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INTRODUCTION.

LE TRANSISTOR FET JONCTION.


A. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.
1. Constitution d'un FET.
2. Phnomne de pincement.
Tension drain-source nulle.
Tension drain-source non nulle.
B. CARACTRISTIQUES.
1. Caractristique d'entre.
2. Caractristiques de sortie et de transfert.
C. REPRSENTATION. SCHMA QUIVALENT.
1. Symboles des FETs.
2. Schma quivalent en petits signaux.
D. MONTAGE SOURCE COMMUNE.
1. Polarisation.
2. Fonctionnement en petits signaux.
Schma quivalent.
Gain en tension.
Impdance d'entre.
Impdance de sortie.
E. UTILISATION EN RSISTANCE COMMANDE.
F. SOURCE DE COURANT.
G. DOMAINE D'UTILISATION.

LE TRANSISTOR MOS FET.


A. LE MOSFET CANAL INDUIT.
1. Description.
2. Principe de fonctionnement.
3. Caractristiques.
B. LE MOSFET CANAL INITIAL.
1. Description du principe de fonctionnement.
2. Caractristiques.
C. UTILISATION DES MOSFETs.
1. MOSFET de puissance.
2. Intgration dans les composants numriques.

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I.

INTRODUCTION.
Nous avons vu au chapitre prcdent que le transistor jonction tait une source de courant
commande par un courant. Cette caractristique permet ce type de composants d'amplifier
des signaux alternatifs.
Du point de vue thorique, on peut imaginer d'autres dispositifs similaires, mais caractriss
par un mode d'attaque diffrent : par exemple, une source de courant commande par une
tension. Le principe reste le mme (une source commande), seule la nature du signal de
commande change.
Cet objet thorique existe : la famille des transistors effet de champ (Field Effect Transistor
en anglais, FET) rpond la dfinition prcdente : ce sont des sources de courant
commandes en tension.
De ce point de vue, on conoit aisment que l'tude des FET va tre en tous points similaires
celle des transistors jonction, et ce, malgr un fonctionnement microscopique compltement
diffrent.
Il ne faudra donc surtout pas se polariser sur les diffrences de structure et de fonctionnement
prises du point de vue cristallographique, mais voir au contraire toutes les similitudes existant
avec le transistor jonction : polarisation, conversion courant / tension, amplification en
rgime des petits signaux
Ces similitudes sont dues aussi en grande partie au fait qu'on utilise les mmes outils de
modlisation pour les deux composants.

II.

LE TRANSISTOR FET JONCTION.

A.
1.

PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT.
Constitution d'un FET.

De mme qu'il existe deux types de transistors bipolaires (NPN et PNP), le FET jonction (ou
JFET) est dclin en deux versions : le canal N et le canal P .
Le FET jonction canal N est constitu d'une mince plaquette de silicium N qui va former le
canal conducteur principal. Cette plaquette est recouverte partiellement d'une couche de
silicium P de manire former une jonction PN latrale par rapport au canal (Fig. 1.).

Fig. 1. FET jonction canal N (principe).

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Le courant circulera dans le canal, rentrant par une premire lectrode, le drain et sortant par
une deuxime, la source . L'lectrode connecte la couche de silicium P sert commander la
conduction du courant dans le canal ; on l'appelle la grille , par analogie avec l'lectrode du
mme nom prsente sur les tubes vides.
Le transistor FET fonctionnera toujours avec la jonction grille-canal polarise en inverse.
2.

Phnomne de pincement.
Tension drain-source nulle.

Pour simplifier le raisonnement, nous allons considrer dans un premier temps un montage
(Fig. 2.) o le canal est court-circuit (V DS = 0) et o la grille est un potentiel ngatif par
rapport au canal (jonction polarise en inverse).
Nous avons vu dans le chapitre consacr la diode que le fait de polariser la jonction en
inverse crait une zone vide de porteurs, appele zone de dpltion : les trous de la zone P se
recombinent avec les lectrons de la zone N, crant ainsi une zone neutre (il n'y a plus de
porteurs pour assurer la conduction lectrique) d'paisseur w = k|VGS |.

Fig. 2. Modulation de conductivit VDS = 0.


Il reste dans le canal N une zone conductrice d'paisseur (h-w). La rsistance entre drain et
source sera alors gale :

o b est la largeur du canal et sa rsistivit. La rsistance RDS varie donc avec la tension
(inverse) applique sur la jonction grille-canal. A la limite, pour VGS = VP , appele tension de
pincement, la zone de dpltion ferme le canal : il n'y a plus de porteurs, et la rsistance
entre source et drain tend vers l'infini (Fig.3.) : c'est le phnomne de pincement.

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Fig. 3. Phnomne de pincement.

Tension drain-source non nulle.

Si on reprend le montage prcdent, et qu'en plus on applique une tension positive entre le
drain et la source, le gradient de potentiel prsent tout le long du barreau de silicium
constituant le canal va modifier le profil de la zone de dpltion. Vers le drain, la tension
grille-canal sera suprieure (en valeur absolue) ce qu'elle est vers la source. En effet, on a la
relation (attention, tous les termes sont ngatifs) :

En consquence, la zone isolante prsente une forme similaire celle donne sur la figure 4.

Fig. 4. Modulation de conductivit pour VDS non nul.


Sur cette figure, le canal n'est pas compltement bouch. Si on augmente la tension V DS ,
VGS donne, l'paisseur isolante w2 va augmenter ; partir d'une certaine tension VDS ,
correspondant une largeur du canal trs faible, le courant va tendre vers une valeur
constante, car deux phnomnes contradictoires vont s'quilibrer :
une augmentation de VDS devrait entraner un accroissement du courant dans le canal (loi
d'ohm),
mais cette augmentation de VDS va accrotre la tension VDG, qui aura pour effet d'agrandir la
zone de dpltion et entraner une diminution de la largeur du canal, donc, de sa rsistivit.
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Un accroissement de la tension VDS ne va donc pas entraner une augmentation du courant


dans le canal (le courant de drain), mais une augmentation de la rsistivit de ce canal. Le
courant de drain va tendre vers une valeur constante.
B.

CARACTRISTIQUES.
A partir de ce qui a t dit dans le paragraphe prcdent, on peut dj deviner trois choses :
Si VGS = VP , dans tous les cas, quelle que soit la tension VDS , le courant dans le canal sera
nul. En effet, une tension VDS non nulle ne fera que renforcer le phnomne de pincement.
Le courant de drain deviendra d'autant plus vite constant que la tension |VGS | sera plus leve.
Le courant constant maximum sera obtenu pour une tension grille-source nulle.
Les caractristiques du FET s'en dduisent aisment.

1.

Caractristique d'entre.

Nous avons vu que le FET sera toujours utilis avec une polarisation grille-canal ngative,
soit VGS < 0. La caractristique correspondante est donc celle d'un interrupteur ouvert :
courant nul quelque soit la tension applique. En pratique, on aura un trs lger courant de
fuite caractristique d'une jonction diode polarise en inverse. Ce courant double tous les 6C
pour le silicium. A temprature ambiante, il sera infrieur au A, et plutt de l'ordre de
quelques nA.
2.

Caractristiques de sortie et de transfert.

La figure 5 reprsente les caractristiques de transfert I DS = f (VGS) gauche, et de sortie


IDS = f (VDS , VGS) droite.

Fig. 5. Caractristiques du FET jonction.


La caractristique de sortie peut tre dcompose en deux grandes zones :
la partie correspondant au fonctionnement courant constant (zone de pincement), et qui
servira l'amplification de petits signaux de la mme manire que pour le transistor bipolaire.

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la zone ohmique (en gris sur la figure 5.) : dans cette zone, le FET est assimilable une
rsistance dont la valeur est fonction de la tension VGS . On ne reprsente que la partie positive
de la caractristique, mais en fait, le canal conducteur peut laisser passer le courant dans les
deux sens (c'est juste un barreau de silicium conducteur, ce n'est pas une jonction. Le seul
dfaut qui limite les valeurs ngatives de VDS est le fait qu'au del d'une certaine tension
ngative de drain, la tension grille-drain devient positive, la jonction grille-canal tant alors
polarise en direct ; le FET ne fonctionne plus correctement. Nanmoins, et condition de
rester dans le domaine des petits signaux (quelques dizaines quelques centaines de mV), on
peut considrer le FET comme une rsistance dont la valeur est pilote en tension.
On notera que les caractristiques de sortie ont une allure connue : on retrouve celles du
transistor bipolaire. La principale diffrence provient du mode d'attaque, comme indiqu en
introduction : le FET est command en tension, et non en courant, comme l'est le bipolaire.
Ce rseau de courbes est born en bas (ID = 0, VGS = VP ), et en haut (ID = IDSS , VGS = 0).
IDSS est la valeur maxi de courant de drain qui pourra circuler dans le composant. Cette valeur
est de l'ordre de quelques mA quelques dizaines de mA pour les FETs courants. La tension
de pincement VP est de l'ordre de quelques volts (typiquement de -2 -8V).
La zone ohmique est sensiblement diffrente de la zone de saturation du transistor bipolaire.
La fonction rsistance commande est spcifique au FET et ne peut pas tre ralise de cette
faon avec un transistor bipolaire.
Pour une mme rfrence de FET (2N3819 par exemple), la dispersion de I DSS et VP sera trs
importante, plus encore que la dispersion observe pour les caractristiques des transistors
bipolaires. Ceci fait que ces transistors ne pourront pas tre utiliss sans prcautions dans des
montages pointus, ni plus forte raison, dans des montages de prcision.
La caractristique de transfert IDS = f (VGS) rsume bien les limites du FET : courant de drain
nul pour une tension VGS gale la tension de pincement VP, et courant maxi IDSS pour une
tension VGS nulle. La courbe est assez bien approxime par une parabole d'quation :

La drive de cette loi va nous renseigner sur l'aptitude du transistor amplifier : en effet,
pour un courant IDS donn, la drive (qu'on appelle judicieusement la pente du FET) va tre
gale :

Cette pente est le rapport de la variation du paramtre de sortie (I DS ) et du paramtre d'entre


(VGS ) ; elle est bien reprsentative de l'amplification d'un signal d'entre. La valeur
maximum, atteinte pour VGS = 0, vaut :

On peut alors exprimer l'quation [4] sous la forme condense suivante :

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La pente du FET est en moyenne relativement faible, soit quelques mA/V, au mieux quelques
dizaines de mA/V. Elle dpend de la tension VGS (la tension de polarisation) : comme pour le
transistor bipolaire, l'amplification ne sera pas linaire ; on fera l aussi des hypothses de
fonctionnement en petits signaux.
On peut d'ailleurs faire un parallle avec l'amplification du transistor bipolaire. A elle seule, la
caractristique de transfert du FET correspond la caractristique globale entre + transfert
du bipolaire. En effet, dans ce dernier, la vraie caractristique de transfert est une
transformation courant-courant IC =f (IB), la caractristique d'entre oprant la conversion
tension-courant. De ce point de vue, on peut considrer le bipolaire comme un gnrateur de
courant command en tension (la diffrence avec le FET est qu'il consomme du courant). La
pente du transistor bipolaire (le rapport IC / VBE) vaut alors :

Pour un courant collecteur de 1,3mA et un de 150, le h11e vaut 3k, ce qui fait une pente
d'environ 50mA/V.
La pente du transistor bipolaire est environ 5 10 fois plus leve que celle d'un FET typique.
L'amplification qu'on pourra attendre d'un FET sera plus faible que celle obtenue dans les
mmes conditions avec un bipolaire.
C.

REPRSENTATION. SCHMA QUIVALENT.

1.

Symboles des FETs.

Le FET est reprsent par les symboles suivants :

Fig. 6. Symboles lectriques des FETs.


La flche reprsente la jonction grille / canal, et son sens indique quel serait le sens du courant
si la jonction tait passante.
Pour le FET canal N, le courant I D circulera dans le sens reprsent sur la figure 6, la tension
VDS sera positive et la tension VGS ngative.
Pour le FET canal P, la tension VDS sera ngative et la tension VGS positive. Le courant de
drain circulera de la source vers le drain.

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2.

Schma quivalent en petits signaux.

Ce schma, comme pour le transistor bipolaire, concerne un composant convenablement


polaris : le fonctionnement se fera dans la zone de pincement.
On construit le schma quivalent de la mme manire que pour le transistor bipolaire.

Fig. 7. Schma quivalent alternatif petits signaux.


Le schma fig. 7. est celui relatif au FET canal N. L'entre se fait sur la grille. On note un
trou entre grille et source : l'impdance grille-source est trs leve, on la considre en
premire approximation comme infinie. En sortie, on retrouve les mmes lments que pour
le transistor bipolaire : une source de courant (commande par la tension V GS , et non par un
courant), et sa rsistance parallle . Comme pour le transistor bipolaire, cette rsistance est
trs leve (plusieurs centaines de k
courantes.
D.

), et on la ngligera dans toutes les applications

MONTAGE SOURCE COMMUNE.


Ce montage est le pendant du montage metteur commun pour le bipolaire. Le
fonctionnement sera donc totalement similaire. Un montage drain commun existe aussi, qui
est le pendant du montage collecteur commun du bipolaire ; ce montage n'a toutefois que peu
d'intrt, car le FET est un composant trs forte impdance d'entre, et ce, on va le voir,
mme lorsqu'il est utilis en source commune.
Nous allons voir le montage source commune pour le FET de type N. Le montage canal P
s'en dduit aisment.

1.

Polarisation.

Il faut tout d'abord noter que la zone ohmique est relativement tendue, surtout vers les fortes
valeurs de IDS . On veillera polariser le composant pour que la tension de repos V DSo ne soit
pas trop faible, de manire ce qu'il fonctionne dans la zone gnrateur de courant .

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Fig. 8. Montage source commune.


Nous avons vu lors de l'explication du principe de fonctionnement du FET que le bon
fonctionnement ncessitait une alimentation positive pour polariser le canal drain-source, et
une alimentation ngative pour polariser la grille par rapport la source. Ce raisonnement est
valable si on place la source la masse.
En pratique, on va relier la grille la masse par une rsistance de forte valeur ; comme le
courant qui circule dans la grille est trs faible (courant de fuite), le potentiel de la grille va
tre pratiquement nul. Il reste trouver une astuce pour mettre la source un potentiel positif,
ce qui fera VSG positif, donc VGS ngatif. Pour ce faire, on intercale une rsistance entre la
source et la masse. Le courant de drain va circuler dans cette rsistance et lever le potentiel
de la source par rapport la grille. Deux phnomnes vont alors se contrarier :
Le courant de drain est maxi pour VGS = 0 ; au dmarrage, on aura donc un fort courant dans
la rsistance de source, donc une forte tension.
mais, au fur et mesure que la tension va augmenter, la tension |V GS | va augmenter aussi, ce
qui va avoir pour effet de limiter le courant de drain.
Les deux phnomnes vont s'quilibrer. La valeur du courant de drain va dpendre des
caractristiques du FET (IDSS et VP ), et de la rsistance de source : c'est cette dernire qui nous
permettra d'ajuster le courant de drain.
La tension de polarisation sur RS sera de l'ordre de quelques volts (typiquement 1 3V).
Il ne reste plus qu' alimenter le drain l'aide d'une source de tension, en intercalant une
rsistance RD qui aura pour fonction (comme pour le montage metteur commun du bipolaire)
la conversion courant / tension permettant d'exploiter le signal de sortie.
On choisira le courant de drain (ou la rsistance RD ) de manire ce que la chute de tension
dans cette rsistance soit gale la tension de polarisation V DSo , ceci pour assurer un
maximum de dynamique au signal alternatif.

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On rajoute un condensateur de dcouplage CD sur RS pour que la source soit effectivement la


masse en alternatif. Sans ce condensateur, on aurait un effet de contre raction qui affaiblirait
beaucoup le gain en tension.
Vu que la grille est au mme potentiel que la masse (autant dire zro !), le gnrateur d'entre,
s'il dlivre uniquement un signal alternatif, peut tre coupl directement la grille, sans
condensateur de liaison. La sortie se faisant sur le drain, en revanche ncessite un
condensateur de liaison pour ne pas perturber les tages avals.
2.

Fonctionnement en petits signaux.

Nous avons vu que la caractristique de transfert du FET n'est pas linaire : nous allons donc
tre obligs de travailler en petits signaux pour pouvoir linariser le montage et utiliser les lois
fondamentales de l'lectricit.
Schma quivalent.

Le schma quivalent se construit de la mme manire que pour les montages transistors
bipolaires. On utilise le schma quivalent du FET de la figure 7, et on obtient :

Fig. 9. Schma quivalent en alternatif petits signaux.


Ce schma est trs similaire celui de l'metteur commun du transistor bipolaire. La
diffrence essentielle est que le gnrateur de courant est command par la tension V GS , et
non pas par un courant ib .

Gain en tension.

Les quations sont quasiment triviales. En entre, on a :

En sortie, si on nglige

, dont la valeur est trs leve vis vis de RD , on a :

On en tire aisment le gain en tension vide :

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Ce gain a une valeur relativement faible, due au fait que g ne dpasse gure la dizaine de
mA/V : on aura des valeurs comprises entre 10 et 50 environ.
On peut faire l'analogie avec le montage metteur commun en bipolaire, dont le gain tait gal
-38,5 ICo RC . Le terme 38,5 ICo avait t appel la pente du transistor. RC a la mme
fonction que le RD du montage FET, et pour des valeurs identiques de tension d'alimentation
et de courant de drain / collecteur (par exemple 1mA), leur valeur sera la mme. La diffrence
se fera donc sur la pente, soit 38,5 mA/V pour le bipolaire contre 5 mA/V en typique pour le
FET.
Impdance d'entre.

La solution est triviale :

On veillera ne pas choisir une valeur trop leve tout de mme pour que la chute de tension
occasionne par le courant de fuite de la grille soit ngligeable. On choisira typiquement une
valeur de l'ordre de quelques M . L'avantage sur les montages bipolaires est vident.

Impdance de sortie.

On se retrouve exactement dans le mme cas de figure que pour le montage metteur commun
du bipolaire. En oprant la mme transformation norton-thvenin que pour ce dernier
montage, on trouve :

Cette valeur est moyenne, RD valant typiquement quelques k


. On ne pourra
gnralement pas utiliser ce montage sans un tage adaptateur d'impdance en aval.
E.

UTILISATION EN RSISTANCE COMMANDE.


Si on utilise le FET dans la zone ohmique, on peut faire varier la rsistance du canal en
modifiant la tension VGS . Le FET est utilis dans un montage potentiomtrique (diviseur de
tension) mettant en jeu la rsistance RDS du canal et une rsistance additionnelle R.
Sur le schma figure 10, on remarque un rseau r-r-C reliant le drain la grille et la
commande. On pourrait appliquer directement la tension VC sur la grille, mais en rajoutant ce
rseau, on amliore la linarit, notamment pour des tensions VE , donc VS ngatives : en
effet, on a dj vu que dans ce cas, la jonction grille-canal est polarise en direct, et le FET ne
travaille pas convenablement. En appliquant sur la grille la moiti de la tension alternative
prsente sur le drain, on amliore sensiblement la linarit et la tension maxi d'utilisation du
FET en rsistance commande. Cette tension maxi demeure faible (quelques dizaines
quelques centaines de mV).

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Fig. 10. Utilisation en rsistance commande.


Cette fonction est utilise en particulier dans des amplificateurs commande automatique de
gain (CAG), qui permettent de garantir un niveau de sortie constant avec un niveau d'entre
fluctuant (exemple : rglage automatique du niveau d'enregistrement des magntophones
cassette audio bon marchs).
Une autre application dduite de la fonction rsistance commande est le commutateur
analogique : si on applique une tension suprieure ou gale en valeur absolue la tension de
pincement VP sur la commande, la rsistance de drain va devenir trs grande (quelques M
). Si on choisit pour R une valeur moyenne (quelques dizaines de k
sera quasiment gale la tension VE : tout le signal passe.

), la tension VS

Si on applique maintenant une tension nulle sur la grille, la rsistance du FET sera minimum
(quelques centaines d'ohms), et la tension VS sera quasiment nulle.
On a ainsi ralis un commutateur analogique. Cette fonction est trs utilise sous forme de
circuits intgrs et permet le multiplexage de signaux analogiques, une fonction indispensable
pour les dispositifs d'acquisition de donnes.
F.

SOURCE DE COURANT.

Fig. 11. Source de courant deux bornes.


On a vu lors de la polarisation du montage source commune comment procder pour obtenir
un courant de polarisation de drain constant. L'ajustage de la rsistance de source dfinit le
courant de drain. Si on retire du montage source commune la rsistance de drain, on se
retrouve avec un dispositif deux bornes susceptible de garantir un courant constant dans le
circuit sur lequel il sera branch.
Des circuits intgrs existent, qui comprennent le FET et sa rsistance de polarisation (la
rsistance de grille est ici inutile), et qui peuvent servir de sources de courant prrgles. Des
restrictions limitent toutefois leur usage :
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le composant est polaris : le courant ne peut circuler que dans un seul sens.
ce dispositif ne gnre pas de courant, il le rgule (comme la zner rgule une tension).
la tension applique entre les deux bornes du composant doit tre au moins suprieure la
tension VGS de polarisation permettant le fonctionnement du FET dans sa zone de pincement.
G.

DOMAINE D'UTILISATION.
De par sa constitution, le FET jonction n'est pas adapt du tout aux forts courants. Il va
rester cantonn aux applications d'amplification et de traitement des petits signaux.
Il est utilis dans des montages haute impdance d'entre et faible bruit : pramplificateurs
pour signaux de faible niveau par exemple.
La fonction rsistance commande est beaucoup utilise. Il y a bien sr des restrictions
d'utilisation : la portion de caractristique ohmique est linaire pour des faibles variations de
tension (gure plus de 100mV), ce qui ncessite des prcautions de mise en uvre .
Mais, le JFET, de par la dispersion de ses caractristiques d'un composant l'autre reste
difficile matriser dans des montages composants discrets. On a intrt les trier si on
dsire un rsultat fiable et rptable.
Dans ces conditions, l'utilisation la plus importante qui est faite de ces transistors est
l'intgration dans des composants tels les amplificateurs oprationnels : la trs forte
impdance d'entre des JFET leur donne un avantage dcisif par rapport aux bipolaires, et
aujourd'hui, la plupart des ampli-op de qualit possdent au minimum un tage d'entre en
JFET.
Pour ce qui est du volet puissance, il existe un autre composant trs bien adapt : le MOSFET.

III.

LE TRANSISTOR MOS FET.


Les transistors MOSFET reprennent plusieurs caractristiques de FETs jonction : ils se
dclinent en deux versions, le canal N et le canal P, et les lectrodes vont aussi s'appeler drain,
source et grille, leur fonction tant la mme que pour les JFETs.

A.

LE MOSFET CANAL INDUIT.

1.

Description.

Dans un substrat faiblement dop P, on insre deux zones N fortement dopes. Ces deux zones
seront la source et le drain du MOSFET ; elles sont distantes d'une dizaine de m (spares
par le substrat P). La source est gnralement relie au substrat.
La grille n'est pas directement relie au substrat P ; elle en est isole par l'intermdiaire d'une
trs fine (quelques nm) couche d'isolant (de l'oxyde de silicium). Cette caractristique donne
son nom au MOSFET : Metal Oxyde Semiconductor.
La grille est ainsi isole du substrat : le courant de grille sera nul en continu.

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Fig. 12. Schma de principe d'un MOSFET canal N.


2.

Principe de fonctionnement.

Si VGS = 0, aucun courant de drain ne passera, car le circuit source-drain est compos de deux
jonctions en srie, l'une PN, l'autre NP : il y en aura toujours une en inverse.
Lorsqu'on applique une tension VGS positive, l'lectrode de grille, l'isolant et le substrat P
forment un condensateur.

Fig. 13. Phnomne d'inversion.


Les lectrons (porteurs minoritaires du substrat P) sont alors attirs vers la grille. Pour une
tension VGS suffisamment leve (tension de seuil), la concentration en lectrons dans le
substrat est suprieure la concentration en trous au voisinage de la grille ; on a alors une
couche N dite couche d'inversion entre les zones N de la source et du drain. Les deux
jonctions disparaissent, on n'a plus qu'un canal N, et le courant peut passer entre drain et
source.
Mais, pour une tension VDS suprieure VGS , on annule la tension grille-drain, et donc l'effet
condensateur : on a un phnomne de pincement du canal induit N comme pour le JFET. Le
courant de drain tend alors vers une valeur constante, de la mme manire que pour le JFET.
Ce mode de fonctionnement est appel enrichissement , car une tension VGS positive
enrichit le canal en porteurs minoritaires, permettant le passage du courant.

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3.

Caractristiques.

Fig. 14. Caractristique de sortie du MOS canal N.


La caractristique de sortie est similaire celle d'un JFET, sauf que le courant de drain pourra
atteindre plusieurs ampres pour des composants de puissance. On note la zone en
fonctionnement ohmique, tout fait similaire celle des JFETs, et permettant les mmes
applications.
La caractristique de transfert a la forme suivante :

Fig. 15. Caractristique de transfert du MOS canal N.


Cette caractristique de transfert est appele la transconductance du MOS, et est exprime en
siemens (S). Pour des MOS de puissance, elle vaut plusieurs siemens (1 10 typiquement),
soit des valeurs beaucoup plus importantes que pour les JFETs (quelques mS).
La tension de seuil atteint plusieurs volts (1 3 typique). Ce seuil varie avec la temprature.
B.

LE MOSFET CANAL INITIAL.

1.

Description du principe de fonctionnement.

Le MOSFET canal initial a la mme structure que le MOS canal induit, avec en plus, un
canal faiblement dop N entre la source et le drain.
Pour VGS nulle, Ce transistor fonctionne comme un JFET : un courant de drain pourra
circuler ; quand VDS augmente, un phnomne de pincement se produit, qui obstrue le canal :
le courant de drain devient constant.

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Si VGS est infrieure ou gale 0, on acclre le pincement (le condensateur form par la
grille, l'isolant et le canal attire des trous dans le canal initial qui neutralisent les lectrons de
cette zone N) : on fonctionne en rgime d'appauvrissement.
Au contraire, pour VGS suprieure 0, on retrouve le fonctionnement du MOS canal induit,
et le courant de drain va crotre.

Fig. 16. MOSFET N canal initial..


2.

Caractristiques.

La caractristique de transfert est la suivante :

Fig. 17. Caractristique de transfert d'un MOS canal initial


C.

UTILISATION DES MOSFETs.


De par leur constitution, les transistors MOS sont trs fragiles, notamment au niveau de la
grille. Les dcharges lectrostatiques sont proscrire, car elles peuvent casser le composant,
ou pis, l'endommager sans que ses caractristiques ne changent : c'est la fiabilit qui est
compromise.

1.

MOSFET de puissance.

Les MOS servent beaucoup en commutation de puissance, car ils sont trs rapides et
commandables en tension. On notera toutefois qu' frquence leve, la grille formant un
condensateur avec le substrat, elle ne prsente plus une impdance infinie, comme en
statique !

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Quand ils sont passants, ils fonctionnent dans la zone ohmique, et leur caractristique
essentielle est, avec la tension VDS maxi, la rsistance RDS , qui peut tre aussi basse qu'une
dizaine de m.
2.

Intgration dans les composants numriques.

La technologie MOS se prte trs bien l'intgration grande chelle : elle permet de raliser
des composants logiques consommant trs peu de courant, et permet ainsi un trs grand
niveau d'intgration (exemple : mmoires, microprocesseurs, circuits logiques divers ) Les
transistors MOS sont utiliss ici en commutation.

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