Dpartement Micro-lectronique et

tlcommunications
Deuxime anne 2006/2007

TD de physique des composants

semi-conducteur

Grille
Source

Drain
Isolant

N+
Substrat type-p

N+
L
W
Substrat

Pascal MASSON
et
Rachid BOUCHAKOUR

Ecole Polytechnique Universitaire de Marseille

Laboratoire Matriaux et Micro-lectronique de Provence (L2MP)

-2-

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

Table des matires

TD No. 1 : La jonction PN ..............................................................................5

TD No. 2 : La capacit MOS ..........................................................................7
TD No. 3 : Le transistor MOSFET ..............................................................11
TD No. 4 : Le transistor bipolaire ..............................................................17
DS de micro-lectronique 2001/2002 N1 ...................................................21
DS de micro-lectronique 2001/2002 N2 ...................................................25
DS de micro-lectronique 2002/2003 N2 ...................................................31
DS de micro-lectronique 2003/2004 ..........................................................35
DS de micro-lectronique 2005/2006 Partie 2 ...........................................39

-3-

-4-

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

TD No. 1 : La jonction PN

Exercice I : Jonction PN lquilibre thermodynamique

I.1. Rappeler les expressions de la densit dlectrons et de trous dans un semi-conducteur dop en
fonction de la concentration intrinsque ni, du niveau de Fermi EF et du niveau de Fermi
intrinsque Ei. En dduire lexpression de dEF/dx en prsence dun champ lectrique x en utilisant
la relation suivante :
x 1
q

dEix
dx

(I.1)

I.2. Quels sont les diffrents effets qui contribuent au courant lectrique dans un semi-conducteur.
Donner lexpression de la densit de courant Jnx dans la direction x en prsence dun champ
lectrique x et en fonction de dEF/dx. Comment se comporte le niveau de Fermi EF travers le
matriau ?
I.3. Une jonction PN est forme de la juxtaposition de deux zones du mme semi-conducteur dont
lune est dope P et lautre N. En prenant lhypothse dune jonction de type abrupte, donner la
forme des bandes dnergie lquilibre thermodynamique.

Figure I.1.

N
0

I.4. Donner une explication phnomnologique du comportement des porteurs dans la zone centrale
de la structure et prciser la notion de zone de charge despace ZCE et de la barrire de potentiel
induite Vb. Calculer Vb entre les deux zones du semi-conducteur lquilibre thermodynamique.
I.5. Calculer et reprsenter la variation du champ x et du potentiel V(x). Donner lexpression de la
largueur de la zone de charge despace en fonction de la concentration des dopants N A et ND et de la
barrire de potentiel Vb.

Exercice II : Jonction PN hors quilibre thermodynamique : Etude statique

II.1. Quels sont les effets dune polarisation continue applique la jonction PN ? En dduire et
reprsenter la variation de la ZCE sous laction dune polarisation applique (que lon notera Va)
Calculer la capacit de la zone de charge despace.
II.2. Reprsenter les profils des porteurs dans les zones quasi-neutres pour Va > 0. Donner
lexpression des concentrations des porteurs minoritaires de part et dautre de la ZCE.
II.3. Calculer le courant statique total traversant la jonction PN polarise en directe. Reprsenter
la variation spatiale dans les zones P et N des diffrentes contributions du courant total (J n(x) et
Jp(x)). On fera lhypothse du rgime de faible injection tout en considrant quil ny a pas de
recombinaison des porteurs la traverse de la ZCE.
-5-

Exercice III : Jonction PN hors quilibre thermodynamique : Etude grand signal

Les zones quasi-neutres se comportant comme des capacits de stockage de charges. Donner
lexpression de la rsistance dynamique de la jonction PN et en dduire la capacit CS lie ce
phnomne.
On fera lhypothse que les dimensions du dispositif sont petites devant les longueurs de
diffusion des porteurs.

Exercice IV : Jonction PN hors quilibre thermodynamique : Etude petit signal

La jonction PN est maintenant polarise par une tension de la forme Va = V0 + V1sin(t). En
dduire ladmittance dynamique Y1 de la jonction PN.

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TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

TD No. 2 : La capacit MOS

On considre temprature ambiante une tranche de silicium de type p (substrat), dont le
volume arrire (Bulk) est mis la masse (VB = 0 V). Sur la face avant, on a dpos une couche
doxyde de silicium (SiO2) surmonte dune grille en poly-silicium dgnr de type N.

On rappelle que pour le silicium 300 K :

Largeur de la bande interdite : EG = 1.12 eV
Concentration intrinsque de porteurs : ni = 1.171010 cm3
Permittivit du silicium : Si = 11.9 0
Permittivit de loxyde de silicium : ox = 4 0

On dsignera par NA, p0, n0 les concentrations respectives en impurets et en porteurs libres
(trous et lectrons) lquilibre dans le volume du substrat.
Les constantes utiliser sont : temprature ambiante T = 300 K, charge dun trou
q = 1.61019 C, permittivit du vide 0 = 8.851012 Fm1, constante de Boltzmann
k = 1.381023 JK1.

Exercice I : Gnralits
On rappelle que la tension de seuil Vth est dfinie comme la tension qui, applique la grille,
inverse exactement, sa surface, le type du semi-conducteur (par rapport aux caractristiques du
substrat). On dsigne par F le potentiel de Fermi du substrat, tel que EF EFi = qF, o EF et EFi
sont respectivement le niveau de Fermi et le niveau de Fermi intrinsque dans le substrat.
I.1. En le justifiant, exprimer F en fonction des donnes relatives au semi-conducteur.
I.2. S dsignant le potentiel de surface du semi-conducteur, dessiner schmatiquement la
courbure des bandes du semi-conducteur (de linterface vers son volume) pour les rgimes
suivants :

Accumulation S < 0 (soit VG < VFB)

Dsertion 0 < S < 2F (soit VFB < VG < Vth)
Inversion forte S > 2 F (soit VG > Vth)

VFB et Vth correspondent respectivement aux tensions de bandes plates et de seuil. VG correspond
la tension applique entre la grille et le substrat (VG = VGB).
Remarque : Dans le cas du transistor MOS, on prfre scinder le rgime de dsertion en deux
rgimes :

Dsertion, 0 < S < F (soit VFB < VG < Vmg)

Inversion faible, F < S < 2F (soit Vmg < VG < Vth)

Vmg correspond la tension de mid gap.

I.3. La charge du semi-conducteur, note QSC (Cm2), est constitue de plusieurs charges :
QSC QD Q p Q n

(I.1)

o QD, Qn et Qp correspondent respectivement la charge de dsertion (atomes ioniss), la charge

dinversion (lectrons) et daccumulation (trous).

-7-

Pour les trois rgimes de fonctionnement cits prcdemment, simplifier lquation (I.1) en le
justifiant. Que pouvez-vous dire sur lextension de la longueur de la zone de charge despace en
rgime dinversion forte ?
I.4. Exprimer la concentration [en m3] dlectrons libres en surface nS = n(x = 0) en fonction de n0
et de S, puis de NA, S et F. Exprimer nS en fonction de ni et de NA lorsque S = 1.5 F (milieu de
la faible inversion).

Exercice II : Approfondissement des connaissances

II.1. Le rgime de dsertion est dfini lorsque 0 < S < F (ou 2F). Dans ce cas on suppose que la
charge QSC est gale la charge QD. Est-ce rellement le cas lorsque S reste infrieure quelques
kT/q ? Est-ce que la variation de la courbure de bande suit une loi en x2 ? x tant la distance par
rapport linterface (avec lisolant).
II.2. En rgime dinversion forte, la charge QSC est gale la somme de QD et de Qn. Que pouvez
vous dire sur lvolution de la courbure des bandes suivant x ? Dans quelle zone volue-t-elle en x2 ?
II.3. Nous avons, jusqu prsent, suppos que la couche dinversion pouvait tre cre linterface
mais pour certaines conditions de fonctionnement, ce nest pas le cas : le rgime dinversion forte (et
donc faible) ne peut pas exister. Simplifier lquation (I.1) lorsque VG est suprieur VFB. Est-ce
que labsence dlectrons a une influence sur la courbure des bandes du semi-conducteurs lorsque
0 < S < 2F? Que se passe-t-il pour la longueur de la zone de charge despace lorsque S > 2F ?
Tracer lallure de la courbure des bandes du semi-conducteur pour ce rgime particulier que lon
appellera la dsertion profonde. Expliquer lincohrence quil existe entre la position du niveau de
Fermi par rapport la bande de conduction dans la ZCE et labsence suppose dlectrons.
II.4. La capacit est initialement polarise en rgime daccumulation puis est brusquement
polarise en de dsertion profonde ( t = 0). Expliquer lvolution temporelle des charges Q D et Qn
pour t > 0. Est ce que ce phnomne vous semble rapide (par rapport la minute par exemple) ?
II.5. Ecrire lquation aux potentiels de la capacit MOS qui lie VG VFB, Vox et S. Exprimer alors
Vox en fonction de QSC et modifier lquation aux potentiels en consquence.
II.6. En rgime de dsertion, donner lexpression du potentiel de surface en fonction de la longueur
de la ZCE (xd). Donner alors lexpression de QSC en fonction du potentiel de surface. Modifier
finalement lquation aux potentiels pour obtenir VG en fonction du potentiel de surface.
Remarque : seuls les rgimes de dsertion et de dsertion profonde permettent de donner une
expression analytique du potentiel de surface en fonction du potentiel de grille partir de la
rsolution de lquation du deuxime ordre que vous venez de trouver.
II.7. R-crire lquation aux potentiels en fonction de xd partir des rsultats de la question (II.6).
Rsoudre cette quation du deuxime ordre pour obtenir lexpression de xd en fonction de VG.
II.8. Donner lexpression de la tension de seuil, Vth, en fonction de VFB, Cox, NA et F.
II.9. En supposant que la grille est en poly-silicium dgnr de type N (EFM = EC), donner
lexpression de la tension de bandes plates en fonction de EG et de F.
II.10. On suppose, prsent, que la tension de bandes plates est nulle puis on place une charge
parasite Qoxp (par unit de surface) dans lisolant de grille une distance XP de linterface.
Dterminer lexpression de la nouvelle tension de bandes plates et en dduire lexpression de la
charge parasite quivalente ramene linterface, Qox.

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TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

Exercice III : Allure thorique de la courbe C-V

Lexpression de la capacit (par unit de surface) est obtenue partir de lquation suivante :
C'

Q G
VG

(III.1)

QG (Cm2) correspond la variation de la charge de grille et VG est suppose trs faible (20 mV
par exemple).
III.1. A partir de lquation aux potentiels et des rsultats de la question (II.6), donner lexpression
de linverse de la capacit C en fonction de Cox et de CSC (capacit du semi-conducteur).
III.2. Expliquer le comportement capacitif de la capacit MOS en rgime daccumulation en la
comparant avec une capacit plane de type MIM (Mtal/Isolant/Mtal).
III.3. Expliquer le comportement capacitif de la capacit MOS en rgime de dsertion.
III.4. Expliquer le comportement capacitif de la capacit MOS dans les trois cas suivants :

Rgime dinversion forte et signal de grille alternatif de frquence trs lente (BF) par
rapport la gnration thermique des porteurs.
Rgime dinversion forte et signal de grille alternatif de frquence trs rapide (HF) par
rapport la gnration thermique des porteurs.
Rgime de dsertion profonde.

III.5. Reprsenter graphiquement la courbe C-V de la capacit MOS dans tous les rgimes de
fonctionnement.
III.6. En rgime de dsertion et partir des questions (III.1) et (II.7), donner lexpression de la
capacit CSC en fonction de xd. Donner alors lexpression de (1/C)2 en fonction de VG, VFB et NA.
Quelle est la particularit de la courbe (1/C)2 = f(VG) et quobtient-on comme informations partir
de cette courbe ? Est ce que lexpression de (1/C)2 est vraie pour VG proche de VFB ?
III.7. En rgime daccumulation, la charge du semi-conducteur est donne par lexpression
suivante :

qS
QSC 2kTSi NA exp

2kT

(III.2)

A partir de lquation aux potentiels (en faisant la remarque que le potentiel de surface peut tre
nglig par rapport aux autres potentiels) et de lquation (III.2), donner lexpression de 1/C en
fonction de VG et VFB. Quelle est la particularit de la courbe 1/C = f(1/(VG VFB)) et que peut-on
obtenir comme informations avec cette courbe ?

Exercice IV :

Caractrisation de la capacit MOS

On a relev, pour la structure MOS tudie, les courbes C(VG) donnes sous deux formes
quivalentes aux figures (IV.1) et (IV.2).
II.1. Expliquer brivement pourquoi ces courbes dpendent de la frquence. En dduire lordre de
grandeur du temps de rponse de la couche dinversion du semi-conducteur.
II.2. Dduire des courbes C(VG) la valeur approximative de la tension de seuil Vth.
-9-

II.3. Dterminer approximativement la valeur de Cox et lpaisseur disolant, tox.

II.4. Dduire de la courbe (1/C)2 la concentration dimpurets NA du substrat et la tension de
bandes plates. Calculer la longueur de la ZCE en inversion forte et la comparer avec tox.
II.5. Si lon suppose que la grille a t ralise en polysilicium dgnr de type N (EFM = EC dans la
grille), quelle doit tre la valeur de la tension de bandes plates si il ny a pas de charge parasit
dans lisolant ou son interface avec le semi-conducteur. En dduire la charge parasite de lisolant
(par unit de surface) ramene linterface.

5
4

F (Hz) = 1,

-2

C' (mF m )

300, 10 , 10 ,
3

10

2
1
0

Dsertion profonde
-4

-2

0
VG (V)

Figures IV.1
6

1.2x10

-2

(1/C') (m F )

1.6x10

8.0x10

4.0x10

0.0
-1.5

-1.0

-0.5

0.0
VG (V)

Figures IV.2

- 10 -

0.5

1.0

1.5

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

TD No. 3 : Le transistor MOSFET

Dans les transistors MOSFET (Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor) qui
constituent lapplication la plus importante des structures MOS, on exploite le caractre
conducteur de la couche dinversion (canal) paralllement la surface du semi-conducteur. Nous
considrerons, dans tout ce TD, un transistor MOS (MOSFET) canal n (les lectrons assurent la
conduction).

Exercice I : Fonctionnement du transistor MOS

Soit un transistor n-MOS canal long dont une coupe schmatique est donne la figure (I.1).
Le transistor est constitu dun substrat (silicium de type P pour un transistor de type n) dans
lequel deux rgions N+, appeles source et drain, ont t implantes et dune couche doxyde
sparant la grille du substrat. La grille peut tre soit en aluminium soit en silicium poly-cristallin
et loxyde est ralis par oxydation thermique du silicium. Les paramtres de base dune telle
structure sont la longueur du canal (distance entre source et drain), sa largeur W, lpaisseur de la
couche disolant tox et le dopage du substrat NA (pour un substrat de type P). Pour cette tude,
lorigine des potentiels sera la source et le substrat sera connect la masse.
I.1. Expliquer le fonctionnement gnral du transistor MOS en insistant sur le rle de la tension de
grille VGS, de la tension de seuil VT et celui des jonctions de drain et de source.
I.2. Expliquer les diffrents rgimes du transistor en fonction de la polarisation de drain VDS.
I.3. Tracer lallure des courbes IDS(VGS,VDS) et IDS(VDS,VGS) pour tous les rgimes de fonctionnement.

Source,VS

Grille, VG

Drain, VD

Isolant
N+

Figure I.1. Coupe schmatique

dun transistor MOS canal n.

N+

Substrat type-p

Substrat, VB

Exercice II : Approfondissement des connaissances

II.1. Raisonnement sur les diodes de drain et de source
On rappel que dans la ZCE dune jonction polarise, EFn est au mme niveau que le niveau de
Fermi ct N et que EFp est au mme niveau que le niveau de Fermi ct P. Lcart entre les quasiniveaux de Fermi est not C = q(EFp EFn) avec C(x = 0) = VS VB = VSB et C(x = L) = VD VB =
VDB.
II.1.a. Tracer qualitativement les diagrammes de bandes des jonctions source-substrat (pour
VSB = 0) et drain-substrat (VDB > 0) en faisant apparatre la position des quasi-niveaux de Fermi
dans les zones de charges despaces.
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II.1.b. Que pouvez-vous dire sur la position du quasi-niveau de Fermi des trous dans les
zones de charges despaces ct drain et source ?
II.1.c. On a donc une variation de lcart entre les quasi-niveaux de Fermi le long du canal de
la source vers le drain. En vous basant sur lvolution de EFp et EFn le long du canal, conclure sur
lexistence possible dun courant dlectrons et dun courant de trous.
II.2. Raisonnement sur la charge dinversion
II.2.a. Ainsi, les diodes appliquent un cart entre les quasi-niveaux de Fermi aux bornes du
canal. Est-ce que cela a un impact sur les courbures de bandes (dans la ZCE sous lisolant) du semiconducteur en rgime dinversion faible et en rgime dinversion forte ?
II.2.b. Soit une tension de drain, VDS trs faible (<< kT/q), que pouvez-vous dire sur la charge
dinversion ct source et ct drain ? Que se passe-t-il lorsque VDS augmente ? A VDS faible, quelle
est linfluence dune polarisation positive ou ngative sur la couche dinversion et donc sur le
courant ? Comment appelle-t-on ce phnomne ?
II.2.c. Discuter de lextension de la ZCE le long du canal en fonction de la polarisation VDS.
II.3. Expression gnrale du courant de drain
Lexpression gnrale de la densit de courant dpend des termes de conduction et de diffusion :
J n = qn 0 x qDn grad x (n)

(II.1)

o x est le champ lectrique longitudinal dans le canal.

Sachant que le champ lectrique drive d'un potentiel scalaire (x = gradx()) et en utilisant la
relation dEinstein Dn = 0kT/q, lEq (II.1) peut se mettre sous la forme :
J n = qn 0

d
kT dn
q 0
dx
q dx

(II.2)

q(y)

ECs

EF

qC

EFn

EV

Eis

Figure II.1. Diagramme de

bandes du transistor MOS canal
n faisant apparatre les quasiniveaux de Fermi.

qS

EFM
Mtal

Ei

qF

EFp
qVGB

EC

EVs
Isolant

Silicium
y

0 yi

II.3.a. A partir de la figure (II.1), donner lexpression de la densit dlectrons dans le semiconducteur en fonction de (y), de C et de la densit dlectrons hors de la ZCE (loin de
linterface).
II.3.b. Donner alors la nouvelle expression de Jn en fonction de C.
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TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

II.3.c. Donner lexpression du courant de drain en remarquant quil est gal la somme de
tous les Jn de linterface jusqu yi, lpaisseur de la couche dinversion.
II.3.d. En identifiant Qn comme tant la charge dinversion (par unit de surface), c.f.
quation (II.3), et en remarquant que IDS est flux conservatif, intgrer lexpression trouve
prcdemment entre la source (y = 0, C = VSB) et le drain (y = L, C = VDB).

yi

Q n q ny dy

(II.3)

II.4. Tension de seuil en un point locale (VT(x)) et charge dinversion

II.4.a. Etablir la condition dapparition de la couche dinversion (en inversion forte)
labscisse x.
II.4.b. A partir du TD sur la capacit MOS, donner lexpression de la charge Q SC en rgime de
dsertion en fonction du potentiel de surface. Donner alors lexpression de la nouvelle tension de
seuil VT(x).
II.4.c. En rgime dinversion forte, donner lexpression de la charge Qn(y) en fonction de VGB,
VT(x) et C(x).

Exercice III : Courant de drain en inversion forte et en rgime ohmique

On considre prsent un transistor MOS (c.f. figure (II.1)) polaris en rgime dinversion
forte en rgime ohmique (VGS > VT et couche dinversion constante de la source au drain, VDS <<
kT/q). On suppose que VS = VB.
III.1. Simplifier lexpression du courant de drain obtenue la question (II.3.d). Remplacer
lexpression de Qn par celle obtenue la question (II.4.c) aprs lavoir simplifier. Donner
lexpression de la tension de seuil du transistor.
III.2. Donner la nouvelle expression de VT si la tension VSB nest plus nulle mais en conservant
VDS << kT/q. Est ce que cette expression est cohrente avec la question (II.2.b) ?
III.3. Il existe une autre mthode pour obtenir lexpression du courant de drain. Pour cela on
considre que le canal est quivalent un barreau de silicium de dimension L, W et yi contenant
une charge QN ( ne pas confondre avec Qn).
III.3.a. Donner lexpression de QN en fonction de Qn et de la gomtrie du canal.
III.3.b. Donner lexpression de IDS en fonction de la charge QN et du temps de transit des
lectrons, trans, de la source vers le drain.
III.3.c. Donner lexpression du temps de transit des lectrons en fonction de la tension VDS et
de la mobilit des lectrons.
III.3.d. Donner finalement lexpression du courant en fonction de Qn. Le reste des calculs a
t conduit la question (III.1).

Exercice IV : Expression du courant de drain en inversion forte

- 13 -

On se propose de trouver lexpression du courant de drain en rgime dinversion forte quelque

soit la valeur de VDS.
IV.1. A partir des questions (II.3.d) et (II.4.c), donner lexpression du courant de drain en fonction
de dC, VG, VFB et de la gomtrie du canal. Intgrer cette expression entre VSB et VDB.
IV.2. Faire un dveloppement limit de cette expression lorsque VDS << 2F + VBS et donner la
nouvelle expression de IDS. Identifier alors lexpression de la tension de seuil et simplifier
lexpression du courant. Comment volue IDS avec la tension de grille ? Lexpression que vous venez
de dterminer est valable en rgimes ohmique et non ohmique.
IV.3. Est-ce que lexpression du courant de drain admet un maximum en fonction de VDS ? En
dduire lexistence dune tension de drain de saturation et donner lexpression du courant de drain
en saturation.

Exercice V : Caractrisation du transistor MOS

On se propose de dterminer les principales caractristiques du transistor MOS partir de sa
courbe IDS(VGS). On rappelle pour cela que la mobilit des lectrons du canal est une fonction des
polarisations appliques. On crit alors la mobilit effective des lectrons, hors rgime de
saturation, comme tant gal :
eff

(V.1)

1 VGS VT DS
2

o (> 0) correspond au facteur linaire de rduction de la mobilit.

D
RSD/2
D
G

VDS

Figure V.1.
Reprsentation schmatique
dun transistor MOS (encercl) et de ses
rsistances daccs au canal.

VDS

S
VGS

RSD/2
S

V.1. R-crire lexpression du courant de drain en rgime non ohmique. Quel est limpact de sur la
courbe IDS(VGS) ?
V.2. Dterminer lexpression de la transconductance du transistor, gm = IDS/VGS.
V.3. Dterminer lexpression de la fonction Y = IDS/(gm)0.5. Quelle est la particularit de cette courbe
et que pouvez-vous en tirer ?
V.4. Dterminer lexpression de la fonction W = 1/(gm)0.5. Quelle est la particularit de la courbe
W = f(VGS VT VDS/2) et que pouvez vous en tirer ?
V.5. Considrons prsent les rsistances daccs au canal, comme lindique la figure (V.1). Donner
la nouvelle expression de IDS (en utilisant ) en fonction de VDS et VGS (on utilisera la loi des
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TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

mailles) si VDS est trs faible (ngligeable devant VGS et VT). Simplifier cette expression lorsque
VGS VGS. Proposer alors une mthode pour dterminer RSD. On posera pour cela :
* RSD

W
0C' ox
L

(V.2)

V.6. L correspond la diminution de la longueur du canal par rapport longueur dessine sur
masque. Quelle est la dpendance de * par rapport L L ? Proposer une mthode pour
dterminer L. Est-ce que la valeur extraite de 0 (question (V.3)) dpend aussi de L ?

- 15 -

- 16 -

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TD No. 4 : Le transistor bipolaire

Diffrentes contributions au courant dans la base dun transistor bipolaire

On considre un transistor PNP constitu de deux jonctions abruptes en silicium. Les dopages
respectifs de lmetteur, de la base et du collecteur sont : NAE = 1019 cm3, ND = 21017 cm3,
NAC = 1016 cm3. La rgion neutre de la base (hors des zones de charges despace ZCE) stend de
x = 0 x = W. pn(x) dsignera la concentration de trous en x dans la base.
Les constantes utiliser sont : temprature ambiante T = 300 K, charge dun trou
q = 1.61019 C, permittivit du vide 0 = 8.851012 Fm1, constante dilectrique du silicium
SC = 11.9, constante de Boltzmann k = 1.381023 JK1, concentration intrinsque de porteurs dans
le semi-conducteur ni = 1.171010 cm3.

Exercice I :
I.1. Calculer ltendue des zones de charges despace des jonctions metteur-base et base-collecteur
lquilibre Exprimer la longueur physique WB de la base en fonction de W0 (tendue de la rgion
neutre de la base lquilibre).
I.2. Pour VEB = 0.6 V et VCB = 10 V, on trouve par mesure W = 0.4 m. Calculer WB.

Exercice II :
Pour des polarisations usuelles, de lordre de celles donnes ci-dessus, dans le rgime directe
(conducteur), la jonction metteur-base, de type p+n, injecte des trous (injection faible) lentre
de la rgion neutre de la base ( en x = 0). On sait que la recombinaison des porteurs dans la base
est faible.
II.1. Expliquer qualitativement le fonctionnement du transistor en dcrivant le dplacement des
trous injects. Justifier que W << Lp qui reprsente la longueur de diffusion des trous dans la base.
II.2. Dans les conditions considres, expliciter pn(0) et pn(W) et montrer quen labsence de
recombinaison ou de gnration (par exemple par ionisation par impact) dans la ZCE basecollecteur, la densit du courant collecteur vaudra :
IC

qD p

qV
p n0 exp EB
W
kT

(II.1)

o pn0 est la concentration lquilibre des porteurs minoritaires dans la base.

On noubliera pas dexpliquer pourquoi, sous le rgime de fonctionnement tudi IC >> ICB0, courant
inverse de la jonction base-collecteur.

- 17 -

Exercice III :
III.1. Justifier que lune des composantes du courant de base, IB1, est due la (faible)
recombinaison dans la base. On sait que ce courant est donn par :
I B1

Qp

(III.1)

o p est la dure de vie des trous dans la base et Qp la charge injecte (stocke) correspondante.
Montrer que :
I B1

qp n 0W
2 p

(III.2)

et que par suite :

I B1
W2

IC
2L p 2

(III.3)

III.2. Deux autres composantes du courant de base, IB2 et IB3, sont dues respectivement linjection
dlectrons (porteurs majoritaires de la base) dans lmetteur (rgion p+) et au courant de la jonction
base-collecteur : IB3 = ICB0.
Compte tenu du rgime de polarisation choisi, et si les longueurs de lmetteur et du collecteur sont
WE = 1 m et WC = 2 m, justifier que pour le transistor tudi, sil ny a pas de gnrationrecombinaison dans les ZCE :
I B2

qD n n i 2
qV
exp EB
WE N AE
kT

(III.4)

et :
I B3

qD n n i 2
WC N AC

(III.4)

On considrera que dans le collecteur et lmetteur, la dure de vie des porteurs est = 5 s et que
n = 3 p = 1500 cm2V1s1.
Donner lexpression de IB3 si lon tient compte de la gnration dans la ZCE base-collecteur. A
partir de lapplication numrique, dterminer quelle est la contribution essentielle IB3. A partir de
quelle tension VBE aura-t-on |IB3| IB2 / 100 (cest--dire IB2 + IB3 IB2) ?
III.3. Dduire des rsultats prcdents que le gain en courant = IC / IB, o IB IB1 + IB2, sera
grand si W << Lp et si NAE >> ND. Calculer pour le transistor tudi si p = 1 s.

Exercice IV :
Une autre contribution au courant de base, IB4, correspond la mise en avalanche de la jonction
base-collecteur (par ionisation par impact, provoque par les porteurs injects travers la base).
IV.1. Si le champ critique davalanche est EC = 4105 Vcm1, calculer la tension davalanche VBCav.
- 18 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

IV.2. On sait que dans le silicium, le coefficient de multiplication du courant M = ICav / IC =

ICav / Ip(W) est donn par :
1

V
1 BC
VBCav

(IV.1)

Calculer la tension VBC pour laquelle le courant collecteur augmente (par avalanche) denviron
40 %.
IV.3. Montrer que le processus davalanche cre un courant IB4 gale :
I B4 M 1I C

(IV.2)

Exercice V :
V.1. Calculer, pour les polarisations cites la question (I.2), la capacit dentre du transistor :
CBE Ct CDp

(V.1)

o CDp est la capacit de diffusion :

C Dp

dQ p

(V.2)

dVEB

V.2. Montrer que CDp est gal :

qQ p
kT

g m t

dI C
t
dV EB

(V.3)

o gm est la transconductance et t le temps de transit des trous injects dans la base.

V.3. En dduire la valeur de la frquence maximale de fonctionnement fmax du transistor.

- 19 -

- 20 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

DS de micro-lectronique 2001/2002 N1
Le 11 dcembre 2001

Dure : 2 h

Cours, documents et calculatrice autoriss.

Vous tes pri :

d'indiquer votre nom, votre groupe et le

intercalaires soigneusement numrotes,

de bien mettre en vidence les rsultats littraux ou numriques (les

principaux rsultats tant encadrs),

dteindre votre tlphone portable.

nombre

de

feuilles

La temprature considre est la temprature ambiante T = 300 K.

Les constantes utiliser sont : charge dun trou q = 1,61019 C, permittivit du vide
0 = 8.8510-12 Fm1, constante dilectrique du silicium SC = 11.9, constante de Boltzmann
k = 1,381023 JK1, concentration intrinsque de porteurs dans le semi-conducteur
ni = 1,171010 cm3, masse effective des lectrons et des trous mn = mp = 0,91030 kg, constante de
Planck h = 6,621034 Js.

Exercice I : Equilibre dun semi-conducteur non-homogne

I.1. Montrer que la stricte neutralit lectrique implique une volution spatiale linaire ou
constante du potentiel (cest--dire un champ lectrique constant ou nul).
I.2. Un chantillon de silicium est dop par des impurets de type donneur dont la distribution
spatiale est exponentielle :
N D N 0 exp x

(I.1)

avec N0 = 1017 cm3 et = 0,5 m.

I.2.1. Expliciter, par exemple, lvolution de la diffrence [EC EF] en fonction de x, o EC et
EF dsignent les nergies respectives du bas de la bande de conduction et du niveau de Fermi.
I.2.2. Tracer ensuite le diagramme des bandes dnergie lquilibre pour x [0 ; 2 m].
I.3. A lquilibre, aucun courant ne passe dans lchantillon (ix = 0).
I.3.1. En dduire quil existe un champ lectrique interne Ex dont on calculera lexpression.
I.3.2. Vrifier que le rsultat obtenu est cohrent avec celui de la question prcdente et
conclure sur la neutralit (ou non) dun semi-conducteur dopage exponentiel.
I.4. Comparer la valeur du champ lectrique prcdent avec la valeur moyenne du champ lectrique
interne (dans la zone de charge despace de largeur totale W quon prendra gale
1 m) dune jonction p-n en silicium (sans polarisation externe) dont les dopages des rgions
(homognes) extrmes sont : ND = 1017 cm3 et NA = 1015 cm3.
- 21 -

Exercice II : Jonction p-n asymtrique courte

On considre un semi-conducteur de type n homogne (concentration dimpurets ND, dure de
vie p des porteurs minoritaires, quon pourra considrer comme grande devant le temps de
transit) de longueur ln, quon pourra considrer comme courte devant la longueur de diffusion. On
cre de faon permanente, en x = 0 un excs de porteurs minoritaires p(0) = p0, qui va voluer
uniquement selon x.
On suppose que sil existe un champ lectrique, il est ngligeable, et que tous les porteurs en
excs sont extraits en x = ln : p(ln) = 0. On se place, de plus, en rgime stationnaire
II.1. Compte tenu des hypothses prcdentes, crire lquation diffrentielle du deuxime ordre
gouvernant le phnomne qui rgit la distribution p(x) (on expliquera toutes les simplifications).
Quelle est la particularit de lvolution de p(x) et donner son expression pour les conditions aux
limites choisies.
II.2. Montrer que la densit de courant de trous ip(x) est indpendante de x et donner son
expression.
II.3. On dfinit la densit de courant de recombinaison dans lchantillon,iR, comme suit :

ln

i R q R( x )dx

(II.1)

o R(x) est le taux de recombinaison en x.

II.3.1. Calculer cette densit de courant.
II.3.2. Montrer que iR peut aussi scrire sous la forme suivante :
iR

Qp
p

(II.2)

o Qp est la charge totale des minoritaires en excs (charge stocke).

II.3.3. Retrouver alors lgalit suivante :
iR 1 ln

i p 2 L p

(II.3)

o Lp est la longueur de diffusion des minoritaires.

II.3.4. Conclure sur la longueur ln de lchantillon si lon souhaite que iR << ip. Est-ce cohrent
avec lhypothse de recombinaison faible ?
II.3.5. Application numrique : trouver la valeur minimale de p si lon souhaite que
iR 5 % ip dans un chantillon de silicium de longueur ln = 1 m o la mobilit des trous est p
= 400 cm2V1s1.
II.4. A la distance x dans lchantillon, les porteurs minoritaires qui parcourent la distance dx ont
une vitesse v(x) telle que :

i p ( x ) qpx vx

(II.4)

- 22 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

II.4.1. Donner lexpression du temps de transit t des minoritaires en excs dans lchantillon
(entre x = 0 et x = ln), li leur diffusion.
II.4.2. Calculer t avec les mmes conditions qu la question (II.3.5).
II.4.3. Vrifier que la condition iR << ip est quivalent p >> t.

Exercice III : Caractrisation dune diode

On veut comparer la caractristique relles dune diode la loi :

qV
I I S exp
1
mkT

(III.1)

o m est le coefficient didalit (m = 1 pour une diode idale).

La diode a t fabrique en ralisant une jonction abrupte entre une rgion de longueur WP
prsentant une concentration NA = 1018 cm3 dimpurets acceptrices et une rgion WN avec
ND = 51015 cm3 dimpurets donatrices. La mobilit des porteurs ct N est
n = 1200 cm2V1s1 et p = 400 cm2V1s1. La dure de vie des porteurs minoritaires ct N est p =
106 s. La section de cette diode est S = 1 mm2.
La caractristique I(V) directe de cette diode temprature ambiante est donne en chelle
semi-logarithmique la figure (III.1).
III.1. Dduire de la caractristique les valeurs du coefficient didalit et du courant de saturation
IS.
III.2. Pour une diode idale, rappeler lexpression de IS et la simplifier pour la diode considre et
lorsque la rgion N est suppose courte.
III.3. Calculer la longueur WN de la rgion N et vrifier posteriori que lon peut considrer cette
diode comme courte ct N.

- 23 -

103

106
I (A)

Figure III.1.

109

1012
0

0,2

0,4

0,6

V (V)

- 24 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

DS de micro-lectronique 2001/2002 N2

Le 29 janvier 2002

Dure : 2 h 30

Sans documents et sans calculatrice.

Vous tes pri :

d'indiquer votre nom, votre groupe et le

intercalaires soigneusement numrotes,

de bien mettre en vidence les rsultats littraux (les principaux

rsultats tant encadrs),

dteindre votre tlphone portable.

nombre

de

feuilles

Exercice I : La jonction Schottky lquilibre thermodynamique

Une jonction Schottky est forme de la juxtaposition de deux matriaux de nature diffrente.
Nous allons considrer une jonction mtal-semiconducteur de type N, en faisant l'hypothse d'un
dopage abrupte dans le semi-conducteur.
La figure (I.1) reprsente la variation de la densit volumique de charge (x). On notera W la
largeur de la zone de charge d'espace.
(x)
qND

Figure I.1.

I.1. Calculer et reprsenter la variation du champ lectrique (x) et du potentiel interne V(x) dans
le semi-conducteur (on prendra comme hypothse V(0) = 0).
I.2. Donner l'expression de la largeur de la zone de charge d'espace W en fonction du dopage N D et
de la barrire de potentiel Vb (Vb reprsente la chute de potentiel aux bornes de la zone de charge
d'espace).

Exercice II : Le transistor bipolaire

II.1. Expliquer qualitativement le fonctionnement du transistor bipolaire, on prendra un transistor
de type PNP (5 lignes maximum).
II.2. La figure (II.1.a) reprsente le profil de la concentration des porteurs minoritaires dans la
base d'un transistor bipolaire. Calculer le temps de transit 1 des porteurs minoritaires dans la base
du transistor en rgime de faible injection en considrant que le dopage dans la base est uniforme.
- 25 -

II.3. Que devient la valeur du temps de transit 1 dans le cas o la largeur de la base est grande
devant la longueur de diffusion des trous.
Emetteur

Base

Collecteur

Emetteur

Base

Collecteur

pb(x)

EC(x)
(b)

(a)
0

EFn
0

Figures II.1.a et b
On considre maintenant que le profil de dopage dans la base est graduel comme lindique la
figure (II.1.b).
II.4. Montrer que la concentration dlectrons en x = 0 (note n0) est suprieure la concentration
dlectrons en x = b (note nb).
II.5. En dduire la direction du champ lectrique dans la base, quel est leffet de ce champ
lectrique cr par le gradient de concentration de porteurs majoritaires sur les porteurs
minoritaires injects dans la base depuis lmetteur.
II.6. On considrera maintenant que le temps de transit est donn par la relation 2 = b / vp, o vp
est la vitesse des porteurs dans la base. Montrer que 2 peut se mettre sous la forme :
2

qb
EC

(II.1)

o EC correspond la diffrence des niveaux dnergie du bas de la bande de conduction value

aux bornes de la base et la mobilit des porteurs.
II.7. En considrant que le rapport (n0 / nb) = 100, exprimer 2 en fonction 1 (obtenu la question
II.2), en dduire la valeur du gain apport au temps de transit par le transistor base graduelle.
On donne ln(100) = 4,6.

Exercice III : Le transistor MOSFET

III.1. Expliquer qualitativement le principe de fonctionnement du transistor MOS (5 lignes
maximum).
Les performances dynamiques du transistor sont notamment lies au temps de transit des
porteurs dans le canal. Nous allons considrer le transistor de type N reprsent sur la figure
(III.1.a). Nous utiliserons les notations suivantes : L est la longueur du transistor, W sa largeur, no
la mobilit champ faible, Qn la charge contenue dans le canal et C'ox la capacit d'oxyde par unit
de surface. Leffet Early sera nglig dans tout cet exercice.
Le temps de transit en rgime statique est donn par la relation :

Qn
I DS

(III.1)

III.2. Donner lexpression du temps de transit lorsque le transistor fonctionne en rgime linaire
(rgime ohmique).
- 26 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

III.3. On considre maintenant que le transistor fonctionne en rgime satur. Aprs avoir rappeler
lexpression du courant drain dans ce rgime de fonctionnement, donner lexpression de la
transconductance gm.
III.4. Les concepteurs utilisent pour le calcul de la frquence de coupure du transistor lexpression
suivante lorsque ce dernier fonctionne en rgime satur :
g
fc m
Cg

(III.2)

avec

Cg C' ox WL

(III.3)

o Cg est la capacit relative la grille du transistor. Montrer quil est possible de retrouver
cette expression en utilisant la relation prcdente donnant le temps de transit . Pour le calcul de
Qn dans le rgime satur on pourra utiliser les donnes de la figure (III.1.b) o le point de
pincement se trouve au niveau du drain (y = L).
0
(a)

0
(b)

D
canal

y
D

canal
Qn = - Cox(VGS VT)

Figures III.1.a et b

Exercice IV : La diode PN
Considrons une diode polarise en inverse dont on supposera que la variation de la zone de
charge despace (ZCE) est donne par la relation :

W k Vb Va

(IV.1)

o k est une constante, Vb le potentiel de diffusion et Va la polarisation applique la diode.

Dans ce rgime de fonctionnement, la diode est soumise des mcanismes de gnration
recombinaison dans la ZCE. Le taux de gnration-recombinaison est donn par la relation :

r( x ) 1
tc

n(x) p(x) - n i 2
2 n i n(x) p(x)

(IV.2)

o n et p sont les concentrations de porteurs libres (lectrons et trous respectivement), n i est la

concentration intrinsque et tc la constante de temps de capture des porteurs libres.
IV.1. Quelles sont les hypothses qui permettent de simplifier lexpression de r(x) et de trouver
lexpression suivante :
r( x )

- ni
2 tc

(IV.3)

IV.2. En dduire lexpression du courant de gnration-recombinaison dans la diode partir de

lquation de continuit suivante :
- 27 -

I gr q

(IV.4)

r(x) dx

IV.3. Le courant Id dans la diode, hors mcanisme de gnration-recombinaison, est donn par la
relation :

V
I d I s exp a - 1
ut

(IV.5)

u t kT
q

(IV.6)

avec

Donner lexpression du courant Id dans la diode en tennant compte de la gnrationrecombinaison. Reprsenter la variation du courant Id en fonction de Va (pour Va < 0).
IV.4. On souhaite obtenir la valeur de tc. Montrer quil est possible dextraire ce paramtre partir
de lexpression de la conductance gd de la diode (qui nest plus nulle dans ce cas).

Exercice V : Le transistor MOSFET : application circuit

Considrons le montage de la figure (V.1) dans lequel le transistor est mont en source commune
et pilot par une source de tension.

I0

Figure V.1.

Ve

Vs

V.1. Quelle est la condition sur VDS pour que le transistor soit polaris en rgime satur ?
V.2. Donner lexpression du courant drain dans ce rgime de fonctionnement.
V.3. Calculer la valeur de la transconductance et de la conductance du transistor.
V.4. En dduire le schma quivalent petit signal et calculer le gain dans la bande passante.
V.5. Montrer que le gain idal du montage source commune ne dpend que du rapport gm/IDS.
V.6. Quelles solutions peut-on envisager pour amliorer ce gain ?
V.7. Aprs avoir rappeler lexpression de la capacit Cgs du transistor lorsque ce dernier fonctionne
en rgime satur (on ngligera Cgso), calculer la frquence de coupure de lamplificateur aliment
par un gnrateur de signal (Ve) dont limpdance de sortie est de 50 . Dans cette tude on pourra
aussi ngliger linfluence de la capacit entre grille et drain Cgd.

Exercice VI : Le transistor MOSFET : reprsentation graphique

- 28 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

Le courant dans le transistor MOSFET est donn par la relation suivante :

I DS n0C' ox W
L

VD

VGS VT Vy dVy

(VI.1)

VS

VT est la tension de seuil du transistor. Une reprsentation graphique de lquation (VI.1) est
donne la figure (VI.1.a).
VI.1. Le transistor est polaris suivant le montage de la figure (VI.1.b). Complter la figure (VI.1.a)
et en dduire le rgime de fonctionnement du transistor.
VI.2. Aprs avoir reprsent les schmas quivalents pour les analyses DC et AC, en dduire le rle
principal du transistor dans ce type de montage.
Vx
Vg

(a)

(b)

Vs

Vy

Figures VI.1.a et b

- 29 -

- 30 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

DS de micro-lectronique 2002/2003 N2

Le 30 janvier 2003

Dure : 2 h15

Cours, documents et calculatrice autoriss.

Tout change entre tudiants (calculatrice, stylo, rponses) est interdit et

sanctionn par lexclusion immdiate de lexamen.

Vous tes pri :

d'indiquer votre nom, votre groupe et le

intercalaires soigneusement numrotes,

de bien mettre en vidence les rsultats littraux (les principaux

rsultats tant encadrs),

dteindre votre tlphone portable.

nombre

de

feuilles

La temprature considre est la temprature ambiante T = 300 K. Les constantes utiliser

sont : charge dun trou q = 1,61019 C, permittivit du vide 0 = 8.8510-12 Fm1, constante
dilectrique du silicium SC = 11.9, constante de Boltzmann k = 1,381023 JK1, concentration
intrinsque de porteurs dans le semi-conducteur ni = 1,171010 cm3, masse effective des lectrons
et des trous mn = mp = 0,91030 kg, constante de Planck h = 6,621034 Js.

Exercice I :

Processus de gnration-recombinaison en volume

Soit une barreau de silicium de type P (NA = 1022 m3) de longueur L et de section S dont la dure
de vie des porteurs excdentaires est = 106 s.
I.1. Donner les expressions des densits volumiques de trous, p0, et dlectrons, n0, ainsi
lexpression de la position du niveau de Fermi EF par rapport au niveau de Fermi intrinsque Ei en
fonction de ni et NA lquilibre thermodynamique. Donner les applications numrique pour p0 et
n0.
I.2. Le barreau de silicium est prsent illumin de manire uniforme. On suppose que lnergie
des photons et lpaisseur du barreau sont telles que lon peut considrer un taux de gnration G
constant et gale 51026 m3s1 dans tout le volume du semi-conducteur.
I.2.a. En le justifiant, simplifier les quations de continuit et du courant pour les lectrons et
les trous en rgime stable.
I.2.b. Donner alors les expressions des densits de porteurs excdentaires ainsi que les
applications numriques.
I.2.c. Donner lexpression de la position des quasi-niveaux de Fermi par rapport Ei et les
simplifier. Quelle remarque pouvez-vous faire sur la position de EFp par rapport EF ?
I.3. A linstant t = 0 on coupe le flux lumineux. Expliquer ce qui se passe au cours du temps et
dterminer lexpression de la variation de porteurs minoritaires n(t).
I.4. Comme lindique la figure (I.1), le barreau de silicium est plac dans un circuit lectrique. La
tension mesure par loscilloscope est note V1. On considre que les densits de porteurs sont
- 31 -

toujours uniformes dans le semi-conducteurs avec ou sans clairement (pas de modification du ou

des niveaux de Fermi le long du barreau de silicium).
I.4.a. Donner lexpression du champ lectrique appliqu au barreau de silicium en fonction de
V, V1 et L.
I.4.b. Donner lexpression du courant total qui traverse le barreau de silicium hors
clairement ainsi que ladmittance (inverse de la rsistance), g, de ce barreau.
I.4.c. Le barreau de silicium est prsent clair depuis suffisamment longtemps pour que le
rgime permanent soit atteint. Donner la nouvelle expression du courant ainsi que la variation de
son admittance, g.
I.4.d. Donner la valeur numrique de la variation absolue de ladmittance (i.e. g/g) si n/p =
10.
I.5. Tracer qualitativement ce que lon doit mesurer sur lcran de loscilloscope si on suit le cycle
suivant pour le semi-conducteur : non clair, clair, non clair ?
h

Figure I.1.
L

S
Oscilloscope

Silicium de type P
V

Exercice II :

R1

Dtermination du type de dopage dun semi-conducteur

Un chantillon de silicium contient la fois, et en rpartition uniforme, de larsenic (en

proportion dun atome dAs pour 106 atomes de Si) et du bore en concentration 51016 atomes/cm3.
On rappelle que latome darsenic a 5 lectrons sur sa couche priphrique, le silicium 4 et le bore 3.
Le nombre datomes de silicium par m3 = 51026.
II.1. En le justifiant, dterminer si le silicium est dop N ou P temprature ambiante.
II.2. Si la temprature change de 50 C, les concentrations en lectrons et en trous sont-elles
modifies (et comment ?). Conclure sur la modification du type de semi-conducteur.
II.3. La mthode dite de la pointe chaude permet de dterminer le type de semi-conducteur en
mesurant la polarit dune diffrence de potentiel observe (en circuit ouvert) entre deux sondes S 1
et S2 en contact avec le semi-conducteur. S1 et S2 se trouvent respectivement des tempratures T1
(par exemple la temprature ambiante) et T2 (> T1 : obtenue par exemple avec fer souder ou avec
un lance flammes).
II.3.a. En partant du principe que les porteurs libres qui contribuent lvacuation de la
chaleur sont lorigine dun flux de porteurs (nombre de porteurs qui traversent une unit de
surface par unit de temps), fT, donn par (quelque soit le type de porteur) :

fT = Kgrad T

(II.1)
- 32 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

o K est une constante positive.

Ce nouveau mcanisme de conduction est donc prendre en compte en mme temps que les
courants de conduction et de diffusion. Donner les expressions de la densit de courant globale de
porteurs majoritaires dans le cas dun matriaux de type P et de type N et simplifier ces deux
quations en considrant votre rponse la question (II.2). Pour simplifier, on ne considra quune
seule direction (x par exemple).
II.3.b. Comme ce courant globale doit tre nul, puisque lon est en circuit ouvert, donner
lexpression du champ lectrique interne qui doit exister dans le cas dun matriaux de type P et de
type N.
II.3.c. En dduire que la diffrence de potentiel VS2 VS1 est proportionnelle la diffrence
(T1 T2) et que son signe dpend du type du semi-conducteur.

Exercice III :

Le transistor MOSFET en rgime dinversion faible

On se propose de dterminer lexpression du courant de drain dun transistor MOS canal n de

longueur L et de largeur W (c.f. figure (III.1) en rgime dinversion faible (i.e. V GB < VT). Dans tout
cet exercice, on considrera que le substrat et la source sont relis la masse : VB = VS = 0, et que
lon applique le potentiel VD (> 0) sur le drain. Les zones de drain et de source sont dopes N+.
(Grille)
(Source)

(Drain)

Isolant
L

N+

N+

Substrat de type P

Figure III.1.

(Substrat)

III.1. Potentiels et charges aux bornes du canal.

On suppose que les zones de drain et de source servent (entre autres) a appliquer un cart entre
les quasi-niveaux de Fermi aux bornes du canal (i.e. en y = 0 et en y = L) mais que la courbure de
bandes dans le semi-conducteur sous lisolant est entirement contrle par le potentiel de grille,
VG (comme pour une capacit MOS). Lcart entre les quasi-niveaux de Fermi en y = 0 est donn
par C(y = 0 ) = VS VB et en y = L par C(y = L ) = VD VB. Pour des polarisations VSB et VDB
positives, le quasi-niveau de Fermi des lectrons (EFn) se situe en dessous du niveau de Fermi des
trous (EFp). En dehors de la ZCE EFn = EFp = EF.
III.1.a. En rgime dinversion faible, que pouvez-vous dire de la charge dinversion, Qn
(donne en Cm2), par rapport la charge de la ZCE, QD (donne en Cm2).
III.1.b. Tracer qualitativement les diagrammes de bandes du semi-conducteur (suivant laxe
x) en y = 0 et en y = L.
III.1.c. En raisonnant sur linfluence de lcart entre les quasi-niveaux de Fermi sur la charge
dinversion, montre que le potentiel de surface en y = 0 est gal au potentiel de surface en y = L.
III.1.d. Montrer que le rapport nS(0)/nS(L) entre les concentrations dlectrons linterface au
niveau de la source et au niveau du drain vaut exp(qVDS/(kT)).
- 33 -

On rappel que :
q
nS=n 0 exp
kT

S C

(III.1)

III.1.e. Donner sans les justifier (i.e. en utilisant les rsultats du TD sur la capa MOS par
exemple) lexpression du champ lectrique, (x), et lexpression de la courbure de bandes, (x), en
fonction de NA et de la longueur de la ZCE, xd. En dduire lexpressions de xd en fonction du
potentiel de surface S puis en fonction du champ lectrique linterface S. En dduire
lexpression de S en fonction de S.
III.1.f. Lpaisseur effective de la couche dinversion xinv est approximable par la quantit
kT/(qS). Donner lexpression de xinv en fonction de S.
III.2. Expression du courant en fonction du potentiel de surface.
Il existe ainsi un gradient de concentration dlectrons libres important le long du canal
lorigine dun courant de diffusion que lon supposera trs important par rapport au courant de
conduction. On peut considrer que le courant de drain est donne par lexpression suivante :
IDS qWxinvDn dn
dx

qWxinvDn

nS 0 nS L
L

(III.2)

III.2.a. A partir de la question (III.2.d) donner lexpression de la quantit nS(0) nS(L).

III.2.b. Donner alors lexpression de IDS en fonction de n, S et VDS.
III.2.d. A VGS constant, que pouvez vous dire sur lvolution de IDS lorsque lon fait varier VDS
de 0 une tension trs suprieure kT/q.

- 34 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

DS de micro-lectronique 2003/2004

Le 29 janvier 2004

Dure : 2 h

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Vous tes pri :

d'indiquer votre nom, votre groupe et le

intercalaires soigneusement numrotes,

de bien mettre en vidence les rsultats littraux (les principaux

rsultats tant encadrs),

dteindre votre tlphone portable ( 1 point par sonnerie).

nombre

de

feuilles

On rappelle que les densits de courants sont donnes par :

J p q p p qD p gradp

J n q n n qD n gradn

(S.1)

On rappelle que les quations de continuit scrivent :

1
p
t G p R p q div J p

n G R 1 div J
n
n
n
t
q

(S.2)

EXERCICE I : La diode PIN

Une diode PIN est constitue dun mme barreau semi-conducteur (silicium) dop diffremment
(c.f. figure (I.1)). La zone I reprsente la zone intrinsque pour laquelle n = p = ni (n est la
concentration des lectrons dans la bande de conduction, p la concentration des trous dans la bande
de valence et ni la concentration intrinsque).
P

Zone I

Figure I.1.

I.1. Prise en main de la diode

Nous considrons, dans cette partie, une diode PIN hors polarisation et on ne fera aucun calcul.
I.1.a. Quelle est la particularit du niveau de Fermi le long de la diode ?

- 35 -

I.1.b. Comme pour la diode PN, il se forme une zone de charge despace (ZCE) ct N et ct
P. Que pouvez-vous dire sur la densit de charge dans la zone intrinsque ? Est-ce quune ZCE peut
exister dans la zone intrinsque ? Donner alors lvolution (qualitative) de la densit volumique de
charge le long de la diode, (x).
I.1.c. Donner qualitativement lvolution du champ lectrique, (x), le long de la diode en
justifiant son allure dans la zone intrinsque.
I.1.d. Donner lvolution du potentiel, V(x), le long de la diode en justifiant son allure dans la
zone intrinsque.
I.1.e. Reprsenter finalement le diagramme de bandes de la diode.
I.2. Approfondissement des connaissances
La diode est, prsent, polarise en direct par une tension Va continue. Nous considrons dans
cet exercice uniquement la zone intrinsque de la diode PIN et lon se place en rgime permanent.
Cette zone est soumise une double injection de porteurs : les trous (en x = 0) provenant de la
rgion P et les lectrons (en x = W) provenant de la rgion N.
I.2.a. On considre que la zone intrinsque reste neutre. Que pouvez-vous dire sur les
densits dlectrons, n(x), et de trous, p(x), dans cette zone ?
I.2.b. Donner lexpression de DpJnDnJp (o Dn = kTn/q et Dp = kTp/q). Quelle est la
particularit de lexpression obtenue ?
I.2.c. Que pouvez-vous dire des taux de gnration dlectrons et de trous dans la zone
intrinsque ? Simplifier alors les quations de continuit en ne conservant que la dimension x.
I.2.d. Soit le temps de vie des lectrons et des trous. Donner lexpression du taux de
recombinaison des lectrons et des trous en considrant que ni peut tre nglige par rapport n(x)
et p(x).
I.2.e. Dmontrer alors que lquation diffrentielle qui rgit la concentration des lectrons (ou
des trous) n(x) dans la zone intrinsque en fonction de La (La tant la longueur de diffusion
ambipolaire) et donne par :
d 2 nx
dx 2

nx

(I.1)

La2

avec :

L a Da

(I.2)

Donner aussi lexpression de Da, le coefficient de diffusion ambipolaire.

I.3. Pour aller plus loin
La diode est nouveau polarise en direct par une tension Va continue. De plus, la diode est
suppose symtrique, NA = ND. La tension Va se rpartie en plusieurs tensions : VN et VP qui sont
les tensions aux bornes des ZCE des diodes NI et PI. Il y a aussi VI, la tension aux bornes de la zone
intrinsque.
I.3.a. Que pouvez-vous dire des tensions VP et VN ? Donner lexpression de VN en fonction de
Va et VI.
- 36 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

I.3.b. Par analogie avec la diode PN (rfrence aux densits de porteurs aux frontires de la
ZCE), donner (sans le justifier) les expressions des densits dlectrons aux frontires de la zone
intrinsque (n(0) et n(W)) en fonction de VP et de VN respectivement (la densit dlectrons
lquilibre est ni dans la zone intrinsque). Que pouvez-vous dire sur ces deux densits dlectrons ?
I.3.c. A partir de lquation (I.1), donner lexpression de n(x) en fonction de n(0), La et W.
Reprsenter alors n(x) dans la zone intrinsque. On rappelle que :
cha expa exp a / 2

(I.3)

I.5. A quelle condition n(x) peut tre considr comme indpendant de x ? Dans ce cas, simplifier
lquation (S.1) et donner lexpression de la densit totale de courant (JT = Jn + Jp) en fonction de .
I.6. On se place toujours dans lhypothse o n(x) constante. Le courant total peut aussi tre
obtenu avec lexpression suivante :

J T q Rx dx

(I.4)

Montrer, en utilisant la question prcdente, que VI est indpendant de la valeur du courant.

I.7. Quelles sont les applications possibles de la diode PIN ?

EXERCICE II : Capacit MOS compense en surface

Soit une capacit MOS ayant deux niveaux de dopage (de type accepteur) dans le substrat
comme lindique la figure (II.1), NA1 pour 0 < y < yj et NA2 pour y > yj. On suppose que la
polarisation applique, VGB, fait apparatre une zone de charge despace sur une distance yd. Les
charges dues aux lectrons et aux trous pourront tre ngliges.
II.1. Si yd < yj, donner la relation quil existe entre le potentiel de surface, S, et yd.
II.2. Quelle ingalit doit-il exister entre lpaisseur yj et le dopage NA1 pour que la zone de charge
despace puisse stendre dans le substrat ? On posera :
F1

kT N A1

ln
q
ni

(II.1)

II.3. Etablir lexpression littrale du potentiel de surface, S, en supposant que la zone dserte
stend au-del de yj.
VG
M
O

tox
0
yj
yd

NA1
NA2

Figure II.1

ZCE
S

NA2
y
VB

- 37 -

- 38 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

DS de micro-lectronique 2005/2006 Partie 2

Le 9 janvier 2006

Dure : 1 h

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Tout change entre tudiants (calculatrice, stylo, rponses) est interdit et

sanctionn par lexclusion immdiate de lexamen.

Vous tes pri :

d'indiquer votre nom et votre prnom en haut de cette feuille
dteindre votre tlphone portable ( 1 point par sonnerie).

Le barme est : QCM I (5.2 pts), QCM II (3.2 pts), QCM III (1.6 pts), Exercice I (10 pts).

EXERCICE I : Mmoire non-volatile MNOS

Mtal

0
Si3N4
SiO2

VN

Si3N4
xN

QI
SiO2

Vox

VGB

xN + xox
Silicium
Silicium
x

Mtal

Figure I.1
Comme le montre la figure (I.1), la mmoire MNOS a la mme constitution quun transistor
MOS mais comporte deux couches isolantes superposes au niveau de la grille. On appelle xox et xN
les paisseurs doxyde (SiO2) et de nitrure (Si3N4). On dsigne par ox et N les permittivits de
loxyde et du nitrure avec N > ox.
On se propose dtudier dans cette exercice limpact dune charge QI linterface entre les deux
isolants sur la tension de bandes plates du transistor (et donc sur sa tension de seuil) ainsi que le
chargement dynamique de cette interface.
I.1. La figure (I.2) donne le diagramme de bande de la structure en rgime de bandes plates (VGB
= VFB0) pour QI = 0.
I1.a. Complter la figure (I.3) si on conserve la mme tension VGB mais avec QI < O. Ne pas
oublier dindiquer Vox et VN. (1pt)

- 39 -

EC
qVGB

EC
qVGB

0
Mtal

xox

xN
Si3N4

SiO2

EF

EF

EV

EV

Silicium

Mtal

xox

xN
Si3N4

SiO2

x
Silicium

I.1.b. On note Cox et CN les capacits de loxyde et du nitrure et on dfinit le capacit de

1
1
1
lisolant par :
. Quelle paisseur doxyde, xox-Eq, faudrait-il mettre la place

C tot C ox CN
du nitrure pour obtenir la mme valeur de capacit CN ? (0.5pt)
Que pouvez vous dire de xN par rapport xox-Eq ? (0.25pt)
Donner alors la nouvelle expression de Ctot en fonction de xox et xox-Eq. (0.25pt)
I.1.c. Avec QI < 0 et en rgime de bandes plates, quelle est la valeur de Q SC ? (0.25pt)
En dduire les expressions de Vox et VN (0.75pt). On rappelle lutilisation du thorme de
Gauss la figure (I.3).

11 ox 2 Q
2

0+

Figure I.3.

I.1.d. Donner lexpression de la tension de bandes plates, VFB, en fonction de VFB0 et QI .

(0.5pt)
I.2. On se place prsent hors du rgime de bandes plates des potentiels de grille trs
importants et on suppose que le potentiel de surface S est ngligeable. Lquation aux potentiels
est donne par :
VGB VFB0 VN Vox (I.1)

I.2.a. Donner lexpression du champ lectrique dans le nitrure en fonction de QI et Vox.

Avec la dfinition des signes de la figure (I.1), donc dans le sens oppos laxe des x, on
V
V
rappelle que
et non
(1pt).
X
X
Modifier alors lexpression de lquation aux potentiels. Dans cette expression, vous pouvez
reconnatre le terme VFB. (0.5pt).
- 40 -

TD de Modlisation et physique des composants I P. Masson & R. Bouchakour

I.2.b. A partir de lquation aux potentiels, donner lexpression du champ lectrique dans
loxyde en fonction, notamment, de VGB, QI et VFB0. (1pt)
Que se passe t-il pour ox lorsque QI croit par valeur positive ou ngative ? (0.5pt)
I.3. Lorsquon applique une forte tension de grille positive, des densits de courants dlectrons
apparaissent dans lisolant (Jox pour loxyde et JN pour le nitrure) faisant varier la charge QI
(charge par unit de surface). Jox et JN ont pour origine les lectrons qui pntrent le SiO2 en
provenance du silicium. Afin de simplifier le problme, nous supposerons que les deux courants
sont donns par les expressions suivantes :
J N cons tan te

J ox J A exp
ox

(I.2)

o JA et 0 sont des constantes positives. Dautre part, on supposera qu linstant t = 0 la charge

QI est nulle.
I.3.a. A partir de la figure (I.4), donner la relation diffrentielle reliant Jox, JN et QI.
(0.5pt).

JN

QI

Si3N4

Figure I.4.

SiO2

Jx

I.3.b. Que pouvez-vous dire de la densit de courant Jox lorsque la tension aux bornes de
loxyde tend sannuler (0.5pt).
I.3.c. Quelle est le signe de QI pour t > 0 si initialement loxyde est plus conducteur que le
nitrure ? (0.5pt).
I.3.d. Si la tension VGB est maintenue constante indfiniment, QI atteint une valeur limite
QI (t), pourquoi ? (1pt).
II.3.e. Supposons que pour un potentiel VGB donn, le champ lectrique dans loxyde soit de
la forme :
ox A B QI

(I.3)

Donner lexpression de la charge QI (t). (0.5pt).

II.3.f. Si prsent, on ramne la tension VGB 0 volt, quel sera instantanment le signe de
Vox et VN et que risque til de se passer pour la charge QI ? (0.5pt).

- 41 -