PRIMERA SEMANA FEBRERO CURSO 2011-2012

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1- Se conectan en cascada tres amplificadores con las siguientes caractersticas:
1. Amplificador 1: Avo1 10;
2. Amplificador 2: Avo 2 20;
3. Amplificador 3: Avo3 30;

Ri1 3k;
Ri 2 2k;
Ri 3 1k;

Ro1 100
Ro 2 200
Ro 3 300

Calcular los parmetros del modelo simplificado del amplificador en cascada

suponiendo que los amplificadores estn conectados en el orden 1, 2, 3.
A)
B)
C)
D)

Ri
Ri
Ri
Ri

3k;
300;
2k;
200;

Ro
Ro
Ro
Ro

300;
3k;
200;
2k;

Avo
Avo
Avo
Avo

4731
4348
3348
4438

Resolucin:
Representando la cascada de los amplificadores dados:

La impedancia de entrada de la cascada es igual a la impedancia de entrada del

primer amplificador:
Ri Ri1 3k
Ri 3k

La impedancia de salida de la cascada es igual a la impedancia de salida del ltimo

amplificador:
R0 Ro3 300
Ro 300

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La ganancia de tensin de la cascada es igual al producto de las ganancias de cada
amplificador:
Avo Av1 Av 2 Av 3 Avo1

1000
2000
Ri 3
Ri 2
30 4762
20
Avo3 10
Avo 2
100 2000 200 1000
Ro 2 Ri 3
Ro1 Ri 2

Avo 4.762

La respuesta es:

A) Ri 3k

Ro 300

Avo 4.762

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2- Un diodo tiene un tiempo de transicin de 10 ns. Hallar los valores para los
parmetros del circuito equivalente en pequea seal rd y Cdif , si I DQ 8mA ,
Suponiendo un coeficiente de emisin n 1, y una temperatura de 300 K.
A)
B)
C)
D)

rd 1,17,

Cdif 2037 pF

rd 3,25,

Cdif 3077 pF

rd 12,5,

Cdif 1118 pF

rd 5,20,

Cdif 1920 pF

Resolucin:
Nos piden la resistencia dinmica y la capacidad de difusin.
- Para la resistencia dinmica tenemos:
n 1

(n

VT 26mV

Siendo

I DQ 8mA

( VT Tensin Trmica)
( I DQ Corriente en el punto de trabajo)

Sustituyendo valores:
rd

Coeficiente de emisin)

nVT 1* 26 *10 3V

3,25
I DQ
8 *10 3 A

rd 3,25

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- Para la capacidad de difusin tenemos:
T 10
I DQ 8mA

( T Tiempo de transito)
( I DQ Corriente punto de trabajo)

Siendo

VT 26mV

( VT Tensin Trmica a 300 K)

Sustituyendo valores en la expresin de la capacidad de difusin:

Cdif

T I DQ 10 *10 9 s * 8 *103 A

3,077 *10 9 F
3
VT
26 *10 V
Cdif 3.077 pF

La respuesta es:
B) rd 3,25,

Cdif 3077 pF

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3- Se est diseando un transistor NMOS en el que iD 0,5mA cuando
vGS vDS 5V . Adems las condiciones de fabricacin nos dan qu KP 50A / V 2 y
Vto 1V . Suponiendo que 0 , calcular la proporcin anchura-longitud necesaria
para el transistor.
A)
B)
C)
D)

W / L 2,25
W / L 1,25
W / L 3,25
W / L 0,95

Resolucin:
Hay que comenzar por identificar la regin de funcionamiento:
vGS Vto

=>

Que el transistor trabaja en la regin de saturacin

vDS vGS Vto ,

En la regin de saturacin la corriente de drenaje viene dada por:

iD K vGS Vto 1 vDS
2

=>

vGS Vto 2 1 vDS

Como =0, sustituyendo tendremos:

K

iD
0,5 *10 3 A

31, 25A / V 2
2
2
vGS Vto 5V 1V

Sustituyendo ste valor en la relacin anchura-longitud:

W

6
2
2 K 2 * 31,25 * 10 A / V

1,25

50 * 10 6 A / V 2
KP

La respuesta es:

B)

1,25

iD

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4- Un determinado CI est formado por puertas lgicas, cada una de las cules
consume 0,1 mW de potencia esttica. La mxima disipacin de potencia esttica
admisible para el chip es de 20W, cul es el nmero mximo de puertas que puede
contener el chip?
A)
B)
C)
D)

N 80000
N 950000
N 120000
N 200000

Resolucin:

n puertas

20W
200.000
0,1mW

La respuesta es:
D) N 200.000

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5- Las seales de entrada de un amplificador diferencial son:
v1 t 0,7 cos30t 25sen150t
v2 t 0,7 cos30t 25sen150t
Hallar la expresin para la tensin en modo comn, vicm y la diferencial, vid
A)
B)
C)
D)

vid 0,7 cos30t ,

vicm 25 cos150t ,

vid 25sen30t ,

vicm 1,4sen150t ,

vid 2,8sen30t ,

vid 1,4 cos30t ,

vicm 25sen150t ,
vicm 25sen150t ,

Planteamiento del problema:

Cmo la tensin de entrada diferencial y tensin de entrada en modo comn, vienen
dadas por:
vid vi1 vi 2
vicm

1
vi1 vi 2
2

Solo hay que sustituir valores en ambas expresiones para calcular las tensiones
pedidas.

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Resolucin de la pregunta:
Puesto que la tensin de entrada diferencial y tensin de entrada en modo comn,
son:
vid vi1 vi 2
vicm

1
vi1 vi 2
2

Sustituyendo valores:
vid 0,7 cos30t 25sen150t 0,7 cos30t 25sen150t 1,4 cos30t
vicm

1
0,7 cos30t 25sen150t 0,7 cos30t 25sen150t 25sen150t
2

La respuesta es:
D) vid 1,4 cos30t ,

vicm 25sen150t ,

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PROBLEMA 1
Sea el amplificador en emisor comn de la figura:

Supngase que, para =300, el punto Q resultante es I CQ 4,24mA y VCE 6,51V .

Anlisis del problema:

Se aplica el teorema de superposicin; es decir, se divide el circuito en dos:
Circuito de polarizacin y circuito de alterna.
Analizando el circuito de continua. Podemos hallar las coordenadas del punto Q
( I CQ , VCE ).

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R1 * R2
R1 R2

Resistencia de base:

RB R1 // R2

Tensin de base:

VB VDD *

Corriente de base:

VB VBE RB I B RE I E

Tensin colector-emisor:

R2
R1 R2

=>

IB

VB VBE
RB 1 RE

VCE VCC RC I C RE I E

Nota: En este caso ya nos dan las coordenadas del punto Q, por lo que ya no son
necesarios los clculos anteriores.
Analizando el circuito de alterna:
Sustituyendo el transistor por el Modelo de Pequea seal
RB R1 // R2 , RL RC // RL

Ganancia de tensin:
RL RC // RL

Av

vo
R
L
vin
r

R1 R2
1k * 2k

667
R1 R2 1k 2k

Dnde:
r

VT 300 * 0,026V

1839,6
I CQ
4,24 mA

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Ganancia de tensin en cortocircuito:
Avo

vo
R
C
vin
r

Impedancia de entrada:
Z in RB // r

RB * r
RB r

Impedancia de salida:
Z o RC

Ganancia de Corriente:
vo
Av * vin
i
R
RL
Z
Ai o L
Av in
v
v
iin
RL
in
in
Z in
Z in

Ganancia de potencia:
G AV * Ai

Conclusiones del problema:

r

VT 300* 0,026V

1839,6
I CQ
4,24mA

RB R1 // R2

R1 * R2 10k * 5k

3,33k
R1 R2 10k 5k

RL RC // RL

RC * RL 1k * 2k

667
RC RL 1k 2k

Mtodo rpido de comprobar las respuestas: En la pregunta 6- nos piden AV y en la

pregunta 7- nos piden la ganancia de corriente Ai y la ganancia de potencia G . Por
lo qu en las respuestas se ha de verificar la relacin G AV * Ai

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6- Hallar los valores de AV , AVO , Z in y Z o
A)
B)
C)
D)

AV
AV
AV
AV

119, AVO 63, Z in 11,2k; Z o 1,8k

109, AVO 163, Z in 1185; Z o 1k
208, AVO 2,22, Z in 600; Z o 120
55, AVO 77, Z in 7,3k; Z o 12k

Resolucin:
Sustituyendo valores en las expresiones del anlisis:
Av

vo
R
300* 667
L
108,8
vin
r
1839,6
Av 108,8

Avo

vo
R
300 *1k
C
163
vin
r
1839,6
Avo 163

Z in RB // r

3333 *1839,9
RB * r

1185
RB r 3333 1839,6

Z in 1185

Z o RC 1k
Z o 1k

La respuesta es:
B)

AV 109, AVO 163, Z in 1185; Z o 1k

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7- Hallar los valores de Ai y G
A)
B)
C)
D)

Ai
Ai
Ai
Ai

64,6;
16,6;
94,7;
22,4;

G 7039
G 5117
G 9811
G 1134

Resolucin:
La ganancia de corriente viene dada por:
Ai

Z
1185
io
AV in 109 *
64,6
RL
2k
iin

La ganancia de potencia viene dada por el producto entre la ganancia de tensin y la

ganancia de corriente
G AV Ai 109 * 64,6 7041

La respuesta es:
A)

Ai 64,6;

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G 7039

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8- Si vs t 0,001senwt V , hallar la expresin de vo t
A)
B)
C)
D)

vo t 122senwt V
vo t 72,5 coswt mV
vo t 76,6senwt mV
vo t 67,6senwt mV

Resolucin:
Tenemos por definicin que:
AV t

vo t
vin t

vin t vs t

Dnde

Z in
Z in Rs

Por lo tanto:
vo t AV t * vin t

=>

vo t AV t * vs t

Zin
Z in Rs

Sustituyendo datos:
vo t AV t * vs t

Z in
1185
108,8 * 0,001senwt V
76,6 senwt mV
Z in Rs
1185 500

La respuesta es:
vo t 76,6senwt mV

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PROBLEMA 2
El FET de la figura tiene Vto 2V e I DSS 4mA

Planteamiento del problema:

Estamos ante un circuito de cuatro resistencias en el que tendremos:
R2
RS I DQ
R2 R1

Tensin puerta-fuente:

VGSQ VSS

Tensin drenador-fuente:

VDSQ VSS RD RS I DQ

Adems, en la regin de saturacin tenemos:

I DSS KVto2

Teniendo en cuenta que:

I DQ K VGSQ Vto

Podemos determinar VGSQ :

VGSQ Vto

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I DQ
K

(1)
(2)

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9- Suponiendo que I DQ 9mA , hllese el valor de R2 suponiendo que el dispositivo
trabaja en la regin de saturacin.
A)
B)
C)
D)

R2 2,30M;
R2 112k;
R2 1M;
R2 12M;

Resolucin:
En primer lugar tenemos:
I DSS KVto2

=>

I DSS
4mA 1mA / V 2

2
Vto
2V 2

Teniendo en cuenta que:

I DQ K VGSQ Vto

Podemos determinar VGSQ :

I DQ

VGSQ Vto

2V

9mA
1V
1mA / V 2

Cmo adems en el circuito, en la ecuacin (1) tenemos qu:

VGSQ VSS

R2
RS I DQ
R2 R1

Sustituyendo valores y resolviendo, determinamos que:

1V 20V

R2
103 * 9mA
6
R2 10

1V 9V 20V

1V 2V

R2
R2 106

=>

R2
R2 10 6

1VR2 106 2VR2

La respuesta es:
C)

R2 1M

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10- Cul es el valor mximo de RD permitido si el punto de trabajo debe
permanecer en la regin de saturacin?
A)
B)
C)
D)

RD max
RD max
RD max
RD max

889
1,6k
435
2,5k

Resolucin:
Para que el dispositivo funcione en saturacin requerimos:
VGSQ 1V Vto 2V
VDSQ VGSQ Vto 1V 2V 3V

Teniendo en cuenta la ecuacin (2):

VDSQ VSS RD RS I DQ

Sustituyendo valores:
20 RD RS I DQ 3

RD RS I DQ 20 3

=>

RD

17
RS
I DQ

Por lo tanto:
RD

17V
10 3 1889 1000 889
9mA

La respuesta es:
A)

RDMax 889

20