1 Diodos

Sistemas electrnicos:
Diodos (unin p-n)
Objetivo
Exponer los aspectos generales de los diodos
semiconductores
El alumno deber entender las caractersticas y
capacidades de este dispositivo y aprender los
diversos esquemas de uso.
Al finalizar este tema el alumno deber ser capaz
de manejar dichos dispositivos y comprender
sus principales aplicaciones.
Introduction
Los diodos semiconductores juegan un papel

primordial en los circuitos electrnicos. Funcionan
como interruptores, elementos de paso en
reguladores conmutados y como elementos de
inversin de carga en capacitores y de transferencia
de energa entre componentes.
Los diodos de potencia son similares a los diodos de
pequea seal, son ms lentos pero cuentan con
mayores capacidades de manejo de energa.
Diodos
Un diodo ideal permite el paso de la electricidad slo
en un nico sentido, esto es:
Diodos
En polarizacin directa, la cada de

tensin es nula, sea cual sea el
valor de la corriente directa
conducida
curva caracterstica
V
En polarizacin inversa, la corriente
conducida es nula, sea cual sea el valor de
la tensin inversa aplicada
Materiales semiconductores
A diferencia de los materiales aislantes cuyos

electrones estn firmemente unidos a sus tomos,
inhibiendo la circulacin de electrones, o de los
materiales conductores, los cuales mantiene una
nube libre de electrones; los materiales
semiconductores (e.g.: Silicio, Germanio) pueden
permitir cierto control sobre el libre paso de los
electrones a travs de las caractersticas obtenidas
a travs de su proceso de fabricacin (e.g.: dopaje).
Union pn
nodo
Terminal
Encapsulado
(cristal o resina
sinttica)
Contacto metalsemiconductor
P
N
Marca
sealando el
ctodo
Oblea de
semiconductor
Contacto metalsemiconductor
Ctodo
Terminal
Union pn
Al unir 2 tipos de materiales semiconductores, uno rico
en tomos con electrones libres (tipo-n) y otro pobre en
estos tomos (tipo-p) se forma una unin pn
Al unirse ambos materiales :
Comienza la mayora de los portadores de carga cerca de
la unin a recombinarse con los portadores de carga de
polaridad contraria (nulificandose la carga)
Al avanzar este proceso se van agotando a lo largo de la
unin dichos portadores de carga formando una capa
denominada regin de agotamiento (depletion layer)
Recombinacin de huecos electrones
Union pn
Polarizacin de la union pn
Polarizacin directa
Cuando un voltaje positivo se aplica a la terminal del sustrato
tipo-p y uno positivo a la del sustrato tipo-n se dan las
condiciones para que los electrones, y por ende, la corriente fluye
sobre la unin-pn.
Polarizacin inversa
Cuando un voltaje negativo se aplica al sustrato tipo-p y uno
positivo al sustrato tipo-n la regin de agotamiento se
ensancha hasta que su potencial iguala al de polarizacin (voltaje
aplicado). Esta polarizacin reduce el flujo de electrones
(corriente) a prcticamente cero.
Polarizacin de la union pn
Diodos semiconductores
Corrientes inversa y directa
Voltajes de encendido y rompimiento para un diodo de
silicio
Cractersticas de diodo de Silicio
Por lo general tienen un voltaje de encendido 0.5 V
Y un voltaje de conduccin de aprox. 0.7 V
El voltaje de rompimiento depende de las caractersticas de
su fabricacin
Alrededor de 75 V para un diodo de seal pequea
Alrededor de 400 V para un diodo de potencia
Su corriente de operacin mxima tambin depende del

propsito de su fabricacin
100 mA for a diodo de seal pequea (electrnica)
Varios amperes si se trata de uno de potencia
Vzk entre 75 y 400 V
Relacin de corriente
voltaje ( iv ) del diodo.
Tipos de Diodos
Tipos de Diodos
Axiales
DO 35
DO 41
DO 15
DO 201
Tipos de Diodos
Para usar con disipador
Tipos de Diodos
Para alta potencia
DO 5
B 44
Tipos de Diodos
En grupos de varios diodos
2 diodos en ctodo comn
2 diodos en serie
Tipos de Diodos
Con varios elementos
Tipos de Diodos
Con varios elementos

(sin conectar)
Nombre del dispositivo
Tipos de Diodos
Con varios elementos y diversos encapsulados para

el mismo dispositivo
Nombre del
dispositivo
Encapsulados
Tipos de Diodos
Con 4 Diodos : Puente rectificador
Dual in line
Tipos de Diodos
Tipos de Diodos
Tipos de Diodos
Tipos de Diodos
Con 6 Diodos : Puente rectificador trifsico
Tipos de Diodos
Encapsulados mixtos
- Adecuados para alta potencia y relativa alta frecuencia
- Minimizan las inductancias parsitas de la conexin
- Se usan en aplicaciones industriales, espaciales, militares, etc
Se pueden
pedir a medida
Control de Motores
Electrnica militar
Caractersticas de cualquier diodo

1) Mxima tensin inversa soportada
2) Mxima corriente directa conducida
3) Cada de tensin en conduccin
4) Corriente inversa de fuga (en bloqueo)
5) Velocidad de conmutacin

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin inversamente

polarizada
Baja tensin
Ejemplo de
clasificacin
Media tensin
Alta tensin
15 V
100 V
500 V
30 V
150 V
600 V
45 V
200 V
800 V
55 V
400 V
1000 V
60 V
80 V
1200 V

La tensin mxima es crtica. Excederla suele ser determinante para el deterioro

irreversible del componente

Depende del encapsulado

Corriente eficaz mxima IF(RMS) (Polarizacin directa)

Corriente directa mxima de pico repetitivo IFRM
Corriente directa mxima de pico no repetitivo IFSM

ideal
rd
La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la corriente

directa conducida. A corrientes altas crece linealmente
V
i
ID
V
5A
VD

La cada de tensin en conduccin crece con la mxima tensin soportable por el diodo

IF(AV) = 5A,
VRRM = 1200V
2,2V @ 25A
1,25V @ 25A
En escala lineal no son muy tiles

Frecuentemente se representan en escala
logartmica
IF(AV) = 4A,
VRRM = 200V

Los Schottky
tienen mejor
comportamiento
en conduccin
para VRRM < 200
(en silicio)
0,5V @ 10A

Schottky de VRRM
relativamente alta
0,69V @ 10A

Schottky
Schottky
Similares valores de
VRRM y similares cadas
de tensin en
conduccin
PN

Depende de los valores de IF(AV) y VRRM, de la tensin
inversa (poco) y de la temperatura (mucho)
Algunos ejemplos de diodos PN
IF(AV) = 8A, VRRM = 200V
Crece con IF(AV)

Crece con Tj

Dos ejemplos de diodos Schottky
Crece con IF(AV)

Crece con Tj
Decrece con VRRM

Dos ejemplos de diodos Schottky
Crece con IF(AV)

Crece con Tj
Decrece con VRRM

Comportamiento ideal de un diodo en conmutacin
R
t1
V1
t2
V2
i
+
V1/R
V
-
Transicin de t1 a t2,
De conduccin a bloqueo
(apagado)
V
-V2
t
t

Comportamiento real de un diodo en conmutacin
R
t1
V1
t2
V2
i
+
trr
V
-
V1/R
ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
tf = tiempo de cada (fall time )
trr = tiempo de recuperacin inversa
(reverse recovery time )
ts
-V2/R
V
-V2
t
tf (i= -0,1V2/R)

R
t1
V1
t2
V2
De bloqueo a conduccin (encendido)
i
+
i
V
td = tiempo de retraso (delay time )

tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa
(forward recovery time )
0,9V1/R
0,1V1/R
td
tr
tfr
El tiempo de recuperacin
directa
genera menos problemas reales
que el de recuperacin inversa

R
t1
V1
t2
V2
De bloqueo a conduccin (encendido)
i
+
i
V
El tiempo de recuperacin directa

genera menos problemas reales
que el de recuperacin inversa
0,9V1/R
0,1V1/R
td
tfr
tr

Comportamiento real de un diodo en conmutacin con
cargas con comportamiento inductivo

Comportamiento real de un diodo en conmutacin con
cargas con comportamiento inductivo

Comportamiento real de un diodo en conmutacin en etapa
de recuperacin
STTA506D

Comportamiento real de un diodo en conmutacin.
Respuesta en el tiempo y carga trmica.
STTA506D

La velocidad de conmutacin (valorada con la trr) ayuda a
clasificar los diodos
VRRM
IF
trr
> 1 s
Standard
100 V - 600 V
1 A 50 A
Fast
100 V - 1000 V
1 A 50 A
100 ns 500 ns
Ultra Fast
200 V - 800 V
1 A 50 A
20 ns 100 ns
Schottky
15 V - 150 V
1 A 150 A
< 2 ns

Prdidas en diodos
Son de dos tipos:

- Estticas en conduccin (en bloqueo
son despreciables)
- Dinmicas

Prdidas ESTTICAS en diodos
iD
iD
Forma de onda peridica
ideal
rd
V
Potencia instantnea perdida en conduccin:

pDcond (t) = vD (t)iD (t) = (V + rd iD(t)) iD(t)
Potencia media en un periodo:
PDcond
1
T
p Dcond (t )dt
PDcond = VIM + rd Ief2

IM : Valor medio de iD(t)
Ief : Valor eficaz de iD(t)

Prdidas ESTTICAS en diodos

Prdidas DINMICAS en diodos
10 A
iD
trr
Las conmutaciones no son

perfectas
Hay instantes en los que

conviven tensin y corriente.
La mayor parte de las
prdidas se producen en la
salida de conduccin
3A
0,8 V
VD
t
-200 V

10 A
iD
trr
Potencia instantnea
perdida en la salida de
conduccin:
pDsc (t) = vD (t)iD (t) = PD
3A
0,8 V
VD
Potencia media en un
periodo:
trr
1
PD
p Dsc (t )dt
T
-200 V



Caractersticas Trmicas
Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado
El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de
175-150C
Magnitudes trmicas:
- Resistencias trmicas, RTH en C/W
- Increm. de temperaturas, T en C
- Potencia perdida, P en W
Si RTHjc
P (W)
RTHca
j
Unin (oblea)
Ambiente
c
Encapsulado

Las prdidas generan calor y ste debe ser evacuado
El silicio pierde sus propiedades semiconductoras a partir de
175-150C
Ley de Ohm trmica: T=PRTH
Si RTHjc
- Resistencias elctricas, R en
- Difer. de tensiones, V en voltios
- Corriente, I en A
Equivalente
elctrico
RTH R
T V
PI
P (W)
RTHca
j
Unin (oblea)
Ambiente
c
Encapsulado

Equivalente
elctrico
TJ
Si RTHjc
P (W)
RTHca
RTH R
RTHjc
TC
RTHca
T V
PI
a
Ta
c
P
j
Unin (oblea)
Ambiente
0K
c
Encapsulado
Por tanto:
T = PRTH Tj-Ta = P(RTHjc + RTHca)
Y tambin:
Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = PRTHca

La resistencia trmica unin-cpsula es baja ( 0,5-5 C/W)
La resistencia trmica cpsula-ambiente es alta ( 30-100 C/W)
Cpsula
TO 3
TO 5
TO 66
TO 220
TOP 3
RTHca [C/W]
30
105
45
60
40

Para reducir la temperatura de la
unin hay que disminuir la
resistencia trmica entre la
cpsula y el ambiente.
Para ello se coloca un radiador
en la cpsula.


RTHrad
RTHjc
j
RTHrad
TC
RTHca
Ta
Si RTHjc
P (W)
TJ
RTHca
Unin (oblea)
Ambiente
0 K
Encapsulado
Por tanto: Tj-Ta = P[RTHjc + (RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Y tambin: Tj-TC = PRTHjc y Tc-Ta = P(RTHcaRTHrad)/(RTHca+RTHrad)]
Diodos Zener
Caractersticas
Presenta un voltaje de polarizacin
inversa relativamente constante, lo
que permite ser empleado como
referncia de voltaje
Al voltaje de rompimiento se le
conoce como voltaje Zener, VZ
El voltaje de salida Vo es igual a
VZ a pesar de las variaciones en
el voltaje de entrada V
Se emplea un resistor R para
limitar la corriente en el diodo
Diodos Zener
Smbolo
La imagen muestra la
relacin de corriente
voltaje ( iv ) en la zona
de ruptura
Diodos LED
LED, siglas en ingls de Light-Emitting Diode, es
un tipo de diodo que emite luz.
Para que emita luz, lo debemos colocar con la
polaridad correcta
Producen luz ~ monocromtica
Ctodo
nodo
Smbolo
nodo
Ctodo
Circuitos con diodos

Rectificador de media
onda
El voltaje pico de
salida es igual a:
Al voltaje pico de la
entrada menos el
voltaje de conduccin
del diodo
La inclusin de un
capacitor hace que la
onda sea ms suave

Rectificador de media
onda
El voltaje pico de
salida es igual a:
entrada menos el
del diodo
La inclusin de un
capacitor hace que la
onda sea ms suave

Rectificador de onda
completa
Si aadimos un diodo a
la rama negativa de un
transformador con
derivacin central el
voltaje pico de salida
ser nuevamente igual
al voltaje pico de la
entrada menos el
del diodo

completa
transformador con
entrada menos el
del diodo

completa
transformador con
entrada menos el
del diodo
VD
VS
VS

completa

completa
Si aadimos un puente
rectificador entre las
terminales de un
transformador el
ser ahora igual a:
entrada menos 2 veces
el voltaje de conduccin
del diodo

completa
Si aadimos un puente
rectificador entre las
terminales de un
transformador el
ser ahora igual a:
entrada menos 2 veces
el voltaje de conduccin
del diodo

completa

completa
El puente rectificador
reduce el tiempo en el
que el capacitor debe
mantener el voltaje
sobre la carga, de esta
manera se reduce el
rizo de la seal
senoidal

Rectificador Polifsica de 3 fases (Trifsica)
Puente rectificador empleado comnmente en la industria. Rectifica
al tiempo 3-Fases lo que resulta en una menor oscilacin (rizo) del
voltaje rectificado.
Rizo (ripple)
Voltajes de entrada-salida del circuito rectificador

Circuito de puente rectificador de 3 fases y onda completa

Rectificador Polifsica de 3 fases (Trifsica)
Cada una de las fases se conecta entre cada par de diodos.
La salida Positiva se toma del ctodo de los 3 ltimos diodos
La salida Negativa se obtiene del nodo de los 3 primeros diodos.

Rectificador Polifsica Seis fases
Cada una de las fases se conecta entre cada par de diodos.
La salida Positiva se toma del ctodo de los 6 ltimos diodos
La salida Negativa se obtiene del nodo de los 6 primeros diodos.

Rectificador Polifsica Seis fases
La rectificacin de onda completa produce un voltaje
aproximadamente igual a:
Vo 2Vi,RMS
En la prctica, existe un pequeo voltaje de cada producido por
los diodos lo que reduce el voltaje de salida.
Para obtener una fuente de alimentacin ms precisa se requiere
aadir una etapa de filtrado o regulacin al circuito.

Aplicaciones
Dimmer de iluminacin:
Enva una seal de
alimentacin de media onda
rectificada hacia la lampara.
Alternador automotriz: La
salida de un generador
trifsico de AC es rectificada
por un puente rectificador
(ms confiable que un
generador de DC)
6 Diodos rectificadores
Limitadores de voltaje
Limitador de voltaje
Ejemplos:
Manera simple de
acondicionamiento
de seal
El diodo limita el
voltaje que percibe
la resistencia de carga
Se puede usar
combinaciones de
diodos tradicionales
y Zener
Ejemplos:
Manera simple de
acondicionamiento
de seal
El diodo limita el
voltaje que percibe
la resistencia de carga
Se puede usar
combinaciones de
diodos tradicionales
y Zener
Diodo de paso para cargas inductivas

Las corrientes regenerativas
del efecto contra-motriz pueden
producir daos en interruptores
o relevadores.
Los diodos de paso ofrecen un camino de baja
impedancia (resistencia) para que la corriente regrenerativa
circule de regreso a la bobina y de esa manera se disipe la
energa almacenada.
Por el contrario, cuando se energiza la carga con la fuente
de alimentacin (interruptor cerrado), la polarizacin inversa
del diodo hace que el diodo se mantenga fuera del circuito
sin ningn efecto.
Diodo de paso para cargas inductivas
Fuente de alimentacin
Puntos clave
- Los diodos permiten la circulacin de la corriente SLO en una
direccin
- A bajas temperaturas los semiconductores actan como
aislantes, a altas temperaturas comienzan a conducir
- El dopaje de diversos tomos en los semiconductores deriva en la
produccin de materiales semiconductores tipo-p y tipo-n
- La unin entre un sustrato tipo-p y uno n produce las
propiedades propias de un diodo
- Los diodos de Silicio aproximan su comportamiento al de un
diodo ideal pero comienzan a conducir al rededor de los 0.7V, para
Germanio es 0.3V
- Existen una gran variedad de tipos de diodos empleados para
propsitos especiales y mltiples aplicaciones
Otros tipos de diodos

Diodo Schottky
Diseado para una muy rpida respuesta. Muy usado en
aplicaciones de rpida conmutacin.
Construido por la unin de una capa de metal
(e.g. aluminio) y otra de semiconductor
Su operacin recae slo en portadores mayoritarios de
carga (e.g. portadores tipo N o electrones mviles ).
Tiene un voltaje de polarizacin directa bajo (0.25 V aprox)
Usado en el diseo de compuertas lgicas de alta
velocidad.

Diodo Schottky

Diodo Shockley
Diodo de 4 capas diseado para controlar la cantidad
promedio de energa que se entrega a la carga.
Anode
a.
b.
P
N
P
N
Cathode
c.
Factor de Potencia
DC Current
Ohms Law
V
I
R
I= Current
V= Voltage
R= Resistance
Power = VI
=KW (kilowatts)
AC Current
V
I
Z
Z
X2 R2
Z= Impedance
X= Reactance
Frequency of AC
Geometry of Secondary
Magnetic Material
Power = KVA
Factor de Potencia
P
P
V
(a) Carga meramente Resistiva
(b) Carga Resistiva y Reactiva
Pav = VavIav cos()
Z=Impedance
X=Reactance
Factor de Potencia
R=Resistance
Power Factor = Cos
45 o
If: R=X
pf = 70.7%
If: I=10,000 amps Kva=100

V=10 volts
Kw=70.7
Tunnel diodes
high doping levels produce
a very thin depletion layer
which permits tunnelling
of charge carriers
results in a characteristic
with a negative resistance
region
used in high-frequency oscillators, where they can be used
to cancel out resistance in passive components
Varactor diodes
a reversed-biased diode has two conducting regions
separated by an insulating depletion region
this structure resembles a capacitor
variations in the reverse-bias voltage change the width of
the depletion layer and hence the capacitance
this produces a voltage-dependent capacitor
these are used in applications such as automatic tuning
circuits

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Diodos (unin p-n)

Los diodos semiconductores juegan un papel

En polarizacin directa, la cada de

A diferencia de los materiales aislantes cuyos

Recombinacin de huecos electrones

Su corriente de operacin mxima tambin depende del

Vzk entre 75 y 400 V

Para usar con disipador

Para alta potencia

En grupos de varios diodos

2 diodos en ctodo comn

Con varios elementos

Con varios elementos

Nombre del dispositivo

Con varios elementos y diversos encapsulados para

Con 4 Diodos : Puente rectificador

Con 4 Diodos : Puente rectificador

Con 4 Diodos : Puente rectificador

Con 4 Diodos : Puente rectificador

Con 6 Diodos : Puente rectificador trifsico

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Corresponde a la tensin de ruptura de la unin inversamente

Caractersticas de cualquier diodo

La tensin mxima es crtica. Excederla suele ser determinante para el deterioro

Caractersticas de cualquier diodo

Depende del encapsulado

Caractersticas de cualquier diodo

Corriente eficaz mxima IF(RMS) (Polarizacin directa)

Caractersticas de cualquier diodo

La cada de tensin en conduccin (obviamente) crece con la corriente

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

En escala lineal no son muy tiles

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

IF(AV) = 4A, VRRM = 200V

Crece con IF(AV)

Caractersticas de cualquier diodo

Crece con IF(AV)

IF(AV) = 10A, VRRM = 40V

IF(AV) = 10A, VRRM = 170V

Caractersticas de cualquier diodo

Crece con IF(AV)

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

td = tiempo de retraso (delay time )

Caractersticas de cualquier diodo

El tiempo de recuperacin directa

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Caractersticas de cualquier diodo

Son de dos tipos:

Caractersticas de cualquier diodo

Forma de onda peridica

Potencia instantnea perdida en conduccin: