5 de octubre de 2015

Masa Efectiva y Efecto Hall

Esta recreacin artstica muestra tomos en un condensado de Bose-Einstein que son

empujados por luz lser. Cuando los tomos, todos con la misma orientacin en su espn
magntico, representada por sus polos azul y amarillo, son empujados en direccin de la lnea
de visin, se orientan hacia la derecha debido a su espn, como consecuencia del Efecto Hall de
Espn, que ha sido observado por vez primera en un condensado de Bose-Einstein. (Imagen:
Edwards / JQI / NIST)
http://noticiasdelaciencia.com/not/7718/primera-observacion-del-efecto-hall-de-espin-en-ungas-cuantico-paso-clave-en-la-atomotronica/

Materia: Nano-Electrnica
Maestro: Alonso Guerrero
Alumno: Jimnez Aguilar Luis Alberto
Tarea: 2

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Masa Efectiva del electrn

En la fsica del estado slido, la masa efectiva de una partcula es la masa que parece tener en
un cristal segn el modelo semiclsico de transporte. Parece ser que, bajo ciertas condiciones,
los electrones y los huecos de un cristal se comportan a campos magnticos y elctricos como si
estuvieran libres en el vaco pero con una masa diferente. Generalmente no es igual que la
masa del electrn libre. Esta masa se suele expresar como una constante por la masa del
electrn
La masa efectiva, m*, se determina por la estructura de bandas y vara segn el tipo de
material. Depende de la curvatura de la superficie E-k.
En los dispositivos electrnicos la masa efectiva es una masa virtual que se calcula como una
fraccin de la masa del electrn en el vaco y depende del tipo de materia a considerar Carbono,
Silicio, Germanio, etc.
La masa efectiva permite considerar electrones y lagunas del modelo como si fueran partculas
de la fsica clsica movindose en el vaco cuando en realidad se derivan de partculas cunticas
(electrones reales) que se mueven en el cristal o slidos cristalinos puro, perfecto y a 0K.

- La velocidad de la partcula es la de grupo.

- El paquete de ondas transporta la energa de la partcula.
F = Fuerza externa ejercida
m = masa de la partcula.
Vg= Velocidad de grupo.
a = Aceleracin.

La partcula en el cristal:
- Es una magnitud no determinada.
- Depende de mltiples variables: temperatura, material, campo aplicado entre otros.
- No se puede modelar matemticamente con exactitud.

m* es la masa efectiva

Materia: Nano-Electrnica
Maestro: Alonso Guerrero
Alumno: Jimnez Aguilar Luis Alberto
Tarea: 2

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Se define:

EFECTO HALL
El efecto Hall consiste en que en un metal o semiconductor con corriente, situado en un campo
magntico perpendicular al vector densidad de corriente, surge un campo elctrico transversal y
un diferencia de potencial.
Efecto Hall es la medicin del voltaje transversal en un conductor cuando es puesto en un
campo magntico. Mediante esta medicin es posible determinar el tipo, concentracin y
movilidad de portadores en silicio.
El electromagnetismo ensea que un campo electromagntico variable en el tiempo slo
penetra en un conductor hasta una profundidad del orden del espesor pelicular. El Efecto Hall
permite la penetracin de un campo magntico rotante y la generacin de corriente.
Este mtodo est siendo utilizado para producir corriente necesaria en experimentos de fusin
nuclear por confinamiento magntico.

LA EMERGENCIA DEL EFECTO CLSICO

El ao 1879 tiene valor simblico para la historia de la fsica. Fue el ao en que falleci James
Clerk Maxwell y naci Albert Einstein. En particular, para los fines del presente trabajo, tambin
fue el ao en que Edwin Hall, public el artculo (1879). Este artculo comienza con una cita de
un extenso prrafo de la primera edicin delTratado de electricidad y magnetismo (Treatise on
electricity and magnetism) de Maxwell (1873).
Debe recordarse cuidadosamente que la fuerza mecnica que impulsa un conductor que lleva
una corriente a travs de las lneas de fuerza magntica, acta, no sobre la corriente elctrica,
sino sobre el conductor que la lleva. Si el conductor es un disco rotatorio o un fluido se mover
obedeciendo a esa fuerza, y ese movimiento puede o no estar acompaado con un cambio de
posicin de la corriente elctrica que lleva. Pero si la corriente misma es libre de elegir algn
camino a travs de un conductor slido fijo o una red de alambres, entonces, cuando se hace
actuar una fuerza magntica constante sobre el sistema, el camino de la corriente a travs de
los conductores no es alterado permanentemente, sino que luego de que ciertos fenmenos
transitorios, llamados corrientes inducidas, se han apaciguado, se hallar que la distribucin de
la corriente es la misma que si no estuviera en accin la fuerza magntica. La nica fuerza que

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Maestro: Alonso Guerrero
Alumno: Jimnez Aguilar Luis Alberto
Tarea: 2

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acta sobre las corrientes elctricas es la fuerza electromotriz, la cual debe distinguirse de la
fuerza mecnica que es el tpico de este captulo. Maxwell.

EL EFECTO HALL CUNTICO ENTERO

El nacimiento del efecto Hall cuntico puede fijarse muy precisamente. Fue la noche del 4 al 5
de febrero de 1980 alrededor de las 2 a.m. durante un experimento en el Laboratorio de Campo
Magntico Intenso en Grenoble (von Klitzing, 2004, p. 1).
Ese dato, que parece menor, es relevante desde un punto de vista histrico. Aqu nace una
corriente de investigaciones y de resultados que cambiaron completamente el perfil de las
interpretaciones sobre las propiedades cunticas de objetos y estados usualmente considerados
fuera del alcance de esa rama de la fsica. Observando el contexto con cierto detalle, hay
trabajos previos que presagian, de algn modo, esas novedades, aunque ello no es directo y la
evaluacin de su importancia es claramente a posteriori. En particular, es de mencionar un
artculo de Ando (1974) sobre sistemas bidimensionales bajo la influencia de campos
magnticos. Tambin es atendible el desarrollo de la fsica de materia condensada para esa
poca, particularmente en relacin con las interacciones entre electrones y campos magnticos.
La fsica en dos dimensiones comenzaba a cobrar presencia protagnica, naturalmente
acompaada de muy bajas temperaturas y campos magnticos intensos. Adicionalmente, la
tecnologa de semiconductores ya mostraba fronteras de inters epistemolgico. Los MOSFETs
- los transistores de efecto de campo metal-xido-semiconductor - son los grandes
protagonistas tecnolgicos en esse cambio conceptual.
Conviene hacer un comentario sobre el alcance de la fsica de dos dimensiones en ese mbito
cuntico. Como los niveles de energa son discretos, a muy bajas temperaturas los niveles ms
altos no son accesibles y, por ello, algunos tipos de movimientos no se pueden dar; esto es, se
suprimen ciertos grados de libertad. Al establecer capas en un semiconductor de modo que el
movimiento de los electrones en la tercera dimensin est cuantizado, se logra un mbito
sumamente preciso de dos dimensiones. ste es un punto interesante para atender, sobre todo
por las consecuencias representacionales y el estatus de las idealizaciones en torno de 2-D. La
fsica de 2-D, en ese sector, cobra vida propia y sugiere un tratamiento similar al que reciben
otras reas en 3-D.
El aspecto novedoso de la investigacin experimental de von Klitzing radica en que l estaba
interesado en la caracterizacin del transporte electrnico en los transistores y en el deseo de
mejorar la movilidad de esos dispositivos. Era importante encontrar y comprender los procesos
de dispersin que dominan la movilidad mencionada. El foco estuvo puesto en capas finas en
inter-fases especiales de silicio y compuestos de silicio. Para esos fines us dispositivos Hall que

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le permitan mediciones directas del tensor de resistividad. Es de mencionar, para una adecuada
captacin del aporte de von Klitzing, que ya se conoca que los electrones forman un gas
electrnico bidimensional cuando se acumulan en la superficie de un cristal de silicio como
consecuencia de un voltaje positivo en el puente. Por ltimo, el ambiente del laboratorio era
especial. Las temperaturas que manej eran del orden de 4K y los campos magnticos eran
considerablemente intensos.
Aqu apareci la novedad sorprendente. En una grfica que realiz, poniendo la resistencia Hall
y la resistencia longitudinal de un MOSFET de silicio a temperatura del helio lquido como una
funcin de la tensin de puerta (gate voltage), se observaron mesetas (plateaux) en la
resistencia Hall. Algo totalmente inesperado. Era conocido que el espectro de energa consiste
en niveles de energa con hendeduras entre ellos. Otro aspecto relevante en los resultados de
von Klitzing fue la estabilidad del fenmeno bajo mediciones de alta precisin, a pesar de las
impurezas de los materiales y de las diferencias entre ellos. Los notables valores numricos
enteros obtenidos tuvieron una influencia directa sobre la metrologa. Apareci una constante,
conocida hoy como constante de von Klitzing, y sugiri, entre otras cosas, una conexin con
otras constantes universales, como la constante de estructura fina. De all el ttulo del primer
envo, "Realizacin de un estndar resistente baseado en constantes fundamentales". Como
consecuencia de observaciones recibidas por los refers de la revista a la que se haba enviado,
ste cambi en "Nuevo mtodo para la determinacin de alta precisin de la constante de
estructura fina baseado en la resistencia Hall cuantizada" (1980). Los otros autores de este
trabajo, Dorda y Pepper, aportaron las muestras que us von Klitzing. l observ que la
conductancia Hall sobre las mesetas era constante de muestra en muestra, y
aproximadamente ne2/h, donde n es un entero determinado a una alta precisin. Aunque hubo
sugerencias de que ese mbito podra producir fsica interesante, parece que nadie se dio
cuenta de la notable cuantizacin de la conductividad Hall. Dada la precisin alcanzada en la
estabilidad de este fenmeno, el efecto Hall cuntico lleg a ser la base para el estndar de
resistencia. Los medios especializados se hicieron eco de eso inmediatamente (BMS, 1981).
Lo ms impactante de ese resultado es que la precisin de la cuantizacin no depende de la
forma del material, ni de la forma considerada para definir sus regiones de contacto. Se suele
decir que no depende de la geometra del objeto ni de las imperfecciones del mismo,
naturalmente, dentro de ciertas escalas. Se ha llegado a afirmar an que las imperfecciones son
necesarias para el efecto. Algo realmente impensable a priori, dada la precisin alcanzada y la
dependencia directa del efecto cuantizado, de constantes universales como e y h.
Comparando el efecto clsico con el cuntico, hay razones para comprender un lapso de tiempo
tan prolongado. El contexto experimental del trabajo de Hall involucraba temperaturas
ambientales y campos magnticos de baja intensidad, por lo tanto, la sensibilidad de las
mediciones acusaba la influencia de numerosos factores perturbadores. Las bajas temperaturas
estn ampliando las fronteras de la fsica.

EL EFECTO HALL CUNTICO FRACCIONARIO

Eso implica que muchos electrones, actuando en concierto, pueden crear nuevas partculas que
tienen una carga menor que la carga de cualquier electrn individual. Pero las cargas
fraccionarias son realmente bizarras. No solo ellas son ms pequeas, sino que son
exactamente 1/3 o 1/5 o 1/7 etc. de una carga electrnica, dependiendo de las condiciones bajo
las que ellas son preparadas. Y, sin embargo, nosotros sabemos con certeza que ninguno de
esos electrones se ha partido en pedazos (1999, p. 875).

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Los detalles del descubrimiento, comentados por los protagonistas, son dignos de atencin
detallada. Aqu slo se mencionarn algunos. El descubrimiento de von Klitzing en 1980,
despert gran inters por los sistemas de electrones bidimensionales, y hasta 1982, los tericos
expresaron su confianza en la comprensin de por qu la conductancia Hall tena que ser
cuantizada en mltiplos enteros de e2/h. Pero el descubrimiento ese ao del efecto Hall cuntico
fraccionario por Tsui, Stormer y Gossard (1982) lleg como una verdadera sorpresa. Por ello,
varios artculos se refirieron a l como el efecto Hall cuntico anmalo. Segn Stormer, su
colega Tsui, al ver el resultado exclam que estaban en presencia de quarks, pero claramente
era slo una broma, ya que ambos conocan las importantes diferencias entre fermiones y
bosones, y la cuantizacin de la carga en fracciones deba ir por caminos diferentes.
Naturalmente, en lo primero que uno piensa cuando estudia esos fenmenos es en esa
analoga; incluso hay artculos sugerentes al respecto (cf. Greiter, 1997), pero las sutilezas
tericas sobre el alcance de las mismas quedan en manos de los especialistas y es claramente
un terreno de investigacin abierta (cf. Wilczek, 2006a). En cualquier caso, el efecto Hall
cuntico fraccionario ha quedado adherido al comportamiento electrnico, pero al
comportamiento colectivo de los mismos. ste es quizs el aspecto ms llamativo y enigmtico.
En la base de la cuantizacin del efecto entero, hay un conjunto de densidades especiales de
electrones donde se llenan exactamente n niveles de Landau. Cuando una de esas densidades
de carga se mueve a la velocidad de arrastre Hall, encontramos el efecto entero. Lo que se
necesita para una comprensin similar del efecto fraccionario es algn mecanismo que
seleccione fracciones de llenado racionales de la densidad de electrones del nivel de Landau.
Fue inmediatamente apreciado que cualquier mecanismo para eso requiere interacciones entre
los electrones. Una explicacin hermosa y convincente fue dada por Laughlin. Su funcin de
onda variacional combina la estadstica de Fermi y la analiticidad de la funcin de onda del nivel
de Landau ms bajo, lo que permite mantener a los electrones aparte. Esa separacin baja la
energa de Coulomb y da a la funcin de onda una gran coincidencia con el estado fundamental.
El estado de Laughlin alberga un conjunto de excitaciones de cuasi-partculas del tipo de
vrtices topolgicos interesantes, aunque es necesario decir que eso fue explotado
posteriormente por otros autores que enfatizaron conexiones entre la fsica y la topologa dentro
del efecto (cf. Avron et al. 2003). Esos cuasi-agujeros y cuasi-partculas tienen cargas
fraccionarias no-fluctuantes, lo que constituye en s un fenmeno interesante, aunque es
realmente tan interesante como eso la observacin de que ellos se comportan bajo una
estadstica fraccionaria, esto es, algo entre los fermiones y los bosones (cf. Wilczek, 1990).

En fsica de partculas, un bosn, es uno de los dos tipos bsicos de partculas

elementales de la naturaleza (el otro tipo son los fermiones). La denominacin bosn
fue acuada por Paul Dirac para conmemorar la contribucin del fsico indio Satyendra
Nath Bose junto con Einstein en el desarrollo de la Estadstica de Bose-Einstein la cual
teoriza las caractersticas de las partculas elementales.
Un fermin, llamado as en honor al clebre cientfico italiano Enrico Fermi, es uno de
los dos tipos bsicos de partculas que existen en la naturaleza (el otro tipo son
los bosones). Los fermiones se caracterizan por tener espn semi-entero (1/2, 3/2, ...).
En el modelo estndarexisten dos tipos de fermiones fundamentales, los quarks y
los leptones. En el modelo estndar de fsica de partculas los fermiones se consideran
los constituyentes bsicos de la materia, que interactan entre ellos
va bosones de gauge.

http://www.scielo.br/scielo.php?pid=S1678-31662013000100007&script=sci_arttext

Materia: Nano-Electrnica
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