Ingeniera Mecnica Automotriz

ELECTRNICA ANALGICA Y DIGITAL

TEMA:
Practica N.- 2 Circuitos con Transistores BJT

DOCENTE:
Ing. Pal Ortiz

INTEGRANTES:

Arichavala Mauricio
Coronel Emilio
Chicaiza Gustavo
Ochoa Sergio
Valdez Manuel

GRUPO:
N.- 5

NIVEL:
Sptimo

FECHA:
22 de Noviembre del 2015

PracticaN.2

AO - LECTIVO:
2015-2016
1. Objetivos
Objetivo General

Realizar el diseo de tres circuitos con Transistores BJT, en un protoboard y comparar los datos
obtenidos con los datos de los mismos circuitos realizados en el software i-circuit.

Objetivos especficos

Realizar los clculos tericos para todos los parmetros de polarizacin de los circuitos con Transistores
BJT planteados por el Catedrtico de Electrnica Analgica y Digital.

Identificar cada circuito con transistores BJT y ver su configuracin, para poder adquirir los
elementos y materiales que se necesitan para armar los circuitos en el protoboard.

Simular los circuitos con transistores BJT en el software i-circuit, para comparar los valores
obtenidos en el software con los valores de los clculos tericos y los valores que vamos a
obtener con un multmetro en el diseo del protoboard.

2. Antecedentes
En la actualidad la electrnica ha evolucionado tecnolgicamente acaparando la mayora de
aplicaciones industriales como la industria de telecomunicaciones, industria automotriz, etc.; ya que
la mayora de aparatos y herramientas de produccin son electrnicos.
Nuestro objetivo es conocer, analizar y comprender los conceptos bsicos electrnicos para poder a
futuro contribuir con un sistema electrnico que sea funcional para aplicar a la rea automotriz, y con
el anlisis de estos tres circuitos con transistores BJT, planteados comprenderemos la funcionalidad
que tienen dichos elementos. Ya que es sin duda los transistores son uno de los mejores inventos del
hombre diseados para operar en circuitos electrnicos como amplificador, oscilador o conmutador.
Nuestro estudio en la presente prctica consiste en armar tres circuitos con transistores BJT en un
protoboard, para poder medir con un multmetro todos los parmetros de polarizacin y comparar
con los parmetros obtenidos en las simulaciones y clculos tericos realizados.

PracticaN.2

3. Marco Terico
Transistor Bipolar o BJT1
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo de la corriente en cada caso,
lo indica la flecha que se ve en el grfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y
emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de
transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor), una cantidad
mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin.
Este factor se llama (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a (factor de amplificacin) por Ib
(corriente que pasa por la patilla base).
Ic = * Ib.
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (+1) * Ib, pero se redondea al mismo
valor que Ic, slo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o
viceversa.
Transistor Configuracin Darlington2
1 (Transistor bipolar o BJT: NPN, PNP | Electrnica Unicrom, 2015)
2 (Transistor bipolar o BJT: NPN, PNP | Electrnica Unicrom, 2015)
3

PracticaN.2

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Est
compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada.

El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2.
La ecuacin de ganancia de un transistor tpico es: IE= x IB (Corriente de colector es igual a beta
por la corriente de base).
Entonces analizando el grfico:
(1)

Ecuacin

del

primer

(2)

Ecuacin

del

segundo

transistor
transistor

es:
es:

IE1

IB1

IE2

IB2

Observando el grfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la corriente de base
del
transistor
T2.
Entonces
IE1
=
IB2
(3)
Entonces utilizando la ecuacin (2) y la ecuacin (3) se obtiene: IE2 = 2 x IB2 = 2 x IE1
Reemplazando en la ecuacin anterior el valor de IE1 (ver ecuacin (1)) se obtiene la ecuacin final
de ganancia del transistor Darlington.
IE2 = 2 x 1 x IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la de un transistor
corriente, pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. (Las ganancias se multiplican).
Si se tuvieran dos transistores con ganancia 100 ( = 100) conectados como un transistor Darlington
y se utilizara la frmula anterior, la ganancia sera, en teora: 2 x 1 = 100 x 100 = 10000. Como se
ve es una ganancia muy grande. En la realidad la ganancia es menor.
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes
muy pequeas.

PracticaN.2

Muy importante: La cada de tensin entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4 voltios
que resulta de la suma de las cadas de tensin de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7
voltios) y base a emisor del segundo transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

4. Desarrollo

Realizar el diseo de los siguientes circuitos con transistores y calcular todos los parmetros
de la polarizacin. Los requerimientos que deben cumplir se presentan en cada esquema.

Datos:

RC 900
R2 13k
Solucin:
VCE

VCC 9
4.5V
2
2

I C I E 3mA

V 0
VCC VC VCE VE 0
5

VCC 9V
I C 3mA

100

PracticaN.2

VCC RC I C VCE I E RE 0
9 900(3 103 ) 4.5 3 103 ( RE ) 0
9 2.7 4.5 3 103 ( RE ) 0

RE 600
IC I B

RE 560

IB

I C 3 103

3 105 A

100

V 0
VTh VR ,Th VD ,Z VBE VRE 0
VTh I B ( RTh ) VD , Z VBE I E RE 0

VTh 3 105 ( RTh ) 3.6 0.7 3 10 3 (600) 0

VTh 3 10 5 ( RTh ) 4.3 3 10 3 (600)

VTh 3 105 ( RTh ) 6.1

RTh

R1 R2
R1 R2

VTh

R2VCC
R1 R2

R2VCC

R1 R2
3 105

6.1
R1 R2
R1 R2
R1 R2

R2VCC 3 105 ( R1R2 ) 6.1 R1 R2

13000(9) 3 105 ( R1 )(13000) 6.1( R1 ) 79300

R1 13100
6

PracticaN.2

Datos resultantes para realizar la simulacin en un software:

VCC 9V
VCE 4.5V
I B 3 10 5 A
R1 13100
R2 13000
RC 900
RE 600

RTh

(13100)(13000)
6524.90
13100 13000

VTh

VR ,C I C ( RC ) 3 10 3 (900) 2.7V

13000(9)
4.48V
13100 13000

VR , E I E ( RE ) 3 103 (600) 1.8V

VD , Z 3.6V

VBE 0.7V

Punto de trabajo y la recta de funcionamiento de las polarizaciones del Transistor BJT

Simulacin del Circuito 1 Circuito de Polarizacin por Divisor de Voltaje (Automtico):

PracticaN.2

Diseo del Circuito de Polarizacin por Divisor de Voltaje (Automtico) en el Protoboard:

8

PracticaN.2

Datos:
I E 2 4.5mA I E
VCC 9V
VBE=1.4V

VCE

VCC 9
4.5V
2
2

R1 220k
R2 220k

1000

Solucin:
RTh

R1 R2
R1 R2

PracticaN.2

RTh

220(220)
110k
220 220

VTh

R2VCC
R1 R2

VTh

220(9)
4.5V
220 220

I E ( 1) I B
IB

IE
4.5mA

4 A
( 1) (1000 1)

IC I B
I C 1000(4 A) 4mA
VR ,Th I B RTh

VR ,Th 4 A(110k ) 0.49V

VRE VTh VR ,Th 4.5 0.49

VRE 4V
VRC VCC VRE VCE
VRC 9 4 4.5 0.5V
RE

VRE
4

IE
4.5mA

RE 888.89
10

PracticaN.2

RC

VRC
IC

RC

0.5V
4.5mA

RC 111.1
Punto de trabajo y la recta de funcionamiento de las polarizaciones del Transistor BJT

Simulacin del Circuito 2 Circuito Transistorizado en configuracin Darlington:

11

PracticaN.2

Diseo del Circuito Transistorizado en configuracin Darlington en el Protoboard:

12

PracticaN.2

Datos:
Datos:
Transistor: 2N3909-D37

I B=?
I C=2 mA

V RB=0.8 V
V BE=0.7 V

V CE=1.5 V
=100

Solucin:

I E=2 mA=I CQ=I C

V CE=1.5 V =V CEQ

V CC =2 V CEQ=2(1.5)=3V

V =

R E=

(1)

V CC 3 V
=
=0.3 V
10
10

(2)

V 0.3V
=
=150
I E 2mA
13

PracticaN.2

V BE=0.7 V

(3)

V BC=V CEV BE=1.5V 0.7 V =0.8V

(4)

V RC =V CCV CEV C=3 V 1.5 V 0.3V =1.2V

(5)

R C=

V RC 1.2V
=
=600
IC
2 mA

I B=

I C 2 mA
=
=20 A

100

R B=

V RB 0.8 V
=
=40000
IB
20 A

Punto de trabajo y la recta de funcionamiento de las polarizaciones del Transistor BJT

Simulacin del Circuito 3 Circuito de Polarizacin con Realimentacin de Colector a Base

(Semiautomtico):

14

PracticaN.2

Diseo del Circuito de Polarizacin con Realimentacin de Colector a Base (Semiautomtico)

en el Protoboard:

15

PracticaN.2

5. Anlisis de Resultados
Procedemos a comparar los resultados obtenidos en los clculos tericos, las simulaciones de los
circuitos y los circuitos armados en el protoboard.
En la tabla podemos observar los valores obtenidos:

1
Valores Tericos

Valores de la Simulacin

I B= 30 A

I B= 20.7 A

I C=3 mA

I C=2 mA

I E=3 mA

I E=2.1 mA

V CC=9 V

V CC =9 V

V TH =4.48 V

V TH =4.48 V

R TH=6524.90

R TH =6524.90

V RC =2.7 V

V RC =2.7 V

V =1.8 V

V =1.8 V

V RB=

V RB=
16

Valores de los Circuitos

armados en el Protoboard

PracticaN.2

V BE=0.7 V

V BE=0.7 V

V CE=4.5 V

V CE=4.5 V

2
Valores Tericos

Valores de la Simulacin

I B= 30 A

I B= 20.7 A

I C=3 mA

I C=2 mA

I E=3 mA

I E=2.1 mA

V CC=9 V

V CC =9 V

V TH =4.48 V

V TH =4.48 V

R TH =6524.90

R TH =6524.90

V RC=2.7 V

V RC=2.7 V

V =1.8 V

V =1.8 V

V RB =

V RB=

V BE=0.7 V

V BE=0.7 V

V CE=4.5 V

V CE=4.5 V

3
17

Valores de los Circuitos

armados en el Protoboard

PracticaN.2

Valores Tericos

Valores de la Simulacin

I B= 30 A

I B= 20.7 A

I C=3 mA

I C=2 mA

I E=3 mA

I E=2.1 mA

V CC=9 V

V CC =9 V

V TH =4.48 V

V TH =4.48 V

R TH =6524.90

R TH =6524.90

V RC=2.7 V

V RC=2.7 V

V =1.8 V

V =1.8 V

V RB =

V RB=

V BE=0.7 V

V BE=0.7 V

V CE=4.5 V

V CE=4.5 V

18

Valores de los Circuitos

armados en el Protoboard

PracticaN.2

6. Conclusiones

En el anlisis de la practica pudimos observar que los valores obtenidos en los clculos tericos,
en simulacin en el software i-circuit y armado de los circuitos en el protoboard
Para el diseo de los circuitos planteados en la prctica se debe conocer todas las
configuraciones que componen los transistores BJT y los parmetros de diseo de cada uno de
los elementos (incluyendo resistencias y diodos) para proceder el armado de los circuitos con
xito en el Protoboard.

7. Bibliografa
Disponible en:

(2.5. Rectificador de Media Onda by Othoniel ... - SlideShare, 2012)

(2.6. Rectificador de Onda Completa Othoniel ... - SlideShare, 2012)
(EL DIODO)
(Rectificadores - SlideShare, 2012)
(Condensador - Capacitor. Dielctrico - Aislante | Electrnica ...)

19