I)Levantamiento de las curvas de un diodo 1N4148

a)

Se puede observar del grafico que la tension de umbral disminuye con la temperatura

Curvas para el diodo en inversa:

En este grafico se puede observar que la relacin entre la tensin y la temperatura no es

lineal y esto se debe a que la Is a partir de una determinada temperatura, la generacion
de pares electrn-laguna tiene incremento importante, produciendo portadores
minoritarios, las cuales son las causantes de la corrientes de saturacin.
b)

Nota: la Is fue variada de 2.52nA a 20nA

En este grafico se puede notar un cambio mucho mas importante en la variacin de la

temperatura en especial la diferencia a 300 grados que en el primero es de 900nA y
En el segundo es de 7mA

c)

Para el circuito se observara el comportamiento del diodo en inversa, sacando

conclusiones acerca del efecto avalancha.

En este grafico se puede ver como varia la tensin de ruptura del diodo zener para cada
temperatura y que habra una variacin importante del Is para 300 grados

d) idem a y b, pero en caso el diodo shottky 1n5819:

La diferencia que se puede apreciar a simple vista es que la tensin de umbral del diodo
shottky es mucho menor que la un diodo PN.

II)Resistencia dinmica del diodo

a) Se van a observar la seal de entrada y salida, en base a ellas se sacaran conclusiones

del diodo en baja seal.
Senal de entrada:

Senal de salida: Vsal

Seal de salida: Vo

Se observa del grafico que la Vent no variara en fase, forma o amplitud con respecto a
la Vsal, solo responde ala seal de la fuente.

En la Vo abra una atenuacin y un defasaje por culpa del capacitor.

b)
Vo = 180uV Vent = 100mV R1 = 1K
Vo = Vent (Rd / R1+Rd) => Rd = Vo R1 / (Vent - Vo) = 1.8

III)
Respuestas Transitorias, conmutacin y capacidad de difusin del diodo

a)

En el grafico se puede ver que la tensin en el diodo para cuando esta polarizado en
directa es la tensin de umbral y que para cuando este polarizado en inversa todo la
tensin caer sobre el diodo. Tambin se nota un leve defasaje cuando cae la tension del
generador con respecto a la del diodo.
b)
Se haran 5 simulaciones cambiando el tiempo de transito del diodo, editando la base
datos del progama para sacar conclusiones:
Con un tt = 0.1n

Con un tt = 1n

Con tt = 100n

Con un tt = 200n

Con tt = 300n

En los graficos se puede ver que a medida que yo incremente el tiempo de conmutacin
la respuesta del diodo para pasar de directa a inversa ser mayor.
Esto tiene relacion directa con la capacidad de difusin puesto que los tiempos de
conmutacin indican cuanto tardar en vaciarse la carga almacenada en los bordes de la
juntura.

c) Se repite a y b pero ahora con una exitacion senoidal de alta frecuencia:

Con un tt= 0.1n

Con un tt = 1n

Con tt = 100n

Con un tt = 200n

Con un tt = 300

Se puede ver de los grficos que cuando el tiempo de conmutacin es menor el diodo
puede reproducir ms fielmente la seal del generador y como a medida que este se
incrementa tardara ms en vaciarse la carga almacenada en la juntura del diodo y por
consiguiente este tardara ms en pasar de polarizacin directa a inversa.