Universidad Tecnolgica de Altamira

Direccin de Mecatrnica

Unidad I
El diodo y su funcin
Antecedentes (continuacin)
Tipos de semiconductores
Semiconductores intrnsecos
Es un material puro, formado por tomos de un mismo elemento, tal que su
comportamiento elctrico depende de sus propias caractersticas. Por ejemplo, en su forma
natural, el silicio forma una estructura cristalina tridimensional parecida a la del carbono
(tetradrica), en la que cada tomo utiliza sus electrones de valencia para formar enlaces
covalentes con 4 de sus tomos vecinos, de tal forma que al final cada tomo de silicio tiene
8 electrones en su capa de valencia, por lo que alcanza la estabilidad. Esto se presenta en la
Figura 1 (dibujada en un plano por simplicidad). Cuando el cristal se encuentra a
temperatura ambiente, algunos electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a
la banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (ver
nmero 1, en Figura 1). Las energas requeridas, a temperatura ambiente son de 1.12 y 0.67
eV para el silicio y el germanio respectivamente. Nota: 1 eV= 1 electrn-Volt = 1.6x1019 J
(es una pequesima cantidad de energa). El proceso contrario tambin puede ocurrir, de
forma que los electrones pueden liberar energa, cayendo desde el estado energtico
correspondiente a la banda de conduccin hasta un hueco en la banda de valencia. A este
fenmeno se le llama recombinacin.
Si se somete el cristal a una diferencia de
tensin (voltaje), se producen dos corrientes
elctricas. Por un lado la debida al movimiento
de los electrones libres de la banda de
conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de
valencia, que tendern a saltar a los huecos
prximos (ver nmero2, en Figura 1), lo cual
crea un hueco en su posicin original, que ser
ocupado por otro electrn. Esto equivale a una
corriente de huecos en la direccin contraria al
campo elctrico cuya velocidad y magnitud es
muy inferior a la corriente de electrones en la
banda de conduccin. Nota: en la Figura 1, e
representa el flujo de electrones hacia la
Figura 1. Estructura de un material intrnseco
izquierda y h+ el flujo de huecos hacia la
derecha.
Semiconductores extrnsecos
Se le llama as a los semiconductores intrnsecos a los que se les ha agregado un
pequeo porcentaje de tomos de impureza. Este proceso de agregar impurezas es llamado
doping y se dice que el material extrnseco est dopado. Los tomos de impureza se
insertan dentro de la estructura cristalina, sustituyendo a un tomo de silicio.

Material tipo P
Es el material extrnseco que se obtiene cuando las impurezas agregadas son
tomos trivalentes (con tres electrones de valencia), como el Boro (B).

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Los tomos de impureza son llamados en este caso material aceptor, porque
cada uno posee un hueco en la capa de valencia, que puede ser llenado con un
electrn libre. La Figura 2 muestra esta situacin.

Material tipo N
Es el material extrnseco que se obtiene cuando las impurezas agregadas son
tomos pentavalentes (con cinco electrones de valencia), como el Fsforo, el
Arsnico y el Antimonio (P, As, Sb). Los tomos de impureza son llamados en este
caso material donante o donador, porque cada uno posee un electrn en la capa
de valencia que no es usado en un enlace covalente y que pude ser usado (donado)
con relativa facilidad para establecer una corriente elctrica. La Figura 3 muestra
esta situacin.

Figura 2. Estructura de un material tipo p.

Figura 3. Estructura de un material tipo n.

I.1. Concepto, construccin, smbolo y parmetros de los diodos rectificadores.

Un diodo es un dispositivo electrnico, fabricado con material semiconductor, que permite el
paso de la corriente elctrica en una sola direccin. Histricamente, los primeros diodos en existir
fueron los diodos de vaco (bulbos, similares a un foco alargado). Actualmente, los ms
comunes son los diodos semiconductores, tambin llamados de estado slido. Los diodos
tienen diversas aplicaciones, siendo una de las ms importantes la de rectificacin. La
rectificacin es el proceso mediante el cual una seal elctrica cuya polaridad cambia
peridicamente (de corriente alterna: ca), es convertida en una seal que tiene siempre la misma
polaridad (de corriente continua: cc). Esto se comentar ms adelante en los sub-temas que tratan
los rectificadores.
Un diodo se obtiene al juntar dos materiales extrnsecos de tipos diferentes, por lo que es
comn llamarlo diodo de unin o simplemente unin pn. La Figura 4 muestra una unin pn,
justo al momento de poner los materiales en contacto. Es posible observar que, al unir los
materiales, algunos electrones del material n (pertenecientes a las impurezas pentavalentes, ver
Figura 3) tienden a recombinarse con igual nmero de huecos del material p (pertenecientes a las
impurezas trivalentes, ver Figura 3). Este fenmeno origina una pequea regin cargada en el
espacio de la frontera de la unin (una especie de capacitor). Esta regin se muestra en la Figura
5 y es llamada: zona de carga espacial o regin de agotamiento o regin de vaciamiento.
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Figura 4. Unin pn al momento de ser creada. Se Figura 5. Zona de carga espacial (z.c.e.), tambin
produce una recombinacin de electrones y huecos llamada zona de agotamiento o zona de
vaciamiento, en una unin pn.
en la frontera de la unin.

Un diodo tiene dos terminales elctricas, llamadas nodo (A) y Ctodo (K C). La Figura 6
muestra su smbolo elctrico, as como la polaridad directa del voltaje y la direccin directa de la
corriente a travs del mismo.
Un diodo puede ser conectado con una
fuente de voltaje en dos formas distintas. La
Figura 7 muestra la primera de ellas, que es
llamada polarizacin directa, en la que la
terminal positiva es conectada al nodo y la
negativa al ctodo. La Figura 8 muestra la
segunda forma, llamada polarizacin
inversa, en la que la terminal negativa se
conecta al nodo y la positiva al ctodo.

VD
A

ID
Figura 6. Smbolo elctrico del diodo. Si el voltaje
tiene la polaridad opuesta a la mostrada (o la
corriente una direccin contraria), entonces se dice
que es un voltaje inverso (o una corriente inversa).

Figura 7. Polarizacin directa. Se produce una

corriente (convencional) de nodo a ctodo. La
magnitud de esta corriente est limitada por el
circuito asociado con el diodo.

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Figura 8. Polarizacin inversa. Idealmente no hay

corriente a travs del diodo, pero en realidad se
produce una pequea corriente de fuga de ctodo a
nodo. La z.c.e. incrementa su tamao.

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Curva caracterstica del diodo

Para describir grficamente el comportamiento del diodo se puede utilizar una curva
caracterstica, en la que es posible observar la corriente que existir a travs del diodo para un
voltaje dado. La Figura 9 muestra la curva caracterstica de un diodo ideal. Puede observarse que,
para una polarizacin inversa, y sin importar la magnitud del voltaje aplicado, no existe corriente
a travs del diodo. Por otro lado, para una polarizacin directa, el voltaje a travs del diodo es
igual a cero, mientras que la corriente puede tomar cualquier valor, limitada nicamente por el
circuito asociado con el diodo. La Figura 10 presenta una curva caracterstica de un diodo real
tpico.

Figura 9. Curva caracterstica de un diodo ideal.

Figura 10. Curva caracterstica de un diodo real.

La Figura 10 muestra la caracterstica de un diodo real tpico. En esta curva puede observarse
que, en la regin de polarizacin inversa, existe una pequea corriente de fuga o de saturacin
inversa (IS) a travs del diodo, que es del orden de A o de mA, pero que duplica su valor por
cada incremento de 10oC en la temperatura del diodo. Adems, siempre se cumple que esta
corriente es mucho mayor para un diodo de germanio que para uno de silicio equivalente:
IS(Ge)>> IS(Si). Tambin, si el voltaje inverso aplicado al diodo incrementa su magnitud poco a
poco, es posible alcanzar un valor para el cual es diodo empieza a conducir en direccin inversa.
Este valor es llamado voltaje de ruptura inverso (VBR) o voltaje Zener (VZ, si ste es
intencionalmente tomado en cuenta en el diseo del diodo). Esta regin es llamada regin Zener
o de rompimiento de avalancha y en ella se produce un efecto de cada de voltaje constante a
travs del diodo. Esta caracterstica es aprovechada por los diodos Zener, que son llamados
reguladores de tensin debido a que son dispositivos capaces de mantener ms o menos
constante el voltaje entre sus terminales. Por otro lado, en la regin de polarizacin directa, existe
un pequeo valor de voltaje que es necesario vencer con el fin de que el diodo empiece a
conducir. Este valor es llamado voltaje del diodo o voltaje de umbral o voltaje de quiebre y tiene
un valor aproximado de 0.7V para diodos de silicio y de 0.3V para diodos de germanio. Una vez
que la fuente de tensin tiene un voltaje superior a este valor, el diodo conduce corriente en
direccin directa (de nodo a ctodo) y mantiene un voltaje aproximadamente constante entre sus
terminales (0.7V 0.3V y el resto del voltaje aplicado se queda o reparte en los otros
elementos del circuito).

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Modelos simples del diodo

Un diodo ideal se comporta solamente como un interruptor que responde en forma inmediata,
abrindose o cerrndose, cuando la polarizacin es inversa o directa, respectivamente. En
cambio, un diodo real presenta una pequea corriente de fuga en la regin de polarizacin inversa
y, cuando el voltaje inverso supera el valor de ruptura (VPI=voltaje pico inverso), conduce por
completo. Adems, tiene una pequea cada de voltaje en la polarizacin directa y presenta
algunos comportamientos capacitivos cuando opera con seales alternas de alta frecuencia. Para
poder describir analticamente estos fenmenos se utiliza un modelo del diodo, que es un circuito
equivalente en el que se incluyen algunos elementos de circuito (resistencias o capacitores) con el
objeto de imitar los diversos comportamientos observados en un diodo real.
VT RD
A

K
Diodo
ideal

Modelo Sencillo del diodo

K
Diodo
real

Cs
VT RD
A

donde:
VT= Voltaje de umbral del diodo
RD= Resistencia interna del diodo
Cs= capacitancia de carga espacial o de transicin
Cd= Capacitancia de difusin

K
Diodo
ideal
Cd

Modelo ms completo del diodo

Parmetros importantes de los diodos rectificadores

A continuacin se da una lista de algunos de los valores caractersticos ms importantes de
los diodos rectificadores:
VF
A

K
VR

IF

IR

Figura 11. Definicin de la polaridad de los voltajes y el sentido de las corrientes en un diodo.

Mximo voltaje en sentido directo: VF(max)

Mxima corriente en sentido directo: IF(max)
Mxima corriente en sentido inverso: IR(max)
Voltaje pico inverso (VPI, PRV o RBV): Es el potencial mximo de polarizacin inversa
que es posible aplicar al diodo antes de entrar en la regin de rompimiento de avalancha.
Si se requiere un VPI mayor que el de un solo diodo (y no se tienen diodos con un VPI
mayor), entonces es posible conectar en serie varios diodos de las mismas caractersticas,
como se muestra en la Figura 12. Los diodos tambin pueden conectarse en paralelo para
aumentar la capacidad de manejo de corriente, como se muestra en la Figura 13.

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ITotal

Vd2

Vd1

Vd3
Id1

Id2

Id3

VTotal

Figura 12. Conexin en serie para aumentar el VPI.

Figura 13. Conexin en paralelo para poder

conducir una corriente mayor.

Todos los dispositivos electrnicos son inherentemente sensibles a la operacin con

seales elctricas de frecuencias grandes. Esto se debe a que existen comportamientos
capacitivos que pueden ignorarse a frecuencias bajas, pero no a frecuencias elevadas
(recordar que la reactancia capacitva es: X c 1 2 fC ). Dichas capacitancias deben ser
tomadas en cuenta cuando el diodo operar con seales de frecuencias grandes y son:
o Capacitancia de transicin o de vaciamiento (Cs), en la regin de polarizacin
inversa.
o Capacitancia de difusin o de almacenamiento (Cd), en la regin de polarizacin
directa.
Tiempo de recuperacin en sentido inverso (tri). En un diodo real la corriente no
desaparece en forma instantnea cuando la polarizacin se cambia de directa a inversa,
sino que requiere de un cierto tiempo para que esta corriente a travs del diodo llegue al
valor de cero. Este tiempo es llamado tiempo de recuperacin en sentido inverso y se
muestra en la Figura 15.
ID

ID

Pol.
Directa

Pol.
Directa

Pol.
Inversa

Pol.
Inversa

ta

tt
tri

Figura 14. Comportamiento de un diodo ideal:

cuando la polarizacin cambia de directa a inversa
el diodo deja de conducir la corriente en forma
instantnea.

Figura 15. Comportamiento de un diodo real: la

corriente tarda un tiempo (tri) en decrecer hasta
cero (ta=tiempo de almacenamiento, tt=tiempo de
transicin).

En los diodos de velocidad media o baja el tri es del orden de ns o s (10-9s 10-6s),
mientras que el de los diodos de alta velocidad es de ps (10-12s).

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