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O1MM 2e anne

Musculation du signal
Amplificateurs transistors bipolaires
Claude Chevassu

version du 18 fvrier 2012

Table des matires


Introduction
0.1

iii

Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1 Polarisation des transistors bipolaires


1.1

1.2

1.3

1.4

Polarisation de base . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.1.1

Gnralits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.1.2

Droites de charge . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.1.3

Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Polarisation par diviseur de tension . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.1

Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.2

Exemples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Polarisation des transistors PNP . . . . . . . . . . . . . . . . . .

10

1.3.1

Sens des courants et des tensions . . . . . . . . . . . . . .

10

1.3.2

Montages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

1.3.3

Exemple . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

11

1.3.4

Solution . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

12

Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

13

2 Le transistor en rgime dynamique


2.1

2.2

2.3

iii

17

Thorme de superposition pour le continu et lalternatif . . . . .

17

2.1.1

Condensateurs de couplage et de dcouplage

. . . . . . .

17

2.1.2

Circuits quivalents en courants continu et alternatif . . .

20

Modle dynamique du transistor . . . . . . . . . . . . . . . . . .

23

2.2.1

Paramtres hybrides du transistor bipolaire . . . . . . . .

24

2.2.2

Interprtation physique . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

27

Exercices . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

29

2.3.1

Couplage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

29

2.3.2

Dcouplage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

29

2.3.3

Circuit quivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

30

ii

TABLE DES MATIRES


2.3.4

Circuit quivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

30

2.3.5

Calcul de h11 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

31

2.3.6

Calcul de diverses grandeurs

. . . . . . . . . . . . . . . .

31

2.3.7

Circuit quivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

32

2.3.8

Circuit quivalent . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

32

2.3.9

corrig de lexercice 2.3.1, page 29 . . . . . . . . . . . . .

32

2.3.10 corrig de lexercice 2.3.2, page 29 . . . . . . . . . . . . .

33

2.3.11 corrig de lexercice 2.3.3, page 30 . . . . . . . . . . . . .

33

2.3.12 corrig de lexercice 2.3.4, page 30 . . . . . . . . . . . . .

34

2.3.13 corrig de lexercice 2.3.5, page 31 . . . . . . . . . . . . .

35

2.3.14 corrig de lexercice 2.3.6, page 31 . . . . . . . . . . . . .

35

3 Amplificateurs de signaux faibles


3.1

37

Gnralits sur lamplification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

37

3.1.1

Dfinition . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

37

3.1.2

Amplification en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

38

3.1.3

Amplification en courant

. . . . . . . . . . . . . . . . . .

39

3.1.4

Bilan de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

40

3.1.5

Bande passante . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

40

3.1.6

Dynamique de sortie maximum . . . . . . . . . . . . . . .

40

3.1.7

Distorsion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

41

Montages fondamentaux du transistor bipolaire . . . . . . . . . .

41

3.2.1

Attaque par la base et attaque par lmetteur . . . . . . .

41

3.2.2

Montage metteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . .

42

3.2.3

Montage collecteur commun . . . . . . . . . . . . . . . . .

47

3.2.4

Montage base commune . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

50

3.3

Rsum . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

53

3.4

Prsentation graphique de lamplificateur en metteur commun .

54

3.5

Problmes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

55

3.2

3.5.1

Amplificateur, extrait dun sujet de troisime anne de 1991 55

3.5.2

Solution du problme 3.5.1 page 55 . . . . . . . . . . . . .

56

iii

Introduction
0.1

Introduction

Copyleft : ce manuel est libre selon les termes de la Licence Libre :


http://cesarx.free.fr/gfdlf.html
Ce cours est sous licence libre , cest dire quil peut tre copi et quil
peut tre diffus condition :
dindiquer quil est sous la Licence Libre ;
dindiquer le nom de lauteur de loriginal : Claude Chevassu et de ceux
qui auraient apport des modifications ;
dindiquer que les sources peuvent tre tlchargs sur http://mach.
elec.free.fr.
Enfin vous pouvez le modifier condition :
de respecter les conditions de diffusion nonces ci-dessus ;
dindiquer quil sagit dune version modifie et dindiquer la nature et la
date de la modification ;
de diffuser vos modifications sous la mme licence.
Ce cours a t rdig en utilisant LATEX sur un PC dont le systme dexploitation est Linux Ubuntu. TikZ et surtout CircuiTikZ ont t utiliss pour
la ralisation des schmas lectroniques, The Gimp a servi pour la retouche des
quelques images scannes. La rdaction de ce cours est en grande partie base
sur le cours [MIN81], ainsi que sur le livre [GIR00].
Historiquement, lamplification de signaux lectriques au moyen de tubes
vide est lorigine du dveloppement de llectronique. Les transistors ont
remplacs les tubes cependant, la fonction damplification reste essentielle dans
tout circuit lectronique, y compris en lectronique numrique. Dans une radio,
le signal recueilli par lantenne est trs faible couramment moins dun nanowatt
il faut plusieurs tages amplificateurs pour disposer de la puissance ncessaire
au niveau des hauts parleurs de 5 100 watt.

iv

INTRODUCTION

Chapitre 1

Polarisation des transistors


bipolaires
1.1
1.1.1

Polarisation de base
Gnralits

Polariser un transistor, cest lui fixer un ensemble de valeurs caractrisant


son tat de fonctionnement. Cela revient fixer les valeurs des tensions de
polarisation des diodes VBE et VCE ainsi que le courant de commande IB et le
courant dmetteur ou de collecteur.
Le transistor tant un composant trois entres, pour appliquer les rsultats
vus sur les quadriples, il faut prendre un des ples communs lentre et
la sortie. Le montage le plus utilis est le montage metteur commun , mais
il existe aussi les montages base commune et collecteur commun o ce
sont la base et le collecteur qui servent de ple commun. Dans toute la suite du
chapitre, le transistor sera mont en metteur commun.
Polariser un transistor va donc consister insrer ce quadriple entre un
rseau dentre, qui va fixer les valeurs VBE et IB , et un rseau de sortie qui va
fixer les valeurs VCE et IC .
Il a t vu que tout rseau linaire et invariant dans le temps peut se mettre
sous forme de diple de Thvenin, on en dduit le schma de principe gnral
dun transistor polaris montr la figure 1.1.

1.1.2

Droites de charge

1.1.2.1

Droite dattaque statique

Lexamen du circuit dentre permet dcrire lquation de maille :


VBB = RB IB + VBE
1

CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

IC
RB

VBB

IB

RC

VCE

VCC

VBE

Figure 1.1 Principe gnral de la polarisation dun transistor.

Cest lquation dune droite que lon appellera la droite dattaque. Cette droite
est reprsente sur la caractristique de base du transistor. Les valeurs de VBE
et de IB devant vrifier la fois lquation de fonctionnement du transistor et
celle du rseau dentre, elles seront dtermines par lintersection entre la droite
dattaque statique et la caractristique de base du transistor comme le montre
la figure 1.2.

Figure 1.2 Droite dattaque statique.


Il est vident que si le point P est tel que VBE0 < 0, 6V, alors le transistor
sera bloqu et IBE0 = 0.

1.1.2.2

Droite de charge statique

Lquation de maille du circuit de sortie nous donne : VCC = VCE + RC IC .


La droite reprsentative de cette quation est appele droite de charge statique.
Lintersection de cette droite avec la caractristique de collecteur du transistor
donne les valeurs de VCE et de IC comme le montre la figure 1.3. La caractristique de collecteur choisie correspondra au courant de base IB0 dtermin par
la droite dattaque statique.

1.1. POLARISATION DE BASE

Figure 1.3 Droite de charge statique.


1.1.2.3

Blocage et saturation

Lorsque VBE0 < 0, 6V, le transistor est bloqu et donc, IB = 0 et IC = 0.


Donc VCE = VCC .
Lorsque VCE < VCEsat (VCEsat variant entre quelques diximes de volt et
1 volt), on peut donner une excellente approximation de IC par la formule :
.
IC VRCC
C
Tous les points de fonctionnement tels que VCEsat < VCE < VCC et 0 <
IC < VRCC
, donc situs entre les points de blocage et de saturation se trouvent
C
dans la zone active.

1.1.3

Exemples

De faon gnrale, on nutilisera pas deux sources de tension VCC et VBB


car cela serait trop coteux et trop encombrant. La tension VBB sera gale
VCC ou une fraction de VCC .
Dautre part, ltude de la polarisation sert non seulement dterminer le
point de fonctionnement dun transistor, mais aussi choisir les valeurs de RC ,
RB , VCC et VBB pour obtenir un point de fonctionnement dtermin.
1.1.3.1

Exemple 1

Le transistor 2N4401 du circuit de la figure 1.4 (a) est un transistor au


silicium avec = 80.
Tracer la droite de charge statique.
Dterminer le point P de polarisation lorsque RB = 390 kW.
Solution : Il vient :
ICsat =
et :

VCC
30
=
= 20 mA
RC
1500

CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

VCEblocage = VCC = 30 V
La figure 1.4 (b) reprsente la droite de charge statique. Dterminons IB :
IB =

VBB VBE
30 0, 7
= 75.1 mA
=
RB
390 103

Le courant collecteur est :


IC = IB = 80 75, 1 106 = 6 mA
VCE = VCC IC RC = 30 6 103 1500 = 21 volt
La figure 1.4 (b) donne le point P avec ses coordonnes IC = 6 mA et VCE =
21 V. On remarque que le point P est sur la droite de charge statique car cette
droite reprsente tous les points de fonctionnement possibles. Si on changeait la
valeur de RB , le point P se dplacerait alors en un autre point de la droite de
charge.
+30 V
RB

IC

1.5 kW
2N4401

(a)

20 mA
6 mA
21 V

30 V

VCE

(b)

Figure 1.4 Droite de charge statique de lexemple n1.

1.1.3.2

Exemple 2

Le transistor du circuit de la figure 1.5 possde un gain = 80 et une


tension VCEsat = 0.1 V. RB est ajust pour obtenir la saturation du transistor.
Dterminer :
la valeur de ICsat ;
la valeur correspondante de RB .
Solution :
Au fur et mesure que lon fait dcrotre RB , le courant de base, le courant
collecteur et la chute de tension aux bornes de RC augmentent. En retour, cela
fait baisser la tension collecteur-metteur. ventuellement, VCE diminue jusqu
0.1 V. ce point, la diode collecteur perd sa polarisation inverse empchant ainsi
une augmentation du courant collecteur. Le transistor est satur et son courant
collecteur est :

1.1. POLARISATION DE BASE


25 V
220 W

RB

2N 4401

Figure 1.5 Exemple 2.

ICsat

VCC
25
= 114 mA
=
RC
220

ce qui est le courant collecteur maximum quon peut obtenir. Le courant de base
est :
IBsat =

ICsat
114 103
=
= 1.43 mA

80

et la rsistance de base est :


RB =

VBB VBE
25 0, 7
= 17 kW
=
IBsat
1, 43 103

Si on continue diminuer la valeur de RB , le courant base augmentera alors


que le courant collecteur restera 114 mA.
En fait, la valeur exacte du courant de saturation du collecteur est donn
par lexpression :
ICsat =

VCC VCEsat
RC

Dans les transistors de faible puissance, VCEsat , de lordre de quelques diximes


de volt, est si minime quon peut lignorer. Par approximation, on admet gnralement que les bornes collecteur-metteur sont en court-circuit, ce qui quivaut
VCE = 0. Lorsque le transistor est satur son collecteur est donc idalement
court-circuit la masse.
Le courant collecteur qui traverse la rsistance de 220 W circule vers le bas et
scoule dans le collecteur, cette action est semblable celle de leau scoulant
dans un drain. Cest pourquoi un transistor avec un metteur mis la masse
sappelle un vier de courant. Le courant collecteur scoule la masse par
lvier.

CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

1.2
1.2.1

Polarisation par diviseur de tension


Principe

Cest le type de polarisation le plus utilis. Dune part, les gains dune
mme srie de transistor peuvent tre trs diffrents les uns des autres, dautre
part, un cart de temprature peut produire des changements de courant important. Donc, le point de polarisation calcul peut tre trs diffrent de celui
obtenu rellement. Cest pour cela quon a imagin cette polarisation par diviseur de tension qui stabilise le montage en temprature et le rend indpendant
du gain .


BE
donc IC suivait
Dans le montage prcdent, on avait IC = VBBRV
B
les variations de .
1.2.1.1

quations

Le montage se prsente comme le montre la figure 1.6 :


Vcc

Rc
R2
IC
IB

VCE
VBE

R1

V2
Re
IE

Figure 1.6 Polarisation par diviseur de tension.


Remplaons le rseau dentre du transistor par son diple de Thvenin
quivalent. On obtient le montage de la figure 1.7 :
Lquation de la maille dentre qui nous donnera lquation de la droite
dattaque statique est :
V2 = (R1 //R2 ) IB + VBE + RE IE
Or, IE = IB , donc :

(1.2.1)

1.2. POLARISATION PAR DIVISEUR DE TENSION


Vcc

Rc
IC
R1 //R2
VCE

IC
+
V2 =

VBE

R2 VCC
R1 +R2

Re
IE

Figure 1.7 Polarisation par diviseur de tension : simplification du schma.

V2 = (R1 //R2 + RE ) IB + VBE


Pour cette polarisation, on prendra : RE  R1 //R2
Lquation de la droite dattaque statique est donc :
V2 = RE IB + VBE

(1.2.2)

Pour la droite de charge statique, on a :


VCC = RC IC + VCE + RE IE
Or, IE =

(+1)

IC , mais comme est trs grand, on peut crire :


IE IC

Lquation de la droite de charge statique est :


VCC = (RC + RE ) IC + VCE
Remarque De lquation 1.2.2, on tire :
IB =
Do :

VCC R2
R1 +R2

VBE

RE

CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

IC = IB =

VCC R2
R1 +R2

VBE

RE


=

VCC R2
R1 +R2

VBE

RE

On voit que IC ne dpend plus de . De plus, si on prend VBE  V2 ,


R2
alors IC (RV1CC
+R2 )RE et IC est indpendant du transistor tout comme VCE
daprs 1.2.2. Pour les calculs, on peut prendre VCE ' 0.7 V, en utilisant la 2e
approximation de la diode base-metteur.
1.2.1.2

Stabilisation pour les effets de temprature

Supposons que la temprature augmente. On se rappelle que, puisquon a


affaire un semi-conducteur, les courants IB , IC et IE vont augmenter. Si on
reprend lquation 1.2.1, puisque V2 est constant et que IB et IE augmentent,
alors VBE diminue. Daprs la forme de la caractristique de base, si VBE diminue, IB diminue galement et par consquent IC et IE . Donc, on obtient une
stabilisation des courants par rapport la temprature.

1.2.2

Exemples

1.2.2.1

Exemple 1

Tracer la droite de charge statique du circuit de la figure 1.8 (a). Dterminer


le point de polarisation.
+30 V

20 kW

2N 3904
= 100
10 kW

IC

4 kW
3.33 mA
1.86 mA

13.3 V
5 kW

30 V

VCE

(b)

(a)
Figure 1.8 Polarisation par diviseur de tension : exemple 1.
Solution :
Lorsque le transistor fonctionne dans la rgion de blocage, toute la tension
dalimentation apparat entre les bornes collecteur-metteur, on a donc :
VCE(blocage) = VCC = 30 V

1.2. POLARISATION PAR DIVISEUR DE TENSION

Lorsque le transistor fonctionne dans la rgion de saturation, il parait courtcircuit et toute la tension dalimentation apparat aux bornes des rsistances
en srie RC et RE . On a donc :
ICsat =

VCC
30
= 3.33 mA
=
RC + RE
9 103

La figure 1.8 (b) donne la droite de charge statique.


La tension aux bornes de la rsistance de base de 10 kW est de 10 V (utiliser
la formule du diviseur de tension). La diode metteur prsente une chute de
tension de 0.7 V, ce qui laisse 9.3 V aux bornes de la rsistance dmetteur RE .
On aura donc :
IE =

V2 VBE
9, 3
= 1.86 mA
=
RE
5 103

Du fait que est grand, il vient :


IC ' IE = 1.86 mA
La tension collecteur-metteur est :

VCE = VCC IC (RC + RE ) = 30 1, 86 103 9000 = 13.3 V


1.2.2.2

Exemple 2

Lorsquon branche deux montages en srie, pour viter que la polarisation du


premier tage ne perturbe celle du second, on les relie par un condensateur. En
effet, le condensateur prsente une impdance infinie pour un courant continu.
Calculer IC et VCE pour chaque tage de la figure 1.9. Un tage est constitu
dun transistor avec ses rsistances de polarisation RC et RE .
Solution :
Les condensateurs sont des composants quivalents des interrupteurs ouverts pour le courant continu, on peut donc analyser sparment chaque tage
puisque les courants et les tensions continus ne sinfluencent pas rciproquement. La tension aux bornes de la rsistance de 5 kW du premier tage est de
5 V (utiliser la formule du diviseur de tension). Il faut lui soustraire 0.7 V pour
la chute de tension aux bornes de la diode base-metteur. Il reste 4.3 V aux
bornes de la rsistance dmetteur du premier tage. Le courant metteur est
donc :
IE =

4, 3
= 2.15 mA
2000

trs peu de chose prs, IC = 2.15 mA et lon aura donc :


VCE = VCC IC (RC + RE ) = 15 0, 00215 3000 = 8.55 V

10

CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES


15 V

10 kW

1 kW

4 kW

470 W

T1

5 kW

T2

1 kW
2 kW

220 W

Figure 1.9 Polarisation de deux tages amplificateurs en srie.


Au second tage, la tension aux bornes de la rsistance 1 kW est de 3 V. En
soustrayant 0.7 V, on obtient 2.3 V aux bornes de la rsistance de 220 W. Le
courant collecteur est donc :
IC IE =

2, 3
= 10.5 mA
220

Ces 10.5 mA circulent dans les rsistances de 470 et 220 W. Lorsquon soustrait la chute de tension aux bornes de ces rsistances de la tension dalimentation, on obtient la tension aux bornes du transistor, soit :
VCE = VCC IC (RC + RE ) = 15 0, 015 690 = 7.76 V
En rsum, la polarisation du 1er tage est telle que Ic = 2.15 mA et VCE =
8.55 V et celle du second tage est IC = 10.5 mA et VCE = 7.76 V.

1.3
1.3.1

Polarisation des transistors PNP


Sens des courants et des tensions

La figure 1.10 reprsente un transistor PNP. Puisque les diodes metteur et


collecteur pointent dans des directions opposes celles dun transistor NPN,
les tensions et les courants sont tous inverss par rapport ceux dun transistor
NPN dans les mmes conditions. Autrement dit, pour polariser en direct la diode
metteur dun transistor PNP, VBE doit avoir la polarit indique la figure
1.10. Pour polariser en inverse la diode collecteur, VCB doit avoir la polarit
indique sur la figure 1.10. De cela il dcoule que VCE a la polarit figurant

1.3. POLARISATION DES TRANSISTORS PNP

11

la figure 1.10. Puisque la diode metteur point vers lintrieur du transistor,


le courant metteur conventionnel pntre dans le transistor PNP, les courants
base et collecteur en sortent.

IC
VCB
IB

VCE

VBE
IE
Figure 1.10 Transistor PNP.
Les caractristiques seront inverses. Ainsi, la caractristiques de collecteur
devient celle de la figure 1.11.

Figure 1.11 Caractristique de collecteur dun transistor PNP.

1.3.2

Montages

Traditionnellement, dans un schma, on reprsente le transistor PNP avec


la patte dmetteur vers le haut (cest dire vers le potentiel le plus lev).
Le courant dmetteur circule donc vers le bas. Cette reprsentation permet de
mlanger dans les schmas la fois des NPN et des PNP et davoir un seul sens
de circulation des courants : du haut vers le bas.
Du point de vue calcul, toutes les formules vues prcdemment sappliquent.
Il faut faire attention la position de lmetteur qui est plac en haut.

1.3.3

Exemple

La figure 1.12 reprsente un circuit deux tages avec une alimentation VCC
de +20 V. Les deux transistors possdent un gain = 100. Calculer le courant
IC et la tension VCE de chaque tage.

12

CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES


20 V

T1

2 kW

3 kW

T2

100 kW

560 W

8 kW
3 kW

Figure 1.12 Amplificateur deux tages.

1.3.4

Solution

Le premier tage est polarisation de base. En effet, cette polarisation


consiste mettre une rsistance entre la base et lalimentation du collecteur.
Cest le rle de la rsistance de 100 kW. On a alors :
IB =

VEE VBE
20 0, 7
=
= 193 A
RB
105

IC = IB = 100 193 106 = 19.3 mA

VCE = VCC IC RC 20 0, 0193 560 = 9.19 V


Le second tage est polarisation par diviseur de tension. On aura successivement :
Ic ' IE =

V2 VBE
4 0, 7
=
= 1.1 mA
RE
3000

VCE = VCC IC (RC + RE ) = 20 0, 0011 6000 = 13.4 V


cause de linversion de sens, V2 se situe entre la base et le potentiel +20 V
puisque lmetteur est situ en haut.

13

1.4. EXERCICES

1.4

Exercices

1. Calculer la tension VCE du premier tage du circuit de la figure 1.13 si


VCC = 25 V.
Rponse : VCE = 12.9 V
2. Calculer IC et VCE du troisime tage du circuit de la figure 1.13 si VCC =
20 V.
Rponse : IC = 19.3 mA et VCE = 10.4 V
3. Si VCC = 30 V, tracer la droite de charge statique de chaque tage.
Rponse : Courants de saturation de 3 mA, 12 mA et 60 mA. Tensions de
blocage de 30 V pour les trois tages.
VCC

1 MW

10 kW
= 50

2 MW

2.5 kW
= 400

1 MW
= 1000

Figure 1.13 Polarisation dun amplificateur trois tages.


4. Dessiner la droite de charge statique du premier tage du circuit de la
figure 1.14. Calculer les coordonnes du point de polarisation (VCC =
10 V). Dans ce type de polarisation, avec les approximations effectues,
IC et VCE sont indpendantes du gain du transistor.
Rponse : La droite de charge coupe les axes IC = 3.33 mA et VCE =
10 V. Le point de polarisation est IC = 0.364 mA et VCE = 8.9 V.
5. Dessiner la droite de charge statique et le point de polarisation du troisime tage de la figure 1.14 pour VCC = 20 V.
Rponse : La droite de charge coupe les axes IC = 160 mA et VCE =
20 V. Le point de polarisation est IC = 79.6 mA et VCE = 10.1 V.
6. Si VCC = 30 V, calculer la valeur de chaque tension metteur-masse et
collecteur-masse.
Rponse : Les tensions collecteur sont : 28.2 V ; 26.6 V ; 23.8 V. Les tensions
metteur sont : 3.59 V ; 6.8 V ; 9.3 V.
7. Le transistor du circuit de la figure 1.15 possde un gain = 125 et la
diode lectroluminescente une chute de tension de 1.7 V.
7.1. Calculer le courant du transistor en saturation.
7.2. Calculer la valeur de V1 qui amne le transistor en saturation.
Rponse : Isaturation = 26.9 mA et V1 = 7.8 V.

500 W

14

CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

VCC

1 kW

30 kW

500 W

3 kW
T1

200 W
T2

1 kW

5 kW

50 W

T3

100 W

2 kW

1 kW

75 W

Figure 1.14 Amplificateur trois tages.

20 V
680 W

300 kW
V0

V1
33 kW

Figure 1.15 Photodiode.

1.4. EXERCICES

15

8. Lorsque le transistor du circuit de la figure 1.15 est satur, la lumire de


la diode lectroluminescente claire la photodiode et produit un courant
inverse de 50 A dans cette photodiode. Lorsque le transistor est bloqu,
aucun courant inverse ne circule dans la photodiode. Calculer la valeur de
V0 lorsque le transistor est soit satur, soit bloqu.
Rponse : transistor satur : V0 = 5 V, transistor bloqu : V0 = VCC = 20 V

16

CHAPITRE 1. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

Chapitre 2

Le transistor en rgime
dynamique
2.1

Thorme de superposition pour le continu


et lalternatif

Dans une amplificateur transistors, les sources continues tablissent des


courants et des tensions continus. La source alternative produit des fluctuations
dans les courants et les tensions du transistor. La faon la plus simple danalyser laction des circuits transistors est de scinder lanalyse en deux parties :
une analyse pour les grandeurs continues et lautre pour les grandeurs alternatives. Autrement dit, on peut analyser les circuits transistors en appliquant
le thorme de superposition des tats lectriques de faon un peu spciale. Au
lieu de prendre une source la fois, on prend toutes les sources continues en
mme temps et on trouve les courants et tensions continus en utilisant les mthodes habituelles du paragraphe sur la polarisation des transistors bipolaires.
On prend ensuite toutes les sources alternatives en mme temps et on calcule
les courants et tensions alternatives. En additionnant ces courants et tensions
continus et alternatifs, on obtient les courants et les tensions totaux.

2.1.1

Condensateurs de couplage et de dcouplage

On vient de voir quun montage transistors comprenait un circuit en courant continu et un circuit en courant alternatif. Grce aux condensateurs, on
va pouvoir superposer le circuit en courant alternatif au circuit de polarisation
sans que celui-ci modifie les courants et tensions continus.
2.1.1.1

Condensateurs de couplage

Un condensateur de couplage transmet un signal alternatif dun point qui


nest pas la masse un autre point qui, lui non plus, nest pas la masse.
Sur le circuit de la figure 2.1, la tension alternative du point A apparat en B
17

18

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE

pourvu que limpdance ZC du condensateur soit faible par rapport celles des
rsistances. Par contre, le courant continu ne pourra pas passer de A en B.

Rth

ZC

ouvert en courant continu


B

Vth

RL

court-circuit en courant alternatif

Figure 2.1 Condensateur de couplage.


1
Limpdance ZC est : ZC = C2f
o f est la frquence du signal alternatif
superpos. Donc ZC sera dautant plus grande que f sera petite. Pour avoir
une impdance de condensateur de couplage faible par rapport aux rsistances
ohmiques du circuit, on peut utiliser lapproximation suivante :

ZC

1
R
RC =
2
f

o f est la plus basse frquence dutilisation et R la rsistance de la maille en


srie avec la capacit.
Exemple 1 : On veut coupler des frquences de 20 Hz 50 kHz lentre dun
montage transistor qui prsente une rsistance dentre de 10 kW. Calculer la
valeur du condensateur utiliser.
Solution :
RC =

1
1

= 10 103 C C = 5 F
f
20

Il sagit l de la valeur minimum de la capacit employer. Par son action,


une telle capacit permet de transfrer un signal alternatif dun tage transistor
un autre sans perturber la polarisation en continu de chaque tage.
2.1.1.2

Condensateurs de dcouplage

Un condensateur de dcouplage est semblable un condensateur de couplage


la nuance prs quil couple la masse un point qui ny est pas reli. Ces
capacits introduisent le concept de masse en courant alternatif. Sur le circuit
de la figure 2.2, le point A est court-circuit la masse en courant alternatif.
Le courant continu en A ne sera pas perturb puisque la capacit ne laisse pas
passer le courant continu. Pour dterminer la valeur du condensateur, on utilise
lapproximation du paragraphe prcdent.
Exemple 2 :
Sur le circuit de la figure 2.3, on souhaite que le point A soit la masse en
courant alternatif. Dterminer la valeur du condensateur de dcouplage.
Solution : On peut approcher le montage de la figure 2.3 par celui de la
figure 2.4, il faut que limpdance de la capacit offre un chemin dimpdance

2.1. THORME DE SUPERPOSITION POUR LE CONTINU ET LALTERNATIF19

tension alternative nulle


Rth
A
condensateur de dcouplage

Vth

Figure 2.2 Condensateur de dcouplage.

100 W
10 Hz 50 kHz
25 W

Vth
A
10 kW

Figure 2.3 Condensateur de dcouplage, exemple 2.

20

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE

moindre que la rsistance de 10 kW avec laquelle elle est en parallle. On a donc :


1
RC = f1 , on a 10 103 C = 10
C = 10 F.
125 W
A

Figure 2.4 Condensateur de dcouplage, solution de lexemple 2.


Remarque : Dans un schma, il faut savoir que les capacits de lordre du
microfarad sont des capacits de couplage ou de dcouplage.

2.1.2

Circuits quivalents en courants continu et alternatif

Voici comment procder pour appliquer la superposition aux circuits transistors.


1. Rduire toutes les sources alternatives zro ; ouvrir tous les condensateurs. Le circuit qui reste est tout ce qui nous intresse pour les courants et
les tensions continus. On lappelle le circuit quivalent en courant continu.
partir de ce circuit, on calcule les courants et les tensions continus qui
nous intressent.
2. Rduire toutes les sources continues zro. Court-circuiter tous les condensateurs de couplage et de dcouplage. Le circuit qui reste est tout ce qui
nous intresse pour les courants et les tensions alternatifs. On appelle ce
circuit le circuit quivalent en courant alternatif. Cest le circuit utiliser
pour calculer les courants et tensions alternatifs.
3. Le courant total dans chaque branche est gal la somme du courant
continu et du courant alternatif dans cette branche. De la mme faon,
la tension totale entre les bornes dune branche quelconque est gale la
somme de la tension continue et de la tension alternative entre les bornes
de cette branche.
Voici comment appliquer le thorme de superposition lamplificateur
transistor du circuit de la figure 2.5. Tout dabord, annuler toutes les sources
alternatives et ouvrir tous les condensateurs. Il ne reste alors que le circuit de
la figure 2.6 qui est le circuit quivalent en courant continu. Cest tout ce qui
nous intresse car avec ce circuit, on peut calculer tout courant continu et toute
tension continue qui nous intresse.
Ensuite, annuler toutes les sources continues et court-circuiter tous les condensateurs de couplage et de dcouplage. Il ne reste alors que le circuit quivalent
en courant alternatif (figure 2.7). Rduire une source de tension zro revient
la court-circuiter. Cest pourquoi R1 et RC sont court-circuites la masse en
courant alternatif travers la source VCC . Le condensateur de dcouplage met

2.1. THORME DE SUPERPOSITION POUR LE CONTINU ET LALTERNATIF21

+VCC

RC

couplage

R1
RS

couplage
RL

R2
RE

dcouplage

Figure 2.5 Thorme de superposition, circuit avant modification.

+VCC

RC
R1

R2
RE

Figure 2.6 Thorme de superposition, circuit quivalent en courant continu.

22

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE

lmetteur du circuit de la figure 2.7 la masse en courant alternatif. On pourra


calculer laide du circuit quivalent en courant alternatif de la figure 2.7 tout
courant alternatif et toute tension alternative dont nous aurions besoin.
On notera en lettres majuscules toutes les grandeurs relatives la polarisation et en lettres minuscules toutes les grandeurs relatives au circuit alternatif.
RS
RC
R1

RL

R2

Figure 2.7 Thorme de superposition, circuit quivalent en courant alternatif.


Exemple 3 :
Dessiner les circuits quivalents en courant continu et en courant alternatif
de lamplificateur trois transistors du circuit de la figure 2.8.
VCC

R2

R3

R6

R7

R9

R1

RS
R4

R8
R5

Figure 2.8 Exercice 3.


Solution :
En continu (figure 2.9) , on ouvre chaque condensateur. Le deuxime tage
est constitu par un transistor N P N polaris par pont diviseur de tension et
le troisime tage par un P N P polaris par la mme mthode, reprsent avec
lmetteur en haut. On peut alors, avec les mthodes vues au chapitre prcdent,
calculer les courants et tensions continues.

R10

R1

23

2.2. MODLE DYNAMIQUE DU TRANSISTOR

En alternatif, on rduit VCC zro et on court-circuite tous les condensateurs


de couplage et de dcouplage. En combinant les rsistances en parallle, on
obtient le circuit de la figure 2.10 puis de la figure 2.11.
VCC

R2

R3

R6

R9

R7

R1

R4

R8
R5

R10

Figure 2.9 Thorme de superposition : exercice 3.


R1

RS
R2

R3

R4

R6

R7

R8
R10

Figure 2.10 Exercice 3 : circuit quivalent en courant alternatif.

2.2

Modle dynamique du transistor

Nous introduirons le modle quivalent dun transistor en rgime alternatif


ou dynamique de deux manires diffrentes. Une mthode mathmatique sera
employe dans une premire approche tandis quune mthode graphique, plus
simple, sera utilise ensuite.

R11

24

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE


R1

RS
R2 //R3 //R4

R6 //R7 //R8
R10 //R11

Figure 2.11 Exercice 3 : circuit quivalent en courant alternatif simplifi.


Nous allons donc construire un modle quivalent du transistor en rgime
dynamique qui soit simple utiliser. En effet, la prcision peut tre importante
en fin danalyse ou de conception, mais, au dbut, elle na pas grande importance. Si on essaie dobtenir une excellente prcision ds le dbut, cest souvent
une perte de temps. La raison en est assez simple. Lorsquon essaie danalyser
ou de concevoir un nouveau circuit, on sgare invitablement sur de fausses
pistes jusqu ce que lon trouve lapproche qui convient.
Lquation des caractristiques relles est en gnral complique et on fait
une approximation qui consiste remplacer les courbes des caractristiques
relles par des morceaux de droites. Au voisinage du point de polarisation, on
remplace les caractristiques par leurs tangentes en ce point. Ceci suppose :
que la polarisation est tablie et connue ;
que les variations des grandeurs soient assez faibles pour que lon puisse
assimiler les courbes leurs tangentes.
Cest lapproximation dite des petits signaux.

2.2.1

Paramtres hybrides du transistor bipolaire

2.2.1.1

Rappels

On rappelle quun quadriple comme celui de la figure 2.12 peut tre dcrit
de la faon suivante :


V1
I2


h11
h21

h12
h22



I1
V2

(2.2.1)

On peut alors remplacer le quadriple par les lments linaires suivants :

25

2.2. MODLE DYNAMIQUE DU TRANSISTOR


I1

I2

V1

V2

Figure 2.12 Quadriple.


I1
I2
h11
h21 I1

V1

1
h22

V2

h12 V2

Figure 2.13 Schma quivalent dun quadriple linaire.

2.2.1.2

Le quadriple transistor metteur commun

On peut considrer le transistor mont en metteur commun comme un


quadriple comme le montre la figure 2.14.
I2 = IC
I1 = IB
V2 = VCE
V1 = VBE

Figure 2.14 Quadriple metteur commun.


Si on utilise la thorie des quadriples, on a :
VBE = f1 (IB , VCE )

(2.2.2)

IC = f2 (IB , VCE )

(2.2.3)

On a vu que les courants et tensions taient composs dune grandeur continue et dune grandeur dynamique (alternative) :

26

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE

tension alternative

VBE =

VBE0
| {z }

z}|{
vbe

tension de polarisation

Si on applique lhypothse des petits signaux, on peut remplacer les quations


2.2.2 et 2.2.3 par leur dveloppement limit au 1er ordre, en supposant que ces
fonctions soient drivables :

VBE0 +vbe = f1 (IB0 , VCE0 )+

IC0 + ic = f2 (IB0 , VCE0 ) +

f1
f1
(IB0 , VCE0 ) ib +
(IB0 , VCE0 ) vce (2.2.4)
IB
VCE

f2
f2
(IB0 , VCE0 ) ib +
(IB0 , VCE0 ) vce (2.2.5)
IB
VCE

On ne sintresse quau rgime dynamique, do :


vbe =

f1
f1
(IB0 , VCE0 ) ib +
(IB0 , VCE0 ) vce
IB
VCE

(2.2.6)

ic =

f2
f2
(IB0 , VCE0 ) ib +
(IB0 , VCE0 ) vce
IB
VCE

(2.2.7)

Lanalogie avec les quations 2.2.1 est vidente, do lappellation de reprsentation en paramtres hybrides.
valuons les diverses drives partielles. On sait que IB = I0 e
base et lmetteur forment une diode polarise en direct. Do :

VBE =

V
BE

VCE (IB0 , VCE0 )

kT
IB
ln( )

e
I0
VBE
IB

(IB0 , VCE0 )

=0
=

kT
e

Donc :
h11 =

kT
25 mV

e IB0
IB0

h11 est homogne une rsistance.


kT
est peu diffrent de 25 mV.
e
Dautre part, h12 = 0.

car, 25 C,

On sait que IC = IB , donc

f2
IB

(IB0 , VCE0 ) = = h21

Dautre part, des calculs complexes nous donneraient :


f2
(IB0 , VCE0 ) = h22
VCE

1
IB0

eVBE
kT

car la

27

2.2. MODLE DYNAMIQUE DU TRANSISTOR

est encore not . h122 est homogne une rsistance. Cette rsistance
est en gnral de trs forte valeur (0.1 MW) et par consquent, mise en parallle
avec une autre rsistance, elle sera ngligeable devant cette dernire.
1
h22

En remplaant les paramtres hybrides par leur valeurs dans la figure 2.13,
on obtient un schma quivalent simple du transistor en rgime dynamique,
comme le montre la figure 2.15.
base

vbe

ib
ic
ib

h11

collecteur

vce

metteur
Figure 2.15 Modle du transistor en rgime dynamique pour les petits signaux.
Nota : Pour un transistor PNP, il faut inverser le sens des courants.

2.2.2

Interprtation physique

Dans cette partie, nous allons introduire directement les paramtres hybrides
partir des caractristiques du transistor.
2.2.2.1

Caractristiques de base

Le point de polarisation tant en Q sur la figure 2.16, on applique une petite


variation de tension base-metteur.
Le point de fonctionnement se dplace de Q A, puis de A Q, puis vers B
et revient en Q. Ce mouvement se rpte au cycle suivant. Comme A et B sont

Figure 2.16 Signification graphique de h11 .

28

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE

proches de Q, seul un petit arc de la caractristique de la diode est dcrit. Si on


nutilise quune petite partie dune courbe, le fonctionnement est approximativement linaire, ce qui signifie que larc situ entre A et B est apparent une
droite. De ce fait, les variations de la tension et du courant sont directement
proportionnelles entre elles. On aura donc :
VBE = K IB h11 =

VBE
IB


VCE =cte

o est mis pour laccroissement (ou la variation) de et K est la constante


de proportionnalit.
Puisque lon approche la caractristique au point Q par sa tangente, alors
K est gal la drive de VBE par rapport IB au point Q.
IB = I0 e


eVBE
kT

VBE
IB

VBE =


kT
ln
e

IB
I0

1
kT

e
IB0

o IB0 est le courant de base de polarisation correspondant Q.


Do :
K=
On rappelle que

kT
e

kT
25 mV
=
e IB0
IB0

= 25 mV 25 C.

Il apparat donc que K est homogne une rsistance. Cette rsistance


modlise la diode base-metteur en petits signaux, elle est note r ou h11 .
Pour obtenir la mme valeur de h11 pour tout point situ entre A et B, il
faut que le signal soit de faible amplitude (petit). Comment dfinir petit ?
Thoriquement, le signal alternatif devrait tre infinitsimal. Pratiquement, cependant, on accepte un signal comme petit lorsque la variation crte crte du
courant metteur est infrieure 10 % du courant de repos. Si, par exemple,
le courant continu est de 10 mA, on considrera un signal alternatif petit
si la variation crte crte du courant metteur est infrieure 1 mA. Cest
arbitraire, mais on a besoin dune rgle de base pour travailler jusqu ce quon
aborde la distorsion non linaire.
2.2.2.2

Caractristique du collecteur

La relation IC = IB est toujours valable. Comme IE IC , on pourra modliser ces quations par un gnrateur de courant entre le collecteur et lmetteur de valeur IB .
On va appliquer le raisonnement du paragraphe prcdent la caractristique de collecteur. Si on applique une petite variation de tension VCE , le point
de fonctionnement se dplace de A en B. Puisquon utilise une petite partie de

29

2.3. EXERCICES

Figure 2.17 Signification graphique de .


la courbe, le fonctionnement est approximativement linaire. On peut remarquer que cette approximation est meilleure que la prcdente car lallure de la
courbe est quasiment linaire. On a : VCE = IC avec homogne une
rsistance de forte valeur (105 ). On peut donc donner un schma quivalent
du transistor qui nest autre que celui de la figure 2.15

2.3

Exercices

2.3.1

Couplage

La source alternative du circuit reprsent la figure 2.18 produit une tension de 100 Hz 200 kHz. Calculer la capacit du condensateur de couplage C
assurant un fonctionnement adquat dans cette gamme de frquence.
1 kW

3 kW

Figure 2.18 Exercice sur le couplage.


Voir la correction page 32.

2.3.2

Dcouplage

Calculer la capacit du condensateur de dcouplage C du circuit de la figure


2.19 afin que le point A soit la masse en courant alternatif pour toutes les
frquences partir de 20 Hz.

30

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE


500 W

A
3 kW

Figure 2.19 Exercice sur le dcouplage.


Voir la correction page 33.

2.3.3

Circuit quivalent

Dessiner le schma quivalent en rgime dynamique du montage de la figure


2.20. Calculer la valeur de h11 en prenant en compte que la tension aux bornes
des rsistances de 10 kW est de 10 V et que le gain du transistor est = 100.
20 V

10 kW

1 kW

10 kW

10 kW

5 kW

Figure 2.20 Exercice 2.3.3 sur le couplage .


Voir la correction page 33.

2.3.4

Circuit quivalent

Dessiner les circuits quivalents en continu et en alternatif du schma de la


figure 2.21. Calculer la rsistance h11 du transistor si = 100.
Voir la correction page 34.

31

2.3. EXERCICES
30 V

20 kW

10 kW

1 kW
10 kW

10 kW

10 kW

Figure 2.21 Exercice 2.3.4 sur le couplage.

2.3.5

Calcul de h11

Calculer h11 du transistor de la figure 2.22 sachant que = 100.


6V

200 kW

1 kW

3 kW

Figure 2.22 Exercice 2.3.5.


Voir la correction page 35.

2.3.6

Calcul de diverses grandeurs

Un transistor possde un courant metteur de polarisation de 1 mA. On


donne : = 100 et ie = 0.05 mA.
Calculer :

32

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE


vbe ;
ic ;
ib .
Voir la correction page 35.

2.3.7

Circuit quivalent

Dessiner les circuits quivalents en continu et en alternatif des schmas de


la figure 2.23.
10 V

1 kW

1 kW

100 W

4 kW

3 kW

6 kW

Figure 2.23 Exercice 2.3.7.

2.3.8

Circuit quivalent

Dessiner les circuits quivalents en continu et en alternatif des schmas de


la figure 2.24.

2.3.9

corrig de lexercice 2.3.1, page 29

Limpdance du condensateur doit tre plus faible que la rsistance totale


de la maille qui est ici de 1 + 3 = 4 kW, do :
C=

1
1
=
= 2.5 F
fmini Rtotale
100 4 103

33

2.3. EXERCICES
10 V
100 W

900 W

1 kW

5 kW

200 W
10 V
Figure 2.24 Exercice 2.3.8.

2.3.10

corrig de lexercice 2.3.2, page 29

Limpdance du condensateur doit tre faible devant la rsistance de 3 kW


en parallle avec la capacit, do :
C=

2.3.11

1
1
= 16.7 F
=
fmini Rparallle
20 3 103

corrig de lexercice 2.3.3, page 30

Du point de vue schma quivalent en petits signaux, il suffit de mettre


la source de tension continue de 20 volt la masse, de remplacer le transistor
par le schma quivalent vu plus haut et de court-circuiter le condensateur de
couplage.
Calculons IB0 afin de calculer h11 :
IB0 =

10 0, 7
1

= 18.6 A
5 103
100

et donc :
h11 =

25 103
= 1.34 kW
18, 6 106

34

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE


10 kW

100 ib

1.34 kW
10 kW

10 kW

1 kW

5 kW

Figure 2.25 Exercice 2.3.3 sur le couplage.

2.3.12

corrig de lexercice 2.3.4, page 30

Le calcul du courant metteur IB0 est effectuer selon la mthode indique


en remarque la page 7. La valeur de IB0 permet de calculer ensuite h11 =
2.7 kW.
Le circuits quivalent en courant continu est reprsent figure 2.26 et celui
en courant alternatif par la figure 2.27.

30 V

20 kW

10 kW

10 kW

10 kW

Figure 2.26 Correction de lexercice 2.3.4 : circuit quivalent en courant


continu.

35

2.3. EXERCICES
1 kW

10 kW

20 kW

2.7 kW

100 ib

10 kW

Figure 2.27 Correction de lexercice 2.3.4 : circuit quivalent en courant


alternatif.

2.3.13

corrig de lexercice 2.3.5, page 31


IB0 =

6 0, 7
= 17.66 A
100 1 103 + 200 103

Do :
h11 =

2.3.14

25 103
' 1.42 kW
17, 66 106

corrig de lexercice 2.3.6, page 31

vbe = h11 , ic = 25 mV, ib = 0.5 A, ic = ie = 0.05 mA.

10 kW

36

CHAPITRE 2. LE TRANSISTOR EN RGIME DYNAMIQUE

Chapitre 3

Amplificateurs de signaux
faibles
3.1

Gnralits sur lamplification

3.1.1

Dfinition

Un amplificateur est un circuit actif capable damplifier un signal dentre,


amplifier signifiant augmenter la puissance du signal.
Comme le montre la figure 3.1, on peut reprsenter tout amplificateur sous
la forme dun quadriple de type (a) ou (b).
RS

ie

Ai i e

RE

ve

RS

Av v e

RE

(a)

(b)

Figure 3.1 Diffrentes modlisation dun amplificateur.

RE est la rsistance (ou impdance) dentre ;


RS est la rsistance (ou impdance) de sortie ;
Av est lamplification en tension vide ;
Ai est lamplification en courant en court-circuit.

Il nous faut introduire certaines grandeurs :


Ps
V s Is
=
;
Lamplification en puissance : Ap =
Ve Ie
Pe
le gain en tension vide : Gv = 20 log(Av ) exprim en dcibel (dB) 1 ;
1. Si on appelle X le rapport de deux puissances P1 et P0 , la valeur de X en bel (B) scrit :

37

38

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES


le gain en courant en court-circuit : Gi = 20 log(Ai ) exprim en dB ;
le gain en puissance : Gp = 10 log(Ap ) exprim en dB.

Nous avons introduit ci-dessus le gain en tension vide et le gain en courant


en court-circuit. Or, un amplificateur nest jamais utilis vide ou en courtcircuit. Il attaque, cest dire quil fournit le signal quil amplifie un systme
pouvant tre reprsent par une rsistance.
Ainsi, tout amplificateur peut, dans la ralit, tre reprsent par le schma
de la figure 3.2 avec, entre les bornes de sortie, la rsistance dentre du systme
quil attaque (note RL ).
RS

ve

Av v e

RE

RL

Figure 3.2 Amplificateur reprsent avec la rsistance dentre du montage


quil attaque.
En tenant compte de la prsence de la rsistance dentre (note RL ) du
montage attaqu par lamplificateur, les vritables valeurs des gains en tension
et en courant ne sont plus Gv et Gi .

3.1.2

Amplification en tension

La tension vs dlivre en sortie de lamplificateur ne vaut pas Av ve mais :


v s = Av v e

RL
RL + RS

La valeur de lamplification en tension, en prsence de la rsistance RL est


donc :
A0v =

Av
RS
1+ R
L

Cette formule importante nous guidera dornavant pour le choix dun amplificateur. En effet, en tudiant la formule donnant A0v , on constate que A0v est
maximis en prenant RL  RS .

1
XB = log10 P
, On peut galement exprimer X dans un sous multiple du bel, le dcibel
P0

P1
(dB) : XdB = 10 log10

P0

, un dcibel tant gal un dixime de bel. Si le rapport entre

les deux puissances est de 102 = 100, cela correspond 2 bels ou 20 dcibels(dB). titre
dexemple, la puissance double environ tous les 3 dcibels et 130 dcibels correspondent
une puissance 1 000 fois plus importante que 100 dcibels. Si lon considre deux tensions
efficaces U1 et U0 , on conviendra dcrire que leur rapport, exprim en dcibels, est celui des
puissances absorbs par une mme rsistance R, aux bornes 
de laquelle
ces tensions auraient

t appliques. Aussi on a : XdB = 10 log10

P1
P2

= 10 log10

U12
U02

= 20 log10

U1
U0

3.1. GNRALITS SUR LAMPLIFICATION

39

Ainsi, si lon souhaite possder un amplificateur de tension, on choisira une


impdance de sortie faible.
De faon analogue, on montre, en attaquant lamplificateur avec un montage
du type de la figure 3.3, que la rsistance dentre de lamplificateur devra tre
choisie telle que RE  de faon minimiser la chute de tension indsirable
dans .

ve

RE

Figure 3.3 Amplificateur attaqu par un montage figur par son gnrateur
de Thvenin quivalent.
En rsum, pour obtenir une bonne amplification en tension, on sefforcera
de choisir :
une forte impdance dentre ;
une faible impdance de sortie.

3.1.3

Amplification en courant

De faon analogue lamplificateur en tension, lamplification en courant


dun amplificateur en fonctionnement normal ne peut tre considr comme
gale son amplification en court-circuit.
En effet, en prsence de RL (voir figure 3.2), le courant de sortie prend la
Ve
v Ve
valeur i0s = RASv+R
en court-circuit.
contre is = AR
s
L
Ainsi, la valeur de lamplification en courant, lorsque lamplificateur est
charg par une rsistance RL , devient :
A0i =

i0s
Av V e
RE
Av R E
=

A0i =
ie
RS + RL
Ve
RS + RL

Dans le but damliorer au maximum lamplification, on peut remarquer que


la valeur A0i sera dautant plus leve que :
RE sera grande ;
RS sera faible.
Pour obtenir une bonne amplification en courant, il faudra choisir :
une forte impdance dentre ;
une faible impdance de sortie.
Remarque importante : Lamplification en courant napparatra pas dans
ltude des montages fondamentaux. En effet, il est ais, laide de lamplification en tension, de limpdance dentre, de limpdance de sortie et de la
formule de Av , de dterminer lamplification en courant pour une charge donne.

40

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

Figure 3.4 Rponse en frquence dun amplificateur (a) : courbe thorique,


(b) : courbe relle.

3.1.4

Bilan de puissance

La puissance de sortie, en gnral plus leve que la puissance dentre,


ne sort videmment pas du nant. Elle provient dune source auxiliaire (pile,
alimentation, etc.) appele source de polarisation.
Le bilan de puissance dun amplificateur est le suivant :
Pentre + Ppolarisation = Psortie + Pdissipe
La puissance Pdissipe est la somme de la puissance dissipe par effet Joule
dans chaque composant et des pertes, do la notion de rendement :
=

3.1.5

Psortie
Pfournie

Bande passante

Tout amplificateur possde une plage dutilisation limite en frquence appele bande passante. On appelle frquence de coupure haute, FCH , la frquence
au-dessus de laquelle lamplificateur namplifie plus (ou amplifie moins) et la frquence de coupure basse, FCB , la frquence au-dessous de laquelle il ny a plus
damplification (ou une amplification moindre), voir la figure 3.4. La frquence
de coupure basse peut tre nulle dans certaines applications.
Bande passante = FCH FCB
En pratique, on dfinit la frquence de coupure lorsque lamplification chute
de 3 dB comme le montre la figure 3.4.

3.1.6

Dynamique de sortie maximum

Quand on augmente lamplitude du signal dentre appliqu un amplificateur, il y a une amplification maximum du signal de sortie (tension et/ou
courant) au-del de laquelle lamplificateur refuse de suivre :

3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

41

dune part le signal de sortie se dforme beaucoup quand on augmente


encore lamplitude du signal dentre, jusqu, dans certains cas, devenir
pratiquement rectangulaire, quelle que soit la forme du signal dentre ;
dautre part une augmentation du signal dentre ne provoque plus daugmentation du signal de sortie au-del de cette limite.
Cette limite est appele dynamique de sortie maximum, elle se mesure en
volts ou parfois en ampres si la grandeur de sortie est un courant.
La valeur de la dynamique de sortie est lie aux sources et au circuit de
polarisation, mais le lien nest pas toujours vident.

3.1.7

Distorsion

Lorsque le signal dentre dun amplificateur est un signal sinusodal, le signal


de sortie nest pas forcment sinusodal. On parle de distorsion.
Le signal de sortie est un signal de mme priode que le signal dentre et,
comme toute fonction priodique, il peut tre dcompos en srie de Fourier.
Soit T la priode du signal dentre et f sa frquence. Le signal de sortie S
peut se mettre sous la forme :
S(t) =

S0
|{z}

valeur moyenne

+ S1 sin(t + 1 ) + S2 sin(2t + 2 ) + + Sn sin(nt + n )


{z
} |
{z
}
|
fondamental

harmoniques

Le taux de distorsion harmonique dun amplificateur est dfini par :


d=

valeur efficace des harmoniques


valeur efficace du fondamental

do :
d=

S22 + S32 + + Sn2


S1

En pratique un calcul des deux ou trois premires harmoniques suffit pour


obtenir une bonne prcision sur le rsultat. Dun point de vue des mesures, il
existe un appareil appel le distorsiomtre capable de mesurer d.

3.2
3.2.1

Montages fondamentaux du transistor bipolaire


Attaque par la base et attaque par lmetteur

Dans ltude dun circuit transistors, lapplication du thorme de superposition nous permettra de distinguer deux phases :
Recherche du point de polarisation Q,
tude du circuit quivalent en courant alternatif.

42

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

Ainsi, aprs avoir trouv le point Q, on annule toutes les sources continues,
on court-circuite les condensateurs de couplage et de dcouplage pour obtenir
un circuit quivalent en courant alternatif.
Malgr de nombreuses variantes possibles, la plupart des tages amplificateurs se rduisent une des deux formes fondamentales :
Attaque par la base ;
attaque par lmetteur.
La figure 3.5(a) reprsente un circuit attaqu par la base ; on lappelle ainsi
parce que la source VBB attaque la base du transistor travers la rsistance
RB . La figure 3.5(b) reprsente un circuit attaqu par lmetteur.
RB
RC

RC
RB

VBB
RE

RE

VBB

(a)

(b)
Figure 3.5 Attaque par la base (a) et par lmetteur (b).

3.2.2

Montage metteur commun

Ce premier montage du transistor bipolaire que nous allons tudier est du


type attaque par la base , il est reprsent la figure 3.6.
Le condensateur sert isoler le gnrateur de tension alternative afin dviter
quil ne soit travers par un courant continu. En rgime dynamique (petits
signaux), le transistor peut tre remplac par son schma quivalent et nous
obtenons la figure 3.7. Si la rsistance RE est dcouple par un condensateur
(figure 3.8, alors il apparat trs clairement que lmetteur est bien une borne
commune lentre et la sortie.
3.2.2.1

Amplification en tension

Par dfinition, lamplification en tension est gale au rapport vves vide (lamplificateur tant charg sur une impdance infinie). En pratique, RC  , ainsi
on a :
vs = ib RC

43

3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

RB

RC

VCC
vs

Ve
RE

Figure 3.6 Montage metteur commun.

h11
ve

ib

RB

RC

vs

RE

Figure 3.7 Montage metteur commun, schma quivalent en rgime dynamique.

44

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

ve = h11 ib + ( + 1) ib RE
do :
Av =

RC
h11 + ( + 1)RE

Le signe indique que vs et ve sont en opposition de phase.


Il est ais de constater que plus RE est importante, plus Gv est faible. Or
RE est indispensable pour la polarisation du transistor. On est donc amen
introduire la notion dmetteur dcoupl. On introduit une capacit en parallle
avec RE pour la by-passer en alternatif ( C1  RE aux frquences utilises)
comme le montre la figure 3.8.

RC

RB1

VCC

ve

vs

RB2
RE

CE

Figure 3.8 Montage metteur commun rsistance dmetteur dcouple.


La valeur de lamplification en tension est alors :
Av =

RC
h11

h11 dpend du courant traversant le transistor :


h11 =

kT
e

IB

kT
e

IC

do :
Av =

RC IC
kT
e

40 RC IC pour T 20 C

3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE


3.2.2.2

45

Amplification en courant

Le gain en courant Ai est gal puisque la source de courant lie dbite


un courant fois plus grand que le courant metteur-base ib .
Ai =
3.2.2.3

Amplification en puissance

Le gain en puissance est gal au produit des deux gains Av et Ai .


Ap = Av Ai
3.2.2.4

2 RC
RC
=
h11
h11

Impdance dentre

Cest limpdance du circuit vue de lextrieur en regardant vers lentre .


Cette impdance est obtenue en faisant le rapport entre la tension dentre et
le courant dentre :
Ze =

ve
ie

En se reportant la figure 3.7, il vient :


ve = h11 ib + ( + 1) RE ib
ie =

ve
+ ib
RB

do :
ie =


h11
( + 1)RE
+
+ 1 ib
RB
RB

ce qui donne :
Ze =

(h11 + ( + 1)RE ) RB
h11 + ( + 1)RE + RB

La valeur de limpdance dentre est donc :


Ze = RB // (h11 + ( + 1)RE )
Cette expression peut tre simplifie sous certaines conditions :
rsistance dmetteur dcouple (RE = 0 en alternatif) :
Ze RB //h11

46

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES


RB  h11 et rsistance dmetteur dcouple :
Ze h11

3.2.2.5

Impdance de sortie

Cest limpdance interne du gnrateur de sortie. Pour le calcul de limpdance de sortie, on peut utiliser deux mthodes :
Mthode de demi-dviation
RS

ve

Ze

Av v e

RL

Figure 3.9 Impdance de sortie.


Si RL on mesure en sortie Vs0 = Av ve .
V
L
= Av2ve = 2s0 .
Si RL = RS , vs vaut alors Av ve RLR+R
S
Cette mthode est surtout une mthode exprimentale.
Mthode de Thvenin
On court-circuite le gnrateur ve . Le gnrateur contrl (Av ve ) est alors
nul, le circuit est celui de la figure 3.10.
Zs

Ze

Figure 3.10 Dtermination de limpdance de sortie par la mthode de Thvenin.


Limpdance vue de la sortie (RL dbranche) est alors gale ZS . En se
reportant la figure 3.7, il convient de considrer le gnrateur de courant
comme un circuit ouvert. En conservant lhypothse  RC , il vient :
Z s RC
3.2.2.6

Conclusion

Le montage metteur commun est un montage permettant une bonne amplification. Celle-ci sera dautant plus leve que RC sera grande, mais alors

3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

47

limpdance de sortie sera leve.


Dans le montage metteur commun, on a ve = VBE , il sagit dune attaque
en tension donc le signal de sortie prsentera des dformations si la tension ve
est trop importante (suprieure quelques millivolts).
Par consquent, le montage metteur commun ne peut tre attaqu que par
une source ayant une rsistance interne faible et de bas niveau. Il doit tre suivi
par un tage adaptateur.

3.2.3

Montage collecteur commun

Ce montage est galement du type attaque par la base .

RB

VCC

Ve
RE

vs

Figure 3.11 Montage collecteur commun classique .


Le schma quivalent en rgime dynamique est celui de la figure 3.13.
3.2.3.1

Amplification en tension

On a :
ve = h11 ib + vs
vs = (RE //)( + 1)ib
En supposant RE  , il vient :
Av =

RE
h11 + RE

En pratique, h11 est souvent ngligeable devant RE ce qui donne Av = 1,


mais en toute rigueur, lamplification est toujours infrieure 1.

48

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

RB1

VCC

Ve

RB2
RE

vs

Figure 3.12 Montage collecteur commun stabilis en temprature .

h11
ve

ib

RB
RE

vs

Figure 3.13 Montage collecteur commun, schma quivalent en rgime dynamique.

3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE


3.2.3.2

49

Impdance dentre

Comme prcdemment : Ze =

ve
ie ,

ce qui donne :

Ze = RB // [h11 + ( + 1)RE ]
(h11 + ( + 1)RE ) nest autre que limpdance du transistor entre base et
masse.
3.2.3.3

Impdance de sortie

Le gnrateur dentre ayant une valeur nulle (il est court-circuit), le montage est aliment par un gnrateur v0 . Calculons le courant i0 dbit par cette
source. On sait que Zs = vi00 .

ib

h11

RB

i0

RE

v0

Figure 3.14 Dtermination de limpdance de sortie.


Le courant i0 est la somme du courant dans :
RE

u0
RE

h11

u0
h11

u0

et de iB
i 0 = u0


1
1
1
+
+
ib
RE
h11

0
avec iB = hu11
.

En utilisant lhypothse  RE , on obtient :

50

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

1
i0
1
+1
=
=
+
Zs
u0
RE
h11
soit :
Zs = RE //

3.2.3.4

h11
+1

Conclusion

Ce montage joue le rle dun adaptateur dimpdance. Limpdance dentre


peut tre grande si RB lest, limpdance de sortie est faible et lamplification
en tension est pratiquement gale 1.

3.2.4

Montage base commune

Ce montage est du type attaque par lmetteur , il est reprsent par les
schmas figure 3.15 et 3.16.

RC
RB

VCC
vs
RE

Ve

Figure 3.15 Montage base commune classique .


Le schma quivalent est celui de la figure 3.17.
Dans le cas du circuit stabilis en temprature, on a bien videmment RB =
RB1 //RB2
3.2.4.1

Amplification en tension

On a :
vs = RC ic

3.2. MONTAGES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR BIPOLAIRE

51

RC
RB1

VCC
vs
RB2

Ve

RE

Figure 3.16 Montage base commune stabilis en temprature .

h11

ib

iB
RB

RC

RE

vs

ve

Figure 3.17 Montage base commune, schma quivalent en rgime dynamique.

52

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

ve = (h11 + RB ) ib
do :
Av =

RC
h11 + RB

De la mme manire que dans le cas de lmetteur commun, il apparat que


plus RB est leve, plus Av est faible. Ainsi, il est intressant de dcoupler la
rsistance de base afin de maximiser lamplification en tension. On obtient alors :
Av =

RC
h11

Cest la mme valeur que lamplification en tension du montage metteur


commun rsistance dmetteur dcouple mais sans inversion de phase.
3.2.4.2

Impdance dentre

Par dfinition, Ze = viee . En utilisant les calculs effectus pour limpdance


de sortie du montage collecteur commun et en remarquant que maintenant
RB nest plus court-circuit mais en srie avec h11 , il vient :
Ze = RE //

RB + h11
+1

Dans le cas dun circuit base commune avec rsistance de base dcouple,
lexpression ci-dessus devient :
Ze = RE //

3.2.4.3

h11
+1

Impdance de sortie

Le calcul se droule de la mme manire que pour le montage metteur


commun. Il vient :
Z s RC
3.2.4.4

Conclusion

Limpdance dentre trs faible nest commode quen haute frquence o


lon recherche ladaptation en puissance. Pour dautres raisons (bande passante,
stabilit) ce montage nest pratiquement utilis quen haute frquence (HF).
Limpdance de sortie leve vis vis de la charge est de plus intressante
lorsque lon veut viter lamortissement dun circuit rsonnant plac comme
charge du collecteur.

53

3.3. RSUM

3.3

Rsum

Le tableau 3.1 rsume le fonctionnement des amplificateurs metteur commun (EC), collecteur commun (CC) et base commune (BC).

EC

CC

BC

Av

C
R
h11

RC
h11

Ai

C
hR
11

RC
h11

Ze

h11

h11 + RE

h11

Zs

RC

h11

RC

Table 3.1 Approximations idales :  1 et rsistances dmetteur ou de


base dcouples.
Le circuit dun amplificateur EC a le plus grand gain en puissance. Dautre
part, il est noter que le montage CC possde limpdance dentre la plus
leve, et le montage BC la plus basse.
Le tableau 3.2 donne les gains et impdances typiques du transistor 2N 3904
qui est trs utilis.

EC

CC

BC

Av

100

100

Ai

120

120

12000

120

100

Ze

3 kW

50 kW

25 kW

Zs

125 kW

25 kW

15 MW

Table 3.2 Valeurs typiques pour un transistor 2N 3904 dont IE = 1 mA,


RC = 2.5 kW pour BC et EC et RE = 390 W pour CC.

54

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

Figure 3.18 Signification graphique de lamplification.

3.4

Prsentation graphique de lamplificateur en


metteur commun

Reprenons le schma de la figure 3.8 et polarisons le transistor de telle manire que VBE0 = E 0 . Dans ces conditions, le signal dentre e ajout E 0 se
trouve aux bornes de la jonction de commande du transistor. Il nous est donc
possible de raisonner graphiquement.
Le schma de la figure 3.18 reprsente les caractristiques IB (VBE ), IC (IB )
et IC (VCE ) situs dans les trois premiers quadrants. Les points de repos sont
E 0 = VBE0 , IB0 , IC0 et VCE0 . une variation du signal de lentre e correspond
une variation du signal de sortie s en passant par les variations IB , IC et
VCE = s. Le gain en tension est alors dfini par :
Av =

s
e

Au vu des variations sinusodales, on trouve linversion de phase, et, lchelle

55

3.5. PROBLMES

des grandeurs relles, pour quelques dizaines de millivolts dentre (autour de


0.6 V) on obtient quelques volts en sortie. Cela traduit un gain en tension de
quelques centaines. Cette prsentation graphique permet de dterminer le gain
en tension de lmetteur commun en basse frquence. Mais cette analyse graphique a aussi ses restrictions :
elle nest pas facile mettre en uvre ;
elle ne permet pas dobtenir facilement le gain en tension des autres montages fondamentaux ;
elle ne tient pas compte des lments parasites capacitifs ;
elle ne permet pas dobtenir la valeur des rsistances dentre et de sortie.

3.5

Problmes

3.5.1

Amplificateur, extrait dun sujet de troisime anne


de 1991

On considre le montage de lamplificateur de la figure 3.19.


VCC = +16 V

RC

R1

C2

C1
ie
rg
vs

vs

RU

R2
RE

CE

eg

is

Figure 3.19
Les paramtres du transistor ont pour valeurs au point de repos :
h11 = 2 kW ; h12 = 0 ; h21 = 50 ; h22 = 50 S
Les rsistances R1 et R2 du pont de polarisation ont des valeurs trs suprieures celle du paramtre h11 du transistor. Les autres rsistances ont pour
valeurs :
RC = 5 kW ; RU = 5 kW ; RE = 10 kW ; rg = 600 W

56

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

Tous les condensateurs ont une impdance ngligeable la frquence de


travail. La frquence minimum du signal alternatif est de 500 Hz.
1. Reprsenter le schma quivalent de ltage amplificateur pour les signaux
alternatifs.
2. Calculer la valeur de la capacit du condensateur CE .
3. Calculer les impdances dentre et de sortie de ltage amplificateur.
4. Calculer lamplification en courant Ai =
5. Calculer lamplification en tension Av =

is
ie .
vs
ve .

6. Calculer le gain en puissance en admettant que la puissance de sortie est la


puissance moyenne dissipe dans la rsistance RU traverse par le courant
is , et que la puissance dentre est la puissance moyenne dissipe dans le
circuit de base du transistor.
Voir la correction page 56

3.5.2

Solution du problme 3.5.1 page 55

Il sagit dun montage metteur commun. Attention !, ici lamplificateur


ne fonctionne pas vide mais est charg par la rsistance RU . Pour le calcul
du gain en tension, il faudra exprimer vs et ve en fonction de ib et effectuer le
quotient puis appliquer la mme mthode pour le gain en courant en exprimant
is et ie en fonction de ib avant den faire le quotient.
1. Le schma quivalent en rgime dynamique est celui de la figure 3.20.
ie
rg
vs

R1

R2

eg

h11

ib

RC

ib

Figure 3.20
2. La valeur minimale du condensateur CE doit tre telle que son impdance
soit plus petite (2 fois plus petite) que la rsistance avec laquelle elle
est en parallle (RE ), do :
CE >

1
1
=
= 200 nF
RE fmini
10 103 500

3. Ici, la rsistance dmetteur est dcouple, donc :


Ze R1 //R2 //h11 h11 = 2 kW

vs

RU

is

57

3.5. PROBLMES
Pour limpdance de sortie, en ne tenant pas compte de , on a :
Zs = RC = 5 kW
En tenant compte de la valeur de :
Zs = RC // = 4 kW

4. Avec lapproximation selon laquelle la rsistance R1 //R2  h11 , on peut


estimer que ie ib . Si on nglige , le courant ib se partage galement
entre RC et RU .
Le gain en courant Ai = iies est gal 2 , en tenant compte du fait que le
courant is circulera de bas en haut, donc en sens inverse du courant is qui
apparat sur la figure 3.20, il vient :
Ai = 25
Effectuons maintenant le calcul en tenant compte de , on a :
is =

vs
RU

or :
1
1
1
vs = ib (//RC //RU ) = ib
+
+
RC
RU


1

et donc :
1
1
1
+
is = ib
+
RC
RU


1

1
RU

On en dduit :

is
Ai = =
ie

ib

1
RC

1
RU

i1

1
RU

ib

1
1
1
Zs =
+
+
RC
RU


soit :

Ai = 50 50 106 +

1
1
+
5 103
5 103

1

1
= 22, 2
5 103

Ici, les formules sont importantes . Afin de dtecter les erreurs grossires, il est utile de dterminer la dimension physique du rsultat et donc
ici de vrifier que les rsistances du numrateur et du dnominateur se
compensent bien .
5.
Av =

RU is
vs
=
ve
h11 ib

On a dj exprimer is en fonction de ib en rsolvant la question prcdente.


On obtient donc :

1

1
RU

58

CHAPITRE 3. AMPLIFICATEURS DE SIGNAUX FAIBLES

Av =

ib

1
RC

1
RU

i1

1
RU

RU

h11 ib

1
RC

1
RU

i1

h11

L aussi une analyse dimensionnelle du rsultat littral vite des erreurs


grossires : les rsistances du numrateur et du numrateur doivent se
compenser afin que le gain, rapport de deux tensions, soit sans dimension
physique. Cest bien le cas ici. Lapplication numrique donne :

1
50 50 106 + 510
3 +
Av =
3
2 10

1
1
5103

= 55, 5

6. Calculons tout dabord lamplification en puissance Ap . On nous invite


la calculer comme tant :
Ap =

RU i2s
h11 i2e

laide des expressions de ie et de is en fonction de ib dtermines prcdemment, nous obtenons :



RU ib
Ap =

1
RC

1
RU

i1

1
RU

2
=

h11 i2b


h
RU 1 +

1
RC

1
RU

h11

Soit encore :

Ap =

1
RU


h
1 +

1
RC

1
RU

i1 2

h11

L encore, une analyse dimensionnelle permet de vrifier la dimension


physique correcte de la formule littrale. Lapplication numrique donne :

Ap =

1
5103

h

50 50 106 +

1
5103

1 i2
1
5103

2 103

= 1234, 5

Ce nombre est comparer au produit des gains en tension et en intensit,


soit 22, 2 55, 5 = 1232.
Le gain en puissance est donc de :
Gp = 10 log Ap = 30, 9 31 dB

i1

1
RU

2

Bibliographie
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