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martes, 1 de septiembre de 2015

Elevacin del potencial de las masas de BT durante

un defecto en MT

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Andrs Granero

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El gas SF6 y sus tcnicas de corte

Esquemas de Interconexin entre alta tensin (CT) y baja tensin

Todo defecto de aislamiento que se produzca en la parte de alta tensin de un centro de alta
tensin baja tensin tiene repercusiones sobre la red de baja tensin que alimenta; se produce
en particular la propagacin de sobretensiones y elevaciones del potencial de las masas que
pueden suponer las averas del material y ser peligrosas para las personas si los dispositivos
para limitar estos riesgos no estn previstos en el proyecto de la instalacin.
La aparicin de estos fenmenos y las disposiciones a tomar para su proteccin dependen de la
configuracin de las tomas de tierra del neutro y de las masas as como del modo de unin a
tierra de las masas del centro de transformacin y de la instalacin. Para su estudio, la norma
IEC 60364-4-442 ha reagrupado los siguientes siete esquemas de la tabla 1, su comportamiento
durante un defecto de aislamiento en la parte de alta tensin del centro se analiza a
continuacin.

Sobretensiones provocadas por los

defectos a tierr...
Qu elegir: Transformadores en bao
de aceite o s...
Localizacin y origen de averas en
Transformadore...
Proteccin diferencial de
Transformadores (ANSI 87...
Prescripciones de seguridad para
trabajos en las i...
Control y pruebas en transformadores de
tensin (T...
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trabajos y maniob...
Ensayos generales de rels de
proteccin
Bobinados de aluminio en
Transformadores
El marcado CE en Transformadores
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Maniobras controladas en interruptores
de AT y MT...
Sobretensiones de maniobra
Elevacin del potencial de las masas de
BT durante...
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Figura 1: Ejemplo de elevacin del potencial de las masas BT debido a un defecto sobre la
parte de alta tensin del Centro de Transformacin (CT).

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Tabla 1: Esquemas de interconexiones entre alta (CT) y baja tensin IEC 60364-4-442
Elevacin del potencial de las masas de BT durante un defecto en MT en el Centro de
Transformacin
A continuacin se analizan las sobretensiones en BT resultantes de un defecto a tierra en el lado
de MT del Centro de transformacin (MT/BT) y las medidas a tomar para proteger el material y
las personas, conforme a IEC 60364-4-442.
Los valores de la elevacin del potencial de las masas del centro y de la instalacin de BT
dependen de los valores de las resistencias de las tomas de tierra, de las intensidades de la
corriente de defecto y del esquema de conexin a tierra.
Puesta a tierra en los Centros de Transformacin
Debe realizarse una sola toma de tierra en el Centro de Transformacin, a la cual deben unirse:
<!--[if !supportLists]-->-

<!--[endif]-->La cuba del transformador

<!--[if !supportLists]-->-

<!--[endif]-->Los revestimientos metlicos de los cables de alta tensin

<!--[if !supportLists]-->-

<!--[endif]-->Los conductores de tierra de las instalaciones de alta tensin

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<!--[if !supportLists]-->-

<!--[endif]-->Las masas de los materiales de alta tensin y de baja tensin

<!--[if !supportLists]-->-

<!--[endif]-->Todos los elementos conductores.

Smbolos
Significado de los smbolos utilizados en los prrafos siguientes:
Im
: Parte de una corriente de defecto a tierra en la instalacin de alta tensin que fluye a
travs d la toma de tierra de las masas del centro de transformacin.
Rp
: Resistencia de la toma de tierra de las masas del centro de transformacin.
V
U
Uf
U1
U2

: Tensin entre fases y neutro de la instalacin de baja tensin.

: Tensin entre fases de la instalacin de baja tensin
: Tensin de defecto en la instalacin de baja tensin, entre las masas y la tierra
: Impulsos de tensin en el material de baja tensin del centro de transformacin
: Impulsos de tensin en los materiales de baja tensin de la instalacin.

Esquemas TNR y ITR (ver fig. 2)

En estos dos esquemas, las tomas de tierra del centro, del neutro y de las masas de la
instalacin son las mismas. En el interior de la zona equipotencial, laos potenciales del suelo y
de las masas se elevan simultneamente, la tensin de contacto Uf es nula.
Por el contrario, fuera de esta zona, el potencial del suelo es igual al de la tierra profunda.
Mientras que el potencial de las masas se eleva a Uf = Rp Im.
Cuando existen dos masas fuera de la zona equipotencial y la tensin de contacto Uf = Rp Im
no puede ser eliminada en los tiempos definidos por las tablas 2. y 3, los esquemas TNR e ITR
no son aceptables para la proteccin de las personas.
Tensin de contacto
presunta (V)
<50
50
75
90
120
150
220
280
350
500

Tiempo de corte mximo del dispositivo de proteccin (s)

Corriente alterna

Corriente continua

5
5
0,60
0,45
0,34
0,27
0,17
0,12
0,08
0,04

5
5
5
5
5
1
0,40
0,30
0,20
0,10

Tabla 2: Duracin mxima de mantenimiento de la tensin de contacto presunta en locales

secos (UL = 50 V)
Tensin de contacto
presunta (V)
25
50
75
90
110
150
230
280

Tiempo de corte mximo del dispositivo de proteccin (s)

Corriente alterna
Corriente continua
5
0,48
0,30
0,25
0,18
0,12
0,05
0,02

5
5
2
0,80
0,50
0,25
0,06
0,02

Tabla 3: Duracin mxima de mantenimiento de la tensin de contacto presunta en locales

conductores o hmedos (UL = 25 V)
Con el fin de paliar estos inconvenientes, deben tomarse las disposiciones siguientes:
<!--[if !supportLists]-->- Esquema TNR: el neutro de la instalacin de BT debe ser unido a una toma
de tierra distinta, corresponde al esquema TNS (ver figura 3).
<!--[if !supportLists]-->- Esquema ITR: las masas de la instalacin de BT deben ser unidas a una
toma de tierra distinta del centro, corresponde al esquema ITN (ver fig. 4).
Los esquemas TNS e ITN permiten eliminar las tensiones de contacto peligrosas, pero hacen
que aparezcan sobretensiones:
<!--[if !supportLists]-->ITN

<!--[endif]-->A nivel del material de BT de la instalacin para el esquema

<!--[if !supportLists]-->-

<!--[endif]-->A nivel del material de BT del centro para el esquema TNS

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Figura 2: Elevacin de potenciales en los esquemas TNR y ITR

Esquemas TNS, TTS y ITS (ver fig. 3)

En estos tres esquemas, se observa una elevacin del potencial de las masas del centro U1 tal
que:

<!--[if !msEquation]-->

<!--[if !vml]--><!--[endif]-->

<!--[endif]-->

para los esquemas TNS y TTS

para los esquemas ITS con la presencia de un primer defecto lado BT

En funcin de los valores mximos de la corriente Im, los valores de Rp deben ser limitados de
manera que U1 sea inferior a la tensin soportada a frecuencia industrial Utp del material del
centro.
<!--[if !msEquation]--> <!--[if !vml]--><!--[endif]--><!--[endif]-->

La tabla 4 da los valores mximos de Rp para diferentes valores de Im y Utp

Valores mximos de Rp (no debern sobrepasarse)
Corriente de
defecto
Im (A)
300 A

Utp = 2000 V
Clase I
TN ; TTS
5,9

ITS
5,3

Utp = 4000 V
Clase II

Utp = 10000 V
Clase especial

TNS ; TTS; ITS

12

TNS; TTS; ITS

30

1000 A

1,8

1,6

3,6

10

5000 A

0,35

0,32

0,72

Tabla 4: Valores mximos de Rp en esquemas TNS, TTS e ITS

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Figura 3: Elevacin de los potenciales en los esquemas TNS, TTS y ITS

Esquemas TTN y ITN

En ambos casos, las tomas de tierra de las masas del centro y del neutro son comunes.
La toma de tierra de las masas de la instalacin BT est separada
La corriente de defecto a tierra se deriva a travs de la toma de tierra comn (puesta a neutro).
Como se refleja en la figura 4, se observa que hay riesgo de avera para el material de BT donde
la toma de tierra de las masas est separada de la del centro.
Las condiciones siguientes deben ser respetadas:

<!--[if !msEquation]-->

<!--[if !msEquation]-->

<!--[if !vml]--><!--[endif]-->

<!--[endif]-->

para el esquema TTN

<!--[endif]-->

para el esquema ITN

<!--[if !vml]--><!--[endif]-->

de donde:
<!--[if !vml]-->
<!--[if !msEquation]-->

con:

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UtM : tensin soportada a 50 Hz del material de BT de la instalacin a 2 V + 1000 para V = 220 a

250 V, a 1500 V
La tabla 5 da los valores de Rp para diferentes valores de Im.
TTN
4

Im = 300 A

ITN
3,5

Im = 1000 A

1,2

Im = 5000 A

0,24

0,2

Tabla 5: Valores mximos de R en esquemas TTN e ITN

Figura 4: Elevacin de potenciales en esquemas TTN e ITN

Tabla recapitulativa de las tensiones de contacto y sobretensiones que aparecen para

cada esquema de conexin a tierra

Tensin de contacto
Sobretensin
masa
instalacin BT
Sobretensin
centro

masas

TNR

ITR

TTN

ITN

TNS

TTS

SI

SI

NO

NO

NO

NO

ITS
NO

NO

NO

SI

SI

NO

NO

NO

NO

NO

NO

NO

SI

SI

SI

Tabla 6: Tensin de contacto y sobretensiones que aparecen

para cada esquema de conexin a tierra
Elevacin del potencial de las masas de BT durante una descarga de rayo
Cuando una sobretensin debida a un rayo proveniente de la red de distribucin se deriva a
tierra en un centro de MT/BT a travs de un dispositivo de proteccin (autovlvula o explosor
MT), aparece una elevacin del potencial de las masas de BT del centro y/o de las masas de la
instalacin que depende del esquema de conexin a tierra.
El nivel de sobretensin transmitidas a la BT depende de los valores de cresta Ursd y los valores
de las tomas de tierra.
Para garantizar la proteccin del aparellage de BT contra estas sobretensiones, es necesario
instalar autovlvulas o limitadores de sobretensin en BT y limitar la resistencia de la toma de
tierra del centro de manera que no se sobrepase la tensin soportada al rayo del material.
Limitacin de las impedancias de las tomas de tierra
Como para el caso del defecto a tierra en MT, los valores lmites de las impedancias de las
tomas de tierra sern calculadas para cada esquema de conexin a tierra.
La sobretensin en un punto de cambio de impedancia en una red est dada por la relacin:

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<!--[if !msEquation]--> <!--[if !vml]--><!--[endif]--><!--[endif]--><!--[if !supportLineBreakNewLine]-->

<!--[endif]-->
v1 = Ursd
: corresponde en este caso a la cresta de la sobretensin
v2
: sobretensin a nivel del centro
Z1 = Zc
: impedancia caracterstica de la lnea de AT
Z2 = Zp

: impedancia de la toma de tierra del centro

(*)
Ver: http://imseingenieria.blogspot.com.es/2015/08/propagacion-de-sobretensiones-enlineas.html

Se tiene entonces:
<!--[if !msEquation]--> <!--[if !vml]--><!--[endif]--><!--[endif]-->

La tensin soportada del material a la onda de choque Utc debe ser superior a la sobretensin v2,
de donde:
<!--[if !msEquation]--> <!--[if !vml]--><!--[endif]--><!--[endif]-->

Para Ursd = 120 kV y Zc = 330 , la impedancia de choque Zp es igual a 1,5 veces la resistencia
Rp medida en baja frecuencia:

<!--[if !msEquation]-->

<!--[endif]-->
<!--[if !vml]--><!--[endif]-->

La condicin en el valor de la impedancia de la toma de tierra del centro ser:

<!--[if !msEquation]--> <!--[if !vml]--><!--[endif]--><!--[endif]-->

Los valores mximos de Rp para los diferentes esquemas de conexin a tierra se dan en la tabla
7.
Rgimen de neutro

TNS , TTS , ITS

TTN , ITN

Utc (kV)

20

Rp

3,8

7,7

20,2

2,7

Tabla 7: Valores mximos de las resistencias de puesta a tierra del centro MT/BT recomendadas
para la limitacin de sobretensiones atmosfricas MT transmitidas a la BT.

REFERENCIAS:
IEC 60364-4-442: Proteccin de las instalaciones de baja tensin contra los defectos a tierra en
las instalaciones de alta tensin.
D. Fuchiron : Sobretensiones y coordinacin del aislamiento (Cuaderno tcnico 151 Schneider
Electric)
R. Calvas: Perturbaciones elctricas en BT (Cuaderno tcnico 141 Schneider Electric)
Cristophe Preve, Rober Jeannot: Guide de conceptin de rseaux lectriques industriels
(Schneider Electric)

Descargar artculo en pdf en la siguiente URL:

http://www.mediafire.com/view/4mc6jux4gfxxee0/Elevaci%C3%
B3n_del_potencial_de_las_masas_de_BT_durante_un_defecto_en_MT_en_el_Centro_de_Trans
formaci%C3%B3n%282%29.pdf

Artculos relacionados en este blog:

Propagacin de sobretensiones en lneas areas y subterrneas

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