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Chapitre 5 : Amplificateurs `

a faibles signaux `
a
transistors bipolaires
ELEN075 : Electronique Analogique

ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux

Un apercu du chapitre
1. Notion de petit signal
2. Notations
3. Mod`ele petit-signal de la diode `a jonction pn
4. Schema equivalent dun amplificateur `a quatre bornes
5. Mod`ele petit-signal du transistor bipolaire
6. Capacites de couplage et capacites de derivation
7. Montages en emetteur commun
8. Montage en base commune
9. Montage en collecteur commun
10. Amplificateurs `a plusieurs etages
ELEN075 : Electronique Analogique / Amplis BJT `a faibles signaux

5.1

1. Notion de petit signal


Dans ce chapitre, nous allons etudier des variations de faibles amplitudes de
tensions et de courants, autour de leur valeur de polarisation.
Considerons par exemple une diode pn, dont nous etudions le comportement
autour du point de polarisation

vD = VD
Q
.
iD = ID
La tension et le courant varient en fonction du temps comme
vD (t) = VD + vd (t) et iD (t) = ID + id(t)
o`
u VD et ID sont constants tandis que vd(t) et id(t) representent le signal. Nous
nous limiterons aux faibles signaux, cest-`a-dire
|vd| |VD | et |id| |ID |.
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5.2

2. Notations
Exemple dun signal sinusodal :

vD (t)
VD

vd (t0 )

t0

Notations :
Grandeur de polarisation : en lettres majuscules, VD .
Grandeur de signal : en lettres minuscules, vd.
Grandeur totale : symboles en minuscule, indice en majuscule, vD .
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5.3

3. Mod`
ele petit-signal de la diode `
a jonction pn
ID IS eVD /VT

Caracteristique grand-signal:
iD = IS

evD /VT


1

iD

approximation
petit-signal

o`
u VT = kT /e.

courbe i v
point de repos

en polarisation directe,
vD

iD IS evD /VT .

Lin
earisation : vD = VD +vd et iD = ID +id o`
u |vd/VD | 1 et |id/ID | 1
On a iD
iD

Taylor

IS evD /VT = IS eVD /VT evd/VT = ID evd/VT




ID
vd
vd
vd = id = iD ID =
= ID +
ID 1 +
VT
VT
rd

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5.4

Mod`
ele petit-signal de la diode (suite)

vd
VT
vD
.
o`
u rd
=
id =
rd
ID
iD Q

Cette approximation est valide si |vd| VT .


Typiquement, avec ID 1 mA et VT 26 mV, on a rd 26 .

Sch
emas
electriques
equivalents :
1. polarisation

2. petit-signal

ID = IS eVD /VT

id =

ID

id
ID (VD )

VD

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vd
rd

vd

5.5

4. Sch
ema
equivalent dun amplificateur `
a quatre bornes
rout
vi

rin

vout

A
vo vi

Param`
etres petit-signal :
rin : resistance dentree
Avo : gain en tension en boucle ouverte
rout : resistance de sortie

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5.6

Sch
ema
equivalent dun amplificateur `
a un
etage
RS

rout
vin

vi

rin

RL vout

A
vo vi

(source petit-signal de tension de Thevenin vin et de resistance de Thevenin RS ;


resistance de charge RL).
Gain en tension :
Av

vout
rin
RL
=
Avo
.
vin
rin + RS
RL + rout

Remarquez les divisions potentiometriques `a lentree et `a la sortie !


Id
ealement, rin RS et rout RL .
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5.7

Cascade de deux
etages
RS

a
rout2

rout1
vin

vi

rin1

rin2

A
vo1 vi

RL
Avo2 vab

Entre les deux etages, au droit de ab : division potentiometrique


vab =

rin2
(Avo1 vi) .
rin2 + rout1

Idealement, rin2 rout1 !


Conclusions g
en
erales : pour chaque etage, on cherche `a obtenir
une grande resistance dentree rin
une petite resistance de sortie rout
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5.8

5. Mod`
ele petit-signal du transistor bipolaire
On consid`ere un transistor fonctionnant en amplification, cest-`a-dire en mode
actif normal !
Appliquer la methode suivie pour etablir le mod`ele petit-signal de la diode pn :
Grandeurs de polarisation : IC et VBE , avec
IC

B ISBE eVBE /VT .

Grandeurs totales : iC = IC + ic et vBE = VBE + vbe


Lin
earisation : developper lexponentielle au premier ordre en puissance de
vbe/VT , pour obtenir
ic =

IC
vbe
VT

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5.9

Param`
etres incr
ementaux du BJT
La linearisation constitue une approximation valide pour |vbe| VT .
transconductance gm :
gm


IC
iC
ic
=
=
.
=

vbe
vBE Q VT

Typiquement, avec IC 1 mA, on a gm 40 mS.


r
esistance dentr
ee r :

vbe
VT
vBE
r =
=
=
.

ib
iB Q IB
Remarquez que comme IB = IC /, on a gmr = .
Typiquement, avec = 100, on a r 2.5 k.
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5.10

r
esistance d
emetteur re :

vbe
VT
vBE
re =
=
=
.

ie
iE Q IE
Remarquez que comme IE = IC /, on a gmre = .
De plus, comme gmr = et gmre = = /(1 + ), on a r = (1 + ) re .
Typiquement, avec 1, on a re 25 .
r
esistance de sortie ro (associee `a leffet Early) :
Rappelez-vous quavec leffet Early,
vBE /VT

iC = B ISBE e

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vCE
1+
.
VA

5.11

Une variation de iC (`a vBE donne) donne donc lieu `a une variation de vCE ,
caracterisee par

vCE
VA
ro =
=
.
iC Q IC
Typiquement, ro 10 `a 1000 k.

r
esistance ohmique de base rb, due aux chutes ohmiques `a linterieur de la
base :
E

p
n

Cette resistance joue un role important aux hautes frequences (plus tard).
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5.12

Mod`
eles petit-signal du transistor npn (basses fr
equences)
Mod`
eles en
b

c
rb
r

gm vbe

ro

Mod`
eles en T

gm vbe

ro

ib

ie
ro

ro

re
e

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re
e

5.13

Mod`
eles petit-signal du transistor pnp
Pour passer du npn au pnp : inverser toutes les tensions et tous les courants.
Exemple : mod`ele en ,
npn

pnp
c

b
gm vbe

ro
r

gm vbe

ro
c

gm veb

ro
c

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5.14

6. Capacit
es de couplage et capacit
es de d
erivation
Imp
edance complexe dun condensateur :
Z(j) =

1
1
=
,
jC
j2f C

o`
u f est la frequence du signal.
On a |Z(j)| si f 0 et |Z(j)| 0 si f .
Un condensateur se comporte donc approximativement comme un circuit ouvert
aux basses frequences (polarisation) et comme un court-circuit aux hautes
frequences (signal).

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5.15

Dans ce chapitre, on supposera que la fr


equence du signal est dans la gamme
des hautes frequences.
capacit
e de d
etournement

capacit
e de couplage

a
RE

vin

VEE

La polarisation ne depend pas de la


tension petit-signal vin.
A la frequence f , le petit signal
est transmis vers le reste du circuit,
represente par a.

A la frequence f , le petit-signal est


detourne de la resistance RE car la
capacite C constitue un court-circuit
`a cette frequence.

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5.16

7. Amplificateurs BJT `
a
emetteur commun ou inverseur
Gain en tension :

VCC
RC

ib
vin

vout

c
CE

RS
rin

rout

Av0
Av
ou Av

VEE

R
esistance dentr
ee :
rin = r .

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vc
= gm (RC kro)
vb
vout
(RC kro)
= gm
vin
1 + RS /r

(RC kro)
RS + r

R
esistance de sortie :
rout = (RC kro) .

5.17

Ampli
emetteur commun : discussion des r
esultats
Gain en tension
Av

(RC kro)
(RC kro)
= gm
.
RS + r
1 + RS /r

La sensibilite de Av vis-`a-vis des variations de est reduite et le gain est accru


si RS r , auquel cas Av gm(RC kro). Cette condition est habituellement
difficile `a realiser.
En pratique, ro RC et (RC kro) RC .
En presence dune r
esistance de charge RL,
Av

= gm

(RC kro)
RL
(RC krokRL)
= gm
1 + RS /r RL + rout
1 + RS /r

car rout = (RC kro).


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5.18

Ampli EC : discussion, suite


Notez linversion de phase : Av < 0 !
Une question de vocabulaire : le gain est aussi appele gain en courant en

emetteur commun. En effet, en negligeant leffet Early (ro ), le gain en


courant peut etre defini comme
Ai =

ic
= .
ib

Conclusions : gains en tension et en courant substantiels, resistance de sortie


et resistance dentree appreciables.
element de base dun amplificateur de tension !

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5.19

Ampli EC + r
esistance d
emetteur
R
esistance dentr
ee :

VCC
RS
vin

RC
c

rin

RE
CE

vout

rin = (1 + )(re + RE )
Gain en tension :

rout

RC
vc
=
vb
re + RE
vout
rin

=
Avo
vin
rin + RS
RC
=
RS + (1 + )(re + RE )

Avo

Av
VEE

Av

R
esistance de sortie

(On neglige leffet Early : ro )

rout = RC .
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5.20

Ampli EC + RE : discussion
Gain en tension : en pratique, 1 et RE re. Donc,
Av

RC
RC
Av
RS + (1 + )(re + RE )
RE

R
esistance dentr
ee :
rin = (1 + )(re + RE )
r`egle de reflexion !
On peut egalement exprimer rin comme ceci :
rin = (1 + ) re (1 + RE /re) = r (1 + RE /re)

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5.21

Ampli EC + RE : discussion (suite)

Avantages de lajout de la resistance demetteur :


reduction de la sensibilite de Av vis-`a-vis des variations param`etres incrementaux.
augmentation de rin dun facteur 1 + RE /re RE /re.
diminution de la tension vbe dun facteur 1 + RE /re. Ceci permet de satisfaire
la condition |vbe| VT pour une plus grande plage de la tension dentree.
Inconvenient : diminution du gain Av dun facteur 1 + RE /re.

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5.22

R`
egle de r
eflexion des r
esistances d
emetteur et de base

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5.23

8. Amplificateurs `
a base commune ou suiveurs de courant
R
esistance dentr
ee tr`es faible !

VCC
RC

rin = re
Gain en tension :

vin

rout

RS

Avo

I
rin

VEE

R
esistance de sortie

Av

Av

vc RC
=
= gm Rc
ve
re
vout
re
=
Avo
vin
re + RS
RC
RS + re

(On neglige leffet Early : ro )

rout = RC .
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5.24

Ampli base commune : discussion


Gain en tension : en pratique, 1 et RS re,
Av =

RC
RC

.
RS + re
RS

Le gain ne depend pratiquement pas des param`etres incrementaux.


ic
= .
ie
Le param`etre porte egalement le nom de gain en courant en base commune.

Une question de vocabulaire : gain en courant Ai

Pas dinversion de phase : Av > 0 !


R
esum
e : gain en tension appreciable, gain en courant unitaire, faible resistance
dentree, resistance de sortie appreciable.
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5.25

9. Amplificateurs `
a collecteur commun ou suiveur de tension
ou
emetteur suiveur
R
esistance dentr
ee tr`es grande !

VCC

RS

rin = (1 + )((RLkro) + re),

C
+ v
in

vout
rin

Gain en tension :

RL

I
VEE

Avo

rout

Av

Av

R
esistance de sortie
rout =

RS
re +
1+



RL r o .

ve
(RLkro)
=
vb (RLkro) + re
rin
vout
=
Avo
vin
rin + RS
(1 + )(RLkro)
.
RS + (1 + )(re + RLkro)

(RL est inclus dans le calcul de Av )

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5.26

Gain en tension : en pratique, 1 et


Av =

(1 + )(RLkro)
(RLkro)
1

RS + (1 + )(re + RLkro) (RLkro) + re

Le gain est pratiquement unitaire !


Pas dinversion de phase : Av > 0 !
Gain en courant appr
eciable : en negligeant leffet Early,
Ai

ie
= 1 + .
ib

R
esistance de sortie tr`
es faible voir la r`egle de reflexion
R
esum
e : gain en tension unitaire, gain en courant appreciable, grande
resistance dentree, faible resistance de sortie un
etage de sortie ou un
transformateur dimp
edance.
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5.27

10. Amplificateurs `
a plusieurs
etages
Gain en tension de la cascade de plusieurs
etages
Av1

Av2

Av3

vout

vin

Av =

vout
= Av1 Av2 Av3.
vin

Gain en tension exprim


e en d
ecibels :
Av (dB) = 20 log10 (Av ) = Av1(dB) + Av2(dB) + Av3(dB).
Effets de chargement : chaque etage constitue une charge pour letage
precedent. Attention donc aux divisions potentiometriques defavorables !
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5.28

Cascade de deux
etages :
emetteur commun
collecteur commun
VCC

RC1
vo1
vin +

RS

RE2

vout

RE1

Premier
etage : gain en tension (ro1 )
Av1 =

vo1
(RC1krin2)
= 1
vin
RS + (1 + 1)(re1 + RE1)

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5.29

Deuxi`
eme
etage : resistance dentree
rin2 = (1 + 2)(re2 + RE2);
gain en tension (ro2 ) :
Av2 =

vout
RE2
=
.
vo1
RE2 + re2
VCC
vo1
vout
RE2

Gain en tension du circuit : Av = Av1 Av2.

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5.30