Giraud Sylvain

UNIVERSITE DE LIMOGES
COLE DOCTORALE SCIENCE TECHNOLOGIE SANTE

FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
Laboratoire Xlim (UMR 6172), quipe MINACOM
Thse N [69-2007]
Thse pour obtenir le grade de
DOCTEUR DE LUNIVERSITE DE LIMOGES

Discipline : Electronique des Hautes frquences et
Optolectronique
Spcialit : Communications optiques et micro-ondes
prsente et soutenue par
Sylvain GIRAUD
le 5 Dcembre 2007
tude, conception et ralisation de rsonateurs

pizolectriques pour des applications hautes frquences
Thse dirige par Dominique CROS
Jury :
Michel PRIGENT
Professeur lUniversit de Limoges - Xlim
Prsident
Sylvain BALLANDRAS
Bertrand DUBUS
Directeur de Recherche LPMO Besanon

Directeur de Recherche IEMN/ISEN Lille
Rapporteur
Rapporteur
Didier ALBRECHT
Claude MULLER
Daniel CHEBANCE
Michel AUBOURG
Dominique CROS
Ingnieur DGA
Ingnieur CSEM Neuchtel
Ingnieur CNES
Charg de Recherche Xlim
Professeur lUniversit de Limoges Xlim
Examinateur
Examinateur
Examinateur
Examinateur
Examinateur
Roger PETIT
Stphane BILA
Ingnieur DGA
Charg de Recherche Xlim
Invit
Invit
REMERCIEMENTS
Je tiens tout dabord remercier mon directeur de thse, M. Dominique CROS, qui
ma support pendant ces trois annes de thse et qui ma laiss appliquer mes dcisions
personnelles mme si elles navaient pas lair, premire vue, prometteuses.
Je remercie la DGA et M. Didier ALBRECHT pour avoir financ et encadr ces trois
annes de thse.
Je suis trs honor que le M. Michel PRIGENT, Professeur au laboratoire Xlim, ait
accept de prsider le jury au cours de ma soutenance.
Jadresse mes plus sincres remerciements M. Sylvain BALLANDRAS, du
laboratoire FEMTO-ST Besanon, et M. Bertrand DUBUS, du laboratoire IEMN Lille,
davoir accept de rapporter ce travail de thse.
Je remercie tous les autres membres de jury, M. Daniel CHEBANCE, M. Claude
MULLER, et les invits M. Roger PETIT et M. Jean-Marc LESAGE.
Jadresse ensuite mes remerciements mon matre penser , M. Michel
AUBOURG, sans qui rien naurait t possible, et M. Stphane BILA, pour sa disponibilit
et sa gentillesse.
SOMMAIRE
INTRODUCTION GNRALE
CHAPITRE I : LES RSONATEURS PIZOLECTRIQUES ET LEURS
APPLICATIONS DANS LES METTEURS-RCEPTEURS RF
I Introduction...................................................................................................................................... 17
II Pizolectricit et rsonateurs ......................................................................................................... 18
II.1 Rappels historique.................................................................................................................... 18
II.2 Rsonateurs pizolectriques.................................................................................................... 19
II.2.1 Rsonateurs SAW.............................................................................................................. 19
II.2.2 Rsonateurs BAW Quartz ............................................................................................... 21
III Les rsonateurs BAW pour des applications hautes frquences ...................................................... 22
III.1 Rsonateur BAW lmentaire ou transducteur ........................................................................ 22
III.2 FBAR
(Film BAW Resonator)............................................................................................ 25
III.3 SBAR
(Solidly-mounted BAW Resonator) ......................................................................... 27
IV Matriaux utiliss .......................................................................................................................... 29

IV.1 Caractristiques physiques ...................................................................................................... 29
IV.1.1 Matriaux pizolectriques............................................................................................... 29
IV.1.2 lectrodes ........................................................................................................................ 32
IV.1.3 Autres matriaux employs .............................................................................................. 36
IV.2 Techniques de dpt ............................................................................................................... 37
IV.2.1 La pulvrisation cathodique DC ....................................................................................... 38
IV.2.2 La pulvrisation par ablation laser.................................................................................... 39
V Application et intgration des rsonateurs BAW dans les metteurs rcepteurs RF.......................... 40
V.1 Applications des rsonateurs BAW dans les metteurs rcepteurs RF....................................... 40
V.1.1 Oscillateurs locaux ............................................................................................................ 41
V.1.2 Filtres RF .......................................................................................................................... 43
VI Intgration des filtres BAW dans les chaines RF............................................................................ 53
VI.1 Intgration hybride SiP (System in Package)........................................................................... 53
VI.2 Intgration monolithique SoC (System on Chip) ..................................................................... 54
VII Conclusion ................................................................................................................................... 56
CHAPITRE II : MISE EN QUATION DU PROBLME PIZOLECTRIQUE

I Introduction...................................................................................................................................... 59
II Structure cristalline ......................................................................................................................... 61
II.1 Structures lmentaires............................................................................................................. 61
II.1.1 Les ranges : reprage dune direction ............................................................................... 61
II.1.2 Plans rticulaires : reprage dun plan................................................................................ 62
II.1.3 Les mailles ........................................................................................................................ 63
II.2 Structures atomiques dun cristal.............................................................................................. 64
II.3 Symtries dorientation des cristaux ......................................................................................... 65
III Mcanique des solides dformables ............................................................................................... 68
III.1 Contraintes.............................................................................................................................. 68
III.2 Dformations .......................................................................................................................... 70
III.3 Relation Contraintes Dformations : loi de Hooke................................................................... 72
III.4 lasticit des matriaux isotropes et du systme hexagonal ..................................................... 73
III.4.1 Matriaux isotropes .......................................................................................................... 74
III.4.2 Matriaux du systme hexagonal 6mm ............................................................................. 75
IV Couplage lectrique mcanique ..................................................................................................... 76
IV.1 Solide pizolectrique............................................................................................................. 76
IV.2 Mise en quation des mcanismes physiques .......................................................................... 79
IV.3 criture tensorielle.................................................................................................................. 82
V Rsolution en ondes planes : quation de Christoffel....................................................................... 84
V.1 Ondes planes lastiques de volume........................................................................................... 84
V.2 Approximation quasi statique................................................................................................... 85
V.3 quation de Christoffel gnralise .......................................................................................... 86
V.4 Cas des matriaux 6mm ........................................................................................................... 88
V.4.1 Propagation suivant laxe z................................................................................................ 88
V.4.2 Surface des lenteurs........................................................................................................... 90
V.4.3 Rsonateurs BAW ............................................................................................................. 92
VI Conditions aux limites ................................................................................................................... 93
VI.1 Mcaniques............................................................................................................................. 93
VI.2 lectriques.............................................................................................................................. 94
VII Les pertes dans les rsonateurs BAW ........................................................................................... 95
VII.1 Pertes mcaniques ................................................................................................................. 95
VII.2 Pertes lectriques................................................................................................................... 96
VII.3 Pertes pizolectriques .......................................................................................................... 96
VIII Conclusion.................................................................................................................................. 97
CHAPITRE III : MODLISATION 1D DUN RSONATEUR BAW ET SYNTHSE

DE FILTRES RF
I Introduction.................................................................................................................................... 101
II Approximation unidimensionnelle (1D) ........................................................................................ 103
II.1 Partie active et conditions dapplication de lapproximation 1D.............................................. 103
II.2 quations 1D dans un milieu stratifi ..................................................................................... 105
II.2.1 Impdance caractristique et impdance acoustique......................................................... 105
II.2.2 Modlisation dune couche de matriau non-pizolectrique ........................................... 106
II.2.3 Modlisation dune couche de matriau pizolectrique................................................... 108
II.2.4 Conditions mcaniques aux limites et aux interfaces........................................................ 113
III Modles unidimensionnels acoustiques .................................................................................. 114
III.1 Le modle de Mason ............................................................................................................. 114
III.1.1 Couche de matriau non-pizolectrique ........................................................................ 114
III.1.2 Couche de matriau pizolectrique ............................................................................... 115
III.1.3 Modle de Mason dun rsonateur SMR et tude du miroir de Bragg ............................ 116
III.2 Modle de la permittivit pizolectrique.............................................................................. 120
IV Le modle MBVD (Modified Butterworth Van-Dyke)................................................................. 125
V Application du modle MBVD la synthse de filtre.................................................................... 129
V.1 Mthodologie......................................................................................................................... 129
V.2 Dfinition de larchitecture du filtre ....................................................................................... 130
V.3 Synthse du filtre ................................................................................................................... 131
V.4 Considrations logicielles....................................................................................................... 132
V.4.1 Paramtres et variables doptimisation............................................................................. 132
V.4.2 Analyse du filtre.............................................................................................................. 133
V.4.3 Fonction doptimisation................................................................................................... 134
V.4.4 Optimisation multi-variables contrainte ........................................................................... 134
V.5 Exemple de synthse dun filtre rpondant la norme UMTS ................................................ 134
VI Conclusion .................................................................................................................................. 141
CHAPITRE IV : MODLISATION 3D DES RSONATEURS BAW PAR LA

MTHODE DES LMENTS FINIS
I Introduction.................................................................................................................................... 145
II La mthode des lments finis....................................................................................................... 147
II.1 Modlisation mathmatique et formulation variationelle......................................................... 149
II.1.1 Formulation en champ lectrique et dplacement mcanique ........................................... 150
II.1.2 Formulation en potentiel lectrique et dplacement mcanique ........................................ 152
II.2 Choix du type dlment ........................................................................................................ 154
II.3 Paramtrisation en frquence [45] .......................................................................................... 158
III Analyse dun rsonateur suspendu (FBAR).................................................................................. 160
III.1 Description de la structure..................................................................................................... 160
III.2 Analyse de la rponse lectrique ........................................................................................... 162
III.3 Visualisation et analyse des modes parasites ......................................................................... 163
IV Optimisation de la qualit de la rponse lectrique....................................................................... 166
IV.1 Oscillateur et bruit de phase .................................................................................................. 166
IV.1.1 Bruit de phase ................................................................................................................ 166
IV.1.2 Impact du bruit de phase dans les circuits RF ................................................................. 167
IV.2 Optimisation du coefficient de qualit Q ............................................................................... 169
IV.3 Solution n1 : lectrode suprieure apodise......................................................................... 172
IV.4 Solution n2 : lectrode suprieure charge sur les bords...................................................... 175
V Analyse dun rsonateur SMR ...................................................................................................... 179
V.1 Description de la structure...................................................................................................... 179
V.2 Analyse de la rponse lectrique ............................................................................................ 181
V.3 Visualisation et analyse des modes parasites .......................................................................... 182
VI Conclusion .................................................................................................................................. 186
CONCLUSION GNRALE
ANNEXE I : CALCUL TENSORIEL
ANNEXE II : ELEMENTS FINIS P2 EN DIMENSION N=1
BIBLIOGRAPHIE
INTRODUCTION GENERALE
GSM, UMTS, GPRS, EDGE, Wi-Fi, Bluetooth, GPS sont autant de normes de
tlcommunication que les derniers tlphones portables sont capables de grer. La
convergence des appareils mobiles a transform nos anciens tlphones mobiles en
terminaux universels de tlcommunication capables dhberger de trs nombreuses
applications [1]. Ces smartphones (tlphones intelligents) sont devenus quadribandes
(GSM 800MHz, 900MHz, 1800MHz et 1900MHz) et permettent de communiquer dans
nimporte quel pays en saffranchissant des contraintes de compatibilit. Ils intgrent un
microprocesseur et un systme dexploitation, digne dun micro-ordinateur, permettant de
surfer sur Internet, soit en utilisant une connexion Wi-Fi disponible dans les nombreux Hot
Spots prsents maintenant dans toutes les gares et les aroports, soit en se connectant au
rseau de tlphonie mobile de troisime gnration (UMTS, CDMA2000 ou TD-SCDMA).
Certains possdent mme une interface Bluetooth pour lutilisation dune oreillette sans fil ou
pour la communication inter priphriques, et dautres, un capteur GPS pour la
golocalisation.
Les smartphones de demain supporteront la norme WiMax, pour une connexion Internet
haut dbit sur des distances pouvant atteindre une cinquantaine de kilomtres, lultra large
bande (UWB) pour une connexion USB sans fil ou la norme DVB-H (Digital Video
Broadcast for Handheld) pour recevoir la tlvision [2]. Ils seront alors capables de
communiquer sans fils sur une gamme de frquences de prs de 6 GHz (Figure 1) [1].
Figure 1 : Encombrement spectral pour un tlphone mobile multi standard de demain
La figure 2 montre que la complexit des terminaux mobiles ne cesse de crotre. Le

dveloppement dun tlphone multi standard est un dfi technologique important. Lajout de
fonctionnalits supplmentaires doit se faire sans augmentation de la taille, du cot et surtout
de la consommation lectrique. Il est donc ncessaire dutiliser des lments passifs, slectifs
en frquence et totalement intgrables sur silicium.
Figure 2 : Exemple de terminal radio pour un tlphone mobile multi standard [1]
lheure actuelle, deux technologies se partagent les fonctions hyperfrquences dans

les metteurs-rcepteurs. La technologie cramique est gnralement employe pour les filtres
duplexeurs o des niveaux de puissance levs sont ncessaires et la technologie SAW
(Surface Acoustic Wave), pour les filtres inter-tages o la slectivit est trs importante.
Leurs inconvnients sont lencombrement pour la technologie cramique et les limites
physiques du motif dexcitation, en termes de tenue en puissance et de monte en frquence,
pour la technologie SAW. De manire palier ces points ngatifs et ventuellement
amliorer les performances de systmes RF, des axes de recherches sont en cours. Parmi
ceux-ci, lutilisation dondes acoustiques de volume gnre grce un matriau
pizolectrique semble tre une solution intressante qui a dj sduit de nombreux
quipementiers du secteur de la tlphonie mobile. Plusieurs configurations sont possibles
pour lutilisation de ces ondes et sont regroupes sous le terme gnrique BAW (Bulk
Acoustic Wave). Ce travail de thse sinscrit donc dans le cadre de cette technologie.
Les rsonateurs BAW semblent tre de bon candidats pour remplacer les technologies
cramique et SAW. En effet, seule la technologie BAW est compatible avec les techniques
dintgration CMOS sur substrat bas cot Silicium. De plus, le fait dutiliser la propagation
des ondes acoustiques suivant lpaisseur dun empilement de couches minces permet de
rduire de manire considrable la surface occupe par ces composants. La structure de ces
rsonateurs permet, de plus, denvisager une bonne tenue en puissance tout en gardant une
slectivit importante des frquences leves.
Le sujet de cette thse porte sur le dveloppement doutils informatiques permettant de
concevoir et de raliser des rsonateurs bass sur la technologie BAW et fonctionnant dans le
domaine des micro-ondes (f > 1GHz). Ces outils font appel certaines approximations
justifies par le comportement physique des rsonateurs, par lapplication vise (1D) ou par le
traitement informatique du problme (3D). Ce mmoire prsente, en quatre chapitres, ces
outils et les premiers rsultats obtenus.
Le premier chapitre dcrit, aprs un bref historique et une prsentation des rsonateurs
SAW (Surface Acoustic Wave) et Quartz, lintrt de la technologie BAW dans les
applications RF. Le bond technologique concernant les techniques de dpt et notamment la
matrise des dpts en couches minces a permis de concevoir des structures couches
pizolectriques fonctionnant sur un mode dpaisseur hautes frquences. Le choix des
matriaux est une donne essentielle dans la technologie BAW car il est ncessaire de trouver
un compromis entre performance et compatibilit technologique dintgration. Actuellement,
le Nitrure dAluminium (AlN) est le matriau le plus utilis pour la fabrication des structures
BAW. Cependant, ses performances acoustiques et lectriques dpendent du matriau sur
lequel il est dpos et de la technique de dpt employe. Les rsonateurs BAW ont pour but
dtre utiliss dans les metteurs-rcepteurs RF comme rfrence de frquence dans le circuit
doscillateur local et comme composant lmentaire dans les filtres duplexeur et inter-tages.
Lintrt principal est de rduire considrablement la consommation lectrique et la taille de
ces circuits, pour des performances gales voire suprieures.
Le deuxime chapitre prsente la mise en quation du problme pizolectrique.
Certaines notions de cristallographie ncessaires la comprhension du comportement
lastique des matriaux (anisotropie) et lexplication de lorigine physique du phnomne
pizolectrique sont dabord rappeles. Les matriaux pizolectriques ont la capacit de se
polariser lectriquement sous laction dune pression et de se dformer sous laction dun
champ lectrique. La pizolectricit constitue donc un couplage entre le comportement

lastique et lectrique des solides. Laspect mcanique des solides dformables en petites
dformations est modlis par la loi de Hooke. La pizolectricit peut tre vue comme une
gnralisation du problme de llasticit coupl au problme lectromagntique. Les
quations constitutives de la pizolectricit relient donc la loi de Hooke et les quations de
Maxwell. La rsolution du problme par une approximation en ondes planes (quations de
Christoffel) et la formulation des conditions aux limites mcaniques et lectriques permettent
de mettre en vidence certaines proprits exploites dans les rsonateurs BAW.
Lapproximation du comportement unidimensionnel du rsonateur BAW est explicite
au dbut du chapitre III. Les conditions ncessaires sa validit viennent du
dimensionnement des structures BAW et des contraintes technologiques. Lorsque ces
conditions sont respectes, une simplification des quations peut tre effectue. Ceci permet
alors de formuler des modles qui facilitent la conception des rsonateurs. En fonction de
ltude vise, certains modles seront plus appropris que dautres. Ainsi, le modle de Mason
permet une analyse du point de vue acoustique en considrant une excitation lectrique.
linverse, le modle de la permittivit pizolectrique peut tre intgr dans un logiciel de
simulation lectromagntique et permet dintroduire le comportement acoustique du
rsonateur dans une analyse lectrique. Enfin, le modle MBVD (Modified Butterworth-Van
Dyke) modlise directement la rponse lectrique du rsonateur grce un circuit lectrique
quivalent. Ce modle est utilis pour la synthse de filtres rsonateurs BAW dans une
procdure doptimisation dcrite la fin du chapitre III. Cette dernire permet de dterminer
les valeurs optimales de chaque lment du circuit quivalent pour rpondre une
spcification lectrique donne (gabarit). Le modle MBVD permet ensuite deffectuer une
cosimulation du filtre global dans Momentum.
Le quatrime et dernier chapitre est consacr au dveloppement de loutil de
simulation tridimensionnelle EMXD et ltude 3D des rsonateurs BAW. Cet outil permet
deffectuer une analyse 3D de structures gomtries complexes intgrant des matriaux
pizolectriques et dont les caractristiques physiques peuvent dpendre de la frquence. Pour
ce faire, il utilise la mthode des lments finis. Cette technique numrique fait intervenir la
formulation variationnelle du problme et permet de le rsoudre en se plaant dans un espace
de solutions de dimensions finis. La construction de cet espace est effectue grce au maillage
de la structure par des lments gomtriques (ttradres, pentadres ou hexadres). Lanalyse
3D des rsonateurs BAW permet de mettre en vidence des phnomnes physiques dont les
modles 1D ne tiennent pas compte, en particulier, la propagation des ondes acoustiques dans
les dimensions latrales et lventuelle apparition dondes stationnaires dues aux limites
physiques de la structure. Ces dernires peuvent tre lectriquement couples et peuvent
dtriorer la forme de la rponse en frquence. Ceci a un impact non ngligeable sur les
performances des circuits RF rsonateurs BAW. Notre logiciel de simulation EMXD permet
alors dtudier plusieurs solutions pour supprimer les modes parasites de la rponse
lectrique. La technique de paramtrisation en frquence et lutilisation dun solveur
multifrontal ultra parallle en font un outil de calcul puissant.
Dans la conclusion gnrale, nous voquerons les perspectives envisages pour ce
travail de thse. En effet, les outils de simulation 1D coupls notre outil 3D vont maintenant
nous permettre de dvelopper une procdure de conception complte dun rsonateur BAW,
depuis le choix des matriaux, de lpaisseur des couches jusqu la forme des lectrodes et
du motif dexcitation. EMXD constitue un outil particulirement pratique et rapide pour
optimiser les diffrentes tapes de cette procdure. Il rend aussi possible ltude des couplages
acoustiques et lectriques pouvant exister entre rsonateurs. Nous envisageons donc, plus
long terme, la simulation de structures rsonateurs comme des filtres. Enfin, le chanage
dune analyse statique et dun analyse dynamique pourrait tre intressant pour tudier des
structures polarise avec une tension continue et ventuellement dvelopper des circuits agiles
en frquence.
CHAPITRE I :
LES RESONATEURS PIEZOELECTRIQUES ET
LEURS APPLICATIONS DANS LES
EMETTEURS-RECEPTEURS RF
Chapitre I
17
I INTRODUCTION
La pizolectricit est un phnomne physique exploit dans de nombreux domaines
dapplication. titre dexemple, le briquet lectronique ou lallume gaz sont des systmes qui
transforment une pression en une dcharge lectrique. linverse, le gnrateur ultrason
pour lchographie ou linjecteur lectronique des voitures transforment une commande
lectrique en dplacement mcanique. Le secteur des tlcommunications est le plus gros
consommateur de circuits pizolectriques (filtres ondes de surfaces, oscillateurs Quartz,
lignes retard). Lessor grandissant des systmes sans fils na fait quacclrer cette tendance.
Lintgration de plus en plus pousse et laugmentation de la capacit des appareils de
tlcommunications portatifs sont des dfis majeurs pour les fabricants de composants
microlectroniques [1]. La monte en frquence et laugmentation de la bande passante
permet daugmenter le dbit des donnes. Cependant, lencombrement des bandes de
frquences pousse aussi une canalisation de linformation. Il faut donc dvelopper des
composants de plus en plus petits, slectifs en frquence et qui consomment peu. La recherche
de solutions permettant de repousser les limites des technologies actuelles et la matrise des
techniques de dpts en couches minces ont permis denvisager lutilisation de matriaux
pizolectriques dans le domaine des micro-ondes. Ces derniers permettent une diminution de
la taille des composants et sont compatibles avec les techniques de fabrications actuelles [3].
Les filtres ondes de volumes (Bulk Acoustic Waves : BAW) commencent
simposer sur le march de la tlphonie mobile car ils ont permis de lever les verrous
technologiques des filtres ondes de surface (Surface Acoustic Waves : SAW). Dbut janvier
2004, Agilent Technologies annonait qu'il avait produit son 100 millionime filtre FBAR
(Film Bulk Acoustic Waves Resonator) depuis la mise en production du produit en dcembre
2001. La demande a t si forte qu'Agilent a d augmenter sa production six millions de
filtres par mois. Depuis, plusieurs industriels comme Infineon, EPCOS ou STMicroelectronics ce sont lancs sur ce march en pleine expansion. Les performances
lectriques, mcaniques et la fiabilit des filtres BAW dpendent de la structure employe
pour les rsonateurs, des matriaux et des techniques de dpts. De plus, plusieurs types de
couplage permettent de synthtiser des rponses de filtres. Le choix dfini sur chaque critre
est dtermin par lapplication vise. Les rsonateurs BAW sont employs dans plusieurs
fonctions RF et pourront mme, terme, tre intgrs avec les organes actifs de la chane
dmission rception.
Les rsonateurs pizolectriques et leurs applications dans les metteurs-rcepteurs RF
Chapitre I
18
II PIEZOELECTRICITE ET RESONATEURS
La pizolectricit est la proprit physique que possdent certains matriaux se
polariser lectriquement lorsquils sont soumis une contrainte mcanique (effet direct) et
se dformer mcaniquement lorsquils sont soumis un champ lectrique (effet indirect).
Lapplication dun champ lectrique alternatif entrane lapparition dune onde lastique et
vice-versa.
II.1
RAPPELS HISTORIQUE
Ce phnomne physique fut mis en vidence en 1880 par les frres Pierre et Jacques
Curie qui tudiaient les proprits cristallines du Quartz. Cette dcouverte ouvrit alors la voie
la gnration contrle dondes lastiques jusqualors connues et tudies par les
gophysiciens lors des tremblements de Terre. la fin du XIXe sicle, il tait connu que les
ondes sismiques se propageaient en volume sous la forme dondes longitudinales et dondes
transversales. Ce nest quen 1885 que Lord Rayleigh dmontra la propagation des ondes
sismiques sous la forme dondes de surface plus lentes que les ondes de volume. Viendront
ensuite les ondes de Lamb, dites ondes de plaques , les ondes dinterfaces dmontres par
Stoneley ou les ondes de Love, dans les milieux stratifis.
La premire ralisation utilisant le phnomne pizolectrique fut une balance quartz.
La masse mesurer, dpose sur la surface du cristal, perturbe la frquence de rsonance du
Quartz de manire proportionnelle son poids. Mais, il faudra attendre 1915 et la premire
guerre mondiale pour voir apparatre des composants lectroniques intgrant un cristal de
Quartz. Le premier SONAR (Sound Navigation And Ranging) constitu dun gnrateur
dondes lastiques et dun capteur pizolectrique fut mis au point par Paul Langevin pour
dtecter la prsence de sous-marins allemands. Londe acoustique (40 kHz) se propage dans
leau et se rflchit sur les obstacles se trouvant sur sa course. Lcho renvoy est dtect par
le capteur pizolectrique et le temps coul entre lmission et la rception permet de
connatre la distance sparant lmetteur de lobstacle. Ce principe fondamental est toujours
utilis, mais les techniques, les matriaux utiliss et llectronique de commande ont t
amliors. Au cours de la seconde guerre mondiale, la transposition de ce principe aux ondes
lectromagntiques a donn naissance au RADAR (Radio Detection And Ranging).
Chapitre I
19
Lintroduction de rsonateurs Quartz grand coefficient de qualit dans les circuits

lectroniques a considrablement amlior la stabilit des oscillateurs dans les metteursrcepteurs de radiodiffusion. Le dveloppement de modles lectriques quivalents (Van
Dyke en 1925) des rsonateurs pizolectriques a permis leur emploi pour la synthse de
filtres.
II.2
RESONATEURS PIEZOELECTRIQUES
Les matriaux pizolectriques constituent un lien, une passerelle, entre deux domaines
de la physique : lacoustique et llectromagntisme. Ils permettent de convertir un signal

hyperfrquence en une onde acoustique progressive. La structure du rsonateur et celle du
motif dexcitation dterminent la manire dont cette onde va se propager. Pour une
propagation sur la surface de la couche du matriau pizolectrique, londe est appele onde
de surface (SAW : Surface Acoustic Wave) et pour une propagation suivant lpaisseur,
londe est appele onde de volume (BAW : Bulk Acoustic Wave). Ces deux possibilits
sont exploites dans les structures suivantes.
II.2.1
RESONATEURS SAW
Les premiers rsonateurs SAW intgrs peignes inter digits ont t fabriqus en 1965
par White et Voltmer [4] sur un substrat de Quartz. La structure (Figure I-1), toujours utilise
lheure actuelle, est constitue dun substrat pizolectrique sur lequel est dpos un motif
dexcitation en forme de peigne inter digit (IDT). Depuis, plusieurs matriaux ont t
exploits sous forme massive (niobate de Lithium, Tantalate de Lithium, Quartz) ou stratifie
(Oxyde de Zinc sur Silicium, Nitrure dAluminium sur Diamant ou Saphir).
Figure I-1 :
Rsonateur SAW
Chapitre I
20
Le motif dexcitation (Figure I-2) est constitu de deux lectrodes inter digites (IDT).
Ce type de structure permet de fixer la frquence pour laquelle une onde acoustique est
gnre. Les doigts sont priodiquement placs toutes les demi-longueurs dondes acoustique
(!/2). Lpaisseur de chaque doigt dtermine la frquence de couplage par la relation :
frsonance =
vacoustique
2(A + B)
. Ainsi, pour une frquence de 800MHz, la valeur de A doit tre fixe
1,2 m et pour une frquence de 2GHz, A est fix 0,5 m. Londe acoustique gnre se
propage la vitesse vacoustique sur la surface du substrat jusquaux rflecteurs. Ces derniers sont
aussi des motifs inter digites mais court-circuits lectriquement. Lespace entre les doigts
est choisi de manire rflchir londe acoustique de longueur donde correspondante.
Lensemble constitue alors une cavit rsonante acoustique. une frquence donne,
lnergie lectrique envoye sur le motif dexcitation est convertie en nergie acoustique et
reste confine dans le rsonateur.
Figure I-2 :
Principe du transducteur inter digit
Les filtres et sources ondes de surface sont trs largement employs dans les
terminaux radio des appareils portables actuels. Les rsonateurs SAW permettent de runir de
bonnes performances pour un encombrement rduit. Nanmoins, la monte en frquence et le
besoin de puissance dmission ont pouss les concepteurs envisager dautres solutions
(SAW passivs). En effet, la frquence dutilisation des rsonateurs SAW est principalement
limite par la rsolution des procds de photolithographie employs lors de la fabrication des
motifs inter digits. La tenue en puissance est directement lie lpaisseur des doigts et
leur cartement. Des courants trop levs entranent un chauffement du mtal et un
phnomne dlectromigration [5] qui dtriore la structure des liaisons mtalliques. Des
tensions trop importantes entranent des phnomnes de claquage dans lair entre les
lectrodes. La fiabilit des applications SAW limite donc leur utilisation des niveaux de
puissance infrieurs 1W, voire 3W grce aux nouvelles techniques de passivation.
Chapitre I
II.2.2
21
RESONATEURS BAW A QUARTZ

Le matriau pizolectrique le plus utilis en configuration BAW est le Quartz. Le
rsonateur est constitu dun cristal de quartz, taill suivant un axe cristallographique
particulier et plac entre deux fines lectrodes mtalliques (Figure I-3).
Figure I-3 :
Rsonateur Quartz
Lapplication dune tension alternative entre les lectrodes entrane la gnration dune
onde acoustique qui se propage suivant lpaisseur de la couche pizolectrique. Les
interfaces matriaux air constituent des miroirs acoustiques naturels sur lesquels londe se
rflchit. Lnergie acoustique reste alors confine dans le rsonateur. Ce systme possde
une frquence particulire trs prcise appele : frquence de rsonance pour laquelle les
multiples rflexions aux interfaces se recombinent de manire constructive et donnent
naissance une onde stationnaire. La polarisation de cette onde dtermine le mode de
vibration du rsonateur (Tableau I-1).
Axe de taille
Mode de vibration
Dforme
Gamme de frquence
XY,NT
Flexion
1 100 kHz
X, X+5
longation
50 200 kHz
CT,DT
Cisaillement de surface
150 800 kHz
AT, BT, FC, SC
Cisaillement dpaisseur
1 300 kHz
Tableau I-1 : Modes de vibrations des rsonateurs Quartz

Chapitre I
22
Pour un mode dlongation dpaisseur (Thickness Extensional Mode), la frquence de

rsonance est donne par la relation : frsonance = vacoustique / 2d . Elle est inversement
proportionnelle lpaisseur de la couche pizolectrique d et dpend de la vitesse de
propagation vacoustique de londe mcanique dans ce matriau. Laugmentation de la frquence
est donc conditionne par une diminution de lpaisseur de la couche pizolectrique. Pour
atteindre des frquences de lordre du GHz, une paisseur de quelques micromtres est
ncessaire. Tailler un cristal massif devient alors trs difficile. De plus, lpaisseur des
lectrodes, jusquici considre comme ngligeable par rapport celle du quartz, commence
devenir prpondrante dans le calcul de la frquence de rsonance. Les techniques issues de la
microlectronique comme la pulvrisation cathodique DC ou lablation Laser permettent de
dposer des matriaux cramiques pizolectriques (AlN, ZnO, PZT) en couches minces (100
nm 1m) et donc de rsoudre le problme de lpaisseur.
III LES RESONATEURS BAW POUR DES APPLICATIONS HAUTES FREQUENCES

Il existe deux familles de rsonateurs utilisant les ondes acoustiques de volume : les
structures suspendues (FBAR) et les structures solidaires du substrat (SBAR). Chacune
prsente des avantages et des inconvnients suivant lapplication vise. Dans les deux cas, le
rsonateur est constitu dun rsonateur lmentaire soutenu mcaniquement par un support.
III.1
RESONATEUR BAW ELEMENTAIRE OU TRANSDUCTEUR

Le rsonateur BAW lmentaire est constitu dune couche de matriau
pizolectrique dont les deux faces sont mtallises (Figure I-4). Comme pour le rsonateur
Quartz, lexcitation lectrique applique entre les lectrodes cre une onde acoustique qui se
rflchit aux interfaces matriau air.
Figure I-4 :
Rsonateur BAW lmentaire
Chapitre I
23
certaines frquences, ces multiples rflexions se recombinent en phase ou en

opposition de phase. Dans le premier cas, linterfrence est constructive et donne naissance
une onde stationnaire dont le dplacement mcanique est maximum. Cette frquence
particulire est appele : frquence de rsonance ou frquence de rsonance srie .
Limpdance lectrique du rsonateur passe alors par un minimum. Dans le second cas,
linterfrence est destructive et limpdance lectrique est maximale puisque le dplacement
mcanique et la polarisation lectrique sont en opposition de phase. Cette frquence est
appele : frquence danti-rsonance ou frquence de rsonance parallle . La
rsonance du mode fondamental stablit lorsque la demi-longueur donde acoustique
correspond lpaisseur totale du rsonateur (Figure I-5). Les rsonances harmoniques
stablissent pour des multiples impairs de la demi-longueur donde. Les modes pairs ne
peuvent tre excits puisque le couplage pizolectrique ne seffectue que lorsque les
lectrodes sont portes des potentiels diffrents. En dehors des frquences de rsonances, le
rsonateur se comporte comme une capacit. Le matriau pizolectrique possde une
permittivit non nulle et se comporte comme un dilectrique.
Figure I-5 :
Modes de rsonance du rsonateur BAW lmentaire
Le module de limpdance dun rsonateur BAW est donc trs lev aux basses
frquences, diminue au fur et mesure que la frquence augmente et prsente des singularits
aux frquences de rsonances sries et parallles (Figure I-6). La phase sinverse chaque
singularit.
Figure I-6 :
Module et phase de limpdance dun rsonateur BAW
Chapitre I
24
Lcart relatif entre la frquence de rsonance srie et la frquence de rsonance

parallle du mode fondamental est une caractristique frquentielle supplmentaire des
rsonateurs BAW. Il reprsente le coefficient de couplage lectromcanique effectif (keff2) de
la structure cest--dire le degr dinteraction entre le domaine mcanique et le domaine
lectrique. Il exprime le rapport entre lnergie convertie dans le rsonateur et lnergie totale
[6].
2
eff
2
U em
=
U m .U e
avec : Uem = nergie dinteraction lectromcanique

Um = nergie mcanique
Ue = nergie lectrique
En pratique, les valeurs des nergies sont difficilement accessibles. Ce coefficient est
donc dtermin partir des valeurs des frquences de rsonances srie et parallle par
lexpression :
! 2 f p " fs
k =
4
fp
2
eff
avec : fs = frquence de rsonance srie

fp = frquence de rsonance parallle
Pour caractriser les pertes lectriques et mcaniques intrinsques des rsonateurs
BAW, deux coefficients de qualit (Qs et Qp) sont utiliss. Qs est dfini la rsonance srie
et Qp, la rsonance parallle [7]. Ils mesurent la slectivit du rsonateur.
Qs =
f !" z
2 !f
Qp =
f = fs
f !" z
2 !f
f = fp
avec : "z = phase de limpdance du rsonateur

Le rsonateur lmentaire doit tre soutenu mcaniquement par un support. Lobjectif
dintgration des rsonateurs BAW, grce aux technologies CMOS, avec des fonctions
actives ou passives hautes frquences impose lutilisation dun substrat commun. Le
rsonateur lmentaire sera donc soutenu par une structure issue dun substrat silicium avanc
(Si Haute Rsistivit, SiGe, ).
Chapitre I
III.2
25
FBAR(FILM BAW RESONATOR)

Le support de la structure FBAR est constitu dune membrane, gnralement
dpaisseur infrieure ou gale celle de la couche pizolectrique, et dun substrat. Le

rsonateur lmentaire et sa membrane sont ensuite suspendus dans lair par micro usinage de
volume (Figure I-7) ou de surface (Figure I-8).
Figure I-7 :
Rsonateurs micro usinage de volume
Dans le cas dun micro usinage de volume, le substrat est grav localement par
gravure humide (TMAH ou KOH) ou sche (Deep RIE). La gravure humide impose des flans
de 54 pour le Silicium (Figure I-7a) et donc un encombrement important alors que la gravure
sche permet dobtenir des flans parfaitement droits. Nanmoins, elle est plus difficile
mettre en oeuvre. La gravure ncessite lutilisation dune couche darrt que lon peut garder
comme membrane ou supprimer la fin du processus, llectrode infrieure pouvant
constituer un support suffisamment rigide. Loxyde de Silicium (SiO2) ou le nitrure de
Silicium (SiN) sont les matriaux les plus frquemment utiliss pour la couche darrt. Cette
structure est intressante car elle ncessite peu dtapes de fabrication. Cependant, elle est
relativement fragile et dlicate fabriquer. En effet, la membrane est soumise des
contraintes mcaniques et a tendance se dformer ou se dchirer. Le micro usinage de
volume par la face arrire du substrat impose lutilisation dun wafer possdant un bon tat de
surface et une bonne planit. De plus, un alignement double face des masques de gravure est
ncessaire. Le micro usinage dune cavit dair par le biais de trous permet dviter ces
contraintes, mais fragilise encore plus la structure (Figure I-7b).
Chapitre I
26
Figure I-8 :
Rsonateurs micro usinage de surface
Dans le cas dun micro usinage de surface (Figure I-8), lensemble rsonateur
lmentaire membrane est dpos sur une couche sacrificielle gnralement constitue
doxyde de Silicium (SiO2) ou de rsine. Comme son nom lindique, cette couche est
supprime la fin du processus de fabrication par gravure humide et laisse place une lame
dair. Cette structure est intressante car elle peut tre employe sur un large choix de substrat
et sans en diminuer la rsistance mcanique. Ainsi, son intgration sur des wafers du
commerce est facilite. Nanmoins, ce type de rsonateur reste fragile et sa conception
ncessite une parfaite matrise des contraintes mcaniques. De plus, le choix des techniques
de dpt et des matriaux employs pour les lectrodes et pour la couche pizolectrique est
conditionn par le matriau de la couche sacrificielle. Lutilisation de loxyde de Silicium
(SiO2) impose le choix de matriaux insensibles son attaque acide et lutilisation de rsine
demande des conditions de temprature incompatibles avec certaines techniques de dpt.
Les structures sur membrane permettent de se rapprocher du comportement du
rsonateur lmentaire seul en minimisant les pertes acoustiques dans le substrat. Londe
acoustique, gnre dans la couche pizolectrique, se propage dans les lectrodes et la
membrane, se rflchit aux interfaces matriau air et reste confine dans le rsonateur. La
membrane constitue leur gros point faible puisque quelle doit la fois jouer son rle de
support mcanique et ne pas trop influencer le comportement du rsonateur. Sa conception
ncessite donc une attention particulire et sa fabrication reste dlicate.
Chapitre I
III.3
27
SBAR (SOLIDLY-MOUNTED BAW RESONATOR)

Le rsonateur lmentaire peut aussi tre solidaire du substrat, en tant soit
directement dpos sur sa surface (Figure I-9a), soit dpos sur un ensemble de couches
disolation acoustique (Figure I-9b). Dans le premier cas, le rsonateur lmentaire se
comporte comme un transducteur excitant une cavit sur un mode harmonique du mode
fondamental (HBAR : Harmonic BAW Resonator) et dans le second cas, il est isol du
substrat (SMR : Solidly Mounted Resonator).
Figure I-9 :
Rsonateurs solidaires du substrat
Un rsonateur HBAR est constitu du rsonateur lmentaire (Mtal-pizolectriqueMtal) dpos directement sur un substrat faible pertes (diamant, saphir, Niobate de Lithium
LiNbO3) et possdant un bon tat de surface sur sa face arrire. Une partie de londe
acoustique gnre dans la couche pizolectrique se propage dans le substrat et se rflchit
sur sa face arrire. Le substrat constitue alors une cavit acoustique dont le facteur de qualit
dpend de lattnuation de londe lors de la propagation et de sa dispersion lors de la
rflexion. Jusqu maintenant, le meilleur produit Q.f obtenu est de 1,1.1014, soit un
coefficient de qualit Q=68000 1,6GHz en utilisant une couche dAlN dpose sur un
substrat de saphir [8]. Cette valeur est largement suprieure aux facteurs de qualit obtenus
pour les autres types de rsonateurs. Cependant, lencombrement excessif du spectre autour
de la frquence de rsonance choisie, le faible coefficient de couplage pizolectrique effectif
(kt2) et lincompatibilit des substrats faible pertes avec la technologie CMOS font que cette
structure HBAR sera principalement employe dans les oscillateurs et non dans les
applications de filtrage hautes frquences. Le meilleur produit Q.f obtenu grce un substrat
Silicium et une couche pizolectrique de Niobate de Lithium est de 4,2.1012 soit un
coefficient de qualit Q=2800 1,507GHz [9].
Chapitre I
28
De manire obtenir une structure plus robuste, plus adapte aux techniques de
fabrication industrielles des circuits intgrs et pour tenter de limiter lapparition de modes de
plaques dans les membranes, K.M. Lakin et al proposent, en 1995, une structure solidaire du
substrat (Solidly Mounted Resonator) [10]. Le support de cette structure est plus complexe
que celui dune structure suspendue, mais le but est toujours de confiner londe acoustique
dans le rsonateur lmentaire de manire minimiser les pertes acoustiques. Le principe,
dj formul par Newell, en 1965, pour une application aux rsonateurs Quartz, consiste
modifier limpdance acoustique vue par le rsonateur lmentaire, au bas de llectrode
infrieure. En empilant des couches de matriaux dimpdances acoustiques trs diffrentes et
en faisant en sorte que leurs paisseurs correspondent un quart de la longueur donde
acoustique la frquence de rsonance, lensemble de ces couches constitue un miroir de
Bragg acoustique sur lequel se rflchit londe issue du rsonateur lmentaire.
Cette structure est donc plus fiable quune structure suspendue, elle est compatible avec
un grand nombre de substrat et permet une meilleure dissipation de la chaleur par conduction.
Cependant, elle ncessite plus dtapes de fabrication. De plus, la conception et la fabrication
du miroir de Bragg demande un trs grand soin pour ne pas introduire de modes parasites.
Plusieurs couples de matriaux peuvent tre employs pour le miroir de Bragg. La
technologie dveloppe par Infineon [11] utilise des couches alternes dOxyde de Silicium et
de Tungstne (SiO2/W). Elle est compatible avec les techniques de fabrication BiCMOS et
permet dobtenir des coefficients de couplage pizolectrique effectifs suprieurs 6,7% et
des coefficients de qualit compris entre 1200 et 1500 autour de 2GHz. Les couples
mtal/oxyde sont souvent employs, mais ils ncessitent un changement de bti lors du dpt
du rsonateur lmentaire. La fabrication dun rsonateur SMR en un seul run peut tre
effectue en utilisant le matriau pizolectrique du rsonateur lmentaire la place du
mtal. Des structures SMR rflecteur de Bragg AlN/ SiO2 ont permis dobtenir des facteurs
de qualit denviron 670 5GHz [12] et 520 8GHz [13].
Chapitre I
29
IV MATERIAUX UTILISES
Le choix des matriaux dans les rsonateurs BAW dpend des techniques employes
pour la fabrication. Les cramiques pizolectriques les plus frquemment utilises sont le
nitrure dAluminium (AlN), loxyde de Zinc (ZnO) ou le Zirconate Titanate de Plomb (PZT).
Nanmoins, lemploi de matriaux possdants de meilleures caractristiques acoustiques,
comme le Niobate de Potassium (KNbO3), constitue toujours un axe de recherche important.
Les mtaux ou alliages constituant les lectrodes et la qualit de leur dpt influencent la
croissance de la couche pizolectrique et donc le fonctionnement des rsonateurs.
IV.1
IV.1.1
CARACTERISTIQUES PHYSIQUES
MATERIAUX PIEZOELECTRIQUES
Les rsonateurs BAW utilisent une couche de matriau pizolectrique pour convertir
lnergie lectrique en nergie mcanique. Elle constitue le cur de la structure et a un impact

majeur sur les performances finales du rsonateur.
Figure I-10 :
Proprits des classes cristallines
Tous les matriaux pizolectriques ont une structure cristalline qui ne possde pas de
centre de symtrie (Figure I-10). Dans certains cas, cette absence de symtrie cre un
dsquilibre de charges dans la maille lmentaire et entrane lapparition dune polarisation
lectrique spontane. Les cristaux correspondants sont dits polaires. Si cette polarisation varie
avec la temprature, ces cristaux sont pyrolectriques, de plus, si cette polarisation peut tre
inverse sous laction dun champ lectrique externe, ils sont ferrolectriques.
Chapitre I
30
Pour les applications hautes frquences, lintrt sest surtout port sur des matriaux
non polaires, de classe cristalline wurtzite maille hexagonale, tels que le nitrure
dAluminium (AlN), loxyde de Zinc (ZnO) et le Sulfure de Cadmium (CdS). Certains
lments pyrolectriques de la famille des oxydes structure cristalline perovskite, comme le
Niobate de Lithium ou de Potassium (LiNbO3, KNbO3) et le Zirconate ou Titanate de Plomb
(cramiques PZT), nont t que rarement utiliss. En effet, la variation de leurs proprits
pizolectriques avec la temprature ou le champ lectrique les rend difficilement compatibles
avec les technologies dintgration CMOS.
Les caractristiques physiques du matriau pizolectrique employ (Tableau I-2)
dterminent les performances finales du rsonateur. De plus, les contraintes de fabrication et
dintgration doivent tre prises en compte. Les critres de choix ne sont donc pas bass que
sur les aspects lectriques et mcaniques, mais aussi sur laspect technologique, et ils doivent
permettre de dterminer le meilleur compromis pour lapplication vise.
AlN
ZnO
PZT (MOCVD)
KNbO3
22
49
10.5
8.8
420
41.5
11050
6340
4619
7820
$ (dB/cm) @ 1GHz
25
1000
TCF (ppm/C)
-25
-60
Stabilit chimique
Oui
Non
Non
Oui
Intgration CMOS
Oui
Non
Non
Non
Rfrence
[14]
[14]
[15]
[16]
kt2 (%)
couche mince
#r
vacoustique (m/s)
(mode longitudinal)
Tableau I-2 : Caractristiques des matriaux pizolectriques les plus frquents pour des
applications hautes frquences
Chapitre I
31
Le coefficient de couplage lectromcanique k t2 reprsente la capacit du matriau

convertir lnergie lectrique en nergie mcanique et vice-versa. Dans un rsonateur, les
autres lments surchargent la couche pizolectrique et diminuent le dplacement
mcanique. Ce coefficient de couplage diminue et devient le coefficient de couplage
effectif (keff2). Lcart entre les frquences de rsonance srie et parallle et donc la bande
passante des filtres rsonateurs BAW dpendent de ce paramtre.
La permittivit #r fixe la valeur de la capacit statique forme par les lectrodes et par la
couche pizolectrique. Plus la permittivit est grande, plus la surface des lectrodes est
petite.
La vitesse de propagation acoustique (suivant lpaisseur) vacoustique dtermine lpaisseur

de la couche pizolectrique pour une frquence de rsonance fixe. Plus cette vitesse est
faible, plus la couche est fine. Pour les matriaux, comme lAlN et le ZnO qui ont une
croissance colonnaire, plus lpaisseur de la couche est faible, plus la qualit du dpt est
matrise.
$ reprsente lattnuation de londe acoustique lors de la propagation. Ces pertes

acoustiques reprsentent la majeure partie des pertes dans les rsonateurs BAW et
dterminent, avec les pertes lectriques, le coefficient de qualit (Q). Plus ce dernier est
lev, plus la slectivit du rsonateur est importante.
La drive frquentielle en temprature (TCF) exprime la variation des proprits

physiques du matriau pizolectrique avec la temprature. La stabilit frquentielle du
rsonateur dpend presque totalement de ce paramtre.
Les tapes de gravure humide, lors de la fabrication des rsonateurs BAW, ncessitent
lemploi dagents chimiques corrosifs. La stabilit chimique du matriau doit tre assure
tout au long du processus de fabrication de manire prserver ses proprits physiques et
mcaniques.
Le fort taux dintgration promis par ces rsonateurs ne peut tre atteint quen fabriquant
tous les circuits sur une mme puce. Cependant, tous les matriaux pizolectriques ne
sont pas compatibles avec les technologies CMOS actuelles. En effet, certains composs
volatiles, comme le Zinc (Zn), le Plomb (Pb) ou le Potassium (K), peuvent contaminer les
matriaux semi-conducteurs et limiter la dure de vie des porteurs.
Chapitre I
32
Dune manire gnrale, le Niobate de Potassium (KNbO3) parat tre le matriau le

plus intressant pour la ralisation de rsonateurs BAW. Cependant, la valeur leve de son
coefficient de couplage lectromcanique reste, pour linstant, thorique. En effet, les rsultats
rapports jusqu prsent sont trs infrieurs, entre 2 et 3%. Ces faibles valeurs viennent
essentiellement de lapparition de domaines dont la polarisation spontane nest pas oriente
suivant laxe souhait. Les techniques et les conditions de dpt employes sont encore au
stade exprimental [16], mais le Niobate de Potassium (KNbO3) reste un matriau prometteur.
Les cramiques PZT prsentent de fortes valeurs de coefficient de couplage et de
permittivit, ainsi quune vitesse acoustique assez faible. Nanmoins, les pertes acoustiques
restent beaucoup trop importantes aux hautes frquences. De plus, ces matriaux sont trs
difficiles intgrer du fait de leur instabilit chimique et du Plomb quils contiennent.
Le ZnO possde un coefficient de couplage lectromcanique et une permittivit
suprieures lAlN. Cependant, ses pertes acoustiques et sa drive frquentielle en
temprature (TCF) sont plus leves, et il nest pas compatible avec les technologies de
fabrication CMOS.
premire vue, lAlN ne semblait pas tre le matriau idal pour une utilisation dans
les dispositifs hautes frquences, mais lintgration de plus en plus pousse et la rduction des
cots de fabrication en ont fait un bon compromis. Cest pourquoi lAlN est le matriau le
plus employ, lheure actuelle, dans les systmes commercialiss intgrants des rsonateurs
BAW.
IV.1.2
LECTRODES
La qualit et lorientation du film dAlN dpendent de la technique de dpt
employe, mais aussi du matriau de la couche sur laquelle il crot. En effet, les mailles des
deux couches doivent tre compatibles pour que la croissance se fasse et pour que la couche
soit bien oriente. Dans les rsonateurs BAW, la couche pizolectrique crot directement sur
la surface de llectrode infrieure. Plusieurs tudes ont montr [17 et 18] que la rponse
finale du rsonateur dpend des caractristiques mcaniques, lectriques et technologiques du
mtal employ (Tableau I-3).
Chapitre I
33
AlN
Proprits physiques
Al
Ti
Cu
Cr
Mo
3255
% (kg/m3)
2700
4507
8920
7140 10280 12370
11050
vacoustique (m/s)
5100
4140
3570
5940
37,6
Za (MPa.s/m)
13,77 18,66 31,84 42,41 63,63 73,85
$ (dB/cm) @ 1GHz
236
--
--
--
--
Conductivit & (.107 S/m)
3,8
0,25
5,9
0,79
1,41
4,2
Coefficient de dilatation
23,1
8,6
16,5
4,9
4,8
6,4
Dsaccord de maille avec lAlN (%) 23,15
-5,5
13,8
6,9
1,1
15
6190
Ru
5970
thermique (.10-6 /K)

-
Tableau I-3 : Proprits physiques de matriaux utiliss comme lectrodes
La masse volumique % (kg/m3) doit tre la plus faible possible. La monte en frquence
des rsonateurs impose lutilisation dlectrodes de plus en plus lgres . Pour un
matriau dense, lpaisseur de llectrode doit donc tre plus faible. Mais, plus cette
paisseur est faible, plus les pertes lectriques sont importantes.
Limpdance acoustique Za (Pa.s/m) reprsente la rsistance que le milieu oppose sa

mise en mouvement. Plus elle est leve, moins le matriau se dforme. Si le rapport entre
limpdance acoustique du mtal et celle du matriau pizolectrique est suprieur 1,
londe incidente se rflchit linterface et reste confine dans la couche pizolectrique.
Les pertes acoustiques dans les lectrodes ne jouent plus quun rle mineur et le
coefficient de qualit est plus lev.
Lattnuation $ doit tre la plus faible possible pour minimiser limpact des pertes
acoustiques sur le coefficient de qualit. Comme dcrit prcdemment, en respectant
certaines rgles, cette contrainte peut tre relche.
La conductivit lectrique & (S/m) doit tre la plus leve possible pour minimiser les
pertes lectriques dans les lectrodes et maximiser le coefficient de qualit du rsonateur.
Chapitre I
34
Le matriau doit avoir une maille lmentaire et un coefficient de dilatation thermique

compatibles avec ceux du matriau pizolectrique et un bon tat de surface pour
minimiser la dsorientation et maximiser le coefficient de couplage lectromcanique.
Il doit aussi tre stable chimiquement pour supporter les tapes restantes du processus de
fabrication.
Dans le cas de lAlN, lAluminium (Al), le Titane (Ti), le Cuivre (Cu) et le Chrome
(Cr) ne sont pas les matriaux idaux. Ils possdent une impdance acoustique trop faible.
Pour que lnergie mcanique reste bien confine dans la couche pizolectrique, le rapport
doit tre au moins gal 1,5 [18]. Ainsi, les pertes acoustiques dans les lectrodes sont
minimises (Figure I-11 et I-12).
Figure I-11 :
Attnuation, la rsonance, en fonction du rapport dimpdance

acoustique pour diffrents matriaux [18]
Figure I-12 :
Mesures dattnuation avec plusieurs mtaux [17]
Chapitre I
35
Jusque rcemment, le Molybdne semblait tre le matriau idal pour les applications
base dAlN. Il prsentait les meilleures performances sur lensemble des critres
mcaniques, lectriques et technologiques. Il possde une impdance acoustique 1,7 fois
suprieure celle de lAlN, une conductivit lectrique leve, un coefficient de dilatation
thermique proche de celui de lAlN et un dsaccord de maille quasi nul.
En 2004 [18], une nouvelle tude portant sur lutilisation du Ruthnium (Ru) a t
publie. Ce mtal prsente une trs forte impdance acoustique et une conductivit leve. Il
permet dobtenir de meilleures performances lectriques que le Molybdne (Mo).
La mesure de la largeur du pic de diffraction aux rayons X (FWHM) dans la direction
(002) a permis de mettre en vidence que ltat de surface de la couche de Ruthnium
influence lorientation de la couche dAlN (Figure I-13). Une rugosit de surface de 2,5 nm
entrane une valeur de FWHM (Full Width at Half Minimum) de 8,2 alors quune rugosit de
1,9 nm donne un FWHM de 2,9. Pour obtenir des valeurs comparables (2,5 pour une
rugosit de 2,3 nm) avec des lectrodes en Molybdne (Mo), une couche dAlN doit tre
intercale entre le substrat et llectrode infrieure. Cette couche sert de vecteur de croissance
et oriente correctement le Molybdne [19].
Figure I-13 :
Mesure de diffraction aux rayons X pour la couche dAlN dpose sur

Ruthnium [18]
Le Ruthnium est donc un matriau parfaitement adapt la fabrication des

rsonateurs BAW. Ces proprits lectriques et mcaniques sont mieux adaptes que celles
des autres matriaux et, malgr un dsaccord de maille important, il permet dobtenir une
bonne orientation de la couche dAlN.
Chapitre I
IV.1.3
36
AUTRES MATERIAUX EMPLOYES

Le tableau I-4 regroupe les proprits physiques de quelques matriaux souvent
utiliss dans les structures BAW. Le Silicium (Si) et le Silicium-Germanium (SiGe) sont des
substrats employs par les technologies CMOS et BiCMOS. Le Carbure de Silicium (SiC),
lOxyde de Silicium (SiO2) ou le Nitrure de Silicium (SiN) peuvent tre utiliss pour la
membrane des rsonateurs FBAR ou pour les couches du miroir de Bragg acoustique des
structures SMR.
SiC
SiO2
Si
Si3N4
SiGe
% (kg/m3)
3200
2261
2332
3270
3827
vacoustique (m/s)
9500
6886
2200
11000
6201
Za (MPa.s/m)
30,4
15,57
19,67
36
23,73
#r
10
4,5
11,7
7,5
14
Rfrence
[20]
[21]
[21]
[22]
[23]
Tableau I-4 : Proprits physiques de quelques matriaux utiliss comme membranes ou

substrats dans les rsonateurs BAW
Ces tudes ont permis de dterminer certains paramtres prendre en compte pour la
conception de rsonateurs BAW utilisant de lAlN. Le choix des matriaux a un impact
crucial sur les performances des structures BAW. Des tudes similaires devront tre menes
pour les autres matriaux pizolectriques, notamment pour lemploi du Niobate de Potassium
(KnbO3). Laugmentation des performances des rsonateurs passe aussi par lamlioration des
techniques de dpt.
Chapitre I
IV.2
37
TECHNIQUES DE DEPOT
La ralisation dun rsonateur BAW fonctionnant hautes frquences ncessite la
croissance dun film mince pizolectrique dont lpaisseur varie entre une centaine de
nanomtres et 1 2 micromtres. Cette couche pizolectrique doit tre parfaitement pitaxie
et monocristalline. LAlN est un matriau croissance colonnaire, cest--dire que la couche
quil compose est constitue de colonnes. Les endroits o les colonnes prennent naissance
sappellent des sites de nuclation. Ces sites ont une topologie et une densit diffrentes en
fonction du matriau utilis et dterminent lorientation et la densit de la couche. Le
coefficient de couplage diminue si la dsorientation de la couche pizolectrique est trop
importante [24 et 25]. Les principales mthodes utilises pour fabriquer des films minces sous
vide font appel aux techniques de dpt chimique, CVD (Chimical Vapor Deposition), ou
physique, PVD (Physical Vapor Deposition), en phase vapeur.
Le dpt chimique en phase vapeur permet de raliser des dpts sur un substrat
chauff partir dun prcurseur gazeux et dune raction chimique. Dans certains cas, cette
raction ncessite dtre assiste par un plasma. Cette mthode sappelle alors dpt chimique
en phase vapeur assist plasma ou PECVD (Plasma Enhanced Chimical Vapor Deposition).
Ces techniques sont assez lourdes mettre en uvre, elles ne permettent pas dobtenir des
films denses et les risques de contaminations par des gaz issus de la raction chimique sont
relativement importants.
Les techniques de dpt physique en phase vapeur (PVD) sont plus intressantes. Elles
consistent vaporiser des matriaux par chauffage, les transporter dans un vide pouss (10-6
107 torrs) et les dposer sur un ou plusieurs substrats par condensation. Le chauffage des
matriaux peut tre effectu grce une rsistance lectrique, un canon lectrons, au
couplage avec un gnrateur hautes frquences (Pulvrisation cathodique Magntron), un
arc lectrique (Pulvrisation cathodique DC) ou un faisceau Laser (Ablation Laser). Les
films obtenus sont denses, les processus sont relativement faciles contrler et il ny a pas ou
peu de contamination.
Chapitre I
IV.2.1
38
LA PULVERISATION CATHODIQUE DC
La pulvrisation cathodique DC est largement employe dans lindustrie car sa
temprature dopration infrieure 100C la rend compatible avec les filires technologiques
silicium. Une cible, constitue du matriau dposer, et un substrat hte, sur lequel va crotre
le film, sont placs dans une enceinte vide remplie dun gaz ractif. La cible est polarise
ngativement (3 5 kV) et le substrat daccueil est reli la masse. Sous leffet du champ
lectrique, quelques lectrons sont extraits de la cible et sont acclrs jusquau substrat
crant ainsi une dcharge. Ces lectrons ionisent dans leur course les atomes du gaz prsent
dans lenceinte et forment un plasma froid. Sous laction du champ lectrique, ces ions
positifs sont alors acclrs vers la cible et la pulvrisent en lui arrachant des atomes ainsi que
des lectrons qui participeront leur tour au processus dionisation. Les atomes librs de la
cible se condensent en film mince sur les parois de lenceinte et sur le substrat (Figure I-14).
Figure I-14 :
Pulvrisation cathodique DC
Cette technique prsente l'avantage d'tre trs simple mettre en oeuvre. Son
inconvnient majeur est li la ncessit d'utiliser une enceinte vide pouss (10-1 10-2 torr)
pour entretenir une dcharge stable et limiter les impurets dans les films dposs. La
prsence d'impurets dans l'enceinte se fait d'autant plus ressentir au niveau des couches que,
par suite du phnomne de rtro diffusion des particules pulvrises, les vitesses de dpt sont
relativement faibles (infrieures quelques micromtres par heure).
Chapitre I
IV.2.2
39
LA PULVERISATION PAR ABLATION LASER

La technique dablation laser nest pas encore entre dans sa phase dindustrialisation
car les phnomnes dinteraction laser matire ne sont pas totalement matriss et font encore
lobjet de recherches. Le systme est constitu dune cible et dun substrat chauff placs dans
une enceinte vide (Figure I-15). Le faisceau dun Laser puls passe par une lentille pour tre
concentr sur la surface de la cible. Lorsque la densit de puissance atteint quelque mga
watts par centimtre carr, il se produit une jection de matire dans une direction
perpendiculaire la surface irradie. Les atomes jects se condensent en un panache plasma,
migrent vers le substrat et sy dposent. Lpaisseur du film dpend du nombre dimpact et de
la densit dnergie fournie par le Laser lors de limpact (fluence). La qualit physicochimique du dpt dpend de la pression dans lenceinte, de la temprature du substrat et de
la puret atomique de la cible.
Figure I-15 :
Ablation Laser
Malgr une vitesse de croissance faible, lablation Laser est une technique
prometteuse. Son principal avantage est deffectuer des transferts stoechiomtriques de
matire. Ceci permet dobtenir des dpts plus purs avec des espces chimiques plus
complexes. Cette technique permet aussi damliorer ltat de surface des dpts en
conservant la densit des sites de nuclations tout au long de la croissance de la couche. Les
dernires avances technologiques ont permis de rduire le temps de commutation (10 ns) et
daugmenter la puissance des Lasers (Laser femtoseconde). Ainsi, la technique dablation
Laser rendra possible le dpt de films ultra-fins tout en diminuant la temprature de
chauffage du substrat.
Chapitre I
40
V A PPLICATION
ET INTEGRATION DES RESONATEURS
BAW
DANS LES
EMETTEURS RECEPTEURS RF
Dans le contexte actuel de rduction de taille et de consommation des nouveaux

systmes de tlcommunications sans fils, lintgration complte du terminal RF est fortement
souhaite. Les dimensions des composants BAW sont trs infrieures celles des structures
cramiques puisquils utilisent des ondes acoustiques dont la vitesse est 105 fois moins
importante que celle des ondes lectromagntiques. Ils possdent une meilleure tenue en
puissance que les composants SAW et sont compatibles avec les technologies de fabrication
CMOS. Ils sont donc considrs comme tant les seuls pouvoir allier performances
lectriques et intgration dans les terminaux RF de demain.
V.1
APPLICATIONS DES RESONATEURS BAW DANS LES EMETTEURS RECEPTEURS RF

Les rsonateurs BAW peuvent tre utiliss soit dans les oscillateurs, soit dans les
filtres RF prsents dans les metteurs rcepteurs hautes frquences (Figure I-16). Ces deux
fonctions sont trs importantes car elles dterminent la slectivit des rcepteurs et
lencombrement spectral des metteurs.
Figure I-16 :
metteur-rcepteur conversion directe intgrant des rsonateurs BAW
Chapitre I
V.1.1
41
OSCILLATEURS LOCAUX
Les rsonateurs BAW prsentent des facteurs de qualit assez levs, une bonne
stabilit en frquence et une consommation assez faible permettant dobtenir des oscillateurs
performants faible bruit de phase. Ils sont utiliss comme source de rfrence de frquence
dans des montages doscillateurs locaux classiques (Pierce [26] ou Colpitts [27]), dans des
boucles verrouillage de phase (PLL) (Figure I-17) ou pour des slecteurs de canaux [28].
Figure I-17 :
Boucle verrouillage de phase intgre
Le gnrateur de frquence est au cur de tout systme RF de tlcommunications. En

mission, il permet de gnrer le signal de la frquence porteuse et, en rception, le signal de
loscillateur local. Ces performances en termes de stabilit frquentielle et de bruit de phase
sont donc cruciales.
Le signal sinusodal de rfrence est le plus souvent obtenu par synthse de frquence,
en multipliant la frquence de rsonance dun rsonateur Quartz grce une boucle
verrouillage de phase (PLL). Bien que le rsonateur Quartz ait un fort coefficient de qualit
basse frquence et un faible bruit de phase, les performances de ce systme sont assez
faibles. En effet, loscillateur contrl en tension et le diviseur de frquence ont une forte
consommation lectrique et introduisent des pertes. La boucle de rtroaction rduit la bande
passante et augmente le bruit de phase. Enfin, le temps de mise en marche des synthtiseurs
de frquence est assez long. La monte en frquence ne fait quaugmenter ces problmes. Un
synthtiseur dlivrant une sinusode 434 MHz avec un bruit de phase de 112dBc/Hz
500kHz doffset consomme environ 400 W [26]. Pour un systme dlivrant un signal 900
MHz avec un bruit de phase de -127dBc/Hz 330kHz doffset, la consommation passe 130
mW. Lintgration totale des fonctions du synthtiseur permet de rduire la consommation,
Chapitre I
42
mais il ncessite toujours un rsonateur Quartz non intgrable. Ce dernier peut

ventuellement tre remplac par un circuit rsonant LC passif et ainsi rduire le temps de
mise en marche et la puissance consomme, mais les performances en termes de variation de
frquence et de bruit de phase pour un tel systme sont importantes.
Les rsonateurs BAW fonctionnent directement des frquences suprieures 1 GHz.
Utiliss dans un oscillateur, ils permettent de saffranchir du circuit de synthse de frquence
RF. Le rsonateur, plac dans la boucle de rtro raction dun montage Pierce [26] totalement
intgr en technologie CMOS, a permis dobtenir un oscillateur fonctionnant 1,9 GHz,
possdant une bonne stabilit en frquence, un bruit de phase de 120dBc/Hz 100kHz
doffset, un temps de dmarrage infrieure 800ns et une consommation de 300W.
Loscillateur montage Colpitts quilibr publi dans [27] gnre un signal 5,46 GHz et un
bruit de phase de 121dBc/Hz 100kHz doffset. Cette structure (Figure I-18), tant dj
quilibre, ne ncessite pas dtage de conversion et peut tre branche directement sur un
mlangeur ou un diviseur. De plus, ce circuit peut tre adapt pour gnrer des frquences
entre 10 et 20 GHz.
Figure I-18 :
Oscillateur Colpitts quilibr fonctionnant 5,46 GHz
Les rsonateurs HBAR semblent tre les plus performants pour ce type de structures
puisquils fonctionnent sur un mode harmonique pour lequel le coefficient de qualit est trs
lev. Cependant, les oscillateurs dont les caractristiques ont t publis intgrent soit des
structures FBAR, soit des structures SMR fonctionnant sur le mode fondamental. En effet, les
contraintes technologiques imposes par le substrat des rsonateurs HBAR entranent une
diminution du taux dintgration et une augmentation du cot. Son utilisation nest donc pas
adapte une production de masse dun oscillateur totalement intgr.
Chapitre I
V.1.2
43
FILTRES RF
Lmetteur-rcepteur conversion directe est la structure gnralement employe pour
la norme WCDMA (UMTS). Elle permet une communication full-duplex et ncessite

lutilisation de deux filtres RF en mission et en rception (Figure I-19). Le filtre inter-tages
dmission permet de mettre en forme le signal modul avant amplification. Le filtre
duplexeur, dans lequel passe le signal amplifi, doit tre capable de supporter des niveaux de
puissance levs en mission, de recevoir de trs faibles signaux et de garantir une isolation
importante entre les deux voies. Pour la norme WCDMA, cette isolation doit tre de 50 dB,
sachant que lcart entre les bandes dmission et de rception, respectivement situes
[1920-1980 MHz] et [2110-2170MHz], nest que de 130 MHz. Le filtre inter tage en
rception permet dattnuer le signal coupl en entre du circuit de dtection et de rduire les
contraintes de non linarit sur les tages suivants.
Figure I-19 :
Filtres RF rsonateurs BAW
Actuellement, les filtres inter-tages sont souvent mis en oeuvre grce la technologie
SAW et les filtres duplexeur, grce la technologie cramique. Ces dernires doivent faire
face un besoin dintgration et dautonomie de plus en plus pousses, une rduction des
cots et une monte en frquence des systmes de tlcommunication. Grce aux progrs
des techniques de dpt en couche mince, la technologie BAW apparat comme tant une
bonne alternative. Elle permet dallier performances lectriques et intgration dont les
systmes de tlcommunication de demain ont besoin.
Chapitre I
44
Les filtres passe-bande miniatures rsonateurs BAW commencent dailleurs faire

leur apparition sur le march. Ils prsentent les mmes performances lectriques que les filtres
SAW, mais avec un encombrement rduit. Leur bonne tenue en puissance et leur forte
slectivit en font des concurrents directs des filtres cramiques. Enfin, leur compatibilit
technologique avec les techniques dintgration actuelles (CMOS ou Bi-CMOS) promet une
intgration complte de la chane RF sur un mme substrat et donc une diminution du cot et
de lencombrement.
Ces filtres sont constitus de plusieurs rsonateurs lectriquement ou mcaniquement
coupls. Chaque rsonateur reprsente un ple dans la rponse frquentielle finale. Le
couplage lectrique peut tre effectu en configuration srie et parallle (filtre en chelle ou
Ladder ) ou en configuration croise (filtre en treillis ou Lattice ). Le couplage
mcanique est effectu par empilement direct de rsonateurs (filtres SCF) ou par
lintermdiaire de couches (filtres CRF).
V.1.2.1
Couplage lectrique des rsonateurs
V.1.2.1.a
Les Filtres en echelle (Ladder)
Les filtres en chelle (Figure I-20) sont constitus de rsonateurs relis lectriquement
en srie ou en parallle. Cette association permet la ralisation de fonctions de filtrage simple
ou diffrentielles, quilibres ou non.
Figure I-20 :
Topologie de filtres en chelle
Chaque rsonateur reprsente un ple et un zro de transmission dans la rponse du

filtre. Les pertes dinsertion dun tel filtre sont lies non seulement au facteur de qualit des
rsonateurs, mais aussi la prcision des frquences de rsonance srie et parallle de chaque
type de rsonateurs. la rsonance, un rsonateur BAW se comporte comme un court-circuit
(Z est minimum) et lanti-rsonance, comme un circuit ouvert (Z est maximum). La mise en
Chapitre I
45
parallle dun rsonateur inverse ces comportements. Pour obtenir une rponse de filtre et
minimiser les pertes dinsertions, il faut faire concider les frquences de rsonance des
rsonateurs en srie avec les frquences danti-rsonances des rsonateurs en parallle (Figure
I-21). La bande passante du filtre dpend donc directement du coefficient de couplage
lectromcanique.
Figure I-21 :
Synthse de filtre pour une topologie en chelle 1 tage
La rjection hors bande dun tage dpend du niveau dimpdance de chaque

rsonateur et celle du filtre global, du nombre dtages (Figure I-22). Laugmentation du
nombre dtage augmente les pertes dinsertions.
Figure I-22 :
Mesure de la variation de lattnuation hors bande pour une topologie en

chelle en fonction du nombre dtage
Chapitre I
46
Les filtres en chelles sont aujourdhui fabriqus pour des applications de tlphonie
mobile couvrant la bande de frquence 500 MHz - 3.5 GHz. Les deux matriaux
pizolectriques les plus employs sont lAlN et le ZnO, ce qui implique une bande passante
troite comprise entre 0.5 et 5%. titre dexemple, la Figure I-23 prsente un filtre en chelle
conu par Agilent pour une application rpondant la norme de communication U.S. PCS1900 [29].
Figure I-23 :
Exemple de filtre BAW en chelle [29] [30]
Ce filtre est compos de 9 rsonateurs qui constituent 3,5 tages en chelle. Les
rsonateurs en srie ont une surface dlectrode double, de manire minimiser les pertes et
optimiser lattnuation dans la bande. Ce sont des structures cavit dair sur un substrat de
Silicium, constitus dune couche dAlN et dlectrodes en Molybdne. Le coefficient de
couplage lectromcanique est de 6%. Le dcalage frquentiel entre les rsonateurs en srie et
en parallle est donc de 3% et permet dobtenir la bande passante de 60 MHz ncessaire au
respect de la norme U.S. PCS-1900.
Les filtres BAW en chelle se caractrisent par une forte slectivit, mais une
attnuation hors bande relativement faible. La bande passante est limite par le coefficient de
couplage lectromcanique des matriaux utiliss. Cette topologie est largement utilise dans
les filtres duplexeurs o lisolation entre les voies dmission et de rception demande de
fortes slectivits.
Chapitre I
V.1.2.1.b
47
Les filtres en treillis (Lattice)
Les filtres en treillis ont une topologie croise constitue de rsonateurs relis
lectriquement en srie ou en parallle (Figure I-24). Cette association permet la ralisation de
fonctions de filtrage diffrentielles, quilibres ou non.
Figure I-24 :
Topologie de filtres en treillis
Pour cette topologie, la position des ples dpend du niveau des impdances et non de
la position des frquences de rsonance et danti-rsonance (Figure I-25). Un zro apparat sur
le paramtre de transmission S21 lorsque les impdances des rsonateurs sries et parallles
sont gales (Zs=Zp). Cette condition impose une diffrence de potentielle nulle en sortie.
Aucune puissance nest alors transmise la charge.
Figure I-25 :
Topologie de filtres en treillis
Chapitre I
48
S21 est maximum (S11 minimum) lorsque le produit des impdances des rsonateurs
srie et parallle est gal au carr de limpdance de normalisation (Zs.Zp= Z02). Les pertes
dinsertions sont dtermines par la variation des impdances entre ces valeurs et lattnuation
hors bande est fixe par le rapport des impdances des rsonateurs sries et parallles. Le
coefficient de couplage une influence sur la bande passante puisquil dplace les frquences
pour lesquelles les conditions Zs=Zp et Zs.Zp= Z02 sont vrifies. Pour un mme niveau
dimpdances, lcart entre les ples et la bande passante augmente avec le coefficient de
couplage et, de manire gnrale, un kt2 lev permet dobtenir une bande passante plus large.
La Figure I-26 prsente un filtre double treillis, conu au CSEM (Centre Suisse
dElectronique et de Microtechnique) dans le cadre du projet europen MARTINA, pour une
application fonctionnant 2,14 GHz et rpondant la norme WCDMA [31].
Figure I-26 :
Exemple de filtre BAW en treillis [31] [32]
Ce filtre est compos de huit rsonateurs qui constituent un filtre treillis deux tages.
Les rsonateurs sont des structures pont dair sur un substrat BiCMOS, constitus dune
couche dAlN et dlectrodes en Platine. Leur coefficient de couplage lectromcanique est de
6,5% et leur facteur de qualit de 900. Le dcalage frquentiel entre les rsonateurs en srie et
en parallle est obtenu par surcharge de llectrode suprieure et permet dobtenir la bande
passante de 60 MHz ncessaire au respect de la norme WCDMA.
Les filtres BAW en treillis se caractrisent par une faible slectivit, mais une
attnuation hors bande leve. Cette topologie est surtout utilise dans les filtres inter tages.
Ils peuvent tre avantageusement coupls avec les filtres en chelles pour synthtiser des
rponses plus complexes, tirants partie des avantages de chaque structure. Les filtres en
chelle-treillis prsentent alors une trs forte slectivit et une importante rjection hors
bande.
Chapitre I
V.1.2.2
49
Couplage mcanique des rsonateurs
Le couplage acoustique permet de saffranchir de limpact du coefficient de couplage

des rsonateurs sur la bande passante des filtres en chelle. Ici, la structure lmentaire
fonctionne sur un mode fondamental o la rsonance parallle (anti-rsonance) est vite. De
plus, ce type de couplage permet dobtenir des structures diffrentielles avec une isolation
galvanique totale.
V.1.2.2.a
Les Filtres SCF (Stacked Crystal Filters)
La structure lmentaire (section) dun filtre SCF est prsente sur la Figure I-27a.
Elle est constitue de deux rsonateurs lmentaires empils et partageant une lectrode
commune. Typiquement, llectrode du milieu est relie la masse, le signal dentre est
appliqu sur llectrode suprieure et le signal de sortie est prlev sur llectrode infrieure.
a)
Figure I-27 :
b)
c)
Filtre SCF lmentaire FBAR et SMR (AlN/SiO2) [33]
Cette structure possde une rponse en frquence assez complexe (Figure I-27b). Le
mode fondamental, correspondant au couplage maximum, sinstalle lorsque lpaisseur totale
correspond une longueur donde ! cest--dire lorsque lpaisseur de chaque rsonateur
lmentaire correspond une demi-longueur donde. Ce mode possde la rsonance la plus
forte (pertes minimum) et la plus large bande. La rsonance basse frquence correspond un
mode en !/2 sur lensemble de la structure et la rsonance haute frquence, un mode en
3!/2. Ce motif se rpte aux frquences harmoniques et plus la frquence augmente, plus les
modes prsents autour du fondamental se rapprochent. Cet encombrement du spectre rend
lutilisation dune telle rponse assez complique. Elle peut tre amliore en dposant la
structure sur un miroir de Bragg bande passante rduite limitant ainsi le couplage des modes
parasites. Sur la Figure I-27c, la rponse en frquence ne prsente plus les modes suprieur et
infrieur. La structure lmentaire, sur son mode fondamental, reprsente un ple. Il faut donc
en assembler plusieurs pour synthtiser une rponse de filtre plus complexe.
Chapitre I
50
La structure dun filtre SCF 2 sections montes en srie est prsente sur la Figure I28 [34]. Une section est compose de deux rsonateurs lmentaires. Les couches
pizolectriques sont en Nitrure dAluminium (AlN), les lectrodes en Aluminium (Al) et le
substrat est en Silicium (Si). Le rflecteur de Bragg est constitu de neuf couches alternes
dAlN et de SiO2. La Figure I-28 montre la rponse de ce filtre conu pour la bande GPS
(Global Positionning System). Il prsente de faibles pertes dinsertions (1,3 dB), une bande
passante de 1,5% (24 MHz@1575MHz) et une trs forte rjection hors bande.
Figure I-28 :
Filtre SCF 2-ples sur SMR 9 couches (AlN/SiO2) [34]
Le filtre 2-ples prcdent a t adapt pour un fonctionnement 12,4 GHz (Figure I29). Lpaisseur des couches pizolectriques (AlN) est fixe 260 nm et celle des lectrodes
(Al) 50 nm. Les pertes dinsertions sont de 3,3 dB, une bande passante de 1,1% (137
MHz@12400MHz) et une rjection hors bande qui prsente quelques parasites.
Figure I-29 :
Filtre SCF 2-ples sur SMR 9 couches (AlN/SiO2) [12]
La fabrication de ce type de filtre est assez complexe car il faut dposer deux couches
de matriau pizolectrique et un miroir de Bragg acoustique. Cependant, lempilement des
rsonateurs permet dobtenir des structures trs compactes. Lajustement de la frquence de
rsonance peut tre effectu par une simple retouche de lpaisseur de llectrode suprieure.
Chapitre I
51
La largeur de la bande passante des filtres SCF est limite par le surcouplage entre les
rsonateurs lmentaires. La configuration SCF lmentaire se comporte comme un seul
rsonateur fonctionnant sur le mode 2 (mode en !). Son coefficient de couplage effectif est
donc rduit et correspond la moiti de celui dun rsonateur seul.
V.1.2.2.b
Les Filtres CRF (Coupled Resonator Filter)
Le problme de la largeur de bande passante limite est rsolu par la diminution du

couplage entre les deux rsonateurs superposs. Ils agissent alors lun envers lautre comme
des transducteurs indpendants, fonctionnant sur le mode 1 (mode en !/2) et qui schangent
de lnergie. Ils reprsentent alors chacun 1 ple. Cette configuration est appele Coupled
Resonator Filters (CRF). La bande passante est contrle par le niveau de couplage
acoustique entre rsonateur. Ce couplage est assur par lintermdiaire dune squence de
couches acoustiques (Figure I-30) dpaisseur !/4. La rponse en transmission du coupleur est
dfinie de manire permettre un couplage lectrique optimal entre le gnrateur et la charge.
Figure I-30 :
Filtre CRF 4-ples [34]
La Figure I-30 prsente un filtre CRF 4-ples conu pour la bande de tlphonie
mobile 1960 MHz et rpondant la norme GSM. Comme pour le filtre SCF de la Figure I-,
Les couches pizolectriques sont en AlN et les lectrodes en Aluminium. Les pertes
dinsertions sont un peu plus leves (2,8 dB), mais la bande passante 3dB passe 3,6%
(67MHz@1960MHz). Ce filtre pourrait tre employ pour des applications CDMA puisque
sa bande passante 1dB est relativement plate et surtout plus large que celle dun canal
(60MHz).
Cette configuration permet une isolation galvanique totale et un mode
dinterconnexion diffrentiel. De plus, comme le montre la Figure I-31, elle peut tre utilise
comme convertisseur de modes (simple vers diffrentiel ou diffrentiel vers simple) ou
comme transformateur dimpdance.
Chapitre I
Figure I-31 :
52
Filtre CRF 4-ples avec sortie diffrentielle isole [35]
La structure CRF de la Figure I-31 a t dveloppe par Infineon pour une application
GSM-1800 [35]. Elle est constitue de huit rsonateurs qui constituent un filtre quatre ples.
Lentre est en mode simple et la sortie en mode diffrentiel. Elles sont isoles lectriquement
et possdent des impdances diffrentes (50' en entre et 200' diffrentielle en sortie). Ce
filtre prsente des pertes dinsertions de 1 dB et une bande passante 3dB de 4,3%
(79,7MHz@1840MHz). Les rsonateurs ont fait lobjet dune conception particulire du bord
de leur lectrode suprieure de manire supprimer les modes parasites. Ainsi, londulation
rsiduelle dans la bande de frquence [1,75-1,95 GHz] est infrieure 0,5dB en module et
5 en phase. La rjection hors bande reste autour de -50dB et les quelques pics parasites
prsent sur la rponse du filtre sont supprims en optimisant la bande passante du rsonateur
de Bragg. Enfin, ce filtre prsente une bonne attnuation (entre 40 et 50 dB) du mode
commun. Ce paramtre reprsente lquilibre entre les voies de la sortie diffrentielle.
Chapitre I
53
VI INTEGRATION DES FILTRES BAW DANS LES CHAINES RF

Deux mthodes dintgration des filtres BAW dans les chanes RF sont actuellement
en comptition. La premire technologie, dite SiP (System in Package), consiste assembler
chaque module de la chane RF sur un support hte puis lencapsuler. La deuxime, appele
SoC (System on Chip) consiste fabriquer toute la chane RF sur un substrat monolithique.
VI.1
INTEGRATION HYBRIDE SIP (SYSTEM IN PACKAGE)

Lintgration hybride SiP (System in Package) consiste implmenter une chane RF
en assemblant chaque module et en les reliant lectriquement. Les circuits actifs et les filtres
BAW sont dabord raliss sur des wafers spars puis dcoups en circuits indpendants. Ils
sont ensuite dposs sur un substrat hte et interconnects par des fils de bonding (Figure I32) ou par des billes de bumping. Le module BAW est ensuite protg par encapsulation et
finalement, le circuit est mis en botier. Le circuit NWA19P [36] de la Figure I-32 est fabriqu
par Infineon depuis novembre 2004. Il intgre une chane RF complte pour la norme GSM1900 (filtre de rception, amplificateur faible bruit sur substrat SiGe et convertisseur simple
vers diffrentiel) dans un botier de 3x3mm2.
Figure I-32 :
Intgration hybride dun filtre BAW et dun LNA relis par bonding [36]
lheure actuelle, cette mthode permet dobtenir les meilleurs rendements de

fabrication. Chaque module est test avant assemblage, liminant ainsi les circuits actifs
dfectueux ou les filtres BAW ne respectant pas les spcifications en frquences. De plus, il
est possible, en ne changeant que le filtre, dadapter le circuit pour diffrentes normes de
tlcommunication et ainsi rduire le cot de fabrication. Nanmoins, le cot de lassemblage
modulaire peut devenir trs lev pour des circuits o les filtres BAW noccupent quune
faible surface. Dans ce cas lintgration monolithique (SoC) semble plus adapte.
Chapitre I
VI.2
54
INTEGRATION MONOLITHIQUE SOC (SYSTEM ON CHIP)

Lapproche monolithique semble la plus prometteuse en termes de performances et de
densit dintgration. Cependant, avant de russir industrialiser la fabrication dune chane

RF complte, les problmes lis au rendement des filtres BAW restent rsoudre. La
technologie Above-IC permet dintgrer les filtres BAW avec des composants actifs et
passifs sur un mme wafer BiCMOS ou CMOS (Si, SiGe). Les fonctions actives de la chane
RF sont pralablement ralises et recouvertes dune couche de passivation. Les rsonateurs
BAW sont ensuite dposs au dessus de ces circuits intgrs et sont connects par des vias
creuss dans la couche de passivation. Ici, les structures SMR ne sont pas intressantes car
linterconnexion de la structure BAW et de la partie active ncessite la gravure de lensemble
des couches du miroir de Bragg. Lutilisation de structures suspendues est moins coteuse.
Lintgration monolithique permet donc la ralisation de chanes RF trs
performantes, faible encombrement et cot relativement rduit. Ce concept a t employ
pour la premire fois pour la ralisation dun oscillateur rsonateur BAW [37].
Figure I-33 :
Intgration monolithique above-IC dun LNA filtrant [38]
Plus rcemment, lvolution des procds de dpt et la compatibilit technologique

des matriaux utiliss pour la ralisation des dispositifs BAW ont permis lintgration de
filtres avec un [38] ou plusieurs organes [39] dune chane de rception WCDMA (Figure I33 et I-34). La densit dintgration obtenue (2,44 mm2) est largement suprieure celle du
circuit de la Figure I-32, tout en ayant des performances de gain satisfaisantes et une structure
plus complexe. Des rsonateurs cavit dair sont employs car ils ne fragilisent pas la
structure du wafer et ncessite peu dtape de fabrication.
Chapitre I
Figure I-34 :
55
Intgration SoC dune chane de rception WCDMA [39]
Cette approche est donc prometteuse, mais certaines amliorations sont ncessaires
pour envisager une industrialisation. Le rendement de fabrication des filtres BAW doit tendre
vers 100% pour minimiser le taux de rejet final de manire ne pas perdre le bnfice de la
rduction du cot. La matrise des paisseurs, sur toute la surface du wafer, de la couche
pizolectrique et des lectrodes est primordiale puisquelles affectent directement la rponse
en frquence des filtres. Lutilisation de cette technique, pour des applications multistandards, ne pourra tre envisage que par le dveloppement dune mthode daccord des
rsonateurs.
court terme, la technologie dintgration monolithique (SoC) des BAW prsente peu
davantages par rapport la technologie SiP. Elle est plus chre et prsente un rendement plus
faible. Nanmoins, la rduction potentielle du cot et laugmentation de la densit
dintgration la rendent trs prometteuse. Grce sa structure en couche, elle offre la place
ncessaire pour lassociation des rsonateurs avec un circuit de commande ou daccord. Ainsi,
les contraintes sur les paisseurs des couches et sur le rendement pourraient tre relches. De
plus, si la gamme daccord des rsonateurs est suffisamment grande, le dveloppement de
circuits multi-standards pourrait tre envisag. Enfin, les spcifications des filtres rpondants
la norme WCDMA sont si difficiles atteindre que la technologie dintgration
monolithique semble tre une meilleure voie pour la conception des modules RF de demain.
Chapitre I
56
VII CONCLUSION
Les techniques de dpt en couches minces ont permis le dveloppement de nouveaux
rsonateurs ondes acoustiques de volume (BAW) fonctionnant hautes frquences. Depuis
le lancement du premier filtre FBAR par Agilent en Dcembre 2001, les plus importants
fabricants de circuits RF pour les tlcommunications ont investi dans cette technologie.
Ainsi, Agilent sest focalis sur les structures cavit dair, tandis quEPCOS a choisi les
structures pont dair et quInfineon et ST-Microelectronics optimisent leurs structures SMR.
Le matriau pizolectrique le plus employ lheure actuelle est sans aucun doute
lAlN. Bien quil nest pas les meilleures caractristiques lectriques ou mcaniques, ce
matriau possde tous les avantages requis pour un taux dintgration maximum. Ltude de
sa croissance en couche mince fait lobjet de nombreuses recherche et la dtermination du
meilleur mtal utiliser est encore dactualit, le Ruthnium ayant rcemment dtrn le
Molybdne.
Les techniques de dpt sont aussi en cours de dveloppement. Malgr une vitesse de
croissance faible, lablation Laser semble tre une technique prometteuse. Elle permet
deffectuer des transferts stoechiomtriques de matire et ainsi dobtenir des dpts plus purs
quavec les techniques de pulvrisation classiques et avec des espces chimiques complexes.
Les rsonateurs BAW ont commenc conqurir les organes de gnration de
frquence et de filtrage dans les metteurs rcepteurs RF. Dans les oscillateurs, ils permettent
de rduire la consommation et le bruit de phase grce un fort coefficient de qualit et un
fonctionnement sur un mode fondamental directement hautes frquences.
Lassemblage de plusieurs rsonateurs permet de synthtiser des rponses de filtres dont
les caractristiques dpendent de la topologie. Les filtres en chelle prsentent une forte
slectivit mais une faible rjection hors bande. linverse, les filtres en treillis prsentent
une faible slectivit mais une forte rjection hors bande. Une association chelle-treillis
permet de tirer parti des avantages des deux configurations. Les filtres empils (SCF et CRF)
exploitent un couplage acoustique des rsonateurs et permettent dobtenir des filtres trs
compacts.
Lintgration monolithique des rsonateurs BAW avec les autres organes actifs et
passifs des chanes RF est en cours de dveloppement. Les premiers rsultats obtenus grce
la technologie Above-IC sont plus que prometteurs. Cette technique ouvre aussi la voie de
laccordabilit en frquence des rsonateurs.
CHAPITRE II :
MISE EN EQUATION DU PROBLEME
PIEZOELECTRIQUE
Chapitre II
59
I INTRODUCTION
Tous les matriaux prsents dans le chapitre I et employs pour la ralisation des
rsonateurs BAW sont des cristaux. Ce sont des milieux ordonns constitus dun rseau sur
lequel sont disposs des motifs. Lagencement des atomes sur la maille lmentaire peut
prsenter des centres ou des axes de symtrie qui permettent de classer les cristaux suivant
leur degr de similitude. Ainsi, tous les cristaux dune classe ragissent de la mme manire
une mme excitation. En effet, la symtrie de la maille lmentaire dtermine compltement
le comportement lastique des solides.
Un cristal soumis une contrainte mcanique, suivant un axe donn, se dforme
gnralement de manire diffrente dans les autres directions. Ce comportement est dit
anisotrope. Si sa maille lmentaire possde un axe de symtrie, toute direction obtenue par
rotation autour de cet axe possdera le mme comportement mcanique. Si le cristal rpond
de la mme manire quelle que soit la direction de lexcitation, le matriau est dit isotrope.
Loutil mathmatique qui permet de rendre compte du comportement anisotrope des
cristaux sappelle un tenseur. Cest une application multi-linaire entre deux champs de
vecteurs. Ici, on introduit tout dabord le tenseur des rigidits pour reprsenter l'tat de
contrainte et de dformation d'un volume soumis des forces. La loi correspondante sappelle
la loi de Hooke.
Pour certains cristaux ioniques, lagencement des atomes dans la maille lmentaire
nest pas centro-symtrique. Au repos, les barycentres des charges positives et ngatives sont
confondus. Soumis une contrainte mcanique, le dplacement des ions cre une polarisation
dans la maille lmentaire et donc lapparition dun champ lectrique macroscopique. Cest
leffet pizolectrique direct ou effet Curie. La rciproque existe, cest leffet pizolectrique
inverse ou effet Lippman. Les quations constitutives de la pizolectricit font intervenir le
tenseur pizolectrique et permettent de rendre compte de ce phnomne.
La gnration donde acoustique progressives dans les cristaux pizolectriques est
possible en appliquant un champ lectrique variable suivant certaines directions. Les vitesses
et polarisations de ces ondes dpendent de lanisotropie du cristal dans la direction de
propagation. Ces ondes rencontrent sur leur parcours des interfaces possdant certaines
conditions limites et subissent une attnuation due aux pertes intrinsques des matriaux.
Mise en quation du problme pizolectrique
Chapitre II
60
Afin de bien comprendre les principes physiques mis en jeu dans les matriaux
pizolectriques, nous rappelons dans une premire partie les proprits fondamentales des
cristaux. Lagencement de la maille lmentaire et les axes de symtrie quelle prsente sont
particulirement intressants, notamment dans le cas de la classe 6mm qui regroupe le Nitrure
dAluminium (AlN) et lOxyde de Zinc (ZnO).
La deuxime partie prsente la mise en quation de la relation contrainte dformation
(loi de Hooke) qui permet de modliser le comportement dun solide lastique soumis une
contrainte mcanique et en petites dformations. Cette loi est utilise dans lanalyse des
rsonateurs BAW pour les matriaux constitutifs des lectrodes, de la membrane dans les
structures FBAR ou du rflecteur de Bragg dans les structures SMR. On parlera alors de
problme purement acoustique. Lintroduction du tenseur des rigidits c dans cette relation
permet de modliser le caractre anisotrope de certains matriaux. Dans le cas dun matriau
isotrope, on utilisera plutt le module dYoung E et le coefficient de Poisson !.
Les matriaux pizolectriques ont la capacit de coupler le champ lectrique et la
dformation mcanique. La troisime partie de ce chapitre prsente la provenance, la
modlisation de ce phnomne physique et sa mise en quation. En se basant sur un modle
unidimensionnel, on peut remarquer que la pizolectricit peut tre reprsente par un terme
de couplage lectrique-mcanique introduit dans les quations de Maxwell qui rgissent les
phnomnes lectromagntiques et dans la loi de Hooke qui rgit les phnomnes
mcaniques. La pizolectricit peut donc tre vue comme une gnralisation du problme
mcanique.
La rsolution de systme dquations couples via le tenseur pizolectrique peut tre
considr en effectuant lapproximation dune propagation en ondes planes. On doit alors
rsoudre lquation de Christoffel gnralise la pizolectricit. Ce calcul est effectu dans
la troisime partie de ce chapitre. Les proprits cristallines des matriaux prennent alors tout
leur sens car elles sont mises profit dans les rsonateurs BAW. Laxe de rotation dordre 6
des cristaux de classe 6mm et surtout la forme du tenseur qui en dcoule permet denvisager
la gnration dune onde plane quasi longitudinale de volume. Cette dernire est la seule
tre pizolectriquement couple lorsque laxe dordre 6 est normal au plan des lectrodes.
Enfin, les conditions aux limites et la modlisation des pertes viennent complter les
outils mathmatiques ncessaires la modlisation complte des rsonateurs BAW.
Chapitre II
61
II STRUCTURE CRISTALLINE
Un cristal est un arrangement ordonn datomes, dions ou de molcules. Le milieu
cristallin se caractrise par la prsence dune infinit de points, appels nuds, ayant le mme
environnement atomique et qui se dduisent les uns des autres par translation de trois vecteurs
! ! !
lmentaires ( x, y, z ) . Lensemble de ces points constitue un rseau qui traduit la priodicit
spatiale du cristal.
II.1
II.1.1
STRUCTURES ELEMENTAIRES
LES RANGEES : REPERAGE DUNE DIRECTION
Les nuds du rseau sont disposs aux intersections de trois familles de droites
parallles. La Figure II-1 illustre (pour un rseau plan) la dcomposition en trois familles de
droites parallles. Sur chacune de ces droites, appeles ranges, les nuds sont quidistants.
Trois entier relatifs (u,v,w), dfinissent la range dindice [u,v,w] par le vecteur :
!
! !
!
Ru,v,w = ux + vy + wz joignant un nud son suivant immdiat. Ainsi, sur la Figure II-1
(w=0), les ranges de la famille D3 sont notes [2,-1,0].
Figure II-1 :
Illustration des ranges suivant trois familles de droites dans un cristal
Lexamen de cette figure montre que la densit linaire de nuds varie avec la
direction. Elle est leve sur les ranges des familles D1 [1,0,0] et D2 [0,1,0] et plus faible sur
D3 [2,-1,0]. Pour un cristal donn, le nombre de nuds par unit de volume tant fix, la
direction de plus grande densit correspond lcartement maximal entre ranges voisines.
Ici, les ranges de la famille D1 sont les plus cartes. La densit est donc maximale dans la
direction x. Plus les atomes sont proches, dans une direction, plus les forces de cohsions sont
grandes. La diffrence de cohsion suivant la direction permet dexpliquer lanisotropie de
certains cristaux.
Chapitre II
II.1.2
62
PLANS RETICULAIRES : REPERAGE DUN PLAN

Il est possible de rpartir tous les nuds du rseau dans une famille de plans parallles
quidistants, appels plans rticulaires, qui se dduisent les uns des autres par la translation
lmentaire dune range quelconque non contenue dans un plan rticulaire (Figure II-2a).
a)
Figure II-2 :
b)
Illustration des plans rticulaires dans un cristal
Pour reprer ces plans, on considre le plan le plus proche de lorigine, mais qui ny
passe pas. Lintersection de ce plan avec les trois axes dfinie trois points (Figure II-2b) dont
les cordonnes sont (P,0,0), (0,Q,0) et (0,0,R). Les inverses de ces coordonnes donnent les
indices de Miller, nots (hkl) avec h=1/P, k=1/Q et l=1/R. Un indice ngatif est surmont
dune barre. Un indice est nul si les plans sont parallles laxe correspondant.
Figure II-3 :
Plans rticulaires parallles un axe dans un cristal
Le nombre de nuds par unit de volume tant fixe, les plans petits indices (100),
(010), (001), qui sont les plus carts, portent la plus grande densit de nuds par unit de
surface. Ces plans forte cohsion sont potentiellement des plans de clivage car les liaisons
inter rticulaires sont relativement faibles. Ils rflchissent les rayons X plus fortement que les
autres plans.
Chapitre II
II.1.3
63
LES MAILLES
Le rseau constitue aussi un empilement de paralllpipdes identiques construit sur

! ! !
les trois vecteurs de base x, y, z linairement indpendants (Figure II-4a). Ces
paralllpipdes aux sommets desquels sont les nuds sont appels mailles. Le rseau dun
cristal donn est unique, mais le choix des trois vecteurs de base ne lest pas. Il est donc
possible de dfinir plusieurs mailles ne prsentant pas la mme symtrie (Figure II-4b).
a)
b)
Figure II-4 :
Illustration des mailles dans un cristal
Une maille btie sur les trois vecteurs de base est dites lmentaire si elle contient un
nud du rseau chaque sommet, mais aucun nud l'intrieur de son volume ou de l'une de
ses faces. Cette maille sera dite rduite si elle est base sur les vecteurs de base les plus petits.
Une maille multiple contient plusieurs nuds et ses axes sont parallles aux directions de
symtrie. Elle permet, dans certains cas, de souligner la symtrie du cristal.
Par exemple, la maille du rseau cubique faces centres (cfc) est obtenue en plaant
un nud au centre des six faces de la maille du rseau cubique primitif (Figure II-5a). La
maille cubique est donc quadruple puisquelle contient quatre nuds (Figure II-5b). La maille
simple construite avec les vecteurs reliant un sommet aux centres des trois faces qui sy
croisent est un rhombodre (paralllpipde dont les faces sont des losanges).
Figure II-5 :
Rseau cubique faces centres
Chapitre II
II.2
64
STRUCTURES ATOMIQUES DUN CRISTAL

La structure atomique dun cristal est compltement dtermine par la connaissance de
son rseau (forme et dimensions de la maille) et du motif prsent aux nuds (Figure II-6). Le
motif le plus simple est un atome unique.
Figure II-6 :
Structure atomique dun cristal
De nombreux mtaux ont un rseau cubique (maille lmentaire = cube de ct a) dont

les nuds sont occups par un atome seul. LAluminium (a=4,041) ou le Cuivre (a=3,61)
possdent un atome supplmentaire sur le milieu de chacune de leurs faces (Figure II-7a)
tandis que pour le Chrome (a=2,91) ou le Molybdne (a=3,147), il se situe au milieu de la
maille cubique (Figure II-7b).
a)
Figure II-7 :
b)
Structure atomique cubique de certains mtaux
Dautres mtaux comme le Titane (a=2,9508 et c=4,6855) ou le Ruthnium

(a=2,7059 et c=4,2815) ont un rseau hexagonal compact. Les plans rticulaires sont
normaux laxe z.
Figure II-8 :
Structure atomique hexagonale de certains mtaux

Chapitre II
65
Les matriaux pizolectriques comme lAlN ou le ZnO possdent aussi un rseau

hexagonal compact, mais plus complexe appele Wurtzite.
Figure II-9 :
Structure atomique hexagonale Wurtzite de lAlN et du ZnO
Sur la Figure II-9, les atomes dAzote pour lAlN et dOxygne pour le ZnO sont les
plus petits et occupent les sommets de lhexagone. Les plans datomes dAluminium et de
Zinc ont aussi une maille hexagonale mais dcale. La maille lmentaire hexagonale nest
pas unique, grce la symtrie de la structure cristalline, une maille lmentaire trigonale
possdant un atome dAluminium (doxygne) en son centre et des atomes dAzote (de Zinc)
aux sommets peut tre considre.
II.3
SYMETRIES DORIENTATION DES CRISTAUX

Les proprits physiques et chimiques dun cristal dpendent de la nature des atomes
qui constituent le motif, mais aussi de leur arrangement dans la maille lmentaire. Des
cristaux prsentant une composition chimique diffrente peuvent prsenter un comportement
semblable sous leffet dune mme excitation physique. Ceci permet de dfinir des symtries
ponctuelles sans tenir compte des espces chimiques et de classer les cristaux suivant la forme
de leur rseau.
La symtrie ponctuelle reprsente lensemble des oprations de symtrie qui laissent
invariantes la morphologie et les proprits physique dun cristal. Les lments de symtrie
ponctuelle sont de deux types.
Chapitre II
66
Les oprations de symtrie directe, rduites aux axes de rotation directs, amnent une
figure en concidence avec elle-mme par une rotation dun angle gal
2!
autour dun
n
axe de rotation not An avec : n = {1,2,3,4,6} dans les cristaux.
Les oprations de symtrie inverse, ou roto-inversions, effectuent une rotation de
2!
n
autour dun axe suivie dune inversion par un point de laxe de rotation. Elles sont notes
An avec : n = {1,2,3,4,6}. n=1 correspond une simple inversion. Lorsque n=2,

lopration est une rotation de " suivie dune inversion par rapport un plan
perpendiculaire laxe A2 . Elle correspond donc une inversion par rapport un plan
miroir. Elle est le plus souvent note m.
La forme et lagencement des atomes de la maille lmentaire permettent de classer

les cristaux suivant sept classes de symtrie ponctuelle. Comme deux rseaux diffrents
peuvent prsenter la mme symtrie, le nombre de systmes cristallins slve finalement
quatorze. Ces derniers sappellent les rseaux de Bravais. En plus des sept systmes primitifs,
nots P, se rajoutent les rseaux centrs nots I, une face centre nots A, B ou C, et faces
centres nots F. Les paramtres de chaque maille sont les distances a, b, c et les angles #, $,
%.
Figure II-10 :
Les quatorze rseaux de Bravais
La structure de lAlN ou du ZnO (Figure II- 9) appartient la classe hexagonale de

symtrie 6mm (Figure II-10). Elle possde donc un axe de symtrie dordre 6 (snaire) et
deux familles de trois plans miroirs passants par laxe A6.
Chapitre II
67
Les dimensions de la maille hexagonale sont :

- Pour lAlN a=3,111 et c=4,978 soit c/a=1,600
- Et pour le ZnO a=3,24 et c=5,19 soit c/a=1,602
Dans les deux cas la valeur du rapport c/a est trs proche de celle de la structure hexagonale
compacte idale (1,63). Les ions Azote ou Oxygne forment un assemblage compact dont la
moiti du volume est occupe par les ions Aluminium ou Zinc. Laxe snaire est polaire.
Ltude des symtries montre que plusieurs directions possdants les mmes
proprits cristallines peuvent exister. Les proprits physiques sont donc identiques dans ces
directions. Un cristal possdant les mmes caractristiques physiques dans toutes les
directions est dit isotrope. Tous les cristaux maille cubique sont isotropes. Les autres
systmes ont une maille qui induit des proprits physiques anisotropes. Nanmoins, le jeu
des symtries permet de rduire limpact de cette proprit pour certains cristaux. La rigidit
mcanique, la permittivit ou le couplage pizolectrique sont des paramtres physiques qui
dpendent de la forme de la maille lmentaire et de la rpartition des ions dans les cristaux
ioniques. Ces grandeurs sont reprsentes par des tenseurs.
Un tenseur est un outil mathmatique qui permet dexprimer le caractre anisotrope
dun solide. Un tenseur dordre 0 est reprsent par un scalaire, un tenseur dordre 1, par un
vecteur et un tenseur dordre 2, par une matrice. Les tenseurs dordre plus levs ne peuvent
plus tre reprsents de cette manire. Ils peuvent tre multiplis par un scalaire et additionns
sils sont de mme ordre. Il existe des oprations propres aux tenseurs comme le produit
tensoriel, le produit tensoriel contract ou doublement contract. Le produit dun tenseur
dordre n par un tenseur dordre p donne un tenseur dordre (n+p), le produit tensoriel
contract une fois donne une tenseur dordre (n+p-2) et dordre (n+p-4) sil est contract deux
fois.
Les tenseurs sont donc des outils trs commodes pour reprsenter la dformation dun
solide soumis une contrainte mcanique, le dplacement lectrique induit par un champ
lectrique ou le couplage entre la dformation dun solide pizolectrique soumis un champ
lectrique. Toute la thorie de la pizolectricit est base sur cet outil mathmatique.
Nanmoins, la symtrie des cristaux pizolectriques permet de navoir considrer que des
tenseurs dordre 2.
Chapitre II
68
III MECANIQUE DES SOLIDES DEFORMABLES

Dans un cristal, une cause applique suivant une direction induit gnralement un effet
orient dans une autre direction. Par exemple, les forces appliques sur la surface dun solide
se rpartissent dans tout son volume et le dforment de manires diffrentes suivant les
directions. Si le milieu est homogne, il est possible dtablir les caractristiques du volume
lmentaire et den dduire le comportement macroscopique du solide. Ainsi, une thorie des
solides dformables, utilisant les tenseurs, peut tre formule. Elle fait intervenir deux
tenseurs de rang deux : les contraintes et les dformations, relis par la loi de Hooke via le
tenseur des rigidits lastiques.
III.1
CONTRAINTES
Soit un corps (C) sollicit par des forces extrieures et coup en deux parties (A et B)
par un plan qui dtermine une surface (S). Laction de B sur A est reprsente par une force
!
lastique F rpartit sur (S).
Figure II-11 :
Corps soumis une sollicitation
!
!
Sur chaque lment dS de S sapplique alors une quantit dF et la contrainte T est
dfinie en chaque point de S par :
!
!
" dF %
T = lim $ '
dS!0 # dS &
(II.1)
Cette contrainte reprsente la superposition des forces de cohsion du solide

(contraintes propres) et les sollicitations extrieures, si elles existent (contraintes de charge).
!
!
Elle peut tre projete sur le repre dfinit par dS et sa normale n . La composante suivant n
sappelle la contrainte normale. Si elle est positive, cest une tension et, si elle est ngative,
cest une pression. La composante tangentielle au plan de dS sappelle une cission.
Chapitre II
69
Un cristal est un milieu homogne. Les forces lastiques se rpartissent donc

uniformment sur toute surface intrieure au solide. Pour dfinir les contraintes mcaniques,
une mthode consiste crire les conditions dquilibre sur un volume lmentaire V intrieur
au solide soumis des forces appliques sur ses faces et une densit de force fi par unit de
volume. Les faces sont numrotes de 1 3 en fonction de laxe qui leur est normal.
Figure II-12 :
Numrotation des faces du volume lmentaire et orientation des

contraintes
!
La rsultante F des forces exerces sur le volume V est la somme des contraintes sur
ses faces sj et des forces exerces dans son volume suivant les directions xi. lquilibre, les
!
composantes Fi de F scrivent :
j=3
Fi = ! Tij .s j + " fi dV = 0
V
j =1
(II.2)
Ltat de contrainte est donc dcrit par le tenseur symtrique Tij et, en labsence de
tensions mcaniques internes et de couples extrieurs, il sexprime comme le rapport dune
force sur une surface :
Tij =
Fi
= T ji
sj
(II.3)
La contrainte est donc quivalente une pression et sexprime en Pascal (Newton/m2).

Les termes T ii correspondent des contraintes normales (tractions ou compressions)
appliques sur les deux faces opposes et les termes Tij (i&j), des contraintes tangentielles
(cisaillement).
Chapitre II
70
partir de la relation (II.2), il est possible dexprimer, en fonction du tenseur des

contraintes, les conditions dquilibre statique et dynamique.
En statique, lquation dquilibre scrit :

! !
! F =0
"
#Tij
#x j
+ fi = 0
(II.4)
En dynamique, lapplication du principe fondamental de la dynamique permet dtablir

lquation fondamentale de llastodynamique des milieux solides continus. Elle scrit
pour un volume lmentaire :
!
!
! F =m" #
$Tij
$x j
+ fi = %
$ 2 ui
$t 2
(II.5)
O ui reprsente de dplacement mcanique et ' la masse volumique.

III.2
DEFORMATIONS
Lorsquun solide est soumis des forces extrieures, ses particules se dplacent les
unes par rapport aux autres et crent une dformation macroscopique. Les contraintes propres
du matriau tendent sopposer ces forces, de manire ramener le solide dans son tat de
repos. La dformation est dite lastique sil reprend sa forme initiale, sinon elle est qualifie
de plastique.
Pour une dformation unidimensionnelle (Figure II-13), la dformation correspond
un allongement relatif et une diminution des dimensions latrales. Dans le cas du segment
[AB] lallongement suivant laxe x1 amne A en A et B en B.
Figure II-13 :
Allongement unidimensionnel
!l [ A' B'] " [ AB ]

=
l0
[ AB ]
La dformation S11 sexprime :
S11 =
Sachant que :
[ AA'] = u1 ( A )
et
[ BB'] = u1 ( B )
Chapitre II
71
u1 ( B ) ! u1 ( A )
[ AB ]
Alors :
S11 =
En petites dformations :
u1 ( B ) ! u1 ( A ) +
Ainsi, : S11 =
!u1
.[ AB ]
!x1
1 " !u
!u %
!u1
ou plus gnralement : Skk = $ k + k '
2 # !xk !xk &
!x1
(II.6)
Pour un cisaillement pur, le carr ABCD de la Figure II-14 se transforme en un

losange ABCD symtrique suivant la premire bissectrice du plan.
Figure II-14 :
La tangente de langle % vaut :
Cisaillement pur
tan (! ) =
u ( B) u ( D)
=
[ AB ] [ AD ]
Pour les petites dformations :
tan (! ) ! !
Comme u1(A)=u2(A)=0,
! !
En prenant la moyenne, il vient :
! = S12 =
!u2
.[ AB ]
!x1
!u
u ( D ) ! u1 ( A ) + 1 .[ AD ]
!x2
u ( B ) ! u2 ( A ) +
et
"u2
"u
et ! ! 1
"x1
"x2
1 # "u1 "u2 &
+
= S21
2 %$ "x2 "x1 ('
De manire gnrale, le tenseur des dformations scrit : Skl =
1 " !uk !ul %

+
= Slk
2 $# !xl !xk '&
(II.7)
Chapitre II
72
La dformation est donc une grandeur sans unit. Elle est reprsente par le tenseur
symtrique Skl dont les termes diagonaux S kk reprsentent lallongement relatif dans la
direction xk et dont les autres termes Skl (k&l) reprsentent la demie variation de langle droit
en supposant un petit volume de matire cubique avant dformation.
III.3
RELATION CONTRAINTES DEFORMATIONS : LOI DE HOOKE

La loi de Hooke (1635-1703) exprime le comportement des solides soumis une
dformation lastique de faible amplitude. Elle fut nonce pour obtenir une thorie de
lallongement longitudinal des ressorts puis gnralise au solide anisotrope en trois
dimensions. Elle met en vidence la linarit (proportionnalit des contraintes et des
dformations) et llasticit des solides soumis de petites dformations.
3
Tij = ! ! cijkl Skl
La loi de Hooke gnralise scrit :
k =1 l =1
Soit, avec la notation dEinstein (sommation de 1 3 sur les indices muets) :
Tij = cijkl Skl
(II.8)
Les coefficients cijkl sont les composantes dun tenseur de rang quatre appel tenseur
des rigidits lastiques. Un tenseur de rang quatre possde 34=81 composantes. Comme les
tenseurs Tij et Skl sont symtriques, le tenseur des rigidits est aussi symtrique et certaines
considrations thermodynamiques comme la relation de Maxwell (non explicite ici)
permettent de rduire le nombre de composantes indpendantes 21.
La loi de Hooke peut donc scrire :
! T11 $ ! c1111
#T & # c
# 22 & # 1122
# T33 & # c1133
#T & = # c
# 23 & # 1123
# T13 & # c1113
# & #
" T12 % " c1112
c1122
c1133
c1123
c1113
c2222
c2233
c2223
c2233
c3333
c3323
c2223
c3323
c2323
c2213
c3313
c2313
c2213
c2212
c3313
c3312
c2313
c2312
c1313
c1312
Ou en fonction des dplacements mcaniques :
Tij = cijkl
c1112 $ ! S11 $
c2212 & # S22 &
&#
&
c3312 & # S33 &
c2312 & # 2S23 &
&#
&
c1312 & # 2S13 &
&#
&
c1212 % " 2S12 %
!uk
!xl
(II.9)
Chapitre II
73
Il est possible de simplifier cette criture en adoptant la notation de 1 6, base sur la

norme ANSI/IEEE 1761987, avec les axes de compression/traction nots de 1 3 et les axes
de cisaillement nots de 4 6.
La correspondance est la suivante :
(11) ( 1
(23) ou (32) ( 4
(22) ( 2
(33) ( 3
(13) ou (31) ( 5
(12) ou (21) ( 6
On obtient alors :
! T1 $ ! c11
#T & # c
# 2 & # 12
# T3 & # c13
#T & = # c
# 4 & # 14
# T5 & # c15
# & #
" T6 % " c16
avec :
S1=S11
S2=S22
c12
c22
c23
c24
c25
c26
c13
c23
c33
c34
c35
c36
S3=S33
c14
c24
c34
c44
c45
c46
c15
c25
c35
c45
c55
c56
c16 $ ! S1 $
c26 & # S2 &
&# &
c36 & # S3 &
c46 & # S4 &
&# &
c56 & # S5 &
&# &
c66 % " S6 %
S4=2S23
S5=2S13
S6=2S12
Cette notation est souvent utilise dans la littrature pour les diffrentes composantes
du tenseur des rigidits. Nanmoins, il est possible de rencontrer dautres rgles de
contraction dindice. De plus, pour les matriaux isotropes, les constantes dlasticit sont
souvent donnes sous la forme du module dYoung (E), du coefficient de Poisson (!) et du
module de cisaillement (G) ou des constantes de Lam () et ).
III.4
LASTICITE DES MATERIAUX ISOTROPES ET DU SYSTEME HEXAGONAL

Les cristaux du systme triclinique possdent effectivement les 21 composantes
indpendantes du tenseur des rigidits. linverse, les solides isotropes du systme cubique
possdent le plus haut degr de symtrie et leurs proprits mcaniques peuvent tre dcrites
avec seulement deux coefficients.
Dans les rsonateurs BAW, les matriaux gnralement utiliss sont soit isotropes
(substrat ou mtal des lectrodes) soit du systme hexagonal (AlN ou ZnO). Les symtries de
leur maille lmentaire permettent de rduire le nombre de composantes indpendantes.
Chapitre II
III.4.1
74
MATERIAUX ISOTROPES
Les proprits dun matriau isotrope sont, par dfinition, identiques dans toutes les
directions. Quelle que soit la face du volume lmentaire soumis une contrainte,
lallongement relatif et la variation transversale des dimensions seront les mmes. La
dformation mcanique dun solide isotrope peut donc tre caractrise par deux grandeurs
lastiques.
Le module dYoung (E) ou module dlasticit longitudinale reprsente la

proportionnalit entre la contrainte axiale et la dformation.
T1
S1
T
Ey = 2
S2
T
Ez = 3
S3
Ex =
avec T2 T6 nulles
avec T1 T6 nulles
avec T1 T6 nulles
Pour un matriau isotrope maille cubique, Ex = Ey = Ez = E .
Le coefficient de Poisson (!) est le rapport entre la dformation longitudinale et les

dformations transversales. Il reprsente la contraction des faces non contraintes dun
chantillon soumis une force de traction.
S1
S2
S
! yz = " 2
S3
S
! xz = " 1
S3
! xy = "
avec T2 T6 nulles
avec T1 et T3 T6 nulles
avec T1 ,T2 et T4 T6 nulles
Pour un matriau isotrope maille cubique, ! xy = ! yz = ! xz = ! .

Ces deux paramtres reprsentent le comportement dun matriau soumis une
contrainte axiale. Il est possible de rendre compte dun sollicitation plus complexe en
considrant le tenseur des rigidits. Pour un matriau isotrope, seulement deux composantes
sont indpendantes et seuls les axes de traction/compression et les axes de cisaillement de la
diagonale du tenseur sont non nuls.
Chapitre II
75
Le tenseur des rigidits pour un solide isotrope scrit :
( )
c!" =
Avec : c11 =
c11
c12
c12
c12
c11
c12
c12
c12
c11
0
0
0
0
0
0
0
0
0
c11 # c12
2
c11 # c12
2
E (1 ! " )
(1 + " ) (1 ! 2" )
c12 =
et
c11 # c12
2
E"
(1 + " ) (1 ! 2" )
Pour les matriaux isotropes, le module dYoung et le coefficient de Poisson sont les
constantes les plus frquemment donnes dans la littrature. Ces paramtres sont difficilement
exploitables directement dans les outils de simulation puisque les matriaux pizolectriques
utiliss sont anisotropes. Il est donc prfrable de toujours convertir ces valeurs et de dfinir
le tenseur des rigidits.
III.4.2
MATERIAUX DU SYSTEME HEXAGONAL 6MM

Les matriaux du systme hexagonal 6mm sont anisotropes. Ils possdent un axe de
rotation dordre 6 (snaire) orient suivant la direction z et deux familles de trois plans miroirs
tangents laxe snaire, disposs tous les
2!
(n=1 6). Une rotation du repre autour de
n
laxe z (direction 3) ne change donc pas les caractristiques lastiques du matriau. Ainsi, les
plans perpendiculaires laxe z ont des proprits lastiques isotropes (c11 = c22) et tous les
plans passant par cet axe sont quivalents (c13 = c23). Le tenseur des rigidits pour un solide
de classe 6mm scrit alors :
(c )
!"
c11
c12
c13
= 0
0
c12
c11
c13
0
0
c13
c13
c33
0
0
0
0
0
c44
0
0
0
0
0
c44
0
0
0
0
0
c11 # c12
2
Chapitre II
76
IV COUPLAGE ELECTRIQUE MECANIQUE

Pour de faibles amplitudes de dplacements mcaniques, la dformation lastique et la
contrainte sont lies par une relation linaire (tensorielle). Au repos, les contraintes propres
dans le solide squilibrent. Lorsquune force est applique sur sa surface, les contraintes de
charge se superposent aux contraintes propres et le matriau se dforme. Dans un cristal
ionique, les nuds du rseau sont occups par des motifs ayant une charge lectrique non
nulle. Au repos, lagencement de ces ions dans la maille lmentaire seffectue de manire
ce que la charge lectrique totale soit nulle. Cependant, cette rpartition spatiale peut ne pas
tre symtrique. La dformation lie une contrainte dplace les ions de leur position de
repos et cre donc dans ce cas un dsquilibre lectrique qui se manifeste par lapparition
dun champ lectrique. Macroscopiquement, le cristal se polarise sous leffet dune contrainte
mcanique. Cest leffet pizolectrique direct. linverse, si lon applique un champ
lectrique, le solide se dforme. Cest leffet pizolectrique inverse.
IV.1
SOLIDE PIEZOELECTRIQUE
Un solide est donc pizolectrique sil se polarise lectriquement sous laction dune
contrainte mcanique et se dforme lorsquun champ lectrique lui est appliqu. Ce

phnomne physique nest prsent que dans les classes cristallines qui ne possdent pas de
centre de symtrie (Figure I-10). Daprs le principe de Curie, lorsque les causes dun
phnomne possdent des lments de symtrie, ces lments de symtrie se retrouvent dans
les effets (les effets pouvant tre plus symtrique que les causes) . Ainsi, lapplication dune
contrainte (dun champ lectrique) suivant un axe particulier dun matriau pizolectrique
cre un champ lectrique (une dformation) si la symtrie du cristal est un sous-groupe de la
symtrie du phnomne.
Un vecteur comme le champ lectrique prsente un axe de rotation infini A* et une
infinit de miroirs M passant par cet axe pour une direction donne (Figure II-15). Le groupe
de symtrie correspondant est donc A**M.
Figure II-15 :
Symtrie du champ lectrique
Chapitre II
77
La direction suivant laquelle il faut appliquer une contrainte mcanique afin

dobserver le phnomne pizolectrique dans un cristal est dtermine par la symtrie de sa
maille lmentaire. Par exemple, le quartz # (classe 32) possde un axe dordre 3 (ternaire)
suivant z et 3 axes dordre 2 (binaire) dans le plan x O y (A33A2). Lapplication dune
contrainte suivant laxe z (Figure II- 16a) nentrane pas de polarisation car la symtrie du
cristal dans cette direction nest pas un sous-groupe de celle du phnomne (A**M). En effet,
il ne possde pas de plan de symtrie tangent laxe ternaire. En revanche, lapplication
suivant un axe binaire (Figure II-16b) cre une polarisation car (A20M) est un sous-groupe de
(A**M). Idem pour une contrainte applique perpendiculairement un des axes binaires et
laxe ternaire (A0M) (Figure II-16c).
a)
b)
Figure II-16 :
c)
Symtrie dorientation du Quartz
Ceci se vrifie en visualisant la rpartition des charges dans la maille lmentaire

suivant les diffrents axes (Figure II-17). La Figure II-17a montre que, suivant laxe z, le
quartz # possde un centre de symtrie. Suivant les autres directions (Figure II-17b) il nen
possde pas.
b)
a)
Figure II-17 :
Structure cristalline du Quartz
Chapitre II
78
Dans le cas plus simple dun ensemble de trois diples (Figure II-18), disposs en
toile dans un plan et possdant la mme symtrie que le quartz (A33A2), la polarisation est
vidente. Lapplication de la contrainte suivant A3 nentrane aucune polarisation alors que
suivant A2 ou perpendiculairement A2, les barycentres des ions positifs (Si) et ngatifs (O)
ne concident plus.
Figure II-18 :
Dformations dues au champ lectrique
La pizolectricit est donc un phnomne qui dpend totalement de la symtrie du

cristal employ. Certains cristaux possdent des axes privilgis utiliss en fonction de
lapplication vise. Dans le cas du quartz, la direction z est appele laxe optique car elle ne
possde aucune proprit pizolectrique. La direction x sappelle laxe lectrique et y laxe
mcanique. La coupe du cristal pour les lames des rsonateurs est donc base sur ces
directions en fonction du mode de vibration souhait (Figure II-19).
Figure II-19 :
Dfinition de quelques coupes du Quartz
LAlN et le ZnO ont une symtrie possdant un axe dordre 6 (snaire) et deux
familles de trois miroirs tangents laxe z. La symtrie dorientation est donc A63M3M
(Figure II-20). Le KNbO3 possde un axe binaire et deux plans miroir suivant z. Il est donc de
symtrie A2MM. Pour ces deux classes, quelle que soit lorientation, le matriau est
pizolectrique puisque chaque direction possde soit un plan miroir sans axe de rotation (x
ou y) soit un axe de rotation avec un miroir (z). Dans les trois directions x, y, z, le systme
Chapitre II
79
hexagonal 6mm de lAlN ou du ZnO et le systme orthorhombique 2mm du KNbO3 sont des
sous-groupes du phnomne pizolectrique. Le choix de laxe pizolectrique privilgier
pour des applications de rsonateurs BAW est effectu en considrant le couplage
lectromcanique maximum.
Figure II-20 :
Symtrie 6mm et structure wurtzite
Le phnomne pizolectrique peut donc tre vu comme un couplage du problme

mcanique et du problme lectrique. Il est donc possible de formuler une thorie base sur la
thorie des solides dformables et en y introduisant une partie lectrique.
IV.2
MISE EN EQUATION DES MECANISMES PHYSIQUES

Le comportement des solides pizolectriques peut tre modlis par lintroduction
dun terme tenant compte de laspect lectrique du problme dans la loi de Hooke gnralise.
Ce terme, appel tenseur pizolectrique, est nul pour un solide non-pizolectrique. Il
caractrise la linarit entre la dformation lastique et le champ lectrique dans toutes les
directions du repre. Il peut tre quantifi, comme suit, dans le cas unidimensonnel dun
cristal dAlN. La structure hexagonale est constitue, suivant laxe z, de plans datomes
dazote et daluminium alternes dont une range est reprsente sur la Figure II-21.
Soient q et +q, les charges effectives des ions azote et aluminium supposs relis
entre eux par des ressorts de constantes K1 et K2 modlisant les forces de cohsion entre
atomes. La chane peut tre divise en mailles lmentaires de longueur (a) comportant deux
diples de moments
q
q
( a ! b ) et ! b (un atome daluminium tant partag par deux mailles
2
2
et un atome dazote tant distribu sur les deux diples). Le moment dipolaire de la maille est
donc : p0 =
q
q
( a ! 2b ) et celui de n mailles P0 = n ( a ! 2b ) , le champ lectrostatique gnr
2
2
par un ensemble de charge tant linaire. Au repos, si b est diffrent de

Le corps prsente alors une polarisation spontane, il est dit polaire.
a
, P0 nest pas nulle.
2
Chapitre II
80
Figure II-21 :
Pizolectricit de lAlN
Sous laction dune contrainte mcanique suivant lalignement, les distances interatomiques varient et une polarisation est induite. Cest leffet pizolectrique direct.
P = !P0 = n
q
( !a " 2!b )
2
(II.10)
!
linverse, lapplication dun champ lectrique E suivant lalignement provoque le
dplacement des ions et une dformation globale de la chane. Cest leffet pizolectrique
inverse. Dans ce cas, lquilibre statique rfrenc sur latome dazote scrit :
#F = 0
On en dduit :
!b = "
!
! " qE + K1$(a " b) " K 2 $b = 0
qE
K1
+
!a
K1 + K 2 K1 + K 2
En introduisant (II.11) dans (II.10), on obtient :
P peut alors scrire : P = eS + ! ion E
avec :
(II.11)
q # K ! K1
2qE &
P=n % 2
"a +
2 $ K 2 + K1
K 2 + K1 ('
S=
!a
a
Le premier terme est proportionnel la dformation S et reprsente la constante

pizolectrique :
e=n
q K 2 ! K1
.a
2 K 2 + K1
Chapitre II
81
Le deuxime terme de P est proportionnel au champ lectrique et reprsente la polarisabilit
! ion
ionique du cristal :
nq 2
=
K 2 + K1
Le dplacement lectrique, en tenant compte de la susceptibilit lectronique +e , scrit

alors :
D = eS + ! S E
avec :
(II.12)
! S = ! 0 + " ion + " e = permittivit dformation constante

Pour exprimer la contrainte mcanique T, on considre une section perpendiculaire
laxe snaire. Cet axe tant hlicodal, deux range voisines sont dcales dune demi priode
a
(Figure II-20). Par consquent, un plan perpendiculaire laxe A6 contient un nombre gal
2
de ressorts de raideur K1 et K2.

T scrit donc : T =
N
[ K1!(a " b) + K 2 !b ] avec N = nombre de ranges par unit de surface.
2
Comme N=n.a, T scrit :

T=
n.a
# K1!a + ( K 2 " K1 ) !b %&
2 $
En introduisant (II.11) dans (II.13), on obtient :
En posant : c E = n.a 2
T=
(II.13)
n.a # 2K 2 K1
K " K1 &
!a " q 2
E
%
2 $ K 2 + K1
K 2 + K1 ('
K 2 K1
, T peut scrire :
K 2 + K1
T = c E S ! eE
(II.14)
Les quations (II.12) et (II.14) sont les quations constitutives de la pizolectricit. Elles
permettent de rendre compte des phnomnes direct et inverse. Elles gnralisent aux
matriaux pizolectriques les quations de llectromagntisme et celle de la mcanique. En
gnral, elles sont prsentes sous la forme dun systme qui couple les quations.
Chapitre II
82
# T = c E S ! eE
$
S
% D = eS + " E
(II.15)
En ralit, la constante pizolectrique est une des composantes dun tenseur dordre 3.
Comme les tenseurs des rigidits et des permittivits, il possde une forme particulire en
fonction de la symtrie de la maille lmentaire du cristal.
IV.3
CRITURE TENSORIELLE
La gnralisation trois dimensions du systme dquations (II.15) permet de dfinir
le tenseur pizolectrique.
E
%#Tij = cijkl Skl ! ekij Ek
$
S
&% D j = e jkl Skl + " jk Ek
(II.16)
Le tenseur pizolectrique est un tenseur dordre 3. Il sexprime en Coulomb par mtre

carr (C/m2) puisque la dformation est sans unit. Comme S et T sont symtriques, il est
symtrique par rapport ses deux derniers indices. Il ne possde donc que 18 composantes
rangs dans un tableau de 3 lignes et 6 colonnes. Il est noter que dans lexpression de la
contrainte, ce tenseur est transpos.
Les conditions de symtries de la maille lmentaire du matriau imposent une
invariance des composantes du tenseur pizolectrique suivant certaines directions voire leur
nullit. La forme du tenseur pour un cristal hexagonal de symtrie 6mm (AlN, ZnO ou PZT)
est la suivante :
0
ei! = 0
e31
0
0
e31
0
0
e33
0
e15
0
e15
0
0
0
0
0
(II.17)
Il est invariant dans toutes les directions autour de laxe snaire et ne possde que trois
composantes indpendantes.
Le tableau de la Figure II-23 regroupe la forme des tenseurs des rigidits, des
permittivits et des constantes pizolectriques des cristaux appartenant aux diffrentes
classes de symtrie ponctuelle. Les lments sont disposs selon le modle de la Figure II-22.
Chapitre II
83
c11
c12
.
.
.
c12
c22
.
.
.
.
.
.
.
.
.
#
e11
e21
e31
.
#
e12
.
.
.
#
.
.
.
Figure II-22 :
Figure II-23 :
.
.
.
c!"
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
|
|
|
|
|
e11
e12
.
.
.
e21
.
.
ei!
.
e31
.
.
.
.
.
#
.
ei!
.
.
#
.
.
.
.
#
.
.
.
|
#
|
|
|
.
#
$11
.
.
.
#
.
$ ij
.
.
#
.
.
.
Modle du tableau de la Figure II-23
Tenseurs pour les diffrentes classes de cristaux
Chapitre II
84
V RESOLUTION EN ONDES PLANES : EQUATION DE CHRISTOFFEL

Lapplication dun champ lectrique sur un matriau pizolectrique cre une
dformation mcanique. Si cette excitation est variable, la rponse le sera aussi. Ainsi, des
ondes acoustiques peuvent tre gnres par un signal lectrique priodique. Leur propagation
et leur polarisation dpendent alors des proprits lectromcaniques du matriau. La
rsolution du systme dquation (II.16) permet de dterminer la rponse du systme et
intgre dj tous les lments de symtrie du problme.
V.1
ONDES PLANES ELASTIQUES DE VOLUME

La propagation dune onde acoustique dans un milieu matriel seffectue de proche en
proche par un dplacement de matire. Suivant une direction de propagation donne, deux
type dondes peuvent tre identifies.
Les ondes longitudinales ou ondes de compression (Figure II-24) possdent une
polarisation colinaire la direction de propagation. Les particules du milieu effectuent des
va-et-vient autour de leur position de repos. Les plans parallles contenant ces particules
forment une succession de compressions et de dilatations et reproduisent leur tour le
mouvement du plan prcdent. Comme leur cheminement est direct, ces ondes sont les plus
rapides.
Figure II-24 :
Onde longitudinale ou onde de compression
Les ondes transversales ou ondes de cisaillement (Figure II-25) possdent une

polarisation perpendiculaire la direction de propagation. Les particules oscillent autour de
leur position de repos en effectuant des allers et venus de part et dautre de laxe de
propagation. Chaque point reproduit son tour le mouvement du point prcdent. Les plans
contenant les particules glissent les uns par rapport aux autres en conservant leurs distances.
Elles sont plus lentes quune onde longitudinale.
Chapitre II
85
Figure II-25 :
Onde transversale ou onde de cisaillement
Ces ondes existent dans les matriaux isotropes et, suivant des directions particulires,
dans les matriaux anisotropes. En gnral, les ondes acoustiques sont des combinaisons
linaires de ces deux types dondes. Dans les matriaux pizolectriques, une combinaison
des trois ondes peut se propager : une onde quasi longitudinale, faisant un angle non nul avec
la direction de propagation, et deux ondes transversales, une dite rapide et une un peu plus
lente.
V.2
APPROXIMATION QUASI STATIQUE

Dans les solides pizolectriques, les ondes lastiques et lectromagntiques sont
couples. Pour traiter le problme de propagation, il faut donc rsoudre la fois les quations
de Maxwell et lquation de llastodynamique (II.5). Les solutions sont des ondes mixtes,
cest--dire des ondes lastiques accompagnes dun champ lectrique et des ondes
lectromagntiques accompagnes dune dformation mcanique. La vitesse du premier type
dondes est environ 105 fois plus faible que celle des ondes lectromagntiques. Le champ
lectrique ne cre donc quun champ magntique trs faible et trs lent. Lnergie
lectromagntique est alors ngligeable. Lquation de Maxwell-Faraday permet dcrire :
"
!!" "
"B
rot E = !
#0
"t
!!!!"
"
E = !grad %
Cette approximation quasi statique permet dexprimer le champ lectrique partir

dun potentiel statique.
En notation tensorielle, cette quation devient :
Ek = !
"#
"xk
(II.18)
Chapitre II
86
Pour le second type donde, lnergie lastique est trs faible. Le couplage des ondes
lastiques et lectromagntiques est finalement assez faible pour pouvoir traiter leur
propagation de manire indpendante. Ici, seule la propagation des ondes lastiques nous
intresse.
V.3
QUATION DE CHRISTOFFEL GENERALISEE

Pour la partie mcanique, il faut considrer lquation de llastodynamique (II.5)
rappele ci-dessous.
!
!
! F =m" #
$Tij
$ 2 ui
+ fi = % 2
$x j
$t
Pour la partie lectrostatique, nous disposons de lquation de Maxwell-Faraday

(II.18) et de lquation de Poisson (II.19) pour un milieu isolant.
!
DivD = 0
soit
!D j
!x j
=0
(II.19)
Le couplage entre les deux domaines est effectu par les quations constitutives de la
pizolectricit (II.16) rappele ci-dessous
#Tij = cijkl Skl ! ekij Ek
$
% D j = e jkl Skl + " jk Ek
et, daprs lquation (II.7), on a : Skl =
!uk
!xl
En introduisant (II.18) dans (II.5), on obtient pour un milieu sans contraintes internes :
" 2 ui
"2uk
"2 #
=
c
+
e
ijkl
kij
"t 2
"x j "xl
"x j "xk
(II.20)
En introduisant (II.18) et (II.19) dans (II.16), on obtient :

!2uk
!2 $
0 = e jkl
" # jk
!x j !xl
!x j !xk
(II.21)
Finalement, en substituant le potentiel de (II.21) dans (II.20), il vient :
ekij .e jkl ' " 2uk

" 2 ui $
=
c
+
ijkl
"t 2 &%
# jk )( "x j "xl
(II.22)
Chapitre II
87
Les constantes : c!ijkl = cijkl +
ekij .e jkl
! jk
sappellent les constantes lastiques durcies . Elles
permettent de rendre compte du couplage lectrique-mcanique et gnralisent lquation de

Christoffel aux matriaux pizolectriques.
Cherchons une solution gnrale en ondes planes harmoniques, de frquence angulaire
, et se propageant dans la direction x 3 (axe z) la vitesse v. Le dplacement mcanique
scrit :
ui = Ai e j (! t " kx3 )
avec : k =
!
v
Les fronts dondes sont infinis et damplitude constante suivant x1 et x 2. Tous les termes
drivs (
!
!
et
) sont donc nuls. La relation (II.22) se rduit :
!x1
!x2
! 2 "ui = c!i 3k 3 k 2 .uk

c!i 3k 3 Ak ! "v 2 Ai = 0
Soit :
(II.23)
Sous forme matricielle avec indices contracts, lquation (II.23) scrit :
"# !! $% [ A ] = [ 0 ]
" c!55 ' (v 2

)
c!45
)
)
c!35
)#
&
( c!
c!54
44
' (v 2
c!34
$+ A .
* 1
c!43
* - A2 0 = [ 0 ]
*- 0
c!33 ' (v 2 *% , A3 /
c!53
(II.24)
Pour que ce systme admette une solution non triviale, autre que A1= A2= A3=0, il faut
rsoudre lquation sculaire :
!! = c!i 3k 3 " #v 2$ ik = 0
(II.25)
avec : -ik=symbole de Kronecker

Les valeurs propres et les vecteurs propres de lquation (II.23) sont alors les vitesses de
phase des ondes et leurs polarisations. De plus, comme le tenseur c!i 3k 3 est symtrique, les
valeurs propres sont relles et les vecteurs propres orthogonaux. Ces ondes peuvent tre
dtermines quelle que soit la direction de propagation en gnralisant ces quations un
vecteur normal quelconque (Figure II-26).
Chapitre II
88
Figure II-26 :
Propagation dans un cristal anisotrope
En conclusion, trois ondes planes dont les polarisations sont orthogonales peuvent se
propager dans une mme direction avec des vitesses diffrentes. Ici aussi, la symtrie du
cristal utilis est trs importante car elle dtermine la forme des tenseurs, le nombre de
composantes indpendantes et les directions de couplage pizolectrique. Lanisotropie du
cristal fait quen gnral, les ondes planes gnres ne sont pas normales la direction de
propagation. Celle dont la polarisation est la plus proche de laxe de propagation est dite quasi
longitudinale et les deux autres, quasi transversales (Figure II-26).
V.4
V.4.1
CAS DES MATERIAUX 6MM

PROPAGATION SUIVANT LAXE Z
Dans le cas des matriaux pizolectriques maille hexagonale et symtrie 6mm
comme lAlN ou le ZnO, les tenseurs des rigidits, des permittivits et des constantes
pizolectriques sont symtriques et ont la forme suivante :
Figure II-27 :
Tenseurs de la classe 6mm
Le tenseur des rigidits ne possde que 12 composantes non nulles dont 5 sont
indpendantes et celui des constantes pizolectriques possde 5 composantes non nulles dont
3 indpendantes. Ceci permet de rduire le nombre de termes dans lquation (II.24).
Chapitre II
89
En effet, les termes du tenseur !! se simplifient :
c!45
c!35
c!34
e332
c!33 = c33 +
! 33
e .e
= c45 + 25 34 = 0
! 32
e .e
= c35 + 13 35 = 0
! 31
e .e
= c34 + 23 34 = 0
! 32
e24 .e34
= c44
! 32
e .e
c!55 = c55 + 14 34 = c55
! 31
c!44 = c44 +
On doit alors rsoudre le systme suivant :
"# !! $% [ A ] = [ 0 ]
&
" c55 ' (v 2

)
0
)
)
0
)#
(c
0
44
' (v 2
$+ A .
* 1
0
* - A2 0 = [ 0 ]
*- 0
c!33 ' (v 2 *% , A3 /
0
(II.26)
On voit directement que les solutions sont trois ondes orthogonales entre elles dont une seule
est pizolectrique.
La premire onde est pizolectriquement couple puisque sa vitesse dpend du

coefficient pizolectrique suivant la direction z. Elle est donne par :
v3 =
c!33
=
!
c33 +
e233
" 33
!
Le vecteur propre correspondant est dirig suivant laxe de z, A ( 0, 0,1) . La polarisation de
londe est donc dirige dans la direction de propagation, londe est donc longitudinale.
Les deux autres ne sont pas pizolectriquement couples. Leurs vitesses sont gales
puisque c44=c55 pour un matriau hexagonal 6mm :
v1,2 =
c44
!
Les vecteurs propres correspondants sont dirigs perpendiculairement laxe de z

!
!
A (1, 0, 0 ) et A ( 0,1, 0 ) . La polarisation de londe est donc dirige perpendiculairement
la direction de propagation, elles sont donc transversales.
Chapitre II
90
Lexpression de v3 permet de dfinir un paramtre trs important pour les rsonateurs BAW,
le coefficient de couplage lectromcanique kt2 .
2
v3 =
e
c33
. 1 + 33 =
!
c33" 33
c33
. 1 + kt2
!
Dynamiquement, ce coefficient traduit laptitude dun matriau pizolectrique

transformer lnergie lectrique en nergie mcanique et vice-versa. Il est dfini par :
kt2 =
2
U em
U m .U e
avec : Uem = nergie dinteraction lectromcanique

Um = nergie mcanique
Ue = nergie lectrique
Ce coefficient reprsente la limite haute de conversion dnergie dans un rsonateur

BAW. En effet, le coefficient de couplage lectromcanique effectif keff2 tient compte de
lnergie acoustique prsente dans les autres couches du rsonateur et de lnergie lectrique
globale fournie au rsonateur. Ainsi, pour lAlN, ce coefficient est de lordre de 6,5% et
kt2 = 7% . Un rsonateur BAW utilisant de lAlN ne pourra donc pas prsenter un keff2
suprieur 7%. Pour le ZnO, kt2 = 9% et keff2 = 7, 8% .
V.4.2
SURFACE DES LENTEURS

Le fait que ces trois ondes soient orthogonales entre elles reste valable quelle que soit la
direction de propagation. Par contre si la direction de propagation change, cest--dire si elle

scarte de laxe z (axe de symtrie dordre 6 pour les matriaux 6mm), les ondes
transversales peuvent tre pizolectriquement couples et londe longitudinale ne plus ltre.
De plus, lanisotropie des cristaux 6mm, dans les directions autres que laxe snaire, va
sexprimer en transformant londe longitudinale en quasi longitudinale et les ondes
transversales en quasi transversales. Ceci se visualise sur la Figure II-28.
Chapitre II
91
Elle reprsente ce quon appelle la surface des lenteurs cest--dire linverse des
vitesses de phase en fonction de langle . (Figure II-26) entre la direction de propagation et
laxe z. Elle est forme par trois nappes, une propre londe longitudinale de vitesse v3 et
deux autres propres aux ondes transversales de vitesse v1 et v 2 plus faibles. Les nappes en
pointills reprsentent les mmes ondes mais sans tenir compte de la pizolectricit.
Figure II-28 :
Surface des lenteurs pour un cristal dAlN
On remarque que, pour une propagation suivant laxe z, londe longitudinale (la plus
rapide) est pizolectriquement couple et que les ondes transversales ne le sont pas. Lcart
entre la ligne en pointills et la ligne pleine montre que le coefficient de couplage
lectromcanique est alors maximum. Lorsque lon effectue une rotation de la direction de
propagation autour de laxe y, cet cart diminue jusqu devenir nul partir de .=40. Le
coefficient de couplage passe alors par un minimum. Dans le mme temps, londe
transversale de vitesse v1 devient pizolectriquement couple et sa vitesse nest plus gale
Chapitre II
92
v2. Ceci vient de lanisotropie de lAlN en dehors de laxe snaire qui impose un angle non
nul entre la direction de propagation et la polarisation des ondes (Figure II-26). Londe
longitudinale devient alors quasi longitudinale et les ondes transversales, quasi transversales.
Londe transversale de vitesse v2 ne devient pizolectrique que si la rotation seffectue autour
de laxe x.
Ce diagramme permet donc de dterminer le type donde et la direction de propagation
les plus adquats pour lapplication vise. Il peut aussi tre vu comme la rotation des tenseurs
pour une direction de propagation fixe cest--dire comme une dsorientation du cristal.
V.4.3
RESONATEURS BAW
Le rsonateur BAW lmentaire est constitu dune couche de matriau
pizolectrique entre deux lectrodes mtalliques (Figure II-29).
Figure II-29 :
Rsonateur BAW lmentaire
Lapplication dune tension lectrique variable (V) produit un champ lectrique

variable et normal aux plans des lectrodes. Sil existe un couplage pizolectrique suivant
!
laxe du cristal colinaire au champ E , le matriau se dforme et entre en vibration. Les
applications vises pour les rsonateurs BAW se situent surtout hautes frquences. La
condition de rsonance dpendant de lpaisseur de la couche pizolectrique, londe
acoustique doit tre longitudinale pour avoir la vitesse acoustique la plus leve. La surface
des lenteurs de lAlN montre quune onde longitudinale pizolectriquement couple se
propage suivant laxe z et que le coefficient de couplage lectromcanique est maximal dans
cette direction. Un champ lectrique appliqu suivant z permet dexciter cette onde. On fait
donc crotre lAlN suivant son axe z pour obtenir un rsonateur fonctionnant sur son mode
fondamental dpaisseur.
Chapitre II
93
Figure II-30 :
Dsorientation du cristal
On comprend aisment quune dsorientation du cristal d une mauvaise matrise

des conditions de dpt a un impact sur le coefficient de couplage lectromcanique. En effet,
une partie de lnergie lectrique sera perdue par couplage pizolectrique avec londe
transversale, cette onde ne participant pas la rsonance du mode fondamental dpaisseur.
De plus des modes transversaux peuvent tre coupls et venir perturber la rponse lectrique
du rsonateur. Ils sont considrs comme parasites.
VI CONDITIONS AUX LIMITES

Dans un rsonateur BAW, plusieurs matriaux sont utiliss sous forme de couches.
Les ondes acoustiques vont donc rencontrer sur leur parcours les interfaces entre milieux ainsi
que les limites du systme. Les solutions des quations de propagation doivent satisfaire les
conditions aux limites des grandeurs mcanique et lectrique.
VI.1
MECANIQUES
Si lon considre deux solides M et M rigidement lis, le dplacement mcanique est
continu linterface.
ui = ui '
La contrainte mcanique T est continue linterface. Considrons un cylindre de
hauteur h contenant la frontire entre M et M (Figure II-31).
Figure II-31 :
Conditions limites mcaniques
Chapitre II
94
Lquation de llastodynamique (II.5) scrit :
!
!
! ! !!
" + "'
#2u
T '.n ! T .n ds + f .h.ds =
h.ds 2
2
#t
Lorsque h tend vers zro, cette condition devient :
Ti = Ti '
Si le milieu M est de lair :
Ti = 0
On comprend donc que linterface matriau-air constitue un miroir acoustique sur
lequel la totalit dune onde acoustique se rflchit. Dans les rsonateurs BAW, deux miroirs
disposs lun en face de lautre, constituent une cavit rsonante dans laquelle lnergie
acoustique reste confine. En exploitant les interfrences constructives ou destructives des
multiples rflexions des ondes stationnaires peuvent sinstaller.
VI.2
LECTRIQUES
Les conditions aux limites lectriques sont celles de llectrostatique :
Le potentiel et la composante tangentielle du champ lectrique sont continus :
Et = Et '
! = !'
et
La composante normale de linduction lectrique est discontinue si linterface est

charge :
Dn ! Dn ' = "
avec : /=densit surfacique de charge (C/m2)
Si le milieu M est un conducteur (lectrode) charg par /, alors :
Dn = !
Sil existe un courant surfacique de densit Jn, la conservation de la charge impose :

Jn ! Jn ' =
d"
dt
Chapitre II
95
VII LES PERTES DANS LES RESONATEURS BAW

Les pertes prsentes dans ce type de systmes sont lies plusieurs phnomnes
physiques. Elles se manifestent sur la rponse lectrique en limitant la surtension la
rsonance et lanti-rsonance. Elles sont quantifies par les coefficients de qualit Qs et Qp
qui reprsentent la vitesse de variation de phase aux frquences de rsonance et dantirsonance.
VII.1
PERTES MECANIQUES
Le modle de la Figure II-21 fait intervenir des ressorts idaux. En ralit, ils
possdent un amortissement qui modlise les limites lastiques des liaisons inter-atomiques
dans un cristal. Le matriau prsente une certaine viscosit qui a tendance dissiper lnergie
mcanique et attnuer les ondes lastiques qui sy propagent. Un terme proportionnel la
viscosit et la dpendance de la dformation en fonction du temps est donc introduit dans la
loi de Hooke :
T = cS + !
avec : 0=viscosit
(Pa.s)
T=contrainte (Pa)
"S
"t
c=rigidit
(II.27)
(Pa)
S=dformation
En rgime harmonique, le terme de viscosit introduit une partie imaginaire la rigidit :
c = c (1 + j!" )
avec : ! =
"
c
(II.28)
1 sexprime en seconde et reprsente le temps de relaxation mcanique. Cette grandeur est

caractristique de chaque matriau. Il est reli, au premier ordre, lattnuation # dune onde
acoustique se propageant la vitesse vacoustique par la relation :
! ( dB / m ) ! 8, 686
" 2#
2.vacoustique
Il permet aussi de dfinir le coefficient de qualit mcanique :

Qm =
1
!"
(II.29)
Chapitre II
VII.2
96
PERTES ELECTRIQUES
Un matriau pizolectrique se comporte en dehors des frquences de rsonance et
danti-rsonance comme un dilectrique. Il possde donc un courant de fuite et un temps de

relaxation dilectrique dus aux imperfections du milieu et caractriss par une tangente de
pertes lectriques tan ! e . Ce terme se rajoute lexpression de la permittivit qui devient
complexe :
! = ! (1 " j tan # e )
Les pertes par conduction dans les lectrodes sont caractrises par la rsistance
carre R du mtal utilis. Cette dernire reprsente la rsistance dun carr de mtal
dpaisseur fixe (L=W). La rsistance de llectrode est alors donne par :
R=
! L
L
=R
dW
W
(II.30)
avec : '=rsistivit du mtal (!.m)
VII.3
PERTES PIEZOELECTRIQUES
Les pertes dilectriques ne tiennent compte que des phnomnes mis en jeu
directement par lexcitation lectrique. Lnergie mcanique gnre par cette excitation peut
se reconvertir en nergie lectrique par effet pizolectrique. On observe alors une attnuation
des ondes acoustiques et un couplage lectromcanique moins important. Ces pertes sont
qualifies de pizolectriques et rajoutent une partie imaginaire sur le coefficient de couplage
pizolectrique. Cependant, ce phnomne de rtro conversion est relativement lent et
sexprime trs peu hautes frquences. Nous ne les prendrons donc pas en compte dans nos
simulations.
Finalement, la dissipation dnergie dans les rsonateurs BAW est majoritairement

lie aux pertes mcaniques.
On peut donc crire :
Qs =
fs
!f"3dB
= Qm
Chapitre II
97
VIII CONCLUSION
Le problme pizolectrique est un couplage entre la mcanique et
llectromagntisme. Sa mise en quation demande des connaissances en mcanique des
solides lastiques et en lectrostatique. Cependant, de manire bien comprendre les
phnomnes physiques mis en jeu, des notions supplmentaires sur la cristallographie sont
ncessaires.
Ltude de la structure des matriaux employs est primordiale. Les cristaux sont des
milieux ordonns constitus dun empilement de mailles lmentaires identiques. Une thorie
formule sur une maille lmentaire est alors valable en chaque nud du rseau. La forme de
cette maille et ses symtries nous renseignent sur le degr danisotropie du cristal. Ainsi, les
matriaux de classe hexagonale 6mm, comme lAlN et le ZnO, trs employs dans les
rsonateurs BAW, sont mcaniquement isotropes suivant toutes directions obtenues par
rotation dun angle de
!
autour de laxe z.
3
Ltude des symtries de la maille lmentaire permet aussi dexpliquer lorigine du

phnomne pizolectrique dans les cristaux ioniques. La dformation et labsence de centre
de symtrie crent un dsquilibre de charges dans la maille lmentaire lorsque le solide est
soumis une contrainte. Ce phnomne possde la symtrie des causes qui lui ont donn
naissance. Ainsi, dans les matriaux 6mm, laxe snaire est polaire.
La quantification unidimensionnelle de la polarisation lmentaire et sa gnralisation
en trois dimensions grce au formalisme des tenseurs a permis dexpliciter un couple
dquations constitutives du phnomne pizolectrique.
Lapproximation dune propagation en ondes planes et le trac des surfaces de lenteurs
permettent de justifier les choix technologiques et les pr requis voqus dans le premier
chapitre pour les applications de rsonateurs BAW.
Un champ lectrique appliqu suivant laxe z dans un cristal dAlN permet de coupler une
onde longitudinale de vitesse leve et de maximiser le coefficient de couplage.
Les techniques de dpts doivent tre bien maitrises pour obtenir une orientation du
cristal de manire maximiser le coefficient de couplage et viter lapparition de modes
parasites.
Chapitre II
98
Les conditions aux limites nonces dans ce chapitre et la modlisation du

comportement des matriaux acoustiques par la loi de Hooke et pizolectriques par les
quations constitutives de la pizolectricit doivent donc permettre de simuler le
comportement global dun rsonateur BAW.
On alors rsoudre un problme diffrentiel conditions limites. Ceci constitue une
tche assez complique qui ncessite certaines approximations. La premire consiste ne
considrer le problme que dans une seule direction. Comme dans le cas de lapproximation
en ondes planes, on considre une structure infinie dans les dimensions latrales (x et y) et un
dplacement mcanique longitudinal (axe z). Sous certaines conditions, cette formulation se
rvle suffisante pour modliser correctement un rsonateur BAW. Elle est prsente dans le
chapitre III. La deuxime approximation, beaucoup moins restrictive, fait intervenir une
technique numrique base sur la notion de maillage gomtrique de la structure et sur la
recherche dune solution dans un espace approch de la solution exacte. Elle prsente
lavantage de rsoudre le problme dans les trois dimensions et de pouvoir simuler des
structures gomtrie complexes. Cette mthode fait lobjet du chapitre IV.
Ces techniques ne sont pas concurrentes. Elles possdent chacune leurs avantages et
leurs inconvnients. Elles trouvent toutes deux leur place dans le processus de conception
dun rsonateur BAW. Lavantage des techniques 1D est de pouvoir effectuer des calculs
rapides. Elles sont donc utilises en premire approche pour la dfinition des empilements de
couches, des paisseurs et des matriaux. Nous verrons dans le chapitre III que certains
modles 1D sont plus adapts que dautres pour une analyse donne. La simulation 3D par la
mthode des lments finis constitue un complment ncessaire des techniques 1D pour
analyser plus en dtail le comportement des rsonateurs BAW. Elle permet de prvoir
lapparition de modes parasites dans les dimensions latrales et dtudier des solutions pour y
remdier. La technique 3D est donc ncessaire pour optimiser les technologies utilises dans
les rsonateurs BAW.
CHAPITRE III :
MODELISATION 1D DUN RESONATEUR BAW
ET SYNTHESE DE FILTRES RF
Chapitre III
101
I INTRODUCTION
Un rsonateur BAW peut tre divis en deux parties : les accs, constitus de lignes
mtalliques et de plans de masses dposs sur le substrat, et la partie active, o se trouvent le
rsonateur lmentaire et son support. Les accs peuvent tre considrs dun point de vue
purement lectrique puisquils ne sont composs que de matriaux non-pizolectriques. La
rsolution du problme pizolectrique ne se situe alors que dans la partie active.
Dans un rsonateur BAW, lorsque le rapport entre les dimensions latrales de la partie
active et les paisseurs des couches est assez lev, lapproximation dune propagation en
ondes planes peut tre considre. De plus, dans un matriau pizolectrique de la classe
6mm, trois ondes planes peuvent se propager suivant laxe z et seule londe longitudinale est
pizolectriquement couple. Si le cristal est bien orient, lapplication dun champ lectrique
suivant laxe z ne couple donc que londe longitudinale. Sous ces deux conditions,
lapproximation dune propagation unidimensionnelle (1D) peut tre considre. Toutes les
grandeurs physiques ne dpendent alors que de laxe z et les quations constitutives de la
pizolectricit et de lacoustique se simplifient. Il est alors possible de dterminer la rponse
en frquence des rsonateurs BAW, soumis une excitation lectrique, en rsolvant
lquation de propagation du dplacement mcanique sur lensemble de la structure en
fonction des conditions mcaniques, aux limites et aux interfaces, et des conditions
lectriques, sur les lectrodes et dans la couche pizolectrique. La formulation du problme
reste commune toute rsolution, mais sa mise en forme permet dadapter lanalyse
lenvironnement de simulation et la flexibilit recherche.
Le modle de Mason permet de dterminer la rponse en frquence dun rsonateur
BAW en modlisant lensemble de ses couches par leurs quadriples quivalents. Il utilise le
formalisme des lignes de transmissions en remplaant la tension par la force applique sur la
surface de chaque couche et le courant par la vitesse du dplacement mcanique. Le calcul de
la structure est alors ramen la multiplication des matrices de transferts de chaque
quadriple. De par son aspect acoustique , ce modle est surtout utilis pour le calcul des
miroirs de Bragg acoustiques employs, dans les rsonateurs SMR, pour lisolation du
rsonateur lmentaire vis--vis du substrat. Il permet de dterminer la bande passante et le
nombre de couches ncessaires une bonne isolation acoustique. La formulation de ce
modle possde quelques variantes comme le modle KLM (daprs Krimholtz, Leedom and
Matthaei).
Modlisation 1D dun rsonateur BAW et synthse de filtres RF
Chapitre III
102
Le modle de la permittivit pizolectrique est utilis dans les simulateurs

lectromagntiques pour dfinir un substrat complexe dont la permittivit dpend de la
frquence. Le comportement acoustique du rsonateur est incorpor dans lexpression de la
permittivit par un terme supplmentaire dpendant des caractristiques mcaniques de
lensemble des couches du rsonateur et du coefficient de couplage lectromcanique du
matriau pizolectrique. Lutilisation de ce modle est particulirement intressante dans des
simulateurs lectromagntiques 2D, pour la simulation de structures gomtrie complexes,
par exemple pour des filtres rsonateurs BAW.
Ces deux modles permettent de dterminer la rponse lectrique dun rsonateur
BAW en se basant sur son comportement acoustique. Cependant, il nest pas toujours possible
de connatre les caractristiques mcaniques et lectriques des matriaux employs
(dispersion des valeurs en fonction de la qualit du dpt). On utilise alors un modle
quivalent bas sur la mesure lectrique du rsonateur. Le modle MBVD (Modified
Butterworth Van-Dyke) est un circuit lectrique quivalent compos dlments localiss et
pour lequel le comportement acoustique du rsonateur est reprsent de manire globale par
une branche motionnelle. Ce modle permet deffectuer des calculs rapides dans des logiciels
circuits (ADS, Spice,) pour synthtiser des rponses en frquences complexes comme des
filtres rsonateurs BAW.
Au cours de cette thse, tous ces modles ont t programms et, en fonction de
lapplication vise et du besoin de flexibilit, ils ont t utiliss. Le modle de la permittivit
pizolectrique a t implment pour une utilisation dans le simulateur lectromagntique
3D EMXD dvelopp au laboratoire Xlim. Le modle MBVD nous a permis de dvelopper
une procdure de synthse et doptimisation de filtres rsonateurs BAW capable de
dterminer les caractristiques optimales de chaque rsonateur pour rpondre un gabarit de
filtre donn (UMTS, DCS). Ce chapitre prsente tous ces outils de simulation 1D.
Chapitre III
103
II APPROXIMATION UNIDIMENSIONNELLE (1D)

Lanalyse mathmatique des structures BAW doit permettre de simuler leur
comportement acoustique et lectrique. Ltude de ce problme ncessite la rsolution du
problme pizolectrique dans lensemble de la structure. Pour les matriaux non
pizolectriques, ce problme se rduit sa partie purement acoustique. Ltude de la
structure des rsonateurs BAW permet de rduire, sous certaines conditions, la dimension du
problme rsoudre. On se place alors dans lapproximation unidimensionnelle. Cette
simplification permet de formuler des modles 1D trs utiliss pour leurs performances en
termes de simplicit et de temps de calcul.
II.1
PARTIE ACTIVE ET CONDITIONS DAPPLICATION
DE LAPPROXIMATION
1D
Un rsonateur BAW peut tre divis en deux parties : les accs, composs des lignes
mtalliques dexcitation dentre et de sortie (S) et des plans de masse (G), et la partie active,
constitue du rsonateur lmentaire (lectrodes + couche pizolectrique) et du support
(Figure III-1).
Figure III-1 :
Partie active et accs dun rsonateur BAW
Dans les modles unidimensionnels, les accs ne sont considrs que du point de vue
lectrique en termes de dphasage et de pertes mtalliques. Ils sont par exemple modliss par
une matrice de transfert que lon incorpore aux paramtres [S] calculs pour la partie active
seule. Du point de vue pizolectrique, on ne considre alors que la partie active puisquelle
est le sige des oscillations mcaniques. Elle est dlimite par la surface en regard des
lectrodes et constitue de lensemble des couches du rsonateur lmentaire et du support
(Figure III-).
Chapitre III
104
Dans le cas des rsonateurs FBAR (Film Bulk Acoustic wave resonator), seule la
membrane est considrer (Figure III-2a). On a donc une couche de matriau supplmentaire
sous le rsonateur lmentaire. Pour les structures SMR (Solidly Mounted Resonator), le
rsonateur lmentaire est isol du substrat par un ensemble de couches quart dondes dont
limpdance acoustique est alternativement forte et faible et qui constituent un miroir de
Bragg acoustique. On retrouve alors ces couches dans la partie active, entre le rsonateur
lmentaire est le substrat (Figure III-2b).
Figure III-2 :
Vue en coupe de lempilement de la partie active suivant laxe z dun

rsonateur FBAR (a) ou SMR (b)
Les dimensions latrales (x et y) de la partie active sont gnralement comprises entre

50 et 500 m, et lpaisseur des lectrodes ou de la couche pizolectrique suivant z dpasse
rarement 5 m. Le rapport entre les dimensions latrales et les paisseurs des couches est
donc assez lev pour considrer la partie active comme infinie dans les directions x et y. Ceci
permet de justifier lapproximation dune propagation en ondes planes suivant laxe z et
constitue la premire condition ncessaire la validit de lapproximation 1D.
De plus, ltude de la surface des lenteurs au chapitre II nous a permis de montrer que,
dans la direction de laxe snaire (x3 ou z) dun cristal pizolectrique de symtrie 6mm, trois
ondes planes orthogonales entre elles peuvent se propager : une onde longitudinale couple et
deux ondes transversales dont le couplage pizolectrique est nul. Ainsi, lapplication dun
champ lectrique suivant laxe snaire permet de ne coupler que londe acoustique
longitudinale. Nanmoins, nous avons aussi vu quune dsorientation du cristal diminuait le
coefficient de couplage de londe longitudinale et rendait les ondes transversales
Chapitre III
105
pizolectriquement couples. La deuxime condition ncessaire la validit de

lapproximation unidimensionnelle est donc de se placer dans le cas dune orientation de laxe
snaire normal aux plans des lectrodes.
Sous ces deux conditions, un signal lectrique variable appliqu entre les deux
lectrodes dun rsonateur BAW permet de ne coupler quune onde acoustique plane,
longitudinale, se propageant suivant laxe z. Cette onde, gnre dans la couche
pizolectrique, se propage ensuite dans les autres couches de la structure.
II.2
QUATIONS 1D DANS UN MILIEU STRATIFIE

Lapproximation 1D permet de rduire les dimensions du problme pizolectrique
dans la partie active. Les grandeurs physiques ne dpendent plus que de z et les quations
constitutives se simplifient. Dans les couches de matriaux non-pizolectriques, seul le
problme de propagation du dplacement mcanique suivant z est rsoudre. Dans les
couches de matriaux pizolectriques, le problme lectrique et le couplage lectriquemcanique sont prendre en compte. Dans lapproximation 1D, la modlisation analytique du
comportement de chaque couche est effectue en explicitant les grandeurs acoustiques et
lectriques de surface. Mais, afin de caractriser le milieu de propagation, deux grandeurs
caractristiques doivent dabord tre dfinies : limpdance caractristique et limpdance
acoustique.
II.2.1
IMPEDANCE CARACTERISTIQUE ET IMPEDANCE ACOUSTIQUE

Limpdance caractristique Zc dun milieu lastique au repos sexprime comme suit :
Z c = !v0 = !c
avec : v0 =
c
!
(III.1)
En dynamique, un milieu lastique soumis une onde acoustique longitudinale

prsente une succession de compressions et de dilatations (Figure II-24). Limpdance
acoustique est alors dfinie par les acousticiens comme le rapport de la surpression locale p
sur la vitesse particulaire v. Nous avons dfini, au paragraphe III-1 du chapitre II, quune
pression tait une contrainte ngative. Ainsi, en posant p=-T, limpdance acoustique scrit :
Z a (z) =
p(z) !T (z)
=
v
v
avec :
v=
!u
!t
(III.2)
Chapitre III
II.2.2
106
MODELISATION DUNE COUCHE DE MATERIAU NON-PIEZOELECTRIQUE

Pour une couche de matriau non-pizolectrique, la loi de Hooke scrit :
T =c
!u
!z
(III.3)
Lquation de llastodynamique (II.5), en rgime harmonique et pour un milieu sans

contraintes internes, devient :
!T
= " #$ 2u
!z
En multipliant (III.3) par
(III.4)
!
et en considrant (III.4), on obtient:
!z
$2u
! "# u = c 2
$z
2
Et, en posant : k =
!
avec : v0 =
v0
c
, il vient :
!
!2u
+ k 2u = 0
2
!z
(III.5)
Une solution particulire de cette quation est celle de la somme dune onde plane,
damplitude A, se propageant suivant laxe z et dune autre, damplitude B, se propageant en
sens inverse.
u ( z,t ) = "# Ae! jkz + Be jkz $% e j& t
(III.6)
o A et B sont des constantes dterminer.

La contrainte sexprime donc, en rgime harmonique :
!T = c( jk) "# Ae! jkz ! Be jkz $% = j& Z c "# Ae! jkz ! Be jkz $%
(III.7)
Et la vitesse particulaire :
v = j! #$ Ae" jkz + Be jkz %&
(III.8)
Chapitre III
107
Pour une couche dpaisseur finie d et dimpdance caractristique Zc (Figure III-3a),

il est possible dexprimer la contrainte T et la vitesse particulaire v sur ses faces. En vue dune
modlisation ultrieure en matrice de transfert et dune dtermination de limpdance
acoustique (-T/v), nous allons exprimer les grandeurs T1 et v 1, cest--dire les valeurs de la
pression et de la vitesse particulaire en entre de la couche (z=0), en fonction des valeurs
en sortie (z=d), T2 et -v2.
Soit une couche de matriau non-pizolectrique dpaisseur d, dimpdance
caractristique Zc et dans laquelle se propagent une onde acoustique u(z), damplitude A
suivant laxe z et damplitude B, en sens inverse (Figure III-3a).
a)
Figure III-3 :
b)
Couche de matriau non-pizolectrique et quadriple quivalent
En z=0, on a daprs (III.7) et (III.8) :
%#!T1 = j" Z c ( A ! B )
$
%&v1 = j" ( A + B )
(III.9)
En z=d, on a :
#%!T2 = j" Z c Ae! jkd ! Be jkd

$
! jkd
jkd
%&!v2 = j" Ae + Be
Ce qui permet dcrire :
)
# ( !T2 ) ( !v2 ) & e jkd
+
+A = %
(
j" ' 2
+
$ j" Z c
*
# ( !T2 ) ( !v2 ) & e! jkd
+
B
=
+
%!
(
+
j" ' 2
$ j" Z c
,
(III.10)
(III.11)
Chapitre III
108
En remplacant A et B par leur valeur dans (III.9), on obtient :

"
e jkd + e! jkd
e jkd ! e! jkd
!T
=
!T
+
jZ
(
)
( !v2 )
2
c
$ 1
2
2j
$
#
jkd
! jkd
! jkd
+ e jkd
$v = j e ! e ( !T ) + e
( !v2 )
2
$% 1 Z c
2j
2
(III.12)
Soit, sous forme dune matrice de transfert :
" cos(kd)
" !T1 % $
$ v ' = $ j sin(kd)
# 1 &
$# Z c
jZ c sin(kd) %
' " !T2 %
cos(kd) ' $# !v2 '&
'&
(III.13)
Cette matrice caractrise le quadriple quivalent dune couche de matriau nonpizolectrique (Figure III-3b). La mise en srie de plusieurs quadriples permettra par la
suite de modliser le comportement acoustique dun empilement de couches.
II.2.3
MODELISATION DUNE COUCHE DE MATERIAU PIEZOELECTRIQUE

Pour une couche de matriau pizolectrique, les quations de Maxwell-Faraday
(II.18) et de Poisson (II.19) scrivent :

E=!
"#
"z
et
!D
=0
!z
(III.14)
Et les quations constitutives de la pizolectricit (II.16) deviennent :

!u
$
&& T = c !z " eE
%
& D = e !u + # E
&'
!z
(III.15)
Ceci permet dcrire lquation de Christoffel gnralise (II.22), dans lapproximation 1D,
de la manire suivante :
%
e2 ( + 2 u
! "# 2u = ' c + * 2
$ ) +z
&
soit :
! "# 2u = c!
$2u
$z 2
(III.16)
c! est appele constante de rigidit durcie. Elle na pas de ralit physique, mais permet de
rendre compte du couplage lectrique-mcanique dans lexpression du problme acoustique

dune couche pizolectrique.
Chapitre III
109
En posant : k =
!
avec : v0 =
v0
c!
, lquation (III.16) devient :
!
!2u
+ k 2u = 0
2
!z
(III.17)
Du point de vue acoustique, le problme de la pizolectricit se rduit alors la

rsolution de lquation de propagation du dplacement mcanique (III.17) commune toutes
les couches de matriaux. Une couche de matriau pizolectrique peut donc tre considre
comme une couche acoustique particulire dont la rigidit et la vitesse acoustique dpendent
dun terme de couplage lectrique-mcanique.
Une solution particulire de lquation (III.17) est galement la somme dune onde
plane, damplitude A, se propageant suivant laxe z et dune autre, damplitude B, se
propageant en sens inverse.
u ( z,t ) = "# Ae! jkz + Be jkz $% e j& t
(III.18)
o A et B sont des constantes dterminer.

Dans les rsonateurs BAW, la couche pizolectrique est excite lectriquement par
lapplication dune diffrence de potentiel entre les lectrodes (Figure III-4a et 4b). Les
charges lectriques injectes dans les lectrodes se condensent par influence totale sur les
faces de la couche pizolectrique. Le mouvement des charges cre alors un courant et la
diffrence de potentiel induit un champ lectrique. Ce dernier cre une dformation
mcanique par couplage lectrique-mcanique.
Les quations constitutives de la pizolectricit (III.15) dans lapproximation 1D
peuvent scrire :
!u e
$
&&T = c! !z " # D
%
& E = D " e !u
&'
# # !z
(III.19)
Pour un matriau pizolectrique, la contrainte possde donc un terme supplmentaire

proportionnel au couplage lectrique-mcanique.
Chapitre III
110
Daprs (III.18), la contrainte sexprime alors en rgime harmonique :

e
!T = j" Z! c #$ Ae! jkz ! Be jkz %& + D
'
avec : Z! c = !v0 et v0 =
c!
!
(III.20)
Et la vitesse particulaire :
v = j! #$ Ae" jkz + Be jkz %&
(III.21)
Considrons dabord le problme pizolectrique du point de vue acoustique. On

applique alors la mme dmarche que pour une couche de matriau non-pizolectrique, mais
en tenant compte du problme lectrique. Soit une couche de matriau pizolectrique
dpaisseur d , soumise une tension V applique sur ses faces, dimpdance
caractristique Z! c et dans laquelle se propagent une onde acoustique u(z), damplitude A
suivant laxe z et damplitude B, en sens inverse (Figure III-4a).
a)
Figure III-4 :
b)
Couche de matriau pizolectrique et hexaple quivalent
En z=0, on a daprs (III.7) et (III.8) :
e
$
&!T1 = j" Z! c ( A ! B ) + D
#
%
&v1 = j" ( A + B )
'
(III.22)
Chapitre III
111
En z=d, on a :
e
$
! jkd
!
! Be jkd + D
&!T2 = j" Z c Ae
#
%
&!v2 = j" Ae! jkd + Be jkd
'
(III.23)
*
$ ( !T2 ) ( !v2 ) e D ' e jkd
A
=
+
!
,
&
)
!
j"
# j" Z! c ( 2
,
% j" Z c
+
$ ( !T2 ) ( !v2 ) e D ' e! jkd
,
B
=
+
+
&!
)
,
!
j
"
Z
j
"
# j" Z! c ( 2
c
%
-
(III.24)
On a alors :
Et en remplacant A et B par leur valeur dans (III.22), on obtient :
)
" e jkd + e! jkd
%" e %
e jkd + e! jkd
e jkd ! e! jkd
!
!T
=
!T
+
j
Z
!v
!
! 1' $ D '
(
)
(
)
+ 1
2
c
2
$
2
2j
2
#
&#( &
+
*
jkd
! jkd
e! jkd + e jkd
j e jkd ! e! jkd " e %
+v = j e ! e
!T
+
!v
!
( 2)
( 2) !
$# D '&
+ 1 Z! c
2
j
2
Z
2
j
(
c
,
)
# e &
!
+!T1 = cos(kd) ( !T2 ) + jZ c sin(kd) ( !v2 ) + ( cos(kd) ! 1) %$ ! " D ('
+
Soit : *
+v = j sin(kd) ( !T ) + cos(kd) ( !v ) + j sin(kd) # ! e D &
%
(
2
2
+, 1
Z! c
Z! c $ " '
(III.25)
(III.26)
Du point de vue lectrique, le problme pizolectrique exprim dans

lapproximation quasi-statique 1D permet dcrire que le champ lectrique E drive dun
potentiel 2 (III.14) et que la tension V reprsente la diffrence de potentiel sur les faces de la
couche pizolectrique :
d
V = !(d) " !(0) = " # E.dz
(III.27)
En remplaant E par son expression issue de (III.19), la tension V scrit :

V = !d
D e
+ [ u(d) ! u(0)]
" "
soit :
V = !d
D e $ v1 + v2 '
!
" " &% j# )(
(III.28)
De plus, lquation de conservation de la charge en rgime harmonique scrit :
J S + j! D = 0
avec :
JS = densit de courants surfaciques
(III.29)
Chapitre III
112
Le courant I total sur les faces de la couche pizolectrique peut donc scrire :
I=
!! J dS = " j# SD
D=!
soit :
I
j" S
(III.30)
o S reprsente la surface en regard des lectrodes.

En remplaant D par son expression, lquation (III.28) scrit :
V=
I
hC0
"
[ v1 + v2 ]
jC0! jC0!
avec :
h=
e
S
et C0 = !
!
d
(III.31)
On remarque alors que lexpression de la tension V est compose dun terme purement
lectrique et dun terme de couplage lectrique-mcanique dpendant des valeurs de la vitesse
du dplacement mcanique sur les faces de la couche pizolectrique.
En remplaant v1 par son expression issue de (III.26) et en identifiant le coefficient de
e2 h 2 !
=
couplage lectromcanique : k =
, V scrit finalement :
! c!
c!
2
t
V=
,
I #
hC0 ) j sin(kd)
2 sin(kd) &
( "T2 ) + ( cos(kd) " 1) ( "v2 ).
%$ 1 " kt
(' "
+
!
jC0!
kd
jC0! * Z c
-
(III.32)
Cette expression combine (III.26) permet alors dcrire la pseudo matrice de

transfert quivalente lhxaple de la Figure III-4b comme suit :
"
cos(kd)
jZ! c sin(kd)
$
" !T1 % $
j sin(kd)
$ v '=$
cos(kd)
$ 1 ' $
Z! c
$
$# V '&
$ hC j sin(kd)
hC0
0
$!
!
( cos(kd) ! 1)
!
Zc
jC0(
$# jC0(
%
'
' " !T %
'$ 2'
' $ !v2 '
'$ I '
&
'#
1 )
2 sin(kd) ,
+ 1 ! kt
.'
jC0( *
kd - '&
h
( cos(kd) ! 1)
j( S
h j sin(kd)
j( S
Z! c
(III.33)
On peut remarquer que si le couplage lectrique-mcanique est nul (e=0), on retrouve

la matrice de transfert (III.13) dune couche de matriau non-pizolectrique. Le rapport V/I
reprsente alors limpdance lectrique de la capacit C 0 forme par les lectrodes et la
couche de matriau pizolectrique comme dilectrique. Un matriau pizolectrique peut
donc tre utilis seulement pour ses proprits acoustiques tant quil nest pas soumis un
champ lectrique.
Chapitre III
113
"
$
cos(kd)
" !T1 % $
$ v ' = $ j sin(kd)
$ 1 ' $ Z
c
$# V '& $
$
0
$
#
II.2.4
jZ c sin(kd)
cos(kd)
0
%
'
0 '
" !T %
'$ 2'
0 ' $ !v2 '
'$ I '
#
&
1 '
'
jC0( &
(III.34)
CONDITIONS MECANIQUES AUX LIMITES ET AUX INTERFACES

Nous rappelons ici les conditions, exprimes dans le chapitre II, de continuit de la
contrainte T, du dplacement mcanique u et de sa vitesse v dans lapproximation 1D.

Sur linterface entre un milieu M et un milieu M, les condition mcaniques sont :
T =T'
u = u'
et
v = v'
(III.35)
Si le milieu M est de lair, les condition mcaniques sont :
T =0
u = u'
et
v = v'
(III.36)
Une couche dpaisseur trs grande, comme le substrat des structures SMR, est
considre comme semi-infinie. Son impdance acoustique est alors gale son impdance
caractristique Zc.
Nous disposons maintenant des matrices de transferts quivalentes des couches de

matriaux qui constituent un rsonateur BAW et des conditions mcaniques aux interfaces et
aux limites. Ces outils vont nous permettre de rsoudre le problme pizolectrique dans la
partie active dun rsonateur. Les expressions des grandeurs acoustiques et lectriques de
surface sont le point de dpart de tous les modles unidimensionnels proposs jusqu
maintenant. Leurs diffrences viennent surtout de leur mise en forme adapte ou non la
solution recherche. Pour dterminer le comportement acoustique dun ensemble de couches,
et notamment limpdance acoustique ramene ou le coefficient de rflexion acoustique, le
modle de Mason est particulirement bien adapt. Au contraire, si lon cherche favoriser le
point de vue lectrique, le modle de la permittivit pizolectrique est plus intressant.
Chapitre III
114
III MODELES UNIDIMENSIONNELS ACOUSTIQUES

III.1
LE MODELE DE MASON
Le modle de Mason est bas sur la formulation 1D du problme de propagation
acoustique et du problme pizolectrique. Il est largement utilis en basses frquences pour

ltude des transducteurs et hautes frquences pour la modlisation des filtres SAW. Il
permet de modliser un rsonateur BAW en considrant les matrices de transferts de chaque
couche et en effectuant une analogie entre le couple tension-courant et le couple force-vitesse
de dplacement. En identifiant les diffrents termes de la matrice de transfert avec des
lments lectriques localiss, le modle de Mason permet de dterminer la rponse en
frquence du rsonateur.
III.1.1
COUCHE DE MATERIAU NON-PIEZOELECTRIQUE

Dans ce modle, chaque couche de matriau non-pizolectrique est caractrise par
sa matrice de transfert (III.13) exprime en fonction de la force applique sur ses faces, cest-dire en intgrant la contrainte sur toute la surface S. On a donc F = !S.T et on obtient la
matrice de transfert suivante :
! cos(kd)
! F1 $ #
# v & = # j sin(kd)
" 1%
#" Z c S
jZ c S sin(kd) $
& ! F2 $
cos(kd) & #" 'v2 &%
&%
(III.37)
Dans le modle de Mason, une couche de matriau non pizolectrique est reprsente
par le schma lectrique suivant :
Figure III-5 :
Modle de Mason dune couche de matriau non-pizolectrique
Chapitre III
115
Sa matrice de transfert scrit :

!
Z
1+ 1
#
! F1 $ # Z 2
#v & = # 1
" 1%
#
" Z2
On identifie avec (III.37) : Z 2 = ! j

III.1.2
Z12 $
Z 2 && ! F2 $
Z1 & #" 'v2 &%
1+
&
Z2 %
2Z1 +
ZcS
sin(kd)
et
(III.38)
! kd $
Z1 = jZ c S tan # &
" 2%
COUCHE DE MATERIAU PIEZOELECTRIQUE

Une couche de matriau pizolectrique est caractrise par sa matrice de transfert
(III.33) exprime en fonction de la force applique sur ses faces. Avec F = !S.T , on obtient
la matrice de transfert suivante :
!
cos(kd)
jZ! c S sin(kd)
#
! F1 $ #
j sin(kd)
#v & = #
cos(kd)
#
1
# &
!cS
Z
#" V &% #
# hC j sin(kd)
hC0
0
#(
(
( cos(kd) ( 1)
!
jC0'
#" jC0' Z c S
$
&
&! F $
&# 2 &
& # (v2 &
&# I &
%
&"
1 )
2 sin(kd) ,
&
1
(
k
+
.
t
jC0' *
kd - &%
hC0
( cos(kd) ( 1)
jC0'
hC0 j sin(kd)
jC0' Z! c S
(III.39)
Dans le modle de Mason, une couche de matriau pizolectrique est reprsente par
le schma lectrique suivant :
Figure III-6 :
Modle de Mason dune couche de matriau pizolectrique
Chapitre III
116
Sa matrice de transfert scrit :

!
Z
# 1+ 1
Z2
#
! F1 $ #
1
#v & = #
# 1& #
Z2
#" V &% #
# ( hC0 1
# jC0' Z 2
"
Z12
Z2
Z
1+ 1
Z2
2Z1 +
On identifie avec (III.39) : Z 2 = ! j
hC0 Z1
jC0' Z 2
ZcS
sin(kd)
$
&
&
& ! F2 $
& # (v2 &
&
&#
#
&%
I
&"
1 )
h 2 C0 1 , &
1(
jC0' +*
j' Z 2 .- &%
hC0
jC0'
hC0
jC0'
et
Z1
Z2
1
Z2
(III.40)
! kd $
Z1 = jZ c S tan # &
" 2%
Dans ce modle, on retrouve la capacit statique C 0 et le couplage lectriquemcanique, reprsent par un transformateur de rapport : N =
1
.
hC0
Le schma quivalent dun couche pizolectrique est donc compos dune partie
acoustique (rsistance Z 1 et Z2), dune partie lectrique (capacit C0) et du couplage
lectrique-mcanique (transformateur de rapport N). La distinction nette entre les parties
acoustique et lectrique est latout principal de ce modle puisquil permet de mieux
comprendre le problme pizolectrique.
III.1.3
MODELE DE MASON DUN RESONATEUR SMR ET ETUDE DU MIROIR DE BRAGG

Le modle de Mason est surtout intressant pour son aspect acoustique. Il permet
daccder aux grandeurs acoustiques comme la pression F et la vitesse du dplacement v qui

permettent de dterminer limpdance acoustique Za. Dans les structures SMR, lisolation
acoustique du rsonateur lmentaire vis--vis du substrat est ncessaire pour confiner
lnergie mcanique dans le rsonateur lmentaire de manire maximiser le coefficient de
couplage lectromcanique effectif et le coefficient de qualit. Ceci seffectue par un
ensemble de couches qui constitue un miroir de Bragg. Ce dernier est compos dune
alternance de couches dimpdance caractristique forte et faible, et dont les paisseurs sont
choisies de manire ce quelles correspondent un quart de la longueur donde acoustique
()/4) la frquence de rsonance. Sa rponse en frquence est fonction du nombre de couches
et du rapport des impdances caractristiques des matriaux employs. Le modle de Mason
permet dtudier cette dpendance.
Chapitre III
117
Le schma quivalent du rsonateur SMR de la Figure III-2b dans le modle de

Mason est reprsent sur la Figure III-7. On reconnat le rsonateur lmentaire (lectrodes +
couche pizolectrique). Llectrode suprieure possde une interface avec lair. Son port
dentre est donc court-circuit puisque la force exerce par lair est nulle. Le substrat est
considr comme une couche semi-infinie reprsente par son impdance caractristique.
Figure III-7 :
Modle de Mason du rsonateur SMR de la Figure III-2b
Le modle de Mason du miroir de Bragg acoustique est reprsent sur la Figure III-8.
Figure III-8 :
Modle de Mason dun miroir de Bragg
Dans ce modle, la matrice de transfert du miroir de Bragg est calcule en multipliant

les matrices de transfert de chaque couche et en considrant limpdance caractristique du
substrat. Lexpression des grandeurs acoustiques dentre (F1 et v1) du quadriple quivalent
permet de dterminer limpdance acoustique dentre Z E. Le coefficient de rflexion
sexprime alors comme : ! =
ZC " Z E
o Z C reprsente limpdance caractristique du
ZC + Z E
matriau de llectrode infrieure.

Chapitre III
118
Sur la Figure III-9, nous avons trac le coefficient de rflexion acoustique 3 dun
miroir de Bragg en fonction du nombre de couches (N) et pour diffrents couples de
matriaux (Za/Zb). Ce coefficient est calcul en considrant un substrat de Silicium (Si) et des
lectrodes en Molybdne (Mo). Les paisseurs da et d b des couches dimpdance
caractristique Za et Zb sont calcules f0=2 GHz grce la relation (III.41).
d=
vacoustique
4 f0
(III.41)
On obtient, pour le couple SiO2/AlN, da = 0,725 m et db = 1,303 m. Pour le couple SiC/SiN,

da = 0,325 m et db = 1,237 m.
Figure III-9 :
Coefficient de rflexion acoustique dun miroir de Bragg
Le but du miroir ou rflecteur de Bragg est disoler acoustiquement le rsonateur

lmentaire et le substrat. Lorsque le coefficient de rflexion vaut 1, londe acoustique
gnre dans la couche pizolectrique se rflchit totalement et reste confine dans le
rsonateur lmentaire. La qualit de lisolation est donc dtermine par la largeur de la
gamme de frquence sur laquelle le coefficient de rflexion est proche de 1. On remarque sur
la Figure III-9 que lisolation dpend la fois du nombre de couches et du couple de
matriaux utiliss.
Les couches quart donde permettent une recombinaison destructive (par opposition de
phase) des ondes rflchies aux interfaces. Ainsi, londe transmise dune couche lautre est
de plus en plus attnue. Plus le nombre de couche est lev, plus lnergie acoustique
transmise au substrat est faible. On remarque aussi que laugmentation du nombre de couche
permet de faire varier la position des lobes secondaires en dehors de la bande passante. Ce
Chapitre III
119
phnomne peut tre mis contribution en ajustant la position dun zro de rflexion sur
une frquence de rsonance parasite que lon cherche attnuer. Enfin, lattnuation hors
bande explique lintrt du rflecteur de Bragg dans les structures SCF (Stacked Crystal
Filter) mentionnes au chapitre I.
Le nombre de couches ncessaire lobtention dune bonne isolation sur une large
gamme de frquence dpend aussi des matriaux et surtout du rapport de leur impdance
acoustique. Dans le cas de la Figure III-10, le rapport Z(SiO2)/Z(AlN) est environ gal 0,4 et,
pour le couple SiC/SiN, ce rapport denviron 0,8. Plus ce rapport est lev, moins le nombre
de couche est important.
Figure III-10 :
Coefficient de rflexion acoustique dun miroir de Bragg
On peut voir sur la Figure III-10 que, pour une mme plage de rflexion totale (3=1),
le nombre de couches ncessaires avec le couple SiO2/AlN est plus important que pour le
couple SiC/SiN. De plus, la bande passante est plus large. Ceci permet dobtenir une grande
flexibilit dans la conception de filtres rsonateurs BAW puisquun mme miroir peut tre
utilis pour des rsonateurs fonctionnant des frquences diffrentes. Le choix des matriaux
est donc primordial puisque le rflecteur de Bragg constitue le socle de toute structure
SMR. Il seffectue en tenant compte des paramtres acoustiques et des contraintes
technologiques.
Le modle de Mason est donc trs utile lorsque lanalyse du comportement acoustique
est ncessaire. Il dissocie clairement la partie mcanique de la partie lectrique dans le
problme pizolectrique. La rsolution analytique fait que ce modle nimpose aucune
restriction frquentielle. Il permet donc de calculer la rponse en frquence du rsonateur en
dehors de la rsonance et notamment de prvoir lapparition des harmoniques suprieures du
mode fondamental.
Chapitre III
III.2
120
MODELE DE LA PERMITTIVITE PIEZOELECTRIQUE

La notion de permittivit pizolectrique a t introduite par K.A. Ingebritsen en 1969
[40] pour exprimer les conditions aux limites lectriques auxquelles doivent satisfaire les
ondes lastiques, en particulier les ondes de surface, dans un matriau pizolectrique. Cette
formulation 1D du problme pizolectrique permet de dterminer limpdance lectrique du
rsonateur BAW et dinclure le comportement acoustique dans une grandeur lectrique, la
permittivit. Le rsonateur est alors considr comme une capacit particulire dont la
permittivit du dilectrique (couche pizolectrique) varie en fonction de la frquence.
Contrairement au modle de Mason, ce modle se place du point de vue lectrique et
considre le problme acoustique de manire secondaire. Il ne permet donc pas daccder aux
grandeurs mcaniques. Son principal avantage est dtre intgrable dans des logiciels de
simulation lectromagntique.
Considrons le rsonateur SMR de la Figure III-2b. La couche pizolectrique du
rsonateur lmentaire est reprsente par lhexaple quivalent de la Figure III-4b.
Lensemble des couches suprieures peut tre reprsent par limpdance acoustique ramene
(Zup) au port acoustique de sortie (z=d) et lensemble des couches infrieures, par limpdance
acoustique ramene (Zdw) au port acoustique dentre (z=0). On obtient alors le schma de la
Figure III-11.
Figure III-11 :
Schma quivalent dun rsonateur BAW dans le modle de la

permittivit pizolectrique
On cherche maintenant dterminer le rapport V/I et donc limpdance lectrique du

rsonateur. Pour ce faire, nous considrons lexpression (III.31) de la tension V applique sur
les faces de la couche pizolectrique et lexpression (III.33) de la matrice de transfert [Q]
dune couche pizolectrique, rappeles ci-aprs.
Chapitre III
V=
121
I
hC0
"
[ v1 + v2 ]
jC0! jC0!
h=
avec :
"
cos(kd)
jZ! c sin(kd)
$
" !T1 % $
j sin(kd)
$ v '=$
cos(kd)
$ 1 ' $
Z! c
$
$# V '&
$ hC j sin(kd)
hC0
0
$!
!
( cos(kd) ! 1)
!
Zc
jC0(
$# jC0(
Z dw =
On peut alors crire :
T1
v1
%
'
' " !T %
'$ 2'
' $ !v2 '
'$ I '
&
'#
1 )
2 sin(kd) ,
+ 1 ! kt
.'
jC0( *
kd - '&
h
( cos(kd) ! 1)
j( S
h j sin(kd)
j( S
Z! c
Zup =
et
e
S
et C0 = !
!
d
(III.42)
(III.43)
T2
v2
Soit, daprs (III.43) :
Z dw
# h &
cos(kd) ( !T2 ) + jZ! c sin(kd) ( !v2 ) + ( cos(kd) ! 1) %
I
$ j" S ('
=!
j sin(kd)
j sin(kd) # h &
!T2 ) + cos(kd) ( !v2 ) +
I
(
!
Zc
Z! c %$ j" S ('
En introduisant Zup et en posant zdw =
v2 =
Zup
Z dw
et zup =
il vient :
!
Zc
Z! c
( jzdw sin(kd) + cos(kd) " 1)

h
I
j! SZ! c zup + zdw cos(kd) + j zup zdw + 1 sin(kd)
(III.44)
(III.45)
Daprs (III.43), lexpression de v1 est la suivante :

v1 =
j sin(kd)
j sin(kd) # h &
!T2 ) + cos(kd) ( !v2 ) +
I
(
Z! c
Z! c %$ j" S ('
En introduisant Zup et en posant zup =
(III.46)
Zup
il vient :
Z! c
v1 = ! jzup sin(kd) + cos(kd) v2 +
j sin(kd) # h &
I
Z! c %$ j" S ('
(III.47)
Chapitre III
122
e2 h 2 !
=
En introduisant (III.45) et (III.47) dans (III.42) et en posant k =
, on obtient :
! c!
c!
2
t
#
&
# kd &
zup + zdw cos 2 % ( + j sin(kd)
%
(
$ 2'
V
1
2 2 tan(kd)
=
% 1 " kt
(
I
jC0! %
kd
zup + zdw cos(kd) + j zup zdw + 1 sin(kd) (
$
'
(III.48)
On exprime alors la permittivit pizolectrique relative comme :
#
&
2 # kd &
z
+
z
cos
+
j
sin(kd)
%
(
up
dw
%
(
$ 2'
2 tan(kd)
! r * = ! r % 1 " kt2
(
kd
zup + zdw cos(kd) + j zup zdw + 1 sin(kd) (
%
$
'
"1
(III.49)
On remarque que le comportement acoustique du rsonateur est reprsent dans

lexpression de la permittivit par un terme dpendant des paramtres mcaniques de chaque
couche et de la frquence ( k =
2! f
vacoustique
).
Nous avons trac sur la Figure III-12 la permittivit pizolectrique, en fonction de la

frquence, dun rsonateur FBAR compos dune couche de Nitrure dAluminium (AlN)
dpaisseur 1 m, dlectrodes en Molybdne (Mo) de 300 nm et dune membrane de SiO2 de
400nm.
Figure III-12 :
Trac de la permittivit pizolectrique
Chapitre III
123
La permittivit relative de lAlN est de 9,5. On peut voir sur la courbe de la Figure III12 que la permittivit pizolectrique varie autour de cette valeur. Le comportement
acoustique du rsonateur BAW se retrouve dans les variations de cette permittivit. 2 GHz,
on observe une premire singularit. Elle correspond la rsonance acoustique du mode
fondamental ()/2). La deuxime singularit vers 3,7 GHz correspond au premier mode
harmonique (3)/2).
Ce modle est bas sur la mme formulation analytique 1D que le modle de Mason. Il
permet donc lui aussi de calculer la rponse en frquence du rsonateur en dehors de la
rsonance et de prvoir lapparition des harmoniques suprieurs du mode fondamental. Il ne
permet cependant pas daccder aux grandeurs acoustiques comme la contrainte T ou la
vitesse v.
Son principal avantage vient de sa formulation. Son criture compacte du problme
pizolectrique permet la prise en compte du problme acoustique dans les outils de
simulation lectromagntique. Le rsonateur BAW y est considr sous la forme dun substrat
particulier dont la permittivit dpend de la frquence. Ceci permet dtudier la rponse en
frquence en se plaant du point de vue lectrique. On peut alors tirer parti de lanalyse
lectromagntique pour tudier limpact des pertes mtalliques dans les lectrodes et les
accs, identifier les couplages lectrique ventuels entre rsonateurs ou optimiser le couplage
lectrique entre le motif dexcitation et le rsonateur.
Le seul outil commercial intgrant la notion de permittivit pizolectrique sappelle
EM3DS [14]. Ce logiciel, dvelopp par la socit MEM Research, est bas sur une
rsolution des quations de Maxwell par la mthode de Diffraction-Rsonance Transversale
Gnralise (GTRD). Cette mthode peut tre qualifie de mthode des moments 3D (3D
MoM) puisquelle prend en compte les courants lectriques volumiques et utilise les fonctions
de Green [41].
Nayant pas disposition ce logiciel, nous avons mis en oeuvre la notion de
permittivit pizolectrique dans loutil de simulation EMXD dvelopp au sein du
laboratoire Xlim. Ce logiciel, bas sur une rsolution des quations de Maxwell par la
mthode des lments finis, permet de considrer directement des matriaux dont la
permittivit peut tre complexe et variable en fonction de la frquence. Lide tait aussi de
pouvoir tirer parti de la paramtrisation en frquence pour rduire le temps de calcul.
Chapitre III
124
Malheureusement, la trop grande diffrence entre de dimensions latrales et les paisseurs ne

permettait pas dobtenir, ce moment de la thse, un maillage correct et entranait des
problmes de rsolution dans la formulation en champ lectrique et magntique utilise dans
la mthode des lments finis. Nous navons pas pouss plus loin nos investigations dans
cette voie. Nous avons choisi de dvelopper dans notre logiciel EMXD une formulation en
dplacement mcanique et potentiel lectrique, plus stable numriquement et permettant de
rsoudre directement le problme pizolectrique en trois dimensions. Cette tche sera
prsente au Chapitre IV.
Les modles unidimensionnels dits acoustiques (modle de Mason ou permittivit

pizolectrique) sont rservs aux cas o lon connat les caractristiques acoustiques des
matriaux employs ncessaires au calcul des impdances acoustiques. Ils sont
particulirement bien adapts pour tudier le comportement acoustique des rsonateurs et aide
la comprhension des phnomnes physiques mis en jeu. Nanmoins, il nest pas toujours
possible daccder aux valeurs des constantes acoustiques de chaque matriau, soit parce que
les techniques de dpt employes entranent une trop grande dispersion des caractristiques
physiques des couches soit parce que le fabricant de rsonateur ne les fournis pas
lutilisateur. Une approche par modlisation de la rponse lectrique du rsonateur doit alors
tre envisage. Autour de la rsonance, il est possible de dfinir un schma lectrique
quivalent compos dlments localiss. Cest le modle MBVD (Modified Butterworth
Van-Dyke).
Chapitre III
125
IV LE MODELE MBVD (MODIFIED BUTTERWORTH VAN-DYKE)

Le modle MBVD (Modified Butterworth Van-Dyke) peut tre qualifi de modle
lectrique . Il est issu de la mesure des rsonateurs et rend compte de leur comportement
lectrique. Il est compos dlments lectriques localiss dont les valeurs dpendent de
certains paramtres acoustiques macroscopiques comme le coefficient de couplage
lectromcanique effectif k eff2, les frquences de rsonance f s (rsonance srie) et
dantirsonance fp (rsonance parallle) ou les facteurs de qualit srie Qs et parallle Q p. Il
est surtout utilis lorsque les caractristiques acoustiques des matriaux employs ne sont pas
facilement accessibles. De plus, il est intgrable dans des logiciels circuits comme ADS ou
SPICE, ce qui permet de synthtiser des rponses en frquences complexes (filtres).
Nous avons trac sur la Figure III-13 le module de limpdance lectrique dune
capacit C0 et dun rsonateur FBAR simule par un modle 1D. La capacit est compose
dun dilectrique de permittivit relative 9.5 (identique lAlN), dpaisseur 1 m et de
surface 500x500 m2. Le rsonateur est compos dune couche de Nitrure dAluminium
(AlN) dpaisseur 1 m, dlectrodes en Molybdne (Mo) de 300 nm et dune membrane de
SiO2 de 400nm. Sa surface est galement de 500x500 m2.
Figure III-13 :
Module de limpdance dun rsonateur FBAR
Chapitre III
126
On remarque sur la Figure III-13 que la rponse lectrique du rsonateur suit celle de
la capacit, mais possde des singularits pour certaines frquences. Ces dernires sont dues
aux rsonances acoustiques de la structure. On peut donc en dduire que le rsonateur peut
tre modlis lectriquement par une capacit C0 laquelle on ajoute, en parallle, un lment
Zm appel impdance motionnelle. Cet lment est compos dun circuit RLC srie dont la
frquence de rsonance est la mme que celle du rsonateur. Ce circuit lectrique quivalent
est connu sous le nom de modle BVD (Butterworth Van-Dyke). Le M dans le nom
(Modified) fut rajout en mme temps que la rsistance Rs pour tenir compte des pertes
lectriques dans les lectrodes.
Figure III-14 :
Modle MBVD dun rsonateur BAW
Le schma lectrique du modle MBVD (Figure III-14) dun rsonateur BAW est
donc constitu des lments suivants :
C0 reprsente la capacit statique forme par les lectrodes et la couche pizolectrique
R0 reprsente les pertes lectriques par courant de fuite dans la couche pizolectrique
Rm reprsente les pertes mcaniques sur lensemble de la structure
Lm et Cm traduisent le comportement acoustique du rsonateur
Rs reprsente les pertes mtalliques dans les lectrodes
On peut voir sur le trac de la Figure III-15 que la rponse du circuit quivalent
MBVD correspond bien avec celle du rsonateur simul par un modle 1D. Cependant, on
peut remarquer que le premier harmonique nest pas reprsent. En effet, ce schma lectrique
est uniquement valable autour de la rsonance du mode fondamental. Pour tenir compte des
modes harmoniques, il faudrait rajouter une impdance motionnelle pour chaque rsonance.
Chapitre III
Figure III-15 :
127
Module de limpdance lectrique dun rsonateur BAW, simule et de

son modle MBVD
Limpdance du modle MBVD est la suivante :
Z MBVD = RS +
" 1
%"
"
1 %%
+
R
R
+
j
L
!
(
0
m
m
$# jC !
'& $#
$#
Cm! '& '&
0
"
C +C %
( R0 + Rm ) + j $ Lm! ( Cm C !0 '
#
&
m 0
(III.50)
On peut en extraire la pulsation de rsonance (srie) , s pour laquelle limpdance est

minimale et la pulsation dantirsonance (rsonance parallle) ,p pour laquelle limpdance
est maximale.
Elles sont dfinies de la manire suivante :
Lm! s "
1
= 0 # !s =
Cm! s
1
Lm C m
Lm! p "
C m + C0
C m + C0
= 0 # ! p = !r
Cm C0! p
C0
(III.51)
Et :
(III.52)
Chapitre III
128
On dfinit alors le coefficient de couplage lectromcanique effectif keff2 grce la

relation suivante :
keff2 =
! 2 f p " fs
4
fp
(III.53)
Les pulsations de rsonance et dantirsonance ne dpendent que des valeurs de Lm, Cm

et C0. Il est donc possible dexprimer leur valeur en fonction des frquences de rsonance fs et
dantirsonance fp. Les autres lments du modle MBVD dpendent des paramtres
technologiques du rsonateur.
Co = ! 0 ! r
(III.54)
2
(!
+
fp $
*
C m = Co #
' 1* f &
*)" s %
-,
Lm =
Rm =
Ro =
Cm 2! f s
Lm 2! f s
Qs
1
Q p C0 2! f p
Rs = R! .2S
Avec :
Qs : facteur de qualit la frquence de rsonance srie
Qp : facteur de qualit la frquence de rsonance parallle
4r : permittivit relative du matriau pizolectrique
S : Surface en regard des lectrodes
d : paisseur de la couche pizolectrique
R : rsistance carre des lectrodes

(III.55)
(III.56)
(III.57)
(III.58)
(III.59)
Chapitre III
129
Par sa simplicit, ce modle est trs utilis pour la modlisation des rsonateurs BAW.
Le calcul des lments localiss est trs rapide et ne ncessite pas de gros moyens
informatiques. Lautomatisation de leur dtermination est mme possible par ajustement
paramtrique de courbes [42 et 43]. Lutilisation de ce modle dans un logiciel circuit permet
donc denvisager la synthse rapide de rponses en frquence plus complexes (filtres).
V APPLICATION DU MODELE MBVD A LA SYNTHESE DE FILTRE

Dans le cadre de cette thse, nous avons dvelopp un programme doptimisation de
filtres rsonateurs BAW bas sur le modle MBVD. La simplicit et le nombre rduit de
donnes technologiques ncessaires son calcul ont t dterminant dans le choix de ce
modle. Dans ce programme, chaque rsonateur est reprsent par son modle lectrique
quivalent MBVD. La synthse seffectue en calculant limpdance de chaque rsonateur, en
synthtisant la rponse globale du filtre et en la comparant avec un gabarit donn.
Loptimisation de cette rponse permet dextraire les paramtres topologiques de chaque
rsonateur et ainsi denvisager sa fabrication.
V.1
METHODOLOGIE
La synthse de filtres bass sur des rsonateurs lectromagntiques coupls dbute
gnralement par la slection dune fonction de transfert qui satisfait les spcifications
lectriques. La classe des fonctions de transfert ralisables est alors bien connue (Butterworth,
Chebyshev, pseudo-elliptique) et les caractristiques des rsonateurs et des lments de
couplage peuvent tre dtermins de manire systmatique.
Limplmentation dune telle mthodologie pour des filtres rsonateurs BAW est
dune certaine faon impossible puisque la classe des fonctions de transfert ralisables est
contrainte par la co-existence des modes de rsonance et danti-rsonance de chaque
rsonateur BAW. De plus, la technologie BAW elle-mme limite la flexibilit des
caractristiques de filtrage, fixant par exemple deux le nombre de rsonateurs (chargs, nonchargs) ayant des frquences de rsonance et danti-rsonance diffrentes. On peut
nanmoins tirer parti de cette limitation puisque le nombre total de paramtres utilisables pour
synthtiser le filtre est de cette faon rduit. Ceci justifie aussi le choix dune mthode
doptimisation locale pour la synthse des filtres rsonateurs BAW.
Chapitre III
130
La mthodologie de synthse propose est dcrite par lorganigramme de la Figure III-16.
Figure III-16 :
Mthodologie de synthse de filtre BAW
La synthse commence par linitialisation des paramtres de chaque rsonateur et par

la dfinition de larchitecture du filtre. Les paramtres variables des rsonateurs sont
optimiss en minimisant une fonction derreur qui dpend des paramtres [S] du gabarit
donn.
V.2
DEFINITION DE LARCHITECTURE DU FILTRE

Le filtre en technologie BAW est fabriqu sur un mme wafer. Tous les rsonateurs
possdent donc la mme paisseur pour la couche pizolectrique. Cette dernire fixe la
frquence de rsonance. Pour synthtiser une rponse de filtre avec des rsonateurs, il est
ncessaire davoir au moins deux types de rsonateur possdant des frquences de rsonance
diffrentes. En technologie BAW, ce dcalage est effectu en dposant une couche de mtal
ou doxyde sur la surface de llectrode suprieure. Cette surpaisseur modifie les conditions
de rsonance acoustique. Elle agit comme une charge et permet de diminuer la frquence de
rsonance.
Chapitre III
131
En optimisant le dcalage frquentiel et le couplage lectrique des rsonateurs, il est

possible de synthtiser des rponses en frquence complexes rpondant un gabarit. Sur la
Figure III-17, sont reprsents les blocs lmentaires utiliss pour dfinir larchitecture du
filtre BAW. Ces blocs permettent une synthse de filtres diffrentiels symtriques.
Figure III-17 :
Blocs lmentaires pour la dfinition de larchitecture du filtre
Les deux premiers blocs permettent de dfinir un filtre en chelle diffrentiel (Ladder)
et le troisime bloc reprsente un filtre en treillis diffrentiel (Lattice). Lassemblage des trois
permet denvisager une architecture mixte chelle-treillis. Le dcalage frquentiel est appliqu
sur les rsonateurs monts en parallle (X2 et X4 sur la Figure III-17). Le nombre de
rsonateurs et leur agencement sont dfinis avant la synthse du filtre.
V.3
SYNTHESE DU FILTRE
Les paramtres fixs au dbut de la synthse sont :

- Le coefficient de couplage lectromcanique effectif keff2
- Le coefficient de qualit srie Qs
- Le coefficient de qualit parallle Qp
- La rsistance carre des lectrodes R
- La permittivit du matriau pizolectrique 4r
Les paramtres variables sont la frquence de rsonance fs et la surface S
Chapitre III
132
La synthse du filtre seffectue en minimisant une fonction derreur. Cette fonction

tient compte des spcifications lectriques (gabarit du filtre) dfinies par les valeurs
minimums ou maximums des paramtres [S]. Ces spcifications sont connues sur un
ensemble dintervalles de frquence qui couvrent le spectre dsir.
Les paramtres variables sont optimiss de manire itrative en estimant une direction
de minimisation (calcul du gradient). Les paramtres des rsonateurs optimiser sont
contraints par des valeurs minimums et maximums dont certaines sont communes tous les
rsonateurs.
V.4
CONSIDERATIONS LOGICIELLES
Ce logiciel de synthse de filtre a t dvelopp sous MATLAB. Cet outil de
dveloppement a t choisi pour son interoprabilit avec dautres systmes standards

danalyse.
V.4.1
PARAMETRES ET VARIABLES DOPTIMISATION

Avant de lancer la synthse du filtre, les paramtres fixes suivants doivent tre
spcifis :
Paramtres technologiques : keff2, Qs et Qp (valeurs distinctes pour les rsonateurs sries et

parallles)
Paramtres doptimisation : Paramtres S du gabarit et plan de frquence (fichier texte),

nombre maximum ditrations
Architecture du filtre : disposition des blocs lmentaires (ladder srie ou parallle, lattice)
Les paramtres variables optimiser sont :
Center frequency (CF) : frquence de rsonance (fs) fixe pour les rsonateurs sries et
initiale pour les rsonateurs parallles.
Frequency shift ratio (FSR) : dcalage des frquences de rsonances des rsonateurs sries
et parallles (fonction de lpaisseur de surcharge)
Size ratios (SR) : rapport de taille dlectrodes entre rsonateurs (proportionnel S)
Pour chaque paramtre variable, une valeur nominale, maximale et minimale sont spcifies.
Chapitre III
V.4.2
133
ANALYSE DU FILTRE
Lanalyse du filtre est effectue par une fonction qui rcupre les paramtres variables,
les paramtres technologiques fixs et larrangement des blocs lmentaires. Les lments de
chaque rsonateur (chargs ou non) sont calculs grce aux paramtres prcdents et partir
des tapes suivantes :
1. Calcul de la frquence de rsonance parallle initiale
fp =
1!
CF
4
"
keff 2
2. Calcul de Cm et Lm initiaux
2
(!
+
$
* fs
C m = Co * #
& ' 1#
&
*)" f p %
-,
Lm =
et
Cm 2! f s
3. Si le rsonateur nest pas charg (mont en srie), ajustement litration n+1 de C0, Cm
et Lm calcules litration n et grce aux rapports de taille optimis (SR).
C0 (n+1) = C0 (n).SR , Cm (n+1) = Cm (n).SR , Lm (n+1) = Lm (n)/SR

Si le rsonateur est charg (mont en parallle), ajustement des valeurs grce SR et FSR
C0 (n+1) = C0 (n).
SR
1 + FSR
, Cm (n+1) = Cm (n).
SR
1 + FSR
, Lm (n+1) =
Lm (n)
SR(1 + FSR)
4. Calcul de fs et fp
fs =
f p = fs 1 +
2! Lm Cm
Cm
C0
5. Calcul des pertes
Rm =
Lm 2! f s
Qs
Ro =
1
Q p C0 2! f p
RS = f (R! ,S )
Limpdance de chaque bloc lmentaire est ensuite calcule en prenant en compte la

valeur des lments du modle MBVD. La synthse du filtre seffectue en chanant les blocs
lmentaires et en extrayant les paramtres [S].
Chapitre III
V.4.3
134
FONCTION DOPTIMISATION
La fonction doptimisation est calcule en faisant la somme pondre des erreurs pour
chaque point de frquence. Lerreur correspond la diffrence entre la valeur calcule et le

gabarit. Des poids diffrents peuvent tre appliqus aux erreurs provenant du paramtre S21
dans la bande passante ou hors bande.
V.4.4
OPTIMISATION MULTI-VARIABLES CONTRAINTE

Les paramtres variables sont optimiss dans une gamme de valeurs fixe.
Loptimisation plusieurs variables contraintes est effectue grce la fonction interne

MATLAB fmincon (optimization toolbox).
V.5
EXEMPLE DE SYNTHESE DUN FILTRE REPONDANT A LA NORME UMTS

Prenons lexemple du filtre dont le gabarit est dfini dans le Tableau III-1. Ce filtre
rpond la norme UMTS.

Contraintes
Bandes de frquence (MHz)
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
C12
C13
0,009 - 960
960 - 1000
1000 - 1400
1400 - 1844,9
1844,9 - 1879,9
1879,9 - 1884,5
1884,5 - 1900
1900 - 1919,6
1919,6 - 1980
1980 - 2030
2030 - 2110
2110 - 2170
2170 - 12750
Tableau III-1 :
Valeur maximum de Valeur minimum de

S21 (dB)
S21 (dB)
-51
-*
-45
-*
-38
-*
-35
-*
-20
-*
-13
-*
-6
-*
0
-*
0
-3
0
-*
-14
-*
-52
-*
-45
-*
Gabarit de filtre pour la norme UMTS
La contrainte C9 dfinit une bande passante sur la gamme (1919,6 1980 MHz) avec
une plage de garde 3dB de 20MHZ en entre et de 50MHz en sortie. Le minimum de S21
autoris est de 3 dB dans la bande. La particularit de la norme UMTS est de ncessiter une
forte rjection en entre et en sortie de bande. Le filtre doit donc avoir une forte slectivit.
Chapitre III
135
De plus, la rjection hors bande est assez importante. Ce filtre ncessite donc lemploi
dune topologie en chelle pour sa slectivit et dune topologie en treillis pour son
attnuation hors bande. Une architecture mixte chelle-treillis est donc utilise. La synthse
est effectue pour des rsistances dentre et de sortie diffrentielle de 100 5 (Figure III-18).
Figure III-18 :
Architecture du filtre BAW UMTS
Les valeurs initiales des paramtres variables sont :

- Nominale :
CF = 1941 MHz, FSR = -3.06 et SR = 0.5
- Minimum :
CF = 1938 MHz, FSR = -3.50 et SR = 0.1
- Maximum :
CF = 2000 MHz, FSR = -3.05 et SR = 2.0
Les valeurs technologiques, issues de mesures sur des technologies standards, sont :
Rsonateurs sries
6.2
500
300
keff2 (%)
Qs
Qp
Rsonateurs parallles
6.1
500
300
Les valeurs optimises des lments du modle MBVD pour chaque rsonateur sont les
Variables
optimises
fs (MHz)
X1
1954
X2
1898
X3
1954
X4
1898
X5
1954
X6
1898
fp (MHz)
2004
1946
2004
1946
2004
1946
SR
0.459
0.415
0.759
0.721
1.276
0.994
Valeurs des
lments
suivantes :
Rm (5)
Lm (nH)
Cm (fF)
R0 (5)
Co (pF)
Rs (5)
4.58
186.6
35
0.39
0.68
0.19
5.16
216.5
32
0.43
0.63
0.17
2.82
118.3
59
0.23
1.16
0.19
2.92
119
56
0.25
1.07
0.20
1.68
70.4
100
0.14
1.94
0.23
2.12
86.3
77
0.18
1.47
0.22
Tableau III-2 :
Valeurs optimises du filtre BAW UMTS
Chapitre III
136
Les paramtres [S] correspondants sont tracs sur les Figure III-19 et III-20 .
Figure III-19 :
Figure III-20 :
Synthse du filtre BAW UMTS
Bande passante du filtre BAW UMTS
Chapitre III
137
On remarque que le filtre optimis respecte bien le gabarit donn, que ce soit dans la
bande passante (1920 1980 MHz) ou hors bande. Cependant, il reste encore une tape
difficilement intgrable dans le modle MBVD : la prise en compte des accs et des
interconnexions. Les pistes mtalliques qui relient les rsonateurs entre eux ont des formes
irrgulires et varient avec la disposition des rsonateurs. Il est donc difficile dvaluer
correctement les pertes par conduction dans ces mtallisations et den tenir compte dans le
modle. De plus, les couplages lectriques qui peuvent exister et venir perturber la rponse en
frquence optimise ne peuvent tre pris en compte dans le modle MBVD.
Le dessin des masques de fabrication permet de dfinir la gomtrie des accs et des
interconnexions. En introduisant ce dessin dans un outil de simulation lectromagntique 2D,
il est possible de tenir compte de lensemble des pertes mtalliques sur la totalit de la
structure. Le logiciel Momentum nous permet daller encore plus loin et de simuler la partie
lectromagntique en introduisant les lments localiss de la branche motionnelle du modle
MBVD.
Figure III-21 :
Schma du filtre BAW UMTS sous ADS/Momentum
Nous avons reprsent sur la Figure III-22 le masque de fabrication du filtre UMTS de
la Figure III-21 et les lments de la branche motionnelle du modle MBVD obtenu grce
notre outil doptimisation. Les endroits les plus griss correspondent la superposition des
lectrodes. Les rsonateurs monts en parallles sont constitus de deux rsonateurs
identiques en srie.
Chapitre III
138
Figure III-22 :
Cosimulation du filtre BAW UMTS sous ADS/Momentum
La simulation du filtre UMTS sous ADS nous donne la rponse des Figures III-23 et III-24.
Figure III-23 :
Rponse du filtre BAW UMTS sous ADS/Momentum
Chapitre III
139
Figure III-24 :
Bande passante de la rponse du filtre BAW UMTS sous

ADS/Momentum
Les marqueurs indiquent que la rponse du filtre respecte bien le gabarit, mis part en
entre et en sortie de bande passante, o elle est un peu en dessous de la valeur minimum
(3dB). Ceci sexplique par le fait que nous ne pouvions pas prendre en compte, dans
Momentum, la couche supplmentaire dpose sur les rsonateurs chargs. Cette couche de
mtal diminue la rsistance carre des lectrodes en augmentant lpaisseur de mtallisation.
Nous avons donc considr le cas le plus dfavorable. En ralit, les pertes dinsertion dans la
bande passante devraient tre plus faibles.
La modlisation, dans le modle MBVD, de la rponse lectrique dun rsonateur

BAW grce des lments lectriques localiss permet de dvelopper des outils de synthse
performants. Lexpression analytique de limpdance lectrique quivalente de chaque
rsonateur et la connaissance des paramtres technologiques rendent possible loptimisation
de la rponse de structures plus complexes. Le couplage de ce modle un logiciel de
simulation lectromagntique (Momentum) permet finalement une simulation globale qui se
rapproche au plus prs de la ralit.
Chapitre III
140
Chapitre III
141
VI CONCLUSION
Sous certaines conditions, la rduction une dimension des problmes de propagation
acoustique et pizolectrique peut tre effectue. Lexpression des quations constitutives de
la pizolectricit et de propagation du dplacement mcanique suivant une seule direction (z)
permet de modliser chaque couche de la partie active du rsonateur par une matrice de
transfert. Les conditions mcaniques et lectriques exprimes dans lapproximation 1D
permettent de raccorder ces matrices et denvisager la rsolution sur lensemble de la
structure. Les modles 1D qui dcoulent de cette formulation utilisent une mise en forme
adapte en fonction de la solution recherche et de lenvironnement de simulation. De plus, de
par leur rsolution analytique, ces modles nimposent aucune restriction frquentielle. Ils
permettent donc une analyse large bande des rsonateurs BAW.
Le modle de Mason est trs utilis pour lanalyse du comportement acoustique des
rsonateurs. Il dissocie clairement la partie mcanique de la partie lectrique dans le problme
pizolectrique. Il est donc particulirement bien adapt pour la comprhension des
phnomnes physiques mis en jeu. Il permet notamment dtudier et de concevoir les miroirs
de Bragg des structures SMR. Ces derniers possdent une rponse en frquence qui dpend
des couples de matriaux et du nombre de couches qui les composent.
Le modle de la permittivit pizolectrique prsente une formulation trs compacte
du problme acoustique. Il est destin tre intgr dans les logiciels de simulation
lectromagntique sous la forme dun substrat particulier dont la permittivit possde un
terme dpendant des proprits acoustiques du rsonateur. Ceci permet dtudier la rponse en
frquence en se plaant du point de vue lectrique. La mise en oeuvre de ce modle dans
loutil de simulation lectromagntique 3D (EMXD), dvelopp au laboratoire Xlim, na pas
permis dobtenir de rsultats concluants. cette tape de la thse, les outils de maillage et de
rsolution ntaient pas aussi performants qu lheure actuelle.
Ces modles unidimensionnels dits acoustiques ne peuvent tre employ que
lorsque lon connat les caractristiques mcaniques de tous les matriaux. Parfois, seule la
rponse lectrique est connue. On utilise alors un schma lectrique quivalent appel modle
MBVD (Modified Butterworth Van-Dyke). Ce dernier est compos dlments localiss et
nest valable quautour de la rsonance. Son principal avantage est sa simplicit puisquil ne
considre le comportement acoustique que dun point de vue macroscopique . Ainsi,
Chapitre III
142
chaque lment localis ne dpend que de quelques paramtres et peut tre dtermin trs
rapidement. Lutilisation de ce modle dans un logiciel circuit nous a permis de synthtiser
des rponses de filtres rsonateurs BAW et de dvelopper une procdure doptimisation des
paramtres technologiques par rapport un gabarit donn. Le couplage de ce modle avec un
logiciel de simulation lectromagntique (Momentum) nous a permis daller plus loin dans
lanalyse en dpassant les limites du modle et en simulant lensemble de la structure.
Ces modles unidimensionnels permettent deffectuer lanalyse des rsonateurs BAW
de manire assez rigoureuse pour concevoir des structures complexes comme des filtres.
Nanmoins, pour certaines applications, les conditions de validit de lapproximation 1D ne
sont pas runies. Les modles 1D sont alors caducs car ils ne permettent pas de rendre compte
de certains comportements acoustiques et lectriques.
En effet, lorsque le rapport entre les dimensions latrales et les paisseurs des couches
de la partie active nest pas assez important, des modes de vibration latrale (modes de
plaque) peuvent apparatre. Ces modes sont pizolectriquement coupls et dtriorent la
rponse lectrique du rsonateur. Ils peuvent ventuellement se propager aux autres
rsonateurs par couplage latral et provoquer une rponse lectrique parasite.
La simulation en trois dimensions est donc un moyen ncessaire pour prvoir le
comportement des rsonateurs BAW en dehors des conditions de validit de lapproximation
unidimensionnelle. Nous avons donc implment la rsolution du problme pizolectrique
dans notre outil de simulation lments-finis EMXD. Ce travail fait lobjet du chapitre
suivant.
CHAPITRE IV :
MODELISATION 3D DES RESONATEURS BAW
PAR LA METHODE DES ELEMENTS FINIS
Chapitre IV
145
I INTRODUCTION
La pizolectricit est un phnomne physique qui fait intervenir un couplage entre la
dformation des solides lastiques, rgis par lquation de Hooke, et llectromagntisme,
rgis par les quations de Maxwell. Le problme pizolectrique est donc modlis par un
systme dquations diffrentielles couples par le biais du tenseur pizolectrique
(cf.chapitre II). Bien que le modle physique du problme rel de la pizolectricit nous
fournisse les quations et les conditions aux limites, il est impossible den tirer une solution
analytique sans faire dapproximations sur le comportement physique des structures ou sur
leur nature gomtrique(modles 1D). Il est alors ncessaire de faire appel une analyse
numrique.
Les simulateurs commerciaux exploitant la mthode des lments finis sont souvent
mal adapts pour lanalyse de dispositifs couches minces pizolectriques. Le nombre
dlments et le type danalyse sont souvent trs restreints. Nous avons donc choisi de
dvelopper notre propre outil de simulation en utilisant la formulation gnrale, tablie par
Allik et Hughes en 1970 [44] pour des matriaux pizolectriques linaires, en dplacement
mcanique et potentiel lectrique. Cet outil doit permettre de modliser des gomtries de
circuits complexes, de considrer des matriaux dont les proprits ne sont pas uniformes et
dappliquer des conditions aux limites assez gnrales (Dirichlet, Neumann ou mixtes). Le
choix de la mthode par lments finis fut aussi motiv par lexpertise sur le dveloppement
doutils de simulation lectromagntique bass sur cette technique numrique et sur les
moyens informatiques que possde le laboratoire Xlim. La rsolution du problme
pizolectrique a t imse en oeuvre dans le logiciel de simulation lectromagntique EMXD.
Tout au long de cette tche, les rsultats de simulation obtenus grce ce logiciel ont t
compars avec ceux obtenus grce au logiciel commercial ANSYS Multiphysics. Ceci nous a
permis de nous guider et deffectuer les choix techniques ncessaires au dveloppement de
notre outil.
Une fois le logiciel valid, nous lavons utilis pour analyser un rsonateur FBAR. La
rponse lectrique obtenue nous a permis de mettre en vidence lexistence de modes
parasites mcaniques lectriquement coupls. Ces derniers dtriorent la rponse du
rsonateur et rendent son utilisation pour des applications doscillateurs et de filtres plus
Modlisation 3D des rsonateurs BAW par la mthode des lments finis
Chapitre IV
146
difficile. Notre outil de simulation 3D nous permet alors de dterminer leur origine, quelle
soit physique ou non, et dtudier des solutions pour viter leur couplage.
Les systmes RF sont trs sensibles au bruit. Leurs performances en termes de
slectivit et de stabilit en frquence en dpendent directement. La conception de rsonateurs
possdant une rponse exempte de modes parasites est donc ncessaire, notamment pour le
dveloppement doscillateurs faible bruit de phase
Nous avons tudi deux solutions pour la suppression des modes parasites. La
premire solution, la plus frquemment utilise, utilise la technique dapodisation. Cette
dernire consiste concevoir une lectrode suprieure quadrilatrale, mais dont aucun ct
nest parallle. Ceci permet de supprimer les conditions de rsonance des modes transverses
en vitant les interfrences constructives qui crent londe stationnaire. Cependant, cette
technique nest parfois pas suffisante pour une structure donne. Il faut donc envisager une
autre solution.
La deuxime solution consiste concevoir et optimiser un anneau doxyde ou de
mtal que lon dpose sur le bord de llectrode suprieure du rsonateur. Ce systme permet
de dcoupler les modes anharmoniques transverses du mode fondamental dpaisseur en
adaptant les conditions limites sur les bords de llectrode suprieure. Cette technique
ncessite une tape de fabrication supplmentaire et ne peut tre utilise dans des structures
plusieurs rsonateurs.
De manire complter ltude des rsonateurs BAW haute frquence, nous avons
simul, grce EMXD, une structure SMR autour de 2 GHz. Nous avons alors compar les
rsultats de simulation avec ceux issus de la mesure de ce dispositif fabriqu. Nous avons
obtenu une bonne concordance au niveau de la rponse lectrique entre la simulation et la
mesure et nous avons pu observer que cette structure prsente des modes parasites faiblement
coupls. Le trac des champs de dplacement mcanique grce EMXD nous a permis
dexpliquer ce phnomne. La technique dapodisation a t applique sur ce rsonateur et a
montr une rduction des modes parasites tant sur la structure simule que sur la structure
mesure. Nanmoins, lapodisation considre pour la simulation est moins efficace que celle
utilise pour la structure mesure.
Chapitre IV
147
II LA METHODE DES ELEMENTS FINIS

La mthode des lments finis trouve son origine dans lanalyse mcanique des
structures. Le premier traitement numrique fut propos en 1943 par Richard COURANT
pour la rsolution du problme de torsion. Elle a ensuite t applique presque tous les
domaines des sciences qui font appel des modles mathmatiques bass sur des systmes
dquations aux drives partielles possdant des conditions aux limites. Cette mthode
repose sur des fondements mathmatiques trs anciens, qualifis de principes variationnels ou
principes de Hamilton, comme, par exemple en mcanique, le principe de Maupertuis ou
principe de moindre action.
Malgr un cot de calcul important, la mthode des lments finis a tendance
simposer dans le monde du calcul scientifique moderne. Laugmentation de la puissance des
ordinateurs actuels favorise son expansion par rapport des techniques de simulation plus
rapides, mais qui reposent sur des approximations et des simplifications plus restrictives
(mthode des diffrences finies ou mthode des moments). De plus, sa formulation
mathmatique (formulation variationnelle) trs gnrale offre un cadre adquat pour dfinir
des solutions trs irrgulires et lui confre une flexibilit permettant de traiter des problmes
qui impliquent des structures complexes utilisant des matriaux inhomognes.
Lobjectif de cette mthode est de fournir une solution numrique (approche)
lorsque aucune solution analytique ne peut tre considre sans approximation sur le
comportement physique des structures. Pour ce faire, elle fait dabord appel une formulation
variationnelle du systme mathmatique (formulation faible) qui fait intervenir la solution par
le biais dune intgrale sur un domaine. La dcomposition de cette intgrale en une somme
dintgrales sur un ensemble de sous domaines (maillage) constitue le point de dpart de la
mthode des lments finis. Ceci quivaut remplacer lespace de Hilbert V, de dimension
infinie et sur lequel est pos la formulation variationnelle, par un sous-espace Vh de dimension
finie. Plus Vh possde de sous domaines, plus il se rapproche du domaine V et plus la solution
numrique est proche de la solution exacte.
Nous nexplicitons pas ici le dtail de chaque tape de la mthode. Seuls les points sur
lesquels nous nous sommes penchs pour comprendre les rsultats incorrects obtenus au cours
du dveloppement sont dtaills. Ainsi, laccent est mis sur la formulation variationnelle
utilise, la forme et le type des lments et la mthode de rsolution.
Chapitre IV
148
Les grandes lignes de la rsolution dun problme physique par la mthode des
lments finis sont :
1. Lanalyse mathmatique du problme de dpart mis sous forme dune quation ou dun
systme dquations diffrentielles satisfaire en tout point dun domaine !, avec
des conditions aux limites sur les bords "!.
2. La construction de la formulation variationnelle et ltude des proprits de
convergence, dexistence et dunicit de la solution.
3. Le dessin de la structure et la cration du maillage par division de ! en sous domaines
(mailles).
4. La rcriture du problme sur un lment, cest--dire la construction de lespace de
dimension finie et le choix des fonctions de base et dinterpolation. Un lment fini est
donc constitu dune maille munie dun espace de dimension finie (une base).
5. Lassemblage des contributions de tous les lments de la structure et la formulation
du systme rsoudre en tenant compte des conditions aux limites.
6. La rsolution paramtre en frquence du problme discret.
7. La construction de la solution numrique partir des valeurs trouves sur chaque
lment (exploitation).
8. La prsentation des rsultats (post-traitement).
Lanalyse mathmatique du problme de dpart (tape 1) a t effectue au chapitre

II. Le problme pizolectrique est considr dans toute la structure, mais dans les matriaux
qui ne possdent pas de tenseur pizolectrique la taille du problme est rduite en se
ramenant un cas purement acoustique ou lectrique. Pour les tapes 3 et 8, de maillage et de
prsentation des rsultats, nous utilisons le logiciel (Gmsh). Ce dernier est un gnrateur
automatique de maillage lments finis 3D (mailleur) possdant une interface graphique de
dessin et de post-traitement.
La formulation variationnelle (tape 2) a ncessit une attention particulire. Nous
allons donc lexpliciter dans ce qui suit. Le choix du type des lments (tape 4) a aussi t
un sujet de rflexion concernant la prcision de la solution numrique . Les tapes 5, 6 et 7
tait dj implante dans EMXD et nont pas t modifies. Nanmoins, la technique de
paramtrisation en frquence utilise dans la rsolution du problme mrite dtre explique.
Chapitre IV
II.1
149
MODELISATION MATHEMATIQUE ET FORMULATION VARIATIONELLE

La modlisation mathmatique dun problme physique sexprime sous la forme :
A (u ) = f
(IV.1)
o u reprsente les inconnues du problme, A un oprateur aux drives partielles et f

les donnes du problme (conditions limites et excitations).
Pour tudier mathmatiquement ce problme, on utilise une formulation variationnelle
(formulation faible ou duale) du problme (IV.1) qui permet de rcrire les quations de
dpart sous une forme quivalente en utilisant le formalisme et les proprits des
distributions. On exprime alors toutes les oprations sur les distributions en fonction
doprations sur les intgrales prises contre des fonctions tests (fonctions indfiniment
drivables et support compact). La solution u peut donc tre trs irrgulire, mais doit tre
intgrable. Lide principale de la formulation variationnelle est de montrer lexistence et
lunicit de la solution. En analyse fonctionnelle, le thorme de Lax-Milgram nous assure de
lexistence et de lunicit de u si lespace V dans lequel on cherche la solution et dans lequel
on prend les fonctions tests est un espace de Hilbert.
Sous ces conditions, le problme (IV.1) scrit de la faon suivante :
# Trouver u !V, satisfaisant les conditions limites et telle que :
$
%a ( u, v ) = l ( v ) , "v !V
(IV.2)
o V est lespace de Hilbert des fonctions admissibles, a(.,.) la forme bilinaire

associe loprateur A et l(.) la forme linaire associe f.
La mthode des lments finis consiste alors construire un espace dapproximation
interne du problme (IV.2) en remplaant lespace de Hilbert V de dimension infinie par un
sous espace Vh de dimension finie et dont la dfinition est base sur la notion gomtrique de
maillage du domaine !.
On cherche alors la solution approche du problme :
%# Trouver uh !Vh , satisfaisant les conditions limites et telle que :

$
&%a ( uh , vh ) = l ( vh ) , "vh !Vh
(IV.3)
Chapitre IV
150
La formulation variationnelle est donc le point de dpart dune rsolution par la

mthode des lments finis. Elle joue un rle prpondrant dans la validit de la solution
recherche. Lapproximation interne est aussi trs importante. En effet, plus la dimension de
lespace Vh sera grande, plus il se rapprochera de lespace V et plus la solution se rapprochera
de la solution exacte.
Au dpart, le logiciel EMXD a t dvelopp pour la rsolution de problmes
lectromagntiques. Il adoptait alors une formulation variationnelle en champ lectrique ou
magntique. Nous avons donc cherch dans un premier temps adapter cette formulation au
problme pizolectrique.
II.1.1
FORMULATION EN CHAMP ELECTRIQUE ET DEPLACEMENT MECANIQUE

La formulation variationnelle en champ lectrique E permet de rsoudre les quations
de Maxwell qui rgissent les phnomnes lectromagntiques. Le champ lectrique et

magntique tant coupls, il est possible de dterminer les valeurs de H en fonction des
valeurs de E calcules. Les quations de Maxwell en rgime harmonique sont :
rotE = ! j"#
, rotH = j" D + J , DivD = $E
(IV.4)
o est le tenseur de permabilit, D le vecteur dplacement lectrique, J le vecteur

densit de courant et # E la densit de charges lectriques. Les grandeurs tensorielles sont
notes en caractres gras, ! et ! reprsentent le produit tensoriel contract une ou deux fois
(cf. Annexe I).
La formulation en champ lectrique E scrit en fonction de D comme :
rot !1 " rotE ! # 2 D = ! j# J
(IV.5)
Lquation de llastodynamique (II.5) scrit en rgime harmonique :
!DivT ! "# 2u = f
(IV.6)
Les quations constitutives de la pizolectricit (II.16) scrivent :
# T = c!S(u) - E!e
%
$
%& D = e!S(u) + " !E
(IV.7)
Chapitre IV
151
Avec le tenseur de dformation S(u) qui sexprime sous la forme :

S(u) =
1
grad u + grad T u
2
o :
gradT est le gradient transpos
(IV.8)
Les quations couples rsoudre sont donc :
& rot !1 " rotE ! # 2 e"S(u) + $ "E = ! j# J

(
'
(
!Div c"S(u) - E"e ! %# 2u = f
)
(IV.9)
Lcriture variationnelle du problme consiste lexprimer dans le cadre

mathmatique des distributions en lappliquant contre des fonctions tests. Pour le calcul de la
divergence de la contrainte T , on utilise des fonctions tests de type dplacement V. Pour le
champ lectrique E, elles sont de type champ $. On obtient alors :
0 ( rot! " #1 " rotE # & 2 ! " ' "E * # & 2 ! " e"S(u) = # j& J " !
%$
%$
%,$
+
2 ) %$
1
2 #& 2 % V " -u + (& 2 % S(V)" c "S(u) # & 2 % E"e "S(V) * = % f " V
.)
$
$
$
,$
+/
3
(IV.10)
Lorsque le maillage du domaine ! est effectu, ce problme peut se mettre sous la

forme matricielle suivante :
' $ X E !1 ' $ " j# J E !1 '
"# 2CE ! M
=
)
2
4
# A' M ! M " # B' M ! M ( &% X M !1 )( &% fM !1 )(
$ AE ! E " # 2 BE ! E
&
2
% "# C ' M ! E
(IV.11)
Cette formulation a t programme dans EMXD. Nanmoins, aucun rsultat correct

na pu tre obtenu cause de linstabilit numrique quelle engendre. En effet, lorsque la
longueur donde lectrique %E devient trop grande par rapport aux dimensions moyennes des
artes des lments L, on perd linformation de propagation. Si lon exprime le premier terme
de la matrice (IV.11) sur un lment, on a :
K
!1
A
E"E
L !# K
2
B
E"E
2
&
&
L) B )
A
L = L ( K E " E ! ( 2$ + K E " E +
' %E *
'
*
3
!1
(IV.12)
On remarque que le rapport L/%E joue un rle trs important. Sil tend vers 0, le terme
qui correspond la reprsentation de la relation : DivD = !E est perdu.
Chapitre IV
152
Face ce problme, nous avons choisi dutiliser une autre formulation variationnelle
du problme exprim dans lapproximation quasi-statique. Cette formulation en potentiel
lectrique et dplacement mcanique est classiquement utilise dans les logiciels
commerciaux pour rsoudre le problme de la pizolectricit tridimensionnelle en basse
frquence (capteurs, transducteurs). Linconvnient de cette mthode est quelle ne permet
pas de simuler dventuels effets de propagation du champ lectrique et de tenir compte des
proprits magntiques de certains matriaux. Sous ces conditions, la formulation en champ
pourra ventuellement trouver son utilit.
II.1.2
FORMULATION EN POTENTIEL ELECTRIQUE ET DEPLACEMENT MECANIQUE

Dans la formulation en potentiel lectrique et dplacement mcanique, on considre le
champ lectrique statique. Il drive alors dun potentiel scalaire & . On ne considre alors les
quations de Maxwell que du point de vue lectrostatique. Ceci rduit considrablement la
dimension du calcul, mais constitue aussi une approximation supplmentaire. Le champ
lectrique et le dplacement lectrique vrifient les relations suivantes :
E = ! grad "
et
DivD = #E
(IV.13)
Considrons un domaine ! (Figure IV-1) occup par une structure pizolectrique,

soumis laction de forces de volume de densit f! et de forces de surface de densit f "!
sexerant sur la partie "!0 de la frontire "!. On dfinit aussi une partie "!1 de la frontire
"! vrifiant !" = !"0 # !"1 et sur laquelle il est possible dimposer une valeur de
dplacement mcanique. De plus, le milieu est soumis des charges lectriques de densit #E
sappliquant sur la partie "!exc de "!.
Figure IV-1 :
Prsentation du problme pizolectrique
Chapitre IV
153
Lquation de llastodynamique (II.5) scrit alors en rgime harmonique :

!DivT ! "# 2u = f$ + f%$0
(IV.14)
Les quations constitutives de la pizolectricit (II.16) scrivent :
# T = c!S(u) - E!e
%
$
%& D = e!S(u) + " !E
(IV.15)
Avec le tenseur de dformation S(u) qui sexprime sous la forme :

S(u) =
1
grad u + grad T u
2
(IV.16)
Les quations couples rsoudre sont donc :

&!DivT ! "# 2u = f$ + f%$0
'
DivD = "E
(
(IV.17)
Comme la dformation S et le champ lectrique E sont exprims en fonction

doprations sur loprateur gradient (IV.11 et IV.16) et comme loprateur gradient est le
dual de loprateur divergence, on calcule la divergence du tenseur de contrainte T en utilisant
des fonctions tests de type dplacement mcanique V et la divergence du champ de
dplacement lectrique D, en utilisant des fonctions tests de type potentiel lectrique $ . On
crit alors :
DivT,V = ! $ T"S(V) et
DivD, % =
D "E(% )
(IV.18)
Lcriture variationnelle du systme (IV.17) est alors :

) T!S(V) $ %& 2 u ! V =
#"
+ #"
*
+
#" D !E(() =
,
#
#
"
f" ! V + #
'"exc
'"0
f'"0 ! V
(IV.19)
%E .(
En remplaant T et D par les quations constitutives (IV.15), on obtient finalement :
+ S(V)! c !S(u) " E(# )! e !S(V) " &' 2 u!V =

%$
%$
- %$
,
" % E())! e !S(u) " % E())! * !E(# ) =
$
$
.
f$ !V + %
&E .)
($exc
($0
f($0 !V
(IV.20)
Chapitre IV
154
Le problme que nous cherchons rsoudre doit nous permettre de trouver une
solution la forme variationnelle (IV.20). Nous cherchons donc un champ de dplacement
mcanique (grandeur vectorielle) et un potentiel lectrique (grandeur scalaire). Cette solution
doit tre physique , cest--dire continue sur lensemble de la structure et dnergie finie.
Elle doit donc appartenir lespace des fonctions continues C 0 et de carr intgrable L 2.
Lespace de Hilbert H 1 prsente ces deux proprits. La formulation variationnelle (IV.20)
possde alors une solution unique si lon choisit aussi les fonctions tests dans H1. Nous avons
donc choisi (comme la majorit des autres logiciels lments finis) dutiliser des fonctions
polynmes de Lagrange.
Un lment fini est une forme gomtrique qui possde une base (espace de dimension
finie). La forme gomtrique permet de diviser spatialement la structure analyser et lespace
de dimension finie sert rduire la dimension du problme. Dans notre cas, les lments finis
sont dordre 2 puisquils possdent une base compose de polynmes de Lagrange de degr 2.
On parle alors dlments de Lagrange dordre 2 ou dlments P2.
II.2
CHOIX DU TYPE DELEMENT

La formulation variationnelle (IV.20) a t implmente dans le logiciel EMXD. Elle a
t valide en analysant la structure de la Figure IV-2 et en comparant les rsultats avec ceux
obtenus grce au logiciel commercial ANSYS Multiphysics (Figure IV-4).
Figure IV-2 :
Validation dEMXD grce lanalyse dun rsonateur FBAR
Chapitre IV
155
La structure de la Figure IV-2 est un rsonateur FBAR constitu dune couche

dOxyde de Zinc (ZnO) de 9,5 m dpaisseur, de deux lectrodes en Aluminium (Al) de 200
nm et dune membrane en Silicium (Si) de 7 m. Les bords de la structure sont naturellement
libres, un potentiel constant est appliqu sur la surface de llectrode suprieure et llectrode
infrieure est porte la masse (0V). Dans le logiciel ANSYS Multiphysics, lexcitation
lectrique impose un potentiel de 1V sur llectrode suprieure. Dans notre logiciel EMXD,
nous utilisons la notion daccs localis.
Ce type dexcitation est particulirement pratique pour raliser la connexion dun
systme tudi par la mthode des lments finis avec un circuit extrieur. Il permet de
dcrire la relation entre lexpression tension-courant et la valeur du champ lectrique (relation
entre limpdance lectrique et les paramtres S). Pour cela, on reprsente laccs par un
conducteur linique parcouru par un courant constant I 0 et possdant une diffrence de
potentiel V0 ses bornes. Ces grandeurs lectriques vrifient les relations :
! R0 I 0 = V0
#
"1
#$ 2 V0 I 0 = 1
(IV.21)
o R0 reprsente limpdance de normalisation (gnralement : R0=50!)

En utilisant lquation de conservation de la charge : DivJ + j!"E = 0 , on exprime
directement #E en fonction de lexcitation lectrique I0 dans la formulation variationnelle
(IV.20). Linterfaage avec un circuit extrieur est donc facilit.
Ltape de maillage de la structure consiste recouvrir, le plus fidlement possible, le
domaine laide de formes gomtriques lmentaires (Figure IV-3). Ces dernires peuvent
tre des ttradres (quatre faces triangulaires), des pentadres (deux faces triangulaires et trois
faces quadrilatrales) ou des hexadres (six faces quadrilatrales). De manire pouvoir
comparer les rsultats obtenus, grce aux deux logiciels ANSYS et EMXD, nous avons utilis
la mme taille darte et le mme ordre pour les lments du maillage. Cependant, la forme
gomtrique tait diffrente. En effet, EMXD ne permettait que de considrer des lments
finis ttradriques dordre 2. Pour des structures faisant intervenir des couches minces, nous
avons remarqu que le choix de la forme des lments avait son importance.
Chapitre IV
156
Ttradre
Figure IV-3 :
Pentadre
Hexadre
lments finis dordre 2
Nous avons trac sur la Figure IV-4 les rponses lectriques du rsonateur BAW de la
Figure IV-2 obtenues avec des hexadres pizolectriques dans ANSYS (SOLID226) et des
ttradres puis des pentadres dans EMXD.
Figure IV-4 :
Rponses du rsonateur BAW de la Figure IV-2
On peut voir que, pour le mode fondamental ('225 MHz), la rponse de notre logiciel
concide avec celle dANSYS. Cependant, on remarque quil existe un dcalage frquentiel
pour les autres modes. La diminution de la taille de la maille ne nous a pas permis de palier ce
problme. Nous avons alors dvelopp et utilis des lments finis pentadriques. Ils nous ont
permis de rduire le dcalage mais pas de le supprimer. Finalement, nous avons choisi
dimplanter les hexadres dans notre outil de simulation.
Chapitre IV
157
Sur la Figure IV-5, on remarque que les rponses obtenues avec les deux logiciels
ANSYS et EMXD concident parfaitement pour un mme maillage utilisant des hexadres
dordre 2.
Figure IV-5 :
Rponses du rsonateur BAW de la Figure IV-2
Lexplication du dcalage frquentiel sur les modes suprieurs vient du fait que les
artes dun ttradre ne sont pas orthogonales aux sommets. Dans un pentadre, seules les
artes des faces quadrilatrales sont orthogonales, alors que dans un hexadre, elles le sont
toutes. Ceci un impact sur la rponse de la structure puisque lutilisation des ttradres
ajoute une certaine anisotropie lexpression tensorielle des caractristiques mcaniques des
matriaux. De plus, lutilisation dhexadres permet dobtenir un maillage bien plus simple et
plus rgulier pour des structures constitues de couches dont les dimensions latrales sont trs
grandes devant les paisseurs.
Nous avons donc russi obtenir des rsultats qui concident avec ceux dANSYS.
Ceci nous a permis de valider notre outil de simulation 3D pour la rsolution du problme
pizolectrique. Cependant, la rsolution avec EMXD est bien plus rapide grce la
technique de paramtrisation en frquence. Pour lanalyse de la structure de la Figure IV-2 et
pour la mme configuration matrielle, le temps de calcul ncessaire au logiciel ANSYS est
de 33 secondes par point de frquence (soit 3h40 pour 400 points) et de 1 minute 14 secondes
pour EMXD pour 400 points. Le rapport de lordre de 250 sur le temps de calcul montre que
la technique de paramtrisation en frquence mrite quelques prcisions.
Chapitre IV
II.3
158
PARAMETRISATION EN FREQUENCE [45]

Le problme (IV.20) peut se mettre sous la forme gnrale du systme linaire
suivant :
A ( f ) X = B ( f ) avec :
f ![ fmin , fmax ] et
f0 =
fmax " fmin

2
(IV.22)
Lapproche classique consiste rsoudre ce systme pour chaque point de frquence.

Le temps ncessaire linversion de la matrice A est donc multipli par le nombre de points
demands. La mthode de la paramtrisation en frquence permet de neffectuer cette
factorisation quune seule fois pour la valeur centrale f0 de la bande de frquence considre.
La solution est ensuite dveloppe en srie de Taylor puis approche grce son expression
en approximant de Pad (Figure IV-6).
Figure IV-6 :
Rsolution par une approche classique et par la technique de la

paramtrisation en frquence
Le principe mathmatique sur lequel est base la paramtrisation en frquence fait

intervenir les drives dordre lev de la solution (HODM : High Order Derivative Method).
Ces drives sont obtenues par drivations successives du systme (IV.22). En effet, on peut
crire (le chiffre entre parenthse reprsente lordre de la drive) :
A(1) X + AX (1) = B(1)
soit
AX (1) = B(1) ! A(1) X
(IV.23)
De manire gnrale :
AX ( n ) = B( n ) ! " Cni A(i ) X ( n !i )

i =1
(IV.24)
Chapitre IV
159
Lapproche classique consisterait construire la srie de Taylor de la solution X grce au

calcul de ses drives successives. Or, X peut prsenter des singularits (ples) pour
lesquelles la srie de Taylor ne converge pas. On utilise donc un dveloppement en
approximant de Pad. La solution X se prsente alors sous la forme dun quotient de
polynmes en f o les frquences de rsonances fr sont les racines de Q(f) et les vecteurs
propres (r correspondants sont les valeurs de P(f) ces frquences. Le rayon de convergence
du dveloppement de Pad est limit par la distance entre la frquence centrale et le premier
ple non inclus dans Q(f).
m
P( f )
X( f ) =
=
Q( f )
!a
k=0
fk
(IV.25)
1 + ! bk f
k=0
Le droulement de cette mthode est le suivant :

-
Rsolution du systme f0.
Calcul des drives dordre levs de A.
Calcul en oscillations libres A(fr).(r=0 pour dterminer la base modale (fr, (r).
Calcul de lexcitation B et projection sur la base modale.
Calcul de X(f).
Lintrt de cette mthode est de fournir, avec une seule factorisation de matrice, une
solution prcise et convergente mme en prsence de singularit. Cette solution lavantage
de pouvoir tre rutilise pour nimporte quelle excitation et pour nimporte quel intervalle de
frquence inclus dans lintervalle du calcul de dpart.
En conclusion, nous avons dvelopp un outil de simulation numrique capable

danalyser des structures faisant intervenir des matriaux pizolectriques. La modlisation du
problme utilise une formulation variationnelle en potentiel lectrique et dplacement
mcanique. Lemploi dune technique particulire de paramtrisation en frquence pour la
rsolution nous permet dobtenir des temps de calcul bien plus courts quavec un logiciel
commercial comme ANSYS Multiphysics. Cet outil a t mis profit pour tudier le
comportement lectrique des rsonateurs BAW.
Chapitre IV
160
III ANALYSE DUN RESONATEUR SUSPENDU (FBAR)

Nous avons appliqu la mthode des lments finis, grce notre outil de simulation
3D EMXD, lanalyse du rsonateur suspendu de la Figure IV-7. Cette structure est issue de
la littrature [46]. La dtermination de sa rponse lectrique avec EMXD et la comparaison
avec les rsultats dj publis nous ont permis de valider notre outil de simulation et de mettre
en vidence ce que les modles 1D ngligent cest--dire le dplacement mcanique dans les
dimensions latrales et surtout lapparition de modes parasites dans une structure de
dimensions finies.
III.1
DESCRIPTION DE LA STRUCTURE
La structure du rsonateur suspendu de la figure suivante est similaire celle de la
Figure IV-2, hormis les dimensions latrales.
Figure IV-7 :
Rsonateur FBAR modlis
Nous rappelons ci-aprs ces caractristiques. Le rsonateur lmentaire est compos

dune couche dOxyde de Zinc (ZnO) de 9,5 m dpaisseur et de deux lectrodes en
Aluminium (Al) de 200 nm. Il est dpos sur une membrane en Silicium (Si) de 7 m.
Llectrode suprieure est un carr de 500 m de ct et les autres couches sont des carrs de
1500 m de ct. On retrouve la partie active, dfinie pour les modles 1D, sous la surface de
llectrode suprieure.
Chapitre IV
161
Les conditions limites sont :

- Sur les bords de la structure, le dplacement mcanique est nul (ux=uy= uz =0).
- Sur les lectrodes, un potentiel constant est appliqu. Dans la publication de rfrence
[46], lexcitation lectrique impose un potentiel de 1V sur llectrode suprieure et un
potentiel de 0V sur llectrode infrieure. Dans notre logiciel EMXD, nous utilisons
un accs localis plac entre les deux lectrodes et dont la rfrence de potentiel (0V)
est prise sur llectrode infrieure.
Le maillage de la structure doit tre relativement fin suivant lpaisseur pour

reprsenter correctement le dplacement mcanique du mode fondamental qui sinstalle en
%L/2 (%L=longueur donde longitudinale) et celui du premier mode harmonique qui sinstalle
en 3% L/2. Nous avons donc choisi de mailler par trois lments lpaisseur de la couche
pizolectrique et par deux, celle de la membrane. Les lectrodes ne sont mailles que par une
couche dlments puisquelles sont constitues de matriaux assez durs. Dans les dimensions
latrales, nous faisons lhypothse quune maille de 50 m, soit un total de 10x10 mailles sur
llectrode suprieure (Figure IV-8), est suffisante pour reprsenter les modes latraux.
Figure IV-8 :
Maillage du rsonateur FBAR modlis
Chapitre IV
III.2
162
ANALYSE DE LA REPONSE ELECTRIQUE

Lanalyse de la structure nous a fourni la rponse en frquence de la Figure IV-9.
Figure IV-9 :
Rponse lectrique du rsonateur FBAR modlis
On retrouve bien lallure de la rponse publie dans [46]. Les diffrences notables sur
les niveaux dadmittance et sur le dcalage frquentiel viennent du fait que nous navons pas
utilis exactement les mmes caractristiques mcaniques et lectriques de matriaux. En
effet, ces derniers ntant pas donns dans la publication [46], nous avons d utiliser des
valeurs issues de la littrature. Le dcalage frquentiel vient des constantes de rigidit et les
diffrences de niveaux, des pertes mcaniques considres.
En plus de la rsonance et de lantirsonance du mode fondamental, cette rponse
lectrique prsente certaines singularits. Que ce soit pour des applications doscillateurs ou
de filtres, ces dernires rendent difficile lutilisation du rsonateur. Elles correspondent des
modes qui seront considrs comme parasites. Certains modes prsentent une ralit physique
et dautres, non. Il est donc ncessaire didentifier leur origine physique pour les supprimer de
la rponse lectrique.
Chapitre IV
III.3
163
VISUALISATION ET ANALYSE DES MODES PARASITES

De manire identifier la provenance des modes parasites prsents sur la rponse
lectrique du rsonateur, nous avons observ le dplacement mcanique sur lensemble de la

structure aux frquences prsentant une singularit. Nous avons pu identifier trois types de
modes diffrents reprsents sur la Figure IV-10. Nous avons reprsent le dplacement
mcanique la surface du rsonateur, au niveau de llectrode suprieure.
Mode dpaisseur TE10 (f1=221.38MHz)
Mode de cavit (f2=226.6MHz)
Modes de plaque TE14 et TE12 (f3=224.32MHz et f4=225.2MHz)

Figure IV-10 :
Vue de dessus des diffrents types de modes prsents sur la rponse

lectrique du rsonateur FBAR modlis
Chapitre IV
164
Le premier mode est le mode dpaisseur TE10 (Thickness Extensional Mode). Le

premier indice (m=1) reprsente le fait quil sinstalle en %L/2 sur lpaisseur de la structure
(Figure IV-11). Il correspond au mode fondamental que nous cherchons favoriser car il
permet dobtenir un coefficient de couplage lectromcanique effectif maximum. Suivant les
dimensions latrales, ce mode sinstalle sous llectrode suprieure par couplage lectriquemcanique. Cependant, il doit aussi satisfaire les conditions de continuit du dplacement
mcanique sur les bords de llectrode, l o le champ lectrique prsente une discontinuit.
Au milieu de llectrode suprieure, ce mode est donc quasi-longitudinal et plus on se
rapproche du bord de la partie active, plus sa composante transversale devient importante.
Physiquement, on peut dire que la partie non mtallise du rsonateur agit comme une charge
sur les bords de llectrode et entrave son dplacement suivant z. Le mode TE10 est donc la
somme dune composante acoustique longitudinale issue du couplage direct avec le champ
lectrique et dune composante transversale induite par la conversion de modes sur les bords
de llectrode.
Figure IV-11 :
Mode TE10 suivant lpaisseur du rsonateur dans la zone active
Le deuxime mode est un mode de cavit . Il na pas de ralit physique puisquil

est d au calcul. En effet, la troncature du domaine dtude lors de la simulation par la
mthode des lments finis et lapplication de conditions limites fortes (composante normale
du dplacement mcanique nulle) entranent lapparition dune onde stationnaire sur toute la
largeur de la structure. Ces modes sont facilement identifiables puisque leurs frquences de
rsonance varient lorsque lon change les dimensions latrales du rsonateur.
Chapitre IV
165
Pour les viter, nous pouvons utiliser des conditions aux limites absorbantes sur les
bords de la structure ou considrer des couches acoustiques PML (Perfectly Matched Layers).
Ces dernires sont en cours de dveloppement au LPMO de Besanon.
Les deux modes reprsents en bas de la Figure IV-10, font partie des modes de
plaques nots TEmn. Ce sont des modes anharmoniques du mode TE10 cest--dire quils
possdent une rsonance en m
!L
!
suivant lpaisseur (Figure IV-12) et en n T (%T=longueur
2
2
donde transverse) dans les dimensions latrales (Figure IV-19). Ils sinstallent latralement,
par rflexion sur les bords de llectrode, comme une onde stationnaire transverse. Ces ondes
transversales correspondent des ondes de Lamb pour les rsonateurs FBAR et des ondes
de Rayleigh dans les structures SMR. Ici aussi, il faut bien distinguer laspect direct du
dplacement mcanique, suivant lpaisseur, provenant du couplage lectrique-mcanique et
laspect induit du mode de Lamb qui sinstalle par rflexion sur les bords de llectrode
suprieure.
Figure IV-12 :
Mode TE1n suivant lpaisseur du rsonateur au bord de llectrode

suprieure
Ces modes ne peuvent tre que des harmoniques impairs du mode TE10 car la charge
lectrique totale de llectrode suprieure pour des harmoniques pairs est nulle. Ils ne sont
donc pas coupls par une excitation lectrique. Ils possdent une origine physique due la
discontinuit sur les bords de llectrode suprieure. Cest donc du ct de la forme de cette
dernire quil faut chercher des solutions pour supprimer leur impact sur la qualit de la
rponse lectrique du rsonateur.
Chapitre IV
166
IV OPTIMISATION DE LA QUALITE DE LA REPONSE ELECTRIQUE

La qualit de la rponse lectrique du rsonateur joue un rle prpondrant sur les
performances finales des systmes qui les utilisent. Un bon coefficient de couplage
lectromcanique effectif keff2, un fort coefficient de qualit Q (pertes minimum) et labsence
de modes parasites sont les caractristiques idales pour concevoir un systme performant. En
effet, le coefficient de couplage keff2 fixe directement la bande passante des filtres passe bande
rsonateurs BAW, le coefficient de qualit Q influence la slectivit des oscillateurs et des
filtres et les modes parasites introduisent des ondulations sur la phase du rsonateur. Enfin, le
niveau des pertes dinsertions dpend de tous ces paramtres la fois. Lutilisation des
rsonateurs BAW pour des oscillateurs faible bruit de phase est donc, par certains aspects,
un dfi. Notre outil de simulation va nous permettre dbaucher quelques solutions pour
tudier la suppression des modes parasites de la rponse lectrique.
IV.1
OSCILLATEUR ET BRUIT DE PHASE

Le fonctionnement des frquences relativement leves des rsonateurs BAW
permet denvisager leur utilisation dans des circuits doscillateurs (Figure I-17). Ils doivent
permettre de saffranchir du circuit de multiplication de frquence qui dgrade les
performances de ces derniers en termes de consommation lectrique et de bruit de phase.
Cependant, pour que cela soit possible, il est ncessaire de dvelopper un rsonateur BAW
fort coefficient de qualit et exempt de modes parasites.
IV.1.1
BRUIT DE PHASE
Comme tout systme analogique, les oscillateurs sont sensibles au bruit. Ce dernier
provient soit des organes internes du circuit, soit du milieu extrieur (alimentation) et se
manifeste par une variation de la frquence ou de lamplitude du signal de sortie.
Gnralement, la modulation damplitude est ngligeable par rapport la dviation en
frquence. Cette variation est appele bruit de phase car elle peut tre reprsente par un
terme de phase dans lexpression du signal de sortie. Leffet de cette perturbation est
llargissement de la raie spectrale de loscillateur. Pour un signal sinusodal priodique, on
peut crire : x(t) = A cos [! ct + "n (t)] o ( n(t) reprsente la fonction de rpartition du bruit
alatoire sur une priode. Le spectre de (n(t) est donc translat autour de )c (Figure IV-13b).
Chapitre IV
167
a)
Figure IV-13 :
b)
Spectre du signal de sortie dun oscillateur idal et dun oscillateur

soumis au bruit de phase
Pour quantifier ce bruit, on considre une bande unitaire (1 Hz), un offset *) de )c,
sur laquelle on calcule la puissance du bruit normalise par rapport la puissance moyenne de
la porteuse )c.
IV.1.2
IMPACT DU BRUIT DE PHASE DANS LES CIRCUITS RF

Pour bien comprendre limpact du bruit de phase dans les circuits RF, considrons le
schma de lmetteur-rcepteur de la Figure IV-14.
Figure IV-14 :
metteur-rcepteur conversion directe
Chapitre IV
168
Loscillateur local dlivre le signal de la porteuse en mission et en rception, il

transpose le signal reu en bande de base. Le bruit de phase agit donc directement sur la
conversion frquentielle des signaux mis et reus.
Dans le cas dune rception idale, on peut voir (Figure IV-15a) que le signal est
translat en bande de base par mixage avec le signal de loscillateur local et sans dformation
de spectre. Lorsque lOL prsente un bruit de phase, le spectre translat devient aussi bruit
(Figure IV-15b). De plus, le signal reu est souvent accompagn par des canaux adjacents
(signal bloqueur). Le rsultat de la conversion en bande de base est alors un chevauchement
des spectres par mixage rciproque . On observe donc une dgradation de la qualit du
signal recherch.
a)
Figure IV-15 :
b)
Conversion en bande de base en rception idale et avec bruit de phase
Le bruit de phase de loscillateur local a aussi un impact ngatif sur les informations
transmises en modulation de phase. Par exemple, la conversion en bande de base dun signal
modul en QPSK (Quadrature Phase Shift Keying) par un oscillateur local bruit donne la
constellation de la Figure IV-16a. Le taux derreurs binaires est alors plus lev. En
transmission (Figure IV-16b), le bruit de phase du signal () 1) dun metteur proche peut
noyer le signal dun metteur lointain ()2).
Chapitre IV
169
a)
Figure IV-16 :
b)
Conversion en bande de base en rception QPSK et
impact du bruit de phase en mission
On voit donc que le bruit de phase dgrade normment les performances des
systmes RF. Il est donc ncessaire de concevoir des rsonateurs BAW possdant un fort
coefficient de qualit et une rponse lectrique sans modes parasites.
IV.2
OPTIMISATION DU COEFFICIENT DE QUALITE Q

Pour minimiser les pertes et obtenir une valeur de coefficient de qualit Q la plus
leve possible, il est ncessaire de confiner lnergie mcanique dans la partie active du
rsonateur (Figure IV-7). De cette manire, le dplacement mcanique contribuera au champ
lectrique total sous llectrode suprieure et donc la charge lectrique totale du rsonateur.
Toute lnergie qui schappe de la partie active est perdue et peut mme perturber les
rsonateurs voisins. Il faut donc limiter cette fuite en se plaant dans des conditions
particulires.
Considrons la structure de la Figure IV-7. Elle est constitue dune partie active A
dlimite par llectrode suprieure et dune partie passive B. La partie A peut tre considre
comme mcaniquement charge par llectrode de 200 nm dpaisseur. Il est possible de
tracer la courbe de dispersion frquentielle de la composante transversale du mode TE1 pour
les deux parties A et B (Figure IV-17) [47]. La courbe en trait plein reprsente la constante de
propagation kx dans la partie active A et celle en pointills, dans la partie passive B. Lorsque
kx est imaginaire, le mode est vanescent. En dessous dune certaine frquence, le mode ne
peut donc pas se propager dans les dimensions latrales. Le dplacement mcanique diminue
alors de manire exponentielle. Cette frquence reprsente la frquence de coupure du mode.
Chapitre IV
170
Figure IV-17 :
Courbe de dispersion de la composante transversale kx du mode TE10 dans
les rgions A et B. La frquence et kx sont normaliss par rapport lpaisseur de

la couche de ZnO (h=9,5m) et la vitesse acoustique suivant x (vT=2747m/s).
Sur la Figure IV-17, on peut lire les frquences de coupures fA et fB du mode TE10 dans
les rgions A et B. On remarque alors que, si la frquence de rsonance fr du rsonateur est
comprise entre fA et f B , le mode TE10 est propagatif dans la partie active A (k x rel) et
vanescent dans la partie passive B (k x imaginaire). On observe alors le phnomne de
confinement de lnergie mcanique sous llectrode suprieure. Si fr est suprieure fB,
lnergie peut se propager en dehors de la partie active. Nous avons reprsent sur la Figure
IV-18 le profil du dplacement mcanique suivant x sur lensemble du rsonateur. La partie
grise reprsente les valeurs de constantes de propagation imaginaires. On reconnat la forme
du mode TE10 de la Figure IV-10. Dans la partie active A, la constante de propagation (kx)A
est relle. On a donc un dplacement mcanique sinusodal. Dans la partie passive B, (kx)B est
imaginaire et le dplacement est exponentiel. Linconvnient de ce confinement dnergie est
lapparition des modes anharmoniques du mode TE10.
Chapitre IV
171
Figure IV-18 :
Profil du dplacement mcanique sur lensemble du rsonateur
En effet, comme il a t montr dans [6], si lon effectue le raccordement modal (ux et
dux/dx continues) au bord de llectrode suprieure (x=L), entre le dplacement sinusodal
dans la partie active A et le dplacement exponentiel dans la partie passive B, on peut crire la
condition de rsonance suivante:
( kx )B = ( kx )A tan !"( kx )A L #$
(IV.26)
Les profils de dplacement mcanique ux,n des modes TE1n sont alors les suivants :
Modes impairs
Figure IV-19 :
Modes pairs
Profil de dplacement mcanique ux,n des modes TE1n
Chapitre IV
172
On remarque alors que, comme la charge lectrique totale est intgre sur toute la
surface de llectrode suprieure, seuls les modes symtriques (n pairs) ont une charge totale
non nulle. Ceci permet aussi de montrer quil existe plusieurs modes capables de se coupler
avec lexcitation lectrique. On retrouve dailleurs les modes de plaque de la Figure IV-10.
Le but est donc maintenant de supprimer ces modes parasites de la rponse lectrique
soit en supprimant leur origine physique (Solution n1), soit en vitant leur couplage
(Solution n2).
IV.3
SOLUTION N1 : LECTRODE SUPERIEURE APODISEE

La technique dapodisation est bien connue des acousticiens. Une pice qui possde
deux murs parallles favorise le phnomne de rverbration et constitue un foyer potentiel de

rsonances acoustiques. Pour casser ces rsonances, larchitecture des salles de spectacles
nest pas symtrique et ne possde pas de murs parallles.
lchelle du rsonateur BAW, lapparition des modes de plaques est due
linterfrence constructive des ondes de Lamb qui se rflchissent sur les bords de llectrode
suprieure et qui crent une onde stationnaire. En cassant les symtries de llectrode
suprieure, on sattaque directement aux fondements mme de ces modes. La technique
dapodisation (littralement couper les pieds ) permet donc de supprimer les modes
parasites de la rponse lectrique.
Figure IV-20 :
Apodisation dune lectrode carre
La dmarche applique consiste dfinir une lectrode suprieure asymtrique et ne

possdant aucun ct parallle. Elle prend alors la forme dun polygone irrgulier quatre
cts ou plus. Dans le cas de la structure de la Figure IV-7, nous avons tudi limpact dune
apodisation quatre cts.
Chapitre IV
173
La rgle que nous avons applique consiste couper une partie de llectrode
suprieure suivant un angle + et la coller sur un autre ct. Ceci permet dobtenir une
lectrode asymtrique, o aucun ct nest parallle, mais qui possde la mme surface que
llectrode carre de dpart (Figure IV-20). Nous avons appliqu cette technique la structure
de la Figure IV-7 pour diffrentes valeurs de +. Lanalyse 3D, grce notre outil de
simulation EMXD, nous a permis dobtenir les rponses lectriques traces sur la Figure IV21.
Figure IV-21 :
Rponses lectriques du rsonateur apodis pour plusieurs valeurs de +
On remarque que pour cette structure, la puret spectrale de la rponse lectrique

dpend de langle dapodisation. Lamplitude des modes parasites diminue avec
laugmentation de +. Cependant, au-del de 25, cette tendance sinverse. Nous avons donc
dfini un critre , reprsentant lcart relatif entre la phase & 3D de la rponse lectrique
simule en 3D et celle obtenue en 1D, &1D (cas idal sans modes parasites) (Figure IV-22).
!=
nb _ freq
1
2
"1D (n) # " 3D (n)]
[
$
nb _ freq n = 0
avec : nb_freq=nombre de points de frquence

(IV.27)
Chapitre IV
Figure IV-22 :
174
Phase 1D et 3D du rsonateur lectrode suprieure carre et 3D du

rsonateur apodis (+=25)
Sur la Figure IV-23, nous avons trac le critre , en fonction de langle dapodisation +.
Figure IV-23 :
Critre dapodisation , en fonction de langle dapodisation +
Chapitre IV
175
On remarque que le critre , passe par un minimum pour un angle dapodisation + de

25. On ne pourra donc pas obtenir une meilleure puret spectrale que celle obtenue pour cette
valeur. Ceci nous permet de dire que la rgle dapodisation que nous avons utilise nest pas
optimale pour cette structure puisque lamplitude des modes parasites reste encore
significative. Il faut donc tudier dautres rgles (lectrode 5, 6 ou 7 cts ) ou dautres
solutions pour amliorer la puret spectrale. Seul un outil de simulation 3D, comme EMXD,
permet deffectuer cette tche.
IV.4
SOLUTION N2 : LECTRODE SUPERIEURE CHARGEE SUR LES BORDS

La deuxime solution pour obtenir une rponse lectrique sans modes parasites est de
concevoir le rsonateur de manire ce quun seul mode puisse se coupler avec lexcitation
lectrique. Pour ce faire, on utilise la structure de la Figure IV-24.
Figure IV-24 :
Rsonateur FBAR lectrode suprieure charge sur les bords
Cette structure diffre de celle de la Figure IV-7 par lanneau dpos sur le pourtour
de llectrode suprieure. Cette surpaisseur (partie C) en Aluminium (Al) mesure 50 m de
large et 400 nm dpaisseur. Elle possde une frquence de coupure fC du mode TE10
infrieure celle de la partie active (partie A) et permet dobtenir un dcouplage des modes
anharmoniques.
Chapitre IV
176
Lquation (IV.26) montre que la condition de rsonance, et donc la frquence fr, varie
aussi avec la largeur de llectrode w. Nous avons reprsent sur la Figure IV-25 la courbe
dvolution de la frquence de rsonance du rsonateur FBAR de la Figure IV-7 en fonction
de la largeur de llectrode suprieure w. Cependant, lpaisseur de cette dernire est ici de
600 nm.
Figure IV-25 :
volution de la frquence de rsonance en fonction de la largeur de

llectrode suprieure w
Figure IV-26 :
Diagramme de dispersion du mode TE1
Chapitre IV
177
Pour une mme largeur w, la frquence de rsonance du mode TE10 avec une lectrode
suprieure de 600 nm dpaisseur (fr(600nm)) est plus basse que celle obtenue pour une lectrode
de 200 nm (fr(200nm)). Cependant, la valeur de fr(600nm) augmente lorsque w diminue. Il est donc
possible, en optimisant la largeur w, dobtenir la mme frquence de rsonance avec des
frquences de coupures diffrentes. Le diagramme de dispersion pour la structure de la Figure
IV-24 est reprsent sur la Figure IV-26.
En choisissant la frquence de rsonance entre les frquences de coupure de la partie
active A et de la surpaisseur (partie C), cest--dire entre fA et fC , le premier mode (n=0)
permet dobtenir un dplacement mcanique constant sur presque toute la surface de
llectrode. Les autres modes, quils soient pairs ou impairs, sont des multiples de la longueur
donde transverse. Ils ne sont donc pas coupls (Figure IV-27).
Vue de dessus du dplacement

mcanique du mode n=0 en 3D
Modes impairs
Figure IV-27 :
Modes pairs
Profil du dplacement mcanique ux,n des modes anharmoniques de TE1
Chapitre IV
178
Lanalyse 3D du rsonateur charg par un anneau grce notre logiciel EMXD est
trace sur la Figure IV-28 avec les rponses lectriques 1D et 3D du rsonateur non charg.
Figure IV-28 :
Rponse lectrique du rsonateur charg par un anneau
On obtient bien une rponse lectrique exempte de modes parasites. De plus le

dplacement mcanique quasi constant sur toute la surface de llectrode suprieure confre
au rsonateur un comportement quasi 1D.
Cette solution est intressante pour les applications doscillateurs o un seul

rsonateur BAW est utilis comme rfrence de frquence. Cependant, pour des applications
de filtrage, o plusieurs rsonateurs sont ncessaires et o le dcalage des frquences de
rsonance entre rsonateurs est effectu par dpt dune couche de charge, la technique
dapodisation est plus adapte.
Chapitre IV
179
V ANALYSE DUN RESONATEUR SMR

Comme pour la structure FBAR prcdente, nous avons appliqu la mthode des
lments finis lanalyse de la structure SMR (Solidly Mounted Resonator) de la Figure IV29. Nous avons alors compar les rsultats de la simulation 3D obtenus grce notre outil
EMXD et les mesures que nous avons effectues sur les dispositifs fabriqus par le CEALETI.
V.1
DESCRIPTION DE LA STRUCTURE
La structure du rsonateur SMR est reprsente sur la Figure IV-29.
Figure IV-29 :
Rsonateur SMR
Chapitre IV
180
Le rsonateur lmentaire est compos dune couche de Nitrure dAluminium (AlN)

de 1,17m dpaisseur, dune couche de surcharge de Nitrure de Silicium (SiN) de 200nm et
de deux lectrodes en Molybdne (Mo) de 240nm pour llectrode suprieure et de 280nm
pour llectrode infrieure. Le rflecteur de Bragg est compos dune alternance de 5
couches de Carbure de Silicium (SiOC) de 295nm et de Nitrure de Silicium (SiN) de 1,16m.
Enfin, le rsonateur lmentaire et le rflecteur de Bragg sont dposs sur un substrat de
Silicium (Si) de 725m. Llectrode suprieure est un carr de 100m de ct et les autres
couches sont des carrs de 320m de ct.
Pour la simulation, nous imposons un dplacement mcanique nul sur les bords de la
structure et un potentiel lectrique constant sur les lectrodes. En considrant les pertes
acoustiques dans les couches du rflecteur de Bragg et dans le substrat, lpaisseur de ce
dernier peut tre ramene 50m. Le maillage est reprsent sur la Figure IV-30. Dans les
dimensions latrales, nous avons choisi une maille de 10m sur llectrode suprieure et une
maille de 25m dans la partie non mtallise. Suivant lpaisseur, les lectrodes sont mailles
grce une seule couche dlments (lments dordre 2), la couche pizolectrique et le
substrat sont diviss en quatre et chaque couche du rflecteur de Bragg est divise en deux.
Figure IV-30 :
Maillage du Rsonateur SMR simul
Chapitre IV
V.2
181
ANALYSE DE LA REPONSE ELECTRIQUE

La simulation et la mesure de la structure SMR de la Figure IV-29, nous fournissent
les rponses reprsentes sur la Figure IV-31.
Figure IV-31 :
Rponses lectriques du rsonateur SMR simul et mesur
Par la simulation, nous retrouvons bien lallure de la rponse mesure. Les frquences
de rsonances et dantirsonances taient, au dpart, dcales dune dizaine de Mgahertz.
Nous avons donc effectu une nouvelle simulation en considrant une couche de charge de
205nm au lieu de 200nm, une paisseur dlectrode suprieure de 245nm (240nm
initialement) et une couche pizolectrique de 1,175m au lieu de 1,170m. Cette variation
de 5nm, impos sur seulement 3 couches de lempilement, rentre dans les tolrances de
fabrication que lon rencontre typiquement pour cette technologie. Les pertes considres
pour la simulation sont ajustes de manire faire correspondre les niveaux dimpdances.
On remarque que ce rsonateur prsente des modes parasites peu coupls. En effet, la
rigidit leve de llectrode suprieure fait que les ondes latrales (ondes de Rayleigh dans le
cas du SMR) ont une longueur donde trs petite devant la largeur de llectrode. La
reprsentation du dplacement mcanique de ces modes ncessite donc un maillage trs fin
sur la largeur de llectrode suprieure.
Chapitre IV
V.3
182
VISUALISATION ET ANALYSE DES MODES PARASITES

Pour garder un temps de calcul acceptable, nous navons considr quun quart de la
structure et impos des conditions de composante normale nulle du dplacement mcanique

sur les plans de symtrie (uy=0 suivant AA et ux=0 suivant BB). Nous avons aussi rduit les
dimensions latrales 125m au lieu de 320m. La taille de la maille sur llectrode est alors
de 1,75m et de 10m pour la partie non mtallise. Ce maillage est reprsent sur la Figure
IV-32. Suivant lpaisseur, le maillage reste identique la Figure IV-30.
Figure IV-32 :
Maillage du rsonateur SMR pour la reprsentation des modes
Le trac du dplacement mcanique montre bien une onde transversale stationnaire

dont la longueur donde est petite devant la largeur de llectrode suprieure. Nanmoins,
pour certaines frquences (Figure IV-33), on observe une recombinaison de cette onde et
lapparition dune onde stationnaire de frquence plus basse correspondante un mode TE1n.
Mode TE10 (2,016GHz)

Figure IV-33 :
Mode TE18 (2,08125GHz)
Vue de dessus des modes TE10 et TE18 du rsonateur SMR
Chapitre IV
183
Comme ces modes rsultent de la superposition de deux ondes stationnaires, la charge

lectrique totale sur la surface de llectrode suprieure est plus faible que pour le rsonateur
FBAR. Ces modes sont donc moins coupls et dforment peu la rponse lectrique.
Toutefois, de manire amliorer sa puret spectrale, nous avons appliqu la
technique dapodisation ce rsonateur. Ne connaissant pas la rgle utilise pas le CEA-LETI
pour la conception de ses rsonateurs apodiss, nous avons appliqu la solution de la Figure
IV-20 au rsonateur de la Figure IV-29. Le maillage latral de ce rsonateur apodis avec un
angle de 10 est reprsent sur la Figure IV-34.
Figure IV-34 :
Maillage latral du rsonateur SMR apodis
Le dessin de la structure fabrique par le CEA-LETI est reprsent sur la Figure IV35. Le rsonateur apodis possde une lectrode suprieure asymtrique six cts dont les
dimensions ne nous ont pas t fournies. Sa surface est de 10000m2.
Figure IV-35 :
Dessin de la structure fournie par le CEA-LETI
Chapitre IV
184
Nous avons trac sur la Figure IV-36, la rponse lectrique simule de notre
rsonateur SMR apodis (+=10).
Figure IV-36 :
Rponses lectriques du rsonateur SMR carr et apodis (+=10) simul
On remarque, sur la Figure IV-36, que la technique dapodisation permet de rduire le

couplage des modes parasites, mais certains restent prsents. Ltude de langle dapodisation
montre que la puret spectrale maximum est atteinte pour un angle de 10. On remarque sur la
Figure IV-36, que cet optimum ne permet pas de supprimer tous les modes parasites.
Nous avons trac sur les Figures IV-37 et IV-38, la rponse lectrique mesure des
rsonateurs SMR lectrode carre et apodise fabriqus par le CEA-LETI. On remarque que
tous les modes parasites sont supprims de la rponse lectrique. En conclusion, nous
pouvons dire que la rgle dapodisation applique par le CEA-LETI est plus efficace, pour
cette structure, par rapport celle que nous avons simul. Ceci montre aussi que la dfinition
dune rgle dapodisation est assez complexe mettre en place. Il nest pas possible de dire,
priori et quel que soit lempilement, quelle forme doit avoir llectrode suprieure pour
obtenir un rsonateur exempt de modes parasites. Il est donc ncessaire de pouvoir simuler
rapidement et prcisment les structures BAW, pour prvoir la prsence de modes parasites et
pour tudier des solutions pour les supprimer. Seul un outil 3D comme EMXD en est capable.
Chapitre IV
Figure IV-37 :
185
Mesures des rponses lectriques du rsonateur SMR lectrode carre

et apodise (CEA-LETI)
Figure IV-38 :
Zoom sur les rponses lectriques mesures du rsonateur SMR

lectrode carre et apodise (CEA-LETI)
Chapitre IV
186
VI CONCLUSION
La mthode des lments finis est une technique numrique particulirement bien
adapte pour lanalyse de structures gomtries complexes. Elle permet de considrer des
matriaux inhomognes dont les caractristiques physiques peuvent dpendre de la frquence.
Ses fondements mathmatiques, bass sur une formulation variationnelle du problme,
permettent de se placer dans le cas le plus gnral possible et de trouver une solution du
problme qui peut tre trs irrgulire.
Le dveloppement de notre outil de simulation 3D nous a montr que la formulation
variationnelle en champ que nous avions choisi au dpart ntait pas adapte la rsolution du
problme pizolectrique. En effet, le caractre quasi-statique du champ lectrique induisait
une instabilit numrique dans la rsolution. Limplmentation dune formulation en potentiel
lectrique et dplacement mcanique nous a permis de palier ce problme. Le choix des
lments finis cest--dire le choix de la forme de la maille et de lexpression des fonctions de
base (polynmes de Lagrange) sest aussi rvl prpondrant. Pour des lments dordre 2,
la prcision de la solution numrique dpend directement de lorthogonalit des artes au
sommets de llment. Nous avons mis en vidence que les ttradres et pentadres dordre 2
induisent une anisotropie supplmentaire dans les caractristiques des matriaux et donc une
solution moins prcise.
Nous avons ensuite appliqu notre outil de simulation lanalyse dun rsonateur
FBAR. Nous avons pu observer une rponse lectrique prsentant des singularits entre la
frquence de rsonance et danti-rsonance. Nous avons alors cherch lorigine physique de
ces singularits. Le trac du dplacement mcanique a permis de diffrencier les singularits
correspondant des modes acoustiques et celles issues de la troncature du domaine dtude
ncessaire pour lapplication de la mthode des lments finis. Ces modes de calcul
peuvent tre vits par lutilisation de conditions particulires sur les bords du domaine
dtude. Celles-ci sont en cours de dveloppement au LPMO de Besanon. Les modes
acoustiques responsables de la dtrioration de la rponse lectrique sont considrs comme
parasites. En effet, ils diminuent considrablement les performances des systmes RF
lorsquil sont utiliss comme rfrence de frquence (oscillateur) ou comme lment de base
dun systme plus complexe (filtre). Nous avons donc tudi grce notre outil de simulation
3D plusieurs solutions pour supprimer linfluence de ces modes sur la rponse lectrique.
Chapitre IV
187
La premire solution fait appel la technique dapodisation. Cette dernire consiste

casser les symtries de llectrode suprieure de manire viter les interfrences
constructives des ondes transverses. Ces dernires, en se recombinant, sont responsables de
lapparition dune onde stationnaire. Si la charge lectrique totale due ces modes nest pas
nulle, ils se retrouvent sur la rponse lectrique. Il nexiste pas actuellement de rgle
dapodisation valable quelle que soit la structure. Il est donc ncessaire dutiliser un outil de
simulation performant capable de simuler des structures asymtriques. Cest le cas de notre
outil EMXD.
La deuxime solution consiste concevoir une forme dlectrode suprieure
particulire qui permet dviter le couplage des modes parasites. Lajout dun anneau doxyde
ou de mtal sur le pourtour de llectrode suprieure entrane le rsonateur vers un
fonctionnement 1D, o le dplacement mcanique est quasi-constant sur toute la surface de la
partie active. Loptimisation des dimensions de lanneau est une procdure assez complexe
qui est facilite par lemploi de notre logiciel de simulation 3D lments finis.
La flexibilit de la mthode des lments finis et la capacit de calcul toujours
grandissante des ordinateurs actuels laissent entrevoir un trs bel avenir EMXD. Ce logiciel
permet dj danalyser nimporte quelle forme dlectrode, quel que soit lempilement. Il
constitue donc un excellent outil pour le dveloppement de solutions innovantes pour la
suppression des modes parasites. Il permet aussi de simuler des structures plusieurs
rsonateurs. On peut donc imaginer pouvoir tirer parti dventuels couplages acoustiques ou
lectriques entre rsonateurs pour synthtiser des rponses de filtre complexes. Enfin, la
monte en frquence ncessitera peut-tre un jour lutilisation de la formulation variationnelle
en champ lectrique.
Chapitre IV
188
CONCLUSION GENERALE
Ce travail de thse portait sur ltude, la conception et la ralisation de rsonateurs

pizolectriques pour des applications hautes frquences. Il sest articul autour de trois
grandes problmatiques :
Comment modliser fidlement le comportement dune structure utilisant un couplage

pizolectrique ?
De quels outils disposons nous ou avons-nous besoin pour rsoudre le problme

mathmatique qui en dcoule ?
Quelle interprtation physique pouvons-nous faire de la solution ?
Dans le premier chapitre de ce mmoire, nous avons dcrit quel intrt possde un
rsonateur ondes acoustiques de volume (BAW) par rapport aux technologies prexistantes.
Ltat de lart des rsonateurs pizolectriques montre que la monte en frquence, le besoin
en puissance et la densit dintgration de plus en plus pousse dans les systmes de
tlcommunications portatifs posent certains problmes aux technologies SAW (Surface
Acoustic Wave) et cramique. Lavance technologique apporte par la matrise des
techniques de dpts en couche mince a permis de rendre comptitif la technologie BAW.
Ainsi, plusieurs quipementiers du secteur de la tlphonie mobile se sont dj lancs sur ce
march. La faisabilit de fonctions trs complexes, comme une chane de rception RF
compltement intgre, a dj t dmontre [39]. lheure actuelle, le besoin se situe au
niveau des outils de simulation. Il est ncessaire de disposer doutils performants et fiables
pour aider la conception de structures complexes bases sur la technologie BAW. Ce travail
de thse a donc t men dans cet objectif.
Le deuxime chapitre de ce mmoire pose donc la question de la modlisation des
problmes physiques mis en jeu dans les structures BAW. La structure cristalline des
matriaux pizolectriques et notamment les lments de symtrie permettent dexpliquer
lorigine des phnomnes physiques. Leur modlisation mathmatique en dcoule
directement. Ainsi, le comportement anisotropique de certains cristaux impose lemploi de
tenseurs et le couplage lectrique-mcanique prsent dans les matriaux pizolectriques se

traduit par un terme supplmentaire dans la loi de Hooke. Lcriture mathmatique du
problme rsoudre et les approximations effectues sur le comportement physique de la
structure sont primordiales pour une simulation fiable.
Le troisime chapitre est consacr la modlisation unidimensionnelle dun rsonateur
BAW. Lapproximation dune propagation en ondes planes longitudinales peut tre effectue
sous certaines conditions. Encore une fois, les lments de symtries de certains cristaux,
comme le Nitrure dAluminium (AlN) ou lOxyde de Zinc (ZnO) de classe 6mm, jouent un
rle prpondrant dans le comportement du rsonateur. Les modles 1D qui en dcoulent sont
trs intressants car ils sont simples mettre en uvre, ils permettent deffectuer des calculs
trs rapides et peuvent tre intgrs dautres outils de simulation. Le modle de Mason est
particulirement bien adapt lorsque lon cherche analyser le comportement acoustique dun
rsonateur soumis une excitation lectrique. Le modle de la permittivit pizolectrique
peut tre intgr un outil de simulation lectromagntique 2D pour rendre compte de
limpact du comportement acoustique du rsonateur sur sa rponse lectrique. Le modle
MBVD modlise directement le comportement lectrique du rsonateur par des lments
localiss dont les valeurs dpendent des frquences de rsonances et du coefficient de
couplage lectromcanique. Nous avons utilis ce modle pour dvelopper une procdure
doptimisation de filtres rsonateurs BAW. Bien que les modles 1D soient suffisants pour
synthtiser des rponses de filtres, ils ne permettent pas de simuler dventuels couplages
entre rsonateurs. De plus, les dimensions finies des lectrodes dans les structures relles
introduisent des conditions que les modles 1D ne considrent pas. Nous avons donc choisi de
dvelopper notre propre outil de simulation 3D bas sur le logiciel EMXD.
Le quatrime chapitre expose le dveloppement de notre outil de simulation bas sur
la mthode des lments finis. Cette technique permet de rsoudre en trois dimensions les
problmes physiques mis en jeu dans les rsonateurs BAW sans approximation sur leur
comportement physique. Elle est base sur la notion de maillage de la structure par une forme
gomtrique simple, sur lcriture variationnelle (faible) du problme et sur lapproximation
interne de son espace de solutions. Cette technique est employe dans la majeure partie des
logiciels de calculs scientifiques actuels. Dans un premier temps, nous avons cherch
adapter la formulation variationnelle en champ lectrique dj prsente dans EMXD. Nous
avons montr quelle ntait pas adapte lanalyse des rsonateurs BAW. Nous avons alors
choisi dimplmenter une formulation en dplacement mcanique et en potentiel lectrique.
La comparaison de notre outil de simulation avec un logiciel du commerce (ANSYS

Multiphysics) nous a permis de valider notre dmarche et les rsultats obtenus. Nanmoins, la
technique de paramtrisation en frquence et lutilisation dun solveur multifrontal ultra
parallle sur le cluster de calcul de lquipe MINACOM nous permettent dobtenir des temps
de calcul rduits. Lanalyse des rsonateurs BAW nous a permis de mettre en vidence
lexistence de modes parasites, que ce soit basse frquence (230MHz) ou haute frquence
(2GHz) et pour des structures FBAR ou SMR. Le trac de ces modes nous a permis dtudier
plusieurs solutions pour viter ou attnuer leurs couplages. La solution mettant en uvre la
technique dapodisation sest rvle assez complexe, puisquune rgle donne ne permet
datteindre une puret spectrale optimale que pour certains empilements. Seule une tude
pousse grce un outil de simulation 3D peut dterminer son domaine de validit. Notre
logiciel lments finis EMXD en est tout fait capable.
La continuit de ce travail serait de dfinir une procdure complte et fiable de
conception dun rsonateur BAW, depuis le choix des matriaux, de lpaisseur des couches
jusqu la forme des lectrodes et du motif dexcitation. Ceci doit tre effectu en couplant les
outils de simulations 1D et 3D, de manire optimiser le temps de dveloppement en fonction
de lapplication vise. Par exemple, pour un filtre rsonateurs SMR, on utiliserait dabord le
modle de Mason pour dfinir les paisseurs des couches du rsonateur lmentaire pour
satisfaire le cahier des charges en termes de frquences de rsonances et de coefficient de
couplage lectromcanique. Il permettrait ensuite de concevoir un rflecteur de Bragg dont le
coefficient de rflexion sera gal 1 sur toute la gamme de frquence du filtre. Une fois
lempilement dfinit, on effectuerait une tude en 2D pour tracer les courbes de dispersions
des modes latraux. En fonction des rsultats, on ajusterait les proprits de lempilement de
manire obtenir un confinement de lnergie sous llectrode suprieure pour maximiser le
coefficient de qualit. On effectuerait enfin une simulation 3D pour dterminer la rponse
lectrique du rsonateur. Si cette dernire prsentait des modes parasites, on utiliserait loutil
3D pour dfinir une rgle dapodisation en fonction de la taille de llectrode. On pourrait
alors modliser le rsonateur grce au modle MBVD et lintroduire dans un logiciel de
simulation lectromagntique 2D pour prendre en compte les pertes lectriques dans les
lectrodes et les interconnexions. Lapplication dune procdure doptimisation permettrait
dobtenir la surface de chaque rsonateur. On appliquerait alors la rgle dapodisation
dtermine prcdemment et on dessinerait finalement le masque de fabrication. plus long
terme, on pourrait envisager de nutiliser que loutil 3D pour effectuer toutes ces tapes et
ainsi synthtiser des rponses de filtres directement en 3D. Ceci permettrait daller encore
plus loin, en simulant dventuels couplages lectriques ou acoustiques entre rsonateurs et
permettrait doptimiser le couplage du motif dexcitation.
Au-del de ce travail, il serait intressant dimplmenter un calcul statique des
structures que lon pourrait chaner avec un calcul dynamique pour effectuer des analyses
prcontraintes. Lapplication dune tension lectrique statique sur une structure
pizolectrique permet de la polariser et de modifier ses proprits mcaniques. On pourrait
ainsi envisager la simulation et le dveloppement de dispositifs dont les frquences de
fonctionnement varieraient avec la tension de polarisation. Les circuits agiles en frquences
font lobjet, lheure actuelle, de nombreux axes de recherches.
ANNEXE I : CALCUL TENSORIEL
Le but de cette annexe est de rappeler les notions de base du calcul tensoriel utilises
en mcanique des milieux continus. On se place dans lespace euclidien E3 et toutes les bases
sont supposes orthonormes directes.
Les tenseurs sont des vecteurs de dimension quelconque que lon classe en plusieurs
catgories. Leur notation fait intervenir plusieurs indices en fonction de lordre.
- Un tenseur dordre 0 est un scalaire. Il est not T.
- Un tenseur dordre 1 est un vecteur. Il est not Ti ou T
- Un tenseur dordre 2 est un vecteur. Il est not Tij ou T et on le reprsente en gnral
par sa matrice.
- Un tenseur dordre 3 est un cube. Il est not Tijk ou T
- Les tenseurs dordre n > 3 ne peuvent tre reprsent dans lespace trois dimensions.
Ils utilisent une notation n-1 indices.
Les oprations que lon effectue sur les tenseurs sont de deux types : des produits tensoriels
ou des contractions entre tenseurs. Elles permettent de construire un tenseur partir de deux
autres tenseurs. Le produit permet de construire un tenseur du mme ordre ou dun ordre
suprieur et la contraction, de construire un tenseur dordre infrieur ou gal.
Produit tensoriel :
Le produit tensoriel est not !, sauf pour le produit vectoriel not ".
- Le produit vectoriel permet de construire un vecteur laide de deux autres vecteur :
C = A! B
- Le produit tensoriel de deux vecteurs permet de construire un tenseur dordre 2 :
C = A! B
ou
Cij = Ai B j
- Le produit tensoriel dun tenseur dordre 2 et dun vecteur donne un tenseur dordre 3 :
C = A! B
ou
Cijk = Aij Bk
Contraction tensorielle :
La contraction de deux tenseurs permet de construire un autre tenseur dordre infrieur ou

gal. Le produit tensoriel contract une fois est not ! ou avec un point ( . ) et contract deux
fois, ! ou avec deux points ( : ).
- La contraction dordre 1 de deux vecteurs ou produit scalaire donne un scalaire:
C = A! B = A" B
ou
C = Ai Bi
O lon utilise la convention dEinstein de sommation des indices rpts :

3
C = Ai Bi = ! Ai Bi
i=1
- La contraction dordre 1 dun tenseur dordre 2 avec un vecteur donne un vecteur :
C = A! B
ou
Ci = Aij B j
- La contraction dordre 1 dun tenseur dordre 3 avec un vecteur donne un tenseur

dordre 2 :
C = A! B
ou
Cij = Aijk Bk
- La double contraction de deux tenseurs dordre 2 donne un scalaire :
C = A! B = A: B
ou
C = Aij B ji
O il y a double sommation sur les indices rpts i et j :

3
C = Aij B ji = ! ! Aij B ji
i=1 j =1
- La double contraction entre un tenseur dordre 4 et un tenseur dordre 2 donne un

tenseur dordre 2 :
C = A! B
ou
Cij = Aijkl Bkl
Oprateurs diffrentiels :
Les oprateurs diffrentiels sont le gradient, la divergence et le rotationnel. Ils permettent de

relier des champs scalaires avec des champs vectoriels ou des champs vectoriels avec des
champs tensoriels.
- Relations entre champs scalaires et champs vectoriels :
!!!!!"
Le gradient dune fonction scalaire f(x,y,z) est le vecteur grad f de composantes (on
note avec une virgule la drive partielle dune fonction de plusieurs variables par rapport
une des variables) :
"
!f %
f
=
,x
$
!x '
$
'
!!!!!"
!f '
$
grad f = f ,y =
$
!y '
$
'
$ f = !f '
$# ,z
'
!z &
!
La divergence dun vecteur v de composantes (vx,vy,vz) est le scalaire dfini par :
!v y !vz
!v
!
Div v = vx ,x + v y ,y + vz ,z = x +
+
!x
!y
!z
Loprateur Div est loprateur transpos de loprateur gradient. On peut rsumer

cette proprit laide du schma suivant :
!!!!!"
grad
.,.
!
S
.,. 1
W
"
T
# Div
Dans ce schma, les espaces vectoriels S et T sont des espaces de fonctions scalaires, et les
espaces V et W sont des espaces de fonctions vectorielles, en dualit pour une forme bilinaire
note entre crochets avec un indice. La forme dindice 1 qui met S et T en dualit est le simple
produit de deux scalaires. La forme dindice 2 qui met V et W en dualit est le produit scalaire
de deux vecteurs (contraction dordre 1). Ainsi, on saperoit que loprateur gradient agit sur
un scalaire de S pour le transformer en un vecteur de V. Ce dernier est en dualit avec un
vecteur de W qui peut tre transform en un scalaire de T par loprateur Div.
La premire formule de Green permet de relier ces deux oprateurs et sexprime sous
la forme suivante :
!
! ! """""!
Div fv = f Div v + v .grad f
( )
- Relations entre champs vectoriels et champs tensoriels :

!
Par dfinition, loprateur tenseur gradient dun vecteur v de composantes (vx,vy,vz) est
!
le tenseur not grad v et reprsent par sa matrice :
! vx ,x
! #
grad v = # v y ,x
#
#" vz ,x
vx ,y
v y ,y
vz ,y
vx ,y $
&
v y ,z &
&
vz ,z &%
Dfinissons maintenant loprateur divergence dun tenseur. Soit T un tenseur dordre

2 reprsent par sa matrice :
!Txx
#
T = #Tyx
#
#"Tzx
Txy
Tyy
Tzy
Txz $
&
Tyz &
&
Tzz &%
Le vecteur divergence du tenseur T est dfini par ses trois composantes :
! Txx ,x + Txy ,y + Txz ,z $

!!!"
#
&
DivT = #Tyx ,x + Tyy ,y + Tyz ,z & = Tij , j
#
&
#" Tzx ,x + Tzy ,y + Tzz ,z &%
On retrouve pour ces deux oprateurs des proprits analogues aux prcdentes. Loprateur
!!!"
! Div est loprateur transpos de loprateur grad et on peut rsumer cette proprit laide
du schma suivant :
V
grad
!
S
.,.
.,. 1
W
"
T
!!!"
# Div
Cette fois, les espaces vectoriels S et T sont des espaces de fonctions vectorielles, et les
espaces V et W sont des espaces de fonctions tensorielles, en dualit pour une forme bilinaire
note entre crochets avec un indice. La forme dindice 1 qui met S et T en dualit est le
produit scalaire de deux vecteurs. La forme dindice 2 qui met V et W en dualit est le produit
doublement contract de deux tenseurs. Ainsi, on saperoit que loprateur gradient agit sur
un vecteur de S pour le transformer en un tenseur de V. Ce dernier est en dualit avec un
tenseur de W qui peut tre transform en un vecteur de T par loprateur Div.
La seconde formule de Green permet de relier ces deux oprateurs et sexprime sous la
forme suivante :
!
! ! $ ! """!
Div # v .T & = v Div T + T .grad v
"
%
- Relations entre champs vectoriels :
!
Par dfinition, loprateur tenseur rotationnel dun vecteur v de composantes (vx,vy,vz) est le
!
tenseur not rot v et dfini par :
T
!
!
!
rot v = grad v ! grad v
T
!
!
O grad v reprsente le tenseur gradient transpos du vecteur v .
Le tenseur rotationnel est antisymtrique et est reprsent par sa matrice :
"
0
$
!
rot v = $ v y ,x ! vx ,y
$
$# vz ,x ! vx ,z
vx ,y ! v y ,x
0
vz ,y ! v y ,z
vx ,z ! vz ,x %
'
v y ,z ! vz ,y '
'
0
'&
En pratique, on utilise toujours en mcanique la moiti de ce tenseur reprsente comme suit :
"0
1
! $
! = rot v = $! yx
2
$
$#! zx
! xy
0
! zy
! xz %
'
! yz '
'
0 '&
1
v " v j ,i .
2 i, j
! ""! !
Au tenseur rotationnel ! , on associe le vecteur rotationnel ! = rot v de composantes (!x, !y,
Dans laquelle on a utilis les notations : !ij = "! ji et !ij =
!z) telles que :
! x = "# yz , ! y = "# zx et ! z = "# xy

On admet alors les proprits suivantes :
! ! !
! .x =" # x
!!" "
Div rot v = 0
( )
et
!
, $x
!!" !!!!!"
"
rot grad f = 0
ANNEXE II : ELEMENTS FINIS P2 EN

DIMENSION N=1
Pour simplifier la prsentation, nous prsentons les lments finis P2 en une dimension
de lespace. Nous choisissons le domaine ! = "# 0,1 $% . En dimension 1, un maillage est
( )
constitu dune collection de points x j
0! j ! n+1
, appels aussi sommets, tels que :
0 = x0 < x1 < ... < xn < xn+1 = 1
La mthode des lments finis P2 (ensemble des polynmes de degr 2 coefficients

rels dune variable relle) repose sur lespace discret :
Vh = v !C "#0,1$%
tel que v " x

#
,x j+1 $%
! P2
pour tout 0 & j & n
Et sur son sous-espace
V0h = v !Vh
tel que v(0)=v(1)=0
La mthode des lments finis P2 est alors la mthode dapproximation interne

applique aux espaces V h et V 0h. Ces espaces, appels espaces dlments finis P 2 ou
espaces dlments finis de Lagrange dordre 2 , sont composs de fonctions continues
paraboliques par morceaux. On peut les reprsenter laide de fonctions de base trs simples.
Introduisons tout dabord les points milieux des segments !" x j ,x j +1 #$ dfinie par :
x j +1/ 2 =
1
x + x j +1
2 j
avec
0! j!n
On considre aussi deux fonctions mres :
#(1+x)(1+2x) si -1 " x " 0

%
! (x) = $ (1-x)(1-2x) si 0 " x " 1
%
0
si
x >1
&
et
#
2
%%1 - 4x
! (x) = $
% 0
%&
si
si
1
2
1
x >
2
x "
Figure A1-1 : Fonction de base des lments finis P2
( )
On dfinis alors les fonctions de base ! j
, $ x # xj '
." &
)
. % x j # x j #1 (
! j (x) = . $ x # xj '
." & x # x )
j(
./ % j +1
0" j " n+1
et ! j +1/ 2
si x * x j
et
si x + x j
0" j " n
par :
# x " x j +1/ 2 &

! j +1/ 2 (x) = ! %
(
$ x j +1 " x j '
Dans le cas particulier dun maillage uniforme (h=taille de maille constante), ces formules se
simplifient en :
$ x # xj '
! j (x) = " &
)
% h (
et
# x " x j +1/ 2 &

! j +1/ 2 (x) = ! %
(
h
$
'
Ces fonctions sont reprsentes sur la Figure A1-1. On rappelle quun lment fini est une
forme gomtrique munie dun espace de dimension finie (base engendre pas les fonctions
de base).
BIBLIOGRAPHIE
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Les systmes nomades ont leur rcepteur RF pour la DVB
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An Ultra-Low Power MEMS-Based Two-Channel Transceiver for Wireless Sensor
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Numerical simulations of microacoustic resonators and filters
Doctoral dissertation of Helsinki University of Technology, 2005

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UNIVERSITE DE LIMOGES

COLE DOCTORALE SCIENCE TECHNOLOGIE SANTE

DOCTEUR DE LUNIVERSITE DE LIMOGES

tude, conception et ralisation de rsonateurs

Professeur lUniversit de Limoges - Xlim

Directeur de Recherche LPMO Besanon

(Film BAW Resonator)............................................................................................ 25

(Solidly-mounted BAW Resonator) ......................................................................... 27

IV Matriaux utiliss .......................................................................................................................... 29

CHAPITRE II : MISE EN QUATION DU PROBLME PIZOLECTRIQUE

CHAPITRE III : MODLISATION 1D DUN RSONATEUR BAW ET SYNTHSE

CHAPITRE IV : MODLISATION 3D DES RSONATEURS BAW PAR LA

Figure 1 : Encombrement spectral pour un tlphone mobile multi standard de demain

La figure 2 montre que la complexit des terminaux mobiles ne cesse de crotre. Le

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Le coefficient de couplage lectromcanique k t2 reprsente la capacit du matriau

La vitesse de propagation acoustique (suivant lpaisseur) vacoustique dtermine lpaisseur

$ reprsente lattnuation de londe acoustique lors de la propagation. Ces pertes

La drive frquentielle en temprature (TCF) exprime la variation des proprits

Les rsonateurs pizolectriques et leurs applications dans les metteurs-rcepteurs RF

Dune manire gnrale, le Niobate de Potassium (KNbO3) parat tre le matriau le

Les rsonateurs pizolectriques et leurs applications dans les metteurs-rcepteurs RF

7140 10280 12370

13,77 18,66 31,84 42,41 63,63 73,85

Conductivit & (.107 S/m)

Dsaccord de maille avec lAlN (%) 23,15