UNIVERSIDAD

POLITECNICA SALESIANA
FACULTAD DE INGENIERAS

CARRERA DE INGENIERA
ELECTRNICA

NOMBRE: Ral Cajas

CICLO: marzo julio 2007

AO: SEGUNDO

FECHA: abril 28 del 2007

UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA
LABORATORIO DE ELECTRNICA
ANALGICA II
PRCTICA No.-8
TEMA: AMPLIFICADOR A DRAIN COMUN.
2. OBJETIVOS:
1. Disear, calcular y comprobar el funcionamiento del amplificador de Drain
Comn:
SUSTENTO TERICO:
AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES A EFECTO DE CAMPO EN DRENAJE
COMN:
Parmetros de un JFET:
Transconductancia. gm en el punto de polarizacion (JFET correctamente polarizado el
JFET, zona activa, pequea seal):

Resistencia de drenador. rd (a veces se usa su inversa, la conductancia de drenador, gd ):

Factor de amplificacin. Se define como:

Los tres parmetros de alterna estn relacionados as:

Polarizacin de un JFET:
Para conseguir una tensin negativa en la puerta (graduador) respecto a la fuente
(surtidor) sin utilizar dos fuentes de alimentacin:

La tensin en el surtidor, VS , es simplemente: VS = RS ID.

No es preciso conectar una RG pequena ya que la corriente de graduador es del orden
de pico amperios (pA). Un valor tpico es RG = 1 M.
La diferencia de potencial entre el graduador y el surtidor es:
Circuito equivalente: Desarrollando en serie la caracterstica de drenador en torno al
punto Q (y tomando la aproximacin lineal de primer orden):

Si los incrementos los asociamos a amplitudes de seales dbiles de baja frecuencia:

Figura: Circuito equivalente aproximado del JFET, a) para frecuencias bajas, y b)

para frecuencias altas.
Si el punto Q est situado en la zona de caractersticas casi horizontales, como ocurre
normalmente, rd es muy alta.
En este caso el circuito equivalente se simplifica.
Si la frecuencia de las senales es alta, aparecen efectos capacitivos entre los tres
terminales del JFET y el circuito equivalente generales ...

Figura: Circuito equivalente del JFET para frecuencias bajas y altas.

Caractersticas:
El uso de FETs como seguidores esta muy extendido por las caractersticas de
impedancia de entrada alta.

Un amplificador en drenador comn con JFET (((surtidor seguidor)) o simplemente

((seguidor)))

Figura: Un seguidor (drenador comn) con JFET.

La resistencia RG esta recorrida por la corriente continua de graduador (prcticamente
cero) y as la tensin graduador es igual a V0 (salvo el caso en que RG sea muy
grande), VGS = V0 VS = RS ID.
Polarizacin (DC)
Para polarizar correctamente el JFET primero se elige IDS < IDSS/2, y luego se calcula
la VGSQ mediante:

La resistencia RS se calcula con

Para RL, se impone clase A:

Llevada esta condicin a la ecuacin de la recta de carga:
Resulta la relacin que permite disear en clase A (IDQ < IDSS/2):

De esta ultima expresin se puede calcular RL (lo dems se conoce).

Ganancia:
Haciendo un anlisis de nudos, se obtiene el sistema de ecuaciones:

Figura: Circuito de alterna del seguidor.

Eliminando v0 entre las dos ecuaciones, se obtiene la ganancia:

Si se coloca un condensador en paralelo con RS, eliminando esta resistencia en alterna,

la ganancia resultante se obtiene haciendo infinita la conductancia YS ; as resulta:

Si YG << gm, como es habitual en la prctica, la ganancia se reduce a:

Ze
La corriente alterna i1 pasa ntegramente a travs de RG , ya que la corriente de
graduador es prcticamente nula. Esta corriente se puede escribir en la forma:

Por otra parte:

Teniendo en cuenta que la impedancia de entrada es v1/i1, resulta:

Donde A es la ganancia del amplificador, calculada anteriormente.

Zs :
Las ecuaciones para el anlisis son:

Figura: Circuito de alterna del seguidor para calcular la impedancia de salida.

Eliminando v0, se obtiene la admitancia de salida:

La admitancia YT corresponde a la asociacin de las resistencias RS, RG y RL (RS en

serie con el paralelo de RG y RL).
La admitancia gm representa la admitancia del JFET, que queda en paralelo con YT , y
que es mucho mayor que esta ultima.
As resulta que la impedancia de salida es aproximadamente ZS = 1/gm, aunque para un
clculo exacto se debe recurrir a las expresiones anteriores.

INSTRUMENTACION Y MATERIAL NECESARIO:

a)
b)
c)
d)
e)
f)

Multmetros digitales
Banco de trabajo
Resistencias de diferente valor ohmico
1 transistor FET MPF102
Proto-board
Capacitores de diferente valor

PROCEDIMIENTO:
1.- Para este tipo de amplificador usamos el siguiente esquema:

Para los valores de los elementos de los cuales se compone combinamos clculos tanto
en esttica como en dinmica de la siguiente forma:

Para este tipo de polarizacion tenemos:

Datos:
V DD 15v

V DS 7.5v
I DSS 6mA
Vp 4v
Av ' 1
Rs o 50
Rl 3.3k
1 / yos 40k
Vrs 3v

Clculos:

Zs Rsll (1 / yos ) Rs
Zs Rl Rs 3.3k
Id

Vs
3n

0.91mA
Rs
3.3k

Id
* Vp
Vgs 1
Idss

Vgs 1.49v
Vdd Vds
Rd
Rs
Id
15v 7.5v
Rd
3.3k 4.942k
0.91mA
Rps RsllRl 3.3kll 3.3k 1.65k

Para los datos en dinmica realizamos el siguiente esquema:

Zi Rg 1M
Zs Rsll (1 / yos )
Zs 3.3kll 40k 3.049k

Vgs
2 * Idss
Vgs

gm gmo * 1
* 1
Vp
Vp
Vp

2 * 6mA
1.49v
1
gm
* 1
1.88m
4
4

fc 2kHz
Ci

1
1

79.57 pF
2fc ( Rs o Zi )
2 * 2k * (50 1M)

1
1

12.55nF
2fc ( Rl Zs )
2 * 2k * (3.3k 3.049k)
1
1
Cb

16.1nF
2fcRd
2 * 2k * 4.94k
Cs

Mxima Dinmica

Zi
1M
ing

1
Zi Rs 0
1M 50
Av '

gm * Rps
1 gm * Rps

(1.88m 1 ) * (1.65k)
0.8612
1 (1.88m 1 ) * (1.65k)
Avtot Av '*ing (0.8612) * (1) 0.8612
Ai
Av '

Como podemos observar los valores son muy aproximados a los impuestos:
v SDp Id * Rps (0.91mA) * (1.65k) 1.5v
v SDpp 3v
es

v SDpp
Avtot

3v
3.4835v
0.8612

Para graficar las rectas de carga y puntos de trabajo:

Vdd
15v

1.819mA
Rd Rs 4.942k 3.3k
Vds max Vdd 15v
Id max

Para la comprobacin de los circuitos hemos probado los mismos en el laboratorio

obteniendo los siguientes resultados:
Esttica:
Valores
Valores
calculado medidos
s
Vcc
15v
15.02v
Vds
7.5v
7.57v
Vgs
-1.49v
-1.55v
Id
0.91mA
0.85mA
Recalculo:

Vdd
15.02v

1.83mA
Rd Rs 4.92k 3.3k
Vds max Vdd 15.02v
Id max

Modelos hbridos:
Zs Rsll1 / yos

1
1
1

Zs
Rs 1 / yos

Zs * Rs
40.086k
Rs Zs
gm * Rps
Av '
0.84 * (1 1.65k * gm) 1.65k * gm
1 gm * Rps
0.84
gm
1.866m 1
450

1 / yos

Dinmica:
500Hz
1kHz
2kHz
5kHz
10kHz
3.5v
3.5v
3.5v
3.5v
3.5v
1.74v
1.74v
1.74v
1.74v
1.74v
0.05v
0.18v
0.49v
1.1v
1.34v
0.03
0.101
0.28
0.63
0.77

157.2
137.4
106.41
56.32
30.84
Avdb
-30.57
-19.84
-11.04
-3.94
-2.24
Los grficos son los siguientes:
Rectas de carga y PDTs

Frec.
esp
vip
vsp
Av

20kHz
3.5v
1.74v
1.41v
0.81
16.25
-1.74

50kHz
3.5v
1.74v
1.44v
0.83
6.27
-1.57

100kHz
3.5v
1.74v
1.46v
0.84
3.18
-1.55

Formas de Onda

Alfa

Fase

Alfa en decibeles

SIMULACIONES:

Para el Amplificador a Drain comn tenemos:

- En esttica:

En dinmica:

A frecuencia de corte:

A mxima amplificacin:

Diagramas de bode:

ANLISIS DE DATOS:

Al realizar una comparacin entre los valores calculados medidos y simulados nos
damos cuenta de lo siguiente:
En Esttica:
Calculad Medido Simulado
o
Vd
15v
15.02v
15v
d
Vds
7.5v
7.57v
5.319v
Vgs
-1.49v
-1.55v
-2.142v
Id
0.91mA
0.85mA 1.422mA
Is
0.91mA
0.83mA 1.420mA
Como se puede observar nos damos cuenta de que entre los valores calculados y
medidos existe una gran aproximacin de nuevo no as en los datos simulados que
varan con una diferencia que puede considerarse como regular simplemente por
considerar demasiados elementos como ideales, lo cual no ocurre en las practicas ni en
los clculos ya que estamos queriendo asemejarnos al funcionamiento real y no pasar
por alto consideraciones que deben hacerse para este fin. Dichas consideraciones
adicionales nos dan la variacin observada.
En Dinmica:

En lo que respecta a las ganancias podemos observar que se alcanza la mxima

amplificacin en frecuencias altas sin distorsin de la seal. Lo sucedido en las
mediciones es la poca frecuencia que brindan algunas generadores del laboratorio
adems debemos sumar su calidad lo que en conjunto es un factor importantsimo para
no poder alcanzar una grafica optima. Ahora vemos que la frecuencia de corte se esta
aproximando a donde debe estar. Adems el alfa nunca pasa de uno o incluso llega a
uno anlogo al funcionamiento de un filtro paso alto segn lo que se puede observar en
las graficas tanto medidas como simuladas

Lo que podemos observar en este amplificador en lo que respecta a fase es que se esta
comportando como algn tipo de filtro caracterizado por que su valor se har cero a una
frecuencia alta en el rango de los megaohms lo que podemos observar fcilmente en la
simulacin no as en las mediciones por las razones explicadas anteriormente. En los
valores simulados se observa que el ngulo se mantiene en valores positivos desde 180

hacia abajo segn la frecuencia que estemos ingresando, lo que no suceda en filtros.
Observamos adems que la frecuencia de corte esta en su punto ideal en las
simulaciones no as en las mediciones por falta de altas frecuencias.

En lo que respecta al alfa en db podemos observar de nuevo la falta de frecuencias

demasiado bajas en las mediciones lo que facilitara la visualizacin de la grafica
correspondiente. Observamos adems que segn la simulacin este circuito
amplificador se comporta como un filtro con la particularidad de que va de valores
bastante negativos en bajas frecuencias llegando a aproximaciones casi infinitesimales
entre cero y su valor pero nunca llegan a cero a diferencia de los anteriores circuitos que
funcionaban tanto en valores positivos como negativos.
Es decir entre los valores medidos, calculados y simulados hay pequeas variaciones
justamente por las aproximaciones asumidas.
OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:
Durante esta prctica se hizo las siguientes observaciones:
- Los transistores son muy tiles para controlar equipos electrnicos que lo requieran
por la facilidad de uso y compra que presenta.
- Observamos que los valores calculados con los medidos varan muy poco. Sin
embargo debemos tener mucho cuidado con no exceder los datos mximos del
transistor para su normal funcionamiento.
Las conclusiones a las que hemos llegado son:
- El amplificador a Drain comn tiene un solo fin y es el de acoplar impedancias tanto
a la entrada(alta) como a su salida(baja) por tener una ganancia menor a la unidad.
OBSERVATIONS AND CONCLUSIONS:
During this practice we became to the following observations:
- The transistors are very useful to control electronic equipment that require it by the
comfort of its use and purchase that presents.
- We observed that the values calculated with the measured ones vary very little.
However we must have much taken care of with not exceeding the maximum data
the transistor for its normal operation
The conclusions at which we have arrived are:
- Its very important to polarize the transistor that we are going to use so that the same
one works. Also we must have much care with the characteristics mentioned in the
data sheet of each type of transistor.
- The amplifier to common Drain has a single aim and is the one to as much connect
impedances to the entrance (high) like a its exit (low) to have a smaller gain to the
unit.
ANEXOS Y REVISIONES:

BIBLIOGRAFIA:
Jos Ramrez Vzquez, Medidas Elctricas, Enciclopedia de CEAC
www.monografias.com/tutorial139/corriente_alterna_osciloscopio.http
http://www.lecroy.com/Applications/ProbesProbing/default.asp
http://www.hameg.es/osc/osc
webdiee.cem.itesm.mx