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DIODES et TRANSISTORS

1. LA DIODE
1.1 Principe
1.2 Caractristiques
1.3 Diodes particulires
2. ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET et MOSFET
2.1 Transistor bipolaire jonctions
2.2 Transistor JFET
2.3 Transistor MOSFET
3 POLARISATION DES TRANSISTORS.
3.1 Ncessite d'une polarisation du transistor pour le fonctionnement
amplificateur.
3.2 Polarisation des transistors bipolaires.
3.3 Polarisation du transistor JFET.
4 COMMUTATION FAIBLE PUISSANCE A TRANSISTORS.
4.1 Transistors bipolaires.
1

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1 LA DIODE
1.1 - Principe
La diode est un composant semi-conducteur compose
de deux jonctions de dopage oppos.

Une jonction PN ne peut tre conductrice que dans un seul sens. Une
diffrence de potentiel positive applique entre K et A ne fera dplacer que
trs peu dlectrons.

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1 LA DIODE
1.2 - Caractristiques
La diode possde 2 rgimes de fonctionnement :
Si VD<Vf alors la diode est bloque.
Si VD > Vf et ID > 0 alors la diode est passante.
Tension inverse
maximale ne pas
dpasser, risque de
claquage de la diode.

Courant direct maximal


ne pas dpasser,
risque de destruction de
la diode.
Tension de seuil
0,7V pour une diode
silicium

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1 LA DIODE
1.2 - Caractristiques
Tensions maximales en
inverse

Courant direct
maximal
Puissance
maximale
tempratures

Tensions directes
Courants inverses
Caractristiques
dynamiques
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1 LA DIODE
1.2 - Caractristiques
q Modles de la diode

q Applications
conversion dnergie (redresseur, hacheur, onduleur, etc),
dmodulation,
commutation

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1 LA DIODE
1.3 Diodes particulires
1.3.1 - Diode Schottky
Dans les diodes Schottky, la jonction P-N est
remplace par la jonction dun mtal (anode)
avec un semi-conducteur peu dop de type N
(cathode).
q Intrt de la diode Schottky :
Elle a une tension de seuil plus faible (VF # 0,3V).
Son temps de recouvrement inverse est trs faible.
q Applications
Lorsque le temps de commutation de la diode est critique
Lorsque la tension de seuil doit tre faible.
q Critres de choix
Frquence dutilisation importante (faible recouvrement)
Chute de tension directe
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1 LA DIODE
1.3 Diodes particulires
1.3.1 - Diode Zner
Dans le sens direct diode classique.
Dans le sens inverse VdVz lorsque IZ>0.

q Utilisation :
rfrence de tension
crtage de tension
alimentation continue de
faible puissance
q Critres de choix :
la tension stabiliser (Vz)
le courant maximal
devant traverser la diode
(Iz)
la puissance dissipe par
la diode (Pz)
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.1 - Description
Le transistor bipolaire jonctions est un dispositif semi-conducteur constitu
de trois couches dopages alterns et existent en deux polarits :
q NPN ou
q PNP.

Transistor NPN

Transistor PNP

Emetteur

Base

Emetteur

Base

n
Collecteur

p
E
Collecteur

Le sens de la flche sur lmetteur indique le sens du courant.


La flche est toujours tourne vers la zone N.
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.1 - Description

q Effet transistor :
Cas du NPN (pour le PNP inverser le sens des courants, tensions et champs)
Sans polarisation de la base :
La jonction Base-Collecteur
est en inverse :
Le transistor est bloqu.

E
n

B
p

C
E

ICB0

Courant
de fuite
inverse

VCE
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.1 - Description

q Effet transistor :
Cas du NPN (pour le PNP inverser le sens des courants, tensions et champs)
Avec polarisation de la base :
La jonction Base-Emetteur
est en direct :

IE

Des e- peuvent passer


de lmetteur fortement
dop la base : courant Ine
Dans la base faiblement
dope et troite, peu de- se
recombinent.

E
n

Ine
e-

BE
C
n
p
I
nc
e

IC

ICB0

IB
VBE
VCE

La majorit des e- atteignent la jonction Base-Collecteur o ils sont


acclrs par le champ E. Ils passent dans le collecteur : courant Inc
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.1 - Description

q Effet transistor :
Effet transistor : =

Inc
Ine

q Relation entre les courants :


On a

: IC Inc = IE on nglige ICB0

et

: IE = IC + IB

Do

: IC = (IC + IB)

On pose : =

donc :

donc : IC =
IB
1

<1

IE

p Inc n

Ine

IC

ICB0

VBE

IB

VCE

IC = IB

est voisin de 1 donc est grand (de 20 600)


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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.2 Caractristique du transistor bipolaire jonction
Cas du transistor NPN

Rc
IC
IB

VCC
VCE

Pour un transistor PNP, les


caractristiques sont identiques si lon
change les signes des courants et des
tensions.

VBE

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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.2 Caractristique du transistor bipolaire jonction
Cas du transistor NPN

Rc

Caractristique
de sortie

Zone de
saturation

IC
IB

IC

Caractristique de
transfert
en courant :

IC IB

IC max

H21
ou
HFE

VBE
Pmax

IB
h22

IB
h11

VCE sat

VCC

VCE

Zone linaire
VCE > VCE sat
Le courant IC est
VCE max quasi constant

IC =

VCE

VBE
Caractristique dentre
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.3 Modle quivalent du transistor bipolaire

Deux types de modles du transistor bipolaire en fonction du type de signaux ou du


fonctionnement tudi :
q Le modle dordre 0 ou modle statique, fonctionnements en continu. Ce
modle permettra ltude de la polarisation du transistor ou son fonctionnement
lors de commutations
q Le modle dordre 1 ou modle dynamique permettra dtudier le
fonctionnement du transistor lors de rgime variables petits signaux faible
frquence.
Pour tudier ces modles de transistors, nous utiliserons le transistor de type NPN.
Les explications sont directement transposables au type PNP en changeant le sens des courants et
tensions dans le schma quivalent.

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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.3 Modle quivalent du transistor bipolaire
2.1.3.1 - Modle dordre 0 : calcul de la polarisation.
Courbe IB = f(VBE) assimil une droite :
VBE 0,6V transistor en fonctionnement linaire
VBE 0,7V transistor satur
VBE < 0.5V transistor bloqu

En entre :
La jonction base-metteur est quivalente une diode passante. On peut la
modliser par sa tension de seuil E0
E0 = 0,6V en amplification
E0 = 0,7V en commutation
En sortie :
IC = IB hors saturation
(= HFE donne constructeur)

B
VBE

IC = IB

IB
E0

C
VCE

E
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.1 Transistor bipolaire jonction
2.1.3 Modle quivalent du transistor bipolaire
2.1.3.1 - Modle dordre 1 : Petits signaux autour du point de repos.
On assimile la caractristique dentre IB =
f(VBE) sa tangente au point de repos :

B
vbe

ic = ib

ib
rbe

IB
IB0

C
vce

V
IB = I S exp( BE ) 1
VT

Tangente de
pente 1/rbe

VBE0

rbe =

VBE

VT
25mV
1
=
=
25C
IB0
IB0
40 IB0

q En entre :
Rsistance rbe. La tension de seuil nest pas prise en compte, elle
dj t prise en compte lors de la polarisation.
q En sortie :
ic = ib hors saturation, donne constructeur hfe HFE = h11e
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.2 Transistor JFET
2.1.3 Description et caractristiques
q Transistor unipolaire : courant li un seul type de porteur
canal N lectrons, canal P trous
q Transistor appauvrissement : naturellement passant, est bloqu par
une tension applique sur la grille

ID

q JFET canal N :

Source

P
Canal N

Drain G

VDS

Grille (Gate)

VGS
ID

q JFET canal P :

Source

N
Canal P

S
D

Drain G

VDS

Grille (Gate)

VGS
S
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.2 Transistor JFET
ID

2.1.3 Description et caractristiques

D
G

Zone ohmique

VGS

V
ID = IDSS 1 GS
VGSoff

avec IDSS = ID pour VGS = 0V


Transconductance :gm

V
gm = gm01 GS
VGSoff

IDSS

VGS + VGSoff

ID

0V
-1V

dID
i
=
= d
dVGS v gs

gm0 : gm pour ID = IDSS

VGS
<0 VGSoff

VGS
-2V
-3V

Vp

VDS

Zone Ohmique
rDSon

V
= DS =
ID

VGSoff
VGS

2.IDSS1

V
GSoff

Tension de pincement
Zone de pincement

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VDS

2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.2 Transistor JFET
2.1.4 Modle quivalent

D
Id=gm
VGS

Entre dimpdance
infinie en statique
Modlis par un
circuit ouvert.

Vgs

Rds

Vds

Rsistance de sortie
trs grande. Peut tre
nglige.

Source de courant lie VGS

V
gm = gm01 GS
VGSoff

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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.3 Transistor MOSFET

Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

Il existe quatre types de transistors MOSFET : selon le mode de construction, ils sont
appauvrissement ou enrichissement, chacun pouvant tre de type N ou P.
La flche indique le type (N ou P).
2.3.1 Caractristiques
IDI

DD

IDID

DD

appauvrissement
enrichissement

GG
VTH

VTH

VV
GS
GS

GG

appauvrissement

VGS
VGS

enrichissement

SS

SS

MOSFET
canal
appauvrissement
MOSFET canal
NN
enrichissement

ID

VTH

VTH

MOSFET canal P appauvrissement


enrichissement

IDD

>0
6V
0
4V

(VGS)

<0
2V

VDS

VDS
DS

>0
-2V
0
(VGS)4V
<0
-6V

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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.3 Transistor MOSFET

Mtal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

2.3.3 MOSFET canal N enrichissement (enhancement)


D

oxyde SiO2

ID

Grille
Source

Drain

------------------------------

G
VDS

VGS=0 : aucun canal entre drain et


source n'existe, ID=0 : le transistor
est bloqu.

Substrat P

VGS

ID

ID

Lieu des points tels que : VDS = VGS VTH


VGS = 4V
VGS = 3V
VGS = 2V
VGS = 1V

VGS
VTH

VDS

ID = K (VGS VTH)2

0<VGS<VTH : Les porteurs


minoritaires (lectrons) sont attirs
sous la grille mais encore en nombre
infrieur aux majoritaires. Le
transistor reste bloqu.
VGS>VTH : un canal s'tablit entre
la source et le drain et un courant ID
circule.
Si VDS > VGS VTH, le transistor est
dans une zone de saturation en
courant.
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2 ETUDE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE, JFET ET MOSFET


2.3 Transistor MOSFET

Mtal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor

2.3.4 Modle quivalent du MOSFET canal N

Entre dimpdance
infinie en statique
Modlis par un
circuit ouvert, en
dynamique on
rajoute une capacit
Cgs

ID = K (VGS VTH)2
D

G
Vgs

Cgs

Rds

Vds

Rsistance de sortie
trs grande. Peut tre
nglige.

S
ID = K (VGS VTH)2
Source de courant lie VGS

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3 POLARISATION DES TRANSISTORS


3.1 Ncessit de la polarisation du transistor
pour le fonctionnement amplificateur

Les transistors sont des lments :


q unidirectionnels,
q non linaires.
Les transistors seuls ne peuvent donc pas amplifier des signaux alternatifs.

Solution :
q Polariser le transistor
avec une tension
continue.
q Travailler en petits
signaux autour de ce
point de polarisation.

VCE
ID0 +id
vce
VCE0

IB0 +ib
ve

Vpol

VCE0 +vce

VBE
Vpol
ve

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3 POLARISATION DES TRANSISTORS


3.1 Ncessit de la polarisation du transistor
pour le fonctionnement amplificateur

IC0
RC
RB IB0
B

Ve0

VBE0

IC

Vcc

VCE0

VCC/RC

Polarisation classe A

Droite de charge
VCE=VCC-RCIC
VCC VCE

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3 POLARISATION DES TRANSISTORS

3.2 Polarisation du transistor bipolaire

q Polarisation par source de tension


IC0

Le point de polarisation est rgl en


choisissant RB, RC et Ve0.

RC
RB IB0
B

Ve0

Vcc

VCE0

VBE0

IC0
RC
RB IB0
B
Ve0

VBE0

VCE0

Vcc

Inconvnient :
Le point de polarisation est
trs dpendant de

IC0 raction
Polarisation avec contre
par rsistance
dmetteur
:
R2
RC
Permet
IB0 de stabiliser le
point de polarisation. VCC

RE

R1

RE
0V
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3 POLARISATION DES TRANSISTORS

3.2 Polarisation du transistor bipolaire

q Polarisation par source de courant

Le courant dmetteur est impos par une source


de courant qui fixe le courant IE0. Par voie de
consquence cela impose IB0, VBE0 et VCE0.

IC0
RC

IB0

C
B

IE0

Vcc

Avantage : Le point de polarisation ne dpend pas


de .
IC

RC

RB
RB

I0

0V
E0

I0

E0
RP
-VCC

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3 POLARISATION DES TRANSISTORS

3.3 Polarisation du transistor JFET

q Polarisation par une tension ngative


VCC
ID

Vpol rgle la valeur de VGS donc celle de ID car

RD

VGS

ID = IDSS 1
V

GSOFF
RD rgle la valeur de VDS.

VDS
0V

RG
-Vpol

Inconvnient : ncessite une tension ngative.

q Polarisation automatique
VCC
ID
RD
VDS
RG

VGS

Le courant dans la grille est nul donc VGS = -VRS


On applique une tension ngative sur la grille.
Le point de polarisation dpend de RS et RD.

RS VRS
0V
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3 POLARISATION DES TRANSISTORS

3.3 Polarisation du transistor JFET

q Polarisation par source de tension


+VCC

La source de courant fixe ID,


RD fixe VDS.

ID
RD
T2
RG

T1

I0

I0
RS

-VCC

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4 COMMUTATION FAIBLE PUISSANCE A TRANSISTORS.


3.3 Transistors bipolaires.

Pour raliser la commutation, on utilise ce montage :

IC

Etat bloqu : IB = 0 le transistor se


comporte comme un interrupteur ouvert
IC = 0, VCE = VCC

RC

RB

IB

Vcc

C
B

VCE

Ve

Etat satur : On applique un courant IB


suffisant, le transistor se comporte comme
un interrupteur ferm
VCE 0, IC = VCC/RC

VBE

0V

IC

ICMAX
ON

Pour tre satur il faut que :


IB IC/

Etat
satur
ou
passant

Etat
bloqu

VCE
VCESAT

OFF VCE MAX


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4 COMMUTATION FAIBLE PUISSANCE A TRANSISTORS.


3.3 Transistors bipolaires.
q Coefficient de saturation.
Pour saturer le transistor il faut que : IBsat ICsat/
Or varie dans des proportions importantes dun transistor un autre
(mme sils sont du mme type, de 100 300 pour un 2N2222).
Pour tre sur de saturer le transistor il faut que
IBsat ICsat/min
De plus, pour tre certain de saturer le transistor, on applique en plus un
coefficient de saturation not ks et on choisi IBsat tel que :
IBsat = ks ICsat/min
Ks est compris entre 1 et 10
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4 COMMUTATION FAIBLE PUISSANCE A TRANSISTORS.


3.3 Transistors bipolaires.
q Temps de commutation
On donne lordre au
transistor de se
td : delay time ou temps de retard,
bloquer
dpend entre autres de la tension de

On donne
lordre au
transistor
de devenir
passant

bloquage

tr : rise time ou temps de monte


ts : storage time ou temps de
dsaturation. Temps le plus long de la
commutation. Dpend des charges
excdentaires dans la base et de la
faon de les vacuer.
tf : fall time ou temps de descente

td tr

ts

tf

On dfinit le temps de fermeture :


ton td + tr
et le temps d'ouverture :
toff = ts + tf
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4 COMMUTATION FAIBLE PUISSANCE A TRANSISTORS.


3.3 Transistors bipolaires.

q A ltat bloqu il ny a pas de pertes dans le transistor car IC = 0


q A ltat satur il y trs peu de pertes dans le transistor car 0,1<VCE<0,3
q Lors de la commutation, VCE et IC sont 0

Pertes par commutation

Commutation sur charge rsistive

Vce, Ic
Vcc
ICM

p(t)

ton

Puissance dissipe
chaque priode :

toff

t
T=1/F
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