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Physique

applique
re

1 STI

Gnie lectronique

Marie-Claude Didier
Lyce les Iris, Lormont
Jacques Lafargue
Lyce Gustave Eiffel, Bordeaux
Thierry Lecourieux
Lyce Richelieu, Rueil-Malmaison
Grard Montastier
Lyce Dorian, Paris

Sous la direction de Robert Le Goff

AVANT-PROPOS
Destine aux lves de 1re STI, Gnie lectronique, cette nouvelle dition tient
compte des amnagements de programme parus au BO du 20 dcembre 2001.
Il propose un cours vitant toute inflation, construit autour dapproches exprimentales et des savoir-faire que llve doit acqurir. La rubrique LEssentiel
rsume les connaissances retenir. Des exercices nombreux, varis, progressifs,
prsents dans le cours (applications avec solutions) ou en fin de chapitre (QCM,
exercices rsolus, exercices avec rsultats et exercices rsoudre) permettent
llve de contrler et de consolider ses acquisitions.
Avec ce manuel, llve dispose en effet dun outil pour dcouvrir et travailler
la physique applique ses trois niveaux :
le niveau des connaissances scientifiques : dfinitions, lois, thormes, ordres
de grandeur, units ;
le niveau des savoir-faire exprimentaux : utilisation des appareils de mesure
classiques, protocoles exprimentaux, mthodes de mesure ;
le niveau des savoir-faire thoriques : utilisation des lois, des thormes, des
formules, des mthodes de raisonnement et des techniques de calcul.
Les auteurs

SOMMAIRE
Lois gnrales de llectricit
en continu
1. Circuit lectrique, intensit,
tension ....................................................
1. Circuit lectrique ........................
2. Intensit du courant lectrique ...
3. Loi des noeuds ............................
4. Diffrence de potentiel ou
tension lectrique .......................
5. Loi des mailles ............................
6. Puissances mises en jeu
dans un circuit ............................
2. Loi dOhm pour un diple passif ...
1. Quappelle-t-on rsistor ? .......
2. Loi dOhm pour un rsistor
linaire ............................................
3. Rsistivit et conductivit ......
4. Rsistor non linaire .................
5. Rsistor command ...................
6. Associations de rsistors
linaires ..........................................

lectromagntisme

7
7
8
11
12
14
15
21

21
21
24
25
26
26

3. Les diples actifs ...............................


1. Diple actif ....................................
2. Fonctionnement en
gnrateur ......................................
3. Fonctionnement en
rcepteur ........................................
4. Transformation de Thvenin ...
5. Transformation de Norton ......
6. Thorme de superposition ...

33
33

4. Puissance et nergie lectriques .


1. Puissance lectrique .................
2. nergie lectrique ......................
3. Conservation de lnergie .......
4. Rendement dun
convertisseur ................................
5. Consquences de leffet Joule ...

53
53
54
56

5. Les condensateurs .............................


1. Comment forme-t-on un
condensateur ? .............................
2. Proprits dun condensateur ...
3. Champ lectrique et force
lectrostatique .............................
4. Associations de
condensateurs ..............................

65

34
39
41
45
46

58
59

65
66
70
72

6. Le champ magntique .....................


1. Quappelle-t-on champ
magntique ? .................................
2. Vecteur champ magntique ....
3. Action dun champ magntique
sur une particule charge en
mouvement ...................................
4. Intensit du champ magntique
et intensit du courant dans
un circuit .......................................

79
79
81

84

86

7. Actions lectromagntiques .......... 93


1. Quest-ce quune force
lectromagntique ? ................... 93
8. Induction lectromagntique ....... 101
1. Quest-ce que linduction
lectromagntique ? ................... 101
2. Quappelle-t-on courant
induit ? ............................................ 104
9. Auto-induction ...................................
1. Force lectromotrice dautoinduction .......................................
2. Relation entre la fm
dauto-induction et le
courant variable ..........................
3. Modles de diples inductifs ...
4. nergie lectromagntique
emmagasine par une bobine ...
5. Applications de lautoinduction .......................................

109
109

111
113

115
116

Rgimes variables
10. Grandeurs priodiques ................ 123
1. Valeur instantane ..................... 123
2. Grandeur priodique ................ 124
3. Frquence dune grandeur
priodique ..................................... 124
4. Valeur moyenne dune grandeur
priodique ..................................... 125
5. Valeur efficace dune grandeur
priodique ..................................... 127
6. Gnralisation .............................. 129
11. Rgimes transitoires ...................... 137
1. Diples linaires passifs .......... 137
2. Charge et dcharge dun
condensateur travers une
rsistance ....................................... 138
3

3. tablissement et annulation
dun courant dans une bobine ... 143
4. Charge et dcharge dun
condensateur dans un circuit
inductif ........................................... 146
12. Rgimes sinusodaux ....................
1. Quest-ce quun rgime
sinusodal ? ...................................
2. Expression dune grandeur
sinusodale ....................................
3. Valeur moyenne ..........................
4. Valeur efficace .............................
5. Comment reprsenter une
grandeur sinusodale ? .............
6. Dphasage entre deux
grandeurs sinusodales
de mme frquence ...................
13. Diples linaires lmentaires
en rgime sinusodal .....................
1. Objectif de ltude ......................
2. Conducteur ohmique ................
3. Bobine parfaite ............................
4. Condensateur parfait ................
14. Associations de diples Rsonance ..........................................
1. Objectif de ltude ......................
2. Diple R, L, C srie ....................
3. Diple R, L, C parallle ............

153
153
154
155
156
156

160
165
165
166
169
172
179
179
180
184

15. Puissances en rgime sinusodal .. 193


1. Puissance instantane .............. 193
2. Puissance active ou puissance
moyenne ......................................... 195
3. Puissance apparente ................. 197
4. Facteur de puissance ................ 198
5. Wattmtres .................................... 199

16. Systmes triphass quilibrs ... 205


1. Quappelle-t-on tensions
simples ? ......................................... 205
2. Quappelle-t-on tensions
composes ? .................................. 207
3. Comment coupler des rcepteurs
triphass quilibrs ? ................ 209
4. Puissance active reue ............. 210
Fonctions de llectronique
17. Diodes et transistors ......................
1. Quest-ce quune diode
jonction ? ........................................
2. Diode Zner et application ....
3. Transistor bipolaire ...................

215

18. Redressement monophas ..........


1. Principe de redressement
dune tension alternative ........
2. Comment effectuer un
redressement double
alternance ? ...................................
3. Filtrage dune tension
redresse ........................................

227

19. Transistor, rgime continu,


rgime variable ................................
1. Polarisation dun transistor ...
2. Modes de fonctionnement ......
3. Transistor en rgime variable ...
4. Complments ................................
20. Amplificateur oprationnel .......
1. Amplificateur oprationnel ...
2. Caractristiques dun
amplificateur oprationnel ....
3. Amplificateur en rgime
linaire ............................................

215
218
220

227

229
233
241
241
245
246
249
259
259
260
263

17

DIODES
ET
TRANSISTORS

Jeu de diodes : DEL, diodes Zner, diodes de redressement.

Jeu de transistors divers : du transistor de commutation au transistor de puissance.

1. quest-ce quune diode jonction ?


1.1. Principe de ralisation
Des matriaux comme le silicium et le germanium, ltat pur, trs basse temprature et dans lobscurit, sont isolants. Un apport dnergie peut les rendre
conducteurs : ils sont alors qualifis de semi-conducteurs.
Pour amliorer leur conduction, on ralise des semi-conducteurs impurs par
apport dune faible quantit datomes (dits dopants) :
trivalents (ils ont trois lectrons sur la couche priphrique) comme laluminium et le gallium, pour raliser des semi-conducteurs dops P ;
pentavalents (cinq lectrons sur la couche priphrique) comme le phosphore
et larsenic, pour raliser des semi-conducteurs dops N.
Exemple Une diode de redressement au silicium
est constitue dun fragment de cristal dont une partie est dope P et lautre partie dope N (fig. 17.1).
La zone de sparation (dite zone de transition) entre
la partie P et la partie N constitue une jonction appele jonction PN.

Jonction
P

Figure 17.1. Jonction PN

215

fonctions de llectronique

Vue de lextrieur, une diode est un diple prsenD


A i
K
tant deux bornes : les lectrodes. Lune est lanode (A),
cest celle qui est relie la partie dope P ; lautre
u = vA vK
est la cathode (K), cest celle qui est relie la partie dope N. La figure 17.2 donne le symbole gnFigure 17.2. Symbole
ral dune diode associ une convention d'oriendune diode et convention
dorientation choisie
tation : la convention rcepteur.
Suivant la nature du semi-conducteur, la concentration en impurets, lpaisseur de la zone de transition, etc., on ralise plusieurs catgories de diodes
jonction : diodes de redressement, diodes tunnel, diodes lectroluminescentes,
diodes Zner, diodes laser, etc.

1.2. tude qualitative


Inverseur
Ralisons le montage de la figure 17.3,
dans lequel les diodes D 1 et D 2 sont
R
D2
D1
des diodes lectroluminescentes (elles
mettent de la lumire lorsquun courant
E
2
1
les traverse). Elles sont alimentes par
une source de tension continue de fm
E = 15 V associe une rsistance de proFigure 17.3. Mise en vidence des tats
tection R = 470 . Un inverseur permet
passant et bloqu
lapplication dune tension positive ou
ngative lassociation en parallle
inverse des deux diodes.
Lorsque linverseur est en position 1, la DEL verte D1 est allume et la DEL
rouge D2 est teinte : on dit que la diode D1 est passante car un courant la traverse (de lanode vers la cathode) et que la diode D2 est bloque (aucun courant
ne la traverse).
Lorsque linverseur est en position 2, la DEL verte D1 est teinte et la DEL rouge D2
est allume : la diode D1 est bloque et la diode D2 est passante.
Conclusions :

Une diode est un composant dissymtrique qui ne laisse passer


le courant que dans un sens : de lanode vers la cathode.
Quand la tension entre lanode et la cathode est ngative, la diode
ne conduit pas : on dit quelle est polarise dans le sens inverse.
Quand la diode conduit, on dit quelle est polarise dans le sens direct.

1.3. Caractristique statique couranttension dune diode de redressement


Ltude exprimentale peut se faire avec une diode de rfrence 1N4007. Les
intensits des courants et les tensions pouvant tre faibles, la consommation des
appareils de mesure peut fausser les rsultats. Une position adquate de ces
appareils, minimisant leurs effets, permet une bonne qualit de mesures.
216

17. Diodes et transistors

1.3.1. tude exprimentale


Polarisation directe
Ralisons le montage de la figure 17.4.
La diode utilise peut tre traverse par des
courants dont lintensit doit tre infrieure
1 ampre. Le choix de la puissance maximale admissible par la rsistance (P = R I 2 )
est une autre limitation : avec une rsistance de 100 et 4 W, les intensits des
courants peuvent atteindre la valeur maxi4
male =
= 0,2 A.
100
Lalimentation fournissant une tension
continue rglable, relevons la caractristique i(u) en faisant attention de ne pas
dpasser 0,2 A (pour ne pas dtruire la rsistance). Nous obtenons la caractristique de
la figure 17.5.

R = 100
+

1.3.2. Exploitation
Les deux caractristiques prcdentes peuvent tre regroupes en une seule (fig. 17.8).
La caractristique obtenue en polarisation directe montre que le diple nest pas
linaire (la caractristique i(u) nest pas une
droite). Pour une tension infrieure 0,6 V
environ, lintensit du courant qui traverse
la diode est nulle : elle est bloque. Au-del
de cette tension, appele tension de seuil us,
elle se met conduire ; lintensit du courant qui la traverse augmente trs rapidement alors que la tension ses bornes augmente trs peu : la diode est passante.

Figure 17.4. Relev de la caractristique


directe dune diode 1N4007
i (mA)
200
100

0,6

u (V)

Figure 17.5. Caractristique directe


dune diode 1N4007
R = 68 k

Polarisation inverse
Ralisons le montage de la figure 17.6. Lintensit du courant est mesure avec un
microampremtre.
Remarque : La rsistance de 68 k protge
le microampremtre dans le cas o la diode
utilise serait branche lenvers ou courtcircuite.
Lalimentation rglable permet de relever
la caractristique i(u). Nous obtenons la
caractristique de la figure 17.7.

+
A

u
i

Figure 17.6. Relev de la caractristique


inverse dune diode 1N4007
i (A)
10

u (V)
1

Figure 17.7. Caractristique inverse


dune diode 1N4007

i (mA)
200
100

us
0,6 V

u (V)

Figure 17.8. Caractristique statique


dune diode 1N4007
217

fonctions de llectronique

La caractristique obtenue en polarisation inverse montre que lintensit du


courant qui traverse la diode est pratiquement nulle : elle varie trs peu avec la
tension ; la diode est bloque.

1.3.3. Modlisation
Lobservation de la caractristique de la figure 17.8 permet de dfinir deux
modles simples de la diode de redressement : lun tient compte de la tension
de seuil us (fig. 17.9), lautre nglige cette tension de seuil (fig. 17.10). Ce second
modle est le modle quivalent dune diode idale ; il est suffisant dans de nombreuses applications.
i

K
0 us

us

u = vA vK
A

i= 0

i> 0

u<0

u = us > 0

Diode bloque <=> interrupteur ouvert

Diode passante <=> source de tension

Figure 17.9. Modle quivalent dune diode


i
A

i= 0

A
0

u<0
Diode bloque <=> interrupteur ouvert

i> 0

u=0
Diode passante <=> interrupteur ferm

Figure 17.10. Modle quivalent dune diode idale

Une diode idale se comporte comme un interrupteur lectronique


unidirectionnel qui serait ferm lorsque la diode est passante
(i > 0 et u = 0), et ouvert lorsque la diode est bloque (u < 0 et i = 0).

2. diode Zner et application


En lectronique, un autre type de diode est trs employ : la diode Zner.

2.1. Prsentation
Cette diode peut tre traverse par un courant en inverse
et, si lon reste dans le domaine des puissances compatibles avec la puissance maximale fixe par le constructeur, le claquage de la jonction nest pas destructif : il y
a reconstitution de la jonction aprs suppression de la
tension inverse applique. Trs souvent les orientations
choisies sont inverses par rapport celles prises pour
la diode de redressement. Son symbole est lgrement
diffrent de celui dune telle diode (fig. 17.11).
218

uz
A

Dz

iz K

Figure 17.11. Symbole et


convention dorientation
pour une diode Zner

17. Diodes et transistors

2.2. tude exprimentale


de la caractristique
courant-tension dune diode Zner
2.2.1. Montage
Ralisons le montage de la figure 17.12.
Lorsque linverseur est en position 1, la diode Zner est polarise en direct.
Lorsque linverseur est en position 2, la diode Zner est polarise en inverse.
En procdant comme pour ltude de la diode de redressement, nous obtenons
la caractristique i(u) de la figure 17.13.
i (mA)
R = 100

Inverseur

A
i

0 10 V

5,6 V
u

E
2

0
V

u (V)
1V

1
40 mA

Figure 17.13. Caractristique


statique dune diode Zner

Figure 17.12. Relev de la caractristique


i (u) dune diode Zner Vz = 5,6 V

2.2.2. Observations
Dans le sens direct, nous retrouvons une caractristique semblable celle de
la diode de redressement : elle est passante pour une tension u suprieure la
tension de seuil us de lordre de 0,7 V (la rsistance R = 100 limite lintensit
du courant direct moins de 100 mA).
Dans le sens inverse, la diode est bloque jusqu 5,6 V environ. Ds que cette
tension est atteinte, lintensit du courant qui la traverse crot brutalement : la
rsistance de 100 permet de limiter lintensit du courant inverse 44 mA.
5,6 V est appele tension Zner, elle est symbolise par Vz .
Les constructeurs proposent des diodes Zner dont les tensions peuvent tre
comprises entre 2,4 V et 270 V.

2.2.3. Modlisation
Le modle quivalent dune diode Zner idale est donn figure 17.14.
Polarisation inverse :
Pour Vz < u < 0 :
Dz <=> interrupteur ouvert
A

i= 0

u
Pour u = Vz :
Dz <=> rcepteur parfait de tension
Vz
A

i< 0

Polarisation directe :
Dz <=> interrupteur ferm

i
Vz

A
0

i> 0

u=0

Figure 17.14. Modle quivalent dune diode Zner idale


219

fonctions de llectronique

3. transistor bipolaire
3.1. Quappelle-t-on transistor bipolaire ?
Un transistor bipolaire est un semi-conducteur comportant deux jonctions PN.
Suivant lorientation de ces jonctions, on obtient deux types de transistors : les
transistors PNP et les transistors NPN. Il y a donc trois parties : P, N, P pour un
transistor PNP et N, P, N pour un transistor NPN. Un nom est donn chacune
de ces parties : base pour la partie centrale, metteur et collecteur pour les deux
autres parties (fig. 17.15). Sur le symbole dun transistor (fig. 17.16), une flche
est porte par lmetteur : elle indique le sens passant de la jonction base-metteur ; le sens de la flche permet didentifier le type du transistor.
metteur

P N

IC

Collecteur

IC

C
Base

IB

Transistor PNP
VBE
metteur

N P

Collecteur

Base
Transistor NPN

Figure 17.15. Transistors bipolaires

C
VCE

IB

VCE

VBE
E

IE

IE
Transistor PNP :
toutes les grandeurs
sont ngatives.

Transistor NPN :
toutes les grandeurs
sont positives.

Figure 17.16. Reprsentations des transistors bipolaires

Conventions de reprsentation
Nous choisissons les mmes conventions
pour les deux types de transistors. La reprsentation sous la forme dun quadriple est
la plus courante (fig. 17.17) : IB et VBE sont
des grandeurs dentre, IC et VCE sont des
grandeurs de sortie.
chaque instant nous pouvons appliquer
la loi des nuds : IE = IC + IB.

IC

IB

vCE

vBE
Entre

Sortie

Figure 17.17. Quadriple


transistor NPN

3.2. Caractristiques
statiques dun transistor
Les caractristiques statiques dun transistor forment un rseau constitu :
des caractristiques dentre VBE(IB) traces tension VCE constante ;
des caractristiques de transfert IC(IB) traces tension VCE constante ;
des caractristiques de sortie IC(VCE) traces intensit IB constante.
Les jonctions tant trs sensibles la temprature, pour relever ces caractristiques
temprature pratiquement constante il faut des intensits et des tensions trs
faibles afin que la puissance dissipe dans le transistor reste ngligeable.
220

17. Diodes et transistors

3.2.1. Montage
Prenons lexemple du transistor NPN de rfrence 2N1711. Le montage de la
figure 17.18 permet un relev de ses caractristiques.
Nous obtenons le rseau de caracIC
Caractristiques de sortie
tristiques de la figure 17.19.
V = 10 V
I = 800 A
CE

I = 600 A
B
I = 400 A
B

100 mA
IC
A

A
IB
5V

IB = 200 A

Caractristiques
de transfert en
courant

IB = 0 A

IB 1 mA

15 V

VCE

0, 15 V
4,7 k

100 k
V
V

Caractristique
dentre

Figure 17.18. Montage pour le relev


des caractristiques statiques
du transistor NPN 2N1711

0,5 V
VBE

Figure 17.19. Rseau de caractristiques


statiques du transistor 2N1711

3.2.2. Observations
Pour une intensit IB du courant de base nulle, aucun courant ne traverse le
collecteur : IC = 0, le transistor est bloqu.
Pour une intensit IB du courant de base non nulle, un courant traverse le collecteur : IC 0, le transistor est passant.
Pour une intensit IB du courant de base constante, lintensit IC du courant
traversant le collecteur augmente trs lgrement avec la tension VCE .
En maintenant la tension VCE constante, lintensit IC augmente en mme temps
que lintensit du courant de base.

Le fonctionnement dun transistor est command par la base.

Remarque : Dans cette exprience, la jonction base-metteur est polarise dans


le sens direct ; la jonction collecteur-base, polarise en inverse, laisse passer
un courant dintensit non ngligeable : cest ce que lon appelle leffet transistor.
Ce rsultat peut tre gnralis.
Pour un transistor NPN passant, la tension base-metteur (VBE) est
voisine de 0,6 V.
Dans le cas dun transistor PNP passant, la tension base-metteur serait
voisine de 0,6 V.
221

fonctions de llectronique

La tension V CE influe lgrement sur les caractristiques de transfert en


courant IC(IB). Ce sont sensiblement des droites dont les coefficients directeurs
sont symboliss par la lettre , que lon appelle coefficients d'amplification
en courant . Pour le transistor 2N1711, nous trouvons une valeur moyenne
de de 200.
tension VCE constante, lintensit IC du courant traversant le collecteur
est proportionnelle lintensit IB du courant traversant la base :
IC = I B . Lensemble transistor-alimentation se comporte comme un
gnrateur de courant command par le courant de base.

Les caractristiques de sortie sont des droites pratiquement quidistantes pour


des accroissements gaux de lintensit IB. Le transistor passe trs rapidement en
rgime de saturation.

3.3. Valeurs limites


dutilisation dun transistor
Pour les transistors bipolaires, il y a :
une limitation de fonctionnement en courant lentre I B lim et la sortie I C lim :
ces valeurs d'intensits ne doivent pas tre dpasses afin dviter une destruction probable du transistor ;
une limitation de fonctionnement en tension : pour de fortes valeurs de la
tension VCE, lintensit du courant traversant le collecteur peut crotre brutalement ; on atteint alors la zone de claquage du transistor qui peut tre dtruit par
effet davalanche. Il y a donc une valeur
IC
limite VCE lim de la tension entre collecteur
Plim
et metteur ne pas dpasser ;
IC lim
une limitation de fonctionnement en puisAire de
sance : la puissance dentre tant toujours
fonctionnement
ngligeable, la puissance dissipe dans un
transistor a pour expression P = VCE IC ; cette
0
VCE lim VCE
puissance doit tre infrieure une valeur
maximale Plim qui, dans le repre {IC, VCE},
Figure 17.20. Limites dutilisation
est reprsente par une hyperbole dite de
dun transistor
dissipation de puissance (fig. 17.20).
Remarque : Dans ce chapitre, nous ne nous sommes intresss quau transistor
bipolaire. Il existe dautres types de transistors trs utiliss industriellement,
comme les transistors effet de champ.

222

17. Diodes et transistors

Lessentiel
Diode de redressement

Symbole et orientations

Modle dune diode idale

Anode

Cathode

u = vA vK

i= 0

A
0

u<0
Diode bloque <=> interrupteur ouvert

u=0
Diode passante <=> interrupteur ferm
uz

Diode Zner

i> 0

Symbole et orientations

Dz

iz K

Modlisation
Vz

Polarisation inverse

Pour Vz < u < 0 : Dz <=> interrupteur ouvert


A

i= 0

Polarisation directe
Dz <=> interrupteur ferm

i> 0

u=0

Pour u = Vz : Dz <=> rcepteur parfait de tension


Vz
A

i< 0

Transistors bipolaires

IC

IC

C
Symboles et orientations
C
VCE
VCE
IB
IB
B : base
B
B
T
T
C : collecteur
VBE
VBE
E : metteur
E
E
chaque instant :
IE
IE
IE = IC + IB
Transistor PNP : toutes les
Pour un transistor NPN Transistor NPN : toutes les
grandeurs sont ngatives.
grandeurs sont positives.
passant, VBE 0,6 V.
Pour un transistor PNP passant, VBE 0,6 V.
En fonctionnement linaire : IC = I B avec : coefficient d'amplification
en courant.

223

fonctions de llectronique

Contrle des connaissances


Cocher la (les) bonne(s) rponse(s).
1. Dans le montage de la figure 17.21 la
diode est suppose parfaite. On donne :
E 1 = 24,0 V ; E 2 = 6,0 V et R = 200 .
Quelle est lintensit i du courant qui traverse la diode ?

dre comme parfaite et sa tension Zner


est gale 6,0 V. L'intensit i z du courant
dans Dz est gale 10,0 mA et R1 = 100 ,
R2 = 200 . Quelle est la valeur de E ?
 7,0 V  7,5 V  9,0 V  10,0 V.

Figure 17.21

4. Dans le montage de la figure 17.23,


on donne prsent : R 1 = 500 ;
R2 = 200 . Dz est suppose parfaite, la
tension Zner Vz = 12,0 V et la puissance
maximale quelle peut dissiper est gale
^ = 1,8 W. Quelle valeur maximale
P
Dz
peut-on donner E pour atteindre la
limite maximale dutilisation de la diode
Zner ?

 0 A  30 mA  60 mA  90 mA.

 42,0 V  46,8 V  60,0 V  117 V.

2. Les diodes D1 et D2 du montage de la

5. Le coefficient damplification en courant du transistor de la figure 17.24 est


= 75. On donne IB = 2,0 mA, RC = 100
et Vcc = 24 V. Quelle est la valeur de VCE ?

E1

E2

figure 17.22 sont supposes parfaites. On


donne : E = 48,0 V ; I 0 = 4,0 A. Pour
quelles valeurs de la rsistance R la
diode D2 est-elle bloque ?
D1

D2
E

RC

I0

uC

VCC

IC
C

R
IB
VBB

Figure 17.22

 R  12,0
 R  12,0
 la question ne se pose pas, D2 est toujours passante
 la question ne se pose pas, D2 est toujours bloque.

3. Dans le montage de la figure 17.23, la


diode Zner de rgulation Dz est consii1

R1
iz

Dz

Figure 17.23
224

i2
R2

RB

B
E
IE

Figure 17.24

0V
9V
 15 V
 rponse impossible donner sans
connatre IC .

6. Le transistor de la figure 17.24 a cette


fois pour coefficient damplification en
courant = 120, pour tension de saturation VCEsat = 0 V. On donne RC = 50,0 et
Vcc = 48,0 V. Quelle est lintensit minimale iB1 qui permet de saturer le transistor ?
 0,96 mA
 2,4 mA
 8,0 mA
 48,0 mA.

17. Diodes et transistors

Exercice rsolu
7. La tension Zner de la diode du montage de la figure 17.23, suppose parfaite,
est Uz = 12,0 V. On donne R1 = 1,0 k.
1 On a mesur u = 6,0 V lorsque
E = 16,0 V. En dduire la valeur de R2.
2 On rgle E la valeur E = 35,0 V. Calculer les intensits i1, i2 et iz des courants.
3 Pour quelle valeur minimale de E la
tension u atteint-elle 12,0 V ?
4 Tracer la caractristique de transfert
en tension u = f (E) du montage. On donne
^
e = 50,0 V.
5 Tracer les courbes i1 (E), i2 (E) et iz (E).
^ la diode
6 Quelle puissance maximale P
Zner doit-elle pouvoir dissiper ?

Pour E < 32 V, la diode Zner est bloR2


que et u =
E (diviseur de tenR1 + R2

600
E u = 0,375 E.
1 000 + 600
On en dduit la caractristique de transfert en tension du montage (fig. 17.25).

sion) ; u =

u (V)
12

5
10

E (V)

32

Figure 17.25

Solution
1 Lintensit i du courant a pour expres16 6
Eu
sion : i =
qui donne i =
A
3
1 10
R1
i = 0,01 A.
Comme la tension u est infrieure la
tension Zner, la diode est bloque :
6
u

iz = 0 ; i1 = i2 et R2 = , soit R2 =
0,01
i1
R2 = 600 .
2 Supposons que la diode Zner conduise. On a alors :
u = Uz = 12,0 V et iz > 0 ;
35 12
Eu
i1 =
A
, soit i1 =
3
10
R1
i1 = 23 mA ;
u
; i = 12 A i2 = 20 mA.
i2 =
R2 2
600
Comme i1 = i2 + iz , on en dduit iz = 3 mA.
Lhypothse de dpart est justifie.
3 La valeur minimale de E correspond
iz = 0 avec i2 = i1 = 20 mA.
La relation E = R 1 i 1 + u donne :
E = (103 20 103 + 12) V E = 32,0 V.
4 Pour E  32 V, la diode Zner conduit
et u = Uz = 12,0 V.

5 Pour E  32 V, la diode Zner conduit :


i2 = 20,0 mA ;
E U2
i1 =
, soit i1 = E 12 (V ; mA) ;
R1
iz = i1 i2 donne iz = E 32 (V ; mA).
Pour E < 32 V, la diode Zner est bloque :
iz = 0 ;
E
i1 = i2 =
, i1 = i2 = 0,625 E (V; mA).
R1 + R2
On en dduit les courbes i1(E), i2(E) et
iz (E) de la figure 17.26.
i (mA)
38

i1
i2

20
18

iz
32

50 E (V)

Figure 17.26

6 Lintensit maximale du courant qui traverse la diode est obtenue pour E = 50,0 V.
On a alors iz = z = (50 32) mA, soit
z = 18 mA.
^=U
On en dduit : P
z z ;
^
^ = 0,216 W.
3
P = (12 32 10 ) W P
225

fonctions de llectronique

Exercice avec rsultats


8. La tension Zner de la diode du montage de la figure 17.27, suppose parfaite,
est Uz 10,0 V.
Les caractristiques du transistor sont
les suivantes : VBE = 0,6 V pour iB > 0 ;
coefficient damplification en courant
= 100 ; Vcc = 16,0 V et R2 = 500 .
1 La rsistance R1 est rgle 200 :
quelle est la valeur de la tension u1 ?
en dduire les valeurs de VCE , IB et Iz .
^
2 La puissance maximale P T que peut
dissiper le transistor est 1,0 W. On rappelle que ^
P T VCE IC .
En dduire la valeur minimale R1min que
lon peut donner R1 .
3 La puissance maximale que peut dissiper la diode Dz est 0,4 W. Calculer la
valeur minimale R2min que lon peut donner R2 .

I2
VCC

IC

u2

R2

C
IB

B
I3

E
u1

R1

Dz

IE

Figure 17.27

Rsultats
1 u1 = 9,4 V ; VCE = 6,6 V ; IE = 47 mA ;
IB 0,465 mA ; I2 = 12 mA ; Iz 11,5 mA.
2 R1 min 62 .
3 R2 min = 145 .

Exercices rsoudre
9. Dans le montage de la figure 17.28, la

diode est suppose parfaite et R = 5,0 .


Calculer i1, i2 et u pour :
E = 20,0 V et I0 = 2,0 A ;
E = 20,0 V et I0 = 5,0 A ;
E = 15,0 V et I0 = 3,0 A.
R

i2

i1

I0
E

Figure 17.28

10. tude du rgulateur de tension transistor de la figure 17.29. La diode Zner


est suppose parfaite, sa tension Zner est
12,6 V et la valeur maximale de la puissance quelle peut dissiper est 1,3 W.
Le transistor est un transistor de puissance dont le coefficient damplification
en courant est 50. Quand le transistor
conduit : VBE = 0,6 V.
226

1 Calculer la tension de sortie us. Prciser les conditions de validit du calcul.


2 La rsistance RB est de 470 et la
charge est fixe la valeur RC = 30 .
Calculer les intensits is et iB.
Quelle est lintensit maximale z du
courant qui peut traverser la diode Zner ?
En dduire les valeurs limites de la tension u C pour quil y ait stabilisation.
3 Pour u e = 40,0 V, calculer :
lintensit ie ;
u s is
.
le rendement du montage : =
u e ie
Conclure.
ie

iR

is

iB

ue

iz

RB
Dz

Figure 17.29

us
RC