INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERA MECNICA Y ELCTRICA

UNIDAD ZACATENCO
INGENIERA EN COMUNICACIONES Y ELECTRNICA
ACADEMIA DE ELECTRNICA
DISPOSITIVOS
Practica 5
TRANSISTOR BIPOLAR
PROFESOR: AQUINO REYES JOSE
Practica No. 5
TRANSISTOR BIPOLAR
Objetivos:
1. identificar las terminales del transistor.
2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
3. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de colector- base de
un transistor de silicio.
4. Obtener la curva caracterstica de entrada del transistor bipolar en configuracin de
emisor- comn observar su variacin con el voltaje de colector emisor.
5. Obtener las curvas caractersticas de salida en configuracin de emisor comn.
Observar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin corte,
saturacin y activa directa.
Distintos encapsulados de transistores.
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de
amplificados, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin en ingles de transfer resistor (resistencia de transferencia).
Los transistores son componentes esenciales para nuestra civilizacin porque toda la
electrnica moderna los utiliza, ya sea en forma individual (discreta) como tambin
formando parte de circuitos integrados, analgicos o digitales, de todo tipo:
microprocesadores, controladores de motores elctricos, procesador de seal,
reguladores de voltaje, etc.
Actualmente se los encuentra prcticamente en todos los enseres domsticos de uso
diario: radios, televisores, grabadores, reproductores de audio y video, hornos de
microondas, lavarropas automticas, automviles, equipo de refrigeracin, alarmas,
relojes de cuarzo, computadoras, calculadores, impresoras, lmparas fluorescentes,
equipo de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, etc.
Sustituto de la vlvula termoinica de tres electrodos o trodo, el transistor bipolar fue
inventado en loslaboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1942 por John Bardeen,
Walter HouserBrattain y William Bradford Shockley, los cuales fueron galardonados
con el premio Noble de Fsica en 1956.

Sus inventores lo llamaron as por la propiedad que tiene el transistor de cambiar su

resistencia al paso de la corriente elctrica que lo atraviesa entrando por uno de los
3 terminales (el emisor) y saliendo por otro (el colector) en funcin de la mayor o
menor corriente elctrica que, para excitarlo, se inyecte en el tercero (la base).
El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente
que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que
los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula
el paso de dichos portadores(base). A diferencia de las vlvulas el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el
diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento solo puede explicarse mediante mecnica cuntica, luego en realidad
el transistor es un dispositivo cuntico.
El transistor bipolar es el ms comn de los transistores y como los diodos, puede ser
de germanio o silicio.
Existen dos tipos de transistores: el NPN y el PNP y la direccin del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de
transistor.El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base
(B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene
la flecha en el grfico de transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos
una cantidad de corriente por una de sus patillas (base) el entregara por otra (emisor)
una cantidad mayor a esta en una factor que se llama amplificacin. Este factor se
llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
* Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b(factor de amplificacin) por
Ib (corriente que pasa por la patilla base).
* Ic=B*Ib
* Ie(corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, slo que la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro casa sale de l o viceversa.
Segn la formula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver la figura.
En el segundo grfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a ms corriente la curva es ms alta.
Material
* Osciloscopio de doble trazo
* Generador de seales
* Multmetro analgico y/o digital
* Una pinza de punta
* Una pinza de corte
* 6 cables caimn- caimn de 50cm
* 6 cables caimn- banana de 50cm

* 6 cables banana banana de 50cm

* 4cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin BNC y en el otro caimanes
* Tablilla de conexiones (protoboard)
* Fuente de voltaje CD (variable)
* Fuente de corriente CD (variable)
* 1 transistor de germanio NPN AC127
* 4 transistores de silicio BC547
* 4 resistores de 1K a watt
* 1 resistor de 100K a watt
* 1 encendedor
Experimentos:
1.- Es requisito que para antes de realizar la practica el alumno presente por escrito y
en forma concisa y breve los siguientes puntos sobre el transistor bipolar:
a) Smbolo
b) Construccin interna
c) Diagrama tpico de uniones
d) Modelo matemtico
e) Comportamiento grfico de entrada y salida
f)
Parmetros principales y su definicin
g) Circuitos equivalentes
h) Parmetros h
i) Polarizacin tpica
El profesor deber revisar que el alumno cumpla con este punto antes de entrar a
laboratorio, as como que se presente con los circuitos correspondientes debidamente
armados, de NO satisfacer estas indicaciones el alumno NO tendr derecho a
quedarse en el laboratorio y se le considerara como falta al mismo.
2.-Identificar las terminales del transistor bipolar.Existen diversas formas que nos
permiten identificar las terminales de un transistor bipolar y si este es NPN o PNP, sin
embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas de especificaciones que
proporciona el fabricante y que nos indican cmo estn ubicadas las terminales de
emisor colector y base.
En el laboratorio es conveniente comprobar que esta ubicacin es correcta y que el
dispositivo este en buen estado.
En el caso que no se cuete con la informacin suficiente, mediante algunas
mediciones realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los
transistores bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.
2.1) Usar el multmetro en su funcin de hmetro y aplicar la prueba conocida como
prueba de amplificador e identificar las terminales del transistor.
a) Use un multmetro analgico en su funcin de hmetro. Mida el efecto rectificante
entre las uniones emisor - base y colector base (para el caso de un transistor NPN,
cuando se coloca el positivo de la fuente interna del hmetro en la base (P) y el
negativo en cualquiera de las otras dos terminales deber medirse baja resistencia, al
invertir la polaridad, la resistencia medida deber de ser alta (use la misma escala del
multmetro para la realizacin de estas pruebas). Entre las terminales de colector

emisor se observar alta resistencia sin importar como se coloque la polaridad de las
terminales de las uniones certificantes en el transistor bipolar y el tipo de transistor
NPN o PNP. Para distinguir la terminal del colector de la terminal de emisor ser
necesario aplicar la prueba del amplificador
b) Habiendo identificado la terminal de base de las otras dos terminales y el tipo de
transistor NPN o PNP la prueba del amplificador consiste en lo siguiente: Para el caso
del NPN, conectar el positivo del hmetro a la terminal que supuestamente es el
colector y el negativo al emisor, la lectura que debe de aparecer en el hmetro es de
alta resistencia, en seguida hacer contacto con el dedo entre colector y la base (esto
es equivalente a colocar entre estas terminales una resistencia de orden de M ohms)
y observar la disminucin de la resistencia medida entre colector emisor, cuando la
terminal que se elige como colector es la correcta esta disminucin en el valor de la
resistencia es considerable, si la terminal elegida como colector no es tal, sino la de
emisor al efectuar dicha prueba la disminucin de la resistencia no ser tan
importante. Para estar seguro de cual es cual, deber realizarse ambos casos y
comparar las resistencias medidas.
2.2) otra forma que permite identificar las terminales de este dispositivo es mediante el
uso de un multmetro digital que nos permite medir la beta de transistor. Esto es que
elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin de la beta colocamos las
terminales del transistor como creamos que estn correctas y medimos la beta,
cuando el dispositivo est correctamente colocando la beta medida, generalmente es
grande (en la mayora de los casos mayor a 50), cuando no est bien colocados la
beta que se mide es pequea (en la mayora de los casos menores a 20 y en algunos
cosos indica circuito abierto.
2.3) Despus de identificar las terminales de sus transistores bipolares. Dibujemos en
isomtrico en la figura 1 indicando donde est el colector, el emisor y la base.

Figura 1 dibujo isomtrico del transistor bipolar indicando la base, el emisor y el

colector en un NPN y en un PNP.
3) Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
Al igual que en los diodos (uniones rectificante) se tuvo le presencia de corrientes de
fuga (generadas por los portadores minoritarios) en los transistores bipolares tambin
se presentan de tal forma si polarizamos inversamente en cualquier per de terminales
del transistor se podrn medir estas corrientes. Segn el par de terminales que elija, la
corriente tendr valores diferentes aunque del mismo orden de magnitud, es
importante recordar que estas corrientes son muy pequeas comparadas con las
corrientes de operacin del dispositivo y que adems para el caso del silicio son
muchos menores que para el germanio. En la expresin matemtica que se usa para
la corriente de saturacin inversa colector base con el emisor abierto en la figura 3
se propone un circuito para medir esta corriente y observar como varia con la
temperatura. Para esta medicin usaremos el transistor de germanio AC127
Figura 3. Circuito propuesto para medir la corriente ICBO y su variacin con la
temperatura usando el transistor de germanio.

ICBO = ICO = 4.65 mA a temperatura ambiente

ICBO1 = ICO1 = 4.83 mA a temperatura mayor que la ambiente
Para aumentar la temperatura acerque un cerillo encendido por cinco segundos.
4) Observar y medir el voltaje de ruptura de la unin base emisor y de la unin
colector base de un transistor bipolar con tecnologa planar.
Actualmente la gran mayora de los transistores bipolares estn construidos con
tecnologa planar, en ellos las regiones del emisor, base y colector presentan
diferentes concentraciones de impurezas y tamaos debido a las caractersticas de
construccin que se tienen en las uniones emisor base y colector - base, el voltaje
de ruptura que se presenta en la unin emisor base es menor que el que se
presenta en la unin colector base, llegndose en la prctica a generalizar diciendo;
que la unin emisor base de un transistor bipolar de silicio se comporta como un
diodo zener.
Arme el circuito de la figura 4 y obtenga la curva del diodo emisor base
posteriormente desconecte en emisor, conecte el colector y obtenga la curva del diodo
colector base, use una seal senoidal con voltaje pico entre 10 y 12V a una
frecuencia entre 60Hz y 1KHz.
Figura 4.a circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor base y colector
base de un transistor bipolar.
Figura4.b Curva del diodo emisor-base
Reporte el voltaje al cual rompe la unin emisor base VEB= 3 V. .
Figura 4.c. Curva del diodo colector base.
5) Obtener las curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar en configuracin
emisor comn. Observar su variacin con el voltaje de colector emisor.
Armar el circuito de la figura 5 (observar que este circuito es semejante al de la figura
4, solo haga los cambios necesarios), el cual permite obtener el comportamiento de la
unin emisor base del transistor bipolar y observar su variacin con el voltaje de
colector emisor.
Figura 5.a Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor base
en un transistor bipolar y su variacin con el voltaje colector emisor.
Figura 5.b . Curvas caractersticas de entrada del transistor bipolar
Reporte en la tabla 1 los valores medidos de corriente en la base para los diferentes
voltajes de base emisor.
Is (A) medida sobre la curva del diodo emisor-base | VBE (V) medido sobre la curva
del diodo emisor-base cuando VCE=0 v | VBE (V) medido sobre la curva del diodo
emisor-base cuando VCE=0.5 v | VBE (V) medido sobre la curva del diodo emisorbase cuando VCE=5.0 v |
20 A | 0.7 | 0.8 | 0.76 |
100 A | 0.7 | 0.81 | 0.81 |
150 A | 0.7 | 0.78 | 0.75 |
6.- Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en configuracin
de emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura. Armar el cuito

de la figura 6 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del transistor
bipolar emisor comn, para diferentes corrientes en la base.
Figura 6.a circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del
transistor bipolar
.Figura 6.b . curvas caractersticas de salida del transistor bipolar ubicando las
regiones de corte, saturacin y activa directa.
Figura 6.c curvas caractersticas del transistor bipolar.
Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje
colector emisor solicitado en la tabla 2, elija los valores adecuados para la corriente
de base, tal que la IB, haga que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los
valores de IB2 y IB3 lo hagan trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la
corriente IB4 lo lleve a la regin de saturacin.
corriente en la base (a) | MEDIR LAS VALORES DE LA CORRIENTE DE
COLECTOR IC (mA) PARA CADA UNO DE LOS VALORES |
| VCE= 0 V | VCE= 2 V | VCE= 4 V | VCE= 6 V | VCE= 8 V | VCE=10 V
| VCE= 12 V |
IB1 CORTE= | 0.00 | 0.03 | 0.03 | 0.04 | 0.06 | 0.10 | 0.13 |
IB2 ACTIVA | 0.01 | 0.07 | 0.09 | 0.04 | 0.10 | 0.11 | 0.13 |
IB3 ACTIVA | 0.01 | 0.08 | 0.09 | 0.09 | 0.11 | 0.13 | 0.11 |
IB4 SATURA | 0.04 | 0.09 | 0.09 | 0.09 | 0.09 | 0.10 | 0.91 |
Fije la corriente de base en el valor de IB3 (regin Activa), acerque un cerillo
encendido al transistor bipolar por 5seg. Y observe que le pasa a la corriente de
colector. Digas si aumento o disminuye la corriente.
4.23 mA a Temperatura ambiente y 4.83 mA mayor a temperatura ambiente por tanto
aumenta
Reporte en la grfica de abajo la curva caracterstica de salida del transistor bipolar
para la IB3 a temperatura ambiente y a mayor temperatura. Ilustre sobre la misma
grafica el cambio con diferentes colores de tinta.
Figura 7 Curva caracterstica de salida en configuracin de emisor comn para el
transistor bipolar a dos diferentes temperaturas y considerando la corriente en la base
constante.
CUESTIONARIO
1.- Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual a unin emisor
base este polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin
cero.

Unin Emisor Base. Unin Colector Base.

2.- Determinar el valor de la alfa () para las lecturas que se realizaron en el circuito
de la figura 2