COMPONENTI PASSIVI

Resistenza
Le resistenze possono essere realizzate in modi diversi. Innanzitutto si possono realizzare mediante sacche (Wall) che
contengono i transistor: lasciano la sacca piena di semiconduttore il quale offre una certa resistenza al passaggio di portatori.
Tuttavia questo tipo di resistenza a basso valore (semiconduttore non fortemente drogato), non stabile con la
temperatura (coefficiente di temperatura

pi alto di tutti) ed introduce capacit parassite nel sistema.

Un modo per realizzare una resistenza attraverso una geometria a meandro, ovvero con una forma del tipo illustrato in
figura:

la divisione della struttura in quadrati identici deriva dalla seguente propriet, in cui la resistenza offerta dal quadrato al
passaggio della corrente

ovvero la resistenza offerta dal quadrato non dipende dalla misura del lato. A parit di e di spessore, due quadrati diversi di
conduttore offrono la stessa resistenza. Per questo motivo, detta
la resistenza offerta da un quadrato, un meandro,
composto da quadrati offre una resistenza pari a
. La resistenza viene misurata in
(Ohm/square).
Poich in un quadrato piccolo trovo la stessa resistenza di uno grande, si fanno pi piccoli possibile. serve elevato, ma pi
grande e meno stabile con la temperetura.
Il problema di questa soluzione , nel caso di realizzazione con polisilicio 1, la forte variazione di con la temperatura. Una
piccola variazione sul drogaggio comporta significative variazioni su . Per diminuire il coefficiente di temperatura si pu far
reagire il silicio sulla superficie con un metallo surriscaldato fino a farlo diventare siliciuro (vengono messi come strato nel
gate, source e drain per condurre meglio
) e che quindi garantisca una maggiore stabilit con la
temperatura.
Un altro modo di realizzare una resistenza tramite un MOS in triodo:

Per non lineare, sensibile agli stati di polarizzazione, a

, alla temperatura, mobilit e

Capacit
I modi per realizzare le capacit sono sostanzialmente tre:

Capacit tra due metallizzazioni

Viene sfruttato lo spazio tra due strati di metallo, essenziali nella struttura a wafer dei chip.
o

Vantaggi: il condensatore isolato dagli altri componenti e sfrutta la geometria della struttura senza
occupare spazio; i fattori di merito sono buoi (poche perdite).

tolleranza

Componenti integrati
o

Componenti passivi

Svantaggi: poich
basso per evitare le capacit non volute, anche quelle desiderate di questo tipo
hanno valori molto bassi
;

Capacit attraverso il transistor (MOS - C)

Viene utilizzata la capacit tra gate e body in caso di
o
o

Vantaggi: alte capacit e facilit di integrazione;

Svantaggi: la capacit dipende fortemente dalla tensione
fornire valori stabili di tensione.

; per avere valori stabili di capacit bisogna

Capacit planare (di tipo laterale)

Si utilizza la capacit nella struttura in figura, in cui la distanza tra le armature pu arrivare fino a

o
o

Vantaggi:
alte capacit;
Svantaggi:
aumenta la resistenza e quindi diminuisce .

Induttanza
Linduttanza il componente pi critico in radiofrequenza a causa dello scarso fattore di merito che pu assumere. In
tecnologia RFC MOS della ST (a
) landamento di in funzione della frequenza rappresentato da un grafico del
tipo:

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Un altro aspetto negativo delle induttanze larea di chip occupata. In generale le induttanze vengono realizzate sullultima
metallizzazione. Infatti vicino alle induttanze presente una grande quantit di campo magnetico; poich il substrato
drogato, si generano correnti di Foucault nel semiconduttore e dunque ci sar una dissipazione per effetto Joule. Tale
dissipazione schematizzabile con una resistenza, e sar tanto maggiore quanto maggiore la superficie di silicio interessata.
Realizzando linduttanza sullultima metallizzazione parte del campo magnetico diffuso in aria e non d contributo alla
dissipazione. Tuttavia da notare che la dissipazione tanto maggiore quanto maggiore il silicio coinvolto; ci significa
che per ridurre la resistenza equivalente bisognerebbe fare in modo che linduttanza occupi la minor superficie possibile.

Componenti integrati

Componenti passivi

Realizzazione a spirale
Una induttanza si pu realizzare attraverso una metallizzazione, su un substrato, a forma di spirale
Il valore dellinduttanza si pu calcolare secondo la classica formula dellinduttanza

Dove
la permeabilit magnetica,
il numero delle spire e il raggio. Tuttavia la
formula precedente molto approssimativa, in quanto non tiene conto di caratteristiche
fisiche quali la forma della spirale, lo spessore della striscia, i diversi raggi delle spire, etc.
Formule pi accurate sono riportate nellAllegato 1.
Induttanze tipiche che si riescono a raggiungere con questa tecnica sono nellordine di
. Ci su cui pu lavorare
il progettista il numero delle spire e larea del chip che si vuole occupare. Si vedr che una maggiore area comporta un
aumento delle perdite, e dunque una diminuzione del fattore Q dellinduttanza.

Perdite dellinduttanza
I contributi alle perdite di uninduttanza sono forniti prevalentemente da due fattori

RESISTENZA SERIE .
la resistenza che incontra la corrente che scorre attraverso linduttanza dovuta alla conducibilit non infinita del
materiale. In generale,
sar funzione della geometria della striscia (
larghezza e
spessore) ed inoltre, a
causa delleffetto pelle, anche funzione della frequenza.
In effetti, se si considera una corrente che si propaga in un conduttore, questa comporta un campo magnetico ,
che a sua volta genera correnti magnetiche sulla superficie. Per frequenze elevate, si pu dimostrare che la corrente
che circola nel conduttore si distribuisce unicamente sulla superficie e
decresce verso linterno con un andamento esponenziale come
dove
lo spessore della striscia e la profondit di penetrazione del conduttore, pari a

I
H

In generale

dove

varier con la frequenza, e risulter dunque essere

la resistivit del materiale. Una formula accurate di

si trova nellallegato 1 nella formula 3.

PERDITA DEL CAMPO MAGNETICO

In prossimit dellinduttanza viene generato un elevato campo
magnetico. Consideriamo ora in sezione una spira e vediamo
come il campo magnetico generato dalla corrente orientato.
ossido
Il campo induce nel substrato delle correnti magnetiche. Tali
correnti dissipano potenza, tanto maggiore quanto pi il
substrato drogato. La potenza dissipata da queste correnti pu
essere schematizzata attraverso una resistenza
(una sua
espressione accurata data dalla formula 5 nellallegato 1).
Si noti che interposto tra linduttanza ed il substrato si trova un leggero strato di ossido che evita una possibile
dispersione di corrente che circola nellinduttanza attraverso il semiconduttore.

Componenti integrati

Componenti passivi

Modello equivalente
A questo punto possibile ricavare un modello che descriva pi accuratamente uninduttanza planare a spirale:

rappresenta il valore dellinduttanza

la resistenza dellinduttanza.
la capacit parassita tra le spire dellinduttanza

la capacit tra la striscia ed il substrato

la capacit del substrato, tra lossido ed il bulk.
la resistenza del substrato verso il bulk.

Bondwire
Un altro modo per realizzare linduttanza pu essere attraverso un bondwire, ovvero attraverso un filetto sottile con cui si
collegano due metallizzazioni. Il filetto viene saldato attraverso procedimenti ad ultrasuoni, molto precisi: dellordine del 1%
su e .
Il principale vantaggio del Bondwire quello di avere perdite limitate; infatti tanto
garantisce tra laltro un elevato fattore di merito (nellordine di 50).

quanto

Tuttavia linduttanza che si ottiene veramente esigua (

),. Ci significa che
con questa tecnica non possibile avere alti valori di induttanza, preferendo la spirale.

sono piccole, e ci

h
L

Possibili utilizzi delle induttanze a RF

Interruttori a transistor
Circuito per la scarica di tensione elettrostatica

Questi ultimi servono a prevenire un possibile danneggiamento del componente a causa di una carica elettrostatica
accumulata, ad esempio, sul pad di un package.
Accumulo
di carica

CHIP

Il principio con cui si scarica a massa laccumulo di carica luso di un diodo in

inversione, che conduce ad hoc per cortocircuitare a massa la carica indesiderata.
Scarica
Tuttavia utilizzare fisicamente un diodo implica una capacit verso massa e dunque, elettrostatica
a radio frequenza, implica cortocircuitare il sistema verso massa. Quello che si pu
fare, al contrario, distribuire il diodo utilizzando una connessione in cascata di
transistor montati a diodo e collegati tra loro attraverso linee di trasmissione sintetiche, del tipo mostrato in figura, che
cortocircuitano la scarica ma non il segnale a radio frequenza.

Una possibile realizzazione di una rete di trasmissione sintetica (Z-line):

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