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Laboratorio de Electrnica
4.1 Circuito M4 para el diodo 1N4007con Multisim.

4.2 Completar la tabla con sus respectivas unidades:

Medicin para el diodo 1N4007


VDC (V)

0.5

1.5

2.5

3.5

VD (V)

0.337

0.428

0.477

0.512

0.538

0.556

0.570

0.586

ID (mA)

0.125

0.45

0.85

1.25

1.65

2.05

2.5

3.0

4.5
0.59
7
3.5

5
0.606
4.0

Medicin para el diodo AA118


VDC (V)

0.5

1.5

2.5

3.5

VD (V)

0.166

0.231

0.278

0.317

0.359

0.392

0.421

0.449

ID (mA)

0.25

0.6

0.95

1.35

1.75

2.10

2.50

3.00

4.5
0.47
4
3.50

5
0.500
3.75

4.3 Grafique los datos obtenidos experimentalmente de voltaje en el diodo (UF) vs corriente
en el diodo (IF) para el diodo D1 y D2 empleando diferentes colores de forma que todas las
curvas queden en una misma grafica.

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Grafica 01: Voltaje vs Intensidad de Corriente.

FUENTE: Elaboracin Propia


Grafica 02: Grafica Ajustada Voltaje vs Intensidad de Corriente.

FUENTE: Elaboracin Propia


4.3 Interprete los grficos obtenidos.
En las graficas se puede apreciar que la aplicacin de un voltaje determinado, para cada tipo de
diodo ocasionara un cambio en las caractersticas, incrementando la corriente en el mismo.
El diodo de silicio presenta una pendiente ms pronunciada en comparacin a la de germanio el cual
puede albergar una mayor cantidad de voltaje como se puede apreciar en la grafica y las tablas de la
experiencia M3.

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V. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES.
Observaciones:

Determinar el correcto funcionamiento del modulo erfi, identificando el correcto suministro de


energa y posibles fallas.

La evaluacin del material de trabajo como multimetros, resistencias, diodos ayudaran a una
recoleccin de datos exacta.

Realizar por lo menos dos mediciones para verificar los datos, esto especialmente en el caso
del multimetro analgico para la experiencia M4.

La buena comunicacin y distribucin de tareas entre los integrantes del grupo, hacen posible
la realizacin exitosa de la prctica.

Conclusiones:

Los diodos en polarizacin directa presentan un flujo de carga mayor que cuando estn en
polarizacin inversa, a este ltimo se le puede considerar como flujo de carga igual a cero,
esto se puede apreciar en las experiencias M2 y M3.

Cuanto mayor sea la corriente en el diodo menor ser el nivel de resistencia CD, esto se
puede ver en detalle en las tablas de la experiencia M4.

Existen gran variedad de diodos dependiendo esta de los componentes de su construccin,


elementos que lo conforman son generalmente el Silicio, germanio, galio, arsnico y
combinacin de los mismos, lo cual genera la diversidad de los mismos al igual que sus
aplicaciones.

VI. BIBLIOGRAFIA.

Boylestad R. (2009). Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Mxico: PEARSON.

VII. ANEXOS.

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SIMULACION DE LAS EXPERIENCIAS DE LABORATORIO CON EL SOFTWARE MULTISIM

M2 Usando el multimetro digital, seleccione el instrumento en la opcin prueba de diodos, elija el diodo
de silicio 1N4007 y conecte el instrumento tal como se muestra en la figura. Anotar los valores indicados
en la pantalla.

Como se puede apreciar en las figuras siguientes, los valores obtenidos en cada una de las
lecturas se aproximan a los valores registrados en el presente laboratorio.
Polarizacin Directa.

Polarizacin Inversa.

M3 Utilizando el diodo de silicio implemente el circuito mostrado en la figura.

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Como se puede apreciar en las figuras siguientes, los valores obtenidos en cada una de las
lecturas se aproximan a los valores registrados en el presente laboratorio.

Polarizacin Directa

Polarizacin Inversa.