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GUADALAJARA
CENTRO UNIVERSITARIO DE CIENCIAS EXACTAS E INGENIERAS
OBJETIVO GENERAL
ALUMNOS:
JORGE ANTONIO GAXIOLA TIRADO.
GUSTAVO HERNANDEZ MEJA.
JOS DE JESS FLORES SANCHEZ.
PROFESOR: GUSTAVO ADOLFO VEGA GMEZ.
MATERIA: LABORATORIO DE ELECTRNICA I.
GUADALAJARA, JALISCO.
25 DE NOVIEMBRE DEL 2009
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
MARCO TERICO
Por definicin, el transistor de unin es un dispositivo semiconductor
que contiene tres porciones vecinas dopadas alternativamente, en el
cual la regin media es muy estrecha en comparacin con la longitud
de fusin de portadores minoritarios correspondiente a esa zona.
Como se muestra en la figura, el contacto de la regin central
estrecha hacia el mundo exterior se conoce como base. Los
contactos en las porciones externas reciben los nombres de emisor y
colector. Las designaciones de emisor y colector nacen de las
funciones que cumplen estas zonas en el funcionamiento del
dispositivo. An cuando en la figura pueden lucir como dos zonas
intercambiables, en los dispositivos prcticos actuales, la zona
emisora generalmente est mucho ms dopada que la colectora y no
se pueden intercambiar los terminales sin modificar las caractersticas
del dispositivo.
/E
E
+ VEC
/C
VEB
VBC
-
+
B
/B
C
+
VCB
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
/E
E
/E
/C
VEC
VEB
VBC
+
B
/B
+
VEB
VCB
VCB
Transistor pnp
/C
VCE
/B
VBC
Transistor npn
PNP
VEB
Activa directa
Saturacin
VCB
Saturacin
Corte
NPN
Activa inversa
VBE
Saturacin
Activa
directa
Saturacin
VBC
Corte
Activa inversa
iE
E
ic
P+
VEB
Entrada
VCB
Salida
Emisor comn
Colector comn
ic
iE
C
E +
iB
iB
N
B
Entrada
VEC
Salida
Entrada
P+
VEB
VEC
Salida
VCB
Emisor comn
Esta es la configuracin de transistor que se encuentra ms
frecuentemente para los transistores npn y pnp.
IC
NPN
IC
PNP
IB
VCC
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
VBB
VCC
n
IE
IB
VBB
p
IE
IC
IC
C
IB
IB
B
IE
IE
E
IC (mA)
IE= IC+IB
IC= IE
70A
60A
Para
5
10A
VCE (V)
IB=0A
3
VCEsat
LABORATORIO DE
ELECTRNICA I 2
25/NOV/2009
ICEO ICBO
(Regin de corte)
1
0
10
15
20
OBSERVACIONES
En la regin de saturacin (VCE VCEsat) se utiliza el BJT como
interruptor cerrado.
En la regin de corte VCC = VCE se utiliza el BJT como
interruptor abierto.
Vpk-pk=500mV
Vpk-pk=10mV
Amplificador
Lineal
RL
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
Vpk-pk
V mV
Seales pequeas
Reactancia
Capacitiva
- + VCC
XC= 1 = XC |
wc
ICQ
RC
R2
CB
CC
XC= 1 .
wc
RL
rs
CD
R1
RE
vs
CE
XC
+ VCC
RC
IC= ICQ + iC
ib
iC = iB
iB
CB
IB
rs
~ vs
RBB
+
VBB
RE
R2
RC
R1
RE
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
+ VCC
+
RC
RC
R2
iB
VCE
IB
R1
RBB
+
VBB
RE
IC= ICQ + iC
RE
De la malla C-E
VCC .
RC + RE
LABORATORIO DE ELECTRNICA
ICQ I
25/NOV/2009
IB
VCEQ
VCC
ZSAL= RC
2. Realice corto circuito en los capacitores y cada una de las fuentes de C.D.
con que cuente el circuito.
En un Amplificador de voltaje
es casi estrictamente necesario que se cumpla
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
CC
CB
CE
VSAL
VENT
F variable
I
RL
VSAL
~ vS
Pmax= VENT
RL
1 .
2
VENT
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
Pmed= Pmax
2
fC
Frecuencia de corte o de potencia media
Calculando capacitores
CB
rS
CC
fc
10
fc
10
RL
vS
fc
CE
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
Haga cero toda fuente, y hacer corto todos los capacitores excepto el que se
requiere calcular.
CLCULO DE CB
CLCULO DE CC
ic CLCULO DE CE
ib
ie
RE
ie
ic
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RE
CE
CALCULO DE CE
, entonces:
=17.2
Despejando IB:
= 48.43mA
INTERRUPTOR ON
INTERRUPTOR OFF
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VCC
12V
XMM1
R2
14.4
XMM3
XMM2
Q1
R1
88.78
2N3904
J1
V1
5V
VCC
12V
XMM1
R2
14.4
XMM2
R1
88.78
J1
Q1
2N3904
V1
5V
Reporte de mediciones:
Simulado:
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
XMM3
ON
VCE = 954.076 mv
IC =767.078 mA
IB = 41.47 mA
OFF
VCE = 12V
IC = 0
IB = 16.289 pA
Fsico:
ON
VCE = 900 mv
IC = 670 mA
IB = 40.01 mA
OFF
VCE = 12.01 V
IC = 0
IB = 0.022 mA
VCE = 954.076 mv
IC =767.078 mA
Materiales:
10 transistores bipolares de diferentes matriculas
Una fuente de 12V
Las siguientes resistencias:
MATRIC
ULA
VBE
VBC
2N3904
0.69
4
0.67
0
NPN
2N3906
0.74
0
0.73
0
PNP
BC327
0.65
2
0.64
6
PNP
PN2222A
0.71
5
0.71
2
NPN
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
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ENCAPSULADO
TIP
O
2N2222A
0.71
7
0.71
3
NPN
0.72
2
0.71
8
NPN
0.58
0
0.57
5
NPN
BC548B
TIP29C
2.- colector
1.-base
3.- emisor
2N2219
0.69
0
0.68
2
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NPN
2N4401
0.51
8
0.51
1
NPN
2N5886
0.50
5
0.50
0
NPN
y
x
IC
V CE
mAC=
VCC/R
CD
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mAC=
mDC=
VCC
RC
IC= ICQ + iC
ib
CB
iB
IB
rs
~ vs
RBB
+
VBB
RE
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
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Fc= 20Hz
1.- Consideramos que RC =RL para que exista mxima
transferencia de potencia del transistor hacia la carga:
Ecuacin de la ganancia de
voltaje
Sustituyendo los parmetros conocidos:
Utilizando la definicin de resistencia dinmica de la unin NP encontramos IBQ , considerando que la constante emprica es
n=2 :
Recordando que
valor de ICQ:
Obligando a que:
Obtenemos
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
, encontramos el
Calculando
Calculando R2
Calculando R1
Haciendo cero toda fuente, y haciendo corto todos los capacitores excepto el
que se requiere calcular, obtenemos:
CALCULO DE CB
CALCULO DE CC:
CALCULO DE CE:
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25/NOV/2009
VCC
VCC
R2
22.921k
12V
RC
1k
CC
9
Q1
CB
13
rs
50
39.78uF
65.985uF
14
RL
1k
2N3904
11
XFG2
12
0
R1
4.636k
RE
233.735
0
CE
0
812.015uF
0
Con
lo
valores
comerciales
disponibles
es
implementar el amplificador mostrado en la figura:
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
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posible
VCC
VCC
12V
R2
23k
RC
1k
CC
2
Q1
CB
6
rs
50
33uF
69uF
RL
1k
2N3904
4
R1
4.7k
XFG2
5
0
RE
230
0
CE
1mF
BB
Calculamos:
RBB rbe= 1155.5
Ib pk-pk =
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25/NOV/2009
= 5.69 V
DISEO
CALCULADO CON
LAS MEDICIONES
SIMULADO
IBQ
ICQ
VCE
165
31.11A
5.134mA
5.66V
163
31.3A
5.13mA
5.69V
166
30A
5.075mA
5.732V
VOLTAJE DE
SALIDA (mv)
20
40
80
160
320
640
1280
2560
5120
10240
20480
40960
81920
163840
327680
655360
1310720
VOLTAJE DE
ENTRADA
(mv)
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
6,95
2621440
6,95
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
310
412
445
485
502
505
520
530
529
531
522
525
518
506
506
480
400
GANANCIA
DE VOLTAJE
(Gv)
44,6043165
59,2805755
64,028777
69,7841727
72,2302158
72,6618705
74,8201439
76,2589928
76,1151079
76,4028777
75,1079137
75,5395683
74,5323741
72,8057554
72,8057554
69,0647482
57,5539568
GANANCIA
DE VOLTAJE
(dB)
32,9875378
35,4582482
36,1275041
36,8751387
37,1743783
37,2261315
37,4803708
37,6458213
37,6294173
37,6621943
37,513714
37,56349
37,4468991
37,2433142
37,2433142
36,7851287
35,2015037
330
47,4820144
33,5305827
Ganancia de voltaje
Gv
100
80
60
GANANCIA DE VOLTAJE
40
20
0
FRECUENCIA (Hertz)
Ganancia en decibeles
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
Gv (dB)
40
30
GANANCIA EN DECIBELES 20
10
0
FRECUENCIA (Hertz)
Frecuencia = 20 Hz.
Frecuencia = 80 Hz.
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
Frecuencia = 160 Hz
= 320 Hz. (seal de salida)
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
Frecuencia
Frecuencia =
Roja entrada
Azul salida
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
VCC
Agilent
IN
12V
R2
22.921k
XBP1
RC
1k
CC
Q1
CB
65.985uF
RL
1k
2N3904
rs
50
XFG2
39.78uF
R1
4.636k
RE
233.735
CE
812.015uF
OUT
R1 de 1 K
Para R1=2K
Para R1=3K
CONCLUSIN
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
25/NOV/2009