Transistores Bipolares

NPN: comportamiento en continua

Modelos lineales de las caractersticas:

Curva de salida

Curva de entrada

IB
-

B
VBE

Para gran seal y frecuencias bajas

IC
VCE
E

Activa

Corte

Saturacin

Electrnica Analgica

Tema 4: Transistores

13

Transistores Bipolares

PNP: comportamiento en continua

Funcionamiento y curvas caractersticas:

Similares en todo al transistor NPN

Diferencia fundamental: todos los signos son los contrarios!

Basta con invertir las grficas (signos -) para que stas sean iguales
en forma. Las ecuaciones son iguales, pero con sentidos opuestos.

-iB

IC
B
VBE

+
-

IB

VCE
E

-iC
-IB3

-IB3

-IB3

-IB3>ICQ

-IBQ

-IB2
-IB1

-vBE
-VBE
Electrnica Analgica

-vCE
Tema 4: Transistores

14

Transistores Bipolares

Comportamiento en continua
IC
+
-

Electrnica Analgica

Tema 4: Transistores

B
VBE

Resumen: modelos equivalentes lineales:

IB

VCE
E

17

Resumen comparativo

Transistores bipolares vs. unipolares

FET

BJT

Control mediante tensin: tensin de

puerta.

Control mediante corriente: corriente

de base.

Tericamente dispositivo simtrico

(drenador y fuente).

Tericamente dispositivo asimtrico

(emisor y colector).

Sencillos de fabricar con una alta

integracin.

Mayor complejidad tecnolgica y con

menor grado de integracin.

En entrada, bajo consumo (DC): Ig=0.

Hay consumo en DC: IB0.

Impedancia de entrada muy alta

(100M): puerta aislada.

Resistencia de entrada media (k).

Mayor estabilidad trmica que los BJT.

Menor estabilidad trmica que los FET:

RE en emisor comn

Acusado comportamiento capacitivo:

menores frecuencias de trabajo.

Bajo comportamiento capacitivo:

mayores frecuencias de trabajo.

Menor ganancia que los BJT:

transconductancia (gm).

Mayor ganancia que los FET

(aplicacin como amplificador)

Electrnica Analgica

Tema 4: Transistores

50

Transistores de Efecto Campo

MOSFET DE ACUMULACIN

Caractersticas de entrada y salida:

D
G
+
VGS
-

ID

+
VDS
S -

Electrnica Analgica

Tema 4: Transistores

36

Transistores de Efecto Campo

MOSFET acumulacin canal n: modelos

SIMBOLOGA
Y SIGNOS

VT >0, k >0, vDS 0, iD 0

D

CORTE

vGS Vt

iD=0

iDsat
SATURACIN

HMICA

Electrnica Analgica

vDS VDsat
vGS Vt 0

vDS VDsat
vGS Vt 0

k
vGS Vt 2
2

VDSsat= vGS - Vt

iD k vGS Vt vDS
vDS 0.2 vGS Vt
RDSon

k vGS Vt

Tema 4: Transistores

37

Transistores de Efecto Campo

MOSFET acumulacin canal p: modelos

Vt <0, k <0, vDS 0, iD 0

SIMBOLOGA
Y SIGNOS

CORTE

vGS Vt

iD=0

iDsat
SATURACIN

vDS VDsat
vGS Vt 0

vDS VDsat
HMICA

Electrnica Analgica

vGS Vt 0

k
vGS Vt 2
2

VDSsat= vGS - Vt

iD k vGS Vt vDS
vDS 0.2 vGS Vt
RDSon

k vGS Vt

Tema 4: Transistores

38

Transistores de Efecto Campo

MOSFET

Curva caracterstica real de entrada

MOSFET acumulacin
Normally - OFF

MOSFET deplexin
Normally - ON

Canal n

iD < 0

iD < 0

Canal p

Vt < 0
Electrnica Analgica

vGS < 0

Tema 4: Transistores

Vt >0

vGS < 0
43

Transistores de Efecto Campo

MOSFET DE DEPLEXIN
SIMBOLOGA
Y SIGNOS

Vt < 0, k >0, vDS 0, iD 0

D

CORTE

iD=0

vGS Vt

SATURACIN

vDS Vdsat
vGS Vt

iDsat

k
2
vGS Vt
2

VDSsat= vGS-Vt

iD k vGS Vt vDS
HMICA

Electrnica Analgica

vDS VDsat

vDS 0.2 vGS Vt

vGS Vt

RDSon

k vGS Vt

Tema 4: Transistores

44

Transistores de Efecto Campo

MOSFET DE DEPLEXIN

Vt > 0, k <0, vDS 0, iD 0

SIMBOLOGA
Y SIGNOS

CORTE

iD=0

vGS Vt

SATURACIN

vDS Vdsat
vGS Vt

iDsat

k
2
vGS Vt
2

VDSsat= vGS-Vt

iD k vGS Vt vDS
HMICA

Electrnica Analgica

vDS VDsat

vDS 0.2 vGS Vt

vGS Vt

RDSon

k vGS Vt

Tema 4: Transistores

45