UNMSM

Facultad de Ingeniera Electrnica,

Elctrica y de Telecomunicaciones

Apellidos y Nombres

N de Matricula

Montes Carranza Julio Anibal

13190178

Curso

Tema

Dispositivos Electrnicos I

Transistor bipolar NPN

Caractersticas Bsicas

Informe

Fechas

Previo
Nmero
7

Nota

Realizacin

Entrega

23 de octubre del
2014

30 de octubre
del 2014

Grupo

Profesor

Ing. Luis Paretto Q.

Transistor bipolar NPN

Transistor C828:
Codigo
de
transisto
r

Descripcio
ny
aplicacion

Caso
Estil
o

C828

NPN-Si

TO9
2

Diag
.
N

Maxima
corriente en el
colector(Amp
) Ic
0.4

Colecto
ra
emisor
(volts)
BVceo
70

Colecto
r a Base
(volts)
BVcbo

Colecto
r a Base
(volts)
BVebo

70

Hfe

120mi
n

Disipaciio
n mxima
del
colector
(watts)
0.625

Frecuencia
(M Hz) ft

200

PROCEDIMIENTO:
a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).

Obtener el (P1 = 0 ).
b) Medir los voltajes entre colector emisor (Vce), entre base
emisor
(Vbe), y entre emisor tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2
Tabla 2
Valores
Ic (mA.)
Ib (A.)

Vce(v.)
Vbe(v.)
Ve(v.)
(R1= 56
K)
Teoricos
7.636
64
120
2.684
0.7
1.694

Datos:
R1= 56 K
R2= 22 K
Re= 0.22 k
Rc= 1 K
VBE= 0.7 v (Por ser silicio)
P1= 0 K
= 120
Formulas a usar:
Vcc ( R 2)
V= R 1+ R 2+ P1
R 2( R 1+ P1)

Rb=
R 1+ R 2+ P1
V Vbe
Ib= Rb+ ( +1 )
Ve=Ie.Re
Ic=Ib.

+12v

Ie=Ic+Ib

Resolviendo:
V=

Rb=

(22).(12)
56 +22 = 3.385 v
(22)( 56)
56+22 = 15.795 k

3.385(0.7)
Ib= 15.795+ (50 ) 0.22 =0.064mA

Ic=120(0.100)=7.636mA
Ie=7.69998mA
Vce=-(7.636)(1+0.22)+12=2.684v
Ve=(0.22)(7.69998)=1.694 v
d) Cambiar R1 a 68K , repetir los pasos (a) y (b), anotar los datos
obtenidos en la Tabla 3 (por ajuste de P1).
Tabla 3
Valores
Ic (mA.)
Ib (A.)

Vce(v.)
Vbe(v.)
Ve(v.)
(R1= 56
K)
Teoricos
6.684
56
120
3.846
0.7
2.408

Resolviendo:
V=

Rb=

(22).(12)
68+22 = 2.933 v
(22)( 56)
68+22 = 13.689 k

2.933(0.7)
Ib= 13.689+ (120 ) 0.22 =0.056mA

Ic=120(0.090)=6.684mA
Ie=10.943mA
Vce=-(6.684)(1+0.22)+12=3.846
Ve=(0.22)(10.943)=2.408 v

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100K , 250K , 500K y 1M .

Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vce
(Usar Re=0). Llenar la Tabla 5.

P1
Ic(mA.)
Ib(uA.)
Vce(v.)
-

100K
4.873
41
6.055

Para P1=100K:

(22) .(12)
V= 56+ 22+ 100 = 1.483 v
(22)( 56+100)
Rb= 56+22+100 = 19.281 k
1.483(0.7)
=-0.041mA
19.281

Ib=

Ic=120(0.061)=4.873mA
Ie=4.914mA
Vce=-(4.873)(1+0.22)+12=6.055
-

Para P1=250K:

(22) .(12)
V= 56+ 22+ 250 = 0.805v

250K
0.614
5.116
11.251

500K
- 1.378
- 11
13.681

1M
- 2.534
-21
15.091

Rb=

Ib=

(22)(56+250)
56+22+250 = 20.524 k
0.805(0.7)
=5.116 A
20.524

Ic=50(0.025)=0.614mA
Ie=0.614mA
Vce=-(0.614)(1+0.22)+12=11.251v
-

Para P1=500K:

(22).(12)
V= 56+ 22+ 500 = 0.457v

Rb=

(22)(56+500)
56+22+500 = 21.163 k

0.457(0.7)
Ib=
=- 0.011 mA
21.163
Ic=120(-0.011)=- 1.378mA
Ie=-1.389mA
Vce=-(-1.378)(1+0.22)+12=13.681v
-

Para P1=1000K:

(22).(12)
V= 56+ 22+ 1000 = 0.245v

Rb=

Ib=

(22)(56+1000)
56+22+1000 = 21.551k
0.245(0.7)
=- -0.021mA
21.551

Ic=120(-0.021)=- 2.534mA
Ie=-2.555mA

Vce=-(-2.534)(1+0.22)-12=15.091v