POLARIZACION DEL BJT DIVISOR DE VOLTAJE (H)

Objetivos:
Objetivo General:
Analizar y comprobar las caractersticas de polarizacin del BJT utilizando solamente
una fuente de alimentacin.
Objetivos Especficos:
Realizar y observar la polarizacin de un transistor bipolar mediante divisor de
voltaje, fuente de corriente en el emisor y por medio de la utilizacin de una carga
activa.
2. Concluir sobre cada una de las polarizaciones teniendo en cuenta lo observado en el
laboratorio.
1.

FUNDAMENTO TEORICO
Polarizacin de un transistor bipolar (NPN):
La polarizacin de un transistor BJT consiste en la configuracin electrnica,
alrededor del dispositivo, que se hace con el fin de localizar a este en alguna de sus
regiones de trabajo, obteniendo corrientes y voltajes fijos, previamente decididos.
Existen distintos tipos de polarizacin, cada uno con distintas caractersticas,
modelos, recursos y anlisis, las utilizadas durante esta prctica fueron:

Polarizacin por divisor de voltaje.

Polarizacin con fuente de corriente en el emisor (Espejo de corriente bsico).
Polarizacin con fuente de corriente en el emisor y carga activa.

Polarizacin por divisor de voltaje:

Ilustracin 1. Polarizacin por divisor de

voltaje.

Esta polarizacin como la

mayora de las de BJT NPN
coloca en directo la unin
emisor-base y en inverso la
colector-base, por medio de una
fuente de voltaje Vcc que en el
caso del colector pasa primero
por una resistencia llamada Rc,
que es una de las principales
causantes de la corriente en este
terminal, mientras que en el
caso de la base podemos
observar la configuracin que
le
da
nombre
a
esta
polarizacin.

El divisor de voltaje en la base

brinda a este terminal la tensin
presente en la resistencia inferior.
R2, con una impedancia que es el
paralelo entre las 2 resistencias que
intervienen en el divisor.
1 osciloscopio

V bb=
Rb=

V cc . R2
R 1+ R 2

R1 . R 2
R1 + R2

Equipos y materiales

1 multitester
1 generador de onda

 1 fuente DC9
resistencias,1k,3.9k, 33k,
5.6k.
1 transistor BC548
equivalente

R1
33k

R2
3.9k

Q1

V1
8V

BC548BP
R4
5.6k

XMM1

R3
1k

XMM2

Procedimiento
1. Implementar
el
siguiente
circuito,
respetando
los
valores de los componentes,
medir los voltajes en los
puntos
especificados
y
amatarlos en las siguientes
tablas

R1
33k

R2
3.9k

Q1

V1
8V

BC548BP
R4
5.6k

XMM1
R3
1k

Tabulando los resultados de los voltajes

tenemos

Datos
2. Medir las corrientes en los terminales
especificados y anotarlas en la siguiente
tabla.
R1
33k XMM3

R2
3.9k

XMM1

Q1

V1
8.04 V

BC548BP
R4
5.6k

XMM2

R3
1k

Vales
Valores Valores
prcticos tericos simulados
VC
2.1v
5.375v
5.939v
VE
2.1v
0.46v
0.53v
VB
2.8v
1.16v
1.15v
VCE
0.012v
5.835v
5.409v
VBE
0.7v
0.7v
0.62v
VCC
8.04v
8.04v
8.04v
VRC
5.6v
2.06v
3. Determinar el punto de operacin
del transistor y dibuje la reta de
carga.

Sabemos:

Entonces: IC=1.64mA
VCE=VCC=8.04v

recta de carga
2
1.5

Corrientes en las terminales

Ic (mA)

0.5
datos

Valores
prcticos

IC
IE

1.3mA
2.3mA

IB
ICC

valores
tericos

0.45mA
0.4515m
A
0.8mA 0.0016m
A
2.38mA 0.74mA

valares
simulados

0
0

0.533mA
0.535mA

4
Vce

0.001mA
0.74mA

ICEQ=0.455mA

VCEQ=5.83V
IBQ=0.001mA

Regin de operacin:
Pcmax=V CE I C =5.835 x 0.45=2.62 mW

4. Determinar la zona (regin) de

operacin del transistor