Efeito do tunelamento quântico em dispositivos semicondutores

UNIVERSIDADE FEDERAL DO VALE DO SO
FRANCISCO
ABORDAGEM TERICO EXPERIMENTAL DO

EFEITO DO TUNELAMENTO QUNTICO EM
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
AROLDO FERREIRA LEO
Juazeiro/BA
2009
AROLDO FERREIRA LEO
ABORDAGEM TERICO EXPERIMENTAL DO

EFEITO DO TUNELAMENTO QUNTICO EM
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Dissertao apresentada Universidade

Federal do Vale do So Francisco como
requisito parcial para obteno do grau de
Mestre em Cincia dos Materiais.
Orientador: Prof. Dr. Tlio Nobre Leite

Co-orientador: Prof. Dr. Helinando Pequeno de Oliveira
Juazeiro/BA
2009
IV
Folha de Catalogao Elaborada pela Universidade Federal do Vale do

So Francisco Biblioteca do Campus de Juazeiro/BA
869.1
L438a LEO, Aroldo Ferreira,
ABORDAGEM TERICO EXPERIMENTAL DO EFEITO DO
TUNELAMENTO QUNTICO EM DISPOSITIVOS
SEMICONDUTORES / Aroldo Ferreira Leo Juazeiro/BA, 2009.
Dissertao (Mestrado) - Universidade Federal do Vale do So
Francisco
Orientador: Dr. Tlio Nobre Leite
Co-Orientador: Dr. Helinando Pequeno de Oliveira
1. Tunelamento 2. Semicondutores. 3. Cincia dos Materiais
4. Fsica Quntica 5. Fenmenos de Transporte
I. Brasil II. Universidade Federal do Vale do So Francisco
A comunidade dos pesquisadores uma espcie de

rgo do corpo da humanidade: alimentado por
seu sangue, esse rgo secreta uma substncia
essencial vida que deve ser fornecida a todas as
partes do corpo, na falta da qual ele perecer. Isso
no quer dizer que cada ser humano deva ser
atulhado de saberes eruditos e detalhados, como
ocorre freqentemente em nossas escolas nas quais
[o ensino das cincias] vai at o desgosto. No se
trata tambm de o grande pblico decidir sobre
questes estritamente cientficas. Mas necessrio
que cada homem que pensa tenha a possibilidade
de participar com toda lucidez dos grandes
problemas cientficos de sua poca e isso, mesmo
se sua posio social no lhe permite consagrar
uma parte importante de seu tempo e de sua
energia reflexo cientfica. somente quando
cumpre essa importante misso que a cincia
adquire, do ponto de vista social, o direito de
existir.
ALBERT EINSTEIN
VI
Este trabalho dedicado as minhas

filhas,
Isabela
Isadora,
verdades
maiores em meu corao carregado de

temores e singularidades.
VII
AGRADECIMENTOS
A Deus, pela fsica quntica, o magnetismo, a astrofsica e a

relatividade, pelo infinito e por algo muito mais alm do que o bigbang;
A meus pais, que sempre acreditaram em mim;
Ao Professor Tlio, por sua humildade e coerncia;
Ao Professor Helinando, por sua incrvel capacidade de acreditar nos

sonhos dos outros;
Ao Professor Isnaldo, sempre prestativo e lcido;
A Ricardo Prates, o bom baiano conhecedor dos deuses gregos, pela

pacincia e sinceridade;
A Paulo, Mrio, Alexandre, Mnica, Waldiclcio,

Sandro,
companheiros do mestrado e criaturas extremamente sensveis;
A Evando, uma alma de ecos infinitamente gentis;
A Ariadne, que me faz recordar Teseu, o heri grego do labirinto de

Creta.
VIII
RESUMO
Neste trabalho, onde se evidenciou, de uma forma geral, a importncia dos

semicondutores puros (intrnsecos) e dopados (extrnsecos), voltado para a dinmica de
portadores, especificamente em diodos tnel e diodos de tunelamento ressonante,
realiza-se um estudo da fenomenologia do diodo tnel, tanto na parte terica quanto
experimental, analisando-se a interferncia dos efeitos, principalmente, da variao da
temperatura e da freqncia sobre um diodo tnel comercial (1N3712). Tambm para o
referido diodo foram obtidas curvas de corrente versus tenso, onde pde-se comprovar
a existncia, sobre uma determinada faixa de tenso, de uma regio com resistncia
diferencial negativa. J para o diodo de tunelamento ressonante, foi efetuado um estudo
terico do mesmo, atravs do modelo de densidade de corrente de tunelamento, com
nfase no clculo exato da transmisso para barreiras duplas trapezoidais assimtricas.
Neste caso, mostrou-se que a funo de onda da barreira apresenta como soluo uma
funo de Airy e a transmisso da referida barreira foi desenvolvida usando-se notao
matricial. Ao se resolver exatamente o problema de barreiras assimtricas, pde-se levar
em conta assimetrias nas propriedades dos materiais das heterojunes. Foram
levantadas importantes curvas da transmisso em funo da energia do eltron e, ainda,
da densidade de corrente de tunelamento em funo da tenso aplicada ao circuito, tanto
para barreiras simtricas quanto assimtricas, a partir do desenvolvimento
computacional de um clculo numrico efetuado atravs do programa Fortran. De uma
forma geral, o trabalho est dividido em duas partes, a primeira que trata do estudo das
propriedades fsicas de uma homojuno (diodos tnel) e a outra que trata das
propriedades fsicas de uma heterojuno (diodos de tunelamento ressonante).
IX
ABSTRACT
In this work we analyzed the behavior of strongly doped semiconductors,

especially represented by tunneling diodes and resonant tunneling diodes (RTD). To
perform this analyze, a phenomenologic study was devoted to these devices, correlating
the theoretical and experimental parts, expressed mainly in terms of temperature and
frequency of electrical field. Using a commercial tunneling diode (1N3712) we obtained
I-V curves, from which were verified singular effects as the negative differential
resistance. Relatively to the RTD, a theoretical study was perfomed, with emphasis in
the exact calculus of transmittance in double barriers, rectangular and trapezoidal. To
the last case we used as solution the Airys function and the transmission of barrier
developed from matrices notation. We analyzed the transmission curves as a function of
electron energy and the tunneling current density, applied to symmetric and antisymmetric barriers, by using a computacional development from Fortran. This work is
divided in two parts: the former related to the physical properties of a single junction
and the second assigned to the study of RTDs.
SUMRIO
CAPTULO 1 Introduo .......................................................................................... 14

CAPTULO 2 Semicondutores .................................................................................. 21
2.1 Semicondutores ......................................................................................................21

2..1.1 Breve Histrico ..........................................................................................22
2.1.2 Propriedades dos Semicondutores ...............................................................24
2.2 Semicondutores Intrnsecos ....................................................................................26

2.2.1 Massa Efetiva de eltrons e Buracos ...........................................................27
2.3 Semicondutores Extrnsecos ...................................................................................28
2.3.1 Semicondutores Extrnsecos do Tipo n ......................................................29
2.3.2 Semicondutores Extrnsecos do Tipo p ......................................................30
2.3.3 Concentrao de Portadores ......................................................................31
2.4 Dispositivos Semicondutores Diodos .................................................................32

2.4.1 A Juno p-n ...............................................................................................32
2.4.2 Heterojunes ..............................................................................................33
2.4.3 Diodos de Juno e Outros Diodos ............................................................34
Referncias Bibliogrficas ..............................................................................................36
XI
CAPTULO 3 Caracterizao Experimental

do Diodo de Tunelamento ...................................................................40
3.1 Diodo Tnel ...........................................................................................................40
3.1.1 Reviso Bibliogrfica ..................................................................................41

3.1.2 Penetrao na Barreira de Potencial ............................................................42
3.2 Caractersticas do Diodo Tnel .............................................................................44
3.2.1 Curva Caracterstica do Diodo Tnel .......................................................45

3.2.2 Caracterizao Eltrica do Diodo Tnel 1N3712 .....................................47
3.2.3 Reta de Carga para o Diodo Tnel ............................................................50
3.2.4 Reta de Carga Experimental para o Diodo Tnel 1N3712........................52
3.2.5 Aplicaes .................................................................................................53
3.3 Caracterizao Eltrica do Diodo Tnel 1N3712

nos Domnios da Temperatura e da Freqncia ...................................................55
3.3.1 Caracterizao da Temperatura ................................................................55

3.3.2 Caracterizao da Freqncia ...................................................................56
Referncias Bibliogrficas ..............................................................................................59
XII
CAPTULO 4 Anlise Terica do Diodo de Tunelamento Ressonante ......................62
4.1 Diodos de Tunelamento Ressonante .....................................................................62

4.1.1 Poo Quntico: Acmulo de Carga Espacial ............................................64
4.2 Modelo de Densidade de Corrente de Tunelamento .............................................65
4.3 Clculo Exato da Transmisso Para Duas Barreiras .............................................69
4.3.1 Transmisso para duas Barreiras Retangulares ........................................69

4.3.2 Transmisso para duas Barreiras Trapezoidais ........................................76
4.4 Resultados ............................................................................................................82

4.4.1 Curvas de Transmisso ...........................................................................82
4.4.2 Curvas de Densidade de Corrente de Tunelamento.................................90
Referncias Bibliogrficas ............................................................................................99
CAPITULO 5 Concluses e Perspectivas .................................................................103
XIII
APNDICES
Apndice 1 Clculo da massa efetiva........................................................................107
Apndice 2 Clculo da densidade de corrente de tunelamento.................................109
Apndice 3 Clculo da transmisso para uma barreira retangular............................112
Apndice 4 Clculo da equao (4.9) do Captulo 4................................................ 123
Apndice 5 Clculo da funo de onda (barreira trapezoidal)................................ 125
Apndice 6 - Clculo Numrico................................................................................ 130
Apndice 7 Data Sheet do Diodo Tnel 1N3712.................................................... 134
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Efeito do Tunelamento Quntico Introduo
Captulo 1
INTRODUO
Certa vez, Richard Feynman (1918-1988), brilhante fsico americano, fez meno ao
seguinte questionamento, numa palestra realizada em uma universidade dos Estados Unidos:
Se, por algum cataclisma, todo conhecimento cientfico fosse
destrudo, e apenas uma frase pudesse ser passada s prximas geraes, qual afirmao
conteria o mximo de informao no menor nmero de palavras? Creio que a hiptese
atmica, ou seja, que todas as coisas so feitas de tomos...
Tal afirmao de Feynman nos mostra, de forma contundente, a importncia da teoria
atmica da matria, no somente para a Fsica, porm para todas as cincias. Conseqncia
direta da Mecnica Ondulatria de Erwin Schrdinger (1887-1961), que traz em seu cerne o
conceito da Densidade de Probabilidade, o efeito tnel ou tunelamento , nos dias atuais, um
fenmeno bastante conhecido na literatura [1-3], o qual, cerca de meio sculo aps suas
primeiras aplicaes, serviu de base ao desenvolvimento, em 1982, do Microscpio do
Tunelamento de Eltrons [4-7]. O tunelamento de uma determinada partcula, que atravessa
uma barreira de potencial de espessura da ordem de 100, ou seja, da ordem do comprimento
de Broglie da mesma, um fenmeno de grande importncia para a mecnica quntica,
complexo e abrangente, no possuindo anlogo clssico e, atualmente, estudado em diversos
ramos da fsica [8-10]. O fenmeno do tunelamento permite ainda a implementao de uma
srie de outras aplicaes. As manifestaes experimentais do fenmeno foram uma das
primeiras constataes da teoria quntica. J no ano de 1920, a idia de tunelamento foi
utilizada para explicar resultados de decaimento nuclear observados pelo ingls Ernest
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Dissertao de Mestrado - Ps - Graduao em Cincia dos Materiais - UNIVASF
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Rutherford (1871-1937) na primeira dcada do sculo XX [11]. Exemplos histricos deste
fenmeno quntico so: o decaimento alfa dos ncleos em que um ncleo de Hlio (He) com
energia abaixo da barreira de potencial coulombiano tunela atravs dela, o que foi explicado
pela teoria de Gamow, Gurney e Condom[12-14]; a emisso de campo na qual eltrons so
emitidos por metais aps a aplicao de um campo eltrico externo que, ao modificar a forma
do potencial de ligao do sistema, possibilita o tunelamento de eltrons do mar de Fermi,
fenmeno que foi explicado inicialmente, de forma qualitativa, pela teoria de FowlerNordheim [15]; os microscpios de emisso e de tunelamento onde a imagem da estrutura
atmica das superfcies de certos materiais obtida atravs do resultado do tunelamento por
emisso de campo dos eltrons destes materiais [16]; as reaes de fuso nuclear onde os
ncleos envolvidos no processo de fuso precisam tunelar atravs da barreira de potencial
existente entre eles para que o processo se concretize [17]; a penetrao do tomo de
nitrognio (N) na barreira de potencial criada pelos trs tomos de hidrognio na inverso
peridica da molcula de amnia (NH3), fenmeno que, na fabricao de relgios atmicos,
foi inicialmente utilizado [18]; o tunelamento de eltrons em materiais semicondutores, tais
como nos diodos tnel, que so largamente usados nos circuitos eletrnicos rpidos devido
sua alta freqncia de resposta. Nesta rea da fsica, como veremos na presente dissertao, o
fenmeno de transmisso de portadores de carga atravs de barreiras de potencial tem uma
importncia enorme [19]; num contexto mais atualizado, podemos citar o tunelamento
ressonante de eltrons atravs de cavidades, chamadas quantum dots, que so tomos
fabricados artificialmente atravs do confinamento tridimensional de portadores de carga que
simulam, deste modo, os eltrons aprisionados em um tomo real. Este aprisionamento ocorre
na regio de juno de dois ou mais materiais diferentes (heteroestruturas qunticas), tais
como arseneto de glio (GaAs) ou arseneto de glio e alumnio (GaAlAs). Sendo assim, eles
apresentam propriedades similares quelas normalmente associadas aos tomos reais, tais
como estruturas de camadas e nveis quantizados de energia. O que os torna especiais a
possibilidade de se poder controlar seus tamanhos e suas formas atravs de uma tecnologia de
fabricao em escala nanomtrica. Esta liberdade de fabricao abre uma grande variedade de
aplicaes em vrias reas da fsica, tais como na fabricao de lasers com comprimento de
onda antes inacessveis e fabricao de chips para uma prxima gerao de computadores
mais velozes[20-22]. De fato, no tunelamento, a observao experimental uma revelao do
carter ondulatrio da matria [23]. Geralmente, o termo tunelamento refere-se ao transporte
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de partculas atravs de uma regio classicamente proibida, na qual a energia total de uma
partcula pontual clssica menor que a energia potencial da regio. Os crescentes avanos na
tecnologia de processamento de semicondutores possibilitaram a fabricao de estruturas com
dimenses da ordem de nanmetros, o que tem levado descoberta de novos fenmenos
fsicos e de dispositivos extremamente velozes. A explorao e a caracterizao de fenmenos
em materiais com dimenses nanomtricas passa, portanto, a ser uma das linhas de pesquisa
mais promissoras para o desenvolvimento de novas tecnologias. Nesta escala, a natureza
quntica da matria se manifesta claramente e os efeitos de superfcies e interfaces se tornam
importantes. Por sua vez, as nanoestruturas semicondutoras, em sua versatilidade, se adequam
investigao da fsica fundamental do tunelamento. No diodo tnel, como detalhado no
captulo 2 desta dissertao, ocorre um efeito de fundamental importncia, que se mostra
quando os lados n e p de uma juno pn so dopados to fortemente, que ocorre a
superposio das bandas de valncia e conduo, com o nvel mais baixo da banda de
conduo ficando abaixo do nvel mais alto da banda de valncia. Como existem estados
vazios disponveis com a mesma energia dos dois lados da juno, os eltrons da banda de
conduo podem atravessar a barreira de potencial por tunelamento. A corrente resultante
chamada de corrente de tunelamento [24].
O tunelamento tambm desempenha um papel dos mais importantes em inmeros
dispositivos que se baseiam em heteroestruturas semicondutoras, nos quais se verifica que o
transporte perpendicular de portadores crucial, exercendo um elo fundamental, nos diodos
de tunelamento ressonante (DTR), que podem operar em freqncias da ordem de centenas de
GHz. Historicamente, o fenmeno do tunelamento foi reconhecido logo aps os fundamentos
da teoria quntica terem sido estabelecidos. Desde os anos 50 a questo de como se conceber
e fabricar dispositivos baseados em tunelamento tem recebido um interesse enorme. Nos anos
60 foram desenvolvidas atividades relacionadas com a medida de tunelamento entre
supercondutores e metais e entre os prprios supercondutores separados por camadas isolantes
finas, que revelaram uma evidncia clara da densidade supercondutora de estados e o gap
supercondutor associado [25-26]. Diversas teorias do tunelamento foram desenvolvidas
devido a tal fato. Os diodos de tunelamento ressonante, baseados em heteroestruturas de
semicondutores, com perfil de banda de conduo ou valncia de uma barreira dupla de
potencial, ou seja, um poo quntico entre as tais duas barreiras, tiveram sua proposio,
inicialmente, em 1973, pelos fsicos Tsu e Esaki. Ainda neste mesmo ano, Leo Esaki, Ivar
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Giaever e Brian D. Josephson, receberam o Prmio Nobel de Fsica, pelo descobrimento do
efeito tnel em semi e supercondutores, os dois primeiros, e o terceiro, pelo tunelamento em
supercondutores. imperioso lembrar que tais estruturas possuem, em suas extremidades,
contatos fortemente dopados. A probabilidade de transmisso desses sistemas, que na presente
dissertao, ser devidamente calculada, tanto para uma barreira retangular simples como para
uma barreira retangular dupla, ser, tambm, detalhada, para barreiras trapezoidais e
triangulares, onde se mostrar, a partir de grficos, que essa probabilidade de transmisso
atinge valor mximo quando a energia do eltron incidente prxima energia do nvel
ligado no poo quntico. Essas so as chamadas energias de ressonncia e, por esse motivo, o
nome j classicamente consagrado, de tunelamento ressonante. A corrente tnel tem incio
quando o nvel ligado do poo quntico atinge o nvel de Fermi do emissor e decresce
rapidamente quando passa a energia mnima no emissor. Para voltagens superiores a estrutura
se torna mais transparente e a corrente aumenta novamente. A curva caracterstica correntetenso (I versus V) desses sistemas ento constituda por um pico ressonante e um mnimo
denominado de vale de corrente. Esse sistema apresenta na curva caracterstica (I versus V)
uma regio de resistncia diferencial negativa, o que fundamental para aplicaes como
osciladores de alta freqncia.
Para a presente dissertao, alm deste Captulo 1, englobando a introduo da
mesma, temos que, no Captulo 2, apresentamos os fundamentos tericos a partir do estudo
dos materiais semicondutores e seus tipos, o efeito das dopagens e a influncia da
temperatura. J no Captulo 3, est abordada a fenomenologia do diodo tnel, passando pela
sua definio e importncia histrica, o princpio de funcionamento, caractersticas principais
e seus tipos. Tambm se enfatiza a anlise terico-experimental, a partir da resposta eltrica
do diodo tnel 1N3712. No Captulo 4, se faz referncia ao diodo de tunelamento ressonante
(DTR), devido seu papel relevante na dinmica dos processos de transporte e se enfatiza o
clculo da transmisso em heteroestruturas semicondutoras de barreira dupla, onde se
apresenta os clculos exatos para a transmisso em barreiras retangular e trapezoidal. So
tambm apresentados resultados para a transmisso e a densidade de corrente. No Captulo 5,
tem-se as concluses e perspectivas do trabalho que resultou nesta dissertao, na certeza de
que estamos contribuindo, ainda que humildemente, para o progresso da cincia e do prprio
ser humano. Para cada captulo foram desenvolvidas referncias bibliogrficas, ao final dos
mesmos, no intuito de enriquecer e esmiuar, com mais sutilezas, tais captulos.
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REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
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[2] J. W. Kang; H.J. Hwang, Comput. Mater Sci. 31, 237 (2004).
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Doutorado, PUC, Rio de Janeiro, (2005).
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Em uma Parcela Variacional e uma Parcela Laplaciana Aplicado Espectroscopia
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Ressonante tipo-p, Dissertao de Mestrado, UFSCAR, So Carlos, (2007).
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Tese de Doutorado, Universidade de Newcastle, U.S.A, (2001).
[10] J. P. Perdew; E. Burke; M. Ernzerhof, Phys. Rev. Lett. 77, 3863 (2003).
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P g i n a | 19
[11] C. A. dos Santos, Do laboratrio para a fbrica, Cincia Hoje On-Line,

Universidade Estadual do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, (2007).
[12] M. A. Cndido Ribeiro, V. C. Franzoni, W. R. Passos, E. C. Silva & A. N. F. Aleixo,

Os problemas de espalhamento quntico em potenciais elementares, Revista Brasileira
De Ensino de Fsica, Vol. 26, n1, So Paulo, (2004).
[13] G. Gamow, Z. Physik 51, 204(1928); Z. Physik 52, 510 (1928).
[14] R. W. Gurney and E. U. Condom, Nature 122, 439 (1928).
[15] R. A. Millikan and C. F. Eyring, Phys. Rev. 27, 51 (1926)
[16] R. R. Alves, Espectroscopia de Tunelamento Quntico, Dissertao de Mestrado,

Unicamp, Campinas, (1994).
[17] D. Colarusso, What is Quantum Tunneling?, video, Inglaterra, (2004).
[18] C. C. Tannoudji, B. Diu and F. Lalo, Quantam Mechanics, Jonh Wiley & Sons,
New York, (1977).
[19] R. Tsu and L. Esaki, App. Phys. Lett. 22, 562 (1973).
[20] C. W. J. Beenakker and H. van Houten, in Quantum Transport in Semicondutor

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[21] C. W. J. Beenakker and A. A. M. Staring, Phys. Rev. B 46, 9667 (1992).
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P g i n a | 20
[22] N. Maitra and E. J. Helier, Phys. Rev. Lett. 78, 3035 (1997).
[23] P. A. B. Schulz, Tunelamento em heteroestruturas de Semicondutores,

Tese de Doutorado, Unicamp, Campinas, (1990).
[24] P. A. Tipler, Fsica para cientistas e engenheiros, volume 3, LTC Editora,

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[25] M. Cyrot and D. Pavuna, Introduction to Superconductivity and High-Tc materials,

World Scientific, Singapore, (1992).
[26] L. Solymar and D. Walsh, Lectures on the electrical properties of materials, Oxford
University Press, Oxford (1993).
_____________________________________________________________________________
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Captulo 2
FUNDAMENTOS TERICOS: MATERIAIS SEMICONDUTORES
2.1 - SEMICONDUTORES
Tendo condutividade eltrica intermediria, entre condutores e isolantes, os

semicondutores so slidos cristalinos. Tais materiais podem ser tratados quimicamente
para transmitir e controlar uma corrente eltrica. Atualmente, os semicondutores so
primordiais na indstria eletrnica e na confeco de seus componentes, dos quais se
destacam os diodos e demais dispositivos com diversos graus de complexidade
tecnolgica. A condutividade eltrica dos materiais semicondutores no to alta
quanto aquela apresentada pelos metais; de qualquer forma, eles possuem algumas
caractersticas eltricas nicas que os torna especialmente teis. As propriedades
eltricas desses materiais so extremamente sensveis presena de mesmo minsculas
concentraes de impurezas. Os semicondutores intrnsecos so aqueles em que o
comportamento eltrico est baseado na estrutura eletrnica inerente ao material puro. A
concentrao de eltrons na banda de conduo de um semicondutor puro varia
exponencialmente com a temperatura, o que faz sua condutividade depender fortemente
da temperatura. Esta uma das razes pelas quais os semicondutores puros so
utilizados em poucos dispositivos. Quando as caractersticas eltricas so ditadas pelos
tomos de impurezas, o semicondutor chamado de extrnseco. O semicondutor mais
importante para a eletrnica o silcio. Ele tem a mesma estrutura cristalina do
diamante, formada apenas por tomos do elemento Si, do grupo IV da tabela peridica.
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2.1.1 BREVE HISTRICO

Historicamente, temos relatos antigos (1833), de uma descoberta feita por
Michael Faraday que abriu caminho para as pesquisas em semicondutores. Faraday
descobriu que o composto sulfito de prata tem um coeficiente negativo de resistncia
com a temperatura e esta uma propriedade tpica dos materiais semicondutores. Uma
outra contribuio importante para o campo da fsica de semicondutor foi a descoberta
do fsico francs, Alexander Edmond Becquerel que, em 1839, relatou ter observado o
efeito fotovoltaico em eletrodos de platina coberto por cloreto de prata(AgCl). Este foi o
primeiro dispositivo fotovoltaico relatado, obtido pelo contato do cloreto de prata com a
prata metlica. J na dcada de 1870, o selnio foi a grande descoberta e trouxe avanos
para a evoluo dos dispositivos. O desenvolvimento dos dispositivos eletrnicos
iniciou-se em 1874, quando Karl Ferdinand Braun construiu um retificador com o
sulfeto de chumbo (PbS), ou como comumente conhecido, cristal de galena, soldado
com fio metlico [1,2]. Braun observou que o fluxo de corrente total foi alterado,
passando a depender da polarizao da tenso aplicada e das condies da superfcie do
material, o que permitiu o descobrimento do carter assimtrico da conduo eltrica
entre metais e semicondutores. Em 1878 e 1879, David E. Hughes iniciou pesquisas no
efeito semicondutor, de incio como uma simples curiosidade, visto que foi percebido
ao acaso. Embora Hughes no conhecesse o trabalho de James Clerk Maxwell,
descobriu uma maneira de emitir ondas eletromagnticas a partir de semicondutores.
Em funo de suas experincias, acabou por inventar o detector eletromagntico por
efeito semicondutivo, o diodo. Em 1883, Charles Edger Fritts, um eletricista de Nova
York, construiu uma clula solar de selnio (atualmente as clulas solares so usadas no
lugar das baterias convencionais nos equipamentos tais como satlites e calculadoras).
Deve ser lembrado que este era o primeiro dispositivo com uma rea grande e feito de
juno semicondutor-metal. No entanto, era muito ineficiente para converter energia
solar em energia eltrica. Aps a demonstrao de Hertz da existncia de ondas
eletromagnticas, em 1888, um nmero grande de cientistas comeou a se envolver com
a temtica e o telgrafo via ondas se tornou uma realidade praticvel. Entre eles,
Jagadish Chandra Bose, era a primeira pessoa a introduzir semicondutores para a
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recepo de ondas eletromagnticas [3]. O incio do sculo XX foi fundamental para o
desenvolvimento da microeletrnica, pois houve um enorme progresso na teoria fsica
com o desenvolvimento da mecnica quntica, feita por Planck, Bohr, de Broglie,
Heisenberg, Schrdinger e outros, notadamente durante a dcada de 20. Em 1940, R.
Ohi identifica, pela primeira vez, semicondutores de silcio (Si) tipo p e tipo n. No
mesmo ano, J. Scaff e H. Theuerer mostram que, tanto o nvel quanto o tipo de
condutividade do silcio (Si), so devidos presena de impurezas (dopagem). Na
dcada de 50, o efeito de resistncia negativa em junes do tipo p com tipo n,
altamente dopadas, foi observado por Esaki, levando descoberta do efeito quntico do
tunelamento [4]. Ainda na dcada de 50, foi criado o primeiro dispositivo que continha,
em um nico bloco de silcio (Si), um transistor, um capacitor e um resistor,
interconectados atravs de fios soldados em contatos, abrindo caminho para o
desenvolvimento de circuitos integrados. Outra contribuio muito importante de Esaki,
foi a criao de heteroestruturas, em 1969-1970, que separavam eltrons de impurezas
ionizadas, de forma a reduzir o espalhamento e aumentar a mobilidade dos portadores
[5]. Com o desenvolvimento e aperfeioamento de tcnicas de crescimento de materiais
com alta qualidade, tais como deposio por epitaxia do tipo MBE Molecular Beam
Epitaxy e deposio por vapor qumico do tipo MOCVD Metalorganic Chemical
Vapor Deposition, tornou-se possvel o crescimento de camadas monoatmicas
individuais uma aps a outra, produzindo redes cristalinas artificiais e interfaces quase
perfeitas [6]. Com os grandes avanos obtidos nas dcadas de 80 e 90, a tecnologia de
crescimento de cristais semicondutores passou para um estgio de desenvolvimento
bastante elevado. Com o uso destas tecnologias de crescimento de cristais, juntamente
com as avanadas tcnicas de nanolitografia e de corroso qumica (Chemical etching),
possvel produzir as mais variadas nanoestruturas semicondutoras que, devido s
escalas de tamanho envolvidas, tm o comportamento dos portadores, eltrons e
buracos, governado pela mecnica quntica. Assim, os semicondutores so altamente
interessantes devido a ser seu comportamento a base de vrios dispositivos eletrnicos
prticos, como por exemplo os transistores. importante realar que a condutividade de
um semicondutor cresce rapidamente com a temperatura, sendo que no silcio, a ttulo
de informao, o nmero de eltrons excitados aumenta por um fator de cerca de um
bilho quando a temperatura dobra de 300K a 600K.
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2.1.2 PROPRIEDADES DOS SEMICONDUTORES

Os semicondutores tm como caracterstica o fato de que, a T = O K, possurem
uma banda de valncia cheia e uma banda de conduo vazia, com, tais bandas,
separadas por um gap de energia relativamente pequeno, ou seja, Eg < 2eV(eltronvolt) [7]. importante frisar que, pela razo do pequeno gap, na temperatura ambiente,
o nmero de eltrons na banda de conduo considervel. No entanto, este nmero de
eltrons livres, bem menor do que nos metais. Isto tem como conseqncia uma
condutividade intermediria entre a dos isolantes e a dos metais. Temos, assim, pois, o
motivo do nome semicondutor. Sabemos que, em condies normais, os tomos que
possuem 4 eltrons na ltima camada de valncia no so estveis. Os semicondutores
se enquadram nesse grupo, porm, por causa da forma com que agrupam seus tomos
(cada tomo fica eqidistante em relao a quatro outros tomos, ou seja, uma estrutura
cristalina), eles conseguem alcanar a estabilidade fazendo quatro ligaes qumicas
covalentes, conseguindo oito eltrons na ltima camada e, por conseqncia, ficam
estveis quimicamente. Outro detalhe importante que a quantidade de energia
necessria para tirar um eltron da banda de valncia e p-lo na banda de conduo
que determina se um slido ser um condutor, semicondutor ou isolante (ver figura 2.1).
Nos condutores existem sempre bandas de energia semi preenchidas, portanto no h
uma quantidade mnima de energia necessria para se libertar seus eltrons [8]. J para
um semicondutor, esta energia em torno de 1eV, no que para os isolantes tal energia
dezenas de vezes maior. Nos semicondutores a condutividade no causada apenas
pelos eltrons que conseguiram pular para a banda de conduo. Os buracos, tambm
chamados de lacunas, que eles deixaram na banda de valncia, do contribuio de
forma decisiva. A importncia dos buracos que eles so tratados como partculas
normais, com carga positiva, em contraposio do eltron. Alguns dos cristais
semicondutores mais estudados correspondem aos formados por elementos da coluna
IV da tabela peridica, como silcio e germnio; compostos III-V como GaAs (arseneto
de glio), AlAs (arseneto de alumnio), GaSb (antimoneto de glio), InP (fosfeto de
ndio), e assim por diante; compostos IV-VI tais como PbS (sulfeto de chumbo), PbSe
(seleneto de chumbo), PbTe (telureto de chumbo); compostos II-VI como CdSe
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(seleneto de cdmio), CdTe (telureto de cdmio) e Cu2S (sulfeto de cobre); compostos
ternrios como AlxGa1-xAs (arseneto de glio e alumnio) e, at mesmo, os
quaternrios. Entre os materiais mais utilizados atualmente, para aplicao em
dispositivos optoeletrnicos, o GaAs, o AlAs e o arseneto de glio e alumnio (AlxGa1xAs, com 0 x 1), se destacam por apresentarem caractersticas muito interessantes
para a fabricao de heteroestruturas. Eles possuem estruturas cristalinas cbicas
semelhantes, do tipo zinc blend (blenda de zinco). Isso faz com que a diferena entre os
parmetros de rede seja muito pequena, o que proporciona uma concentrao
insignificante de estados e tenses interfaciais indesejveis [9-11]. Os semicondutores
foram objeto de vrios estudos durante as ltimas dcadas, no apenas pelo interesse do
ponto de vista da fsica fundamental, mas tambm por suas diversas aplicaes em
dispositivos retificadores, transistores, clulas fotoeltricas, clulas solares, lasers, etc.
Nos dias atuais, so alvo da indstria de alta tecnologia, sendo muito teis para a
construo de dispositivos eletrnicos de alto desempenho, tais como processadores,
memrias, circuitos integrados de tamanho reduzido, dispositivos optoeletrnicos de
interfaceamento entre mdias e sistemas de deteco, com grande capacidade de
processamento e de custos relativamente baixos.
FIGURA 2.1 Ocupao das bandas em isolantes(a) e em condutores(b). As

regies hachuradas representam as faixas de energia ocupadas pelos eltrons.[7]
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2.2 - SEMICONDUTORES INTRNSECOS

Os semicondutores intrnsecos, tambm chamados de semicondutores puros, so
utilizados em poucos dispositivos, isto porque, para um semicondutor puro, a
concentrao de eltrons na banda de conduo varia exponencialmente com a
temperatura (T), o que faz sua condutividade ser fortemente dependente de T [12-14].
Os dois semicondutores mais utilizados so o silcio (Si) e o germnio (Ge), que
possuem energias de espaamento entre bandas de, aproximadamente, 1,1 e
0,7eV(eltron-volt), respectivamente. Ambos so encontrados no Grupo IV A da tabela
peridica dos elementos e so ligados covalentemente. Alm disso, uma gama de
materiais semicondutores compostos, tambm exibe um comportamento intrnseco. Um
desses grupos formado entre os elementos dos Grupos IIIA e VA, por exemplo, o
GaAs e o InSb. Com freqncia, esses materiais so conhecidos por compostos III-V.
Os compostos constitudos por elementos dos Grupos IIB e VIA tambm exibem
comportamento semicondutor. Esses incluem o sulfeto de cdmio (CdS) e o telumeto de
zinco (ZnTe). Na medida em que os dois elementos que formam esses compostos se
encontram mais separados em relao s suas posies relativas na tabela peridica, ou
seja, as eletronegatividades se tornam mais diferentes, a ligao atmica entre eles se
torna mais inica e a magnitude da energia do espaamento entre as bandas aumenta e,
desta forma, os materiais tendem a ficar mais isolantes. Um cristal de material
semicondutor que contenha, no intencionalmente, no mais que apenas um tomo de
elemento qumico estranho, qualquer que seja tal elemento, para cada um bilho de
tomos do material em foco, dito semicondutor intrnseco, para caracterizar que as
suas propriedades fsico-qumicas so, em essncia, as do semicondutor puro. Nos
semicondutores intrnsecos, para cada eltron excitado para a banda de conduo
deixado para trs um estado quntico desocupado em uma das ligaes covalentes, ou,
no esquema de bandas, um estado eletrnico vazio na banda de valncia, conforme est
explicitado na figura 2.1 da pgina anterior. Assim, cada eltron promovido atravs do
espaamento entre bandas deixa para trs um buraco na banda de valncia.
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2.2.1 - MASSA EFETIVA DE ELTRONS E BURACOS

Discutindo-se o comportamento de um eltron numa determinada rede peridica,
estando o mesmo sob a ao de um campo eltrico externo, importante introduzir o
conceito de massa efetiva do eltron. Sob vrios aspectos o conceito de massa efetiva se
revela sutil [15-17]. Como exemplo comum, temos que na teoria clssica do
comportamento dos portadores de carga submetidos a um campo eltrico, se prev que a
condutividade eltrica do material que contm os portadores proporcional ao
recproco de suas massas. Pode-se modificar, com certa facilidade, isto para levar em
conta o comportamento quntico dos eltrons portadores de carga numa rede cristalina,
substituindo o recproco da verdadeira massa pelo recproco da massa efetiva. A massa
efetiva dos eltrons, cuja deduo segue explcita no apndice 1 desta dissertao,
dada por:
mee = / (E/k)k=kmc
(Eq. 2.1)
Onde, kmc corresponde ao mnimo da banda de conduo. A partir da anlise da

curvatura da banda de conduo, verifica-se que a mesma se situa para cima. Desta
forma, a massa efetiva dos eltrons, que nela esto contidos, ter sinal positivo,
constatando-se, assim, que os mesmos possuem acelerao contrria ao do campo
eltrico. Deve-se perceber que em determinadas situaes, onde todos os nveis de uma
banda isolada esto ocupados, com exceo dos que se situam no topo da banda, til
raciocinar em termos de buracos representando a ausncia de eltrons numa banda
totalmente cheia. Como a ausncia de um eltron carregado negativamente se equivale
presena de uma carga positiva, os buracos se comportam como se fossem carregados
positivamente. Assim, o buraco se comporta como uma carga positiva, cuja massa
efetiva (com o clculo esmiuado no apndice 1) dada por:
meb = - / (E/k)k=kmv
(Eq. 2.2)
Onde, kmv corresponde ao mximo da banda de valncia.
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2.3 - SEMICONDUTORES EXTRNSECOS

Uma maneira de aumentar a condutividade dos semicondutores adicionando-se
impurezas ao mesmo. Ou seja, substituem-se alguns tomos do semicondutor por
tomos de um outro elemento, tendo, aproximadamente, o mesmo tamanho, no entanto,
com valncia diferente. A condutividade que surge deste fenmeno conhecida como
condutividade extrnseca e o processo resultante denominado de dopagem [18-20].
Assim, o comportamento eltrico tem sua determinao pelas impurezas e interessante
se mencionar que as mesmas, at quando presentes em concentraes diminutas,
introduzem um excesso de eltrons ou de buracos. Como exemplo, pode-se verificar que
uma concentrao de um tomo em cada 106 tomos suficiente para tornar o silcio
extrnseco temperatura ambiente. Uma impureza que fornecer eltrons denominada
impureza doadora e o semicondutor resultante chamado de tipo n, pelo motivo de
possuir um excesso de eltrons livres. Por outro lado, uma impureza deficiente em
eltrons conhecida como impureza aceitadora e o semicondutor resultante
denominado do tipo p. Assim sendo, o cristal de semicondutor que contenha,
intencionalmente, cerca de um tomo de um elemento qumico desejado(no qualquer
elemento) para cada um milho(106) de tomos do material em foco, dito
semicondutor dopado, para, desta forma, caracterizar que as suas propriedades fsicoqumicas j no so mais, em essncia, as do semicondutor e, sim, as ditadas pela
presena do dopante. Semicondutores dopados para controle exibem cerca de mil vezes
mais impurezas que os semicondutores intrnsecos. Dopados, pois, em teores na faixa de
1: 106, dizem-se semicondutores extrnsecos. Quando o nvel de dopagem, ou de
impurezas, significativamente mais elevado, eventualmente descontrolado, dizem-se
semicondutores degenerados. o controle das propriedades dos semicondutores atravs
da dopagem que possibilita utilizar estes materiais para fabricar uma enorme variedade
de dispositivos eletrnicos.
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2.3.1 - SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO n

Os semicondutores com predominncia de eltrons so chamados de tipo n.
Sabemos que um tomo de silcio (Si) possui quatro eltrons, na camada de valncia,
cada um dos quais ligado covalentemente com um de quatro tomos de silcio (Si)
adjacentes. Suponhamos que um tomo de impureza com uma valncia de 5
(pentavalente), seja adicionado como uma impureza substituta. As possibilidades iriam
incluir os tomos da coluna do Grupo V A da tabela peridica, como, por exemplo, o
fsforo(P), o arsnio(As) e antimnio(Sb). Apenas quatro dos cinco eltrons de valncia
desses tomos de impurezas podem participar em ligaes, visto que existem apenas
quatro ligaes possveis com tomos vizinhos [21]. O eltron adicional que no forma
ligaes fica fracamente preso regio ao redor do tomo de impureza, atravs de uma
atrao eletrosttica fraca. A energia de ligao desse eltron relativamente pequena.
Dessa forma, ele removido com facilidade do tomo de impureza. Assim, tal eltron
se torna um eltron livre ou de conduo. A energia de ligao do eltron corresponde
energia exigida para excitar o eltron em excesso da impureza para um estado dentro da
banda de conduo do cristal. Cada evento de excitao supre ou doa um nico eltron
para a banda de conduo. Uma impureza desse tipo apropriadamente chamada de
doadora. Uma vez que cada eltron doador excitado para a banda de conduo,
nenhum buraco correspondente criado dentro de banda de valncia. temperatura
ambiente, a energia trmica disponvel suficiente para excitar grande quantidade de
eltrons dos estados doadores. Alm disso, ocorrem algumas transies intrnsecas,
banda de valncia-banda de conduo, mas em extenso desprezvel. Desta forma, o
nmero de eltrons na banda de conduo excede, em muito, o nmero de buracos na
banda de valncia. Os eltrons so os portadores majoritrios em virtude da sua
densidade ou concentrao. J os buracos, so os portadores minoritrios. Para os
semicondutores do tipo n, o nvel de Fermi deslocado para cima no espaamento entre
bandas, at dentro da vizinhana do estado doador. Temos que as impurezas dos
elementos do grupo V da tabela peridica (P, As ou Sb) so doadoras, visto que doam
eltrons para abanda de conduo, como ilustrado na figura 2.2a. Os semicondutores
com impurezas doadoras so chamados do tipo n.
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2.3.2 - SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO p

Para a conduo extrnseca deste tpico, temos que os buracos esto presentes
em concentraes muito maiores do que as dos eltrons e, deste modo, sob essas
circunstncias, tem-se um material considerado do tipo p, visto que partculas
positivamente carregadas so as principais responsveis pela conduo eltrica. Os
buracos so os portadores majoritrios e os eltrons esto presentes em concentraes
minoritrias. As excitaes extrnsecas em que so gerados buracos tambm podem ser
representadas atravs do modelo de bandas. Cada tomo de impureza desse tipo
introduz um nvel de energia dentro do espaamento entre bandas, localizado acima,
porm muito prximo, da parte superior da banda de valncia do cristal [22]. Se uma
pequena quantidade de glio for adicionada ao germnio, temos que, pelo fato do glio
possuir trs eltrons por tomo na banda de valncia, ele ter um dficit de um eltron
por tomo na formao das ligaes covalentes. Constata-se que o resultado a
formao de um buraco, que se desloca atravs do cristal, tendo o comportamento de
uma partcula com carga e massa positivas, na medida em que eltrons sucessivos
preenchem um buraco e criam outro. Sob o aspecto da energia, tal impureza introduz
nveis discretos vazios ligeiramente acima do topo da banda de valncia. Eltrons de
valncia do cristal so ento facilmente excitados para esses nveis de impureza,
deixando buracos na banda de valncia. A separao em energia entre os nveis
aceitadores e o topo da banda de valncia pequena, pelas mesmas razes que
produzem uma pequena separao entre os nveis doadores e a base da banda de
conduo. Para semicondutores extrnsecos do tipo p, o nvel de Fermi est posicionado
dentro do espaamento entre bandas, e prximo ao nvel do receptor. Temos que as
impurezas dos elementos do grupo III da tabela peridica (B, Al, Ga ou In) so
chamadas aceitadoras e formam semicondutores do tipo p. Conforme mostrado na
figura 2.2b, elas tm nvel de energia eletrnica prximo da banda de valncia. No caso
de impurezas do grupo III, h um eltron a menos dos quatro necessrios para completar
a ligao covalente com os vizinhos. Para 50K < T < 100K, eltrons da banda de
valncia do cristal so capturados para completarem as ligaes covalentes, deixando
buracos na banda de valncia.
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FIGURA 2.2 - Representao esquemtica dos nveis de impurezas no gap de

semicondutores dopados. Ec e Ev representam as energias mnima e mxima das bandas
de conduo e valncia ,respectivamente. [7]
2.3.3 - CONCENTRAO DE PORTADORES
Para um semicondutor extrnseco, representando por N0 e P0 as concentraes em
equilbrio trmico, de eltrons na banda de conduo, e, de buracos na banda de valncia,
podemos escrever ento que: N0 = Nc
P0 = Nv
(Eq. 2.3)
Onde NC e Nv representam a concentrao de eltrons nas bandas de conduo e de valncia.

J Ec e Ev designam a energia no mnimo da banda de conduo e no topo da banda de
valncia. O que difere o semicondutor extrnseco do intrnseco a posio do nvel de Fermi
[23]. Em um semicondutor tipo n, com impurezas doadoras com energia Ed prxima da banda
de conduo, em T = 0K os estados com energia Ed esto cheios, enquanto que aqueles com
energia E > Ec esto vazios. Portanto, em T = 0k, o nvel de Fermi est entre Ed e Ec. Para T >
0K, ele pode estar abaixo de Ed, mas no estar muito longe deste nvel. Como EF est
prximo de Ec, temperatura ambiente, a exponencial que representa o valor de N0 muito
maior do aquela que representa o valor de P0, de modo que o nmero de eltrons muito
maior que o de buracos. Fisicamente o que ocorre que N0 no semicondutor tipo n aumenta
em relao a ni(concentrao de eltrons na banda de conduo do material intrnseco) por
causa da ionizao das impurezas doadoras. J o nmero de buracos diminui porque h mais
eltrons para recombinar com eles. O produto das concentraes de eltrons e buracos dado
pela seguinte expresso: N0 P0 = Nc Nv
e, tambm, temos que N0 P0 = ni. Desta
forma, o produto N0P0 constante e independe do tipo e da concentrao de impurezas.

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2.4 - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DIODOS

O diodo um dispositivo eletrnico, de dois terminais, que s permite a
passagem de corrente eltrica em um nico sentido. Assim, constata-se que um diodo
ideal deveria possuir uma resistncia nula corrente num determinado sentido, tal qual
um curto-circuito, e resistncia infinita, como um circuito aberto, para a corrente em
sentido contrrio. Entretanto, os diodos reais apresentam resistncia pequena num
sentido, porm no nula, enquanto que, no outro sentido, apresentam resistncia muito
elevada, mas no infinita [24,25].
2.4.1 - A JUNO p-n

Uma juno p-n, consiste basicamente na zona de transio, entre uma regio de
material semicondutor cuja condutividade eltrica dominada por portadores de carga
negativa (eltrons) e uma regio cuja condutividade dominada por portadores de carga
positiva (buracos). A largura w e a simetria dessa regio, dependem dos processos de
fabricao e dos materiais envolvidos. Se a concentrao de portadores, eltrons por
exemplo, varia lentamente ao longo de uma distncia relativamente ampla, entre o valor
mximo do lado n e o mnimo do lado p, a juno chamada gradual [26]. No outro
extremo, quando essa variao brusca e a regio estreita, tem-se uma juno abrupta,
conforme mostrado na figura 2.3. A regio de transio, tambm chamada de zona de
depleo, caracterizada pela existncia em seu interior de um forte campo eltrico
Este campo devido existncia de cargas eltricas fixas na rede cristalina, originadas
pela depleo de portadores livres que, durante a formao da juno, se difundiram
para o lado oposto. No equilbrio, forma-se uma barreira de potencial que impede a
difuso continuada de portadores majoritrios de um lado para o outro. Quando os
semicondutores dos dois lados da juno so do mesmo material e a zona de depleo
estreita, tem-se, como j mencionado anteriormente, uma homojuno p-n abrupta,
formando a base de operao de grande parte dos dispositivos semicondutores. Quando
a tenso a que submetido o diodo, alimentado por uma fonte geradora, menor que
sua barreira de potencial, a corrente eltrica baixssima pela oposio ao fluxo de
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portadores livres feita pela barreira de potencial, porm se a tenso a que for submetido
o diodo se aproximar do valor de sua barreira de potencial, a corrente eltrica cresce e a
oposio dos portadores livres feita pela barreira de potencial pequena, sendo quase
desprezvel [27,28].
FIGURA 2.3 (a)Variao da concentrao de impurezas numa juno pn. A

linha tracejada representa a variao numa juno real e a cheia representa uma
juno abrupta ideal. (b) Modelo de juno abrupta unidimensional. [7]
2.4.2 - HETEROJUNES
Numa heterojuno, um material semicondutor crescido sobre um outro
material semicondutor. Como cada material semicondutor tem uma faixa de energia
proibida caracterstica, teremos na heterojuno, obrigatoriamente, descontinuidades nas
bandas de valncia e/ou conduo (em ambas normalmente). De fato, uma
heteroestrutura semicondutora formada a partir da deposio de camadas planas, com
espessuras controladas e bem definidas, de materiais semicondutores distintos entre si.
Essas camadas so crescidas umas sobre as outras ao longo de uma direo bem
definida. Apesar de serem diferentes em sua composio, os semicondutores de cada
camada precisam possuir redes cristalinas idnticas para que no haja uma diferena
muito grande nos parmetros de rede dos materiais adjacentes [29,30]. Assim sendo,
fica claro que uma juno formada por dois materiais intrinsecamente diferentes
chamada uma heterojuno, diferentemente daquela juno estudada no item anterior
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que uma homojuno p-n. importante no esquecer que junes entre metais e
semicondutores tambm so heterojunes e, por conseguinte, possuem bastante
utilidade para a fabricao de dispositivos. Junes envolvendo metais possuem
propriedades e aplicaes iguais s das junes p-n, com caractersticas e atrativos
singulares. Interessante so as junes metal-semicondutor, visto que as mesmas so
teis em dispositivos de alta freqncia, e de junes metal-isolante-semicondutor,
usadas em circuitos digitais de alta escala de integrao. Quando um material de menor
band-gap
for crescido entre dois outros de maior gap, pode-se formar uma
heteroestrutura semicondutora do tipo poo quntico. Com isso, efeitos de confinamento

espacial semelhantes queles presentes numa heterojuno simples, formada por dois
materiais, surgem tambm nas interfaces de cada camada. Um diodo de tunelamento
ressonante (DTR), que ser abordado no captulo 4 desta dissertao, uma
heteroestrutura semicondutora que possui um poo quntico no dopado inserido entre
duas barreiras de potencial, tambm no dopadas, assim como camadas fortemente
dopadas em suas extremidades, chamadas de contatos. Os contatos podem ser
identificados como emissor ou coletor, dependendo da polaridade dos potenciais
eltricos aplicados ao DTR.
2.4.3 - DIODO DE JUNO E OUTROS DIODOS

O diodo de juno consiste de uma juno p-n com dois contatos metlicos para
entrada e sada da corrente. No lado p, o contato entre o semicondutor e o filme de
alumnio forma, naturalmente, um bom contato hmico, por causa dos valores relativos
das funes trabalho. J pelo lado n, o contato hmico obtido atravs de uma dopagem
mais forte, muitas vezes chamada de n+. Em consonncia com o diodo vlvula, o
terminal p chamado anodo e o terminal n chamado catodo. Os diodos de juno
possuem muitas aplicaes nos circuitos eletrnicos. Uma das mais comuns a
retificao de tenso alternada em fontes de alimentao usadas para fornecer tenso dc
para a operao de equipamentos eletrnicos [31]. O diodo de barreira de Shottky, que
tem caracterstica da curva I-V semelhante ao diodo de juno, traz, entre suas sutilezas
o fato de que a corrente em sua barreira ser devida a portadores majoritrios, enquanto
que na juno p-n ela devida aos portadores minoritrios. Nos diodos de barreira
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Schottky no existem portadores minoritrios para serem removidos, de modo que o
tempo de resposta muito menor. O processo de ruptura de uma juno pode ocorrer
pelo chamado efeito zener ou o mecanismo de avalanche. Embora diferentes, ambos
resultam da ao do campo eltrico que existe na regio de carga espacial da juno pn,
sobre os portadores de carga. Na juno polarizada reversamente, este campo cresce
acompanhando a altura da barreira de potencial. O processo de ruptura ocorre quando o
campo atinge um valor crtico. Porm, sabe-se que um diodo com corrente de saturao
muito pequena, submetido a uma tenso de polarizao reversa, comporta-se, ento,
como um capacitor cuja capacitncia varivel com a tenso. Tal diodo chamado de
varactor. Os varactores so utilizados em circuitos LC de sintonia de receptores de
rdio, no lugar de capacitores de placa variveis manualmente. J o diodo tnel, que
ser abordado em toda a sua fenomenologia, no captulo seguinte desta dissertao,
surge em 1958, advindo das pesquisas do cientista japons Leo Esaki, efetuadas nos
laboratrios de desenvolvimento da Sony Corporation. Sua concepo consistia na
formao de uma juno bastante abrupta, entre as regies p e n de uma matriz de
germnio, com alto teor de impurezas, obtendo-se uma rea de depleo bem fina, da
ordem de centsimos de mcron [32].
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[22] R. Eisberg & R. Resnick, Fsica Quntica, tomos, molculas, slidos, ncleos e
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[23] K. K. Bajaj, Use of Excitons in materials characterizations of semiconductor
system, Materialss Science and Engineering, Lausanne, v.34, n.2, p. 59-120, (2001).
[24] I. Vurgaftman; J. R. Meyer; I. R. Ram-Mohan, Band-parameters for III-V
semiconductors and their alloys, Journal of Applied Physics, New York, v.89, n.11, p.
5815-5875, (2001).
[25] J. Singh, Physics of semiconductor and their heterostructures, New York,
McGraw-Hill, (1993).
[26] R. Dalven, Introduction to Applied Solid State Physics, Plenum Press, New York,
(1996).
[27] M. A. Marquezini, Investigao de interfaces em heteroestruturas semicondutoras,
Universidade Estadual de Campinas, Campinas, (1995).
[28] L. D. Souza; T. P. Silva; E. Laureto, D. O. Toguinho, J. L. Duarte, I. F. L. Dias,
Homo e Hetero Junes Semicondutoras PN, Universidade Estadual de Londrina,
Londrina, (2006).
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 39

[29] L. R. Ram-Mohan, Finite Element and Boundary Element Applications in
Quantum Mechanics, Oxford University Press, ISBN 0-19-852522-2, (2002).
[30] R. R. Zope; B. I. Dunlap, Phys. Rev. B 72, 045439 (2005).
[31] F. W. Sheard; G. A. Toombs, Semicond. Sci. Technol. 7, B460 (1992).
[32] B. Zhu; K. Huang, Phys. Rev. B 48, 4875 (1993).
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 40
Captulo 3
CARACTERIZAO EXPERIMENTAL DO
DIODO DE TUNELAMENTO
3.1 DIODO TNEL

Tendo sido previsto, teoricamente, pelo fsico estadunidense, George Gamow
(1904-1968), em 1929, o diodo tnel possui tal denominao em virtude de seu
princpio operacional vincular-se ao conceito da mecnica quntica que afirma existir
uma probabilidade finita de um eltron afunilar-se atravs de uma barreira de energia, a
qual no pode superar [1-3]. Em 1958, atravs de pesquisas efetuadas pelo cientista
japons, Leo Esaki, nos laboratrios da Sony Corporation, foi possvel produzir
experimentalmente o diodo tnel. A propriedade fundamental deste diodo era a
resistncia dinmica negativa. Esaki mostrou que isso ocorria devido ao tunelamento de
eltrons atravs de uma juno p-n fortemente dopada. Trata-se de um dispositivo de
alta velocidade, com o qual osciladores de alta freqncia podem ser construdos. No
diodo tnel, a corrente eltrica pode mudar de sentido em alta freqncia, uma
propriedade bastante atraente para a indstria de celulares e memrias rpidas.
importante se mencionar que a NEC Corporation, uma das maiores provedoras globais
de solues integradas de Tecnologia da Informao e Comunicao, est
desenvolvendo
uma
memria
MRAM
(memria
de
acesso
randmico
magnetorresistiva) de alta velocidade para a prxima gerao de circuitos de integrao

de alta escala (LSI, na sigla em ingls). Essa nova tecnologia inclui junes de
tunelamento magnetorresistivo (MTJ, na sigla em ingls). Na juno MTJ, o
tunelamento do eltron controlado pelo seu spin, ao contrrio do diodo, no qual o
tunelamento controlado pela carga eltrica. isso que permite a fabricao de
memrias rpidas e com alta densidade de gravao [4,5].
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 41
3.1.1 REVISO BIBLIOGRFICA

O diodo tnel, em 1958, de Leo Esaki, representa a primeira evidncia
experimental convincente de tunelamento em uma interface, da ser esta descoberta
considerada a conseqncia mais importante, em relao ao efeito tnel, do
desenvolvimento da tecnologia dos materiais no ps-guerra. J os diodos de
tunelamento ressonante, baseados em heteroestruturas de semicondutores, foram
propostos, inicialmente, em 1973 e possibilitaram a primeira verificao experimental
espacial em poos qunticos de semicondutores [6,7]. Esses dispositivos vm sendo
estudados intensamente nos ltimos dez anos, a partir de trabalhos de Sollner e
colaboradores, que demonstraram a potencialidade de aplicao tecnolgica desses
dispositivos [8]. Isso se deve acentuao da no linearidade na caracterstica correntetenso e da diminuio do tempo de resposta do dispositivo com a progressiva melhora
na qualidade das amostras no ltimo decnio. Para o futuro, prximo, so aguardadas
aplicaes em nanorrobtica, a manipulao de objetos com dimenses nanomtricas
com o auxlio do microscpio de tunelamento. Conforme j visto, Leo Esaki inventou
um dispositivo semicondutor, conhecido como diodo tnel, cujo funcionamento
baseado no fenmeno do tunelamento em materiais semicondutores. A partir de sua
curva caracterstica, ou curva corrente-tenso, percebe-se como o diodo tnel bastante
diferente de um resistor hmico, cuja curva caracterstica uma reta. Em particular, h
uma regio de tenso onde ocorre a chamada resistncia diferencial negativa, ou seja, ao
aumentarmos a tenso, a corrente diminui. O diodo tnel utiliza penetrao de barreira
controlvel para ligar ou desligar correntes to rapidamente que pode ser utilizado para
fazer um oscilador que opere em freqncias superiores a 10 Hz. O diodo tnel feito
com uma juno pn na qual, em certa faixa de tenso de polarizao direta, a corrente
dominada pelo efeito de tunelamento de eltrons atravs da barreira de potencial na
juno. Sabe-se que existe uma probabilidade finita para um eltron atravessar uma
barreira com potencial mximo maior que sua energia cintica. Este o efeito tnel, de
natureza inteiramente quntica.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 42
3.1.2 PENETRAO NA BARREIRA DE POTENCIAL

Um diodo tnel um dispositivo semicondutor que utiliza o fenmeno de
penetrao de barreira de potencial. Trata-se de uma juno pn feita com
semicondutores com altas concentraes de impurezas. Na figura 3.1 aparece o grfico
da energia do eltron atravs de uma juno no polarizada. Verifica-se que com uma
maior concentrao de impurezas a juno mais estreita pois um menor comprimento
do semicondutor contm portadores de carga suficientes para produzir a camada dipolar
requerida atravs da juno e os nveis doadores e aceitadores, nos materiais de tipo n e
p, no so estreitos e, sim, bandas largas que se sobrepem s bandas de valncia e
conduo, j que os doadores, bem como os aceitadores, esto to prximos que
interagem entre si. A energia de Fermi sobe para dentro da banda de conduo, no lado
n, e desce para dentro da banda de valncia, no lado p [9,10]. Como a juno estreita,
os eltrons podem atravessar a banda proibida na juno por um processo, em todos os
aspectos, idntico ao de penetrao de barreira de potencial. No equilbrio, como
mostrado na figura 3.1a, a taxa de tunelamento de eltrons atravs da barreira a
mesma em ambos os sentidos. Se entretanto, uma pequena tenso externa for aplicada
nas extremidades da juno com polarizao direta, o tunelamento de eltrons do lado n
para o lado p vai aumentar, visto que existem estados de energia permitida vazios no
lado p da banda de valncia, enquanto que diminuir o tunelamento de eltrons no outro
sentido. Haver, portanto, um fluxo resultante atravs da juno, como aparece na figura
3.1 b. Na medida em que a tenso aplicada vai aumentando, a corrente resultante
continuar aumentando porque o nmero de estados vazios disponveis para o
tunelamento dos eltrons diminuir. Na figura 3.1c a corrente resultante est reduzida a
quase zero porque os eltrons do material de tipo n no encontram estados de energia
permitidos para onde fluir. Com tenses aplicadas ainda mais altas, a corrente de
eltrons torna-se a de uma juno pn normal. Ou seja, os eltrons atravessam a juno,
sem tunelar, indo para estados de energia permitida na banda de conduo do material
de tipo p. Isto ocorre porque a diferena entre as energias das bandas diminui, tornando
possvel a difuso dos eltrons atravs da juno para a banda de conduo da regio
tipo p. Este processo est indicado na figura 3.1d.
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FIGURA 3.1 Nveis de energia eletrnicos em uma juno pn fortemente dopada.

Temos, especificamente, que: (a) sem tenso aplicada, a corrente nula; (b)quando
uma pequena tenso aplicada no sentido direto, a corrente constituda por duas
componentes: a corrente normal e a corrente de tunelamento; (c) a partir de um certo
valor da tenso aplicada, a corrente de tunelamento deixa de existir; em (c) e (d) a
tenso aumentada progressivamente. As flechas indicam o fluxo de eltrons atravs
da juno entre as duas regies. [19]
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3.2 CARACTERSTICAS DO DIODO TNEL

O diodo tnel feito com semicondutores fortemente dopados nos dois lados da
juno, o que resulta no tunelamento direto de eltrons do lado n para o lado p,
produzindo uma corrente maior que a corrente de difuso quando a tenso pequena.
Para que isto ocorra essencial que os dois lados da juno estejam fortemente
dopados. Quando a concentrao de impurezas da ordem de 10 tomos/cm ou
maior, a interao entre elas deixa de ser desprezvel [11]. Neste caso, passa a ocorrer
um fenmeno onde os nveis de energia das impurezas deixam de ser discretos e passam
a formar bandas. Se as impurezas forem doadoras, elas formam uma banda de energia
que se superpe a banda de conduo, fazendo com que o nvel de Fermi esteja acima
do mnimo desta banda. Em conseqncia, os estados de energia acima da banda de
conduo e abaixo do nvel de Fermi esto preenchidos com eltrons, mesmo em T =
0K. Os semicondutores nesta situao so chamados degenerados tipo n. De maneira
anloga, um semicondutor fortemente dopado com impurezas tipo p tem o nvel de
Fermi abaixo do topo da banda de valncia, de modo que os estados entre o nvel de
Fermi e o mximo da banda de valncia esto preenchidos de buracos. Quando uma
pequena tenso usada para polarizar a juno diretamente, a corrente que atravessa o
circuito formada por duas componentes: a corrente terminica e a corrente de
tunelamento. Para maiores valores da tenso aplicada, o nvel mais baixo da banda de
conduo fica acima do nvel mais alto da banda de valncia e a corrente de
tunelamento deixa de existir. Assim, embora a tenso aplicada tenha aumentado, a
corrente total menor. Para tenses aplicadas ainda maiores, o efeito da queda da
corrente de tunelamento compensado pelo aumento da corrente terminica e a corrente
total volta a aumentar. importante salientar que o fluxo de corrente em outros tipos de
diodos semicondutores e transistores depende sempre de processos de difuso. Como a
rapidez da difuso no pode mudar mais rapidamente do que a distribuio de
portadores de carga, estes dispositivos tm respostas relativamente lentas (mais lentas
do que as vlvulas) e difcil utiliz-los em freqncias altas.
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P g i n a | 45
3.2.1 - CURVA CARACTERSTICA DO DIODO TNEL
A curva caracterstica de um diodo tnel, mostrada na figura 3.2, diferente das

de qualquer diodo apresentado at ento, pois ela apresenta uma regio de resistncia
negativa. Nessa regio, o aumento da tenso nos terminais do dispositivo reduz a
corrente [12]. O diodo tnel fabricado, conforme j foi visto, dopando-se intensamente
os materiais semicondutores que formam a juno pn, com um nvel de cem at mais de
mil vezes maior do que o empregado em um diodo semicondutor comum. Isso produz
uma regio de depleo muito reduzida, com largura de cerca de 10-6 cm, ou de 1/100
da largura da regio de um diodo semicondutor comum. nessa fina regio de depleo
que muitos portadores podem atravessar como em um tnel. Observa-se um pico de
corrente para potenciais de polarizao reduzidos, alm do que, para efeito de
comparao, a curva caracterstica de um diodo tpico de juno foi sobreposta curva
caracterstica do diodo tnel na figura 3.2. Essa regio de depleo reduzida produz
portadores em velocidades que superam as dos diodos convencionais. O diodo tnel
pode ser, portanto, utilizado em aplicaes de alta velocidade, como em computadores,
nos quais so necessrios tempos de chaveamento da ordem de nanossegundos ou
picossegundos. Os materiais semicondutores mais freqentemente utilizados na
fabricao de diodos tnel so o germnio e o arseneto de glio [13]. A razo entre a
corrente de pico e a corrente de vale (Ip/Iv) muito importante em projetos de circuitos
digitais. Para o germnio, 10/1 o valor normalmente utilizado e, para o arseneto de
glio, algo prximo de 20/1. A corrente de pico Ip de um diodo tnel pode variar desde
alguns microampres at centenas de ampres. A tenso de pico, entretanto, limitada
em, aproximadamente, 600mV. Por isso, um simples multmetro com um potencial cc
interno de 1,5V de uma bateria pode danificar o diodo tnel caso ele seja utilizado
inadequadamente [14,15]. Uma caracterstica importante da curva IxV do diodo tnel
que em certa faixa de tenso, conforme j se mencionou, dI / dV < 0. Isto corresponde a
uma resistncia diferencial negativa para sinais ac e nesta regio, o diodo tnel fornece
potncia ac ao circuito, ao contrrio de uma resistncia normal que sempre absorve
energia.
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P g i n a | 46
FIGURA 3.2 Curva caracterstica de um diodo tnel, representando o fluxo de

corrente atravs do dispositivo em funo da diferena de potencial aplicada. Os
pontos identificados por letras correspondem s quatro tenses aplicadas da figura 3.1.
Notar que a resistncia do diodo negativa para tenses aplicadas entre b e c. A curva,
a partir do ponto c, fluindo para o ponto d, indica a corrente caracterstica quando no
existe tunelamento como no caso de uma juno retificadora de germnio comum.[7]
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3.2.2 CARACTERIZAO ELTRICA DO DIODO TNEL 1N3712
Para a obteno da caracterizao eltrica de um diodo tnel foram efetuadas

diversas medidas de corrente no referido diodo, utilizando a fonte Keythley 2400, que,
estabelecendo uma diferena de potencial, entre os terminais do diodo tnel, referncia
1N3712, acoplado em um circuito em srie com um resistor de 6 , possibilitou a
representao grfica do comportamento IxV, para o diodo de tunelamento especificado
(ver figura 3.3). Verificou-se, de incio, que, entre 25 mV e 65 mV, as correntes obtidas
variaram diretamente com a tenso aplicada, atingindo um valor de pico de 0,9 mA,
caracterizando, assim, a chamada corrente de pico (Ip), que se perfilou perfeitamente
com o valor especificado no datasheet do diodo tnel 1N3712, que segue anexo no
apndice 7 desta dissertao. No entanto, a partir de 65 mV, observou-se no
equipamento o surgimento de instabilidades na medida da corrente. Esse fenmeno
caracterizado pela intensa oscilao entre a 1 e 3 casa decimal do valor medido. Para a
tenso de 75 mV foi verificada a queda na corrente para, aproximadamente, 0,8 mA.
Depois de 75 mV, ainda apresentando perturbao na medida, a corrente caiu,
continuamente, at em torno de 0,6 mA. A partir de 195 mV, apresentou uma variao
linear decrescente at 285 mV, marcando, aproximadamente, 0,4 mA. Nova perturbao
foi sentida entre 290 mV e 335 mV, mas a corrente ainda continuou caindo. Contudo,
de 340 mV at 395 mV, houve uma perturbao discreta com a corrente variando,
aproximadamente, entre 0,13 mA e 0,12 mA. Porm, no momento em que se atingiu
400 mV a corrente voltou a aumentar e, neste instante, a mesma estava assinalando em
torno de 0,12 mA, marcando, deste modo, a chamada corrente de vale(Iv), que,
novamente, se alinhou com o valor especificado no datasheet do diodo tnel 1N3712.
Conforme j mencionado, a razo entre a corrente de pico e a corrente de vale (Ip/Iv),
tem grande importncia nos projetos de circuitos digitais. Assim, para o diodo tnel
1N3712, tal razo, aps as medidas efetuadas ficou sendo de 0,9/0,12 = 7,5/1 ,
representando um valor, nesta relao, um pouco maior do que o diodo tnel de
germnio, apresentado no item anterior.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 48

Ainda durante as medidas, pde-se obter, tambm, a marcao da corrente de
polarizao direta IF, visto que foi encontrado o ponto de polarizao direta que ,
exatamente, o valor de tenso, acima da tenso de vale, no qual a corrente igual a
corrente de pico. Durante as medidas foi verificado que entre 400 mV e 550 mV a
corrente aumentou consideravelmente, passando de, aproximadamente, 0,12 mA para
1,0 mA. Quando se atingiu a tenso de 545 mV, pde-se chegar a uma corrente de,
aproximadamente, 0,9 mA, que o valor da corrente de pico. Entretanto, como este
ponto est alm do vale, temos que, desta forma, atingiu-se a corrente de polarizao
direta(IF). Foi importantssimo se conseguir explicitar a curva experimental da IxV no
diodo tnel 1N3712, visto que verificou-se, principalmente, que a regio de resistncia
negativa do mesmo gera uma complexa perturbao na corrente deste diodo tnel. A
maior vantagem do diodo tnel seu tempo de resposta extremamente rpido quando
operando na regio de resistncia diferencial negativa. Como j visto, o conceito de
tunelamento quase to antigo quanto a prpria mecnica quntica. Em mecnica
quntica, uma partcula incidente com energia menor do que a altura da barreira tem
uma probabilidade finita de tunelar atravs desta barreira e, uma partcula com energia
cintica maior do que a barreira tem uma probabilidade finita de ser refletida. Este fato
foi apreciado logo no surgimento da mecnica quntica e tem atrado muito interesse
desde ento [16,17].
1,2
CORRENTE (mA)
Relao IxV- Diodo Tnel 1N3212
0,8
0,4
0,0
0
200
400
600
TENSO (mV)
FIGURA 3.3a Curva experimental do diodo tnel 1N3712
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Regio de Pico (25mV a 100mv)
Regio de Vale (300mv a 400mV)
FIGURA 3.3b Representao em zoom das regies de pico e de vale.

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P g i n a | 50
3.2.3 RETA DE CARGA PARA UM DIODO TNEL
Na figura 3.4, temos a definio de uma reta de carga, escolhidas a fonte de

tenso e a resistncia, que intercepta a curva caracterstica de um diodo tnel em trs
pontos, respectivamente, a, b e c. importante salientar que a reta de carga
determinada apenas pelo circuito [18-20]. As intersees, em a e b, representam pontos
de operao estveis, pois se situam em regies de resistncia diferencial positiva.
Assim sendo, nos dois pontos de operao, a e b, uma leve perturbao no circuito no
leva oscilao ou a uma mudana significativa na posio do ponto Q (ponto
quiescente ou de interseo), sendo tal ponto tido como ponto de operao, variando na
curva, atravs do aumento ou diminuio da tenso VT sobre a mesma. De fato, se o
ponto de operao definido estiver em b, uma reduo da tenso E da fonte move o
ponto de operao para baixo na curva, visto que a tenso no diodo VT diminuir. Uma
vez diminudo o distrbio, a tenso no diodo e a corrente associada retornaro aos nveis
definidos pelo ponto Q em b. No entanto, o ponto de operao definido por c instvel,
visto que uma pequena variao na tenso ou corrente atravs do diodo pode deslocar o
ponto Q para a ou b. Logo, uma elevao muito pequena na tenso E faz com que a
tenso no diodo tnel aumente acima de seu valor em c. Uma leve queda na tenso da
fonte resultaria na transio do ponto de operao para a estabilidade no ponto a. Logo,
o ponto c pode ser definido como ponto de operao, considerando a tcnica da reta de
carga, mas, uma vez energizado o sistema, esse, eventualmente, vai se estabilizar na
posio a ou b. A regio de resistncia negativa em diodos tnel pode ser bem
aproveitada em projetos de osciladores, circuitos de chaveamento, geradores de pulso e
amplificadores [21]. Apesar de o uso de diodos tnel em sistemas modernos de alta
freqncia ter sido drasticamente modificado, por tcnicas de fabricao que sugerem
alternativas para o diodo tnel, sua simplicidade, linearidade, baixo consumo de
potncia e confiabilidade garantem que o mesmo ainda continue sendo utilizado. No se
deve esquecer que pelo fato do mecanismo de tunelamento no apresentar retardo
devido aos processos de deriva e difuso, o diodo tnel tambm tem aplicaes em
circuitos de chaveamento rpido.
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P g i n a | 51
FIGURA 3.4 Diodo tnel e reta de carga resultante [8]
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3.2.4 RETA DE CARGA EXPERIMENTAL PARA O DIODO TNEL
Uma forma tradicional de encontrar o ponto de operao de um circuito nolinear atravs de retas de carga. O objetivo dividir o circuito em um conjunto de
fontes e uma carga e, em seguida, simultaneamente encontrar solues para ambos.
claro que esse mesmo objetivo pode ser atingido conhecendo-se a equao para
operao do elemento no-linear. Embora as retas de carga no sejam to teis no
projeto de circuitos, elas so vistas com freqncia e so teis no desenvolvimento de
uma intuio fsica de como os circuitos operam [22,23]. Numa abordagem interativa se
tenta encontrar o ponto da curva IxV do diodo onde todo o circuito operaria (o ponto de
operao). s vezes, essencial encontrar o ponto de operao. Depois que a curva do
diodo tnel 1N3712 foi experimentalmente determinada, conforme mostrado na figura
3.5, pde-se explorar o circuito para encontrar-se um ponto de operao. J que o
resistor linear, tivemos que a curva IxV foi representada por uma reta e,
conseqentemente, se precisou localizar os pontos de interseo da reta de carga com o
grfico no-linear de representao do diodo tnel. Com o diodo invertido, a tenso
toda aplicada sobre o diodo, pois o mesmo possui resistncia infinita e corrente nula.
Com o diodo conduzindo perfeitamente, h uma pequena diferena de potencial sobre
ele, e a corrente limitada significativamente pelo resistor. Assim, o ponto de operao
a sobreposio das duas curvas.
1,2
I(Ampere)
0,9
0,6
0,3
0,0
-50
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
V(Volts)
FIGURA 3.5 Reta de carga experimental do diodo tnel 1N3712

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P g i n a | 53
3.2.5 APLICAES
Os exemplos, aqui apresentados, de aplicao do diodo tnel so de um

oscilador de resistncia negativa e um oscilador senoidal. Na figura 3.6a, tem-se um
oscilador de resistncia negativa. A escolha dos elementos no circuito tem o objetivo de
estabelecer uma reta de carga, tal qual a mostrada na figura 3.6b. Verifica-se que a nica
interseo com a curva encontra-se na regio instvel de resistncia negativa e que um
ponto de operao estvel no definido. A tenso resultante sobre o diodo tnel
mostrada na figura 3.6c, e continuar enquanto o circuito estiver sendo energizado [2426]. O resultado uma sada oscilatria produzida por uma fonte de tenso fixa e um
dispositivo com resistncia negativa. A forma de onda da figura 3.6c possui extensa
aplicao em circuitos de temporizao e em lgica computacional. Um diodo tnel
tambm pode ser utilizado para gerar uma tenso senoidal utilizando-se apenas uma
fonte cc e alguns elementos passivos. Na figura 3.7a, o fechamento da chave resulta, na
sada, em uma tenso senoidal que diminui de amplitude com o tempo. Dependendo dos
elementos empregados, possvel variar a freqncia do sinal gerado. Esse
amortecimento do sinal na sada devido s caractersticas dissipativas dos elementos
resistivos. Colocando um diodo tnel em srie com o circuito-tanque, como mostra a
figura 3.7c, a resistncia negativa do diodo compensa a caracterstica resistiva desse
circuito, resultando em uma resposta no-amortecida na sada, mostrada na mesma
figura. O projeto deve permitir que a reta de carga intercepte a curva caracterstica na
regio de resistncia negativa. Pode-se dizer que o gerador senoidal explicitado na
figura 3.7 simplesmente uma extenso do oscilador de pulsos mostrado na figura 3.6,
com a incluso de um capacitor para permitir troca de energia entre o indutor e o
capacitor, durante as diversas fases do ciclo descrito na figura 3.6b. Ainda importante
frisar-se que, como j visto, a necessidade de dispositivos semicondutores de respostas
ultra-rpidas e, para operar em freqncias elevadssimas, na faixa compreendida alm
do espectro visvel, ganhou grande impulso no incio da dcada de 1960. Muitos destes
dispositivos foram oriundos de novos materiais de tecnologia avanada, como o
arseneto de glio e o fosfeto de ndio. Assim, descortinou-se um grande futuro para o
diodo tnel devido a sua extremada velocidade de processamento de sinais [27].
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P g i n a | 54
FIGURA 3.6 Oscilador de resistncia negativa [8]
FIGURA 3.7 Oscilador senoidal [8]
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3.3 CARACTERIZAO ELTRICA DO DIODO TNEL 1N3712

NOS DOMNIOS DA TEMPERATURA E DA FREQNCIA
Para a caracterizao eltrica do diodo tnel 1N3712, tanto no domnio da

temperatura, quanto no da freqncia, foram realizados experimentos que garantiram a
realizao do intento, respectivamente, na fonte Keythley 2400 e no analisador de
impedncia Solartron 1260. A partir da abordagem sucinta de cada domnio, nos itens
3.3.1 e 3.3.2, constata-se a sutileza desta caracterizao eltrica, mostrando, desta
forma, a importncia do diodo de tunelamento.
3.3.1 CARACTERIZAO DA TEMPERATURA
Para a caracterizao da temperatura, no diodo tnel 1N3712, a partir do circuito

semelhante ao utilizado para a obteno da curva experimental do mesmo no item 3.2.2
desta dissertao, foram efetuadas medidas na corrente do referido diodo com aplicao
de uma diferena de potencial que variou de 10mV at 550 mV. Como a primeira das
curvas foi obtida a uma temperatura de 25C, ou seja, na temperatura ambiente, optouse por obter duas outras curvas, tambm bastante importantes, para temperaturas,
respectivamente, de 0C e 50C. A figura 3.8 apresenta as trs curvas obtidas para as
temperaturas respectivas de 0C, 25C e 50C. Verificou-se que, temperatura de 0C,
abaixo da temperatura ambiente, a curva IxV se deslocou para a direita, alterando
minimamente os valores da corrente de pico (Ip) e da corrente de vale (Iv) para nmeros
aproximadamente iguais aos obtidos para a temperatura de 25C. Na regio de
resistncia diferencial negativa a alterao foi muito pequena. No entanto, a partir da
tenso do vale (Vv), na parte da curva que caracteriza um diodo comum, a curva sofreu
um deslocamento mais acentuado para a direita, garantindo que, para uma temperatura
abaixo da temperatura ambiente, os valores de corrente obtidos, para os mesmos valores
de tenso aplicados sobre o diodo tnel 1N3712, decaem. J para a temperatura de
50C, acima da temperatura ambiente, a curva IxV se deslocou para a esquerda, tambm
alterando os valores da corrente de pico (Ip) e da corrente de vale (Iv), para quantidades
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quase iguais s obtidas para a temperatura de 25C. Novamente na regio de resistncia
negativa a alterao foi mnima. Entretanto, logo aps a tenso de vale (Vv), a curva
sofreu um deslocamento para a esquerda, mostrando que, para uma temperatura acima
da temperatura ambiente, os valores de corrente obtidos, para os mesmos valores de
tenso aplicados sobre o diodo tnel 1N3712, aumentam.
1,3
Temperatura 0C
1,2
Temperatura 25C
1,1
Temperatura 50C
1,0
Corrente (mA)
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
-0,05
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
0,45
0,50
0,55
0,60
0,65
Tenso (V)
FIGURA 3.8 Caracterizao da variao da temperatura

no diodo tnel 1N3712
3.3.2 CARACTERIZAO DA FREQNCIA
Para a caracterizao da freqncia, no diodo tnel 1N3712, foram efetuadas

medidas, utilizando o analisador de impedncia Solartron 1260, com as freqncias
variando de 1Hz at 10MHz, onde uma tenso de polarizao dc V, variando nos limites
do eixo x, foi esboada como funo da impedncia Z do diodo tnel, variando nos
limites do eixo y. Como a condutncia representada pela relao I/V, pde-se integrar
a curva, que caracteriza a resposta do equipamento, para obter-se uma curva equivalente
de corrente versus tenso IxV, que segue expressa na figura 3.9. Como j foi explicitado
anteriormente, no diodo tnel a corrente eltrica pode mudar de sentido com uma alta
freqncia, uma propriedade bastante atrativa para a indstria de telecomunicaes e de
memrias rpidas. Em 1949, a freqncia de tunelamento do nitrognio na molcula de
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 57

amnia foi utilizada para a fabricao do primeiro relgio atmico. Nesta molcula o
tomo de nitrognio pode ocupar mais de um lugar. Ele muda de um para outro lugar
atravs de um processo de tunelamento, com freqncia igual a 24GHZ. a constncia
desta freqncia que torna possvel o seu uso em um relgio atmico.
0,010
0.0010
I-1Hz
I-10Hz
I-100Hz
I-1kHz
I-10kHz
I-100kHz
500kHz
I-1MHz
I-5MHz
I-10MHz
I(A)
0.0005
0,005
0.0000
I (A)
-0.0005
0.0
0.1
0.2
0.3
V(V)
0,000
-0,005
0,0
0,2
0,4
0,6
V(V)
FIGURA 3.9 Caracterizao da variao da freqncia no diodo tnel 1N3712
Deve-se perceber que a integrao adequada da impedncia versus tenso de

polarizao permite com que se tenham esboadas tpicas curvas de corrente versus
tenso com comportamento similar ao detectado na caracterizao dc, apresentando
regies de picos e vales, alm da ativao termoinica em tenses tpicas como
retratadas para esse tipo de diodo. Com a caracterizao ac do dispositivo possvel
mapear efetivamente a regio de resistncia diferencial negativa e, conseqentemente,
corrente diferencial negativa, como retratado na figura 3.9. A varredura em freqncia
para o dispositivo mostra uma caracterstica extremamente reprodutvel no limite de
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 58

baixas freqncias, mostrando que a taxa com que se inverte o fluxo de eltrons entre
as barreiras bem menor do que a taxa que caracteriza o prprio tunelamento. A
invarincia na resposta eltrica desde o limite quase dc at sinais com freqncia da
ordem de centenas de KHZ caracteriza a inexistncia de efeitos reativos como
decorrncia de indutncias ou capacitncias parasitas, quer atuariam como indcios de
processos ressonantes induzidos no diodo tnel. O mecanismo retratado poderia
caracterizar o casamento entre as taxas de injeo de portadores no diodo e a prpria
taxa de tunelamento, proporcionando pseudo-efeitos de tunelamento ressonante em um
simples diodo de tunelamento. Mesmo operando em freqncias inferiores a 10 MHZ
possvel verificar que a corrente de pico aumentada e anomalias surgem
especificamente nas tenses de polarizao de 0,2V e 0,4V , que caracterizam,
respectivamente, o trecho de instabilidade da resistncia diferencial negativa e o limite
inferior da regio de injeo termoinica. Essas observaes, no limite relativamente
baixo do espectro de freqncias, caracterizam a extrema dependncia do dispositivo
com sinais eltricos em escala de freqncia mais elevada, viabilizando o uso dos
mesmos como chaveadores de alta velocidade, assim descrito ao longo desta
dissertao.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 59
[1] S. Rezende, Materiais e Dispositivos Eletrnicos, Editora Livraria da Fsica, So

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_____________________________________________________________________________
P g i n a | 62
Captulo 4
4.1 ANLISE TERICA DO DIODO DE TUNELAMENTO RESSONANTE
Um diodo de tunelamento ressonante uma heteroestrutura semicondutora que

possui um poo quntico no dopado inserido entre duas barreiras de potencial, tambm
no dopadas, assim como camadas fortemente dopadas em suas extremidades,
denominadas de contato. Esses contatos so responsveis pelo excesso de portadores
que so transportados ao longo da estrutura quando aplicamos uma diferena de
potencial entre as extremidades do diodo [1-3]. A dopagem em alta concentrao nos
contatos causa o alargamento dos nveis de impurezas (doadoras ou aceitadoras) no
semicondutor, podendo levar a uma transio de fase de semicondutora para metlica,
deslocando o nvel de Fermi do material, que antes se encontrava no interior do bandgap, para dentro das bandas de conduo e de valncia, permitindo aos portadores se
deslocarem na presena de um campo eltrico. Os contatos podem ser identificados
como emissor ou coletor dependendo da polaridade dos potenciais eltricos aplicados ao
diodo de tunelamento ressonante e, conseqentemente, de emisso ou captao dos
portadores majoritrios por eles. Geralmente inserida uma camada no dopada entre
os contatos fortemente dopados e as barreiras com o objetivo de aumentar a relao da
corrente de pico com a corrente de vale na curva caracterstica corrente-tenso [4-6]. O
diodo de tunelamento ressonante pode ser considerado como um sistema quntico
aberto, no qual os estados eletrnicos so estados quase-ligados ou ressonantes com
uma distribuio contnua no espao de energia, em vez de estados ligados com um
espectro de energia discreto. As principais etapas do processo de tunelamento
ressonante so ilustradas na figura 4.1, atravs dos diagramas dos perfis de potencial da
banda de conduo para um diodo de tunelamento ressonante tipo n-i-n, para quatro
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 63

tenses diferentes: (a) na tenso zero, (b) na iminncia de ressonncia, (c) em
ressonncia e (d) fora da ressonncia. A corrente de tunelamento comea a fluir quando
E0 alinha-se com o nvel de Fermi EF no emissor, explicitado na figura 4.1b, e atinge o
valor de pico quando o nvel E0 fica na borda da banda de conduo no emissor.
FIGURA 4.1 Diagramas da banda de conduo para o DTR sob quatro condies
de voltagem aplicada. [29]
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 64
4.1.1 POO QUNTICO: ACMULO DE CARGA ESPACIAL
A influncia gerada pelo processo de tunelamento ressonante, sobre as

propriedades de transporte de um diodo de tunelamento ressonante, levanta uma questo
bastante relevante de como as cargas que ficam confinadas na regio do poo quntico e
aquelas retidas na camada de acumulao podem influenciar o tunelamento e,
conseqentemente, a dinmica dos processos de transporte. A resposta no direta, mas
se pode comear essa investigao partindo do fato de que a presena de carga
acumulada na regio do poo quntico sempre atua de modo a modificar a distribuio
do potencial aplicado atravs do diodo de tunelamento ressonante. Uma evidncia de tal
influncia o fato destes dispositivos exibirem freqentemente uma histerese na curva
caracterstica corrente-tenso na regio de tenso denominada de resistncia diferencial
negativa. Essa histerese pode, em primeira anlise, ser explicada pela resistncia em
srie externa. A resistncia em srie externa tem dois efeitos nas curvas caractersticas
de tenso-corrente do dispositivo de resistncia diferencial negativa: oscilaes de
circuito e histerese de corrente. A bi-estabilidade de corrente causada pela resistncia
em srie extremamente comum, entre dispositivos de diodo de tunelamento ressonante
e descrita como bi-estabilidade extrnseca [7-10]. Ela distinta de outra forma de biestabilidade, chamada bi-estabilidade intrnseca. Nesse caso, a dinmica de acmulo de
carga no poo quntico, e no mais efeitos do circuito externo, que est vinculada
histerese na curva corrente-tenso dos diodos de tunelamento ressonante. Embora no
haja consenso na caracterizao dessas duas formas de bi-estabilidade, Foster e
Zaslavsky [11] conseguiram demonstrar a existncia de bi-estabilidade intrnseca
atravs do uso de barreiras assimtricas em um diodo de tunelamento ressonante. As
barreiras foram utilizadas de modo a maximizar o acmulo de carga nos poos e como
argumento para provar a existncia de bi-estabilidade intrnseca. Quando se aumenta a
voltagem aplicada na regio de ressonncia aumenta-se a carga acumulada no poo
quntico, modificando o perfil de potencial e deslocando o pico ressonante para altas
voltagens. Aps a ressonncia os nveis do poo quntico so esvaziados. Se reduzirmos
a voltagem, o pico de ressonncia deve ocorrer em uma voltagem menor, j que no se
tem acmulo de carga no poo quntico.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 65
4.2 MODELO DE DENSIDADE DE CORRENTE DE TUNELAMENTO
Sabe-se que tanto o espalhamento quanto o tunelamento quntico tm se

constitudo em instrumentos preciosos quando tentamos compreender a natureza e o que
acontece no mundo mesoscpico ou nanomtrico das molculas, tomos e partculas.
Nestes estudos comum o uso de modelos que assumam, para os potenciais de
interao entre as partculas, formas que podem ser divididas em regies espaciais nas
quais estes potenciais podem ser aproximados por patamares constantes. Neste caso,
como as regies de transio dos potenciais entre os patamares vizinhos esto restritas a
regies espaciais muito pequenas, ento estas transies do potencial podem ser
assumidas como abruptas. Um outro aspecto a ser ressaltado que, a despeito da
tridimensionalidade do problema do tunelamento, alguns de seus aspectos mais
fundamentais podem ser apresentados e explorados em termos de modelos fsicos muito
simples cujos clculos so baseados no uso de potenciais retangulares unidimensionais.
A corrente de tunelamento ressonante atravs de uma estrutura de barreira dupla
depende basicamente da probabilidade de transmisso. Uma discusso detalhada do
clculo da corrente tnel a partir dos coeficientes de transmisso pode ser encontrada
em diversos trabalhos na literatura[12-14]. No diodo de tunelamento ressonante, os
mecanismos de espalhamento so muito rpidos, logo que um incremento na voltagem
aplicada ao dispositivo for feita. Quando isso acontece, todo o sistema atinge o
equilbrio trmico antes de que outro incremento seja aplicado ao dispositivo. Assim
sendo, o sistema precisa estar em equilbrio trmico ainda que uma corrente pequena
circule atravs do dispositivo desde o contato emissor at o contato coletor. O fato de se
considerar que os contatos sejam reservatrios de eltrons (contatos metlicos,
semimetlicos ou semicondutores altamente dopados) e sejam ligados ao diodo de
tunelamento ressonante implica que o sistema aberto e os eltrons nos contatos so
ondas estacionrias, porque os reservatrios permanecem em equilbrio trmico ainda
que exista uma diferena de potencial entre ambos os reservatrios. O efeito da
diferena de potencial gerar estados desocupados no reservatrio da direita, com o que
alguns eltrons da esquerda tunelam para a direita. Como o nmero de eltrons nos
reservatrios muito grande, a troca de eltrons entre eles provoca uma perturbao
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 66

desprezvel no estado dos dois reservatrios. Ento, a densidade de corrente de
tunelamento ressonante, pode ser qualitativamente predizvel pelas equaes de EsakiTsu[15] e, desta forma, a probabilidade dos eltrons ocuparem determinados estados na
banda de conduo em ambos os eletrodos, esquerda e direita da barreira, dada
pela distribuio de Fermi-Dirac:
f(E) =
(Eq. 4.2)
A probabilidade total de termos um tunelamento da esquerda para a direita

ento dada pela multiplicao da probabilidade de encontrarmos um estado inicial
ocupado do lado esquerdo f(Ee), pela probabilidade do eltron tunelar a barreira
T*T(Ee) e, ainda, multiplicado pela probabilidade de encontrarmos um estado final
direita da barreira desocupado [1 fd(Ee + eV)]. Temos, ento, que:
Ped = fe(Ee) [1 fd(Ee + eV)] T*T(Ee)
(Eq. 4.3)
A densidade de corrente da esquerda para a direita , assim, dada pela

multiplicao da corrente dos eltrons com uma velocidade vz incidente pelo nmero de
vetores de onda ( ) d
= V/(2) d
integrada sobre todos os
possveis.
e, tambm, pela probabilidade total Ped ,
vz Ped
(Eq. 4.4)
Da mesma forma, temos que a corrente da direita para a esquerda dada por
vz Pde
(Eq. 4.5)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 67
Com Pde = fd (Ee + eV) [1 fe(Ee)] T*T(Ee)
(Eq. 4.6)
A densidade de corrente de tunelamento resultante obtida a partir das

expresses parciais representadas pelas equaes 4.3 e 4.4 , no esquecendo de
substituir as equaes 4.2 e 4.5, que representam os valores para Ped e Pde. Portanto,
dkz vz { fd (Ee + eV) [1 fe(Ee)] - fe(Ee) [1 fd(Ee + eV) }T*T(Ee)
Efetuando as devidas simplificaes nesta equao chegamos ao seguinte valor:
dkz vz [ fd (Ee + eV) - fe(Ee) ] T*T(Ee)
Utilizando o fato de que vz =
(Eq. 4.7)
na equao anterior, chega-se a seguinte
expresso para a densidade de corrente:
dEz [ fe(Ee) - fd (Ee + eV) ] T*T(Ee)
No entanto, j conhecemos da literatura [16-18] que o Coeficiente de

Transmisso T*T(Ee) uma funo da energia Ez , somente na direo do tunelamento,
e, claro, dos parmetros da heteroestrutura. A energia que aparece na expresso da
densidade de corrente a energia total do eltron incidente:
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 68
Ee = Ez +
(Eq. 4.8)
Assim, substituindo as funes de Fermi e o Coeficiente de Transmisso como

uma funo de Ez , e fazendo a integrao em
, obteremos para uma determinada
temperatura T uma expresso, cujos clculos esto esmiuados no apndice 2, para a

densidade de corrente de tunelamento, na forma:
J=
ln[
] dEz
(Eq. 4.9)
Onde T*T(Ez) a probabilidade de transmisso, V a voltagem aplicada ou a

diferena de potencial entre os dois reservatrios e me a massa efetiva. Aqui supomos
que o tunelamento coerente, pelo fato de que o momento paralelo s interfaces se
conservar e que a probabilidade de transmisso depender apenas de (Ez). Para a presente
dissertao, para se calcular a funo de onda, foi desenvolvido u processo onde se
obteve o clculo exato da mesma. Todos os resultados numricos para as probabilidades
de transmisso supe uma onda incidente vindo esquerda do reservatrio emissor.
ainda interessante se frisar que o mtodo da matriz de transferncia, para
problemas de espalhamento e que foi originalmente descrito por Tsu E Esaki[19], pode,
tambm, ser utilizado para o clculo da probabilidade de transmisso T(Ez). Neste
mtodo, o potencial de uma estrutura de tunelamento ressonante aproximado por uma
srie de degraus pequenos e a funo de onda na i-sima seo pode ser expressa na
forma de uma onda plana. A equao de Schrdinger em uma dimenso deve ento ser
resolvida numericamente, incluindo somente potenciais multi-barreiras constantes, com
condies de contorno de espalhamento sobre as funes de onda. Um outro modelo,
bastante conhecido, para o clculo do coeficiente de transmisso, pela aproximao
Wentzel-Kramers-Brillouin, ou seja, pelo mtodo WKB [20,21].
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 69
4.3 - CLCULO EXATO DA TRANSMISSO PARA DUAS BARREIRAS
Antes de adentrarmos no clculo exato da transmisso para duas barreiras,

convm recordarmos que o clculo exato para transmisso em uma barreira retangular j
bastante conhecido na literatura da fsica quntica [22,23]. Assim, como tal resultado
clssico, temos que, na presente dissertao, o mesmo segue devidamente representado
no apndice 3 da mesma, envolvendo alguns detalhes que enriquecem, ainda mais, este
clculo extremamente importante no entendimento do clculo da transmisso para duas
barreiras quaisquer.
4.3.1 TRANSMISSO PARA DUAS BARREIRAS RETANGULARES

Para o caso de duas barreiras sujeitas ao mesmo potencial, retangulares, com
larguras a e alturas V0, separadas por uma distncia b-a, temos que, conforme explcito
na figura 4.2, as mesmas estaro divididas em cinco regies, respectivamente I, II, III,
IV e V, onde E < V0. Comparando com a soluo para uma nica barreira, verificaremos
que, para duas barreiras, a transmisso T e a reflexo R, contero singularidades que
podero ser expandidas para n barreiras. Assim, V(x) ser zero, nas regies I, III e V,
onde se tem x < 0, a < x < b e x > a + b, e V(x) ser V0 nas regies II e IV, onde se tem
0 < x < a e b < x < a+b.
FIGURA 4.2 Grfico de uma barreira dupla retangular
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 70
Para x < 0, a < x < b e x > a + b, a equao de Schroedinger, nas regies I, III e
V, ter como soluo: = -
(x)
onde
e, neste caso, teremos a
equao caracterstica com razes complexas.

Para 0 < x < a e b < x < a+b, a equao de Schroedinger, nas regies II e IV,
ter como soluo a igualdade: = -
(x)
onde
e, assim,
teremos a equao caracterstica com razes reais.

A soluo ser dada por:
A
+B
, x<0
+D
, 0<x<a
+F
(x) = E
a<x<b
+H
, b < x < a+b
+J
x > a+b
Voltando ao modelo clssico e considerando que a partcula incide sobre a

barreira a partir do seu lado esquerdo, temos que tal escolha elimina o termo J
visto que a correspondente funo de onda J
descreve uma incidncia a
partir da direita. Como no h nenhuma barreira mais adiante, no haver porque haver
uma onda refletida para a esquerda. Ento, fazendo esta escolha, tem-se que J = 0. Os
nove coeficientes restantes(A, B, C, D, E, F, G, H, I) devem obedecer as oito condies
de continuidade de e , tanto em x = 0 , quanto em x = a, como tambm em x = a+b
e x = 2a +b. Desta forma, teremos que:
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 71
(0) A + B = C + D
(0) i (A B) = (a) C
+ D
(a) -
(C
(C D)
=E
-D
+F
)=i E
-i F
Para resolver este sistema de equaes, faremos com que =

e=E
, alm de = F
, que nos conduzir ao seguinte sistema de equaes:
A+B=C+D
(Eq. 4.10)
i(A B) = - (C D)
=+
+D
-(C
-D
(Eq. 4.11)
) = i - i
Para as equaes expressas em (2), pode-se reorganiz-las da seguinte maneira:

C
+D
=+
-D
=- +
Agora, somando as equaes contidas em (2), verifica-se que:

C
= ( - ) + ( + )
= 1 + i + -1 + i
2i
2i
(1 +
) + (1 -
)
(Eq. 4.12)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 72
Substituindo (3) na primeira equao de (2), obtm-se que:

D
=+-C
= [ 1 ( 1 + i ) ] + [ 1 ( -1 + i )
2i
2i
= - 1- i + 1+ i
2i
2i
(Eq. 4.13)
Levando, ento, os valores de C e D, explicitados em (3) e (4), para a primeira

equao do sistema (1), vem que:
A+B=C+D
A + B = 1 + i
2i
A+B= [
2i
A+B=[
2i
- 1- i
2i
+ -1 + i
2i
(1 + i) -
+ i (
+ 1+ i
2i
(1 i)] + [
2i
(-1 + i) +
)] + [-(
2i
)+i (
(1 + i)]
)]
No esquecendo que, pela definio do seno e do cosseno hiperblico, temos

que:
senh =
E, assim, fazendo =
A + B = (cosh
- i senh
cosh =
+
2
, obter-se-, a seguinte expresso:
) + (cosh
+ i senh
(Eq. 4.14 )
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 73
Passando, ento, para a segunda equao do sistema (1), verificamos que:

i(A B) = -(C D)
A B = i(C D)
AB=[
2
AB= [
2
(1 + i) +
+ i(
A B = (cosh
(1 i)] + [
2
)] + [-(
2
+ i senh
(-1 + i) -
) + (-cosh
(1 + i)]
) + i(
+ i senh
)]
(Eq. 4.15)
Para encontrar os valores dos coeficientes A e B, basta que se somem as

expresses contidas em (5) e (6). Logo:
A=
[2cosh
A = [ cosh
+ i(
)senh
] + [ i(
+ ( - )senh
)senh
] + [ ( + )senh
(Eq. 4.16)
E, conseqentemente:
B=
( + ) senh
+ [ cosh
No entanto, recordando que = E
- ( - )senh
,=F
(Eq. 4.17)
, e ainda introduzindo que
F = E, e utilizando tais igualdades em (7), teremos que:
A=E
[cosh
+ ( - )senh
]+F
A=E
[cosh
+ ( - )senh
] + E
[cosh
+ ( - )senh
]+
[ ( + )senh
[ ( + )senh
[ ( + )senh
]
]
] (Eq. 4.18)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 74
Neste ponto do clculo da transmisso para duas barreiras retangulares,

importante ressaltar que o termo =
representa, to somente, a reflexo vista apenas
na segunda barreira e, deste modo, utilizando o clculo j expresso no apndice 1 desta

dissertao, chega-se concluso que o mesmo possui o seguinte valor:
) senh
= _______________________
1 + ( + ) senh
(Eq. 4.19)
Uma outra relao importante, que ser usada para se calcular o mdulo ao
quadrado da equao expressa em (9), est esmiuada no apndice 4 desta dissertao,
onde se conclui que:
|
|
(a + bi) +
(c + di)| = a+b+c+d+2ac cos2 +2bd cos2+2ad sen2bc sen2
(a + bi) +
(c + di) | = a + b + c + d + 2(ac + bd) cos2 + 2(ad bc) sen2

Desta deduo, extremamente valiosa para se representar o
clculo pretendido, verifica-se que c = 0 e =
. Assim sendo, representando,
agora, o valor do mdulo ao quadrado da equao expressa em (9), vem que:

| | = cosh
+ ( - )senh
( + ) senh2
+ ( + )senh
+ [ - ( )]senh
cos2
sen2
Como cosh = 1 + senh , vem que:

| | = 1 + ( + ) senh
( + ) senh2
+ ( + ) senh
+ [ - ( )] senh
cos2
sen2
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 75
( + ) (1 + )senh
| | = 1 +
sen2
Entretanto, =
| | = 1 + (
(
+ [ - ( )] senh
cos2
( +
e levando tal valor equao acima, tem-se que:
) (1 + )senh
) senh2
- [(
) - (
)] senh
cos2
sen2
(Eq. 4.20)
Usando, agora, o fato de que |
| exatamente a transmisso na segunda
barreira, em relao a onda incidente na mesma, ter-se-:

| | = ___________1_____________
1+ (
(Eq. 4.21)
) senh
Assim sendo, a transmisso total, ou seja |
| que traduz o quanto foi
transmitido na segunda barreira, em relao a onda incidente na primeira barreira,

calculada efetuando-se o produto de (12) pelo inverso de (11). Logo, teremos:
| | = | | . | |
|
| = [1 + (
[(
sen2
) - (
}
) senh
)] senh
]-1 {1 + (
cos2
+
+
) (1 + )senh
(
) senh2
-1
_____________________________________________________________________________
) senh2
P g i n a | 76
4.3.2 TRANSMISSO PARA DUAS BARREIRAS TRAPEZOIDAIS
Para o clculo da transmisso em uma barreira trapezoidal utilizaremos,

conforme a figura 4.3, cinco regies onde em I, III e V, teremos o espao livre com as
seguintes equaes:
FIGURA 4.3 - Grfico da barreira dupla trapezoidal
I(x) = A
+B
III(x) = E
+F
V(x) = I
J para as regies no interior das barreiras, teremos, conforme mostrado no

apndice 4, as chamadas funes de Airy, que sero expressas por:
II(x) = C Ai(x) + D Bi(x)
IV(x) = G Ai(x) + H Bi(x)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 77
Para a primeira condio de continuidade, teremos em a:

I(x) = II(x)
I(x) = II(x)
E, assim, podemos escrever que:
A
ikA
+B
= C Ai(a) + D Bi(a)
= C Ai(a) + D Bi(a)
- ikB
(Eq. 4.22)
Escrevendo na notao matricial, tem-se que:
-1
(Eq. 4.23)
J para a segunda condio de continuidade, teremos em b:

II(x) = III(x)
II(x) = III(x)
E, assim, podemos escrever que:
E
ikE
+F
- ikF
= C Ai(b) + D Bi(b)
= C Ai(b) + D Bi(b)
(Eq. 4.24)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 78
Escrevendo na notao matricial, tem-se que:
-1
(Eq. 4.25)
Unindo, ento, (2) e (4), pode-se explicitar uma relao entre E, F e A, B.

Assim sendo, vem que:
-1
-1
Agora, fazendo:
-1
M1 =
M2 =
-1
Pode-se, desta forma, ter a seguinte expresso:

= M2 M1
(Eq. 4.26)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 79
No esquecendo que, para a segunda barreira, ter-se-o os pontos de

continuidade em c e d, pode-se, seguindo os mesmos passos dos pontos de continuidade
em a e em b, se chegar a seguinte equao matricial:
-1
-1
Entretanto, fazendo:
M3 =
-1
M4 =
-1
Logo, desta forma, pode-se representar a seguinte expresso:

= M4 M3
(Eq. 4.27)
Substituindo o valor de (5) em (6), vem que:
= M4 M3 M2 M1
(Eq. 4.28)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 80
Usando o produtrio = M4 M3 M2 M1 , pode-se explicitar a equao

anterior como:
=
Atravs das identidades matriciais, constri-se uma expresso geral que
relaciona R(reflexo) e T(transmisso), da qual obtm-se o coeficiente de transmisso,
que, como se sabe, funo da energia e dos parmetros do sistema. Assim, fazendo I =
T , A = 1, B = R e uma matriz 2x2 onde seus elementos so
verifica-se que:
Ento, a amplitude de transmisso T dada por:

T=(1/
O Coeficiente de Transmisso calculado fazendo-se a multiplicao de

T pelo seu complexo conjugado T* :
T*T = ( 1 /
)*( 1 /
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 81
Aps o clculo do Coeficiente de Transmisso para uma barreira trapezoidal,

verifica-se que o mesmo precisa de um resultado numrico para ser melhor entendido.
De fato, antes de se explicitar os resultados desenvolvidos com o programa Fortran,
convm, ainda, relacionarmos a tenso externa com as tenses dentro da barreira, VB e
VB, com larguras B e B, e a tenso no poo VA, com largura A. Assim, temos que:
VEXT = VB + VA + VB
(Eq. 4.29)
No entanto, VB = EB B , VA = EA A , VB = EB B . Assim, vem que:

VEXT = EB B + EA A + EB B
(Eq. 4.30)
Outro detalhe importantssimo, que chamando as constantes dieltricas

em A, B e B de A , B e B , na condio de contorno, utilizando-se a continuidade do
vetor deslocamento eltrico, tem-se que:
EB B = EA A = EB B
(Eq. 4.31)
Logo, encontrando uma relao entre EB e EB em funo de EA ,

teremos:
EB = (A/ B) EA = AB EA
(Eq. 4.32)
EB = (A/ B) EA = AB EA
(Eq. 4.33)
Substituindo os valores de (11) e (12) na equao (9), encontra-se que:

VEXT = AB EA B + EA A + AB EA B
Logo, pode-se concluir que o valor de EA na primeira barreira ser
dado por:
EA = VEXT / (AB B + A + AB B)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 82
Este resultado tem sua sutileza em virtude de que pode-se calcular EA a

partir de uma relao entre VEXT , AB , B , A , AB , B , pois todos esses valores
estaro implicitamente dados no problema. Ento, calculando EA , pode-se tambm
calcular EB e EB visto que as equaes (11) e (12) os explicitam em funo de EA.
4.4 RESULTADOS
Mostra-se a seguir resultados para a probabilidade de transmisso e a densidade

de corrente de tunelamento para diversos casos. Em todos eles sups-se que a dopagem
dos contatos permaneceu fixa. Os parmetros que sofreram variao foram a largura e a
altura das barreiras e do poo, as massas efetivas das barreiras e do poo, a tenso
externa e constantes dieltricas. Para a obteno de tais resultados foi, fundamental, a
utilizao da realizao de clculos numricos, a partir de um programa computacional
desenvolvido em Fortran e que segue exposto no apndice 6 desta dissertao.
4.4.1 CURVAS DE TRANSMISSO
Na figura 4.4 apresentada a probabilidade de transmisso eletrnica em funo

da energia do eltron incidente, medida em relao ao fundo da banda de conduo no
emissor, para diferentes potenciais eltricos externos aplicados, que variaram de zero a
100 mV. Pode-se observar em tal figura diversos picos na probabilidade de transmisso
correspondentes a ressonncia dos estados eletrnicos confinados no poo. Com o
aumento do potencial externo aplicado barreira dupla os picos de ressonncia so
deslocados para o lado de baixa energia. As energias E1, E2, E3 e E4 so os estados
ligados no poo medidos com relao ao fundo da banda de conduo no centro do
poo.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 83
FIGURA 4.4: Logaritmo do quadrado da transmisso em funo da energia do eltron

para diferentes tenses externas. Consideramos um poo de largura de 100, e
barreiras de largura de 30 e altura de 0,5 eV. A massa efetiva do eltron no poo foi
de 0,067 e na barreira de 0,153 da massa do eltron.
J na figura 4.5 apresentado um grfico da posio do pico na curva de

transmisso em E2, esboado na figura 4.4, em funo da tenso externa aplicada a
estrutura de dupla barreira. importante se mencionar que a posio dos picos de
ressonncia, e seus deslocamentos para o lado de baixa energia, so medidos em relao
ao fundo da banda de conduo no emissor. No caso de tunelamento de eltrons,
quando a largura de poo da ordem de 50 , os nveis de energia ligados no poo,
praticamente no se deslocam quando perturbados por um potencial eltrico externo
constante. Neste grfico pode-se observar que a posio dos picos de tunelamento
ressonante variam linearmente com a tenso externa aplicada.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 84
FIGURA 4.5: Variao da localizao do segundo estado quase ligado do poo em

funo da tenso externa para os potenciais descrito na legenda da figura 4.4.
Na figura 4.6 foi repetido o clculo da transmisso para diferenas voltagens

externas, que variaram de zero a 500mV, porm, agora, foram alterados os valores das
larguras do poo e das barreiras, para 50 e 17, respectivamente. Alm disso, tambm
foi alterada a massa efetiva do eltron na barreira para 0,092 da massa do eltron. O
nmero de estado ligados caiu para dois, pois reduziu-se a largura do poo e da barreira,
aumentando com isso a probabilidade de transmisso.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 85
FIGURA 4.6: Idem figura 4.4, considerando um poo de largura de 50, e barreiras de
largura de 17 e altura de 0,5 eV. A massa efetiva do eltron no poo foi de 0,067 e
na barreira de 0,092 da massa do eltron.
J na figura 4.7 apresentado um grfico da posio do pico na curva de

transmisso em E2, esboado na figura 4.6, em funo da tenso externa aplicada a
estrutura de dupla barreira. Tal resultado apenas confirma a caracterstica de linearidade
do grfico da energia do estado de ressonncia E2, j mostrado na figura 4.5.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 86
FIGURA 4.7: Idem figura 4.5 para os potenciais descritos na legenda da figura 4.6.
Na figura 4.8, obteve-se uma curva que expressa a transmisso, a partir de

variaes nas massas efetivas do eltron no poo e nas barreiras. Considerou-se que a
largura do poo e das barreiras, foram de, respectivamente, 50 e 20, alm da altura
das barreiras ser expressa por 0,5eV. Enquanto a massa efetiva do poo ficou fixa em
0,010 e a massa efetiva das barreiras variou de 0,010 a 0,080 as curvas de transmisso
praticamente no se alteraram. Contudo, quando variou-se a massa efetiva do poo para
0,060 e 0,067, a curva tendeu para a direita.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 87
FIGURA 4.8: Poo de largura de 50, barreiras de largura de 20 e altura de 0,5 eV.
Na figura 4.9, confirmando o resultado em parte obtido na figura 4.8, verificouse que quando se mantm a massa efetiva do poo e se cria uma assimetria entre as
barreiras, no caso a primeira barreira teve como massa efetiva 0,092 da massa do
eltron e, a segunda barreira, 0,080 da massa do eltron, constata-se que a curva de
transmisso obtida para tal assimetria praticamente a mesma obtida para uma barreira
simtrica. Deve-se levar em conta que estamos lidando com pequenas variaes das
massas efetivas nas barreiras.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 88
FIGURA 4.9: Poo de largura de 50, barreiras de largura de 20 e altura de 0,5 eV.
Na figura 4.10, tem-se a representao grfica da transmisso para variaes

assimtricas da largura da segunda barreira, cujas variaes se deram de 10 a 30.
Observa-se claramente que tais variaes conduzem a uma queda na transmisso, isto
devido ao fato de estarmos aumentando a largura da segunda barreira, dificultando,
desta forma, a passagem dos eltrons, pois os mesmos tero um maior caminho para
percorrerem.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 89
FIGURA 4.10: Altura da barreira 0,5 eV. A massa efetiva do eltron no poo foi de
0,067 e na barreira de 0,092 da massa do eltron.
Na figura 4.11, tem-se uma outra variao assimtrica importantssima, que a

mudana da altura da segunda barreira, indo de 0,4eV a 0,6eV. Verifica-se que essa
variao tambm produz um decrscimo na transmisso, visto que se est impedindo
que os eltrons tenham um trnsito mais fluente pela segunda barreira, que, sendo maior
a cada clculo, mostra que influencia diretamente no tunelamento dos mesmos.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 90
FIGURA 4.11: Largura da barreira 20 eV e largura do poo 50 Ang. A massa efetiva

do eltron no poo foi de 0,067 e na barreira de 0,092 da massa do eltron.
4.4.2 CURVAS DA DENSIDADE DE CORRENTE DE TUNELAMENTO
O objetivo desta seo mostrar nossos resultados para a densidade de corrente

em funo da voltagem utilizando-se o Coeficiente de Transmisso calculado de forma
exata nesta dissertao. Nas figuras que se seguem, esboadas de 4.12 a 4.19, foram
considerados os seguintes dados: largura do poo = 50 , largura das barreiras = 20 ,
altura das barreiras = 0,5 eV, a massa efetiva do eltron no poo = 0,067 da massa do
eltron, a massa efetiva do eltron no poo = 0,092 da massa do eltron, temperatura =
300 K, energia de Fermi = 0.005 eV, razo entre as constantes dieltricas entre as
barreiras = 1,00 , razo entre as constantes dieltricas do poo e das barreiras = 1,05.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 91
Assim que na figura 4.12, tem-se a representao grfica da densidade de

corrente de tunelamento para uma diminuio nas larguras das barreiras de
respectivamente, 0%, 5% , 10% e 15%. Conforme se esperava a curva da densidade
aumentou, na medida em que se diminuiu as larguras nas barreiras, visto que tal
diminuio d ao eltron um menor espao para tunelar, ou seja, passa muito eltrons se
a barreira estreitar.
FIGURA 4.12: Efeito na curva da densidade de corrente devido diminuio das

larguras das barreiras.
J para a figura 4.13, tem-se uma representao grfica da densidade de
corrente de tunelamento para uma diminuio nas alturas das barreiras de
respectivamente, 0%, 5% , 10% e 15%. Conforme se esperava, novamente, a curva da
densidade aumentou, na medida em que se diminuiu as alturas nas barreiras, visto que
tal diminuio d ao eltron um menor altura para tunelar, ou seja, passa muito mais
eltrons se a barreira diminuir.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 92
FIGURA 4.13: Efeito na curva da densidade de corrente devido diminuio das

alturas das barreiras.
Na figura 4.14, outro resultado importantssimo foi obtido. Pois, a partir de

variaes na constante dieltrica do poo, com o aumento da mesma de 0%, 5%, 10% e
15%, foi verificado que a curva de densidade de corrente de tunelamento praticamente
no se altera. Foi verificado, de forma singular, que apenas ocorre uma diminuio na
densidade aps a parte de resistncia negativa.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 93
FIGURA 4.14: Efeito na curva da densidade de corrente devido ao aumento da

constante dieltrica do poo.
Na figura 4.15, tem-se a representao grfica para a densidade de corrente de

tunelamento, a partir do crescimento da largura do poo, de, respectivamente, 0%, 10%,
20% e 30%. Nota-se, claramente, que a corrente de pico diminui, no bruscamente, para
cada resultado. Por outro lado, o feito da corrente de vale exatamente o inverso, a
mesma aumenta para cada resultado, de uma forma mais sinificativa que a corrente de
pico.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 94
Figura 4.15: Efeito na curva da densidade de corrente devido ao crescimento da

largura do poo.
Para a figura 4.16, vem que foram efetuadas variaes na massa efetiva da
segunda barreira, aumentando-a de 0%, 10%, 20% e 30%. O efeito foi que a curva de
densidade de corrente de tunelamento praticamente no se alterou. Evidenciando, desta
forma, que pequenas variaes na massa efetiva da segunda barreira, no mudam as
correntes pico nem de vale.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 95
FIGURA 4.16: Efeito na curva da densidade de corrente devido ao crescimento da

massa efetiva da segunda barreira
Para a figura 4.17, vem que foram efetuadas variaes na massa efetiva do poo,
aumentando-a de 0%, 10%, 20% e 30%. O efeito foi que a curva de densidade de
corrente de tunelamento se alterou de forma a produzir para cada resultado uma corrente
de pico e de vale cada vez maior. Evidenciando, deste jeito, que pequenas variaes, a
maior, na massa efetiva do poo, mudam para maior a corrente de tunelamento.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 96
FIGURA 4.17: Efeito na curva da densidade de corrente devido ao crescimento da

massa efetiva do poo.
J para a curva 4.18, foi obtido graficamente, a partir da assimetria da largura

das barreiras, de respectivamente, -10% , -5%, 0%, 5% e 10%, que a densidade de
corrente de tunelamento tambm praticamente no se altera. S a partir da corrente de
vale, j na regio do diodo comum que se nota uma variao, ainda que pequena, no
aumento da corrente para cada aumento de largura da segunda barreira.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 97
FIGURA 4.18: Efeito na curva da densidade de corrente devido variao na largura

das barreiras, tornando-as assimtricas.
Para a curva 4.19, foi obtido graficamente, a partir da assimetria da altura das
barreiras, de respectivamente, -10% , -5%, 0%, 5% e 10%, que a densidade de corrente
de tunelamento diminui para cada aumento da altura da segunda barreira. As corrente de
pico e de vale tambm diminuram em funo de cada aumento da variao da altura
nas barreiras, mostrando que o aumento da altura da segunda barreira dificulta o
tunelamento de eltrons, pois se cria um empecilho para que os mesmos possam
avanar para alm da segunda barreira.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 98
FIGURA 4.19: Efeito na curva da densidade de corrente devido variao na altura

das barreiras, tornado-as assimtricas.
Assim, aps exposio das curvas da densidade de corrente, expostas nas figuras
de 4.12 a 4.19, foi analisada a sensibilidade do modelo da densidade de corrente de
tunelamento com os parmetros do potencial. Tal anlise, conforme se viu esboado nas
curvas, importantssima para se identificar os efeitos no transporte de cargas do
dispositivo provenientes das assimetrias nas propriedades dos materiais que formam as
heterojunes.
_____________________________________________________________________________
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P g i n a | 103
Captulo 5
CONCLUSES E PERSPECTIVAS
O estudo de fenmenos em materiais com dimenses nanomtricas uma

das linhas de pesquisa mais promissoras para o desenvolvimento de novas tecnologias.
Nesta escala, a natureza quntica da matria se manifesta claramente e os efeitos de
superfcies e interfaces se tornam importantes. O entendimento detalhado dos
mecanismos que regem estes efeitos viabiliza a aplicao destes nanossistemas em
solues tecnolgicas. Mesmo com o enorme potencial, o avano nesta rea ainda
lento, principalmente devido variedade de dificuldades envolvidas no trabalho com
tais sistemas. A sntese controlada, a caracterizao e a manipulao de objetos em
sistemas nanomtricos representam inmeros desafios bsicos e tcnicos ainda no
resolvidos. Na realidade, sistemas nanomtricos esto na fronteira entre os tomos e os
slidos, onde no possvel, na maioria das vezes, aplicar as metodologias ou tcnicas
fsicas e qumicas convencionais. Neste contexto, o desenvolvimento de novas
ferramentas aplicadas e bem adaptadas para nanossitemas imprescindvel. Desta
forma, tcnicas de caracterizao e visualizao com resoluo espacial j so
consideradas uma simples necessidade rotineira. Tem sido freqentemente reportado na
literatura uma grande quantidade de trabalhos relacionados nanotecnologia em
semicondutores orgnicos e inorgnicos que so aplicados ao desenvolvimento de
novos sistemas. Chamando a ateno o fato de que para tais sistemas estamos cada vez
mais prximos da escala atmica, onde os efeitos qunticos no podem ser mais
desprezados e devem ser considerados em toda a sua generalidade. De fato, a
nanotecnologia tem avanado muito nos ltimos anos e j a revoluo tecnolgica dos
tempos modernos. Tem sido divulgada, pelas indstrias e pelos governos, como a
revoluo industrial, maior e a mais rpida de todas. Investimentos neste setor
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 104

aumentam a cada ano. Novos produtos de grande interesse comercial baseados nesta
nova tecnologia comeam a surgir. A descoberta destes nanomateriais permite
aplicaes nos mais variados setores, como dispositivos eletrnicos, na medicina,
indstria txtil, cosmticos, biomateriais, entre outros. Materiais produzidos em escala
nanomtrica colocam em evidncia propriedades fsico-qumicas, mecnicas, ticas e
eletrnicas que so peculiares s nanoestruturas. Uma das vantagens dos nanomateriais
a sua maior rea superficial, proporcionalmente ao volume. Mesmo fazendo uso das
ferramentas empricas, muitas vezes o grau de complexidade necessrio obteno da
soluo de tais sistemas muito superior quilo que conseguimos tratar de maneira
eficiente. Este fato leva, comumente, na busca de solues numricas computacionais,
fazendo o uso inteligente da capacidade de hardware dentro de algumas aproximaes,
que, se acredita, possam reproduzir as propriedades reais do sistema em estudo. Existe
uma grande quantidade de trabalhos pertinentes, na literatura atual, que mostram que
este um tema recorrente e importante. Desde a proposta de Esaki e Tsu para a
construo de heteroestruturas onde as dimenses envolvidas so da ordem do
comprimento de onda de de Broglie, levando ao aparecimento de efeitos de origem
quntica, vrias tcnicas de crescimento foram desenvolvidas com a finalidade de gerar
estruturas em que se possam estudar esses efeitos. A condutividade dos semicondutores
tambm pode ser drasticamente alterada com a presena de impurezas, ou seja, de
tomos diferentes dos que compem o cristal puro. esta propriedade que possibilita a
fabricao de uma variedade de dispositivos eletrnicos a partir do mesmo material
semicondutor. O nvel de Fermi dos semicondutores tipo p est situado prximo ao topo
da banda de valncia, enquanto que nos semicondutores tipo n o nvel de Fermi est
situado prximo ao fundo da banda de conduo. O semicondutor de maior aplicao
em opto-eletrnica o arseneto de glio, GaAs. Ele formado pelos elementos Ga e As,
dos grupos III e V da tabela peridica, respectivamente, e cristaliza na estrutura
chamada de zinc-blende. Na formao do GaAs, o tomo de As perde um eltron que
passa para um vizinho de Ga, ficando ambos com quatro eltrons nas camadas 4s4p.
Em relao ao diodo tnel, constatou-se que o mesmo feito com uma juno pn na
qual, em certa faixa de tenso de polarizao direta, a corrente dominada pelo efeito
de tunelamento de eltrons atravs da barreira de potencial em juno. Existe uma
probabilidade finita para um eltron atravessar uma barreira com potencial mximo
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 105

maior que sua energia cintica. Como j visto, este o efeito tnel, de natureza
inteiramente quntica. Para o presente trabalho, a possibilidade de se contar com o
diodo tnel 1N3712 trouxe benefcios interessantssimos. Dentre os quais, as
possibilidades de se levantar, de forma experimental, sua curva IxV, a reta de carga e
tambm acompanhar os efeitos da variao da temperatura e da freqncia, que,
explicitados em grficos, puderam mostrar a importncia destas grandezas no referido
diodo. Verificou-se ainda uma outra caracterstica fundamental da curva IxV do diodo
tnel que aquela que, em certa faixa de tenso, dI/dV < 0. Isto corresponde a uma
resistncia negativa para sinais ac, cujo valor pode ser controlado pela tenso V aplicada
ao diodo. Quando operando nesta regio de resistncia negativa, o diodo tnel fornece
potncia ac ao circuito, ao contrrio de uma resistncia normal que sempre absorve
energia. Relativamente ao diodo de tunelamento ressonante, verificou-se que tal
dispositivo consiste basicamente de uma heteroestrutura semicondutora com perfil de
banda de conduo ou valncia de uma barreira dupla de potencial, ou seja, um poo
quntico (semicondutor de menor gap) entre duas barreiras (semicondutor de maior
gap). A estrutura possui em suas extremidades contatos fortemente dopados. A
probabilidade de transmisso desses sistemas atinge altos valores quando a energia do
eltron incidente prxima energia do nvel ligado no poo quntico. Essas energias
so chamadas de energias de ressonncia e, por essa razo, o nome de tunelamento
ressonante. A corrente tnel tem incio quando o nvel ligado do poo quntico est em
face do nvel de Fermi do emissor e decresce rapidamente quando passa a energia
mnima no emissor. Para voltagens superiores a estrutura se torna mais transparente e a
corrente aumenta novamente. Esse sistema apresenta na curva caracterstica correntetenso uma regio de resistncia diferencial negativa, o que bastante interessante para
aplicaes como osciladores de alta freqncia. Vrios trabalhos foram realizados nos
ltimos anos em diodos de tunelamento ressonante. Por exemplo, recentemente, tais
sistemas tm despertado grande interesse no estudo de manipulao de spin para
possveis aplicaes como dispositivos de filtros de spin. Tais estudos procuram
explorar o comportamento desses sistemas na presena de campo magntico, o que leva
quebra de degenerescncias de spin e possibilidade de utilizao desses dispositivos
como filtros de spin controlados por voltagem. Compreender de uma maneira mais
completa as propriedades dinmicas de transporte e manipulao dos portadores de
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 106

cargas nesse tipo de estrutura serve como base para diversos estudos em estruturas de
tunelamento ressonante que possam vir a ser desenvolvidos, visando a explorao de
propriedades qunticas. Ainda sobre diodos de tunelamento ressonante, foram efetuados
os clculos exatos de transmisso em barreiras duplas retangular e trapezoidal, sendo
que, na forma trapezoidal, foi utilizado um sistema de matrizes para se chegar
transmisso na segunda barreira, alm do mais, neste ponto, foi implementado um
programa computacional, atravs do uso do Fortran, que possibilitou a realizao dos
clculos numricos da transmisso e da densidade de corrente de tunelamento. Foram
obtidos inmeros grficos que ajudaram bastante a se entender o fenmeno do
tunelamento em toda sua grandeza e mistrio. Assim, como j anteriormente visto,
notou-se que o diodo de tunelamento ressonante pode ser considerado como um sistema
quntico aberto, no qual os estados eletrnicos so estado quase-ligados ou ressonantes
com uma distribuio contnua no espao de energia, em vez de estados ligados com um
espectro de energia discreto. Em tais circunstncias, estados quase-ligados,
denominados estados ressonantes, so formados no poo quntico, onde eltrons e
buracos so acomodados por um tempo que caracterstico da estrutura de barreira
dupla. importante salientar que o primeiro trabalho propondo heteroestruturas de
tunelamento ressonante foi feito por Esaki e Tsu, em 1973. Neste trabalho, eles
modelaram as propriedades de transporte e calcularam a densidade de corrente em
heteroestruturas em funo da diferena de potencial aplicada nos contatos. Por fim,
pode-se dizer que o objetivo principal desta Dissertao, alm dos clculos exatos para
transmisso em barreiras duplas retangular e trapezoidal, foi evidenciar, de uma forma
abrangente, os grficos representativos da transmisso em funo do potencial,
constatando-se os picos e os vales de cada grfico e, tambm, os estados ressonantes.
Evidenciou-se, ainda, os grficos da densidade de corrente de tunelamento em funo da
energia onde pde-se comprovar, sutilmente, os efeitos no transporte de cargas do
dispositivo. Resultados preliminares mostraram o chaveamento trmico no diodo tnel
1N3712, numa demonstrao evidente da importncia da temperatura para este tipo de
diodo. Desta forma, espera-se que este trabalho possa, em um futuro no to distante,
ajudar a criar elos de pesquisa mais abrangentes, no s no campo da utilizao da
temperatura, mas, tambm, no engrandecimento dos estudos do tunelamento no mundo
quntico, ajudando a cincia a progredir com a profundidade que dela sempre emana.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 107
Apndice 1
CLCULO DA MASSA EFETIVA
O eltron descrito por um pacote de onda que se movimenta com a velocidade

de grupo vg = /k. Sendo E = a energia do eltron, pode-se escrever:
= vg
(A 1.1)
Se o eltron for submetido a uma fora F, de um campo eltrico por exemplo,

sua energia varia de dE durante um percurso dx, sendo dE = Fdx. Usando a equao 1,
v-se que avelocidade do eltron est relacionada com a fora pela seguinte equao:
F=
(A 1.2)
Tal resultado, talvez, j fosse esperado, pois sendo k o momentum do eltron, a

equao 2 nada mais do que a segunda lei de Newton. No entanto, este resultado no
deixa de ser surpreendente, pois, em um ato mais lgico, quem sabe, esperssemos que
o potencial da rede cristalina tivesse um efeito mais drstico sobre o movimento do
eltron. Assim, vemos que a rede no afeta a forma da equao da variao do
momentum. O que ela altera a dependncia da energia com o momentum, que
corresponde a mudar a massa do eltron. Para mostrar isso, exprime-se a acalerao do
eltron, em funo de E e k, a partir da equao 1:
a=
= -1
= -1
(A 1.3)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 108
Substituindo o valor de dk/dt exposto na equao 2, vem que:

F = a /
F=
(A 1.4)
Lembrando que F = ma, v-se que sob a ao de uma fora externa o eltron no
cristal age semelhantemente a um eltron livre, contudo com uma massa efetiva dada
por:
m* =
(A 1.5)
Este resultado tambm vale para um eltron livre. A expresso representada na

equao 5 foi obtida supondo que a energia s depende do mdulo de .
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 109
Apndice 2
CLCULO DA DENSIDADE DE CORRENTE DE TUNELAMENTO
Sabe-se que a densidade de corrente de tunelamento pode ser expressa em

funo de d
da seguinte forma:
J=
dEz [ fe(Ee) - fd (Ee + eV) ] T*T(Ee)
(A 2.1)
No entanto, a energia que aparece na expresso da densidade de corrente a

energia total do eltron incidente:
Ee = Ez +
Assim, tendo que E =
(A 2.2)
, vem que dk =
dE e levando tal valor para a
equao (A 2.1), teremos que:

J=
dE
J=
J=
(A 2.3)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 110
Para o clculo da integral

se calcular o valor da integral
importante e conveniente
e, depois, substituirmos os valores adequados
para tal integral. Assim, teremos que:
W=
W=
(A 2.4)
Para a resoluo desta integral convm se multiplicar, tanto o numerador

quanto o denominador da mesma, pelo fator
. Assim, vem que:
W=
Agora, fazendo a transformao u =
(A 2.5)
, teremos que:
du =
E, desta forma, a integral expressa na equao (A 2.5), pode ser reescrita como:
W=
W=
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 111
No esquecendo que u* = [(px/2m) Ef] /
e, finalmente, resolvendo tal integral,
ter-se-:
W=
ln [ 1 + e-u]
Importante e necessrio recordar que o valor de varia desde (Ez Ef) /

at o valor de (Ez + eV Ef) /
. Substituindo em W estes valores, vem que:
W=
{ ln [ 1 + e-(Ez-Ef)/KT ] - ln [ 1 + e-(Ez + eV -Ef)/KT ] }
W=
{ ln [ 1 + e(Ef-Ez)/KT ] - ln [ 1 + e(Ef -Ez - eV)/KT ] }
W=
ln [
(A 2.6)
O valor obtido na equao (A 2.6) exatamente aquele expresso no da integral

. Assim sendo:
ln [
Levando tal valor para a equao (A 2.3), termos que a densidade de corrente de
tunelamento ser expressa por:
J=
ln [
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 112
E, finalmente, a densidade de corrente de tunelamento ter o seguinte valor:
J=
ln [
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 113
Apndice 3
CLCULO DA TRANSMISSO PARA UMA BARREIRA
RETANGULAR
Para o caso da barreira de potencial, retangular, de largura a e altura V0, temos

que, conforme explcito na figura abaixo, a mesma estar dividida em trs regies,
respectivamente I, II e III, onde E < V0. Comparando com o potencial degrau, a soluo
neste caso ser mais sutil, visto que h trs regies e, portanto, trs conjuntos de autofunes. Assim, V(x) ser 0(zero), nas regies I e III, onde se tem x < 0 e x > a, e V(x)
ser V0 na regio II, onde se tem 0 < x < a.
Para x < 0 e x > a, a equao de Schroedinger, nas regies I e III,

ter como soluo:
= -
(x)
onde
e, neste caso, teremos a
equao caracterstica com razes complexas.

_____________________________________________________________________________
P g i n a | 114
Para 0 < x < a, a equao de Schroedinger, na regio II, ter como soluo a
igualdade: = -
(x)
onde
e, assim, teremos a equao
caracterstica com razes reais.

A soluo ser dada por:
A
+B
, x<0
(x) = C
+D
, 0<x<a
+F
x>a
Como no h onda refletida pela direita o termo F
ser
anulado. Por outro lado, a funo de onda total, em cada lado da barreira, ter como
representao a seguinte igualdade:
(x,t) = A
+B
, x<0
, x>a
No entanto, sabe-se que a funo de onda consiste de ondas

incidentes, refletidas e transmitidas se propagando nas regies I e III. Logo, observa-se
que:
(x,t) =
, x<0
, x>a
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 115
O clculo para a densidade de probabilidade nas regies I, II e III muito

importante. Na regio III(x > a), temos que | | = | E | . Deste modo, o fato de que no
existe uma probabilidade nula de se encontrar a partcula na regio direita nos diz que
h uma probabilidade no nula da partcula cavar um tnel no interior da barreira. Isto
se deve natureza ondulatria da partcula quntica, no caso, por exemplo, da
transmisso de ondas e reflexo em interfaces mais ou menos densas. Conforme visto
na figura 3.2, na regio III(x > a), a funo de onda uma onda plana, e, portanto, a
densidade de probabilidade constante. J na regio I(x < 0), a funo de onda
basicamente uma onda estacionria, porm tem em sua composio, tambm, uma onda
que se propaga, devido ao fato da onda refletida ter uma amplitude menor do que a da
onda incidente. Assim, a densidade de probabilidade nesta regio oscila, mas tem
valores mnimos um pouco maiores do que zero. Na regio II(0 < x < a), a funo de
onda tem componentes dos dois tipos, no entanto basicamente uma onda estacionria
de amplitude decrescente exponencialmente e esse comportamento pode ser observado
se for verificado o comportamento da densidade de probabilidade na regio.
Voltando ao modelo clssico e considerando que a partcula incide sobre a

barreira a partir do seu lado esquerdo, temos que tal escolha elimina o termo F
visto que a correspondente funo de onda F
descreve uma incidncia a
partir da direita. Como no h nenhuma barreira mais adiante, no haver porque haver
uma onda refletida para a esquerda. Ento, fazendo esta escolha, tem-se que F = 0. Os
cinco coeficientes restantes(A,B,C,D,E) devem obedecer as quatro condies de
continuidade de e , tanto em x = 0 , quanto em x = a. Desta forma, teremos que:
(0) A + B = C + D
(0) i (A B) = (a) C
(a) -
+ D
(C
-D
(C D)
=E
)=i E
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 116
Para resolver este sistema de equaes, faremos com que =

e=E
, que nos conduzir ao seguinte sistema de equaes:

A+B=C+D
(A 3.1)
i(A B) = - (C D)
+D
-(C
-D
(A 3.2)
) = i
Para as equaes expressas em (A 3.2), pode-se reorganiz-las da

seguinte maneira:
C
+D
-D
=-
(A 3.3)
Agora, somando as equaes contidas em (A 3.3), verifica-se que:

C
= ( - )
= 1 + i
2i
(1 +
)
(A 3.4)
Substituindo (A 3.4) na primeira equao de (A 3.3), obtm-se que:

D
=-C
= [ 1 ( 1 + i ) ]
2i
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 117
= - 1- i
2i
(A 3.5)
Levando, ento, os valores de C e D, explicitados em (3) e (4), para

a primeira equao do sistema (1), vem que:
A+B=C+D
A + B = 1 + i
2i
- 1- i
2i
A+B= [
2i
(1 + i) -
A+B= [
2i
(1 i)]
+ i (
)]
No esquecendo que, pela definio do seno e do cosseno

hiperblico, temos que:
senh =
E, assim, fazendo =
A + B = (cosh
cosh =
+
2
, obter-se-, a seguinte expresso:

- i senh
(A 3.6)
Passando, ento, para a segunda equao do sistema (A 3.1),

verificamos que:
i(A B) = -(C D)
A B = i(C D)
AB=[
2
A B = - [
2
(1 + i) +
(1 i)]
+ i(
)]
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 118
A B = (cosh
+ i senh
(A 3.7)
Para encontrar os valores dos coeficientes A e B, basta que se

somem as expresses contidas em (5) e (6). Logo:
A=
[2cosh
+ i(
A = [ cosh
)senh
+ ( - ) senh
(A 3.8)
E, consequentemente:
B=
( + ) senh
(A 3.9)
No entanto, recordando que = E
e utilizando tal igualdade
em (7), teremos que:

=
[cosh
+ ( - )senh
E, deste modo, efetuando o mdulo ao quadrado da equao acima,

ser obtido que:
| | = [cosh
| | = cosh
+ ( - ) senh
+ ( - 2 +
) senh
Porm, cosh = 1 + senh , assim sendo, ter-se-:

| | = 1 + senh
+ ( +
) senh
- senh
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 119
Entretanto, =
e levando tal valor equao acima, vem que:
| | = 1 + senh
| | = 1 + [ (
| | = 1 +
+ [(
) + 2 + (
) +(
) ] senh
) ] senh
) senh
(A 3.10)
Usando, novamente, o fato de que = E
em (A 3.9), tem-se:
( + ) senh
E, assim, efetuando o mdulo ao quadrado desta igualdade,

encontraremos que:
|
| =
( + ) senh
| =
) senh
(A 3.11)
As equaes expostas em (9) e (10) mostram que |A| > |B|. Logo, as
ondas incidentes e refletidas no se combinam para produzir ns como no caso de um
potencial degrau. Todas as constantes foram encontradas em funo de E, que dever
permanecer indeterminada. O motivo de se deixar os resultados em funo da razo dos
coeficientes que podemos extrair informaes de nosso estado no normalizado
atravs da densidade de corrente de probabilidade, que define o fluxo de probabilidade,
ou seja:
J(x,t) =
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 120
Esta densidade de probabilidade fornece um meio natural de

comparar as componentes incidentes, refletidas e transmitidas da funo de onda na
penetrao da barreira. Calculando J para x < 0(regio I), ter-se-:
(x) = A
+B
(x) =
(x) = i (A
-B
(x) = -i
Calculando, ento, a funo J(x), teremos que:

J(x)=
[(
) i (A
J(x) =
( |A| -
J(x) =
|A| -
|B| =
) (-i
-B
- |B| + |A| - |B| +
-A
+A
+B
)
(A 3.12)
Calculando J para x > a( regio III), obter-se-:

(x) = E
(x) =
(x) = i E
(x) = -i
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 121
Calculando, assim, a funo J(x), obteremos:

J(x) =
J(x) =
|E| =
(-i
i E
E
(A 3.13)
De fato, cada densidade de corrente representa um fluxo de

probabilidade em direo onda progressiva associada. Nota-se que o termo
denota
a rapidez(velocidade) da partcula. Observa-se, tambm, que o resultado comum em

(11) e (12) para a velocidade devido ao fato de que a altura da barreira de potencial ser
a mesma em ambos os lados. Naturalmente, se a altura fosse diferente em cada lado da
barreira, a velocidade seria diferente e tambm seria diferente o fator de transmisso do
fluxo. A principal concluso no problema de uma barreira encontrada na forma de
razo na transmisso e reflexo de probabilidade relativa ao fluxo incidente. As
grandezas relevantes so as quantidades definidas como coeficientes de transmisso e
reflexo:
T=|
R=|
Logo, de (11) e (12), vem que:

T=
Usando (9), obteremos:

T = ___________1_____________
1 + ( + ) senh
(A 3.14)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 122
Analogamente, ainda de (11), teremos:

R=
R=
= | | | |
) senh
_______________________
1 + ( + ) senh
(A 3.15)
Observa-se que de (A 3.14) e (A 3.15) temos a lei de conservao:

T+R=1
O fluxo de probabilidade incidente sobre a barreira dividido em um
fluxo refletido e um fluxo transmitido, porm esta equao mostra que sua soma igual
ao fluxo incidente, ou seja, a probabilidade de que a partcula seja transmitida ou
refletida um. A partcula no desaparece na barreira e tambm no se divide nela.
Deste modo, verifica-se que os coeficientes T e R so aptos para nos fornecer uma bem
definida informao fsica sobre a probabilidade da partcula sofrer reflexo e
transmisso, mesmo que sejam obtidas a partir de uma funo de onda no normalizada.
A equao (13) faz uma previso que, do ponto de vista da mecnica quntica notvel.
Ela diz que uma partcula de massa m e energia E, incidente sobre uma barreira de
potencial de altura
> E e largura finita a, tem na realidade uma certa probabilidade T
de penetrar na barreira e aparecer do outro lado(efeito tnel). Evidentemente, T

praticamente nulo no limite clssico, porque nesse limite a grandeza
, que uma
medida da opacidade da barreira, extremamente grande.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 123
Apndice 4
CLCULO DA EQUAO (4.9) DO CAPTULO 4, DEVIDAMENTE
ESMIUADO, REPRESENTANDO O MDULO AO QUADRADO
DO SOMATRIO ENTRE O PRODUTO DE DOIS NMEROS
COMPLEXOS DISTINTOS
Para este clculo desenvolvido o somatrio realizado entre o produto

bi) e o produto
(a +
(c + di). Logo em seguida, faz-se a modulao ao quadrado da soma
obtida, que ser extremamente importante na realizao do clculo da transmisso em

duas barreiras retangulares de largura a, separadas por uma distncia b. Ou seja, ser
calculado o valor de |
(a + bi) +
(c + di)|. Assim sendo, vem que:
(a + bi) +
(c + di)| = |(cos + isen)(a + bi) + (cos - isen)(c + di)|
(a + bi) +
(c + di)| = |a cos + b cosi + a seni b sen + c cos + d cosi
c seni + d sen|
|
(a + bi) +
(c + di)| = |(a + c)cos + (d b)sen + [(a c)sen + (b + d)cos]i|
(a + bi) +
(c + di)| = {{[(a + c)cos +(d b)sen] + [(a c)sen + (b + d)cos]} }
(a + bi) +
(c + di)| = [(a + c)cos +(d b)sen] + [(a c)sen + (b + d)cos]
(a + bi) +
(c + di)| = (a + c) cos + 2(a + c)(d b)sencos + (d b) sen +

(a c) sen + 2(a c)(b + d)sencos + (b + d) cos
(a + bi) +
(c + di)| = a cos + 2ac cos + c cos + 2(ad ab + cd bc)sencos +

d sen 2bd sen + b sen + a sen 2ac sen + c sen +
2(ab + ad bc cd)sencos + b cos + 2bd cos + d cos
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 124
(a + bi) +
(c + di)| = a(cos + sen) + b(cos + sen) + c(cos + sen) +

d(cos + sen) + 2ac(cos - sen) + 2bd(cos - sen) +
2(ad bc)2sencos
(a + bi) +
(c + di)| = a + b + c + d + 2(ac + bd) cos2 + 2(ad bc) sen2
* Para o caso particular de termos o valor de c anulado, ou seja, c = 0, teremos que:

|
(a + bi) +
(c + di)| = a + b + d + 2bd cos2 + 2ad sen2
(a + bi) +
(c + di)| = a + b + d + 2d(b cos2 + a sen2)
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 125
Apndice 5
CLCULO DA FUNO DE ONDA QUE EXPRESSA UMA
BARREIRA TRAPEZOIDAL
Temos que para um sistema de duas barreiras uniformes retangulares, sem

nenhuma perturbao externa, devemos levar em conta, na soluo da Equao de
Schroedinger, o potencial criado quando uma voltagem externa aplicada e isso se
expressa na inclinao de toda a banda de conduo e no no rebaixamento das barreiras
uma em relao a anterior como foi, antes, suposto. De incio iremos mostrar que a
funo de onda que representa a barreira trapezoidal tem como soluo as chamadas
funes de Airy, ou seja, a equao diferencial que a representa chamada de Equao
de Airy. A partir da figura abaixo podemos dizer que:
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 126
V(x) = mx + k
No entanto, m = V1 V0 / a e k = V0 . Logo, para a regio II, a equao de
V(x) ser expressa por:
V(x) = (V1 V0 / a) x + V0
Assim sendo, para a regio II, a equao de Schroedinger ter a seguinte forma:
+
Fazendo, agora, para esta equao, F =
=0
e G = E V0 , vem que:
=0
E, assim, reordenando a equao anterior, podemos escrev-la como:

+
=0
Neste ponto, conveniente recordar que estamos diante de uma equao

diferencial ordinria linear homogna de segunda ordem, cuja forma geral expressa
por
+ P(x) + Q(x) = 0.
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 127

Ento, para o nosso caso especfico da regio II, temos que
P(x) = 0 e Q(x) =
Portanto, tendo em mente tais definies, conveniente introduzir a varivel
adimensional , que ser dada pelo seguinte valor:
)1/3
=(x+ )(
Calculando, ento,
, tem-se que:
=(
)1/3 . (1)
=(
)1/3
Seguindo adiante, calculando o valor de
Porm,
, teremos que:
=(
)1/3
=(
)1/3
[(
)1/3
=(
)1/3 (
=(
)2/3
)1/3
j tem sua expresso geral dada em (iii) e substituindo o valor
obtido anteriormente na mesma, tem-se:
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 128
Contudo,
=0
)2/3
)2/3
=(
(
)1/3 (
)2/3
=0
=0
)2/3 , logo ter-se- que:
Dividindo toda a equao por (

+ (
)1/3 (
+ (
)2/3
=0
)2/3 , reescrevemos como:
)1/3
=0
E, finalmente, lembrando que:
=(x+ )(
)1/3
Pode-se expressar, ento, a equao diferencial da seguinte forma:

+=0
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 129
A partir deste instante, verifica-se que esta equao diferencial conhecida

como equao de Airy, que tambm encontrada no estudo de difrao da luz, difrao
de ondas de rdio em torno da superfcie da Terra, aerodinmica e deflexo de uma
coluna vertical fina e uniforme que se inclina sobre seu prprio peso. Conforme j se
conhece, tal equao diferencial representa como soluo geral a combinao linear
dada por = c0 1 + c1 2 . Em termos gerais, teramos, como classicamente se
apresenta, solues em termos de funes de Airy Ai(z) e Bi(z). importante se
mencionar, tambm, que em sries de potncia, os valores de 1 e 2 seriam expressos
por:
1 = 1 -
6 -
2 = -
7 -
9 + ... = 1 +
10 + ... = +
3k
3k+1
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 130
Apndice 6
CLCULO NUMRICO UTILIZADO A PARTIR DO PROGRAMA
COMPUTACIONAL EM FORTRAN PARA OS CLCULOS DA
TRANSMISSO E DA DENSIDADE DE CORRENTE
C
C
*
PROGRAMA PARA CALCULO DA DENSIDADE DE CORRENTE DE TUNELAMENTO

ATRAVES DE DUAS BARREIRAS ASSIMETRICAS
USE MSIMSLMD
*
c
Declare variables
PARAMETER (IPATH=1, LDA=8, N=8,NNE=2000,NJ=2000)
COMPLEX*16 A(LDA,LDA), B(N), X(N),IC
REAL*8 BW,W1,W2,A1,A2,B1,B2,V01,V02,ENE,DE
real*8 T2T(NNE,NJ),T2Ta,R1R,T1T,R2R,ENERGY(NNE),RR1(NNE,NJ)
real*8 TT1(NNE,NJ),RR2(NNE,NJ),POLO
REAL*8 VEXT,KA1,KA2,KA3,BETA1,BETA2,VEXTF,EPSB,EPSP
REAL*8 EFERMI,TEMP,VE,DVE,TJAUX,TJC(NJ),TJ,ALNKT,VET(NJ)
REAL*8 MEFF0,MEFFB1,MEFFB2,M2HB1,M2HB2,MEFFP,M2HP,CA1,CB1,CA2,CB2,
*VB1,VB2,VA1,VA2,XA1,XA2,XB1,XB2,CE1,CE2,CEP
T
OPEN(UNIT=5,FILE='entrada.dat',STATUS='UNKNOWN')
OPEN(UNIT=6,FILE='saida.dat',STATUS='UNKNOWN')
OPEN(UNIT=8,FILE='auxiliar.out',STATUS='UNKNOWN')
OPEN(UNIT=9,FILE='denscor.dat',STATUS='UNKNOWN')
*
read(5,*)
read(5,*)MEFFB1,MEFFB2,MEFFP,A1,BW,W1,W2,V01,V02,DE
read(5,*)
read(5,*)EFERMI,TEMP,DVE,VEXTF,EPSB,EPSP,IK
WRITE(*,*)"TUNELAMENTO ATRAVES DE DUAS BARREIRAS"
WRITE(8,*)"TUNELAMENTO ATRAVES DE DUAS BARREIRAS"
M2HP=MEFFP*0.26252027 !2M/H**2
EM 1/(eV A**2)
M2HB1=MEFFB1*0.26252027
M2HB2=MEFFB2*0.26252027
*
MEFF0=(W1*MEFFB1+BW*MEFFP+W2*MEFFB2)/(W1+BW+W2)
*
T
DADOS:
B1=A1+W1
A2=A1+W1+BW
B2=A1+W1+BW+W2
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 131

WRITE(8,*)"DADOS"
WRITE(8,"('Mef do eletron no poo =',1x,F5.3)")MEFFP
WRITE(8,"('Mef do eletron na barreira 1=',1x,F5.3)")MEFFB1
WRITE(8,"('Mef do eletron na barreira 2=',1x,F5.3)")MEFFB2
WRITE(8,*)" A1 BW W1 W2"
WRITE(8,91)A1,BW,W1,W2
WRITE(8,*)" V01 V02 DENE"
WRITE(8,92)V01,V02,DE
WRITE(8,*)" EFERMI TEMP DVE VMAX"
WRITE(8,93)EFERMI,TEMP,DVE,VEXTF
WRITE(8,*)"OBS: Comprimento em A e energia em eV"
*
90
91
92
93
*
FORMAT(8(1X,F10.4,1X),/)
FORMAT(4(1X,F5.2,1X))
IC=(0.D0,1.D0)
POLO=1.D-4
*
NV=INT(VEXTF/DVE)
DO IVE=1,NV-1
VEXT=IVE*DVE
VET(IVE)=VEXT
*
CE1=VEXT/(W1+EPSB*W2+EPSP*BW)
CE2=EPSB*CE1
CEP=EPSP*CE1
*
VA1=V01
VA2=V02-CE1*W1-CEP*BW
VB1=VA1-CE1*W1
VB2=VA2-CE2*W2
*
CA1=VA1 + A1*(VA1-VB1)/W1
CA2=VA2 + A2*(VA2-VB2)/W2
CB1=(VA1-VB1)/W1 + POLO
CB2=(VA2-VB2)/W2 + POLO
BETA1=(M2HB1/(CB1**2))**(1./3.)
BETA2=(M2HB2/(CB2**2))**(1./3.)
*
write(*,*)IVE
DO INE=1,NNE-1
ENE=INE*DE
ENERGY(INE)=ENE
ZERANDO AS MATRIZES
DO IN=1,LDA
B(IN)=(0.D0,0.D0)
X(IN)=(0.D0,0.D0)
DO JN=1,LDA
A(IN,JN)=(0.D0,0.D0)
END DO
END DO
t
KA1=DSQRT(M2HP*(ENE))
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 132

XA1=BETA1*(CA1-CB1*A1-ENE)
XA2=BETA2*(CA2-CB2*A2-ENE)
XB1=BETA1*(CA1-CB1*B1-ENE)
XB2=BETA2*(CA2-CB2*B2-ENE)
*
T
T
*
DEFININDO AS MATRIZES A E B
A(1,1)=CDEXP(IC*KA1*A1)
A(1,5)=-DAI(XA1)
A(1,6)=-DBI(XA1)
*
A(2,1)=-IC*KA1*CDEXP(-IC*KA1*A1)
A(2,5)=BETA1*CB1*DAID(XA1)
A(2,6)=BETA1*CB1*DBID(XA1)
*
A(3,2)=CDEXP(IC*KA2*B1)
A(3,3)=CDEXP(-IC*KA2*B1)
A(3,5)=-DAI(XB1)
A(3,6)=-DBI(XB1)
*
A(4,2)=IC*KA2*CDEXP(IC*KA2*B1)
A(4,3)=-IC*KA2*CDEXP(-IC*KA2*B1)
A(4,5)=BETA1*CB1*DAID(XB1)
A(4,6)=BETA1*CB1*DBID(XB1)
*
A(5,2)=CDEXP(IC*KA2*A2)
A(5,3)=CDEXP(-IC*KA2*A2)
A(5,7)=-DAI(XA2)
A(5,8)=-DBI(XA2)
*
A(6,2)=IC*KA2*CDEXP(IC*KA2*A2)
A(6,3)=-IC*KA2*CDEXP(-IC*KA2*A2)
A(6,7)=BETA2*CB2*DAID(XA2)
A(6,8)=BETA2*CB2*DBID(XA2)
*
A(7,4)=CDEXP(IC*KA3*B2)
A(7,7)=-DAI(XB2)
A(7,8)=-DBI(XB2)
*
A(8,4)=IC*KA3*CDEXP(IC*KA3*B2)
A(8,7)=BETA2*CB2*DAID(XB2)
A(8,8)=BETA2*CB2*DBID(XB2)
*
B(1)=-CDEXP(IC*KA1*A1)
B(2)=-IC*KA1*CDEXP(IC*KA1*A1)
*
100
T
C
FORMAT(8(1X,'(',1x,E15.5,1X,', I',1X,E15.5,')'))
Solve AX = B (IPATH = 1)
CALL DLSLCG (N, A, LDA, B, IPATH, X)
*
R1R=X(1)*DCONJG(X(1))
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 133

T1T=X(2)*DCONJG(X(2))
R2R=X(3)*DCONJG(X(3))
T2Ta=X(4)*DCONJG(X(4))
*
RR1(INE,IVE)=R1R
TT1(INE,IVE)=T1T
RR2(INE,IVE)=R2R
T2T(INE,IVE)=T2Ta
*
***
END DO
v
END DO
*
ENEF=(NNE-1)*DE
DO IJ=1,NV-1
VE=VET(IJ)
TJ=0.D0
*
DO INE=1,NNE-1
ENE=INE*DE
IF (IK.NE.0) THEN
* com correo cinetica
TJAUX=T2T(INE,IJ)*DE*dsqrt((ENE+VE)/ENE)*
*ALNKT(ENE,EFERMI,VE,TEMP,MEFF0)
ELSE
* sem correo cinetica
TJAUX=T2T(INE,IJ)*DE*ALNKT(ENE,EFERMI,VE,TEMP,MEFF0)
END IF
TJ=TJ+TJAUX
END DO
TJC(IJ)=TJ
END DO
*
DO IJ=1,NV-1
WRITE(9,"(F8.4,1X,E15.5)")VET(IJ),TJC(IJ)
END DO
END
*
FUNCTION ALNKT(E,EF,VE,T,MEFF)
REAL*8 ALNKT,BOLTZ,TK,VE,A1,A2,DENO,FNUM,CTE,E,EF,T,MEFF
*
CTE=1.618630651D10 !(e*m)/(2*pi**2*h**3) EM C/(eV**2*s*cm**2)
BOLTZ=8.617385D-5
TK=BOLTZ*T
A1=(EF-E)/(TK)
A2=(EF-E-VE)/(TK)
DENO=1+EXP(A1)
FNUM=1+EXP(A2)
ALNKT=MEFF*CTE*TK*DLOG(DENO/FNUM)
RETURN
END FUNCTION ALNKT
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 134
Apndice 7
DATA SHEET DO DIODO TNEL 1N3712
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 135
_____________________________________________________________________________
P g i n a | 136
_____________________________________________________________________________

Efeito do tunelamento quântico em dispositivos semicondutores

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UNIVERSIDADE FEDERAL DO VALE DO SO

ABORDAGEM TERICO EXPERIMENTAL DO

AROLDO FERREIRA LEO

AROLDO FERREIRA LEO

ABORDAGEM TERICO EXPERIMENTAL DO

Dissertao apresentada Universidade

Orientador: Prof. Dr. Tlio Nobre Leite

Folha de Catalogao Elaborada pela Universidade Federal do Vale do

A comunidade dos pesquisadores uma espcie de

Este trabalho dedicado as minhas

maiores em meu corao carregado de

A Deus, pela fsica quntica, o magnetismo, a astrofsica e a

A meus pais, que sempre acreditaram em mim;

Ao Professor Tlio, por sua humildade e coerncia;

Ao Professor Helinando, por sua incrvel capacidade de acreditar nos

Ao Professor Isnaldo, sempre prestativo e lcido;

A Ricardo Prates, o bom baiano conhecedor dos deuses gregos, pela

A Paulo, Mrio, Alexandre, Mnica, Waldiclcio,

A Evando, uma alma de ecos infinitamente gentis;

A Ariadne, que me faz recordar Teseu, o heri grego do labirinto de

Neste trabalho, onde se evidenciou, de uma forma geral, a importncia dos

In this work we analyzed the behavior of strongly doped semiconductors,

CAPTULO 1 Introduo .......................................................................................... 14

2.1 Semicondutores ......................................................................................................21

2.2 Semicondutores Intrnsecos ....................................................................................26

2.4 Dispositivos Semicondutores Diodos .................................................................32

CAPTULO 3 Caracterizao Experimental

3.1 Diodo Tnel ...........................................................................................................40

3.1.1 Reviso Bibliogrfica ..................................................................................41

3.2 Caractersticas do Diodo Tnel .............................................................................44

3.2.1 Curva Caracterstica do Diodo Tnel .......................................................45

3.3 Caracterizao Eltrica do Diodo Tnel 1N3712

3.3.1 Caracterizao da Temperatura ................................................................55

CAPTULO 4 Anlise Terica do Diodo de Tunelamento Ressonante ......................62

4.1 Diodos de Tunelamento Ressonante .....................................................................62

4.2 Modelo de Densidade de Corrente de Tunelamento .............................................65

4.3 Clculo Exato da Transmisso Para Duas Barreiras .............................................69

4.3.1 Transmisso para duas Barreiras Retangulares ........................................69

4.4 Resultados ............................................................................................................82

CAPITULO 5 Concluses e Perspectivas .................................................................103

Apndice 1 Clculo da massa efetiva........................................................................107

Apndice 2 Clculo da densidade de corrente de tunelamento.................................109

Apndice 3 Clculo da transmisso para uma barreira retangular............................112

Apndice 4 Clculo da equao (4.9) do Captulo 4................................................ 123

Apndice 5 Clculo da funo de onda (barreira trapezoidal)................................ 125

Apndice 6 - Clculo Numrico................................................................................ 130

Apndice 7 Data Sheet do Diodo Tnel 1N3712.................................................... 134

Efeito do Tunelamento Quntico Introduo

Efeito do Tunelamento Quntico Introduo

Efeito do Tunelamento Quntico Introduo

Efeito do Tunelamento Quntico Introduo

Efeito do Tunelamento Quntico Introduo

[1] H. Kroemer, Reviews of Modern Physics 73, 783 (2001).

[8] H. V. A. Galeti, Estudo da dinmica de portadores em diodos de tunelamento

[9] S. M. North, Eletronic Struture of GaSb/GaAs and Si/Ge quantum dots,

Efeito do Tunelamento Quntico Introduo

[11] C. A. dos Santos, Do laboratrio para a fbrica, Cincia Hoje On-Line,

[12] M. A. Cndido Ribeiro, V. C. Franzoni, W. R. Passos, E. C. Silva & A. N. F. Aleixo,

[13] G. Gamow, Z. Physik 51, 204(1928); Z. Physik 52, 510 (1928).

[14] R. W. Gurney and E. U. Condom, Nature 122, 439 (1928).

[15] R. A. Millikan and C. F. Eyring, Phys. Rev. 27, 51 (1926)

[16] R. R. Alves, Espectroscopia de Tunelamento Quntico, Dissertao de Mestrado,