur par porteur

est f f = k v , et qui est oppose sa vitesse.

Figure 1

Si on considre un trajet ferm AMA dcrit par un porteur q (ligne de courant), ces forces
effectuent un travail total :

T=

f s d + f f d
AMA

Le premier terme

T=

AMA

f s d = q E s d
AMA

est nul (champ lectrique circulation

AMA

conservative). Le travail total de ces forces se rsume donc au travail des forces de freinage
du rseau,

T=

f f d

qui est ngatif. Il est donc ncessaire quil existe, au moins dans

AMA

certaines rgions du circuit, une autre force qui redonnera de lnergie aux porteurs. De telles
forces, notes f m , sont qualifies de motionnelles (et fournissent globalement un travail
moteur).

T m=

f m d > 0
AMA

Les portions de circuit dites lectromotrices contiennent donc un milieu diffrent o les
porteurs de charges sont de plus soumis cette troisime force f m , dite motionnelle. Ce
milieu sera not milieu lectromoteur ou gnrateur .

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Electrocintique Chapitre II Rseaux lectriques en rgime permanent

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I-2. Loi dOhm locale gnralise.


Sens conventionnel de I
VB

q>0
v

VA

Examinons une portion de circuit AB, prise entre


deux sections aux potentiels VA et VB, qui est le
sige de forces motionnelles (Figure 2),
auxquelles sajoutent les forces lectrostatiques
et de frottement prcdemment dfinies.

Figure 2

La dfinition de la densit de courant j tant indpendante du signe des porteurs de charge,


(voir chapitre I) nous supposerons ici que le courant est d des porteurs de charge positifs
dont le sens de parcours est le sens A B.
En rgime permanent, le mouvement des porteurs se fait dans un quilibre dynamique,
caractris par le fait que la rsultante des forces appliques ces porteurs est nulle, donc :

f m
fs +f m+f f = 0

q E s +
-k
v=0

q
f m
v = Es +
Soit une vitesse limite des porteurs
et alors une densit volumique de
k
q

2
nq
f m
courant
j=
Es +
. La loi dOhm locale est donc modifie comme suit :
k
q

f m
fm
j = Es +
ou
Es +
=j

q
q

Les origines des forces motionnelles f m ne sont pas abordes dans ce cours mais on peut
citer, titre dexemple, une conversion dnergie mcanique lectrique (exemple de la
dynamo). On peut remarquer que la quantit f m q est homogne un champ lectrique,
appel champ lectromoteur E m .

II- DIFFERENTS TYPES DE DIPOLES ET LOI DOHM-KIRCHHOFF


GENERALISEE.
II-1. Les diffrents types de diples
On appelle diple un lment possdant deux bornes lectriques permettant de linsrer dans
un circuit. On distinguera les diples passifs des diples actifs. Dans ce cours de 1re anne, on
se limitera aux diples linaires pour lesquels le courant (circulant travers le diple) et la
tension (aux bornes du diple) sont relier par des quations linaires (relations affines en
rgime continu, quations diffrentielles coefficients constant en rgime variable : voir
chapitre III).

Les diples passifs ne contiennent pas de forces motionnelles, lexemple le plus simple est la
rsistance ( U = R I ). Le condensateur et la bobine appele galement inductance sont aussi

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Electrocintique Chapitre II Rseaux lectriques en rgime permanent

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des diples passifs. Pour faire circuler un courant dans un diple passif, il est ncessaire
quune autre partie du circuit possde un comportement gnrateur (en dveloppant un champ
lectromoteur).
Les diples actifs contiennent des forces motionnelles lies un champ lectromoteur
permettant de crer et dentretenir la circulation du courant dans un circuit : comportement
gnrateur. Egalement, certains diples actifs peuvent avoir un comportement rcepteur en
dveloppant un champ contre-lectromoteur, cest ce qui se passe dans une conversion
dnergie lectrique mcanique (exemple du moteur).
Les diples actifs peuvent tre rversibles ou non rversibles. Un diple actif rversible peut
fonctionner soit en gnrateur soit en rcepteur, titre dexemple on peut citer les batteries
dun vhicule lectrique qui fournissent de lnergie lectrique lacclration (gnrateur) et
qui rcuprent de lnergie au freinage (rcepteur)
On pourra galement rencontrer des diples actifs appels rcepteurs vritables . Ces
lments ont la particularit de fonctionner toujours en rcepteur quelle que soit la connexion
lectrique (mme en renversant les bornes), exemple : llectrolyse.
Quelques dfinitions :
- On appelle point de fonctionnement tout couple de valeurs (I, U) effectivement
observes aux bornes dun diple lorsque celui-ci est branch dans un circuit donn.
- La caractristique dun diple est lensemble de tous les points de fonctionnement
accessibles au diple : chaque point de fonctionnement de la caractristique peut tre
observ en branchant le diple sur un circuit adquat.

II-2. Force lectromotrice et contre-lectromotrice.


Dans le cas du tronon non purement ohmique de la figure 2, on peut calculer la diffrence de
potentiel entre les points A et B :
B

B
B
fm
d = E s d + E m d
A q
A
A
B

VA VB = E s d +
A

B
fm
d = E m d est appele, au sens large, force lectromotrice - f..m (du
A q
A
tronon AB). Plus prcisment, lappellation sera force lectromotrice si e et le courant
sont de mme signe, et force contre-lectromotrice - f.c..m, parfois note e' , si e' et le
courant sont de signes opposs.
B

La quantit e =

II-3. Loi dOhm-Kirchhoff gnralise


On quitte laspect microscopique pour revenir la circuiterie en considrant le tronon de
circuit de la figure 3.

e
I A

RkI

e
B

U
Figure 3

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Electrocintique Chapitre II Rseaux lectriques en rgime permanent

-35-

La loi dOhm-Kirchhoff gnralise sur ce tronon scrit :


U = VA VB = R k I e + e'
p
k
n

III- ETUDE ENERGETIQUE DUN DIPOLE.


III-1. Conventions gnrateur et rcepteur
Prenons lexemple dun diple actif AB contenant une f..m. e et convenons dadopter un
sens positif pour I de A vers B. (sens de la f..m.). La tension U est repre dans la
convention rcepteur en respectant le flchage de la figure 4, o les flches de U et I sont
opposes.
e

RI
I

R
B

U
Figure 4

On criera alors U = VA VB = RI e o toutes les grandeurs sont algbriques.


Le flchage associ aux diples passifs (exemple de la rsistance dans la Figure 4) sera
toujours de type convention rcepteur .
La tension U est repre dans la convention gnrateur en respectant le flchage de la
figure 5, o les flches de U et I sont de mme sens.
e

RI
I

R
A

B
U
Figure 5

On criera alors U = VV VA = e RI o toutes les grandeurs sont algbriques.


Le choix du flchage dun diple actif en convention rcepteur ou gnrateur est totalement
libre car les relations convention rcepteur sont algbriques. Cependant, si vous avez la
connaissance, au pralable, du caractre rcepteur ou gnrateur dun diple actif, il est
conseill de flcher en convention rcepteur un lment rcepteur, et en convention
gnrateur un lment gnrateur car cela simplifiera lanalyse dans les bilans de puissance
(voir section suivante).

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III-2. Cas du diple passif (rsistance). Loi de Joule.


Un diple purement ohmique ne peut que dissiper de lnergie. Cette dissipation dnergie se
fait par lintermdiaire des forces de rsistance quexerce le rseau au mouvement des
porteurs de charge mobiles. Lnergie ainsi fournie par ces charges sera dissipe sous forme
de chaleur, cest ce que lon appelle leffet Joule.

Loi de Joule.
Le diple est dcrit en convention rcepteur. La puissance reue par le diple (puissance
Joule) est PJ = UI. Comme U = RI, on aura (loi de Joule) :

PJ = U I =

U2
=
R

R I2

Lnergie Joule libre pendant le temps lmentaire dt, sexprimera par :


dWJ = RI2 dt
et, pendant lintervalle de temps t, si le courant est continu par :
WJ = RI2 t
Cest partir de la formule P = UI quest dfini lgalement le volt (voir grandeurs physiques).

Puissance Joule volumique.


En rgime permanent, la rsultante des forces auxquelles sont soumis les porteurs de charge
mobiles est nulle. Dans un conducteur purement ohmique ces forces sont, dune part la force
motrice exerce par le champ E auquel est soumis le conducteur et dautre part la force de
freinage du rseau qui ont donc la mme amplitude.
Lnergie reue par le diple correspond donc au travail de la force motrice due au champ

ES . Le travail fourni par cette force pendant le temps dt un porteur de charge anim de la
vitesse v est dWJ = F . v dt = q E . v dt

Pour un volume d de conducteur comprenant N porteurs de charge par unit de volume, le


travail total fourni sera :

dWJ = F . v dt = N d q E . v dt = N q v E . d dt = j .E d. dt
La puissance pJ dissipe par effet Joule par unit de volume, dite puissance Joule volumique,
sera donc :

pJ =
avec j = E =

1 dWJ
= j. E
d dt
2

E
, il vient :

pJ = j

La puissance totale PJ dissipe linstant t dans un solide de volume sera donc :

PJ =

j d

()

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III-3. Bilan de puissance.


Quelle que soit la convention de flchage (rcepteur ou gnrateur), la puissance lectrique au
niveau dun diple passif ou actif scrira toujours : P = U I .
Cependant la signification de cette puissance diffre suivant la convention. En effet :
- en convention gnrateur : une puissance calcule positive reprsentera la puissance
lectrique fournie par le diple au reste du circuit,
- tandis quen convention rcepteur : une puissance calcule positive reprsentera la
puissance reue (dissipe ou consomme) par ce diple.
Comme le calcul de puissance est algbrique, on peut alors voquer le cas de puissance
calcule ngative :
- en convention gnrateur : une puissance calcule ngative signifiera que le diple
actif reoit cette puissance (il est en ralit rcepteur),
- en convention rcepteur : une puissance calcule ngative signifiera que le diple actif
fournit cette puissance (il est en ralit gnrateur).
Le tableau ci-aprs donne lexpression du bilan de puissance dans le diple AB selon que
celui-ci est dcrit en convention gnrateur ou en convention rcepteur :

Convention

Convention rcepteur

RI
A

Convention gnrateur

RI

e
I

R
B

U
Loi dOhm
P
P = UI

e
B
U

U = RI - e
Puissance reue par le diple
P = RI2 eI

U = e - RI
Puissance fournie par le diple
P = eI - RI2

P = PJ - Pm

P = Pm PJ

On appelle puissance lectromotrice Pm du diple, la quantit : Pm = e I .


La tension e dveloppe par llment
e
e
actif sera value algbriquement par
rapport au sens du courant et sera
I
I
compte positivement si elle est dans le
sens du courant, ngativement dans le cas
e>0
e<0
contraire (Figure 6).
Figure 6
Pm sera donc positive dans le cas dun diple ayant un rle lectromoteur et ngative dans le
cas dun diple ayant un rle contre-lectromoteur.

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III-4. Source de tension et source de courant.


Soit un diple gnrateur fournissant une puissance P = UI. Ce diple est caractris
(Figure 7a) par sa force lectromotrice e et sa rsistance interne r, telles que U = e rI.
Cette reprsentation est dite reprsentation de Thvenin du gnrateur. Si r est trs faible, la
tension U aux bornes du diple gnrateur reste voisine de e.
Pour r = 0, la tension aux U bornes du diple gnrateur reste gale e quel que soit le
courant I dbit. On a alors ce que lon appelle une source parfaite de tension.
Ce mode de reprsentation convient bien pour des gnrateurs faible rsistance interne tels
que piles ou accumulateurs.

rI

I0

r
r
U
Figure 7a

Icc

U
Figure 7b

Certaines sources de puissance sont cependant caractrises par une faible variation de I
lorsque la tension U varie leurs bornes.
e U
La relation : I = = I0 I cc peut tre alors reprsente par le schma de la figure 7b o le
r r
e
gnrateur est reprsent par une source de courant I0 = en parallle avec sa rsistance
r
interne r. Cette reprsentation est dite reprsentation de Norton du gnrateur. Si r est trs
grand, on observe une faible variation de I, qui reste pratiquement gal I0, lorsque U varie.
Si r est infinie, le courant dbit par le gnrateur est gal I0, quelle que soit la tension U
ses bornes. On a ainsi une source parfaite de courant.

Remarque : Les concepts de source parfaite de tension et de source parfaite de courant ne


peuvent correspondre des sources relles puisque de telles sources seraient capables de
dlivrer une puissance infinie (P = UI, et pour une source parfaite de tension U reste constant
mme si I tend vers linfini, pour une source de courant I est constant mme si la rsistance
sur laquelle dbite la source tend vers linfini). Une source relle est en fait une source de
puissance pour laquelle on adopte le schma de source de tension ou de source de courant
selon ses caractristiques de fonctionnement.

III-5. Equivalence source de tension - source de courant.


Les deux reprsentations de Thvenin et de Norton (Figures 7a et 7b) seront dites
quivalentes si elles reprsentent la mme loi U = f(I), cest--dire si ce sont les
reprsentations dune mme source relle.
Considrons alors une source de courant (I0, r) et une source de tension (e0, r), dbitant sur
une rsistance extrieure. On dira que ces deux sources sont quivalentes, si la caractristique
(U, I) de ces deux diples sources est la mme.

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-39-

Daprs ce qui prcde, la caractristique U = e0 rI , (soit : I =


identique la caractristique I = I0

e0 U
) doit donc tre
r
r

U
, ce qui est vrai si, et uniquement si : r = r et e0 = rI0.
r'

Deux sources, lune de tension (e0, r), lautre de courant (I0, r) seront quivalentes si :
r = r
et
e0 = rI0

IV- LOIS DE KIRCHHOFF.


IV-1. Loi des nuds.
En rgime permanent, il ne peut y avoir ni accumulation ni disparition de charges un nud.
La loi des nuds qui en rsulte sexprimera donc de la faon suivante :
- Convention 1 (Figure 8a) :
o les intensits des courants sont dfinies algbriquement dans chaque branche
laide dun sens positif choisi arbitrairement.
o on exprime alors que la somme des intensits des courants qui sapprochent
dun nud est gale la somme des intensits des courants qui sen loignent.
- Convention 2 (Figure 8b): on peut galement:
o choisir le mme sens positif arbitraire pour tous les courants (arrive au noeud
ou dpart du nud)
o exprimer que la somme algbrique de ces courants est nulle.
Les deux exemples suivants illustrent lune ou lautre de ces conventions
Convention 2
Convention 1

I1

I4
I1

I3

I3

I2
I1 + I3 = I 2 + I 4

I4

I2
I1 + I3 + I 2 + I 4 = 0

Figure 8a

Figure 8b

IV-2. Loi des mailles.


On exprime simplement que la somme algbrique des tensions aux bornes des branches
successives dune maille est nulle. Dans le cas du courant continu, un problme spcifique se
pose pour les rcepteurs vritables, dont la polarit dpend du sens rel du courant qui les
traverse. Lexemple suivant (Figure 9) dtaille les prcautions prendre.
On crit :
(VA - VB) + (VB - VC) + (VC - VD) + (VD - VE) + (VE - VA) = 0
On parcourt donc la maille dans le sens ABCDEA. Dans chaque branche on choisit une
intensit algbrique ; on applique alors chacune des branches la loi dOhm algbrique :

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i5

i1
B

branche AB : e1 est un appareil


polaris rversible
VA - VB = R1i1 + e1

E
i4

R5

e1

R4

R1

branche BC : e2 est un rcepteur


vritable; on le remplace par un
appareil
polaris
rversible
fonctionnant comme e2 cest--dire
mont en opposition sur le sens
arbitrairement choisi du courant (on
vrifiera ultrieurement si le courant
circule bien dans le sens positif ;
sinon, il faudra changer le sens de i2 et
reposer le problme).
VB - VC = R2i2 + e2

e4

e2
R3

R2

e3

-40-

D
i3

i2
C

Figure 9

branche CD : e3 est un appareil polaris rversible alors VC - VD = - R3i3 - e3


R3i3 est affect du signe - car le sens du courant est contraire au sens de parcours.
branche DE : e4 est un rcepteur vritable alors VD - VE = - R4i4 - e4
e4 est affect du signe - bien que ce soit un rcepteur car cest le sens de parcours qui dcide
du signe.
branche EA : VE - VA = - R5i5
Donc :
R1i1 + R2i2 - R3i3 - R4i4 - R5i5 + e1 + e2 - e3 - e4 = 0
Ce qui peut s'crire sous la forme gnrale :

i =

k k

i) signe + (resp : -) pour les tensions si en suivant le sens de parcours on sort par le ple
positif (resp : -) de lappareil
ii) signe + (resp : - ) pour les termes R k i k si le sens du courant i k dans R k est le mme que
le (resp : est de sens contraire au) sens positif de parcours choisi.
Un exemple de rsolution dun circuit contenant un rcepteur vritable est donn en annexe 2
de ce chapitre.

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Electrocintique Chapitre II Rseaux lectriques en rgime permanent

-41-

ANNEXE 1 :
GENERATEURS
I LES PILES.
Une pile est un dispositif qui transforme l'nergie d'une raction chimique en nergie
lectrique. Elle est constitue de deux lectrodes qui plongent dans un milieu qui fait office de
conducteur lectrique (lectrolyte). Elle fonctionne grce au transfert d'lectrons entre les
deux lectrodes. Ce processus de transfert, assur grce lnergie libre par des ractions
chimiques se produisant dans le systme lectrodes-lectrolyte, sera tudi en dtail en
deuxime anne dans le cours de thermodynamique.

I-1. Bref historique.


La pile a t invente en 1799 par A. Volta (1745-1827).
Ce dispositif tait form (Figure 1) dun empilement
(do le nom de pile) de rondelles de Cuivre et de Zinc
(lectrodes qui sont lanode et la cathode de la pile)
spares par des rondelles de carton trempes dans de la
saumure (llectrolyte).

a) Pile de Volta

Ce dispositif fut suivi de la pile voltaque liquide,


constitue par deux plaques de Zinc et de Cuivre
immerges dans de lacide sulfurique dilu.
Les ractions ayant lieu ces deux lectrodes
sont, llectrode de Cuivre :
2 H++ 2e- H2

et llectrode de Zinc
Zn

Zn2+ + 2e-

Le courant lectronique circule lextrieur de la pile de


llectrode de Zinc llectrode de Cuivre.
Parmi les inconvnients de ce type de piles notons surtout
le phnomne de polarisation consistant en lapparition,
au cours du fonctionnement, de substances chimiques
(comme lhydrogne dans le cas de la pile voltaque)
pouvant gner le passage du courant dune lectrode
lautre.

b) Principe
Figure 1
Ce problme fut initialement rsolu par Becquerel (1788-1878) en 1829 qui inventa une pile
deux liquides spars (Zn/eau acidule-Cu/Sulfate de Cuivre), suivi en 1836 par J.F. Daniell
(1790-1845) qui associa deux demi-piles (Cu-SO4Cu), (Zn-SO4Zn) par lintermdiaire dune
paroi poreuse vitant la circulation des ions despce chimique diffrente (Figure 2).

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1 Electrode de carbone
2 Filtres de toile ou de papier
3 Couche tanche en rsine ou carton
4 Contenant extrieur en carton, rsine ou papier
5- Pte de dioxyde de mangandse et matire absorbante
6 Contenant en Zinc
7 Chlorure dAmmonium +Pte damidon+absorbant

-42-

En 1866, Georges Leclanch (1839-1882) va


amliorer ce systme en substituant
llectrolyte liquide une pte base de chlorure
dammonium (do le nom de pile saline). Le
ple ngatif (botier de la pile) est en zinc, le
ple positif est en dioxyde de manganse. Un
cylindre de carbone destin uniquement
conduire le courant est noy dans la cathode. La
pile est ainsi plus compacte et surtout
transportable. La pile moderne est ne.

Figure 2
Cette pile subira plusieurs volutions : la pile ronde avec une tige de graphite au centre
(Figure 2), puis mise au point en 1947, les piles dites alcalines qui utilisent loxyde de
mercure comme lectrolyte. Dans la dcennie 1960-1970 apparaissent les piles au lithium
dont les tensions sont plus leves ou encore, concernant le type de conditionnement, la pile
bouton qui quipe montres, calculatrices ou appareils photo.

I-2 Principales caractristiques.


Les principales caractristiques des piles sont : la tension dlivre, la densit nergtique qui
est lnergie emmagasine par unit de poids ou de volume (ce qui conditionne
lencombrement), la temprature de fonctionnement, dtermine par les lments chimiques
composant la pile.
Le tableau suivant donne les caractristiques que lon peut attendre des principaux types de
piles utilises actuellement.
Composants
Zn/MnO2(NH4Cl)
(saline)
Zn/MnO2
(alcaline)
Zn/HgO
Li/MnO2

Tension
(V)

Densit nergtique
Wh.kg-1
Wh.dm-3

Temprature
fonctionnement

1,5

65

100

-5C 45C

1,5

125

320

-30C 55C

1,35
3,4

105
280

325
580

0C 55C
-40C 70C

de

II LES ACCUMULATEURS.
II-1. Principe.
Lnergie lectrique tant fournie par une raction chimique, le fonctionnement dune pile est
de type irrversible et la production dnergie est stoppe par la consommation des
constituants. Les accumulateurs sont des piles rechargeables : les ractifs intervenant dans la
raction chimique permettant de produire le courant sont rgnrs par le passage dun
courant en sens inverse, lors de lopration dite de charge de laccumulateur.

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Le premier type daccumulateur, d aux travaux de G. Plant (1834-1889) est laccumulateur


au plomb (1860). Constitu de deux lectrodes, lune positive (Pb-PbO2/PbSO4), lautre
ngative (Pb/PbSO4) plongeant dans une solution dacide sulfurique.

Les ractions de charge et de dcharge aux lectrodes sont les suivantes :


A llectrode positive :
dch arge

PbO2 + HSO4 + 3 H3O+ +2e PbSO4 + 5 H2O

ch arge

A llectrode ngative :

dch arge

Pb + HSO4 + H 2O PbSO4 + H3O+ +2e

ch arge

Cest ce dispositif, techniquement amlior, qui quipe toujours les voitures.


Il existe actuellement un grand nombre de type daccumulateurs (Nickel-Cadmium, NiH
(nickel-hydrure mtallique), Litium-ion, Lithium-polymre) que nous ne dcrirons pas ici en
dtail.

II.2. Caractristiques.
La capacit de stockage dun accumulateur sexprime en gnral en Ampre-heures. (100
Ampre-heure correspondra 1A dbit pendant 100heures ou 5 Ampres pendant 20
heures). La tension dune batterie dpendra du nombre dlments (ou couples) associs en
srie (do le nom de batterie).
Les caractristiques principales gnralement donnes sont :
- la tension maximale de chaque couple,
- le nombre de cycles de charge et dcharge supports,
- la densit nergtique.
Le tableau suivant donne quelques ordres de grandeurs pour les divers types voqus ici.
On voit ainsi que les accumulateurs Ni-Cd ont une trs bonne rsistance aux cycles
charge-dcharge, alors que, capacit nergtique gale, les accumulateurs Litium-polymre
sont les plus lgers .
Composants
Ni-Cd
Ni-MH
Pb-acide
Li-ion
Li-polymre

Tension
(V)

Densit nergtique
(Wh.kg-1)

1,2 1,25
1,2 1,25
1,95-2
3,6
3,6

50-60
75
30-50
100
175

Nombre de cycles

1500-3000
500
200-800
300-500
300-500

Notons quun effort de recherche important est fait actuellement dans le domaine des microbatteries dont les lectrodes sont des feuilles minces de quelques diximes de millimtres
dpaisseur et de quelques centimtres de ct permettant de dlivrer des courants de quelques
milliampres. Ces accumulateurs, d'une nouvelle gnration, se rechargent rapidement,
jusqu mille cycles et supportent des tempratures extrmes.

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III LES PHOTOPILES.


III.1. Bref historique.
Les cellules solaires, ou photopiles, convertissent lnergie lumineuse en nergie lectrique.
Le phnomne physique concern, leffet photovoltaque, a t dcouvert en 1839 par le
physicien Antoine Becquerel (1788-1878) constatant les effets lectriques que produisent les
rayons solaires dans une pile constitue par des lectrodes de platine et de cuivre plongeant
dans une solution acide. Bien que signal par Werner von Siemens en 1875 dans les semiconducteurs, ce phnomne restera jusque vers les annes 1950 une curiosit de laboratoire.
Ce nest qu partir de cette date que des photopiles rendement suffisant et de cot de moins
en moins lev ont pu tre labores.

III.2. Principe.
Une photopile (ou cellule photovoltaque) est forme (Figure 3) essentiellement dune couche
mince d'un matriau semi-conducteur le plus souvent du silicium amorphe, polycristallin
ou monocristallin. Ce silicium comporte deux couches, lune dope P, lautre dope N (voir
chapitre I).

Figure 3
Lexcs des lectrons dans la zone N, par rapport la zone P, entrane la migration des
lectrons de N vers P, crant ainsi lquilibre, un champ lectrique E la jonction de ces
deux zones. Les photons incidents, cdant leur nergie h aux lectrons de valence du
silicium, creront dans cette jonction des paires lectron-trou (voir chapitre I), dont les
lments seront acclrs dans un sens oppos par le champ E , crant ainsi un courant qui est
recueilli par des lectrodes mtalliques dposes sur la couche mince de Silicium, dont lune
est une grille permettant le passage du rayonnement lumineux. La figure 3 donne quelques
dtails supplmentaires de ralisation.

III-3. Caractristiques.
Une photopile est caractrise par trois paramtres : le courant de court-circuit, c'est--dire
l'intensit du courant traversant la photopile lorsque ses bornes sont relies l'une l'autre ; la
tension mesure en circuit ouvert ; le rendement, rapport de la puissance maximale fournie
par la photopile sur la puissance solaire reue.

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En laboratoire, on obtient des photopiles plus de 24% de rendement. Les photopiles les
moins coteuses produire sont constitues de silicium amorphe. Bien que de trs faible
rendement, 6 8%, elles sont suffisantes pour de nombreuses applications peu gourmandes en
nergie, comme les calculatrices, les montres lectroniques ou encore les ampoules
fluorescentes faible consommation lectrique. On atteint un rendement de 16% avec des
photopiles silicium monocristallin.

IV AUTRES GENERATEURS.
Les autres types de gnrateurs (dynamos ou alternateurs) seront vus dans la suite du cours
dlectricit)

Pour en savoir plus : quelques sites parmi un grand nombre


Piles et accumulateurs
http://perso.wanadoo.fr/xcotton/electron/Notion_Accumulateur_Pb.pdf
http://perso.club-internet.fr/dspt/batterie.htm
http://www.saint-charles.org/pile.htm
http://www.ac-bordeaux.fr/Pedagogie/ Physique/Physico/Electro/e02gener.htm
Photopiles
http://www.univ-pau.fr/~scholle/ecosystemes/4-pv/40-1-fr.htm
http://www.inrp.fr/lamap/scientifique/energie
http://pages.videotron.com/solaire
http://perso.wanadoo.fr/michel.hubin/physique/solide/chap_s8.htm

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ANNEXE 2 :
METHODES DE RESOLUTION DES CIRCUITS
A) METHODE GENERALE DE RESOLUTION.
La dtermination complte de ltat lectrique dun rseau comprenant m branches passe par
la dtermination des m courants correspondants. Si ce rseau comporte b nuds, lquation
aux nuds fournit b-1 relations indpendantes entres ces courants (la bime nest quune
combinaison linaire des autres quations). Le nombre de courants inconnus indpendants est
donc de m+1-b.
Il sagit donc dtablir un systme de m+1-b quations indpendantes laide de la loi des
mailles pour dterminer ces inconnues.
Nous dvelopperons ici le cas des rseaux en courant continu contenant un ou des rcepteurs
vritables. La polarit de ces rcepteurs nest en effet dfinie que par rapport au sens rel du
courant, qui est inconnu au dpart. Il nest donc possible dtablir un systme dquations
quen supposant au dpart un sens donn pour le courant correspondant la branche
contenant le rcepteur vritable. Si cette hypothse se trouve infirme par la solution fournie
par le systme dquations ainsi tabli, il sera ncessaire de revenir un systme dquations
tabli avec lhypothse inverse.

Exemple.
Soit calculer les intensits dans les diffrentes branches du rseau donn par la figure 4. Ce
rseau comporte 6 branches et 4 nuds. Il suffit donc de 3 intensits inconnues pour dfinir
compltement son tat lectrique et donc crire 3 lois aux mailles.
On appelle i le courant dans la branche du rcepteur dont on dfinit arbitrairement le sens de
C vers D et on dfinit deux autres courants inconnus j et k. Compte tenu du sens de i :
- le rcepteur vritable de f.c..m. e peut tre reprsent par un appareil polaris rversible de
f..m. e mont en opposition (Figure 4)
- Le systme dquations qui sera obtenu devra conduire une solution i > 0.
Maille EADBE
k + j - i + 3j = 30
Maille EACBE
k + 3k - 3j + 3i + k - j = 30
Maille ACEDA
3k - 3j + 3i + i - j + i = -2

-i

3i
5i

+4 j + k

= 30

(1)

-4j

+ 5k

= 30

(2)

-4j

+ 3k

= -2

(3)

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e = 30V
1
k
j

j-i
e = 2V
k-j

k-j+i

i
3

C
Figure 1

(1) + (2)
(1) + (3)

2i + 6k = 60
4i + 4k = 28

-->

- 8i = 36 ;

i est ngatif ce qui est en dsaccord avec E rcepteur ; solution impossible.


Il faut remettre le problme en quation en changeant le sens de i donc de E (Figure 5). On
remarquera que si on ne change pas les autres inconnues, ceci revient changer le signe de i
dans toutes les quations et galement remplacer E par - E, soit :

D
E = 2V
1
i
C
Figure 2

-3i
-5i

+4j +k

= 30

(1)

-4j

+ 5k = 30

(2)

-4j

+ 3k = 2

(3)

(1) + (2)
(1) + (3)

- 2i + 6k = 60
- 4i + 4k = 32

i = 3A
8i = 24 j = 4 A
k = 11 A

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B) THEOREME DE SUPERPOSITION
I ENONCE.
Ce thorme est la consquence de la linarit des lois de Kirchhoff. Il snonce ainsi :
La rponse dun rseau linaire de configuration donne plusieurs excitations agissant
simultanment sobtient en faisant la somme des rponses du rseau chaque excitation
agissant sparment.
Le calcul de la rponse une seule excitation (une source), suppose que l'on a supprim
laction de toutes les autres sources, en dautres termes qu'on les a rendues passives.

II - PASSIVATION DUNE SOURCE.


Rendre passive (ou teindre) une source revient
- pour une source parfaite de tension, la court-circuiter
- pour une source parfaite de courant la remplacer par un circuit ouvert.
En consquence rendre passive une source relle, quelle soit reprsente par son schma de
Thvenin (Figure 2 a) ou de Norton (Figure 2 b), revient la remplacer par sa rsistance
interne.

E
-

Source de tension

Source de tension passive


Figure 2 a

I0
R
R

R
Source de courant

Source de courant passive


Figure 2 b

III - EXEMPLE DAPPLICATION.


On cherche le courant I dans la rsistance R branche entre les points A et B (Figure 3).

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-49-

IB

IA
E1

E1
R

I2

R2

R2

I2

Etat final

Etat (A)

R2

Etat (B)

Figure 3
On rendra tout dabord passive la source de courant I2 (tat A). Le courant IA dans R est alors
donn par :

IA =

R 2 E1
R 2 R 1 + R (R 1 + R 2 )

Puis on rend passive la source de tension E1 (tat B). Le courant IB dans R est alors donn
par :

IB =

R1 R 2 I2
R 2 R 1 + R (R 1 + R 2 )

Do le courant total I = IA + IB =

R 1 R 2 I 2 + R 2 E1
R 2 R 1 + R (R 1 + R 2 )

C) TRANSFIGURATION DES RESEAUX


Dans la plupart des cas, on ne veut dterminer que ltat lectrique du rseau dans une
branche particulire et il est donc inutile de rsoudre compltement le systme gnral
dquations dcrivant lensemble des variables indpendantes permettant de dcrire
compltement ltat de ce rseau. Nous donnons ici un certain nombre de mthodes de calcul
ou de thormes gnraux permettant alors daccder plus rapidement la rsolution du
problme pos.

I- TRANSFIGURATION DE RESAUX PASSIFS.


I-1. Rsistance quivalente dun diple passif.
Considrant un diple passif AB form dassociations quelconques de rsistances. Si lon ne
dsire pas dcrire ltat lectrique dans chacune des rsistances de ce diple on peut toujours
le remplacer par une rsistance unique appele rsistance quivalente Req.

A
Diple
passif
quelconque

Figure 4

Req
B

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-50-

I-2. Association de rsistances.


Rappelons un certain nombre de rsultats dj tablis :
- Elments en srie :

R eq =

k R k

- Elments en parallle

1
=
R eq

k R1k

I-3. Thorme de Kennelly.


Le thorme de Kennelly permet dtablir lquivalence entre un circuit qui associe entre trois
points (A,B,C) trois rsistances montes en triangle et un circuit associant entre ces mmes
trois points trois rsistances diffrentes montes en toile (Figure 5).
Lquivalence de ces deux circuits est obtenue lorsque les courants IA, IB, IC arrivant aux
nuds A, B, C sont identiques dans les deux montages pour les mmes tensions VA - VB, VB VC et VC - VA (et rciproquement).
Calcul des tensions

i) dans le rseau triangulaire

IA =
et

VA - VB VC - VA
R CA
R AB

I AB - I CA =

VB - VC VA - VB
R AB
R BC

I B = I BC - I AB =

(VA - VB) + (VB - VC) + (VC - VA) = 0


quon crit :

UAB + UBC + UCA = 0

ce qui conduit au systme :

UAB + UBC + UCA = 0


U
U
AB
CA = IA

R CA
R AB
UAB UBC
+
= IB

R BC
R AB

(I)

IB

IB

IBC
VA - VB
RAB

RB

UAB

VB VC
RBC

RA
IAB
IA

ICA

UBC

RCA
VC - VA

IA

IC

RC

O
IC

UCA

Figure 5

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-51-

ii) dans le rseau toile


Au nud O du rseau, et entre A et B dune part, B et C dautre part, on a :

(II)

I + I + I =0
B
A
C

R
I

R
I
= U AB
AA
B B

R BIB R CIC = U BC

A partir de ce systme on peut :


soit calculer UAB et UBC dans (I) et comparer aux valeurs dans (II) cest dire
calculer les Ri en fonction des Rij, ce qui constitue le thorme de Kennelly (cest
gnralement ce qui est recherch),
soit, dterminer la relation inverse, en gnral moins utile, donnant les Rij en fonction
des Ri, en tirant IA et IB de (II) et en comparant (I).
Dmontrons le thorme de Kennelly en tirant UAB de (I) :

UCA
R CA
UBC
R BC

=
=

UAB
R AB
UAB
R AB

IA

+ IB

UCA =
U BC =

R CA
R AB
R BC
R AB

UAB R CA IA
UAB + R BC IB

et en reportant dans la premire quation :

U AB =

R CA R AB

IA

R CA R AB

RB =

R AB R BC

R AB R BC

iB
R AB + R BC + R CA
R AB + R BC + R CA
soit, par identification avec (II) et permutation circulaire on obtient les rsistances du
montage toile quivalent au montage triangle :

RA =

R AB + R BC + R CA

R AB + R BC + R CA

RC =

R BC R CA
R AB + R BC + R CA

II -THEOREME DE MILLMAN.
On considre (Figure 6) n sources de tension de f.e.m. E1, E2, ....En et de rsistance interne R1,
R2, ....... Rn, montes en parallle entre deux nuds A et B. Quelle est la source de tension
unique (E, R) quivalente ?
A
A
E1

R1

E2

En

R2

Rn

R
B
Figure 6

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On ralise les transformations suivantes du diple actif AB :


- Chaque source de tension (Ek, Rk en srie) est remplace par sa source de courant
E
quivalente ( I k = k , Rk en parallle)
Rk
- lensemble de ces sources de courant en parallle est remplace par une source de courant
E
1
1
, ce qui quivaut donc
unique I = I k = k , avec R en parallle telle que
=
k
k Rk
R k Rk
une source de tension de rsistance interne R et de f..m. E = R I , telles que
E
k
k Rk
1
R=
et E =
1
1

k Rk
k Rk

III- TRANSFIGURATIONS DE THEVENIN ET DE NORTON.


III-1. Thorme de Thvenin.
Tout diple actif linaire vu de ses deux bornes A et B peut tre remplac par une source de
tension quivalente de f.e.m E 0 et de rsistance interne R i , E 0 tant la tension existant vide
entre les deux bornes A et B et R i la rsistance quivalente du diple AB rendu passif (toutes
les sources tant passives ou teintes), Figure 7.
i A

i A

Circuit
extrieur

Diple
actif linaire

E0

Circuit
extrieur

Ri

Figure 7

Le terme vide signifie que le diple nest branch sur aucune rsistance extrieure et
quil ne dbite donc aucun courant. On vrifie alors facilement sur le schma de la figure 8
que E0 est bien la tension mesure vide entre les points A et B
= E 0 R i I = E 0 car vide I = 0).
(V
AB vide
I=0

I=0 A
VAB
vide

Diple
actif linaire

E0

VAB
vide = E0

Ri I = 0

B
Figure 8

Ce thorme peut tre nonc sous une autre forme :

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-53-

Le courant dans une rsistance R donne, branche entre les deux bornes A et B d'un diple
actif linaire est gal au quotient de la tension mesure vide entre A et B par la somme de la
rsistance quivalente Ri du diple rendu passif et de R.

E0

Diple
actif linaire

VAB

VAB
Ri
Gnrateur de
Thvenin
quivalent

Figure 9
On a en effet (Figure 9) I =

E0
,
Ri + R

soit ici en prsence dune charge extrieure :

VAB = RI =

R
E0
Ri + R

Dmonstration
Reprenons le schma du diple actif vide et en charge des figures 10a et 10b et appelons E0
la tension VAB vide. On cherche le courant I dans la rsistance de charge R.
- On part dun tat o un interrupteur mont en srie avec la charge R est ouvert (figure 10c).
La diffrence de potentiel aux bornes de linterrupteur est gale E0 puisque le diple ne
dbite aucun courant.
- Si on monte en srie avec linterrupteur une source de tension de f.e.m. E0 (figure 10d), la
diffrence de potentiel aux bornes de linterrupteur devient nulle.
On peut donc fermer linterrupteur ; il ne passera aucun courant dans R (figure 14e). Pour la
branche AB extrieure, on obtient donc un montage quivalent, du point de vue lectrique
celui contenant linterrupteur ouvert.

A
Diple
actif linaire

A
Diple
actif linaire

E0

A I = 0

A I = 0
R

Diple
actif linaire

E0

Diple
actif linaire

B
c

0
E0

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I = 0

Diple
actif linaire

B
E0
e
Figure 10
On peut alors appliquer le principe de superposition et dcomposer le schma de la figure 10e
de la faon indique sur la figure 11.

A
Diple
actif linaire

A
R

Diple rendu
passif de
rsistance R

E0

Figure 11
On appelle Ri la rsistance du diple rendu passif (dont on a passiv toutes les sources en
gardant leurs rsistances internes). Daprs le thorme de superposition, on a :
E0
E0
I = 0 = I + I. Or
I' ' =
do
I=
R + Ri
R + Ri
Ainsi le diple quivaut bien une source de tension de f.e.m. E0 et de rsistance interne Ri.
Remarque : La source de tension (E0, Ri) quivalente un diple actif linaire est souvent
appel gnrateur de Thvenin quivalent 1.

III-2. Thorme de Norton.


Le thorme de Norton donne lquivalence dun diple actif en terme de source de courant.
Tout diple actif linaire vu de ses deux bornes A et B peut tre remplac par une source de
courant quivalente I0 , de rsistance interne R i , I0 tant le courant que l'on obtiendrait en
mettant les points A et B en court-circuit et R i la rsistance quivalente du diple AB rendu
passif (Figure 12).

Ce modle quivalent, sous la forme du gnrateur de Thvenin, ne fournit aucun renseignement sur le
comportement interne du diple actif de commande, en particulier sur la puissance Joule dissipe dans les
lments rsistifs du diple (on peut noter que selon la reprsentation de Thvenin, le diple ne consommerait
aucune puissance Joule en labsence de courant dbit, ce qui est faux). Ce modle nest donc satisfaisant que
pour son comportement vis--vis dun circuit extrieur, cest--dire dans son aspect utilisation.

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A
Rseau
actif linaire

I0

Ri

Rsistance du
rseau rendu
passif

B
Figure 12

On constate en effet sur la figure 13, que I0 est bien le courant de court-circuit entre les points
A et B (Ri tant court-circuite, le courant dans Ri est nul).

A
Rseau
actif linaire

IAB court-circuit

I0

IAB court-circuit = I0

Ri

Rsistance du
rseau rendu passif

Figure 13
En charge, le thorme de Norton permet dexprimer facilement le courant I et la tension VAB
aux bornes dune rsistance de charge R branche entre les points A et B (Figure 14): .
VAB
RR i
Ri
R AB =
I 0 soit I =
=
I0
Ri + R
R Ri + R

A
Rseau
actif linaire

I0

Ri VAB

Gnrateur de Norton
quivalent

Figure 14

Remarque : En utilisant lquivalence source de tension source de courant, le gnrateur de


Norton quivalent un rseau actif se dduit aisment de son gnrateur de Thvenin
quivalent et inversement ( E 0 = RI 0 ).

IV- EXEMPLE DAPPLICATION.


A
Nous reprenons ici lexemple du paragraphe B) III en
I
donnant les possibilits de rsolution par lutilisation
E1
des mthodes exposes ci-dessus. Les diffrences entre
R2 R
I2
R1
Figure 15 B

les deux applications qui suivent sont purement


formelles dans la mesure o le rseau choisi est
simple. On notera donc seulement la diffrence de
principe qui guide ces calculs.

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-56-

Rappel du problme (Figure 15) : Calcul du courant I dans la rsistance R

a) Transfiguration des sources


On peut dterminer la source de tension quivalente aux deux sources en parallle par la
succession de transformations donnes par les figures 16a, b, c.

A
I

E1
R1

R2 R

I2

A
I

E1

R 2 I2

E0

R
R1

R2

R
R0

a)

b)

B
c)

Figure 16
Par application du thorme de Millman on passe du schma 16b) 16c), avec :

R R E
R R
1
R0 =
= 1 2 , E 0 = 1 2 1 + I2

1
1
R1 + R 2 R1
R1 + R 2

+
R1 R 2

Soit : I =

E0

R +R
0

R1 R 2 I 2 + R 2 E1

R 2 R 1 + R R1 + R 2

b) Application du thorme de Thvenin


On cherche la source quivalente partir du rseau initial, ouvert entre A et B.
La rsistance interne R0 de la source de tension quivalente est la rsistance du rseau passif :
R R
soit R1 et R2 en parallle : R 0 = 1 2
R1 + R 2
La f..m. E0 de la source quivalente est la tension vide entre A et B.
Les quations aux nuds et aux mailles du circuit
I I2
(Figure 17) permettent dtablir facilement les deux
A
quations :
E0 = R2 I (1)
E1 = R1 (I I2) + E0 (2)
I
E1
E0
Do lon tire :
R2
I2

R R E
R1
E 0 = 1 2 1 + I2

R1 + R 2 R1

B
Do I comme en a)
Figure 17

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EXERCICES DE NIVEAU I
ENONCES
1 Un accumulateur de tension nominale 12V est dcharg. On dispose dune source de
tension extrieure continue U0 pour le charger. A quelle condition doit satisfaire U0. ? Quel
est le bon montage (a ou b)?

Source de
tension
extrieure

a)

Batterie

Source de
tension
extrieure

Batterie

b)

2 On reprend le manchon cylindrique de lexercice 9 du chapitre I, de rayon intrieur R1, de


rayon extrieur R2 et de hauteur h. Il est taill dans un matriau de rsistivit et il est
parcouru par une densit volumique de courant j uniforme parallle laxe des cylindres.
a) Calculer directement la puissance dissipe par effet Joule dans ce cylindre.
b) A laide du rsultat prcdent retrouver la rsistance du manchon cylindrique.

3- Quelle est la rsistance dune ampoule de 60W prvue pour fonctionner sous une
alimentation continue de 12 Volts ?
4 Vrai ou faux ?
a) Une source parfaite de tension a une rsistance interne infinie
b) une source parfaite de courant a une rsistance interne nulle
c) Il est plus judicieux de reprsenter une photopile par une source de courant que par
une source de tension.
d) Un lectrolyseur est un appareil polaris rversible
e) le caractre lectromoteur ou contre-lectromoteur dun diple ne dpend pas du
sens du courant qui le traverse.
f) Il est plus judicieux de reprsenter une batterie de voiture par une source de courant
que par une source de tension.
g) Dire quun appareil polaris est rversible veut dire quil ne peut fournir de
lnergie que dans des conditions dquilibre lectrique rversible.
h) Dans une portion de circuit o existe une force motionnelle, reprsente par un
champ lectromoteur, la diffrence de potentiel entre deux points sobtient en
calculant la circulation du champ lectrostatique et du champ lectromoteur.
5 Pour le diple AB ci-contre on donne :
La puissance P reue de lextrieur P = -114 W
La puissance PJ consomme par effet Joule, PJ = 12W
U = VA VB = 28,5V

B I

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Quelle est la convention (gnrateur ou rcepteur) utilise pour dcrire ce diple ?


Dterminer :
- le courant I le traversant
- la puissance motrice Pm du diple
-la f..m. e, compte de B vers A, prsente dans le diple Quel est le caractre de e
(f..m. ou f.c..m. ?).
- sa rsistance R.

6 Pour le diple AB ci-dessous on donne :


-I=3A
- Force lectromotrice du diple (de A vers B) : 12V
- U = VA VB = 5V

B I

A
U

Quelle est la convention (gnrateur ou rcepteur) utilise pour dcrire ce diple ?


Dterminer :
- la puissance motrice Pm du diple
- la puissance P reue de lextrieur
- sa rsistance R.

7 faire le schma et donner les caractristiques de la source de tension quivalente la


source de courant suivante :

2A

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SOLUTIONS
1 U0 > 12V ; cas a) : la batterie absorbe de lnergie : rle contre-lectromoteur.
2 a) PJ = j2., si est le volume du manchon. PJ = j2 ( R 22 R12 ) h.
b) I = j ( R 22 R12 ) ; . PJ = RI2 = R j2 2 ( R 22 R12 )2

Do R = h / ( R 22 R12 )(vident avec R = l/S)

3 2,4
4 a), b) faux (voir dfinition); c) vrai (voir annexe) ; d) faux (rcepteur vritable) ; e) faux
(voir III-1) ; f) faux (voir annexe) ; g) faux ; cette phrase na aucun sens ; ne pas confondre la
rversibilit au sens thermodynamique et la rversibilit dune source de tension ; h) faux ;
une d.d.p. est toujours le rsultat de la circulation dun champ de typ lectrostatique. Voir ce
sujet les deux exemples du III-3
5 Diple dcrit en convention gnrateur. I = +4A ; Pm = 114 + 12 = +126W .
Pm = eI : e = +32 V (lectromoteur) ; PJ = RI2 : R = 0,75 .
6 Diple dcrit en convention rcepteur. Pm = +36 W ; P = UI = 15 W ;
PJ = Pm + P = 51 W ; R = 5,67 .
7

6V

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EXERCICES DE NIVEAU I (SUITE)


ENONCES
1 Thorme de Kennelly
5

4
3

1) Rappeler le thorme de
Kennelly
2) Calculer la rsistance
quivalente du rseau ci-contre.

2 Equivalence source de tension source de courant


Donner les valeurs caractristiques de la source
de courant quivalente la source de tension ci3
contre.
6V

3- On considre les circuits suivants :


A)

B)

(e , 3 )

(e , 3 )

- +

- +
(6V , 2)

R
+

(10V , 2)

(8V , 2)

(8V , 2)

(e , 3 )
+

(6V , 2)

R
+

C)

(8V , 2)

1) Passe-t-il toujours du courant dans ces circuits ?


2) Sinon, quelle est la condition qui doit tre satisfaite ? Cette condition dpend-elle de R ?
3) Donner lexpression du courant traversant ces circuits en fonction de E et R dans les
diverses conditions possibles.

4 Vrai ou faux ?
Faire le schma dune source de tension de f.e.m. E et de rsistance interne R.
a) Rendre passive une source de tension (E, R) quivaut la remplacer par un court-circuit (E
= 0, R =0).
b) Rendre passive une source de tension (E, R) quivaut court-circuiter sa rsistance interne
(R =0).

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-61-

c) Rendre passive une source de tension (E, R) quivaut la remplacer par sa rsistance
interne (E =0).
d) Une source parfaite de tension a une rsistance interne infinie.
e) Une source parfaite de tension a une rsistance interne nulle.

5 Vrai ou faux ?
Faire le schma dune source de courant (I , R).
a) Une source parfaite de courant a une rsistance interne infinie.
b) Une source parfaite de courant a une rsistance interne nulle.
c) Rendre passive une source de courant (I , R) quivaut la remplacer par un court-circuit (I
=0, R =0).
d) Rendre passive une source de courant (I , R) quivaut la remplacer par sa rsistance
interne (I = 0).
e) Rendre passive une source de courant (I , R) quivaut lui donner une rsistance interne
infinie.
6- Rsistance quivalente
Rendre passif le rseau suivant. Quelle est alors sa rsistance quivalente RAB ?
3V
2
10
A

30

5V
2A

6
B

8V
2

3A

7 Complter :
Un diple actif de bornes A et B est quivalent une source dont la f.e.m. est gale la
tension ----------------------- entre A et B et dont la rsistance interne est ------------------------passif.

8 Gnrateur de Thvenin et de Norton


1) Remplacer le diple AB par son gnrateur de Thvenin quivalent.

A
6

8V

3V
B

2) Remplacer le diple AB par son gnrateur Norton quivalent.

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SOLUTIONS
11) Voir cours
2) Req=2,24

1,5

3
2

0,6

2 i0 = 2 A ; r = 3 en parallle.

2A
3

31) 2) A) : il passe toujours du courant compte tenu de la polarit de e.


B) : il est ncessaire que e > 2V pour quun courant passe dans le circuit.
C) : il est ncessaire que e < 2V ou e > 14V pour quun courant passe dans le circuit.
3) A) I = E+2

R +7

B) I = E2

R +7

C) I = 2 E ou I= E14

R +7

R +7

4 - c) et e) vrais
5 a) et d) vrais
6- Rseau passif. Req = 5

2
10
A

30

2
B

12

30

7 Un diple actif de bornes A et B est quivalent une source dont la f..m. est gale la
tension vide mesure entre A et B et dont la rsistance interne est gale la rsistance
quivalente du diple AB rendu passif.

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Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

CHAPITRE III
RESEAUX ELECTRIQUES EN REGIME VARIABLE
A) REGIME VARIABLE QUASI-PERMANENT
I- REGIMES QUASI-PERMANENTS. PROPRIETES GENERALES.
I-1. Dfinition.
I-2.Validit, en A.R.Q.P., des proprits des rgimes permanents.
II DIPOLES PASSIFS EN REGIME QUASI-PERMANENT.
II-1. Rsistance.
II-2. Condensateur.
II-3. Bobine dauto-induction (ou inductance).
B) RESEAUX LINEAIRES EN REGIME SINUSODAL FORCE
I INTRODUCTION.
II REGIME FORCE. DEFINITION.
II-1. Rponse dun circuit aliment par une f..m. variable.
III-2. Cas particulier : rgime sinusodal forc.
III IMPEDANCES COMPLEXES DE DIPOLES ELEMENTAIRES.
III-1. Rsistance.
III-2. Condensateur.
III-3. Bobine dauto-induction.
III-4. Utilisation de la notion dimpdance complexe.
IV METHODES DE RESOLUTION GENERALES (vu en TD)
V ETUDE ENERGETIQUE. NOTION DE PUISSANCE ACTIVE.
V-1. Dfinitions.
V-2. Transfert dnergie. Adaptation dimpdance.
ANNEXE 1 : QUELQUES CONSEILS UTILES.
ANNEXE 2 : REPRESENTATIONS DUNE FONCTION SINUSODALE.
ANNEXE 3 : DETAIL DES METHODES DE RESOLUTION GENERALES

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-63-

Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-64-

CHAPITRE III
A) REGIME VARIABLE QUASI-PERMANENT

I - REGIMES QUASI-PERMANENTS. PROPRIETES GENERALES.


Nous ne disposons pas, avec les lois de llectrostatique et de llectrocintique d'un
moyen nous permettant de dcrire compltement tous les phnomnes lis la prsence de
charges lectriques fixes ou mobiles.
En effet
- tout mouvement de charges se traduisant par lexistence dun courant lectrique
cre des effets magntiques, se manifestant par lexistence dun champ magntique B , dfini par
la force exerce sur une particule charge en mouvement.
- la prsence de courants variables dans le temps saccompagne de lapparition du
phnomne d'induction lectromagntique, caractris par l'apparition d'une force lectromotrice
dans un circuit lectrique, soit lorsque celui-ci est soumis un champ magntique variable, soit
lorsqu'un champ magntique, mme constant, est appliqu un conducteur mobile. Cette force
lectromotrice sera mise en vidence soit par l'apparition d'une diffrence de potentiel aux
bornes du circuit lectrique qui est le sige du phnomne d'induction, si celui-ci est ouvert, soit
par l'apparition d'un courant induit si le circuit est ferm.
- pour des variations trs rapides des grandeurs lectromagntiques, ou pour des
circuits de trs grande tendue il est indispensable de tenir compte de la vitesse de propagation
des perturbations lectromagntiques.
Ces phnomnes seront tudis dans toute leur gnralit dans le cours de deuxime
anne. Nous nen donnerons ici que les lments indispensables ltude dun rseau en rgime
sinusodal forc.

I-1. Dfinition.
En rgime variable, le courant et toutes les grandeurs dfinissant ltat lectrique du
conducteur ( E , , V) sont des fonctions du temps.
Nous avons dmontr (chapitre I VII) que, dans ce cas, la charge volumique dun
milieu obit lquation de continuit :

div j +

=0
t

Envisageons alors un matriau bon conducteur, de conductivit . Nous savons que, en


rgime permanent, la charge volumique de ce conducteur est nulle.
Imaginons alors une perturbation locale 0 de la charge volumique (variation dans le
temps). En admettant (ce qui constitue une des hypothses de base de ltablissement des
quations du champ lectromagntique en rgime variable -voir cours de deuxime anne) quen

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Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-65-

rgime variable, le thorme de Gauss reste valable, on peut crire divD = , soit, avec

j = E :

D
div + = 0
t

+
=0

(1)

Lquation (1) montre que la perturbation initiale 0 de la charge du conducteur


voluera ultrieurement selon une loi solution de cette quation, cest dire du type

= 0 e

t
.

Pour un bon conducteur, = 0, 106 u.S.I. La dcroissance de (retour

lquilibre) se fait donc avec une constante de temps =

de lordre de 10-17s.

En dautres termes cela signifie que le retour ltat dquilibre (rgime permanent) se
fait trs rapidement et donc que tout rgime variable dont lvolution se produit dans une chelle
de temps trs suprieure (de lordre de 10-12s par exemple) peut tre considr comme une
succession dtats dquilibre.
La dfinition de tels rgimes variables comme une succession de rgimes permanents constitue
ce que lon appelle lapproximation des rgimes quasi-permanents (A.R.Q.P.).
Cest de cette faon que nous pourrons par exemple dfinir ltat dun conducteur
soumis un champ lectrique variant avec une frquence de 50 Hz (T=2.10-2s) (ce qui est le cas
du courant alternatif alimentant nos circuits lectriques domestiques).

I-2. Validit en A.R.Q.P. des proprits des rgimes permanents.


Les rgimes quasi-permanents tant dfinis comme une succession dtats permanents,
les proprits de ces derniers resteront donc vrifies, soit :
a) Les deux premires quations du chapitre I VIII.1 traduisant ltat dquilibre
lectrostatique du conducteur parcouru par un courant permanent soit : = 0 et V = 0 ,
sont conserves.
b) En rgime quasi-permanent, le vecteur j reste donc en gnral (voir remarque du
paragraphe II-2b) flux conservatif et toutes les proprits dduites de cette relation restent
valables. En particulier :
-) un instant donn, il circule dans un circuit filiforme un courant de valeur
identique en tout point de ce circuit.
Nous montrerons ultrieurement que ceci revient ngliger les phnomnes de
propagation de londe lectromagntique le long du circuit. On se convaincra assez aisment de
la validit de cette hypothse en comparant (voir cours optique) la longueur donde associe
8

c 3.10
une onde lectromagntique de 50Hz, = =
= 6.106 m = 6000 km, la dimension dun
50
circuit lectrique !!!.
-) la loi aux nuds reste vrifie.
Le courant dans chaque branche de circuit (Figure 1) tant
ik(t), que lon dsignera simplement par ik, on aura en rgime quasi-

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i2

k =n

permanent:

i
k =1

-66-

k k

= 0 , avec, par exemple, k = 1 pour les

courants arrivant au nud et k = +1 pour ceux en partant (ou la


convention inverse).

O
i4
(S)

i1
i3

Figure 1

II- DIPOLES PASSIFS EN REGIME QUASI-PERMANENT.


II-1. Rsistance.
Un diple AB purement rsistif est caractris, en
u
convention rcepteur, par le couple de variables (u,i) qui sont
i
maintenant des fonctions du temps. Par suite de lidentit des
R
proprits en rgime permanent et rgime quasi-permanent, la loi
B
A
dOhm-Kirchhoff, dmontre au chapitre II reste valable, et on
aura donc :
Figure 2
u(t) = R i(t)
En rgime quasi-permanent, on peut cependant raliser des diples autres que des
rsistors dfinis par une relation u(i) et pour lesquels, si i = 0, u = 0 (dfinition du diple passif).

II-2. Condensateur.
La charge q des armatures dun condensateur est donne par q = Cu, u tant la tension
applique ses bornes. En rgime permanent , u = U = Cte et le courant i =

dq
dans le diple
dt

AB est nul. Si u est une fonction du temps, on aura :

dq
1 t
= C du = i ou encore : u = u 0 +
i dt
dt
dt
C 0

Remarques :
a) Lexistence du courant i qui circule dans le diple, mme si aucune
liaison matrielle entre les armatures nexiste, sinterprte bien en
rappelant que chaque instant dun rgime quasi-permanent est
considr comme un tat dquilibre du systme. Cet quilibre
lectrostatique rsulte du phnomne dinfluence qui exige chaque
instant deux charges opposes +q(t) et q(t) sur les deux armatures en
regard. Tout apport de charge dq sur larmature relie A

+q -q
+ A
B
+ + i
+ +
()
u
Figure 3

pendant linstant dt, ncessite le dpart de la mme quantit de charge dq pendant linstant dt de
larmature relie B, cest--dire en dfinitive le mme courant i =

dq
en A et B.
dt

b) Ce phnomne dinfluence rend en toute rigueur faux le fait que, en rgime quasi-permanent,
le vecteur j reste flux conservatif. Pour sen convaincre, il suffit (Figure 3) de considrer le
cas dune surface ferme () traversant lespace entre les deux armatures du condensateur : le
flux de j travers cette surface est, chaque instant, gal i. Le cas de telles surfaces doit tre
exclu de lnonc de la proprit de conservation du flux de j , do la restriction ( en
gnral ) nonce en Ib) du paragraphe prcdent.

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-67-

II-3. Bobine dauto-induction (ou inductance).


Le phnomne dinduction lectromagntique se
manifeste uniquement dans des portions particulires de
circuit appeles bobines dinduction. Il se traduit par
lapparition aux bornes de ce circuit dune force
lectromotrice e telle que :

di
e=-L ,
dt

u
Figure 4

si i est le courant qui le parcourt (Figure 4). Le facteur L est caractristique du circuit, il ne
dpend que des paramtres gomtriques de circuit.
On lappelle linductance propre du circuit. En considrant le diple constitu par
linductance L dans la convention rcepteur, on voit donc (Figure 4) que la relation entre la
tension u aux borne de ce diple et lintensit i qui le parcourt, considrant cet lment comme
passif, scrira :

u=L

di
dt

B) RESEAUX LINEAIRES EN REGIME SINUSODAL FORCE


I INTRODUCTION.
En rgime variable, un rseau linaire sera constitu de diples pour lesquels la diffrence
de potentiel v est une fonction affine du courant i, de ses drives ou de son intgrale par rapport
au temps, ce qui signifie que dans de tels rseaux, les variations temporelles des diffrentes
grandeurs lectriques (tensions et courants) sont rgies soit par des quations diffrentielles
linaires coefficients constants soit, comme en rgime permanent, par de simples relations de
type linaire.
Ainsi une quation du type :

e ( t ) = Ri ( t ) + L

di ( t )
dt

+ u C0

1t
+ i ( t ) dt
C0

montre que dune faon gnrale, on aura un rseau linaire si :


- les composants passifs (rsistances R, condensateurs de capacit C, bobines dinductance
propre L), sont tels que R, L et C sont des constantes indpendantes du courant qui les traverse,
- les diples actifs linaires (sources de tension et de courant, rcepteurs) ont des caractristiques
indpendantes du courant qui les traverse.

II REGIME FORCE. DEFINITION.


II -1. Rponse dun circuit aliment par une f..m. variable.
Considrons par exemple le circuit srie R-L-C de la figure 5.

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Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

uR

uL

-68-

uC

Figure 5
D'aprs ce qui prcde, on a : e ( t ) = Ri ( t ) + L

di ( t )
dt

+ u C0

1t
+ i ( t ) dt
C0

de
d 2i
di i
=L 2 +R +
dt C
dt
dt

Ou, en drivant :

On obtient le courant i en rsolvant l'quation diffrentielle associe au circuit. La solution


gnrale de cette quation diffrentielle est la superposition :
- d'un courant i1 donn par la solution gnrale de l'quation sans second membre
associe, qui ne dpend que des coefficients de l'quation diffrentielle. Cette solution dfinit le
rgime transitoire ; ce rgime est en gnral exponentiel et tend disparatre avec le temps.
- d'un courant i2, solution particulire de l'quation complte qui est, dans la plupart des
cas, de la mme forme que e(t); cette solution dfinit le rgime forc.

II-2. Cas particulier : rgime sinusodal forc.


Dans le cadre de ce cours, nous ne nous intresserons qu un cas particulier, trs
important pour ses applications pratiques, qui est celui du rgime sinusodal forc, cest--dire de
la solution particulire de lquation prcdente lorsque e(t) est de la forme :
e(t) = Em cos(t) = E 2 cos(t)
avec Em : valeur maximale, E : valeur efficace (racine carre de la moyenne du carr du signal
sur une priode) dont la dfinition mathmatique scrit :
T

1 2
1 2
E
e ( t ) dt =
E m cos 2 (t ) dt = m pour une fonction sinusodale

T0
T0
2
Physiquement, E est la valeur de la tension continue qui provoquerait une mme dissipation de
puissance que la tension e(t) si elle tait applique aux bornes d'une rsistance (cf. paragraphe V).
Ltude gnrale, en particulier du rgime transitoire, des rseaux linaires en A.R.Q.P. sera faite
en deuxime anne.
Les proprits de drivation et de sommation des grandeurs sinusodales, que nous
rappelons en annexe, montrent que la solution particulire i(t) doit tre recherche sous la forme
i(t)= Im cos (t+), dfinissant ainsi pour le courant un rgime sinusodal forc.
Comme il est souvent dusage lors de calculs portant sur des grandeurs relles de type
sinusodal, les calculs seront le plus souvent mens en associant la grandeur relle considre
son image dans le plan complexe.
Par ailleurs, la reprsentation de Fresnel (voir Annexe 2) des grandeurs sinusodales
tension et intensit permettra une mise en vidence commode de leurs dphasages respectifs.
Pourquoi ltude particulire du rgime sinusodal forc ?
Dun point de vue plus pratique, nous avons dj soulign que, la tension fournie par le
rseau de distribution EDF tant sinusodale de frquence 50 Hz l'intrt de l'tude de la rponse
d'un rseau en sinusodal est vident.
E=

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Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-69-

Cependant, cette tude est galement primordiale pour une raison plus fondamentale car
nous verrons que la rponse dun rseau linaire toute autre forme de sollicitation temporelle
quune sollicitation de type sinusodal peut se dduire de sa rponse en rgime sinusodal. Ceci
dcoule d'une proprit importante de tous les phnomnes rgis par des quations diffrentielles
linaires pour lesquelles le principe de superposition s'applique. Nous verrons en effet en
Deuxime Anne qu'une excitation priodique de forme temporelle quelconque peut se
dcomposer en une somme discrte d'excitations sinusodales (c'est ce que l'on appelle la
dcomposition en srie de Fourier du signal), de mme qu'un signal quelconque peut se
dcomposer en une somme continue (intgrale) d'excitations sinusodales (Transforme de
Fourier). Munis des moyens d'tude de la rponse d'un rseau en sinusodal, nous serons donc
capables d'tudier sa rponse pour tout type d'excitation.

III IMPEDANCES COMPLEXES DE DIPOLES ELEMENTAIRES.


On considre un lment passif (rsistance, self ou capacit) parcouru par un courant i =
Im cos t. La tension u sera galement une grandeur sinusodale. Soient u et i les nombres
complexes associs ces deux grandeurs relles. On appelle alors impdance complexe de
l'lment la quantit z dfinie par z =

u
i

III-1. Rsistance.
Si i = Im cost , alors u = Ri = RIm cost (Figure 6a). Aucun dphasage n'existe entre
u et i
Reprsentation de Fresnel :
i et u sont reprsents par deux vecteurs colinaires (Figure 6b), d'amplitude respective Im et RIm.

RIm

Im

R
u

Figure 6a
Notation complexe:

Figure 6b

i = Im e jt u = RIm e jt soit : z =

u
=R
i

L'impdance complexe associe une rsistance est un rel pur.

III-2. Condensateur.

I
I

Si i = Im cos t, alors : u = 1 idt = m sin t = m cos (t- ).


C

La tension est donc en quadrature retard sur le courant.

i
Reprsentation de Fresnel
Les vecteurs reprsentant la tension et le
courant font un angle de - /2 et les modules sont
dans le rapport 1/C.(Figure 7b)

C
i

- /2

Im

u Im/C

uC
a)

b)
Figure 7

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Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-70-

Notation complexe

jt

i = Im e

j( t )
I
2 ,
u= m e
C

z=

soit:

1
j
u
=
=
i
C jC

III-3. Bobine d'auto-induction.

di
Si i = Im cos t, alors u = L
= LIm cos (t+ ).
2
dt

La tension est donc en quadrature avance sur le courant.


Reprsentation de Fresnel
Le vecteur reprsentant la
tension fait l'angle +/2 avec le
vecteur reprsentant le courant. Le
rapport des modules de ces vecteurs
est L.
Notation complexe : i = Imejt

+/2
Im

LIm

i
a)u

b)
Figure 8

; u = LI m

j( t + )
2
e

z=

u
= jL
i

III-4. Utilisation de la notion d'impdance complexe.


Considrons un circuit d'impdance complexe z aliment par une tension sinusodale .
Sous sa forme la plus gnrale, z s'crira :
z = R + jX
D'aprs ce qui prcde, R, partie relle de z , reprsente la rsistance du circuit et X, partie
imaginaire reprsente la partie ractive du circuit. X sera positif dans le cas d'un circuit de type
selfique et ngatif dans le cas d'un circuit de type capacitif.
Soient u et i les grandeurs complexes associes la tension u applique au circuit et au
courant i le traversant .

u = Um ejt i =

Si

u = Um cos t

Soit :

U m e jt
i=
= Im e j(t )
R + jX

Do :

i = Im cos (t-)

et

avec :

= - arg(i) = -(arg(u) - arg(z) ) = arg(z), soit :

u
z

Im =

Um
R 2 + X2

tan ( ) =

X
R

Les donnes de X et R permettent donc d'accder l'amplitude du courant ainsi qu' son
dphasage avec la tension applique.

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-71-

Remarque : Reprsentation de Fresnel


Les valeurs de et Im peuvent galement tre dtermines facilement laide de la
construction de Fresnel (voir Annexe 2) en prenant une phase nulle pour le vecteur
reprsentatif de i (Figure 9). Le vecteur reprsentatif de u, damplitude Um, est alors construit en
remarquant que la relation u = (R + jX )i entre les grandeurs complexes associes u et i,
conduit construire ce vecteur en faisant la
somme du vecteur reprsentatif de Ri, damplitude RIm,
u
en phase avec i et du vecteur reprsentatif de jX i ,
U

damplitude X Im , en dphasage de + (si X>0) ou


2

(si X<0) par rapport au vecteur reprsentatif de i


2

RIm

XIm

(cas X > 0)

Figure 9
Des considrations gomtriques simples permettent de retrouver les relation
prcdentes donnant tan et Im..

IV METHODES DE RESOLUTION GENERALES


Les mthodes de rsolution prcdemment dcrites en rgime continu (Annexe du
Chapitre II) sont transposables aux rgimes variables dans lapproximation des rgimes quasi
permanents, et en particulier au rgime sinusodal forc en substituant les grandeurs relles (E,
U, I) des tensions et courants continus, par les grandeurs complexes correspondantes (e, u, i), et
la notion de rsistance R par celle dimpdance complexe z.
Ci-aprs, le contenu de lannexe 3 de ce chapitre :

IV 1. Loi dOhm Gnralise pour une branche


IV 2. Lois de Kirchhoff
IV-2.1. Loi des noeuds.
IV-2.2. Loi des mailles.
IV 3 Mthode Gnrale de rsolution
IV 4 Thorme de superposition
IV 5 Transfiguration des rseaux
V-5.1 Transfiguration des rseaux passifs
V-5-1-1. Impdances quivalente dun diple passif.
V-5-1-2. Association dimpdances.
V-5-I-3. Thorme de Kennelly.
V-5.2 Thorme de Millman
V-5.3 Transfiguration de Thevenin et de Norton

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V ETUDE ENERGETIQUE. NOTION DE PUISSANCE ACTIVE.


En rgime permanent, on appelle puissance absorbe par un lment de circuit passif, la
quantit p = u i, si u est la tension ses bornes et i le courant qui le parcourt, u et i tant dfinis
avec les conventions de signe habituelles.
Cette dfinition reste valable dans les conditions d'un rgime quasi- permanent ; p est
alors fonction du temps et prend la dnomination de puissance instantane. Nous allons traiter ici
en dtail, du fait de son importance pratique, le cas particulier du rgime sinusodal forc.

V-1 Dfinitions
V-1-1. Puissance instantane.
En rgime sinusodal forc, on peut crire :
u = Um cos t

et

i = Im cos (t - ) avec

+
2
2

p = UI{ cos + cos (2t - ) }, U et I tant les valeurs efficaces de u et i.


La puissance instantane p est reprsente par une sinusode dont l'axe est dcal de
l'ordonne UI cos (Figure 10). Le signe de cette puissance varie au cours du temps et l'lment
de circuit fonctionne tantt en gnrateur, tantt en rcepteur.
p

t
T/2

Figure 10

V-1-2. Energie absorbe par une portion de circuit et puissance active.


Lnergie dW absorbe pendant le temps dt, par une portion de circuit est dW = u i
dt.
Pendant un intervalle de temps fini qui peut pratiquement tre assimil un nombre
entier de demi-priodes de la tension, le circuit absorbe l'nergie :

W=

t + kT
2
t

u i dt = kT UI cos
2

La puissance moyenne P absorbe par le circuit est :


P = UI cos

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Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-73-

Cette puissance est la valeur moyenne de la puissance instantane :


T/2

P=

2
T

p dt

0
P est appele puissance active, car effectivement absorbe par le circuit. Elle est exprime en
watts et cos est appel le facteur de puissance.
Remarque : la quantit S = UI est appele puissance apparente

V-1-3. Puissance et nergie absorbes par une impdance.


La puissance active absorbe par l'impdance z = R + jX soumise la diffrence de
potentiel u et parcourue par le courant i est :

+
2
2
Z tant le module de z :
Z=
P = UI cos= UI

R
Z

R2 + X2

Puisque U = ZI
P = R I2.
Cette expression montre que la partie relle d'une impdance doit tre positive.
V-2. Transfert d'nergie - adaptation d'impdance.
Lorsqu'un gnrateur donn, d'impdance interne z i = Ri + j Xi, dbite dans un
rcepteur d'impdance z = R + j X, on peut montrer (voir TD) que la puissance P = RI2
absorbe par le rcepteur est maximale, si l'impdance du rcepteur est telle que :

z = Ri - j Xi = z i
Si cette condition n'est pas remplie, on peut placer entre le gnrateur et le rcepteur, un
adaptateur d'impdance
Pour une puissance active donne absorbe par une installation, les pertes par effet Joule
dans les lignes sont minimales et l'utilisation du gnrateur est optimale, si le facteur de
puissance de l'installation est le plus lev possible. Ainsi, E.D.F. est conduit pnaliser les
usagers importants dont les installations ont des facteurs de puissance trop faibles.
Pour amliorer le facteur de puissance, on peut installer un condensateur en parallle
sur l'installation.

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-74-

ANNEXE 1
QUELQUES CONSEILS UTILES
La rsolution des problmes dlectrocintique ne pose pas de problmes thoriques
difficiles. Cependant, cette rsolution se heurte un certains nombre de difficults pratiques lies
lemploi de techniques de calcul parfois trop lourdes et aussi une certaine difficult bien
voir un rseau un peu compliqu. Ce qui suit concerne quelques remarques simplistes qui
permettent cependant parfois une meilleure approche des calculs ou une meilleure analyse de la
constitution et donc du fonctionnement du rseau.
A) Simplification du schma.
1. On peut liminer toute branche parcourue par un courant nul, soit :
- en rgime de courant continu ou sinusodal forc parce que son impdance est infinie
(Figure 1a)
- en rgime continu parce quelle contient un condensateur charg. (Figure 1b) 1

i
e

Figure 1a

+
e

I
I
R

+
e

I
R

Figure 1b
2. Toute branche passive court-circuite par une autre branche dimpdance nulle (quivalent
un interrupteur ferm) peut tre supprime car le courant la parcourant est nul (Figure 2).

En ralit, pendant le rgime transitoire dtablissement des courants, le condensateur C se charge jusqu ce que
la tension ses bornes soit gale E. Le condensateur ne joue ensuite plus aucun rle puisque la branche le
contenant nest parcourue par aucun courant.

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-75-

i C

iz=0
z

v=0
D

D
Figure 2

3. Dfinition des Sources


On peut gnraliser les dfinitions donnes chapitre II des sources de tension et de
courant en rgime permanent, au cas des rgimes sinusodaux en adoptant le formalisme des
grandeurs complexes associes.
i) Sources parfaites : (Figure 3)
Une source parfaite de tension fournit une
tension indpendante du circuit qu'elle alimente et
du courant qu'elle dbite. Dans ces conditions, on
peut dire qu'une source parfaite de tension a une
impdance interne nulle (Figure 3a).
Une source parfaite de courant dbite un
courant indpendant du circuit qu'elle alimente et
de la tension qu'elle fournit. Une telle source a
donc une impdance interne infinie.

i0

e0

b
Figure 3

ii) Sources relles


- une source relle de tension est alors reprsente par une source parfaite de tension en srie avec une
impdance (appele impdance interne ou impdance de sortie et caractrise par sa valeur complexe)
- une source relle de courant est reprsente par une source parfaite de courant place en parallle sur
une impdance (caractrise par son admittance) (Figure 4)
- Une source relle de tension e0 d'impdance interne

z0

est quivalente une source de courant i0 ,

d'admittance y et rciproquement si :
0

y0 =

1
z0

et

e0 = z0 i0

e0
y0

z0

i0

Figure 4

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-76-

iii) Passivation des sources


Rendre passive une source relle, quelle soit reprsente par son schma de Thvenin
(Figure 5a) ou de Norton (Figure 5b), revient la remplacer par son impdance interne.

e0
z0

z0

Source de tension

Source de tension passive


Figure 5a

i1
z1
z1

z1
Source de courant

Source de courant passive


Figure 5b

B) Simplification des calculs : pont diviseur de tension.


Lorsque la diffrence de potentiel aux bornes de deux impdances quelconques en srie
est v, la diffrence de potentiel aux bornes de lune dentre elles est une fraction complexe2 de v
(do le nom de pont diviseur de tension) selon :

v = (z1 + z 2 )i

et

v2 = z2 i

z1
v

i
z2

soit

v2

v2 =

z2
z1 + z 2

Figure 6
Cette relation dcoule directement de lapplication de la loi dOhm. Elle est trs utile dans
ltude des circuits, pour exprimer rapidement des diffrences de potentiel entre elles, sans faire
intervenir les courants.

Attention, il sagit dune relation complexe (les amplitudes des signaux sont effectivement divises mais un
dphasage sera galement introduit si les impdances ne sont pas purement rsistives).

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-77-

C) Analyse des rsultats.


Dans ltude du rgime sinusodal forc, mme des rseaux assez simples peuvent
conduire des expressions assez compliques des courants ou des tensions. Il peut tre
intressant danalyser les rsultats en imaginant les cas o la pulsation du courant tend vers 0
(cas du courant continu) ou dans le cas o tend vers linfini. Le tableau ci-dessous rsume
alors le comportement dune self ou dun capacit dans ces deux cas particuliers.
Self

Capacit

z = j L

quelconque

z = j/ C

z=0

=0

z=

z=

z=0

Ainsi, dans le rseau suivant :

R1

i2

r, L
R2

e(t)

i1
C

on obtient :
i1 =

i2 =

jR 2C e
R 1 + R 2 + r R 2 LC2 + j L + R 1 + r R 2C

( (

( (

R 1 + R 2 + r R 2 LC + j L + R 1 + r R 2C
2

(1)
(2)

En courant continu, le schma du rseau quivalent est le suivant :

R1

qui conduit bien i1 = 0 et i2 =

r
R2

e
R1 + R 2 + r

identiques ce que fournissent (1) et (2)

Pour , le rseau est quivalent :


qui conduit bien i1 = 0 et i2 = 0
identiques ce que fournissent (1) et (2)

R1
e(t)

R2

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-78-

ANNEXE 2
REPRESENTATIONS DUNE FONCTION SINUSODALE.

I. REPRESENTATION CINEMATIQUE.
I-1. Fonction sinusodale.

+
b
Ym
+/2

Ym a

t
H
O
c
Ym/

Une fonction y = Ymcos (t ) peut tre


reprsente par un vecteur de module Ym tournant
autour d'un point O du plan la vitesse angulaire
et faisant l'angle l'instant origine des temps
avec Ox, axe origine des phases. A chaque instant, la
fonction y est obtenue en prenant la projection OH du
vecteur tournant sur l'axe origine des phases.
(Figure 1 : vecteur a)

Figure 1

I-2. Drive et primitive d'une fonction sinusodale.


drive
de
cette
fonction
par
La

rapport

au

temps

est :

dy

= Ym sin (t ) = Ym cos t + . Elle est donc reprsente par un vecteur


dt
2

tournant de module Ym et faisant, avec le vecteur reprsentant y, l'angle +


(le vecteur
2
reprsentatif de la drive est en quadrature avance avec celui qui reprsente la fonction),
(Figure 1-vecteur b).

Ym sin (t ) = Ym cos t ) est reprsente

par un vecteur de module m et faisant, avec le vecteur reprsentant y, l'angle (Figure 12

La primitive de cette fonction (

vecteur c).

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-79-

I-3. Reprsentation de la somme de fonctions sinusodales de mme priode.

La somme y =

mk

cos (t k) de plusieurs fonctions sinusodales de mme

priode est reprsente par le vecteur somme des vecteurs reprsentant les fonctions.

Ym

Ym2

+
t

Ym1
t2
t1
H x

Le polygone form par les vecteurs


reprsentatifs tourne autour de O sans se
dformer avec la vitesse angulaire .
On a donc : y = Ymcos (t ) .
L'amplitude y et la phase de la fonction
somme sont gales au module et
l'argument du vecteur somme. La Figure 2
reprsente le cas de la somme de deux
fonctions :
y=Ym1cos (t 1 ) +Ym2cos (t 2 )

Figure 2

II. REPRESENTATION DE FRESNEL.

+
O

1
A1

Ym

Ym2

Ym1

La reprsentation vectorielle de
fonctions sinusodales est valable quel que
soit l'instant considr, elle est donc valable
l'instant t = 0. On remplace ainsi la
reprsentation par des vecteurs tournants par
une reprsentation par des vecteurs fixes.
C'est la reprsentation de Fresnel. (Figure 3).
On pourra ainsi, dans le cas de deux
fonctions, dterminer Ym et .

Figure 3
Dans le triangle OA1A :

Ym2 = Ym2 1 + Ym2 2 2Ym1Ym 2 cos(1 2 )


En projetant sur Ox et sur laxe qui lui est perpendiculaire :

tan =

Ym1 sin 1 + Ym 2 sin 2


Ym1 cos 1 + Ym 2 cos 2

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-80-

III. REPRESENTATION COMPLEXE.


III-1. Reprsentation d'une fonction sinusodale.
A une fonction sinusodale y = Ymcos (t - ) peut tre associe une fonction
complexe y = Ym e j(t - ) .
La fonction y est la partie relle de y . Ym est le module de y et son argument.

III-2. Reprsentation de la drive et de la primitive.


La drive de la fonction y est reprsente par la drive de la reprsentation complexe
y . Soit :

dy
= j y
dt
De mme la primitive est reprsente par :

y dt =

1
y
j

III-3. Calcul de la somme de fonctions sinusodales de mme priode.


La somme est encore une fonction sinusodale de mme priode. Pour calculer la phase
l'origine et l'amplitude de cette fonction, il suffit de faire la somme des nombres complexes
reprsentant les fonctions composantes. On utilise dans ce cas la reprsentation complexe sous
forme canonique. Ainsi, la somme :
y = Ym1 cos (t 1 ) + Ym2 cos (t 2 )
sera effectue en calculant :
y = Ym1 ej (t 1 ) + Ym2 ej (t 2 ) = Ym ej (t )
Soit :

Ym1 e j1 + Ym2 e j 2 = Ym e j
La dtermination de Ym et de se faisant laide des rgles classiques de calcul en complexe.

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Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-81-

ANNEXE 3
DETAIL DES METHODES DE RESOLUTION GENERALES
IV-1. Loi dOhm gnralise pour une branche.
Par extension, on dsigne par loi d'Ohm gnralise toute relation entre la tension
complexe v et l'intensit complexe i dans une portion de circuit non bifurque. On remarquera
que choisir une convention de signe pour i ou v revient choisir une origine des phases pour ces
grandeurs.
Ainsi, la mme f..m., si elle
scrit e = E cos(t) en convention
i
i
gnrateur scrira e = -Ecos(t) =
Ecos(t+) en convention rcepteur
e
e
a)
b)
(Figure 1).
Figure 1
Pour une branche dcrite
en convention rcepteur, on aura,
ek
uk
les f..m ek tant repres en
i
convention gnrateur et zk tant les
impdances
complexes
des
zk
v
lments passifs (Figure 2) :

v = i z k e k

Figure 2

Exemple :

v = Ri + jLi +

1
i e
j C

soit :

v = (R + jL +

vR

1
)i e
j C

vL
v

vC

Figure 3

IV-2. Lois de Kirchhoff.


IV-2.1.Loi des nuds.
Convention 1

i1

Convention 2

i4

i1

i4

i3

i3

i2
i1 +i3 + i2 +i4 = 0

i2
i1 +i3 = i2 +i4

b)

a)
Figure 4

[Equipe pdagogique de physique du premier cycle], [2012], INSA de Lyon, tous droits rservs.

Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-82-

IV-2.2 Loi des mailles.


On exprime simplement que la somme algbrique des tensions complexes aux bornes
des branches successives dune maille est nulle, la tension aux bornes de chaque branche tant
dfinie laide des rgles donnes au paragraphe prcdent. Ainsi sur lexemple de la figure 5,
dans la maille , cette condition scrira, compte tenu des sens de parcours choisi sur la
maille et des sens conventionnels choisis pour les courants :

j
i + R'i1 jLi3 R"i3 e1 + R"'i5 + e2 + R i7 = 0
C 1

e1 e2 =

i1

i7

soit :

j
i + R'i1 jLi3 R"i3 + R"'i5 + R i7
C 1

uR

zk ik

i6

i3
uR

avec :
i) signe + (resp : -) pour les tensions dfinies comme
lectromotrices (resp : contre-lectro-motrices) par
rapport au sens de parcours choisi

uL

e2

i2

ce qui peut se traduire par la relation gnrale :

ek =

uR

uC

i8

i5

uR

i4

e1

Figure 5

ii) signe + (resp : - ) pour les termes z k i k si le sens du courant i k dans z k est le mme que le
(resp : est de sens contraire au) sens positif de parcours choisi.
IV-3. Mthode gnrale de rsolution.
On rappelle que la dtermination complte de ltat lectrique dun rseau comprenant
m branches et b noeuds, passe par la dtermination des m courants correspondants et quil sagit
donc dtablir un systme de m+1-b quations indpendantes laide de la loi des mailles pour
dterminer ces inconnues.
En rgime forc sinusodal, la rsolution du systme laide des grandeurs complexes
associes ne pose aucun problme particulier et des exemples seront traits en TD. De mme
quen rgime continu, lutilisation du thorme de superposition ou les mthodes de
transfiguration des rseaux permettent daider la rsolution des problmes poss.
IV-4. Utilisation du thorme de superposition.
Le mme exemple (Figure 6) que celui trait en rgime permanent (Chapitre II, Annexe 2),
conduit immdiatement un courant total : i = iA + iB =
A

A
i
z2

)
A

iA

z2

iB

+z

z1

z1

Etat final

z 2 z1 + z z1 + z 2

e1

e1
i2

z1 z 2 i 2 + z 2 e1

Etat (A)

i2

Etat (B)

Figure 6

[Equipe pdagogique de physique du premier cycle], [2012], INSA de Lyon, tous droits rservs.

z2

Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-83-

IV-5. Transfiguration des rseaux


IV-5.1 Transfiguration des rseaux passifs
IV-5.1.1. Impdance quivalente dun diple passif.
Considrant un diple passif AB form dassociations quelconques dimpdances
lmentaires. Si lon ne dsire pas dcrire ltat lectrique dans chacune des impdances de ce
diple on peut toujours le remplacer par une impdance unique appele impdance quivalente
zeq.

A
Diple
passif
quelconque

zeq

B
Figure 7

IV-5.1.2 Association dimpdances


La relation u = z i remplace la relation u = Ri des tats permanents. Par analogie avec les
relations dmontres pour les rsistances (chapitre II), on aura donc les proprits suivantes :
i) Association en srie

u=

k =n

k =1

Soit :

uk =
z=

k =n

k =1
k =n

z
k =1

k =n
z k i =
zk i = z i
k =1

u1

u2

un

z2

zn

i
z1

Figure 8

Les impdances complexes dun ensemble de diples en srie sajoutent.


ii) Association en parallle
k =n

k =n

k =n
u
1
i = ik =
=u
k =1
k =1 z k
k =1 z k
1
En appelant y =
la conductance complexe du diple k
k
zk
1
et y = celle de lensemble des diples en parallle, on
z

obtient immdiatement :

y=

k =n

y
k =1

ou

1 k =n 1
=
z
k =1 z k

u
i1
i2
i

ik
in
Figure 9

Les conductances complexes dun ensemble de diples en parallle sajoutent.

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Electrocintique Chapitre III Rseaux lectriques en rgime variable

-84-

IV-5.1.3.Thorme de Kennelly.
Les rsultats obtenus dans le cas des rseaux rsistifs se transposent immdiatement au
cas des impdances complexes:

iB
B

vB - vC

iB

iB

B
vA - vB

v B - vC

zAB z
BC

zA

iC

iA

zC

zCA
iA

vB - vC

zB

vC - vA

iC

C
vC - vA

Figure 10

zA =

z CA z AB
z AB + z BC + zCA

zB =

z AB z BC
z AB + z BC + zCA

zC =

z BC zCA
z AB + z BC + zCA

IV-5.2. Thorme de Millman.


La source de tension (e, z) (Figure 11) quivalente n sources de tension de f.e.m.

e1, e2, ......, en et d'impdance interne z1, z2, ......, zn , montes en parallle entre deux
noeuds A et B, sera dfinie par :

A
e1

en

e2
z1

z2

A
e
z

zn
B
Figure 11

z
z=
et e =
1
1
z
z

ek

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-85-

IV-5.3. Transfigurations de Thvenin et de Norton.


i) Thorme de Thvenin.
Tout diple actif linaire vu de ses deux bornes A et B peut tre remplac par une
source de tension quivalente de f.e.m e 0 et d'impdance interne z i , e 0 tant la tension
existant vide entre les deux bornes A et B et z i l'impdance quivalente du diple AB rendu
passif (toutes les sources tant passives ou teintes) (Figure 12).
i A
i A
Circuit
extrieur

Diple
actif linaire

e0

Circuit
extrieur

zi

B
Figure 12

Do lon tire lnonc quivalent (voir chapitre II) :

Le courant dans un lment passif z donn, branch entre les deux bornes A et B d'un
diple actif linaire est gal au quotient de la tension mesure vide entre A et B par la somme
de l'impdance quivalente zi du diple rendu passif et de z.
ii) Thorme de Norton.
Tout diple actif linaire vu de ses deux bornes A et B peut tre remplac par une
source de courant quivalente i 0 , d'impdance interne z i , i 0 tant le courant que l'on
obtiendrait en mettant les points A et B en court-circuit et z i l'impdance quivalente du diple
AB rendu passif (Figure 13)

A
Rseau
actif linaire

i0
B

Impdance

zi du rseau

rendu passif

B
Figure 13

VII - IMPEDANCES DENTREE ET DE SORTIE DUN DIPLE.


SCHEMA ELECTRIQUE EQUIVALENT
Souvent on ne sintresse quaux valeurs des courants et des tensions dans une partie
seulement dun rseau, entre deux points A et B ; le rseau peut alors tre subdivis en un diple
linaire actif de commande et un diple linaire passif de charge.

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Les mthodes et thormes que


nous avons vu prcdemment permettent
de remplacer lensemble dun rseau vu de
deux points A et B par un schma
lectrique quivalent trs simple qui
permet dexprimer facilement vAB et i.

-86-

Ai
Diple linaire
actif de
commande

Diple linaire
passif
de charge

vAB
B
Figure 14

VII-1. Impdance d'entre d'un diple linaire passif.


On appelle limpdance quivalente dun diple linaire passif, limpdance dentre ze
du diple. Exprimentalement, sa valeur sera donne (Figure 15) par le rapport de la tension ve
prsente entre ses deux bornes A et B et du courant dentre ie soit :

v
ze = e
ie
A

ie

ve

Diple
passif
quelconque

ve

ie
ze

B
Figure 15

VII-2. Impdance de sortie dun diple actif.


Ainsi que nous lavons vu prcdemment, (thorme de Thvenin), vu de ses deux
bornes de sortie A et B, le rseau actif linaire de commande est quivalent une source de
tension unique de f.e.m e et d'impdance interne zi . (Figure 16). Cette impdance est aussi
appele impdance de sortie du diple.

A
e

Diple linaire
actif de
commande

zs
B

B
Figure 16

VII-3. Schma lectrique quivalent dun rseau linaire.


Ces notions d'impdance d'entre et de sortie quivalentes permettent de simplifier
considrablement les calculs de circuits. Ainsi, le schma quivalent de lensemble dun rseau
vu de deux points A et B est celui de la figure 17

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-87-

A i

Ai
Diple linaire
actif de
commande

vAB

Diple linaire
passif
de charge

vAB

zs

ze

B
Figure 17

A laide de ce schma, la tension vAB et le courant i sexpriment de faon trs simple :

v AB =

ze
ze + zs

et

i=

e
ze + zs

Pour tablir le schma quivalent (e, zs et ze) de la figure 17, il faut priori connatre la
constitution de tout le rseau3.
Il existe cependant des mthodes exprimentales qui permettent davoir accs e, zs et
ze sans mme avoir besoin de connatre la constitution des diples. Ces mthodes peuvent en
pratique tre trs utiles lorsque lon dsire utiliser un gnrateur donn pour alimenter une
charge donne sans connatre priori leurs caractristiques. Certaines de ces mthodes
exprimentales de mesure sont vues en TP de Physique.

Vu de deux autres points du rseau, le schma lectrique quivalent ne sera videmment pas le mme.

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-88-

EXERCICES DE NIVEAU I
ENONCES
1 Quelle est , votre avis, le domaine de frquence partir duquel il nest plus possible de
considrer, que, dans un matriau donn, lapproximation des rgimes quasi-permanents est
valable ? Quelle est la caractristique physique du matriau qui fixe cette borne?
2 Vrai ou faux ?
En rgime sinusodal forc :
a) la tension aux bornes dun condensateur est en avance de phase de /2 par rapport au courant.
b) la tension aux bornes dune self est en avance de phase de /2 par rapport au courant.
c) limpdance dune self est proportionnelle la frquence du courant qui la parcourt.
d) limpdance dune capacit sexprime en farad.
e) limpdance dune self sexprime en ohm.
3
u

z
+
U

a) Quelle est limpdance la plus


simple correspondant ce diagramme de
Fresnel ?
b) Un circuit R,L, C srie peut-il tre
galement envisag ?

4
a) Quelle est limpdance la plus simple
correspondant ce diagramme de Fresnel ?
b) Un circuit R,L, C srie peut-il tre
galement envisag ?

u
i
z
I

+
U

5 - Donner les valeurs numriques des impdances suivantes et le dphasage de leur tension
dalimentation (frquence 50 Hz) par rapport au courant qui les parcourt.
a) self de 0,2H.
b) capacit de 0,1 mF.
c) les deux lments prcdents en srie.
d) les deux lments prcdents en parallle.
6 a) Donner les expressions complexes associes aux grandeurs relles suivantes.

i0 = 4 cos t + ; v1 = 2 sin t
4
4

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-89-

b) Calculer les caractristiques (e, z) de la source de tension quivalente lensemble des deux
sources du schma suivant ? ( z1 = 1 + j ; z0 = 2j)
On utilisera :
i) le thorme de Millmann
ii) le thorme de Thvenin associ au principe de
i0
v1
z0
superposition
c) Quelle est la nature de limpdance interne de cette source
z1
quivalente ? dfinir ses caractristiques si w = 50 Hz
d) donner lexpression temporelle relle de la source de tension e(t).

7 Diviseur de tension - Diviseur de courant


1) Calculer u1 et u2 en fonction de u, Z1 et Z2.

u
Z1

Z2

u1
2) Calculer i1 et i2 en fonction de i, G1=1/Z1 et
G2=1/Z2.

Z1
Z2

u2

i1

i2

8 Une notice donne, pour un petit moteur dlectromnager aliment en 220V alternatif, un
courant de 0,8 A pour une puissance active de 100W. Est-ce possible ?
9 Un moteur aliment en 220V, 50 Hz, consomme vide une puissance de 1,60W. Son facteur
de puissance est de 0,8. Quelle est sa rsistance interne ?

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-90-

SOLUTIONS
1- Voir cours. Il faut que >>

10
1
10
, on a flim =
. En prenant =
, ce qui , pour un bon
f

flim

conducteur situe f de lordre de 1017 1018 Hz.

2 a) faux ; b) vrai ; c) vrai ; d) faux ( cest la valeur de la capacit non son impdance); e) vrai.
3 a) R et L en srie.
b) oui

RI

I/C

4 a) R et C en srie.
b) oui

LI
RI

I/C

5 a) 62,8 ; +/2
b) 31,8 ; -/2
c) 31 ; +/4
d) 64,8 ; -/2
j

4 ;

6 a) i0 = 4 e
v1 = 2 e
b) thorme de Millmann :

i0

v1

k z1k

3
4 (attention : prendre la mme origine des phases pour i et v ).
0
1

z0

z1
z=

1
1 1
+
2j 1+ j

v1

z0 i0
z1

z0

2j(1+ j ) 2 1,107 j
=
e
= 0,894 e1,107 j
1+ 3 j
5

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j 2 e j 4
k zkk
= 2j(1+ j )2 2(1+ j)
e=
= 1,49 e1,39 j 4 e 4 +
1
1+ j 1+ 3j

k zk

-91-

2 (1+ j)
=2 2e0,644j

1+ j

- Thorme de Thvenin : calcul : identique au prcdent pour z ; Tension vide par le principe
de superposition : e = e1 + e2

v1

z0

i0

e1

z0 v1
z0 + z1

e2

z1

z1
e1 =

z0

z z i
, e2 = 0 1 0 ,
z0 + z1

e=

z0 z1 i0 +z0 v1
z0 + z1

, do numriquement le mme rsultat

Z1
Z2
u et u 2 =
u
Z1 + Z 2
Z1 + Z 2
G1
G2
2) i1 =
i et i 2 =
i
G1 + G 2
G1 + G 2

1) u 1 =

8 - oui : P < UI
9 1,94

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Electronique Chapitre IV Notions dlectronique

-93-

CHAPITRE IV
NOTIONS D'LECTRONIQUE :
FONCTIONS DE TRANSFERT. AMPLIFICATEURS ET FILTRES

I. OPERATEURS.
II. FONCTION DE TRANSFERT. GAIN EN TENSION.
III. FILTRES ET AMPLIFICATEURS.
IV. DIAGRAMME DE BODE.
IV-1. Dfinitions.
IV-2. Exemple : Cas d'un filtre RC passe-bas.
V. FREQUENCES DE COUPURE ET BANDE PASSANTE.
VI. APPLICATION A LETUDE DE FONCTIONS DE TRANSFERT
COMPOSEES.

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Electronique Chapitre IV Notions dlectronique

-94-

CHAPITRE IV
NOTIONS D'LECTRONIQUE :

FONCTION DE TRANSFERT. AMPLIFICATEURS ET FILTRES.

I. OPERATEURS.
On appelle un oprateur un quadriple effectuant une transformation donne sur le signal
d'entre avant de le transmettre sur sa sortie (Figure 1). Un oprateur peut tre passif cest-dire ntre constitu que d'lments uniquement passifs et n'apporter ainsi aucune nergie au
reste du rseau. Il peut au contraire tre actif et apporter de l'nergie au rseau grce des
sources extrieures auxquelles il est reli lorsqu'il est en fonctionnement. Ces sources
extrieures d'nergie ne sont en gnral pas mentionnes sur le schma. Nous limiterons ce
cours l'tude des oprateurs passifs et d'un seul oprateur actif, l'amplificateur de
tension.
Conventions de signe (Figure 1) : Les grandeurs d'entre et de sortie considres dans l'tude
des oprateurs peuvent tre soit les tensions (ve,vs) soit les courants (ie, is). Deux conventions
de signe sont possibles pour le reprage de ces grandeurs :
- l'une consistant considrer le quadriple constituant l'oprateur comme rcepteur du
ct de l'entre et gnrateur du ct de la sortie (Figure 1 a),
- l'autre consistant le considrer des deux cts comme rcepteur (Figure 1 b). C'est
cette dernire convention que nous adopterons dans la suite du cours (convention
habituelle des systmes courants faibles).
is

ie
ve

oprateur

is

ie
vs

oprateur

ve

vs

b
Figure 1

II. FONCTION DE TRANSFERT. GAIN EN TENSION.


s et e dsignant de faon gnrique les grandeurs de sortie et d'entre d'un oprateur (actif ou
passif), on dsignera par fonction de transfert la relation en rgime sinusodal entre s et e qui
s'exprimera sous la forme complexe : s = H ( j) e .
v s i s i s vs
, , , .
ve ve ie ie
On s'intressera uniquement par la suite la fonction de transfert appele gain en tension :
v
telle que H ( j) = s qui peut se mettre sous la forme H ( j) = G () e j( )
ve
o G () est le module de ce gain et () son argument (sa phase).

Il est donc possible de dfinir quatre fonctions de transfert :

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Electronique Chapitre IV Notions dlectronique

-95-

III. FILTRE ET AMPLIFICATEUR.


Un filtre est un oprateur (passif ou actif) dont le module et la phase de la fonction de
transfert dpendent, en rgime harmonique, de la frquence. C'est un circuit conu pour
transmettre slectivement et avec des caractristiques bien dfinies, les diverses composantes
frquentielles de l'entre e(t).
Un amplificateur est un oprateur obligatoirement actif charg d'lever la valeur du signal
appliqu son entre ; si sa fonction de transfert est une constante indpendante de la
frquence, on a affaire un amplificateur parfait.

IV. DIAGRAMME DE BODE.


IV-1. Dfinitions.
Le comportement en frquence de l'oprateur est dcrit par les fonctions G () et () . La
pulsation pouvant varier dans une trs large gamme, on reprsente les courbes de variations
du module et de la phase du gain complexe en tension en fonction de la frquence (ou de la
pulsation) du signal, en portant en abscisse le logarithme dcimal de la frquence (ou de la
pulsation). On notera que, dans ce type de reprsentation, le point zro est rejet l'infini.
L'intervalle de frquence qui correspond une variation de celle-ci d'un facteur 10 s'appelle
une dcade, et d'un facteur 2 un octave.
Il est galement d'usage de porter en ordonne, le gain exprim en dcibel, qui est dfini par :
G(dB) = 20 log G
La phase est porte en valeurs naturelles (degrs).
L'association des graphes G(dB) = f(log()) et =f '(log()) est appele diagramme de Bode
du gain complexe en tension.
Gnralement, on remplace le trac exact du gain et de la phase par un trac approch appel
diagramme de Bode asymptotique, suffisant pour permettre une interprtation facile du
fonctionnement de loprateur.

IV-2. Exemple : cas d'un filtre RC passe-bas.


R
v1

v2

Fonction de transfert du gain vide:


On suppose que le circuit de sortie est ouvert (i2 = 0).
Ce cas idal correspond aussi au cas trs frquent o la
charge branche la sortie de loprateur possde une
impdance dentre trs leve, de telle sorte que i2
soit trs faible.

Figure 2
En remarquant que la rsistance et le condensateur forment un pont diviseur, il vient
aisment :

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-96-

1
1
1
1
v
jC
H ( j ) = 2 =
=
; si on pose RC =
, il vient : H ( j) =

0
1 + j RC
v1 R + 1
1+ j
0
jC

Diagramme de Bode: On tudie dabord le comportement asymptotique du module du gain G


et de la phase .
G=

i) Etude du gain.

si

1 +
0

<<1, G = 1 et G(dB) = 0 . Cela dfinit une droite horizontale qui est la premire
0

asymptote la courbe de gain.

Si
>>1, G= 1
et G(dB) = - 20 log
0
0
0
Ceci est l'quation d'une droite, coupant
0,01
0,1
1
10
100
l'axe des abscisses au point /0 =1. Si
0
1
/0
varie de 1 21, G(dB) varie de -6 dB . On
Asymptote
dit que cette droite possde une pente de
Courbe relle
-10
-6 dB par octave ou, ce qui est quivalent,
de -20 dB par dcade (lorsque varie de 1
101 alors G(dB) varie de -20 dB). La
-20
courbe relle de gain (Figure 3) a donc pour
asymptotes les deux droites dcrites ciG(dB)
-30
dessus.
Figure 3

1
soit ~ -3dB.
2

Pour = 0, elle passera par le point G0(dB) = 20 log

0,01

0,1

10

100

1000

/0

-30

courbe relle
asymptote

-60
-90 (degrs)

Figure 4

ii) Etude de la phase.


La phase est l'argument de H (j ) et vaut

donc arctan
0

<<1
0

si
>>1
0

si

Si = 0

() ~ 0
() ~ -/2
() =-/4

en remarquant que log 2 est voisin de 0.3

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Electronique Chapitre IV Notions dlectronique

-97-

La figure 4 donne les courbes asymptotiques du diagramme de Bode qui sont les deux droites
= 0 et = -/2, ainsi que la courbe relle de phase dans le domaine = [0,010, =
1000].

V. FREQUENCES DE COUPURE ET BANDE PASSANTE.


On caractrise la fonction de transfert par ses frquences de coupure fc qui sont les frquences
pour lesquelles le module du gain G(dB) chute de 3 dB par rapport sa valeur maximale
G
1
Gmax(dB) : G(f=fc)(dB) = Gmax(dB) - 3 dB
soit, en amplitude
=
G max
2
On dfinit galement sa bande passante comme l'ensemble des frquences pour lesquelles
G(f)(dB) Gmax(dB) - 3 dB
On remarquera dans lexemple prcdent que la pulsation de coupure c du filtre RC
prcdent se situe c = 0, la bande passante se situant pour les pulsations infrieures 0,
do le nom de filtre passe-bas.
On utilise plus volontiers en pratique la notion de frquence que celle de pulsation pour
dfinir la bande passante. Cette bande passante pourra caractriser aussi bien un amplificateur
qu'un filtre. On distingue ainsi quatre types principaux de filtres dont le gain en tension est
reprsent de manire schmatique en fonction de la frquence sur la Figure 5.
Filtre passe-bas
G
Gmax (dB)

Filtre passe-haut
G
Gmax

Filtre passe-bande
G
Gmax

(dB)

fc

G
G

(dB)

max

fc

f
BP

BP

(dB)

Filtre coupe-bande

fc1

fc2

fc1

fc2
BP

BP

BP

Figure 5

VI. APPLICATION A LETUDE DE FONCTIONS DE TRANSFERT


COMPOSEES.
Supposons que lon dispose en cascade une chane de n oprateurs (Oprateur 1, Oprateur 2,
v
Oprateur k, Oprateur n) dont les gains en tension sont : H 1 (j ) = s1 = G1 () e j1 ( ) ,
v e1
H k (j ) =

v sk
v
= G k () e jk ( ) , H n (j ) = sn = G n () e jn ( ) .... (Figure 6).
v ek
v en

Oprateur 1

ve

Oprateur k

vs1 vek

Oprateur n

vsk ven
Figure 6

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vs

Electronique Chapitre IV Notions dlectronique

-98-

Par suite de lidentit entre la tension de sortie dun oprateur et la tension dentre du
suivant, la fonction de transfert globale de lensemble sera dfinie par :
v
H (j ) = s = G () e j( ) = G1 () e j1 ( ) G 2 () e j2 ( ) ... G k () e jk ( ) ... G n () e jn ( )
ve
Soit :
G ( ) = G1 () G 2 () ... G k () ... G n ()
Ou encore en dB :
G(dB) = G1(dB) + G2(dB) +.....+ Gk(dB) +.....+ Gn(dB)
Et pour les phases :
() = 1() + 2() +.....+ k().+......+ n()
Le diagramme asymptotique de Bode de la chane doprateurs lensemble se dduira donc
trs facilement des diagrammes de Bode de chacun des composants (voir exercice
dapplication).

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Electronique Chapitre IV Notions dlectronique

-99-

EXERCICES DE NIVEAU I
ENONCES
1 A quel rapport damplitude correspondent les gains de 0 dB ; -3dB ; +10 dB ; + 50 dB?
2
1) On considre la fonction de transfert H (j ) =

1+ j
0

. Tracer son diagramme de Bode

asymptotique (gain et phase).


2) On considre la fonction de transfert H (j ) = 1 + j

. Tracer son diagramme de Bode


1

asymptotique (gain et phase).

1
3) On considre la fonction de transfert H (j ) =
. Tracer son diagramme de Bode

1+ j
0
asymptotique (gain et phase). On supposera 1 > 0.
1+ j

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Electronique Chapitre IV Notions dlectronique

-100-

SOLUTIONS
1 1 ; 0,71 ; 3,16 ; 316 .
2
1)

2)

GdB
log

- 6 dB/octave

log

/2
0

log

GdB
0

/2

GdB
6 dB/octave

3)

1
0

log

/2

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log

log

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

-101-

ENONCES DES EXERCICES


DE NIVEAU 2
CHAPITRE I :

CHAPITRE II :

CHAPITRE III :

CHAPITRE IV :

CONDUCTION ELECTRIQUE: ASPECTS


MICROSCOPIQUES ET ASPECTS MACROSCOPIQUES
REGIME PERMANENT - LOI DOHM-KIRCHHOFF
page 103

RESEAUX ELECTRIQUES
EN REGIME PERMANENT

page 108

RESEAUX ELECTRIQUES
EN REGIME VARIABLE

page 112

NOTIONS D'LECTRONIQUE :
FONCTION DE TRANSFERT.
AMPLIFICATEURS ET FILTRES.

page 120

ENONCES DE SUJETS DINTERROGATIONS ECRITES

page 122

ENONCES DE SUJETS DE DS

page 129

[Equipe pdagogique de physique du premier cycle], [2012], INSA de Lyon, tous droits rservs.

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

[Equipe pdagogique de physique du premier cycle], [2012], INSA de Lyon, tous droits rservs.

-102-

-103-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

CHAPITRE I
LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS LES SOLIDES
ASPECTS MICROSCOPIQUES
A MATERIAUX CONDUCTEURS
Exercice 1 : Calcul de la conductivit d'un mtal
On considre un mtal ayant un nombre n d'lectrons de conduction par unit de volume. On
suppose que la force de frottement F f du rseau applique chaque lectron en mouvement

( )

possdant une vitesse v est de la forme F f = m v , o m est la masse de llectron et une

constante.
1- On applique un champ lectrique E au mtal conducteur. Ecrire l'quation diffrentielle
rgissant la vitesse v d'un lectron de conduction. En dduire lexpression de la vitesse en
rgime permanent. Donner l'expression de la mobilit d'un lectron.
2- Quelle est la dimension de ? Pourquoi peut-on l'appeler
Calculer dans le cas de l'argent ( = 5,25.10-3 m2/V/s).

temps de relaxation ?

3- Donner l'expression de la conductivit du conducteur. Calculer dans le cas de l'argent (n


= 7,4. 1022cm-3).

B MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS INTRINSEQUES


Exercice 2 - Influence de la temprature sur la densit de porteurs libres
La concentration des porteurs dans un semi-conducteur intrinsque est donne par la relation :
W
n i (T) = AT3/2 exp(
)
2kT
o k est la constante de Boltzmann (k = 1,38 10-23 J/K), A une constante dpendant du
matriau semi-conducteur et T la temprature absolue.
a)

Quelle est la signification physique de W ?

b)
Montrer que dans le cas du silicium, pour lequel W vaut 1,12 eV, et dans un
intervalle de temprature rduit (300 K 350 K), la variation du nombre de porteurs de charge
peut tre approxime par lexpression suivante :

W
n (T) = B exp(
) dans laquelle
i
2kT

B peut tre considre comme une constante.

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-104-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

c)

On considre un barreau de semi-conducteur inconnu, cylindrique, de longueur l, de


section S et de rsistivit . On place ce barreau dans un four et on relve
simultanment sa rsistance lectrique R et sa temprature. Le tableau ci dessous
reporte les rsultats obtenus sous la forme ln (R)= f(T)
T ( K)
ln (R)

330
5,95

325
6,1

320
6,30

315
6,40

309
6,60

305
6,75

300
6,9

Montrer que ce graphe correspond bien au comportement dun semi-conducteur


intrinsque. Dterminer lnergie W de ce matriau ?
d)

Calculer le nombre de porteurs de charge 300 K et 350 K. On supposera que la


mobilit des porteurs varie peu avec la temprature. On donne n = 0,47 m2/V/s et p=
0,2 m2/V/s. Le rapport de forme l/S du barreau est de 105 m-1.

e)

Quelle serait linfluence de la temprature dans le cas dun semi-conducteur


extrinsque fortement dop dans lequel tous les donneurs (ou accepteurs) sont
ioniss ?

Exercice 3 : Calcul de la rsistivit dun semi-conducteur intrinsque


A la temprature de 27C on a, pour le silicium pur :
Concentration en porteurs :
Mobilit des porteurs :

ni = pi = 1,6.1016 m-3
n = 0,12 m2/V/s
p = 0,05 m2/V/s

Energie de cration dune paire lectron-trou :


W = 1,12 eV
On rappelle la valeur de la constante de Boltzmann k = 1,38.10-23 J.K-1
a) Calculer la rsistivit du silicium pur 27C.
Comment varie les mobilits n et p des porteurs avec la temprature ? Expliquer
pourquoi en 1re approximation, on peut supposer quelles sont indpendantes de la
temprature ? Dans cette approximation, calculer alors la rsistivit du silicium pur
127C.
b) On pourra reprendre les calculs prcdents 27C dans le cas du germanium
intrinsque pour lequel on a les donnes suivantes :
Concentration en porteurs :
ni = pi = 2,5.1019 m-3
Mobilit des porteurs :
n = 0,38 m2/V/s

p = 0,18 m2/V/s
Comparer le silicium et le germanium.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

-105-

C MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS EXTRINSEQUES


Exercice 4 : Densits de porteurs libres
Un monocristal de germanium contient une concentration d'atomes donneurs ND et une
concentration en atomes accepteurs NA. On suppose que tous les atomes dopants sont ioniss.
Donner et expliquer les 2 lois qui rgissent les concentrations n et p dlectrons et de trous
libres respectivement. En dduire lquation vrifie par n.
En utilisant les donnes de lexercice 3, calculer n et p dans les 3 cas suivants :
NA = ND = 1021 m-3
ND = 2.1020 m-3, NA = 3.1020 m-3

ND = 1022 m-3, NA = 1020 m-3


Dans le dernier cas, quelle approximation aurait-on pu faire ? Vrifier sa validit. Donner
alors les expressions approches de n, de p et de la rsistivit dun semi-conducteur de type
N et dun semi-conducteur de type P.

Exercice 5 : Rsistivit
a) On considre un cristal de germanium extrinsque de type P dont la rsistivit est =
2.10-4 .m. En utilisant les donnes de lexercice 3, dterminer la concentration en
trous libres et en lectrons libres.
b) On considre un cristal de germanium extrinsque de type N. La masse atomique du
germanium est M = 72,6 g et sa densit est d = 5,32. Sachant que le pourcentage
datomes donneurs est de 1 pour 108 atomes de germanium, calculer la rsistivit du
cristal 300 K.

CONDUCTION ELECTRIQUE - LOI DOHM


Exercice 6 :
Un bloc paralllpipdique, mdiocre conducteur, a une rsistivit qui varie avec labscisse
x et qui est indpendante des coordonnes y et z .
On donne : = 0 (1 + x ) , 0 et tant des constantes.
Les faces A et B sont mtallises et sont considres comme des surfaces quipotentielles. On
maintient entre A et B une diffrence de potentiel gale U. Les donnes sont U, 0, , a, b,
L.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

(A)

(B)

b
z
a

1) On admettra que les lignes de courant sont des droites parallles Oz. Montrez que la
densit de courant j est constante le long dune ligne de courant, et calculez j (x).
2) En dduire I, courant total circulant dans le conducteur, et R, rsistance du conducteur.
3) Retrouvez R par association de rsistances convenablement choisis.
4) Exprimez la puissance Joule volumique (dP/d) et calculez la puissance totale dissipe
dans le conducteur. Retrouvez R partir de ce dernier rsultat.

Exercice 7 :

Un conducteur purement ohmique, de trs forte rsistivit , a la forme schmatique de la


figure ci-dessous ; il est taill dans un manchon compris entre deux cylindres de rvolution
coaxiaux de rayons a et b (b>a) et limit :
- par deux plans de section droite distants de h ;
- par deux plans passant par laxe de rvolution et faisant entre eux langle .
- On sintresse des rgimes stationnaires.
1) On recouvre les faces cylindriques (correspondant r = a et r = b) de deux couches
excellentes conductrices entre lesquelles on tablit une diffrence de potentiel U. En
supposant les lignes de courant radiales :

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-107-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

a)
b)
c)
d)

En dduire la rsistance R offerte par le bloc mdiocre conducteur en fonction de ,


h, a, b et .
Retrouver R en associant de faon convenable des conducteurs lmentaires ;
Exprimer la puissance Joule volumique dP/d la distance r de laxe et en dduire
R.
A.N. : =105 .m ; b=2a = 10 cm ; h=20 cm ; =60 ; U=100 volts. Calculer R et
les valeurs extrmes de j et de dP/d.

2) On supprime les lectrodes prcdentes et on recouvre les faces rectangulaires de deux


couches excellentes conductrices entre lesquelles on applique la ddp U. En supposant les
lignes de courant circulaires :
a)
b)
c)
d)
e)

Exprimer la densit de courant j la distance r de laxe (a < r <b) en fonction de U,


, r et .
En dduire la rsistance R offerte par le bloc mdiocre conducteur en fonction de
, h, a, b et .
Retrouver R en associant de faon convenable des conducteurs lmentaires .
Exprimer la puissance Joule volumique dP/d la distance r de laxe et en dduire
R.
A.N. : Mmes donnes quau 1. Calculer R et les valeurs extrmes de j et de
dP/d.

Exercice 8 : Cble coaxial


Le conducteur central dun cble coaxial
transporte le courant I du gnrateur vers le
rcepteur. Son rayon est R1, sa conductivit est
considre comme infinie et son potentiel VA
comme constant. Le courant revient par le
conducteur priphrique de rayons R2 et R3 de
conductivit infinie et de potentiel VB contant
avec VB<VA. Un trs faible courant i fuit au
travers de lisolant de conductivit , depuis le
premier conducteur vers le deuxime.

h
R2

i
R1

R3

1) Calculez la densit de courant j qui correspond i, le champ E puis la diffrence de


potentiel VA-VB. Quelle est la rsistance de lisolant pour une longueur h de coaxial ?
AN : R1 = 0.6 mm ; R2 = 3.7 mm ; R3 = 3.8 mm ; = 10-10 S.m-1 ; h = 1m.
2) Les conducteurs sont en cuivre et possdent en ralit la conductivit = 5,8.107 S.m-1 .
Calculez la rsistance r pour laller et le retour de I et pour h = 1m.
Si I = 10 mA et VA-VB.= 20 V, comparez les puissances dissipes dans r et R pour h = 4m.
Comparez ces puissances avec la puissance fournie au rcepteur.
3) Retrouvez lexpression de la puissance dissipe dans R partir de la densit de
puissance dans lisolant.
4) Que vaut le produit RC (on utilisera une expression de C tablie antrieurement) ?

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

CHAPITRE II
DIPOLES GENERATEURS ET RECEPTEURS - PUISSANCE
M +

Exercice 1

i A

E2=8V
G1 est un appareil polaris rversible de fem
E1 = 12 V, de rsistance interne R1 = 2 .
G2 est un appareil polaris rversible de fem
E2 = 8 V, de rsistance interne ngligeable.
R est un conducteur ohmique de rsistance 2
.

R1 =2

X
R =2

+
E1=12V
-

1) (X) est un conducteur purement ohmique de rsistance X


Calculer i laide des lois de Kirchhoff.
2) (X) est un lectrolyseur de rsistance interne r = 1 , de fcem E.
Calculer i et dresser le bilan de puissance consomme par X :
a) pour E = 1 V,
b) pour E = 4 V.
3) (X) est un moteur de rsistance interne r = 1 , de fcem x variable (proportionnelle la
vitesse de rotation du moteur).
a) On empche le moteur de tourner : calculer i.
b) le moteur tourne et sa fcem est x. Calculer i. Donner le domaine de variation de i et
x. Dresser le bilan de la puissance consomme par (X). Dresser le bilan dtaill de la
puissance fournie par G1 et celle fournie par G2.
Exercice 2 :
On considre le rseau de la figure ci-dessous o R est une rsistance variable, exprime en
ohms. Les deux appareils polariss rversibles ont la mme f..m. de 18 volts et une rsistance
interne considre comme ngligeable ; le rcepteur lectrolytique a une f .c..m. limite E =
2 volts et une rsistance interne de 5 .
A

R
8

18 V
18 V

+
-O

12

(E=2V,5 )
20

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

Lintensit i dans la branche OC sera compte positivement de O vers C, mme si le sens rel
du courant est le sens inverse. On considrera que i 0 si llectrolyseur fonctionne dans le
domaine dit de llectrolyse invisible (tension aux bornes infrieure E).
- Dterminer i et discuter suivant les valeurs de R
- Reprsenter graphiquement i = f (R)
Exercice 3 : Bilans nergtiques
Un gnrateur de fem E et de rsistance interne r, dbite dans un rcepteur vritable de
fcem E (0 < E < E) et de rsistance interne r. Calculer la puissance P = EI fournie par la
fem du gnrateur ainsi que la puissance P = EI reue par le rcepteur. En dduire
lefficacit du transfert de puissance du gnrateur vers le rcepteur = P/P. Montrer que P
passe par un maximum pour une valeur de E que lon dterminera. Quelle est alors
lefficacit du transfert de puissance ?
Exercice 4 : Bilans nergtiques
Un moteur lectrique, de rsistance interne r = 8 est aliment par un gnrateur de fem
E = 120 V et de rsistance interne r = 5 . La connexion se fait travers une rsistance R =
17 . Le moteur doit fournir une certaine puissance P0. Effectuer un bilan nergtique de
linstallation en fonction de P0, E, Rt = r + r + R et lintensit I du circuit. Pour quelle valeur
de I la puissance P0 sera-t-elle maximale ? Pour P0 = 100 W fixe, montrer quil existe deux
rgimes de fonctionnement. Calculer lefficacit du moteur dans les deux rgimes.

RESEAUX ELECTRIQUES LINEAIRES EN REGIME PERMANENT CONTINU


TRANSFIGURATION DES CIRCUITS THEOREMES GENERAUX
Exercice 5 : Utilisation du thorme de Kennelly
1) Calculer la rsistance quivalente du
rseau suivant (chaque fil a une
rsistance r)

a) vu de A et C
b) vu de A et B

r
B
A

2) Calculer la rsistance quivalente du rseau suivant vu de A et B (chaque fil a une


rsistance R).

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

A
R

C
B
Exercice 6 : Thorme de Millmann
Calculer le courant I laide du thorme de Millmann.
A
I

r2

r1
R

E2

E1
B

LOIS DE KIRCHHOFF THEOREMES GENERAUX


Exercice 7 : Association de sources de tension en parallle
On considre le schma suivant, dans lequel E1 et E2 sont des sources de tension continues.

E1

E2

En

I
R

R1

R2

Rn

1) Calculer le courant I circulant dans la rsistance R :


a) par application du principe de superposition ;
b) par application du thorme de Thvenin (source quivalente) ;
c) par le thorme de Millman
2) Gnraliser le rsultat dans le cas de n sources E1, E2, ... En.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

Exercice 8 :
1) (K) est ferm. Calculer if :
a) laide des lois de Kirchhoff,
b) laide dune transfiguration convenable de la partie situe gauche de AB et une
superposition de deux tats de rgime permanent (Thorme de superposition).
A
R2
if

i1

r1

U0

(K)

R
r0
B

2) (K) est ouvert. En appliquant le thorme de Thvenin, calculer la diffrence de potentiel


aux bornes de R.

Exercice 9

M +

i A

G1 est un appareil polaris rversible de fem


E1 = 12 V, de rsistance interne R1 = 2 .
G2 est un appareil polaris rversible de fem
E2 = 8 V, de rsistance interne ngligeable.
R est un conducteur ohmique de rsistance 2 .

E2=8V
R1 =2

X
+

R =2

E1=12V
N

(X) est un conducteur purement ohmique de rsistance X. Calculer i :


a) en modifiant le schma par association de gnrateurs srie ou parallle,
b) en utilisant le thorme de superposition,
c) en utilisant le thorme de Thvenin,
d) en utilisant le thorme de Norton.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

CHAPITRE III
REGIME SINUSODAL FORCE
A. RESEAUX R, L, C ASSOCIATION DIMPEDANCES
Exercice 1 Association de deux inductances en parallle
Deux inductances L1 et L2 de rsistance ngligeable sont connectes en parallle et ne
prsentent aucune induction mutuelle entre elles. Calculer leur impdance quivalente.
Montrer que le systme est quivalent une seule bobine dinductance L quon exprimera en
fonction de L1 et L2.

Exercice 2 - Schma lectrique quivalent d'un condensateur rel


Un condensateur qui prsente des fuites lectriques entre ses armatures est un condensateur
imparfait. Le condensateur imparfait peut tre reprsent par un condensateur parfait de
capacit C en parallle sur une rsistance R caractrisant les fuites.
Montrer qu'un tel systme est quivalent un condensateur C' en srie avec une rsistance R'.
On calculera C' et R'.

Exercice 3
Dterminer la valeur de R pour que le circuit suivant soit quivalent une rsistance pure
dont on dterminera galement la valeur
L
R

Exercice 4
On ralise le montage suivant. Il est aliment sous la tension u = U 2 cos t.
1) Calculer l'expression imaginaire, la valeur efficace et le dphasage par rapport u des
courants i1 et i2 dans les drivations.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

i1
A

2) Calculer l'expression imaginaire et la valeur efficace du courant i dans le circuit principal.


3) Dterminer la relation qui doit exister entre L, C et pour que la valeur efficace I du
courant dans le circuit principal soit indpendante de R. Dterminer dans ces conditions le
dphasage par rapport u du courant i dans le circuit principal

Exercice 5
Deux bobines identiques, de rsistance R et d'inductance L, sont alimentes en parallle par
une mme source de tension alternative sinusodale de pulsation . On veut que les courants
i1 et i2 dans les bobines soient en quadrature et aient mme valeur efficace. A cet effet, on
place en srie avec l'une des bobines un condensateur de capacit C. Quelle relation doit-il
exister en R et L ? Calculer alors C.
i

i1

L,R

L,R
C
Application numrique : L = 400

f = 50 Hz

Exercice 6 : Impdance quivalente et diagramme de Fresnel


On considre le rseau ci-dessous constitu de deux bobines dinductance L, dun
condensateur de capacit C et dune rsistance R.
L
A i

B
L
uAB

E
R
uBE

C
uEF

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

1)
2)

3)
4)
5)

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Dterminer lexpression de limpdance complexe z quivalente de ce rseau. La


donner sous la forme z = a + jb, a et b tant des rels.
Une tension sinusodale u = vA vF = Um cost est applique entre les points A et F. Le
courant traversant limpdance z est de la forme i = Im cos(t + ).
Dterminer les expressions de Im et en fonction de R, L, C et .
Application numrique : On donne L = 1 mH, C = 500 F, R = 3 Um = 5 V et
f = 50 Hz.
Calculer Im et .
Dterminer la puissance active P dissipe dans z par deux mthodes diffrentes.
Dterminer la valeur de la pulsation pour laquelle le rseau est quivalent une
rsistance pure dont on donnera lexpression.
On donne maintenant les valeurs suivantes : L = 3 , C = 0,5 , R = 5 et Im = 1
A.
Faire un diagramme de Fresnel o lon fera dabord figurer les tensions u AB et uBE. On
prendra comme chelle 1 cm = 1 V.
A laide de lexpression numrique de z, tracer sur le mme diagramme le vecteur
reprsentant u, puis en dduire le trac de uEF.
Dterminer partir de ce diagramme, lamplitude de uEF et son dphasage par rapport
i.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

RESEAUX ELECTRIQUES LINEAIRES EN REGIME QUASI-PERMANENT


TRANSFIGURATION DES CIRCUITS - THEOREMES GENERAUX
Exercice 7 : Utilisation du thorme de Kennelly
Calculer les impdances complexes du systme en toile (quadriple en T) quivalent au
rseau suivant (quadriple en ).

Exercice 8 : Association de sources de tension en parallle


On considre le schma suivant, dans lequel e1 et e2 sont des sources de tension parfaites,
sinusodales et de mme pulsation .

e2

e1

en

i
R

R1

R2

Rn

1) Calculer le courant i circulant dans la rsistance R :


a) par application du principe de superposition ;
b) par application du thorme de Thvenin (source quivalente) ;
c) par le thorme de Millman
2) Gnraliser le rsultat dans le cas de n sources e1, e2, ... en.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

LOIS DE KIRCHHOFF THEOREMES GENERAUX


Exercice 9 : Calcul du courant dans une impdance
On considre le circuit suivant o e = E 2 cos t

i
e
z

R
r

a) Calculer le courant i en fonction de e en utilisant :


. directement les lois d'Ohm et de Kirchhoff,
. le thorme de Thvenin,
. la transformation du circuit.
b) Donner l'expression temporelle de i pour :
E = 100 V r = 40 R = 60 z = 16 + 40 j.

Exercice 10 : Fermeture d'un interrupteur


Soit le rseau suivant o e et e1 sont des f.e.m. sinusodales de mme pulsation .

z1
z2

e1

En utilisant le thorme de Thvenin, calculer le courant i qui circulera dans l'interrupteur aprs sa
fermeture.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

Exercice 11 :
On considre le circuit suivant, e est une f.e.m. sinusodale de pulsation .

i2
i1

Calculer les expressions complexes des courants dans les diffrentes branches du rseau.

Exercice 12 :
Calculer les expressions complexes des courants i1, i2 et i dans le circuit suivant :

i1

i2

R
i

zC

r
zL

Calculer les expressions temporelles i1, i2 et i pour v = 50 2 cos t ; R = 10 ; r = 3 ;


z c = -5 j ; z L = 4 j

Exercice 13 : Rseau dphaseur


Soit u = U 2 cost la tension applique entre les extrmits A et B du circuit ci-dessous et
v= V 2 cos(t-) la d.d.p. entre les points D et F.
1) Reprsenter vectoriellement les diffrences de potentiel dans les diffrentes branches.
2) Montrer que V est constant lorsque R varie.
3) Dterminer la phase l'origine - de la tension v.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

PUISSANCE EN REGIME SINUSODAL


Exercice 14 - Adaptation d'impdance
1) Montrer que, pour qu'un gnrateur de f.e.m. sinusodale e = E m cost et d'impdance
interne z i = Ri + jXi fournisse la puissance active maximale dans un rcepteur
d'impdance z = R + jX, il est ncessaire que :
R = Ri et X = -Xi
2) Si cette condition n'est pas ralise, on place entre le gnrateur et le rcepteur un
adaptateur d'impdance. Dans le cas du rseau ci-dessous, cet adaptateur est constitu par
deux impdances z1 et z 2 places comme l'indique la figure.

z1
e
z2

zi
a) Pourquoi les impdances z1 et z 2 doivent-elles tre des ractances pures z1 = jX1,
z 2 = jX2 ?
b) En utilisant le rsultat prcdent, donner la relation qui doit relier z, z1, z2 et zi pour que
le transfert d'nergie soit maximal.
Application numrique : Calculer X1 et X2 pour :
= 100 rd/s ; Ri = 10 ; Xi = 0 ; R = 1 ; X = 31,4
Quelle est la meilleure des deux solutions possibles ?

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

-119-

Exercice 15 : Amlioration du facteur de puissance d'un moteur


Un moteur monophas absorbe un courant d'intensit efficace I = 5A lorsqu'on le branche sur
un rseau de tension sinusodale de valeur efficace V = 220 V et de frquence f = 50 Hz. On
observe alors que le courant est en retard d'un angle = 60 sur la tension.
a) Quel est le facteur de puissance du moteur ?
b) Quelle est la puissance (active) absorbe par le moteur ?
c) Calculer la capacit du condensateur qu'il faut placer en parallle sur le moteur
pour que le facteur de puissance de l'ensemble soit gal 0,8 ; calculer l'intensit
I0 absorbe par l'ensemble.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

CHAPITRE IV
NOTIONS D'LECTRONIQUE : FONCTION DE TRANSFERT.
AMPLIFICATEURS ET FILTRES.
Exercice 1 - Etude du circuit rsonant srie R-L-C
Le circuit ci-dessous est aliment par une f.e.m. sinusodale e de pulsation ; e = Em cos t.

i
R

Calculer l'expression du courant i en rgime permanent.


Montrer que la valeur efficace du courant passe par un maximum I0 pour une pulsation
=0. Dterminer les expressions de 0 et I0. Comment se comporte le circuit pour cette
pulsation particulire ?
Calculer les pulsations de coupure 1 et 2 -3 dB. Dterminer le facteur de qualit ou
coefficient de surtension Q dfini par Q= 0/ (2 - 1).
Montrer que la valeur efficace U de la tension u aux bornes du condensateur passe par une
valeur maximale U0 pour une pulsation '0 que l'on dterminera.
A.N. : R=200 ; L=2 H ; C=0,02 F
Calculer la frquence de rsonance, la largeur de la bande passante et le facteur de qualit.

Exercice 2 - Transfert source-charge


Un gnrateur de f.e.m e et de rsistance interne alimente un diple constitu d'une
rsistance R en parallle sur une ractance jX (X > 0 ou X < 0) ; e = Em sint. On prend pour
niveau de rfrence en dcibels la valeur U0 de U lorsque X est infinie.
1) Calculer les valeurs de X pour lesquelles l'affaiblissement de U est de 3 dB. Quel est alors
le dphasage de u par rapport e?
2) X est l'impdance d'une capacit de 70pF. Calculer les
pulsations pour lesquelles l'affaiblissement est gal 1

R
X
u
dB, 3 dB, 6dB. Calculer le dphasage entre u et e ces
e
diffrentes pulsations
Exercice 3 - Filtre passif
On considre le circuit ci-dessous o R = 45 k, r = 5 k, C= 0,01 F.
1) Prciser les valeurs de H =

u
lorsque 0 et
v

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

C
r

2) Calculer H ( j) dans le cas gnral et tracer le diagramme de Bode correspondant.


Exercice 4 : Filtre passif
R

On considre le circuit ci-contre constitu dun


condensateur de capacit C et de deux
rsistances R, aliment en tension sinusodale de
pulsation variable.

vs

R
ve
C

Sans calculs, mais en utilisant les quivalents basses et hautes frquences dun condensateur,
comparer en amplitude et en phase la tension de sortie vs avec la tension dentre ve lorsque
= 0 et + .
Dterminer lexpression de la fonction de transfert complexe H(j) sous la forme :
H(j) =

vs
ve

= H1 (j) H2 (j )

avec : H (j) = 1 + j
1

et

H (j) =
2

1
1+ j

Donner lexpression de 0 et 1 en fonction de R et C. Quelle est la relation entre 0 et 1 ?


Tracer sur un mme graphe les diagrammes asymptotiques du module de H1(j), de H2(j)
puis de H(j). Faire de mme pour la phase.
Calculer les valeurs exactes du gain et de la phase pour = 0.
Exercice 5 : Fonction de transfert compose
1) Tracer les diagrammes asymptotiques de Bode de la fonction de transfert :

H ( j) = K

(1 + j1) (1 + j 3)
(1 + j 2 ) (1 + j 4 )

avec 1 < 2 < 3 < 4

2) En dduire un trac approximatif des courbes de Bode relles.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

ENONCES DE SUJETS
DINTERROGATIONS ECRITES

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-122-

-123-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

Lanires A et B

Premire Anne

ANNEE SCOLAIRE 2002/2003


ELECTROMAGNETISME
Interrogation n6
Vendredi 23 Mai 2003

Dure : 1h30

Barme approximatif : Ex 1 : 4 points,

Ex 2 : 10 points, Ex 3 : 6 points.

EXERCICE 1 : CALCUL DE RESISTANCE


Un conducteur mtallique est constitu dun cylindre creux de longueur , de rayon
intrieur a et de rayon extrieur b. Sa rsistivit est donne par = 0(1-kr2) o 0 et k
sont des constantes positives (avec k <

1
) et r la distance radiale laxe. On admettra
b2

que lorsque lon applique une diffrence de potentiel entre les deux sections droites des
extrmits du cylindre distantes de , les lignes de courant sont des droites parallles
laxe du cylindre.
Calculer la rsistance R de ce conducteur par la mthode de votre choix.

a
b

EXERCICE 2 : CIRCUITS EN CONTINU


1)

On associe en parallle (voir figure 1) deux appareils polariss rversibles G1 et G2,


de f.e.m E1 = 12,2 V et E2 = 10 V et de rsistance interne R1 = 2 et R2 = 10
respectivement.
A
R1
E1

R2
E2

Figure 1

a)

b)

A laide du thorme de Thvenin, dterminer les expressions de la f.e.m E et de


la rsistance interne R du gnrateur de tension quivalent vu des points A et B
en fonction de E1, E2, R1 et R2. On explicitera clairement la dmarche et les
calculs intermdiaires.
Calculer les valeurs numriques de E et R.

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-124-

2) On branche entre les bornes A et B (voir figure 2) un rcepteur vritable M de type


moteur de f.c.e.m. EM variable (proportionnelle la vitesse de rotation du moteur), et
de rsistance interne RM = 1 . Les sens positifs choisis pour les courants I1, I2 et I
dans G1, G2 et M respectivement sont indiqus sur la figure 2.
A

I1
R1

I2
I

R2

E1

E2

Figure 2

M X

B
a) Dterminer lexpression du courant I dans M en fonction de E et R.
b) Donner le domaine de variation possible de EM et I.
c) Exprimer la puissance utile PM dveloppe par le moteur en fonction de EM. Pour
quelle valeur de EM exprime en fonction de E, cette puissance est-elle
maximale ? Calculer numriquement cette valeur particulire de EM.

3) Bilan nergtique :
a) Pour la valeur particulire de EM calcule prcdemment, dterminer
numriquement I, I1 et I2 puis les puissances PR1, PR2, PRM dissipes par effet
Joule dans les rsistances R1, R2 et dans le moteur respectivement.
b) Calculer les puissances lectromotrices P1 et P2 fournies par G1 et G2.
c) G2 fonctionne-t-il en gnrateur ou en rcepteur ? Justifier votre rponse.
d) Faire le bilan de puissance et en dduire la puissance contre-lectromotrice PM
maximale. Vrifier par un calcul direct.

EXERCICE 3 : CIRCUIT EN SINUSODAL


On considre le diple AB de la figure suivante aliment par une source de tension
parfaite de f.e.m. sinusodale e dfinie par : e = E 2cos (t ) , et comportant un
condensateur de capacit C et une bobine dinductance L.
1. Dterminer limpdance quivalente z du diple AB rendu
passif.
2. Dterminer la tension uAB vide.
3. Faire le schma quivalent du diple AB.

L
e

A
C
B

4. On branche entre les bornes A et B une rsistance R. On


dfinit le courant i dans la rsistance R par

i = I 2cos (t- ) . Exprimer i et en dduire la valeur


efficace I et le dphasage du courant i.
5. Quelles sont les limites de la valeur efficace I et du
dphasage lorsque la pulsation tend vers zro et lorsque la
pulsation tend vers linfini. Comment pouvait-t-on prvoir
ces limites sans faire de calculs ?

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i
R
B

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PREMIERE ANNEE

ANNEE SCOLAIRE 2003/04

PHYSIQUE : Interrogation n3 (2me semestre)


Vendredi 28 mai 2004

Dure : 1h30

Barme approximatif : I-Cours (4 pts), II (7 pts), III(9 pts).


I COURS.
1.1. Quel est le gnrateur de THEVENIN quivalent un pont diviseur de tension ainsi
constitu:

R1

RTh
A

ET

R2

B
1.2. Dfinir les porteurs de charges dans les matriaux suivants :
- mtal type cuivre ;
- lectrolyte ;
- matriaux semi-conducteurs.

1.3 Amplificateur oprationnel :


Quest quun amplificateur oprationnel ? Faire un schma quivalent pour un amplificateur
oprationnel idal fonctionnant en rgime linaire en indiquant les tensions et courants
dentre. Quelles conditions impose-t-il ?

II APPLICATIONS DES THEOREMES GENERAUX.


On considre le montage de la figure ci-dessous, constitu de deux sources de courant, dun pont de
rsistances en triangle et dune charge place entre les points A et B.
On donne : I1 = 10 A, R1 = 10 , I2 = 10 A, R2 = 20 , RAB = RCB = RAC = 30 .
sources

pont de r sistances
C

I2

A
I

RAC

R2

charge

RCB
I1

RAB

R1
B

2.1. Calcul du gnrateur de Thvenin quivalent aux points A et B (Eth et Rth).

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-126-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

On souhaite remplacer la partie gauche des points A et B par son gnrateur de Thvenin
quivalent.
2.1.1. Remplacer les deux sources de courant par un diple actif reprsent par son modle de
Thvenin (source de tension E0, rsistance R0) : donner les expressions de E0 et R0.
A.N. : Calculer E0 et R0.
2.1.2. Remplacer le pont de rsistances en triangle par un pont de rsistances en toile : donner
les expressions des rsistances du pont de rsistances en toile (notes RA, RB, RC).
A.N. : Calculer RA, RB, RC.
2.1.3. Reprsenter le nouveau schma lectrique de lensemble.
2.1.4. Calculer les lments du gnrateur de Thvenin (Eth, Rth) quivalent au rseau actif
entre les points A et B, aux bornes duquel est connecte la charge. On donnera les
expressions littrales puis les valeurs numriques de Eth et Rth.
Reprsenter le nouveau schma lectrique quivalent de lensemble.
2.2. Bilan des puissances en prsence dune charge.
2.2.1. On considre que la charge est un dispositif de chauffage (purement rsistif) dune
puissance P0 = 50 W.
Faire le bilan des puissances. En dduire le courant I (valeur numrique). Calculer le rendement
dfini par = P0 /(Eth I) (valeur numrique).
2.2.2. On considre que la charge est un moteur de rsistance interne r = 2 et de f.c.e.m E =
40 V.
Calculer le courant I (valeur numrique). Calculer la puissance utile dlivre Pu par le moteur.
Faire un bilan des puissances. Calculer le rendement .

III - ETUDE DUN FILTRE.


3.1. Dterminer lexpression de la fonction de transfert en tension sinusodale associe au
filtre suivant :

R
C

C
R

ue

us

On cherchera exprimer cette fonction de transfert H(j) sous la forme :

H( j) =

1
, A et B tant des rels ou expressions relles incluant R, C, et .
A + jB

3.2. Montrer quil sagit dun filtre passe bande dont on dterminera la valeur du gain
maximum Gmax et la pulsation 0 correspondante, G(0)=Gmax.
3.3. Donner lexpression de la largeur de la bande passante =2 - 1 -3 dB. On dfinira
notamment la valeur GC du gain pour les pulsations de coupure 2 et 1.
3.4. On admettra que la fonction de transfert H(j) peut sexprimer sous la forme :

H( j) = A'

1
1
, avec 2 10 1 et 1 0,2.Rad.s-1.
'1
j
1 +
1 +

j ' 2

Tracer le diagramme asymptotique de BODE correspondant au gain H ( j ) / A' . On


prcisera les chelles utilises et les points particuliers de ce diagramme.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

Premire Anne
ANNEE SCOLAIRE 2004/2005
PHYSIQUE
Interrogation n6

Vendredi 20 Mai 2005

Dure : 1 h 30

Barme approximatif : I : 6 points ; II : 8 points ; III : 6 points

I DILECTRIQUES CONDUCTION DANS LES SOLIDES

On considre un condensateur sphrique dilectrique parfait de permittivit absolue . Les rayons des
conducteurs constituant les armatures sont a et b, avec b >> a. Le conducteur (A) de rayon a est port
au potentiel V0, le conducteur (B) au potentiel 0.
N.B. : Dans tous les calculs, on ngligera 1/b devant 1/a.
1) a) Donner la topographie de linduction lectrique D et du
(B)
b
champ lectrique E dans le dilectrique.
b) Exprimer D et E au point M dfini par OM = r ur (a<

(A)
O a

r < b et ur vecteur unitaire radial) en fonction de V0, ,


a, et de la variable r (on passera par l'intermdiaire de

QA, charge de (A)).


c) En dduire la capacit C du condensateur.
2) Le dilectrique est en fait un milieu conducteur de forte rsistivit , et un courant de fuite circule
entre les armatures (A) et (B).
a) Montrer que les lignes de courant sont radiales. On appelle I l'intensit totale du courant.
Calculer la densit de courant j au point M ainsi que le champ E , les donnes tant I, r et .
b) Etablir une relation liant I et V0. En dduire la rsistance R entre (A) et (B).
c) Exprimez le produit RC en fonction de et .
d) Retrouvez l'expression de R par association de conducteurs lmentaires correctement choisis.
A.N. : Calculez C et R pour = 1013 .m, = 210-9/(36) F/m, a = 5 cm.

II CIRCUITS EN RGIME PERMANENT


On considre :
- (G1), un appareil polaris rversible de rsistance interne r1 = 2 et de f.e.m. E1 = 6 (1+x), avec x
compris entre -0,1 et +0,1 et E1 en V,
- (G2), un appareil polaris rversible de f.e.m. E2 = 4 V et de rsistance interne r2 = 1 ,
- (M), un rcepteur vritable de f.c.e.m. E' = 3 V et de rsistance interne r' = 1 .

N.B. : Tous les rsultats sont demands sous forme numrique, ne comportant que le paramtre x.
De plus, dans les calculs de puissance, on ngligera tous les termes en x2.
1) On branche directement (M) aux bornes de (G1) (figure II.1). Calculer lintensit I du courant dans
(M) dfini sur la figure II.1, puis la puissance P1 fournie par le diple (G1).
2) On associe (G1) et (G2) en parallle (figure II.2).
a) Faire un schma quivalent utilisant la reprsentation de Norton de chacun des deux
gnrateurs. Donner les caractristiques du gnrateur de Norton, puis celles du gnrateur de
Thvenin, quivalents lensemble des deux gnrateurs.
b) On branche alors le rcepteur (M) aux bornes de l'ensemble (figure II.3). A laide des schmas
quivalents prcdents, calculer le courant J dans (M) dfini sur la figure II.3.

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-128-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

(G1)

(G1)

(M)

r1

E2

E1

E1

+
-

r1

r2

(G2)
B

Figure II.1

Figure II.2

c) Calculer directement les courants i et j


j
+
i +
J
dfinis sur la figure II.3. En dduire J (on
vrifiera que J a bien la mme expression
E1
E2
que celle dtermine prcdemment).
d) Calculer les puissances P1 et P2 fournies (G )
(G2)
(M)
1
respectivement par (G1) et (G2), puis la
puissance PM consomme par (M). On
r1
r2
r
donnera les rsultats d'abord en fonction de i,
j et x, puis en fonction de x seulement.
Vrifiez le bilan dnergie total. Quelles
Figure II.3
remarques peut-on faire sur P2 ?
3) Commentaires : (G1) est un appareil dont la f.e.m E1 est instable, cette instabilit tant modlise
par lintermdiaire du paramtre x. (G2) est une pile-batterie dont la f.e.m. E2 est bien stabilise et
qui se recharge lorsqu'elle fonctionne en rcepteur. D'aprs les rsultats de la question 3, et en
comparant les variations (avec x) du courant dans (M), dans le cas du montage 1) (sans la batterie)
et 2) (avec la batterie), que peut-on dire du rle de cette batterie ?

III CIRCUITS EN RGIME SINUSODAL FORC


On considre le circuit de la figure ci-contre comportant une rsistance R
et une bobine parfaite dinductance L, alimentes par une source de tension
parfaite de f.e.m. e = E 2 cos (t ) . Ce circuit est utilis pour alimenter
une rsistance de charge Ru. On donne E = 10 V
1)

R = 50

L = 140 mH

Donner lexpression complexe du courant i(t) vide (cest--dire en labsence de la rsistance de


charge Ru). Prciser son module et sa phase.

A.N. : Donner lexpression relle sous la forme i(t)=I 2cos (t-) pour = 100rad/s.
2) On branche la rsistance de charge Ru aux bornes de la rsistance R.
a) Dterminer la nouvelle expression complexe du courant i (t).

u
appel gain en tension complexe aux bornes de la
e
rsistance de charge. Donner lexpression du module et de la phase du gain g . Dterminer les

b) Calculer le rapport complexe g =

valeurs du gain lorsque tend vers 0 et lorsque tend vers linfini. Justifier physiquement ces
valeurs.
c) Pour = 100 rad/s, quelle est la valeur de la rsistance de charge Ru qui conduit un module du
gain gal 1

d) Exprimer la puissance active (puissance temporelle moyenne) fournie par le gnrateur et la


puissance moyenne dissipe par effet Joule dans le circuit en fonction de R, Ru, L, et E.
Commentaires.

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Ru

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

ENONCES DE SUJETS
DE DS

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-130-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

DEPARTEMENT DU PREMIER CYCLE

Devoir de synthse de PHYSIQUE 1e Anne


Le 10 Juin 2002

Dure : 3 heures

Tout document et toute calculatrice dun modle autre que celui autoris, sont interdits. Les lves sont pris :
- d'indiquer leur nom et groupe, le nombre dintercalaires, soigneusement numrotes,
- dcrire trs lisiblement, de soigner la rdaction, lorthographe et la prsentation matrielle ;
- d'indiquer ou d'noncer les lois ou principes utiliss, de justifier les rsultats par des explications (claires, prcises,
concises) indispensables une bonne comprhension de la solution propose ;
- de bien mettre en vidence les rsultats littraux ou numriques (les principaux tant encadrs en couleur autre que
rouge).
Les parties 1, 2 et 3 sont totalement indpendantes ; elles peuvent tre traites dans un ordre quelconque, mais elles doivent
tre prsentes, sur la copie, dans le mme ordre que dans l'nonc.

BAREME APPROXIMATIF: 1/ sur 6 ; 2/ sur 8 ; 3/ sur 6

1. - ELECTROSTATIQUE
On se propose dtudier un dispositif sensible la
pression acoustique, pouvant tre utilis dans la
ralisation dun microphone lectret .
Un systme lectrostatique est constitu dune couche
mince mtallique (A) dpose sur lune des faces dun
dilectrique parfait de permittivit 1 et dpaisseur
constante a. Lautre face du dilectrique (A') a t
bombarde par des ions qui sont rests pigs en
surface ; la distribution des ions tant uniforme, la
densit de charge positive ainsi obtenue est constante
(ce systme est un lectret). Le dilectrique est dpourvu
de charges volumiques.

(A)

n
a

VA=0

++++++++++++

(A')
++

X+a (B
)

X
D
membrane

VB=0
r

Figure 1

Paralllement cette face charge est dispose une membrane mtallique (B) fixe, une
distance X (fig.1). Lespace entre la membrane et la surface du dilectrique est rempli dair
(assimil au vide) de permittivit 0. Laxe [Ox], de vecteur unitaire n (fig. 1) permet de
reprer les situations relatives des diffrents lments.
La couche mtallique (A) est relie directement la terre (VA = 0) ; la membrane
infrieure est connecte la terre par une trs faible rsistance r qui la maintient galement
un potentiel VB = 0.

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-131-

1 - Question prliminaire : Rappeler (sans dmonstration) les quations de passage


satisfaites par les grandeurs D et E lors de la traverse dune surface charge sparant deux
milieux dilectriques. On dfinira les grandeurs utilises et on explicitera ces quations
laide dun schma.
2 - Dans le systme lectrostatique dcrit prcdemment, on suppose que les effets de bords
sont ngligeables. Le potentiel la surface du dilectrique, o sont localiss les ions (x = a),
est not V. Les donnes sont : , X, a, 0 , 1 , S (la surface des faces (A) et (B)) et le vecteur
unitaire n .
a) Quelle est la forme des quipotentielles et des lignes de champ ? Faire un schma
reprsentant quelques unes dentre elles.
b) Montrer que les champs dans le dilectrique et dans lair, respectivement E1= E1n et
E0 = E0n , sont uniformes ; E1 et E0 sont les mesures algbriques.
c) Exprimer les valeurs littrales de ces vecteurs champs E1 et E0 en fonction des
donnes.
3 - Dterminer le potentiel V la surface du dilectrique situe la cote x = a.
4 - Exprimer les charges QA et QB portes par (A) et (B), en fonction des donnes. Quelle
relation existe-t-il entre QA, QB et Q, charge totale porte par le dilectrique ?
5 - Une onde de pression produit un dplacement de la membrane mtallique (B) sur une
petite distance, selon la direction dfinie par n . On considre que X varie alors selon la loi :

X(t) = X0 + b sint, avec b << X0. En prcisant lapproximation faite, exprimer lintensit du
courant circulant dans la rsistance r ; elle sera mise sous la forme : i (t ) = I 0 sin ( t + )

2 - ALIMENTATION D'UNE LOCOMOTIVE ELECTRIQUE


On dsire tudier diffrents procds dalimentation en nergie, dune locomotive
lectrique, en se limitant au cas o la motrice fonctionne en courant continu. Pour une voie
lectrique de grande longueur, lalimentation lectrique est ralise par des sous-stations
rgulirement disposes le long du rseau et la ligne est divise en sections . Ces sections
sont lectriquement indpendantes les unes des autres. On ne considrera pas dans ce
problme le cas particulier de franchissement de la jonction de deux sections.
Un pantographe (contact parfait mobile) capte le courant issu dune catnaire (dispositif
dalimentation); ce courant passe dans la motrice puis retourne la (ou aux) sous-station(s)
par les rails. Pour faire fonctionner de manire optimale les quipements lectriques dune
motrice, il importe de connatre la variation de la tension aux bornes de celle-ci lors de son
dplacement, en valeur moyenne et en valeur maximale. Cette variation de tension sera
appele chute de tension et note U ; elle reprsente lcart entre la tension U fournie par
la sous-station et la diffrence de potentiel U' entre les bornes de la motrice et de ses
quipements : U = U U'.
Dans tout le problme, on fera les hypothses suivantes :

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

-132-

La diffrence de potentiel U la sortie de chaque sous-station est constante quelles que


soient les conditions de fonctionnement ; la mme pour toutes les sous-stations ([A] et
[B]).
La rsistance par unit de longueur de la catnaire est r.
On nglige la rsistance des rails (circuit de retour rsistance nulle).
On se limite ltude de lalimentation dun train unique et on suppose que lintensit I
du courant absorb par la motrice et ses quipements est constante.
Pour tous les calculs de valeurs numriques, les donnes sont :
U = 1500 volts ; r = 510-5 m1, lintensit de fonctionnement de la motrice est
I = 1000A. La chute de tension moyenne doit toujours tre infrieure ou gale 10% de la
tension U : cette condition impose une longueur maximale dune section et une chute de
tension maximale entre deux sous-stations.
Trois procds dalimentation de la locomotive sont tudis. Ils sont dcrits
respectivement, sur les figures de 1 3. Dans toutes ces figures, les traits pais reprsentent
les fils conducteurs dont la rsistance est considre comme nulle. On note par D la longueur
totale de la section et x labscisse du train partir de la sous-station de dpart.

Pour chaque procd dalimentation :


a) - Dterminer la chute de tension U. Les donnes sont prendre parmi r, I , x et D.
b) - Exprimer les chutes de tension moyenne Umoy et maximale Umax en fonction de r, I, D.
c) - Application numrique : Calculer la longueur maximale dune section exprime en
kilomtres et la chute de tension maximale.
d) - Tracer la courbe reprsentant U en fonction de x, pour x variant de 0 D.
RAPPEL. La valeur moyenne <f> de la fonction f(x) sur l'intervalle [x 1 , x 2 ] scrit :
1
< f( x) > =
x2 x1

x2

f( x)

dx

x1

NOTE. Toutes les transformations des rseaux seront dcrites sur des schmas clairs.
1 - Le train est aliment par une section une seule voie, avec une seule sous-station (Fig. 1).
2 - Le train est aliment par une section double voie, elle-mme alimente par une seule
sous-station, avec mise en parallle des deux voies lautre extrmit (Fig. 2).
3 - Le train est aliment par une section double voie, avec mise en parallle au milieu de
lintervalle, et deux sous-stations ([A] et [B]), chacune tant localise chaque extrmit de
la section (Fig.3). Dans ce cas on prendra 0 <x <D/2 pour rpondre aux questions a), b), c) et
d). On indiquera comment obtenir (sans reprendre les calculs) les diffrentes rponses dans le
cas o D/2 <x < D.

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-133-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS


catnaire
I
U

I
U

U'

U'

Figure 1

Figure 2
P

R
I

U'

D/2

Figure 3

3 - ETUDE D'UN CIRCUIT EN REGIME SINUSODAL


Pour cette tude, les grandeurs complexes associes aux grandeurs relles tensions,
intensits et impdances sont reprsentes par leur symbole soulign (u, i, Z).
1 - On considre dune part, le diple constitu dune rsistance R en parallle avec une
capacit C, dautre part celui constitu par une rsistance R' associe en srie avec une
capacit C'. On veut que ces diples prsentent la mme impdance pour une tension
applique de pulsation .
a) Exprimer les valeurs des rapports R/R' et de C/C' en fonction de x = /0 avec 0 =
1/RC.
b) Donner les valeurs de R/R' et de C/C' dans le cas particulier o = 0.
C
C
R
R

Figure 1

2 - On considre le dispositif de la figure 2 comportant deux diples mis en srie. Ces deux
diples sont constitus par les mmes lments R et C placs soit en srie, soit en parallle.
Ce systme est aliment par une source de tension parfaite avec la pulsation 0 = 1/RC.
On note u la tension entre M et N, u' celle entre N et P et u0 = U0 cos 0t la tension applique
entre M et P.
a) Calculer les rapports : u / u0 et u' / u0. Quel est lintrt de ce circuit ?
b) Donner la valeur et le sens du dphasage de lintensit i par rapport la tension u0.
c) Calculer lamplitude de ce courant pour U0/R = 50 mA.

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-134-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS


C

C
C

R
R

u'

i
u0

Figure 2

u0

Figure 3

3 - On considre le dispositif de la figure 3 comportant deux diples mis en srie. Ces deux
diples sont constitus par une rsistance R entre M et N, une rsistance identique R associe
en parallle la capacit C entre M et N. Le circuit est aliment avec une source parfaite
tension u0 = U0 cos t de pulsation variable (Fig.3). On note par u' la tension entre N et P.
Les donnes sont R, C, .
a)

Exprimer la fonction de transfert H ( j ) =

u
j
= G ( ) e ( ) , G et sont le gain et la
u0

phase.
b) Quelle est la valeur maximale du gain rel ? Exprimer le gain g() en dcibels.
c) Dterminer c la (ou les) pulsation(s) caractristique(s) de cette fonction de transfert
ainsi que la (ou les) valeur(s) correspondante(s) relle(s) du gain et de la phase.
d) Reprsenter le diagramme de Bode (diagrammes asymptotiques) du gain et de la
phase. Toutes les valeurs particulires seront clairement indiques sur ces
reprsentations.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

DEPARTEMENT DU PREMIER CYCLE

Devoir de synthse de PHYSIQUE 1e Anne


Juin 2003

Dure : 3 heures

Tout document est interdit. Toute calculatrice dun modle autre que celui autoris, est interdite. Les lves sont pris :
- dindiquer leur nom et groupe, le nombre dintercalaires, soigneusement numrotes,
- dcrire trs lisiblement, de soigner la rdaction, lorthographe et la prsentation matrielle ;
- de bien mettre en vidence les rsultats littraux ou numriques (les principaux tant encadrs en couleur autre que
rouge).
Les parties 1 et 2 sont totalement indpendantes..

BAREME APPROXIMATIF: 1/ sur 10 ; 2/ sur 10

1. - ELECTROCINETIQUE ( les questions 1), 2) et 3) sont largement indpendantes)


Une jauge dextensomtrie est constitue par un rsistor en forme de paralllpipde,
homogne, de rsistivit constante . Lorsque la jauge {R} est dforme par traction ou par
compression (figure 1a), sa rsistance R varie, ce qui permet de mesurer une dformation.
1) tude de la jauge (figure 1b). Les faces (A) et (B), de section S = a b, sont des surfaces
quipotentielles lorsque le rsistor {R} est travers par un courant total dintensit I. On
admet que les lignes de courant sont des segments de droites reliant (A) (B).
jauge sur le dessus de la lame

a
I
b

jauge sur le dessous de la lame

(a)

(b)

Figure 1 : Jauge dextensomtrie

1.1) Les donnes tant prendre parmi a, b, L, , I, exprimer la densit de courant j.


En dduire lexpression de la rsistance R de la jauge {R} non dforme.
1.2) La jauge, soumise une contrainte, subit une petite variation de longueur relative
dL/L. On admet que sa largeur a ne varie pas, et que son volume reste constant. Calculer le
rapport de jauge k dfini par la relation : dR/R = k dL/L.
2) Mesure de la contrainte en courant continu (figure 1a)
Deux jauges sont colles de part et dautre dune lame mince dont on veut mesurer la
dformation. Une jauge en extension (dL > 0) et une jauge en compression (dL < 0), leurs
rsistances respectives tant R1 = R0(1+ ) et R2 = R0(1 ). R0 est la rsistance de la jauge
non contrainte, et est reprsentatif de la dformation (0 < et <<1).

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

2.1) Montage en Pont. Les deux jauges sont les deux branches (R1) et (R2) dun pont de
rsistances comme indiqu sur la figure 2. Les deux autres branches sont des rsistors
identiques de rsistance R0. Les branches (PMQ) et (PNQ) ont la mme valeur de rsistance :
R1 + R2 = 2R0. Le pont est aliment par une source de tension de force lectromotrice E et de
rsistance interne r.
a) Les donnes sont prendre parmi R0, r, E, et . Exprimer lintensit du courant dans
chacune des trois branches.
b) Calculer VM VN. Quel est lintrt de mesurer cette grandeur plutt que VM VQ ?
c) En supposant que R1 = R2 = R0. Calculer la rsistance approche RMN du diple {MN}
rendu passif. Dfinir le gnrateur de Thvenin quivalent au diple {MN}.
P

I1

I2
I

R2

E
N

M
R

R0

Figure 2

E S

R2

R1

T
Figure 3

2.2) Montage double alimentation. Les deux jauges sont les deux branches (R1) et (R2)
du montage reprsent sur la figure 3. Les donnes sont prendre parmi R0, r, E, et
a) Exprimer lintensit I' du courant dans le circuit. En dduire VT VS.
b) En supposant que R1 = R2 = R0. calculer la rsistance approche RST du diple {ST}
rendu passif.
3) Montage en courant sinusodal. Lensemble des deux jauges, colles de part et dautre
dune lame mince, est caractris par les rsistances R1, R2 telles que R1 + R2 = 2R0 et par une
capacit parasite C. Le circuit est reprsent sur la figure 5. Le gnrateur sinusodal a une
force lectromotrice e , de pulsation et de rsistance interne r.
3.1) Etude du rseau
a) Etablir les expressions complexes i1, i2 et i des intensits.
b) Etablir lexpression complexe v de la tension v = vF vG.

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-137-

Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

c) On constate que v est en retard de phase de par rapport e. En dduire la valeur de C


en fonction de , , r, R0.
D
i

i1
R2

i2
R0

F
R1

R0

ve
E

Figure 4

vs
Figure 5

3.2 ) Filtrage du signal. Le signal en tension v(t) ainsi obtenu est filtr (figure 5). Les
lments du filtre sont R, C, et (pulsation du signal).
a) Calculer la fonction de transfert complexe H(), le gain rel A(), G() en dcibels et
la frquence de coupure 3 dB. Quelle est la nature du filtre ?
b) Calculer numriquement les gains rels A1 pour une frquence de 5 kHz et A2 pour une
frquence de 50 Hz sachant que R' = 100 et C' = 3,2 F.

2. - ELECTROSTATIQUE
1 - Question prliminaire. Dans lespace vide (dtendue infinie), on suppose que la densit
volumique de charge est nulle en tout point M et que les lignes de champ sont des droites
parallles.
Dmontrer que le champ lectrostatique E est uniforme.
2 - Champ et potentiel lectrostatiques crs par une couche homogne positivement
charge.
(O, u x , u y , uz ) dsigne un repre orthonorm. Dans lespace vide, une couche
homogne de charges positives est situe entre deux plans (P1) et (P2) dquations : x = e/2 et
x = +e/2, comme lindique la figure 1. La distribution de charge est uniforme. Lespace est
ainsi divis en trois rgions :
- la rgion (1), correspond la couche charge (e/2 < x < +e/2) avec une charge
volumique constante et positive ;
- les rgions (2) et (3) non charges, respectivement dfinies par x < e/2 et par x > e/2, de
charge volumique nulle.

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Exercices de niveau 2 Sujets dIE et de DS

rgion (3)
x = e/2
ux

(P2)

x=0
uy

rgion (1)

O uz
x =- e/2

(P1)
rgion (2) y

(a)

= cte > 0
rgion (1)

rgion (2)

-e/2

+e/2

rgion (3)
x
(b)

Figure 1: Couche homogne de charge despace

2.1) Topographie du champ lectrostatique


a) En donnant toute justification, dcrire la topographie du champ lectrostatique. Dcrire les
lignes de champ et les surfaces quipotentielles. Faire un schma.
b) En dduire que le champ et le potentiel ne peuvent ventuellement dpendre que de la
coordonne x : E (x) et V(x) .
c) Quelle est la valeur du champ lectrostatique dans le plan x = 0 ? Quelle relation existe-t-il
entre E (x) et E (x) ?
d). Pourquoi ne peut-on pas dfinir un potentiel absolu ? Dans la suite, on impose V(0) = 0
pour x = 0
Comparer V(x) et V(x) (justifier la rponse).
2.2 ) Dtermination de V(x) et E(x) et de la densit volumique dnergie en tout
point.
On veut dterminer V(x) et E(x) en partant de lquation locale satisfaite par le potentiel,
en tout point de lespace. Les donnes sont 0, , e et V(0) = 0 pour x = 0.
a) Dterminer le champ lectrostatique E et le potentiel V, en tout point: E1 et V1 dans la
rgion (1), E2 et V2 dans la rgion (2), E3 et V3 dans la rgion (3). Justifier avec soin le
calcul des diffrentes constantes dintgration.
b) Reprsenter graphiquement les courbes de variation de E et de V en fonction de x.
c) Exprimer la densit volumique dnergie lectrostatique dans les rgions (1), (2) et (3).

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d) Application numrique : On rappelle que 0 = 1/(36 109 ) . Les donnes sont


= 105 C.m3 et e = 1 cm.. Calculer la valeur de E et V et de pour x = 0,25 cm.
3 - Lpaisseur de la couche charge tend vers une valeur trs faible, de sorte que le produit
tend vers une valeur limite .
a) laide des rsultats prcdents, retrouver lexpression du champ lectrostatique cr en
tout point M de lespace par un plan uniformment charg avec la charge surfacique positive
, concidant avec le plan x = 0.
b) On note par E (0+) et E (0) les valeurs du champ en des points infiniment voisins du plan,
situs de part et dautre de celui-ci (x > 0 et x < 0). Quelle est la valeur de ( E (0+) E (0)) ?
Commenter ce rsultat.
4 On considre une surface plane illimite (S) portant une charge surfacique uniforme
positive, lexception dun disque circulaire de centre O et de rayon R, dpourvu de charges.
[x'Ox] est laxe du disque, u x le vecteur unitaire port par cet axe. M est un point de [x'Ox]
tel que OM = x.u x .
a) Montrer que le champ lectrostatique au point M (avec x > 0) peut sexprimer par :
x
E=
ux
2 R 2 + x 2

NOTE : On rappelle que langle solide dlimit dans lespace par un cne de demi-angle au
sommet a pour valeur = 2 (1 cos ) .
b) Lexpression de E est-elle change pour x < 0 ? Justifier la rponse
c) Exprimer la diffrence de potentiel VO VM entre les points O et M en fonction de x, R, et
0 .
Application numrique : Calculer VO VM pour x = R = 10 cm et = 107 Cm2
d) Un oprateur dplace de faon rversible, une charge q, le long de laxe du point M1
dabscisse x1 au point M2 dabscisse x2. Exprimer le travail de loprateur, Top en fonction de
q, x1 et x2
Application numrique : Calculer Top pour q = 105 C, x1 = R et x2 = 2R avec R = 10cm.

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Devoir de synthse 2

Mercredi 13 juin 2012

Devoir de Synthse de physique 2


Dure de lpreuve : 3h
Les documents sont interdits. La calculatrice est autorise.
Les rsultats devront tre donns sous forme littrale avant toute application numrique.
Le plus grand soin sera apport la rdaction, aux justifications des rsultats et la
prsentation. Le barme en tiendra compte.
Ce sujet est constitu de trois parties totalement indpendantes quil est possible daborder dans
nimporte quel ordre.
Expression des oprateurs en coordonnes cylindriques :
~ U = U ~ur + 1 U ~u + U ~uz
~ = grad
U
r
r
z
~ E
~ = div E
~ = 1 (r Er ) + 1 E + Ez
.
r r
r
z
U

Condensateur cylindrique
R2

On considre un condensateur cylindrique constitu de deux armatures mtalliques infiniment fines, de hauteur h, et de rayon respectifs R1 et R2 (voir
la figure 1, R2 R1 reste petit devant h). Lespace entre les deux armatures est vide dans un premier temps. Les deux armatures sont relies une
source de potentiel maintenant leurs bornes une diffrence de potentiel
U = V1 V2 constante.

R1

F IGURE 1

I.1. En appelant Q la charge porte par larmature interne, calculer la capacit C0


de ce condensateur en fonction de h, 0 , R1 , et R2 . On demande ici un calcul dtaill, incluant
les proprits topographiques des champs vectoriels utiliss.
I.2. Calculer lincertitude C0 sur cette capacit.
I.3. Application numrique : h = 20 cm, R1 = 5 cm, R2 = 6 cm. Calculer C0 et C0 . La hauteur
h est estime avec une incertitude de 1 mm et les diamtres 0,1 mm. On rappelle que 0 =
1
F.m1
U
36109
On remplit ce condensateur avec deux dilectriques parfaits, dmunis
de charges libres (ou charges "vraies"). Le premier, de permittivit
absolue 1 , remplit lespace compris entre les rayons R1 et Rd (voir
la figure 2). Le second, de permittivit absolue 2 , remplit lespace
compris entre les rayons Rd et R2 .

1
R2

R1
Rd

~
I.4. Dterminer les vecteurs dplacement (induction) lectrique D,
F IGURE 2
~ polarisation P~ dans tout lespace entre les deux
champ lectrique E,
armatures mtalliques. Les donnes seront prises parmi les paramtres : 1 (densit de charges
libres sur larmature interne du condensateur situe r = R1 ), 1 , 2 , Rd , R1 , R2 .
I.5. Dterminer les densits surfaciques P et volumiques P de charges
de polarisation dans cet espace sans oublier les charges dans la
zone linterface entre les deux dilectriques.
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I.6. Calculer la charge totale de polarisation prsente dans tout le


systme. Expliquer le rsultat trouv.
II

Capteur bas sur une mesure de capacit

On considre prsent un dispositif constitu dune lectrode mtallique cylindrique de rayon R1


(lectrode intrieure) entoure dun dilectrique de permittivit absolue de rayon extrieur R2 , le tout
immerg dans leau contenue dans un rcipient cylindrique (leau fera office par la suite dlectrode
extrieure). La hauteur de leau est h et le rayon du rcipient est R3 (voir figure 3). On notera e la
rsistivit de leau.
Pour le calcul de la rsistance totale de leau contenue dans le rcipient, on fait lhypothse que les
lignes de champs lectriques sont radiales.
II.1. Dterminer la rsistance Re de leau contenue dans le rcipient. Pour cela, on calculera la rsistance dun manchon cylindrique creux dont le rayon interne est R2 et le rayon externe R3 , rempli
par un conducteur ohmique de rsistivit e , avec les hypothses proposes sur la forme des lignes
de champ. On pourra pour cela associer convenablement des rsistances lmentaires dR.
II.2. Application numrique : calculer la rsistance Re avec : h = 100 cm, e = 10 106 .cm,
R1 = 1 cm, R2 = 2 cm, R3 = 5 cm. La mesure directe de la rsistance Re donne Re = 27 k.
Commenter ce rsultat.
On prendra par la suite Re = 27 k.
R1
R2
uz

R3

1111
0000
1111
0000
1111
0000
1111
0000 111
000
00000
11111
0000
111
000
000001111
11111
1111
0000
000
00000
11111
0000
1111
111
111
000
00000
11111
1111
0000
111
000
00000
11111
0000
e 1111
111
000
00000
11111
1111
0000
111
000
00000
11111
1111
0000
111
000
000001111
11111
0000
111
000
00000
11111
0000
111
000
000001111
11111
1111
0000
111
000001111
11111
0000 000
111
000
Dielectrique

ur

0000
1111
0000
1111
0000
1111
0000
1111
0000
1111
0000
1111
0000
00001111
1111
0000
1111
0000
1111
0000
00001111
1111
0000
0000
1111
e 1111
0000
00001111
1111
0000
1111
0000
1111
0000
00001111
1111
0000
1111
0000
1111
0000
00001111
1111
0000
1111
0000
1111
0000
00001111
1111

u(t)

000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111
000
111

C
Re

i(t)

u(t)

i(t)

F IGURE 4

Electrode interne

F IGURE 3

Comme indiqu au dbut de cette section, leau, malgr sa rsistivit, sera considre comme llectrode
externe dun condensateur cylindrique de capacit C (llectrode interne tant constitue par llectrode
mtallique de rayon R1 ). On modlise dans un premier temps ce systme par une rsistance Re (quon
nomme "rsistance daccs") branche en srie avec une capacit parfaite C. On cherche mesurer
la capacit C. Pour cela, on branche sur ce systme un gnrateur dlivrant une tension sinusodale
u(t) de frquence f variable et damplitude U0 . On visualise loscilloscope le courant i(t) circulant
dans le systme (mesur grce un shunt de rsistance ngligeable) et la tension u(t) aux bornes du
systme Re + C (Figure 4).
Pour une frquence du gnrateur de 1 Hz, on mesure un dcalage temporel de 102,8 ms entre u(t)
et i(t). On constate galement que u(t) est en retard sur i(t).
II.3. Reprsenter schmatiquement les fonctions sinusodales correspondant i(t) et u(t). On veillera
faire un schma lchelle en prenant pour lchelle temporelle 1 seconde = 8 cm. On ne se
souciera pas de lchelle verticale. On inclura imprativement une lgende dans le dessin.
II.4. Calculer le dphasage de u(t) par rapport i(t) pris comme rfrence des phases. Prciser son
signe. Si i(t) = I0 cos(t), donner lquation gnrale de u(t), damplitude U0 en prcisant vos
notations.
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II.5. Calculer la valeur numrique de C fournie par cette mesure de dphasage. Que pensez vous de
cette valeur ?
Quand on continue baisser la frquence du gnrateur sinusodal, on constate que le dphasage entre
le courant i(t) et la tension u(t) devient nul.
II.6. Le modle utilis pour dcrire le systme peut-il rendre compte de cette mesure ? Justifier trs
exactement votre rponse.
Pour dcrire les phnomnes observs, on suppose que le dilectrique prsent dans la structure nest
pas parfait et on ajoute dans le modle une rsistance de fuite Rf en parallle avec C, le tout tant en
srie avec Re .
II.7. Montrer qualitativement que les mesures prcdentes peuvent tre expliques par la prsence de
cette rsistance additionnelle. En dduire une mthode pour mesurer Rf connaissant Re .
On a vu en TP/TD que ce dispositif pouvait tre utilis comme capteur de niveau pour mesurer la
hauteur de liquide contenu dans la cuve. Dans la section suivante, nous allons voir une autre mthode
pour mesurer prcisment les diffrents composants Re , Rf et C de ce systme.
III

Pont de Wheatstone

Le pont de Wheatstone est un montage permettant de mesurer une impdance inconnue par ajustement
dune impdance connue. Nous allons nous intresser au principe dun tel pont puis voir comment
lutiliser pour mesurer limpdance du dispositif de la section prcdente.
Etude du pont de Wheatstone

us =

Z2 Z3 Z1 Z4
u
(Z 1 + Z 3 ) (Z 2 + Z 4 ) e

Z3

III.1. Montrer que

us
4

ue

Z2

Le pont de Wheatstone est constitu de quatre diples assembls comme reprsent sur la figure ci-contre. On applique une
tension sinusodale ue de pulsation entre les points A et B
et on mesure la tension us entre les points C et D une fois
atteint le rgime permanent.

Rponse frquentielle dans un cas particulier

Dans un premier temps, on sintresse la rponse frquentielle de ce pont lorsquon prend des constituants choisis arbitrairement pour Z 1 , Z 2 , Z 3 et Z 4 . Ainsi, on prend pour les diples dimpdance Z 1 et
Z 4 des conducteurs ohmiques de mme rsistance R ; pour le diple dimpdance Z 2 un condensateur
de capacit C et pour celui dimpdance Z 3 une bobine dinductance L. Par ailleurs, on rappelle les
dfinitions suivantes :
La fonction de transfert est la fonction :
H(j ) =

us
ue

Le gain rel H et la phase sont respectivement le module et largument de H.


Le gain en dcibel est dfini par GdB = 20 log H.
Le diagramme de Bode est la reprsentation du gain en dcibel et de la phase en fonction du
logarithme de la pulsation.
III.2. crire la fonction de transfert en fonction de R, C, L et . En dduire les expressions du gain
rel et de la phase. On supposera L > CR2 .
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III.3. tudier le comportement asymptotique aux basses et hautes frquences du gain en dcibel. Dans
chacun de ces domaines, mettre le gain en dcibel sous la forme : GdB () = a + b log .
III.4. Reprsenter lallure du diagramme de Bode pour le gain en dcibel (on se limitera reprsenter
les asymptotes).
III.5. De quel type de filtre sagit-il parmi les suivants : passe-bas, passe-haut, passe-bande. Justifier
votre rponse.
Utilisation du pont

Pour mesurer une impdance inconnue avec le pont de Wheatstone, on utilise la proprit suivante :
Lorsque Z 1 Z 4 = Z 2 Z 3 , on a us = 0 quelque soit . On dit alors que le pont est
quilibr.
Ainsi, en supposant que limpdance Z 2 est limpdance inconnue que lon recherche, on procde comme
suit :
On fixe les impdances Z 1 et Z 4 . Ici, nous prendrons comme prcdemment Z 1 = Z 4 = R.
On dfinit un modle pour limpdance Z 2 laide dexpriences prliminaires. Nous supposerons
que le diple dimpdance Z 2 est constitu dun condensateur C en parallle avec une rsistance de
fuite Rf , le tout en srie avec une rsistance dentre Re (voir figure 3.1).
On choisit pour le diple dimpdance Z 3 un assemblage de composants susceptible de permettre
dquilibrer le pont. Nous prendrons une bobine relle, constitue dune inductance L et dune
rsistance R1 , en parallle avec une rsistance R2 (voir figure 3.2).
Par des manipulations successives, on ajuste progressivement les valeurs des composants constituants
Z 3 jusqu ce que le pont soit quilibr.
Rf

R2
Re

R1

!"#$% &'( ) Z 2

!"#$% &'* ) Z 3

Le but de cette partie est dlaborer un protocole permettant dajuster exprimentalement L, R1 et


R2 jusqu ce que le pont soit quilibr pour pouvoir en dduire les valeurs de C, Re et Rf .
III.6. Modlisation de Z 3 :
(a) Donner lexpression de limpdance Z 2 en fonction de C, Rf , Re et .
(b) Faire de mme pour limpdance Z 3 en fonction de L, R1 , R2 et .
(c) A partir des relations obtenues aux questions prcdentes, justifier sans calcul que la modlisation choisie pour Z 3 est susceptible de permettre dquilibrer le pont
III.7. Relations :
(a) Donner des quivalents purement rsistifs de Z2 et de Z3 basse frquence et haute
frquence.
(b) En dduire Re et Rf en fonction de grandeurs prises parmi R,R1 , R2 et L en crivant que
le pont est quilibr pour les deux domaines de frquence prcdents.
(c) En dduire finalement C en fonction de grandeurs prises parmi R,R1 , R2 et L. Indication :
Z1 Z4
comparer les expressions de Z2 et
.
Z3
III.8. Proposer un protocole permettant de raliser lquilibrage du pont.
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