Un apercu du chapitre 1. Notion de petit signal 2. Notations 3. Mod`ele petit-signal de la diode `a jonction pn 4. Schema equivalent dun amplificateur `a quatre bornes 5. Mod`ele petit-signal du transistor bipolaire 6. Capacites de couplage et capacites de derivation 7. Montages en emetteur commun 8. Montage en base commune 9. Montage en collecteur commun 10. Amplificateurs `a plusieurs etages ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.1
1. Notion de petit signal
Dans ce chapitre, nous allons etudier des variations de faibles amplitudes de tensions et de courants, autour de leur valeur de polarisation. Considerons par exemple une diode pn, dont nous etudions le comportement autour du point de polarisation
vD = VD Q . iD = ID La tension et le courant varient en fonction du temps comme vD (t) = VD + vd (t) et iD (t) = ID + id(t) o` u VD et ID sont constants tandis que vd(t) et id(t) representent le signal. Nous nous limiterons aux faibles signaux, cest-`a-dire |vd| |VD | et |id| |ID |. ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.2
2. Notations Exemple dun signal sinusodal :
vD (t) VD
vd (t0 )
t0
Notations : Grandeur de polarisation : en lettres majuscules, VD . Grandeur de signal : en lettres minuscules, vd. Grandeur totale : symboles en minuscule, indice en majuscule, vD . ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.3
3. Mod` ele petit-signal de la diode ` a jonction pn ID IS eVD /VT
Caracteristique grand-signal: iD = IS
evD /VT
1
iD
approximation petit-signal
o` u VT = kT /e.
courbe i v point de repos
en polarisation directe, vD
iD IS evD /VT .
Lin earisation : vD = VD +vd et iD = ID +id o` u |vd/VD | 1 et |id/ID | 1 On a iD iD
Sch ema equivalent dun amplificateur ` a un etage RS
rout vin
vi
rin
RL vout
A vo vi
(source petit-signal de tension de Thevenin vin et de resistance de Thevenin RS ;
resistance de charge RL). Gain en tension : Av
vout rin RL = Avo . vin rin + RS RL + rout
Remarquez les divisions potentiometriques `a lentree et `a la sortie !
Id ealement, rin RS et rout RL . ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.7
Cascade de deux etages RS
a rout2
rout1 vin
vi
rin1
rin2
A vo1 vi
RL Avo2 vab
Entre les deux etages, au droit de ab : division potentiometrique
vab =
rin2 (Avo1 vi) . rin2 + rout1
Idealement, rin2 rout1 !
Conclusions g en erales : pour chaque etage, on cherche `a obtenir une grande resistance dentree rin une petite resistance de sortie rout ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.8
5. Mod` ele petit-signal du transistor bipolaire On consid`ere un transistor fonctionnant en amplification, cest-`a-dire en mode actif normal ! Appliquer la methode suivie pour etablir le mod`ele petit-signal de la diode pn : Grandeurs de polarisation : IC et VBE , avec IC
B ISBE eVBE /VT .
Grandeurs totales : iC = IC + ic et vBE = VBE + vbe
Lin earisation : developper lexponentielle au premier ordre en puissance de vbe/VT , pour obtenir ic =
Param` etres incr ementaux du BJT La linearisation constitue une approximation valide pour |vbe| VT . transconductance gm : gm
IC iC ic = = . =
vbe vBE Q VT
Typiquement, avec IC 1 mA, on a gm 40 mS.
r esistance dentr ee r :
vbe VT vBE r = = = .
ib iB Q IB Remarquez que comme IB = IC /, on a gmr = . Typiquement, avec = 100, on a r 2.5 k. ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.10
r esistance d emetteur re :
vbe VT vBE re = = = .
ie iE Q IE Remarquez que comme IE = IC /, on a gmre = . De plus, comme gmr = et gmre = = /(1 + ), on a r = (1 + ) re . Typiquement, avec 1, on a re 25 . r esistance de sortie ro (associee `a leffet Early) : Rappelez-vous quavec leffet Early, vBE /VT
6. Capacit es de couplage et capacit es de d erivation Imp edance complexe dun condensateur : Z(j) =
1 1 = , jC j2f C
o` u f est la frequence du signal. On a |Z(j)| si f 0 et |Z(j)| 0 si f . Un condensateur se comporte donc approximativement comme un circuit ouvert aux basses frequences (polarisation) et comme un court-circuit aux hautes frequences (signal).
Ampli emetteur commun : discussion des r esultats Gain en tension Av
(RC kro) (RC kro) = gm . RS + r 1 + RS /r
La sensibilite de Av vis-`a-vis des variations de est reduite et le gain est accru
si RS r , auquel cas Av gm(RC kro). Cette condition est habituellement difficile `a realiser. En pratique, ro RC et (RC kro) RC . En presence dune r esistance de charge RL, Av
Ampli EC + RE : discussion Gain en tension : en pratique, 1 et RE re. Donc, Av
RC RC Av RS + (1 + )(re + RE ) RE
R esistance dentr ee : rin = (1 + )(re + RE ) r`egle de reflexion ! On peut egalement exprimer rin comme ceci : rin = (1 + ) re (1 + RE /re) = r (1 + RE /re)
reduction de la sensibilite de Av vis-`a-vis des variations param`etres incrementaux. augmentation de rin dun facteur 1 + RE /re RE /re. diminution de la tension vbe dun facteur 1 + RE /re. Ceci permet de satisfaire la condition |vbe| VT pour une plus grande plage de la tension dentree. Inconvenient : diminution du gain Av dun facteur 1 + RE /re.
Le gain ne depend pratiquement pas des param`etres incrementaux.
ic = . ie Le param`etre porte egalement le nom de gain en courant en base commune.
Une question de vocabulaire : gain en courant Ai
Pas dinversion de phase : Av > 0 !
R esum e : gain en tension appreciable, gain en courant unitaire, faible resistance dentree, resistance de sortie appreciable. ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.25
9. Amplificateurs ` a collecteur commun ou suiveur de tension ou emetteur suiveur R esistance dentr ee tr`es grande !
VCC
RS
rin = (1 + )((RLkro) + re),
C + v in
vout rin
Gain en tension :
RL
I VEE
Avo
rout
Av
Av
R esistance de sortie rout =
RS re + 1+
RL
r o .
ve (RLkro) = vb (RLkro) + re rin vout = Avo vin rin + RS (1 + )(RLkro) . RS + (1 + )(re + RLkro)
Pas dinversion de phase : Av > 0 ! Gain en courant appr eciable : en negligeant leffet Early, Ai
ie = 1 + . ib
R esistance de sortie tr` es faible voir la r`egle de reflexion R esum e : gain en tension unitaire, gain en courant appreciable, grande resistance dentree, faible resistance de sortie un etage de sortie ou un transformateur dimp edance. ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.27
10. Amplificateurs ` a plusieurs etages Gain en tension de la cascade de plusieurs etages Av1
Av2
Av3
vout
vin
Av =
vout = Av1 Av2 Av3. vin
Gain en tension exprim
e en d ecibels : Av (dB) = 20 log10 (Av ) = Av1(dB) + Av2(dB) + Av3(dB). Effets de chargement : chaque etage constitue une charge pour letage precedent. Attention donc aux divisions potentiometriques defavorables ! ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux
5.28
Cascade de deux etages : emetteur commun collecteur commun VCC
![[COURS] Les transistors à effet de champ(2007-02-27)](https://imgv2-2-f.scribdassets.com/img/document/91065587/149x198/250198a3da/1390699029?v=1)
