UNIVERSIT DU QUBEC
MEMOIRE PRSENT
L'COLE DE TECHNOLOGIE SUPRIEURE
PAR
EL KASSIR. Fawzia
IV
REMERCIEMENTS
Ce travail a t ralis dans le laboratoire de l'cole de technologie suprieure. Groupe de
Recherche en lectronique de Puissance et en Commande Industrielle GREPCI, Chaire de
recherche de Canada en Conversion de l'nergie et en lectronique de Puissance CRCCP. Mes remerciements vont tous ceux qui ont apport leur contribution cette
recherche, en particulier :
Le professeur Kamal AL HADDAD, mon directeur de recherche pour sa direction vigilante
du travail, son dynamisme, ses conseils bien aviss ainsi que son soutien moral et l'attention
bienveillante qu'il a manifest l'gard de ma recherche. Je lui exprime une trs haute
considration en esprant que mon travail, sera la hauteur de son esprit.
Monsieur Rachid Chaffa, qui j'exprime mes sincres remerciements et ma gratitude pour
son vif intrt, ses encouragements et son aide permanente pour surmonter les difficults
confrontes.
Monsieur Louis Duguay, les professeurs Hadi Kanaan et Rahmani salem pour leur aide et
leurs conseils. Je leur suis trs reconnaissante.
Le Prsident de jury Monsieur Ambrish CHANDRA et ses Membres le professeur Kamal AL
HADDAD, Monsieur Rachid CHAFFA et Monsieur Louis DUGUAY pour m'avoir doime
l'honneur d'tre Prsident et membres de jury.
Mes collgues de laboratoire, pour l'ambiance amicale qu'ils ont offerts : A. Avono-Zu, A.
Hamimi, N. Bel-Haje-Youssef, H. Abdel Hamid, W. Santana, . Treiublay. Et mes sincres
amis pour leur support : Y El-Merhebi, N. Jrad, G Nasseredine, J.Sfeir, C.El-Ali.
Les stagiaires de Laboratoire Franois Lessard, Mathieu Lafrance et Stphane Savaria, pour
leur travail technique.
16
16
16
18
21
29
29
29
34
37
37
37
37
38
38
38
38
39
40
40
41
42
43
43
44
45
45
Vlll
2.7
48
49
49
51
51
52
53
57
61
63
65
65
65
66
67
68
69
72
72
73
77
78
81
82
83
84
85
85
86
86
88
88
90
90
91
93
94
95
97
97
98
IX
4.8.1
4.8.2
4.9
4.10
tage de puissance
98
Circuits d'crtage aux primaires et aux secondaires
100
4.8.2.1 crtage au primaire
100
4.8.2.2 crtage aux secondaires
102
4.8.3
Circuits d'aide la commutation
104
4.8.4
Mesure de courant aux primaires et aux secondaires
106
4.8.5
Transformateurs de courant
107
4.8.6
Comiuande de pont en ufilisant l'UCC3895
108
4.8.7
Rgulateur de courant et de tension
110
4.8.7.1 La boucle de courant :
110
4.8.7.2 La boucle de tension :
112
4.8.8
Circuit de commande des gchettes des MOSFETs
113
4.8.9
Dtection de rseau et Protection contre les basses et les hautes tensions .. 114
4.8.9.1 Protection contre une haute tension de ligne
116
4.8.9.2 Protection contre une basse tension de ligne
116
4.8.10 Mesure de la tension d'entre de la charge active
117
4.8.11 Commande des IGBTs
118
4.8.12 Filtre des interfrences lectromagntiques
120
4.8.13 Circuit de commande des gchettes des IGBTs
121
4.8.14 Dtection de la tension d'alimentation
121
4.8.15 Logique de contrle et fonctiormement
123
Rseau lectrique sous Orcad_CAPTURE
124
4.9.1
Circuit d'tage de puissance
124
4.9.2
Schma lectrique de rUCC2818
128
4.9.3
UCC3895
129
4.9.4
Schma de circuit de commande des MOSFETs
131
4.9.5
Commande des IGBTs
134
4.9.6
Schma de circuit de commande des IGBTs
135
4.9.7
Schma de mesure de mesure de la tension d'entre
136
4.9.8
Schma de filtre des interfrences lectromagntiques
138
4.9.9
Dtection et mesure de la tension de rseau
139
4.9.10 Capteur de temprature
141
4.9.11 Mesure de la tension d'alimentation
141
4.9.12 Circuit de logique de fonctionnement
142
Conclusion
143
CONCLUSION
144
RECOMMANDATIONS
146
147
148
BIBLIOGRAPHIE
149
29
39
40
72
87
87
89
90
91
Figure 1.2
Convertisseur pont
Figure 1.3
Figure 1.4
Figure 1.5
Figure 1.6
Figure 1.7
10
Figure 1.8
11
Figure 1.9
11
Figure 1.10
13
Figure 2.1
17
Figure 2.2
17
Figure 2.3
19
Figure 2.4
20
Figure 2.5
Convertisseur abaisseur
21
Figure 2.6
Modle statique
24
Figure 2.7
25
Figure 2.8
27
Figure 2.9
28
30
30
31
XII
31
32
32
33
33
33
34
35
35
Figure 2.22
36
36
46
47
48
49
Figure 3.1
52
Figure 3.2
Convertisseur C.C.-C.C
53
Figure 3.3
Commutateur de courant
54
Figure 3.4
54
Figure 3.5
55
Figure 3.6
56
Figure 3.7
Figure 3.8
58
Figure 3.9
60
XIII
60
61
66
68
73
73
74
74
75
76
76
77
78
79
80
80
80
81
82
82
83
Figure 4.1
RB-IGBT
89
Figure 4.2
Convertisseur C C - C C pont
91
XIV
Figure 4.3
Figure 4.4
96
Figure 4,5
99
Figure 4.6
100
Figure 4.7
101
Figure 4.8
Figure 4.9
1
102
102
104
105
106
108
109
111
112
113
114
115
6
117
7
118
XV
119
119
120
121
122
123
125
126
127
128
129
130
131
132
132
133
133
134
134
135
136
137
137
138
XVI
138
139
140
140
Figure 4.55
140
Circuit de rfrence
141
141
142
C.A.-C.C.
C.C.-C.C.
IGBT
MLl/PWM
MOSFET
SPS
SIMPOWERSYSTEM
ZVS
ZCS
IEEE
AWG
RB-IGBT
EMl
interfrences lectromagntiques
PCB
cfm
CDI
C/n
Coss
d
d
di
D
DGi
D,
^max
i-^min
Dr
Eaout
ENJcc
EN_Vol
Enable_MOS
EnableJGBT
F
FF
FFp
FFs
gi
gv
Gi
Gid
Variation de courant /
Valeur statique du rapport cyclique
Diode en srie avec les IGBTs dans le commutateur de courant
Diode de redressement
Rapport cyclique maximal
Rapport cyclique minimal
Diode de roue libre
Erreur de courant
Signal logique indiquant la bonne valeur de la tension d'alimentation
Signal logique indiquant la borme valeur de la tension d'entre
Signal d'activation des MOSFETs
Signal d'activation des IGBTs
Frquence de commutation
Farads
Facteur de remplissage des enroulements
Facteur de remplissage des enroulements primaires
Facteur de remplissage des enroulements secondaires
Fonction de transfert en mode de courant crte du courant de sortie
Fonction de transfert en mode de courant crte de la tension d'entre
Les IGBTs dans le commutateur de courant
Fonction de transfert en mode moyen de courant de sortie
XIX
Gsi
Gvd
H
H(s)
Hm
Hz
/
icin
id
il
ifav
ifi-ms
/
ig
irm
lac
le
Icoss
Il
Ia.x
Imin
Ioui
Io
Ip
/ ,
k
k
Constante de Coss
Facteur d'utilisation
Kc
Ki
Kv
KV
KW
4
L
Lfpi
Ifii
Lm
Ls
mi
m
Constante de multiplication.
Gain de rgulateur de courant
Gain de rgulateur de tension
Kilovolts
Kilowatts
Longueur moyen du chemin magntique
Inductance de filtre de sortie de convertisseur
Inductance de fuite au primaire de transformateur
Inductance de ftiite au secondaire de transformateur
Inductance de magntisation du transformateur
Inductance ajout en srie avec l'inductance de fuite de transformateur
Pente de mont de courant
Petit signal de la pente de mont de courant
nie
mV
M
Mit
Pente de compensation
Milli Volts
Pente de mont de courant
Longueur moyen d'un enroulement
XX
nC
njtrans
N
Np
N,
Pbloc
Pc
Pcom
Pcomm
Pcoss
pC
Pelab
Po
Qrr
rad/s
rc
rds
Rc
Rcc
i^cin
Rcu
Roi
RE
Ro
Rp
Rs
liseuse
RL
RT
RV
s
SQ
S Ai
Si
tb
tf
tr
T
Ici
J^ don
Tfr
Ti
TJiighj)
Nano coulomb
Rapport de transformation
Nombre de tours dans une inductance
Nombre de tours des enroulements primaires de transformateur
Nombre de tours des em-oulements secondaires de transformateur
Pertes pendant le blocage du semi-conducteur
Pertes de conduction
Perte de commande
Perte de commutation
Perte de Coss
Pico coulomb
Pertes pendant l'tablissement du semi-conducteur
Puissance nominale transformer
Intermpteur de puissance
Charge totale de la grille
Charge ncessaire pour la mise de conduction d'un MOSFET
Radient par seconde
Rsistance dynamique de la diode. Rsistance de l'IGBT en conduction
Rsistance dynamique du MOSFET en conduction
Rsistance de fuite de condensateur de sortie
Rsistance dans le circuit d'amorage
Rsistance de fuite de C,
Rsistance des enroulements de l'inductance
Rsistance de circuit d'amorage
Rsistance quivalente
Rsistance de sortie reprsentant la charge
Rsistance totale des enroulements primaires
Rsistance totale des enroulements secondaires
rsistance de mesure
Rsistance de fuite de L
Rsistance totale
Varistances
Fonction de Laplace.
tat de l'interrupteur Q
Surge arrester
Interrupteur dans un pont / = 1,...4
Temps de blocage
Temps de descente
Temps de monte
Tesla
Transformateur de courant
Temps de mise en conduction
Temps de stabilisation
Transformateur de puissance
Signal logique indiquant l'augmentation de la temprature des lments
XXI
T_high_s
vc
Vo
Tension de sortie
Petit signal de la tension de sortie
^o
ce
Vcin
Vu
Vds
' vaoil
Vc
Vcc+
Vcc''^ Coss
Ve
Vf
VFf
VFF
VGS
Vin
V
in_m\n
/nrnax
Vo
Vppi
Vpp2
Vsi
Vr
Vref
V,
Wamor
Wbloc
Wp
Wx
Wz
W
Wa
XXII
W^ ^^
W^ ^^^
W^ ^^^
-Y
V
.
X
Xp
Xs
y
y
Y
C
AB^
3F
V
p
P
tat du systme
Petit signal de x
Valeur statique de .Y
Nombres des fils constittiant un tour des enroulements primaires
Nombres des fils constituant un tour des enroulements secondaires
tat du systme
Petit signal de y
Valeur statique de j^
Degr Celsius
Variation maximal du champ magntique
Variation de la tension de sortie par cent
Efficacit
Permabilit magntique
Rsistivit de cuivre
INTRODUCTION
Mentionnons que la conversion d'nergie lectrique est un thme trs important et constitue
mme la raison d'exister de l'lectronique de puissance. ce sens, prs de 60 % de l'nergie
lectrique est converti d'une forme autre dpendamment du besoin des diverses
applications comme les camscopes, les ordinateurs et les chargeurs d'accumulateurs
intelligents, etc.) (Hess, 1999).
Il est important de noter que parmi l'ensemble des topologies existantes, le convertisseur
C.C.-C.C. pont commutant tension nulle est le plus utilis. Cependant, ce dernier, n'est
pas ddi pour fonctioimer dans la gamme de tension de 600 V 1200 V cause de
l'indisponibilit des composants, leur haut prix et surtout leur efficacit. C'est pourquoi, le
convertisseur C C - C C ,
convertisseurs pont double fonctiormant en commutation douce en srie constitus par des
composants valables basse tension et moins chers.
Deux aspects seront donc, traits dans ce mmoire. D'abord la commutation douce dans les
convertisseurs pont double. Par la suite, la conception de la charge active sera aborde.
ce propos, le premier chapitre prsente une introduction sur les diffrentes topologies des
convertisseurs abaisseurs et les techniques proposes pour minimiser les pertes de
commutation. En outre, une prsentation des diffrents types de commande et des techniques
de commutation utilises dans les convertisseurs pont double sera couverte.
Par la suite, au troisime chapitre, nous expliquons l'ide d'une charge active. galement,
nous dduisons le modle mathmatique et prsentons les rsultats de simulations afin de
valider le modle.
CHAPITRE 1
GENERALITES SU R LE S CONVERTISSEUR S
COMMUTATION DOUC E
1.1
Introduction
Rseau
Convertisseur
lvateur
Convertisseur
abaisseur
Charge
Ce qui impose l'utilisation des convertisseurs C.C.-C.C. pont (full bridge converter). Ces
derniers sont les plus rpandus (Figure 1.2). Ils prsentent des nombreux avantages comme
l'optimisation des circuits magntiques vu que la frquence de commutation est fixe d'un
part. D'autre part, il permet d'utiliser la modulation par largeur l'impulsion (MLl) puise
width modulaion PWM qui a l'aptitude de bien grer le courant de sortie de convertisseur.
Cette topologie des convertisseurs assurent une grande efficacit, un rendement assez lev
et une grande fiabilit.
La Commutation douce
La ralisation de la commutation tension nulle n'est pas limite par l'ajout d'une
inductance en srie avec les enroulements primaires de transformateur. Diverses techniques
sont utilises pour assurer la commutation douce. titre d'exemple, citons la nouvelle
topologie d'un convertisseur C.C.-C.C. pont propos par (Morimoto, Doi et al. 2005). Dans
cette topologie, un condensateur et un semi-conducteur sont branchs respectivement en
parallle et en srie avec la tension d'entre (Figure 1.4).
Prcisons que cette topologie assure la commutation en zro de tension en dsamorant Ss
la fin de chaque demi priode de commutation pendant une dure suffisante pour la dcharge
du condensateur C zro. Une fois la tension aux homes de condensateur C nulle, tout en
dbranchant la tension d'entre l'aide de S5, on dsamorce les deux intermpteurs de pont
dj en conduction. Ce qui assiu"e une commutation tension nulle. Les diodes antiparallles
()/, D4) aux interrapteurs dsamorcs (Si, Sf) se mettent en fonction permettant la charge de
condensateur C Vi. cet instant, on peut amorcer les interrupteurs complmentaires ainsi
que S5,
Di D}
'V r
'V) s ^
^t;
l'ir
iSi''-
^3
-rvYvv
2\ o,
II-,
JS^J JA^''Figure 1.5 Topologie assurant la commutation douce par l'inductance de sortie.
(Kutkut, Divan et al. 1995)
En somme, les techniques de la commutation douce expliques prcdemment ne prsentent
qu'un bref aperu des nombreuses techniques utilises et traites dans la littrature. En effet
l'ajout d'une inductance en srie avec le transformateur est la plus simple vu la complexit
des autres parce que l'ajout d'un cinquime interrupteur ncessite un circuit de commande et
un circuit d'amorage supplmentaires et la minimisation des inductances de fuite complique
le dimensionnement de transformateur.
1.4
Le convertisseur C.C.-C.C. pont commutant tension nulle est le plus utilis. Mais malgr
tous ses avantages et ses caractristiques, il prsente assez d'inconvnients, comme par
exemple, le manque de la protection vu sa grande sensibilit. Ce qui requiert la prsence des
circuits de protection et de contrle externes trs rapide afin de prdire tout fonctionnement
anormale.
O,
n Di
Lp,
Lo
Np
Vp,
:i
l^s Ls
2V,
Q4
<
=.'n
Co.
O7
Ds
LP2
<
Np
-il il
Dali
O,.
il D3
Lpi
Ns
^ir^-ii
z^
Lp2
Lo
Np
^<^^
Ls
il "
Vo
Co^
Vs eu
Np
Vn-
i l 71
Ds\l
10
une inductance monte en srie avec l'inductance de fuite des enroulements secondaires du
transformateur assure la commutation tension nulle (Figure 1.7).
: D3
Lo
Np
^APJ
V,n
Vp,^,
Q4
^^-.
! '^"'
1 \A
-*-
Ls
T\ ^t ; :
V, 'U
Vo
I Co
^Ro
Q? K ^
Ds
--^ l _
Ns
_Lpj
IK
Np
VP2'^
Os:
'
Une autre topologie est propose par (Kutkut 1999) assure la commutation douce en couplant
les deux ponts par des inductances mutuelles. Ces dernires rsonnent avec les condensateurs
en parallle avec les MOSFETs pour les charger et dcharger (Figure 1.8). Notons que
l'utilisation d'une seule inductance mutuelle peut encore assurer la coinmutation douce. La
figure (1.9) illustre cette topologie prsente par (Torrico-Bascope and Barbi 2001). Enfin
une amlioration des performances des convertisseurs pont double est propose par (Jun
Shan, Ma et al. 2004) en utilisant les diodes temps de recouvrement nul (diode Schottky).
11
2V,
12
1.5 Modlisatio
Comme dj cit, l'utilisation des convertisseurs C.C.-C.C. est en plein essor. Mais malgr
leur performance et leur efficacit, leur commande est assez dlicate.
Dans la ralit, deux techniques de commandes sont utilises : la technique des bascules
hystrsis et la technique de la modulation en largeur d'impulsion MLl. La premire se
carcatrise par sa simplicit et par une frquence de commutation variable dpendant des
paramtres de convertisseur. Alors que la commande MLl se carcatrise par une frquence de
commutation fixe et une grande perfonnance, ce qui la rend prfrable (Kanaan 2002).
Signalons que la conception d'un circuit de contrle bas sur la technique de MLl ncessite
la connaissance du modle mathmatique prcis du convertisseur. cet effet, des modles
ont t conus pour des diffrentes topologies des convertisseurs et dpendamment des types
de commande.
MIDDLEBROOK et CUK (1976) ont montr qu'il est possible de modliser n'importe quel
convertisseur lvateur ou abaisseur. Ils ont ralis la modlisation complte d'un
convertisseur abaisseur, pour la comiuande en mode moyen de tension, en mode moyen et
crte de courant.
Rappelons que les deux types de commande des convertisseurs les plus utiliss sont la
commande en mode moyen de tension et la commande en mode de courant. La commande en
mode moyen de tension est simple et assure une grande immunit contre le bruit mais elle
ncessite des circuits de compensation assez complexes (Chang 2004). cause de cela, la
commande en mode de courant est la mthode prfre par rapport la commande en mode
de tension.
Prcisons que deux types de commande en mode de courant sont utiliss ; la commande en
mode moyen et la commande en mode crte. La commande en mode crte de courant est la
13
mthode la plus populaire parce que ses caractristiques intrinsques lui confrent plusieurs
avantages. Entre autre, la limitation de la valeur crte de courant chaque cycle. De plus le
rejet de la perturbation de la tension d'entre.
La commande en mode crte de courant permet de contrler plusieurs convertisseurs en
parallles. En plus, le modle mathmatique base sur la commande en mode crte gnre
des fonctions des fonctions de transfert type 2'^"'"'" ordre (Suntio 2001).
1.6
Rseau lectrique
-\p.
Moteur asynchrone
rotor bobin
L:
AC /
/ ^ DC
Redresseur
Transformateur
Triphas
DC
AC
Onduleur
14
La figure prcdente (Figure 1.10) montre les trois enroulements du rotor connects un
convertisseur C.A.-C.C. qui alimente un onduleur triphas gnrant un courant triphas,
synchronis la frquence de rseau. La sortie de l'onduleur est connecte au rseau de
distribution travers un transformateur triphas.
1.7 Objectif
s de mmoire
Les convertisseurs C.C.-C.C. pont sont les plus rpandus. Mais, ils ne couvrent pas tous les
marges de la tension d'entre comme la gamme entre 600 V et 1200V. De plus, ils requirent
la prsence des circuits de protection et de contrle externes trs rapide. 11 est donc,
indispensable de les remplacer, dans des cas pareils, par des convertisseurs pont double
devant commuter tension nulle.
N'oublions pas qu'une diminution de la consommation de l'nergie lectrique va rduire le
prix de cette dernire et porte un effet positif sur l'environnement. Cette rduction de
consommation est ralise en remplaant une rsistance thermique, par un circuit non
dissipatif, comportant comme une charge active, en rinjectant l'nergie lectrique dans le
rseau charge active .
Deux objectifs seront donc cibls dans ce mmoire. Le premier est la recherche d'une
nouvelle technique de la commutation douce dans les convertisseurs pont double. Alors que
le deuxime est de concevoir une charge active et la modliser.
Nous allons expliquer le circuit d'une nouvelle topologie des convertisseurs pont double et
le circuit de la charge active. Ensuite, nous dtaillerons les modes de fonctionnement de
chacune. Nous chercherons le modle du convertisseur pont double et de la charge active
pour concevoir les rgulateurs ncessaires pour leur commande. galement, nous allons les
simuler sous deux logiciels (MATLABSIMPOWERSYSTEM) et (0RCAD_PSP1CE) pour
valider les modles conus. Enfin, nous prsenterons la procdure complte de
15
CHAPITRE 2
CONVERTISSEUR PONT DOUBLE
2.1 Introductio
n du circuit
Le convertisseur propos est un convertisseur C.C.-C.C. form de deux ponts en srie relis
entre eux par des condensateurs qui assurent la commutation douce. Chaque pont est form
de deux diodes et deux intermpteurs de puissance. La transfomiation de l'nergie peut tre
ralise par deux mthodes. La premire consiste utiliser un transformateur possdant deux
enroulements primaires et un secondaire (Figure 2.1). Alors que la deuxime utilise deux
transformateurs simples comportant chacun un primaire et un secondaire (Figure 2.2).
17
c,
2\
D,
l\Os. l\Ds,
= = ^ O . 5j^;
l\D,
J; ;
Si,J
-Cr\'
L.,
Ip2
l\Ds, l\Ds,
llD.
Figure 2,1 Converiisseur pont double avec un transformateur ayant deux primaires.
l\''
^
lp'
c,, - L 2^"
',-1
0s,
' f^ ^
'^
l_\Dj
c >( .
Cj
'^
/pi>
5]
S4 .( -
C,
^ Aa
18
2.3 Princip
e de fonctionnement :
Pendant le Mode 2, Si est bloqu, le condensateur Ci rsonnant avec Lpi, se charge F,. C4
se dcharge 0 travers Cpi qui joue le rle d'une passerelle entre Ci et C4. On choisit Lpi et
Cpi afin d'assurer une frquence d'oscillation assez leve (demi priode d'oscillation gale
au temps mort entre les signaux de commande). La tension aux homes de C7 est nulle, on
peut amorcer S4 tension nulle. S3 et D2 conduisent assurant une tension nulle aux bornes de
transformateur (Vpi= 0), La tension aux homes de L est gale l'inverse de la tension de
sortie, son courant dcrot selon (2.2):
' o = ^ ^ + W (2.2
Lors du Mode 3, quand S2 est bloqu. Le condensateur Cj rsonnant avec Lp2, se charge F,.
Ci se dcharge 0 travers Cp2. S4 peut tre amorc tension nulle. Ce mode se termine
19
quand S3 et S4 se mettent conduire permettant la tension Vp2 aux bornes des enroulements
primaires du transformateur T2 de diminuer -V,,,, Ds2 commence conduire impliquant la
charge de L.
Mode 1
-^1
'pt vJr
=!= '-fi^ - *
Z\"J
L
2\a.
S, ,1 =i= c-,
c-=L
"T^--
^H3;
Mode 2
,r-
-^f-
v.^;
^_r^o.,
^_^
+3 ^
jj- *
LJ
~|-
Mode 3
'1^
l\'
Ss
7r.^.
' v l
1^"
q^ Sv 4 ^ =
-^1-
^\,Ov
20
Mode 1 Mode
Vin'n Trans
-Vin'n Trans
21
2.4
Modlisation e t contrl e
Le modle de convertisseur pont double ne diffre pas de celui d'un convertisseur abaisseur
form d'un interrupteur Q, une diode roue libre A- et un filtre (L, C). La charge considre
rsistive est prsente par Ro (Kanaan, 2002).
La mthode des tats moyens est la mthode utilise pour la modlisation de convertisseur.
Le courant de l'inductance et la tension aux bornes de condensateurs forment les deux tats
de systme. Les deux quations d'tats, varient en fonction de l'tat de l'intermpteur Q
comme suit :
1. Intermpteur ferm :
-A/W-
! Vo
RL
v0
Ro
Vc
dt L
R^-^Rc
'L
1 R,
LR,+R^
dv _ 1 RQ
dt C
R^-hR^. ' C
R^-\-R^^
(2.3)
^
(2.4)
22
R,, RnR
Vo= ^Vc+
^0 + R. R
Rr.
'
(2.5)
'L
+ Rc
2. Intermpteur ouvert
RL
t Vo
R^
Ro
=^C
Va
di_
R . . ^ ^
R^^+Rc
dt
dv. _ 1
dt C
/?Q
' LR,.-\-R,
0'
/, - -
R^ + R^ ' C
v =
" R^
Rr.
h-
' \
(2.6)
(2.7)
R, + R^ '^
Rr.
RoRc
+ R^ ^ Ro + Rc '-
(2.8)
Une fois les quations d'tat du systme sont labores, la moyenne pondre de ces
quations pendant les deux cas de l'intermpteur est calcule partir des couples des
quations [(2.3), (2.6)], [(2.4), (2.7)] et [(2.5),(2.8)] :
df
dt
(.
RoRc
V ^ v '- R^ + Rc
LL
R.+
'L
R,R.
RL +
R^-i-Rc
1 R,
LR, + R^
i, -
' LR,
{\-d) +
',
Ru
+ R.. ' J
(2.9)
23
dt
1
1
R.
i, -C R^-i-R^ ' C R,+R^ c J
{i-d)
1
1
R.
h C R^^R^ ' C R^+R^. ^
^ .v.+-A^ /
R,+R^ '
R,
(2.10)
f R0 RQRC
R,
'
R,
+ Rc
{l-d)(2.n)
En remplaant les deux variables d'tats ii et iv par les deux variables .Y et.y respectivement,
et en considrant :
Rj
RE =
R.R.
R^ + Rc
(2.12)
RQ
(2.13)
R, + R.
x = ^{-R^x-R,y) +
y-
R,xC V Ro
v,={R,y +
jVJ
(2.14)
-y
+ Rc J
(2.15)
R,x)
(2.16)
Vu que chaque signal est constitu d'une valeur statique et des petites variations. On arrive
deux modles : Modle staUque et modle dynamique en petit signal.
24
x= X+ X
y= Y+y
d= D+d
(2.17)
x = X+ x
y= Y+y
= X + i = U-Rr{X +
(2.18)
(2.19)
^C
v,=v,^V,=R,y^R,k^R,Y^R,X
(2.20)
1. Modle statique :
X = i ( - ^ , X - 7 ? , y ) + -^FD
_i_
r =c-
R,X-
Y
R, + Rc J
^,^.
1
R^ + R,
A
=0
ro = i ? , r + i ? , ^
(2.21)
(2.22)
25
l R^^Rf
VQ
-T'rnn. \,
= R,,y + RjX
(2.23)
(2.24)
(2.25)
AA
^^ R
Dv.,
v,D)
1 ^4
> dV
/ ,=
- mdT -
m.dT
(2.26)
Rsense ^
En posant que IL est form d'une partie statique f et une dynamique /'^ on arrive
V+v^
y -rv I
i^+f=^-^-,n\D +
se lise
"
d)T-
(M|+A,)(D + y)r
(2.27)
26
M,DT
V
1,=^ mDT-
(2.28)
L^
i,=
R...
- - mdT -
[^M,d + Dm,y
(2.29)
- M,dT
R^
mdT
[Dm^
v^
R,
r
M,
dT m^ -H -
{Dm,)T
{Dm^)T
R T\m
.,.. I
M,
+'-^^\ 1T\
c
m +
M,
1 ^ 2
T\ m +
M,
(2.30)
Isolons maintenant w, qui reprsente la pente de monte de courant dans l'inductance L dans
un montage abaisseur pendant la fermeture de l'intermpteur Q. En rcrivant l'quation (2.3)
pour les petits signaux, nous arrivons :
dt '
M^+th^ =
d(l+f)
'-'
V +v
TV 1
=
-
dt
devient :
V. + V
dt
di
En remplaant d
1/
AW ,=
Viii-h^L-^,,.
(2.31)
27
V. R
R.X-
VV M'
W +S M'
P
_ +S
.
(2.32)
avec
{R, + R,)xC
u' = 2;r/^ =
1
R.xC
^5:
^"
T'
tiorloge
comparateur^
-4T ,/"<
Vc
Gnrateur
d'impulsion fALI
H(s)
.'T
28
H (5) =
a{s) w
^=
b[s) s
w^+s
i- X
w.+s
(2.33)
w ,R
p\ S
w -, = ^
" ^
Ce choix assure une frquence de coupure trs faible par rapport u.-. La figure suivante
montre le trac de Bode du systme en Boucle ferme.
201
Bode Dagram
10
0
5 -1 0
0.
a
i -2 0
1* -3 0
-40
-50
-60
90
.1
: 1
"
I:
!M
!!
1
' " M"
ra
(D
c,
(a
> 0
-45
11
10'
11
10'
0 ' 10
' 1(1
. .
.1
* 10
' 10'
10" K
Frequency (rad/sec )
''
29
2.5
Simulation
Tableau 2.1
Cahier de charge du systme
Paramtres
Ro
L
C
Vu,
Vou,
lin
iuul
VV;
Wp
Wx
Valeurs
3.6 n
72 MH
lOn
800-900 V
60 V
2.78 A
16.67 A
2.7x10^ rad/s
lxlO' rad/s
2.9x10^ rad/s
Au dbut, nous avons simul le systme en boucle ouverte (Figure 2.10), avant de le simuler
en boucle ferme. Le rgulateur calcul prcdemment pour les valeurs de cahier de charge
30
(Figure 2.13) est implant sous MATLAB. Les rsultats sans le contrleur montrent la
grande efficacit de convertisseur (Figure 2.11 et Figure 2.12), alors que les rsultats en
boucle femie montrent la prcision de contrleur (Figure 2.14 et Figure 2.15). La figure
2.16 illustre les formes d'ondes dans les MOSFETs iS"; et 5:.
L
-r'^'YYV-
C, j:^Di
'-^
'O
l_\Ds, i\Ds,
'pi
C,X l\D.^
C,
^1
'^
C , ^ T'
l\D3
'^\
X:
'p2
^.
l\Dsj l\Ds.
l\D,
-10
_J L
0.(XI1 0.002
_] I
0 01
31
O.COI 0.002
0 01
CD
X2D
)4>-^
KD
*<D
nrd1eu( d'impulsio n
32
0.01 0
02 0.0
3 0.0
4 0.0
5 0.0
0 01 0.0
03 0.0
20
0.C6
33
500 r
II
WO
400
400 360 -
360
. 30
300 -
250 -
250
200 -
200
150 -
150
100 -
100
50 -
60
0 -
100'ooufant
tensio n
p1
460
9 955 9.9 6 9
.J
0.005 0.025
T(s)
0 02 5
0 00 5
10' ^
0 025
34
T
1D
lOmH
SL
K_Unear
2 5m
2
^
) 70u
M2 | _
1 /-\/-\j~,/-\ 2
3M I
l../-\~\~v-\..2_
:C 4
lOOn i
COUPLING ' 1
^V2
M3 j
1
SL
J zrou
2[gK 2
7
Di
1 L w
COUPLING -
35
1 !
i !
;
j
; ; MA \
': \ \ Y
i i
1
i
/ ' "
! ! M
i i...._L,..t ,
. Sms 1
. Oma 1
. Ums 2
. 5ms 2
. 5ms 3
^^...*-. B^T^.-..i,y..4.*..
il
1<
i i 1
; iI
;1 i
1 !
! i
i ! i
; 1 1 1
:i 1
: M; :
i !
0s 0
! !
H " "
i j
'
._..U-.i.-..i L ,
i i
i1
i i
' ; ''
\i
j j l i .
11
. Dms 3
. 5ms 4
! !
1i i
^ 1
. 3ms 4
M,
-4+^-lii
i
"TTTT"
'Tr-T1
.i l _ u
-Jrr
' I l
T T-r
^
1.9 4 0ms 1.
9 4 5ma 1.95Orn
V ( V 5: + .V5 -)'2 0 . VIMl s,V5:- l
a 1.95S
-i! I
1.9 6Sms l
i i
i :
zv
i i
; 1
Time
V.
i1
0 V(R1:2 1
ds
.97 0ms 1
. 97Sm
jms 5.Om
36
!
1
!i
\\
11
ii
i1
i
i
1!
....4 4. . .
i
_.4..-. - j - i
1!
1
!i
1
1i
.. L.. .
ISA-
ii
i >
i
lOA-
. / :
TJ]
\
!
T' '
/
0.5ms
Li
j
i
iI
i
i
i
i
1,5ms
2.0ms
2 . Sme
'
1.0ms
; ;
\
......|
1
('
0s
i I ( L l )
!i
\ 7i
5A-
i
i
3 . Oma
1i
..._..... J....
!
3.5ms
4 . Ome
i1
1 1
4.5ms
-[--p-
5.0ms
37
2.6 Dimensionnemen
Une
fois
t d e convertisseur
les simulations
de convertisseur
pont
double
ralises
sous
Le
s pendant la conduction
Pc = 'Jfrn.s
2.6.1.2 Perte
(2.34)
s de commutation
r2
PCO,I,.=-^JAL+'J) fr+-fjon
' 3
>
f
Qrr^jJ (2-35
38
2.6.1.3 Perte
s de commande
P.o,=Q/J
2.6.L4 Perte
Pin.
=
2.6.L5 Perte
(2.36)
f x K d X i f r + r , ) ^
f (2.37
P,.=^CxF,>/
(2.38)
Le tableau suivant (Tableau 2.2) montre les valeurs de paramtres utiliss pour le calcul des
pertes dans les MOSFETs.
2.6.2 Choi x des diodes
Vu que les deux ponts de convertisseur, contiennent des diodes; et que le redresseur au
secondaire est base des diodes, nous devons donc des diodes ayant les spcifications
suivantes:
1. Diode pour le pont : la tension d'entre est de 450 V, et le courant en direct est de 3A,
nous avons choisi la diode DSEl 60 de la famille Ixys.
2. Diodes pour le redresseur : la tension aux bornes de la diode est deux fois suprieure
la tension aux bornes du transformateur vu qu'on utilise le redressement point
milieu.
39
Tableau 2.2
Valeur des paramtres de calcul des pertes
des MOSFETs dans le convertisseur pont double
Valeur
130 pF
50 KHz
1.11 A
3A
3A
3.8xlO"'C
2x10"* C
0.27 Q
22 ns
20 ns
15 ns
15 V
400 V
1.5 V
0.33 W
2.48 W
0.0285 W
0.0058 W
0.65 W
3.55 W
14.04 W
Paramtre
C
F
ifrms
'rni
ij
Q,
Qrr
rjs
^don
tr
tf
Vos
Vds
VJ
Pc
Pcomm
Pcom
Pliiv
Pcoss
Pnios
Pmos rot
Nous avons calcul les pertes dans les diodes de redresseur. En effet, les diodes prsentent
plusieurs types de pertes comme montre les quations suivantes :
2.6.2.1 Perte
s pendant la conduction
Pc=^/>M+fJ
Jrnis
(2.39)
40
2.6.2.2 Perte
s de commutation
icomm reiab
Pconin,
rbloc
= ^ ( ^ F / + V/ ) ' / / . , /
(2.40)
+ QrrVrf
Le tableau suivant (Tableau 2.3) montre les valeurs des paramtres utiliss et les valeurs
calcules des diffrentes pertes dans les diodes.
Tableau 2.3
Valeurs des paramtres de calcul des pertes
des diodes dans le convertisseur pont double
paramtre
^frms
huv
'f
Qrr
/\tfr
Vf
VFf
vr
Pc
Pcom
Pdio
Valeur
11.78 A
8.33 A
16.67 A
100 nC
5mQ
25 ns
0.75 V
1.2 V
75 V
6.94 W
0.38 mW
7.32 W
41
x d e noya u ferriqu e
Le critre de choix de noyau magntique est donn par l'quation (2.41) (Chaffa and AlHaddad)
^.i^x(l + D
^ '^'
.,
)
max /
ax/rx(/rxJ5, x / x F _ _ ) "
(2.41)
avec
^ = iooi=^
1 + 77
On choisit Le noyau ferrique qui prsente une App strictement suprieure celle
demande. App du noyau choisi est calcul l'aide de l'quation (2.42) :
APP.. = - ^ ^ 1 ^
Mit
(2.42)
Le noyau magntique rEER49-Z de la famille TDK form de matriau PC 40/44 assure cette
condition ^ppo,,a =101 cm^ > App^^.^ = 0.S9cm\
suivantes :
42
A^.=2.3\cnr
f=9.\.3 cm
F =21.1cA??'
^,=6250^
'
TV'
M? = 8.84 cm
Une fois le noyau est choisi, le choix de fils des enroulements primaires et secondaires sera
ralis en respectant la surface disponible et en laissant une marge de 20% pour l'isolement.
K = .4 ;
(2.43)
K^p.i= Wa*k^
W
=
a_sec ^_^ff
2.6.3.2 Enroulement
w -W
"_pfim '
s primaire s
Le calcul de nombre de tours ncessaire pour les enroulements primaires est accompli
l'aide de l'quation (2.44). Alors que le calcul du nombre de fils mis en parallle et la
rsistance au primaire est fait selon les deux quations (2.45) et (2.46).
N p= max
{\ + dV)xV,+\A5Vj
KxA xAB
c ^^m
xf
V
m
j4^
R^
Mit xN pXp
xD
mm
(2.44)
nr
(2.45)
(2.46)
Les enroulements primaires sont constitus de 61 tours. Et le nombre de fils utilis pour
chaque tour est 5 fils de type AWG 28.
43
2.6.3.3 Enroulement
s secondaire s
Le nombre de tours pour les enroulements secondaires est calcul selon l'quation (2.47). Le
nombre des fils mis en parallle et la rsistance secondaire sont calculs selon les deux
quations (2.48) et (2.49). Les enroulements secondaires sont forms de 11 tours. 19 fils
AWG 28 mis en parallle forment chaque tour.
A^ =^ _ L J U_
' 'V
xD
m_mm ma
Xs =
(2.47
x
-^
(2.48)
R = Mll^lJ^L^
X^
2.6.3.4 Calcu
(2.49)
l des pertes
Deux types de pertes sont prsents dans un transformateur : les pertes de cuivre (2.50) et les
pertes dans le noyau ferrique (2.50) . Ils ont une valeur totale de 3.74 W.
P
eu
-P
^xR
=^p.
rms p
--h_rJ^Rs
p. = P + P
Peu _s
eu _p
p.
(2.50)
eu _ s
xVe
(2.51)
^0
." cup ^
'
eu s
"^
' fe^ ^0
(2.52)
44
2.6.3.5 Calcu
Pour valider le choix de noyau magntique, nous calculons le champ magntique selon
l'quation (2.53). Sa valeur de 0.16 T montre que le noyau magntique ne sature pas
(Bm=0.5 T selon les caractristiques de matriau).
D Kn^^nu.
(2 53)
(2.54)
FF._FF,+FF,
=W
L'chauffement est un facteur trs important. Une grande valeur d'augmentation de
temprature diminue l'isolation entre le primaire et le secondaire. La valeur (40C) calcule
selon l'quation (2.55) montre un chauffement qui n'affecte pas l'isolation.
At =
(Pfe+Pi._Pr..+P._S..od)'n^
Surface
(2.55)
45
(2.57)
La valeur de l'inductance est calcule pour que l'ondulation de courant ne dpasse pas 10%)
de sa valeur nominale pendant la charge et la dcharge de l'inductance.
L^=
dt
L = Vx'-L
di
Donc, pour un courant de 16.67 A de sortie, la variation de courant di doit tre infrieure
1.667A. Ce qui implique une inductance de 12 p H.
2.6.4.1
L'inductance calcule est constitue d'un noyau MPP 55191. Ce noyau est choisi en fonction
de Lil^^ = 200 mHxA^
46
1I
M I IT
-55191
-55111
55716
55440
60M
E
o
0)
125p^
160M
55378"
300|j ^ y ^
SI
a
>
-55285
5527555265
-55025
V)
di
O
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
LP, mH-amperes ^
10
100
1000
N=
Lxfx\(f
Q.AxnxpxA^
(2.58)
Pour le nombre de tours trouv, nous calculons la valeur effective de L selon l'quation
(2.59) :
I., =
O.^XTtxpxA^xN'
/ xlO'
(2.59)
On trouve la valeur Z,, de 71.12 //H. Nous cherchons maintenant calculer la valeur
effective de l'inductance en calculant la force magntique //, selon l'quation :
47
//...=
O.AxTtxpxi^
(2.60)
La figure 2.25 permet de trouver la valeur de la permabilit effective en fonction d'//, Pour
la nouvelle permabilit, on calcule la valeur d'inductance.
O.AxnxA^.xN'^xpxpVo
lx\(f
(2.61)
La valeur d'//, est de 182 A/m ce qui montre que la valeur de la permabilit est de 62% de
sa valeur initiale. Donc la valeur de /. trouve est de 62 pH.
Afin de chercher la variation de champ magntique, on calcule //j, selon l'quation (2.62) et
on trouve la valeur de champ magntique Bd, partir de la figure 2.26.
H =
1.0
abi lit
>>
0./
"r
0.5
0.4
0.3
C
13
w
(S)
Q.
0.2
4.J
^ ^Tx^
"--^ N
:^
U.1
*?r
0.0
^*%,
\
\
11
; - ^
S
w
M
>L.
(2.62)
Te
\\
0.6
Inl
4-*
^'^^~:
0.8
o
F
^
Q.
u.y
0.4x;rxNxdix0.5
\ ^
\ \ \\
vN. ^
\ \
_^:. ^ : : ^
0 10
\^ S
1000
48
tf)
(/)
3
ra
7
R
;^
O)
X-?^
tf)
c
a
Q
X
3
^y<(p^
fA
''y
A/
'5
^/
,/^^
^ n
11
0 10
1000
l de s perte s
Les pertes dans le noyau sont calcules selon rquation(2.63). Les pertes dans le cuivre sont
calcules selon l'quation (2.64) :
(.11 nm
avec
/?
Mit xNxp
1 ^XR
eu
vlOOOy
(2.63)
(2.64)
49
0000 -
- ^^,^
1000
E
u
100
'* >
^jji.'''
10
tf)
tf)
.<'
_J
V^J^
L^^
d)
o
H
o
0.1
'a.
0.01
0.01 0
11 1 M 11
11
Flux Densit y (kilogauss )
2.6.4.3 Calcu
Une fois que nous avons calcul les pertes. Nous trouvons un facteur de remplissage
(FF=0.6) selon l'quation (2.65) et une augmentation de la temprature A/= 41 C selon
l'quation (2.66) :
PP _ A/ X A^yygi^ X X^
W..
o.eff
At =
rpfe+p
A"*"
''Peu
(2.65)
(2.66)
y
2.7
Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons propos la technique de commutation douce base sur des
condensateurs branchs entre les deux ponts d'un convertisseur pont double. Ces
condensateurs assurent la commutation tension nulle des interrupteurs de deux ponts.
50
D'abord, nous avons prsent la nouvelle technique de coirunutation douce dans les
convertisseurs pont double. Ensuite, nous avons dcrit le circuit ainsi que ses modes de
fonctionnement. Par ailleurs, nous avons modlis le convertisseur et montr sa technique de
commande.
Par la suite, nous avons simul le convertisseur pont double avec les condensateurs l'aide
de deux logiciels (MATLABSIMPOWERSYSTEM et 0RCAD_PSP1CE) afin de valider le
modle et la commande de convertisseur conus. Enfin, nous avons abord au
dimensionnement de convertisseur pont double.
Mais vu que le convertisseur pont double, avec des autres techniques de commutation
douce est dj prsent dans la littrature. Nous avons orient notre recherche vers la
minimisation de l'nergie lectrique en particulier la conception d'une charge non
dissipative.
CHAPITRE 3
CONVERTISSEUR FONCTIONNAN T COMME TANT UNE CHARGE ACTIVE
3.1 Introductio
Les convertisseurs pont double sont rarement utiliss dans l'industrie principalement
cause de leur niveau de tension d'entre (800 V) et de leur circuit encombrant d la grande
quantit des composants utiliss, pour toutes ces raisons nous avons pens orienter notre
recherche vers une autre application.
Lors de la production des convertisseurs et des onduleurs, la dernire tape avant la livraison
du produit vers le march est la vrification de sa fiabilit.
Ce test est ralis en branchant le convertisseur une charge rsistive, ce qui implique des
pertes normes de puissance par effet joule dans la rsistance. Afin de minimiser ces pertes,
nous avons pens concevoir une charge active dont le rle est de restituer cette puissance
consomme lors des tests.
Signalons que la possibilit de rinjecter la puissance lectrique au rseau au lieu de la
dissiper, minimise la consommation de puissance et rduit ainsi le coiit de fabrication.
Notre prototype de la charge active est constitu d'un convertisseur C.C.-C.C. fonctionnant
haute frquence, en cascade avec un commutateur de courant fonctionnant la frquence de
rseau 60 Hz.
Dans ce chapitre, nous allons d'abord dcrire la charge active. Ensuite nous montrerons le
contrle de la charge active. Par ailleurs, nous la modliserons et chercherons les fonctions
de transferts. Enfin nous simulerons la charge active sous deux logiciels (ORCADPSPICE
52
Description de circuit
La charge active est compose d'un convertisseur C.C.-C.C. de type abaisseur, et d'un
commutateur de courant comme montr la figure 3.1.
entre
Charge active
Figure 3.1 Schma bloc de la charge active.
Un condensateur et un convertisseur lvateur sont monts l'entre de la charge active. Le
convertisseur lvateur dlivre un courant continu qui doit tre transform en courant
alternatif en phase avec le rseau. Par consquent, la commande de convertisseur C.C.-C.C.
doit raliser deux fonctions dont la premire est de maintenir une tension constante aux
bornes du condensateur d'entre, et la seconde est d'avoir une forme sinusodale redresse de
courant de l'inductance du filtre.
En effet, les convertisseurs et les onduleurs sont tests pour tester leur fiabilit en pleine
puissance (5 KW). Ils seront branchs un convertisseur lvateur (Boost converter) dont la
tension de sortie est de 60 V.
Donc, la tension l'entre de convertisseur abaisseur de la charge active est trs faible, alors
que pour injecter le courant dans le rseau, la tension de sortie doit tre suprieure celle de
rseau
(268VRMS).
53
n-^
n irons
.t
O
Principe de fonctionnement
54
Vo
i
DI
i\ D2l\
Vs
^^' SA
D3L\ '^42\
55
(3.1)
I1
II
II
T/2
56
. f\.
U"
1 Kn
Ss
1
1
_'{
'L D , Z \ O
'^ ^
^
Si
i r
IVlL
1
r
1
2\ O j
(thoriquement Vf= 0), et S2 peut tre amorc sous une tension nulle. Ce qui implique
une tension nulle aux bornes des enroulements primaire et secondaire de
transformateur. Aucune diode ne conduit et la tension aux homes de l'inductance est
57
e de la charge active
Pour assurer la forme sinusodale de courant de sortie avec un facteur de puissance unitaire,
et afin de stabiliser la tension l'entre de pont redresseur, nous devons raliser la rgulation
de ces deux paramtres simultanment.
L'UCC2818 (Figure 3.7) est un rgulateur de facteur de puissance. 11 est utilis pour la
commande des pr-rgulateurs base de convertisseurs lvateurs Boost converter . 11 doit
assurer un facteur de puissance unitaire l'entre du convertisseur Boost et une tension sa
sortie rgule suivant la rfrence impose.
Afin d'accomplir ces deux fonctions, le circuit utilise un multiplicateur interne entre deux
amplificateurs d'erreurs de tension et de courant comme montre la figure 3.8.
58
^MOUT
1 jrXVy^Qyj
(3.3)
KX^FF
\Vo
-fiM-
rvv\
Ligne AC '
.Co
charge
"sens
A/Vv
Mesure de
courant
(IRJ
UCC28I8
Mesure de
tension (Vs)
Forme d'onde
sinusodale (I^J
Figure 3.7 Commande d'un pr-rgulateur de facteur de puissance en base d'un boost.
PI
Multiplicateur
Amplificateur
d'erreur de tension
Amplificateur
d'erreur de courant
Gnrateur
d'impulsion
MLl
Tension
de sortie
59
lac et VFF sont les deux autres entres du multiplicateur et Kc est une constante unitaire. En
effet lac reprsente un courant proportionnel la tension d'entre et VFF reprsente une image
de la valeur efficace de la tension d'entre. Cette valeur est calcule grce un filtre passe
bas (R, C) dans lequel on injecte la moiti du courant lac par l'entremise d'un miroir de
courant.
60
bras du pont sont dphass de 50%) en ngligeant les temps morts prvus pour la
commutation douce.
L'amplificateur d'erreur de rUCC3895 utilis comme un suiveur de tension, permet
l'utilisation de ce contrleur comme une interface entre rUCC2818 et les gchettes des
transistors de pont.
Amplificateur
d'erreur
EACHIT ^
^^^ d'erreur
'
^
/.
Signal
Comparateur de s
sunntensits
\ .
'
Gnrateur
d'impulsion
MLl
'
Ils
2/2 5'^
Sit
1 st^
D, l\ Dpl\
c
o
m
m
^IransJ ^
,c.
^311 D4II
Si S 2 S 3 S 4
tt t t
"T"
UCC 3895
l\^esure de
tension (Vs)
Mesure de
courant (iRsensJ
UCC 2818
Forme d'onde
sinusodale (UJ
3.5
Dans le but de concevoir les rgulateurs de tension d'entre du pont et le courant de sortie de
l'inductance de la charge achve, nous allons chercher les fonctions de transfert du systme.
D'o le besoin d'un modle mathmatique prcis. Notons que le modle d'un convertisseur
pont ne diffre pas d'un convertisseur abaisseur simple. C'est pourquoi, nous allons
considrer un convertisseur abaisseur un seul interrupteur (Figure 3.11) dans la
modlisation de notre convertisseur. Ce dernier est branch, son entre, une source de
courant dbitant sur un condensateur qui va se charger et se maintenir une tension fixe.
Alors que le courant //. de l'inductance de sortie L de ce convertisseur doit avoir une forme
sinusodale redresse.
* K lo.
Vo Vo,
C i n ^1
' RL '
ID
'cin
l\ a
Rc.n^
i^^ =
^Or-{RL+Ro)h
(3.4)
dt
62
L'tat de l'interrupteur Q influe sur son courant ig et sur la tension aux bornes de la diode vor
comme suit :
fO si Q est ouvert
[O si Q est ouvert
"'^
V=
m cm
V +
v .
Kcm
(3.5)
'in=''an+Ran(i-'Q)
(3.6)
^ dt
^ = ^e(^c,+^.('-vJ)-(^/+'^J'/ (3.7
dv
<^.-f
= ' - =' - VV (3.8
dt
)
)
Les sorties du systme sont le courant de l'inductance et la tension d'entre v,. Deux
approches ont lieu pour la modlisation de ce convertisseur, la premire en considrant les
63
sorties du systme comme leur tats. Alors que les tats du systme dans la deuxime
approche sont la tension aux bornes du condensateur C, et le courant de l'inductance L.
Dans les deux approches, des approximations sont prises, le modle statique est semblable.
Alors que le modle des petits signaux se diffre.
3.5.1 Premir e approch e
Dans cette approche, on va considrer les deux tats du systme comme la tension v, et le
courant II.
Cherchons maintenant, les quations d'tats et en fonction de //. et de Vi.
dt dt
di,
En se basant sur l'quation(3.7), on trouve comme suit:
dt
di
-dtr =
avec
^m=^ein+Re,n(i-SQiL)
On arrive :
f = l(.,v,-(....JO
(3.9)
dv
Et en calculant^^ partir de l'quation (3.5)
dt
^em=^m-Rein(i-SQh)-
dv dv
cm m
dt dt
+R
( A^
; \
ds,J
Q'L
V dt J
(3.10)
64
C.
dt
dt
^(v'J
+ R.
C,
dt
-R
\\
=
= '.m '-SQ'L
JJ
(3.11)
di, .
ds.
s,.. - + 1, -
^^ dt
'
dt J
diL
dt
-|-(5,V,-(i?,+i?J/,)
dv i
di, .
sJ,
dt C,
dt
dso
(3.12)
- + 1.
dt dt
VV
-(.,v,-(^,+/?J/J
+ /, dt
Et le modle sera :
^ = . l ( c V -iR,+R
dt
^ v e ."
dv, _'-^Q'L R
dt
C.
V i o)
)/J
Lj
f^e(^eV,-(/?,+/?J/J + /?^,,/,
dSg
dt
(3.13)
65
3.5.1.1 L
e rgime statique
di, ,
, (R,
-^ = O^DV,-{R,+R^)f=O^D
=
+ R )I,
-^ ' ^''> '
in
- ^ = 0 ^ / - D / , - ^ Y ^ D ( D F , - ( i ?, + /?J/,) = 0
=0
I-Df=O^I= Df
(3.14)
3.5.1.2 L
e rgime dynamique
^? c,
3.5.1.3 Modl
^=
i(Dv,.+rfK.-(.+'.)i)
66
'/
/,
V
L '" _
fl O
L
01
/',
\'
J L cm J
p -|
Rcm{R,+Ro) D
L C,
-{RL+RO)
fol
0
*- -'
'/ +
Rem ^ 2
iti
L
^cm y
L '"
C,,
(3.15)
^ - r=
c.
'Q(''^in+Re.n{i-^h))-{Rl+Ro)iL
^v,
dt
=
= 'cm '-^Q'L
di,_'Q(Km+Rcm('-^Q'L))-{Rl+Ro)k
dt L
dv
dt C
'-SQ'L
67
(3.16)
(3.17)
e rgime statique
L^=
L ^=
^^DV^m+Re.Dl-R,,Df,-{R,+R^)f^O
0^DK,+R^,D{l-Df)-{R,+R^)f
= O
'^--o
V= V
m cm
^ = li^L+K)^
Km
68
3.5.2.2 Modl
e en petit signal
=
^
dt
dv.
c
dt
-(Kii,D'+RL+Ru)L+Dv^.n+{Kin-KinDlL)d
= -Di,-fd
c.
0"
-R D
h
V.
L '" ! J
h
v..,
'Km-Re,J
L
Cm
(3.18)
-RI,
69
MD
V
- ^
cm
i,
v
LL
'/
L Cm J
=
V
V
0] i.
'1
0 1
cm
cm _
[0]
0
h
[ c.,.\
d
(3.19)
(V cm
^
f^
I.
[L J
G.J
Cm^
(3.20)
D'
[LJ CL
(/J,.+
C.
f^.1 s+
s- +
G..,=-
DV IIII,R
:
'
R
s- +
lL
-+
L'^O
(3.21;
D'
s+CL
d= r\
m +
M,
TT
r
\
m,
m+
M,
rhp
in.+'
V
M,
^'m->lRl-\u,
(3.22)
(3.23)
70
il
-R.. D
".
'/
^
V
ctn _
c,
r>
-R.
_A
c..
r|..f
m +
m +
V
"^"
1
L
V
cin _
C.
M, \
ni
m,D
M,
M, \'i7
m^D
Mf\T 2\m^
+^
' Ti.,.f
m, =
v,-'A-v,,
L
Le modle sera :
-A, V
_D_
f M,
T m +-
D"
A.
l' 2
_f_
C
M, ^
~C~
r m +
'/
V .
V
L
[ C.A
-^m+R^h D
r\
seiise
m+
M,
-+
T2
m,. +
M,
71
tn
_2J_
c.
=+
K
L
.:.(,.f]r'
'
LL
D F; D
1 DR,
-K K
rm
!-
.f l ^ 2 J l
1
21 m +i-
^ 2 JJ
^ "K"'^^] ^' 1
V
/,
(/?)
[<-f] K-f],
(3.24)
fin J
" 2L\m
+L
l' 2
j_
"1 0 '
[^m_
= 01
.^mj
(3.25)
Les fonctions de transferts sont values dans les quations pour les valeurs des paramtres
prsents dans le tableau 3.1.
gi{s) =
^=
1x10*5 -42x10'
s'+ 53.5x10'.y + 0.875x10'
(3.26)
72
.^_v_
149.52 + 8.5x10'
^'^^'~ V' ~ r + 53.5x10'.s + 0.875x10'
(3.27)
Tableau 3.1
Valeurs des paramtres de calcul des fonctions de transfert
Paramtre
ii
^seiise
L
T
Ml
Ro
V
' cm
D
me
3.6
Valeur
ISA
66 mF
0.048 Q
320 ^H
20^s
2.7x10'A/s
i6n
60 V
0.9
25x10'A/s
Simulations
73
J:i.
ZJ
Ji ,
c, Ja
s,
^ C:
n5 ^= L c J n
C3
'AC A
V,n
T
I
Vref
Correcteur de
tension
MV
Vaa
T(sJ
Multiplicateur
V ,xV xV\
Correcteur
de courant
A Vrms
T(s)
J Gnrateur
MLl
74
o.i: o.iT
s o.i
s 0.1?.
; o.i
s o.
o,i: 0
iT
75
(N
100
i^UU
50
100
CN
0
-100
-50
-5nn
-100
1.02
1,04
1.06
1.08
4.02 4.0
1,1
64
4 40
08 4.
xio'
X 10"^
200
200
100
100
1.02
1.04
1.06
108
-200
1.1
4.02
4.06
4 08
4.1
X 10-^
'
soo
4SO
400
400
3 5 0
350
300-
300
250l
200
200"
ISO
1 SO
100
100
SO | -
SO
4.04
X 10
4SO
9 25
-100
-100
-200
1.01 T.0
2 1.0
3 1.0
4 1.0
4.01 4 . 0
2 4.0
X
3 4.04
4.O
-lO ^
76
77
Sf Y* j
= ^ Cpi S3
y_DG, DGj
=^ CP:
4lr-
^7
G,
'
Vo
\7DG^ DG4
G!
c^
\7_
'tl
G,
78
Deux types de simulations sont entrepris. D'abord, nous avons simul le modle moyen de
l'abaisseur dj calcul dans le paragraphe prcdant. Ensuite, nous avons simul la charge
active avec des modles rels d'ORCAD_PSPlCE des interrupteurs de puissance, des diodes
et des transformateurs.
3.6.3.1 Rsultat
Nous avons implant le modle moyen de convertisseur (Figure 3.25). Les rsultats (Figure
3.26 et Figure 3.27) montrent la validit du modle de rUCC2818 trouv et les contrleurs
calculs.
79
80
L RL
-
l/,>
0O
;, xDxnirans
l=85A
- ,.
4 v,*'
y xDxn trans
Jf
^ *
f 1
i
1
!\
i
'
ii
*"' ""^^ 1
20A-
. - l .. ....K
. .. 4 .-.-/ i
. j J L..,_ .
, ..,J.../! J
lOA-
ij
\ */
; -
i !
i \
'^y
0. 9
9 eos
75s 0.
. 9
0 , 99SE
0.9903
1 . OOOs
Ti me
i
1
\ i
'
...A
60V-
L._. .. ,
1,
i , .
i
j..,
S5V1
0. 9 758 0
. 9808 0.
9 85s
0 . 9908
0.
9 9Se 1.000
Time
81
3.6.3.2 Simulatio
n du convertisseur
Aprs avoir simul le modle moyen de convertisseur de la charge active, nous avons simul
le convertisseur complet (Figure 3.28). Les rsultats montrs dans les figures 3.29 et 3.30
montrent l'efficacit des contrleurs calculs.
-*^-lm
-l IJs[J
J, J J J , ,
G,
'>2_1
^!fs2_2
GN
tml Fhnl
Lne I\m2
_yYYY\.
52W
Sd S?k
- _ff
n _ f
VTI
VT2
^^
n f!t i ^ ^ 5^ ^ T^
luH ImO
14.8F.,
^
Rsi
Lsi_i 1
- ^ -
ImO
1uH
-14.8F;,
VA
1 D,
t-st_2 J
-Ai^A2
Rs,
D2
1uH 1mO
14.8F,
I-S2^, ,
'
Rs2
MA
' // I I
-14.8F,.
1uH tmO
yy~^^=f, V
Ls2,2 / _
,,
A^
Rs2_2
D4
A^
82
1
' 60V
ii
1 :\
i i
'.
i >
i1
; 1
i t
i i
'< '
>'
i\
1 1
ii
55V-
2S Oms 2e2m
s 284m
s 286m
s 28em
s 290m
e 292m
s 294m
s 296m
e 298m
s 300m
Time
i -z^jjjLT--^
'
^j^. 1 5 ^
.1
JfP_ 1
^'
1^ ' '
'
!'
i+
^'
^ r r'jFi
^'
, ,....
,.,,
-,
1
i - ^ i j j j z r ;
^^
j.4..._ ^ ^ _^S^.....i.
Jt
i^r^
^
Li
T "^
^
""'
J^-..|
.,_
, j..,,.
.V
'
''
'
^ 1 ^ . . . .
'
i
\
'
---j--|
-J ^^ ^
"jf~
-j#"
jt
M
L.. . j
^ _.
20.001
Time
83
00
20
40
60
81
1
f(Hz)
21
4 1,
5 l,
f
xlO
84
Lors de test des nouveaux convertisseurs de puissance, au lieu de dissiper la puissance dans
une rsistance thermique, nous avons pens la rinjecter dans le rseau en utilisant une
rsistance non dissipative. Elle est constitue d'un convertisseur C.C.-C.C. fonctionnant
haute frquence en cascade avec un commutateur de courant fonctionnant la frquence de
rseau 60 Hz.
Dans ce chapitre, nous avons prsent la charge active, ses modes de fonctionnement, sa
commande. Puis nous avons modlis le systme, afin de le valider par des simulations sous
deux logiciels diffrents.
CHAPITRE 4
CONCEPTION D E L A CHARG E ACTIV E
4.1 Introductio
Aprs avoir modlis et simul le prototype de la charge active propos dans le chapitre
prcdant. Nous allons, dans ce chapitre, dtailler la procdure complte de son design.
D'abord, nous allons choisir les MOSFETs, les diodes, et les IGBTs selon le cahier de charge
dcru dans le paragraphe 3.6.1 Cahier de charge p.61. Nous allons les configurer
dpendamment des pertes prsentes dans chacun. Ensuhe, nous dimensionnerons les
lments magntiques comme les transformateurs de puissance, les inductances de sortie de
convertisseurs, les transformateurs de mesure de courant et l'inductance de rsonance.
galement, nous allons concevoir tous les circuits ncessaires pour la ralisation de la charge
active comme les circuits d'crtage au primaire et au secondaire, les circuits d'aide la
commutation, le circuit de contrle de la tension d'entre et le courant de sortie bas sur
l'UCC2818, le circuit de commande des MOSFETs de pont du convertisseur bas sur
l'UCC3895 et le circuit de commande des IGBTs du commutateur de courant. N'oublions
pas le circuit logique qui gre le fonctionnement du systme dpendamment des sorties des
circuits de protection concevoir comme le circuit de protection contre les basses et les
hautes valeurs de la tension de rseau lectrique, le circuit de filtre d'interfrences
lectromagntique, le circuit de protection contre une basse tension d'alimentation, le circuit
de mesure de la tension d'entre et le circuit de mesure de temprature des semi-conducteurs.
Tous ces circuits cits prcdemment seront conus dans le but d'tre implants sous
ORCADCAPTURE. Nous raliserons le schma lectrique et le circuit imprim PCB
Printed circuit board de la carte lectrique afin de l'exprimenter.
86
4.2 Choi
x des semi-conducteurs
Diffrentes types des pertes sont prsents dans chaque MOSFET. Elles sont calcules selon
les quations (2.34),(2.35),(2.36),(2.37),(2.38) montres dans le chapitre 2 paragraphe 2.6.1
Choix des interrupteurs de puissance p.37.
Les pertes totales calcules dans un MOSFET sont de 44.2 W. Afin de les minimiser, nous
avons pens brancher plusieurs MOSFETs en parallle. Ce qui divise le courant direct et
influe directement sur les pertes. ce point, nous avons ralis une tude sur le nombre de
MOSFETs utiliss. Le tableau suivant (Tableau 4.1) montre les valeurs des pertes pour les
diffrentes configurations des MOSFETs mis en parallle.
Vu que la mise en parallle de quatre MOSFETs prsente les plus faibles pertes, nous allons
donc, exprimenter avec 16 MOSFETs en estimant des pertes 86.6 W. Les valeurs des
paramtres et les diffrents types de pertes sont montrs dans le tableau 4.2.
87
Tableau 4.
Pertes en fonction de nombre des MOSFETs en parallle
Nb des
Courant (A ) direct
Pertes (W ) par
Perte (W)
MOSFETs
moyen
MOSFET
totales
1 MOSFETs
85
44.2
176.8
2 MOSFETs
42.5
14.2
113.6
3 MOSFETs
21.75
7.9
95
4 MOSFETs
10.875
5.4
86.4
Tableau 4.2
Valeurs des paramtres de calcul des pertes des MOSFETs de la charge active
Paramtre
r
*frms
Wm
id
0.
Qrr
rds
'don
tr
tf
VGS
Vds
Vsd
pc
Pcomm
Pcom
Pinv
Pcoss
Pmos
Pmos lot
valeur
670 pF
50 KHz
16.3A
10.4A
20.8333A
210 nC
10 nC
7.6 m Q
25 ns
67 ns
88 ns
15 V
60 V
0.4 V
2.0481 W
3.08 W
0.1575 W
0.0646 W
0.0603 W
5.4144 W
86.62 W
88
2. La compagnie IXYS offre une diode et un IGBT intgrs dans un mme boitier.
Ce type des IGBTs, nomm RB-IGBT (Reverse Blocking IGBTs), assure le
blocage de courant vers le collecteur (Figure 4.1).
Tableau 4.3
Valeurs des Paramtres de calcul
des pertes des diodes de la charge active redresseur
Valeur pour les diodes de redresseur
50 KHz
6,25 A
3.97 A
0.1 pC
1.67 m^
65 ns
1.4 0.1 pCV
3.3 V
888 V
6.22 W
0.0304 W
6.25 W
25 W
paramtre
/'
Ifrms
i,uv
Qrr
l\tir
Vf
Vpf
vr
Pc
Pcom
Pdio
o--\-
90
s pendant la conduction
(4.1)
Pc = ''cdfa.
4.2.3.2 Perte
s de commutation
=
P
r comm r
Pu + p , I. = w., f + \v f
bloc i
club mue.'
aiiior
(4.2)
Tableau 4.4
Tableau comparatif des pertes dans le commutateur
Pertes diode W
Perte IGBT W
Pertes totales W
1GBT+ Diode
13.7
17.14
30.84
RB-IGBT
19.9
19.9
Le tableau prcdant (Tableau 4.4) montre les valeurs des pertes dans les deux cas (RBIGBT et IGBT en srie avec une diode). Remarquons que les pertes dans le RB-IGBT sont
faibles par rapport la somme des pertes dans les IGBTs et dans les diodes montes en srie.
Ce qui favorise le choix de l'IGBT RB-IGBT .
Mais vu que ce type des IGBTs pour notre cahier de charge n'est pas disponible, nous tions
obligs d'utiliser des diodes en srie avec des IGBTs pour le commutateur de courant. Le
tableau suivant (Tableau 4.5) montre les valeurs des paramtres de l'IGBT et la diode choisis
utilises pour le calcul des pertes.
91
Tableau 4.5
Paramtres et valeurs de calcul des pertes dans le commutateur
)iode
IG BT
Paramtre
Valeur
60 Hz
7,9 A
2.15 V
190
383 mJ
17.1435mJ
0.03 W
17.1092 W
68.5740 W
ifav
Vcv
" ' / . / < H-
'^^'ulilor
P.
Peuill
PiGBT
PiGBT lui
4.3
Paramtre
Ifrmsl
Ifuv
Qrr
rc
tir
Vf
VFf
Pdi IGBT
Pdi IGBT loi
Valeur
12.5 A
7.95 A
0.1 pC
1.67 m Q
65 ns
1.4 V
3.3 V
13.74 W
54.98 W
Pour assurer la commutation douce tension nulle (Zro Voltage Switching) des MOSFETs
de convertisseur de la charge active, une inductance L, est monte en srie avec l'inductance
de fuite du transformateur.
92
L'inductance Ls rsonne avec les capacits quivalentes aux deux capacits internes des deux
MOSFETs du mme bras de pont Ceq et les capacits en parallle Cexi (i=l, 2, 3, 4) comme
montre rquation(4.3) (Sabate, 1990).
Il/^>i2x(c,,+c,jl^; (4.3
(4.4)
(4.5)
D'autre part on a
W^ =-c V-
On aura :
(4 7)
93
2
lV = -c xy'
^ ass
'in
1
-c xy^^c= -c
-. et,
'm
Ci,
4
>,
oss
(4.8)
V
-Li' >
2
- c V +c V
., '"oos'
in
^c\l
(4.9)
in
La valeur de l'inductance trouve est 12.6 nH ( Basse tension l'entre et Haute valeur de
courant), nous allons la remplacer par une inductance de 50 nH. D'abord, nous choisissons le
noyau de l'inductance de rsonance 55551 de la famille Magnetics. Ensuite, nous
calculons le nombre de tours (deux tours) ainsi que le nombre de fils utiliss en parallle (21
fils AWG 13).
4.4 Calcu
l de transformateur
Le choix de transformateur de puissance est l'tape la plus critique dans le choix des
composants. Lors de son dimensionnement, nous allons considrer divers aspects. Citons le
matriau magntique et le volume du noyau, le matriau d'isolation dilectrique entre les
enroulements primaires et les enroulements secondaires etc.
Vu que nous a choisi le redressement point milieu, le transformateur doit avoir deux
secondaires. De plus, la basse tension aux enroulements primaires nous amne l'utilisation
des noyaux magntiques assez grands. Ce qui augmente les pertes magntiques (pertes de
94
fer) et les pertes dans les enroulements (pertes de cuivre). Pour minimiser ces pertes, nous
utilisons deux transformateurs dont la puissance nominale de chacun est 2500 W.
Dans le but d'avoir un comportement pareil de deux transformateurs, les deux enroulements
primaires sont monts en srie. Ce qui garantit la circulation de mme courant dans les deux
eiu-oulements primaires de deux transformateurs. Nous avons dimensionn ces deux
transformateurs selon la mthode dtaille dans le chapitre 2, paragraphe 2.6,3 Calcul de
transformateur p. 40.
4.4.1.1 Choi
x d u noya u magntiqu e :
Le noyau en ferrite choisi est l'EE 76x80x20 de la famille TDK qui offre des noyaux
magntiques pour les applications grande puissance. Les caractristiques magntiques de ce
noyau sont:
4 = 4.0 6 cm^
W = 7.47 cnr
u
4 = 18.2 cm
M r = 16.8 cm
V^ = 13.910 cm'
Trois tours constituent les enroulements primaires. Chaque tour est form de 320 fils
AWG28. Ce mme type de fil est utilis pour les deux enroulements secondaires. 50 tours
constim chacun de 24 fils AWG 28 mis en parallle forment chaque enroulement
secondaire.
95
Une fois la conception est tenuin, nous vrifions le cahier de charge : Nous calculons les
pertes dans les enroulements primaires et secondaires et les pertes dans le noyau du
transformateur dont la somme est de 12 W. Ensuite, nous calculons l'efficacit de
transformateur 99.5% et nous vrifions la surface d'isolement (FF= 0.48). Enfin Nous
valuions l'inductance de magntisation qui est de 26pH.
4.5
Figure 4.3 Deux transformateurs en srie cot primaire et en parallle cot secondaire.
Prcisons que le courant dans chaque inductance est gal la moiti de celui de la sortie. Et
n'oublions pas que l'ondulation de courant ne doit pas dpasser 10% de sa valeur nominale
(4.10).
, di
dt
L =--^L => L----hX
dt
di
(4.10)
96
Donc, pour un courant de 25A en sortie, la variation de courant di dans chaque inductance de
sortie doit tre infrieure 1.25A (10% de 12.5A). En effet cette variation dpend de la
tension aux bornes de l'inductance, et la dure dans laquelle cette tension est applique.
Pendant le blocage des diodes de redressement A^ la tension aux bornes de l'inductance est
gale l'inverse de celle de la sortie, l'inductance se dcharge, et le courant diminue (Figure
4.4).
At = {\-d)T
y LVaut
Z, = -400x
0.1x10"
-1.25
Tt
Figure 4.4 Courant dans l'inductance.
Le choix de matriau magntique, et le dimensiormement de l'inductance sont raliss selon
la mthode explique dans le chapitre 2, paragraphe 2.6.4 Calcul de l'inductance de sortie
p.45.
Afin d'assurer une stabilit de la valeur d'inductance, nous avons choisi le matriau
magntique form de poudre de moly-permalloy MAGNETICS Moly permalloy Powder
MPP . Ce type de matriau prsente une hystrsis troite, des pertes minimes, et une haute
rsistivit.
97
L'inductance conue est constitue d'un noyau de type MPP 55716 entour par 66 tours.
Chaque tour est form d'un seul fils AWG13. Les pertes dans le noyau et le cuivre sont
calcules et leur somme est de 10 W impliquant une lvation de temprature de 37 C.
L'efficacit de l'inductance est de 99% dmontrant le bon choix du noyau magntique.
4.6 Choi
x des radiateurs
La temprature est le facteur le plus important dans la conception des convertisseurs. Elle
influe directement sur les caractristiques lectriques des semi-conducteurs.
En effet, les pertes prsentes dans les semi-conducteurs causent rchauffement de leurs
jonctions. Donc, pour assurer un bon fonctionnement des semi-conducteurs, la temprature
de leur jonction ne doit pas dpasser 100 C. Ce qui rend l'utilisation des radiateurs et des
ventilateurs ncessaire pour refroidir les semi-conducteurs (convection force). ce point,
nous installons un capteur de temprature sur les radiateurs afin de capter la temprature et
d'arrter de fonctionnement lors d'un chauffement inacceptable.
Prcisons que la puissance totale dissipe dans les diodes, les MOSFETs et les IGBTs est de
234.8 W. Et n'oublions que les MOSFETs d'un part et les diodes et les IGBTs d'autre part
sont isols lectriquement (cot primaire et cot secondaire de transformateur de puissance).
L'utilisation de deux radiateurs spars est indispensable. Nous utilisons un radiateur de type
Extruction 61215-300mmG-EXXX avec un ventilateur PAPST 5114N 24VC.C. 147 cfm
pour les MOSFETs. Alors que pour les diodes et les IGBTs (148.4 W), nous utilisons un
radiateur et un ventilateur identiques.
4.7 Rendemen
t de la charge active
Les pertes calcules dans les transformateurs, les inductances, les diodes, les IGBTs et les
MOSFETs dfinissent le rendement de la charge active comme montre l'quation (4.11). La
valeur trouve de rendement est de 92%. Ce qui montre l'efficacit du choix des composants
98
_ 'o
[Pdio
"*
Pirans '^
P L ) (
A \
\ \
Po
4.8
4.8.1
Sommaire de design
tage de puissance
L'tage de puissance est form d'un pont des MOSFETs fonctionnant une frquence de
commutation leve, de deux transformateurs de puissance monts en srie assurant la
transformation de la tension d'entre, de deux redresseurs point milieu assurant le
redressement double alternance, de deux inductances de sortie garantissant le filtrage de
courant de sortie, et le commutateur de courant en base des IGBTs et des diodes injectant le
courant des inductances dans le rseau.
La figure 4.5 montre la prsence des rsistances de mesure et des transformateurs de courant
fonctionnant comme des capteurs de courant. Des circuits d'crtages sont ajouts afin de
fixer la tension aux bornes des transformateurs et des circuits d'aide la commutation sont
ajouts dans le but d'liminer les signaux parasites.
99
100
e a u primair e
Vu que le courant qui circule dans les enroulements primaires de transformateur change de
polarit durant un temps trs faible, l'inductance de fuite se charge provoquant une
surtension aux bornes de transformateur.
'^
di
dt
(4.12)
Pour enlever ces surtensions, nous ajoutons deux diodes de blocage (D/ et Dj) (Figure 4.6).
Quand le courant lp augmente, l'inductance l/p commence se charger. La diode Di, va
bloquer ce phnomne. En effet, Di et S^ en conduction, maintiennent la tension aux bornes
des enroulements primaires gale la tension d'entre (Figure 4.7). Le courant au lieu de
charger l/p, passe dans la diode Di.
101
^in
-'r
uT
C-
r
^^-1
y T . ,
ll Dj
Ifr,
p r \ Y ^ "V
^p
A ^j ? V
= v-
! '
rt^
Yf
i.
|L
i
1
1
-400V-
,-,.-,
25 US 3U
o V { L 5 : 2 , R 2 2 :2J
r
k
]
'
22U3
OV-
11
^
400V-
S 3
5 ua 4
'
0 U3 4
fi
iTi
"I -
...i.
5U9 50u
Time
Figure 4.8 Tension aux bornes des enroulements primaires sans le circuit d'crtage.
102
400V-
1 1
\
!
ji
22U3
'
; -i
~\
25 U3
o V ( L 5 : 2 , R 2 : :21
1 i ]
T
1
1
1
^ i
!
30us
35u3
40us
45uS
50us
Time
Figure 4.9 Tension aux bornes des enroulements primaires avec le circuit d'crtage.
4.8.2.2 crtag
e aux secondaires
Lors de passage de courant de zro sa valeur maximale dans les enroulements secondaires
de transformateur, l'inductance de fuite secondaire charge et cause des surtensions aux
bornes primaires et secondaires de transformateur. Pour les liminer, nous ajoutons un circuit
d'crtage (Figure 4.10). Il est form des diodes (Dj et D4), d'un condensateur C et d'une
rsistance Rc.
DI
Ifsi
. Circuit
d'crtage
% D3
Cd=. >Rc
'l\ D4
Ifs2
- ^
103
Pendant la variation de courant de zro Imax, les deux diodes D/ et D2 sont bloques, la
diode D} conduh et permet au condensateur de rsonner avec l'inductance de fuite Ijst.
L'inductance l/si se dcharge dans le condensateur. Ce qui minimise les surtensions aux
bornes des enroulements secondaires de transfonnateur. La diode D/ se met conduire et la
diode Di se bloque, permettant au condensateur de se dcharger avec Rc en attendant la
prochaine commutation.
Les deux diodes D3 et D4 doivent supporter la tension aux bornes des deux enroulements
secondaires de transfonnateur 1200 V . Alors que le courant direct est trs petit (infrieur
1 A). Vu la non disponibilit de ce type des diodes, nous avons choisi utiliser deux diodes
en srie supportant chacune une tension de 600 V et un courant de 1 A en direct.
La valeur de C dpend directement de la valeur des inductances de fuite l/st et lfs2. H faut que
l'nergie emmagasine dans //,/ (respectivement l/sj) sera transfre dans C qui se dcharge
par la suite travers Rc pendant le reste de la demi priode.
La valeur de C (3.9 nF) est calcule selon l'quation (4.13) alors que la valeur de Rc (35.5 Q.)
est calcule selon l'quation (4.14).
C= f
"X^/.l
v'
(4.13)
(4.14)
De mme nous avons simul le convertisseur avec et sans le circuit d'crtage au secondaire.
La puissance nominale est de 5 kW et la tension secondaire est de 600 Volts. Les deux
figures suivantes (Figure 4.11 et Figure 4.12) montrent que la grande efficacit d'un circuit
d'crtage au secondaire.
104
1.0 KV-
V*~ L
1 . __: _
.,
E
,
ov- .
1t
"
j
tL.
T
L.
I
1
1
1
-1.OKV-
1
i
22U3
'
2SU3 30u
a V(R11:l,R9:l)
3 35U
S 40U
s 50u
S 45u
""
, 1
1^
- o
- i- -
f f t r
'
]-
J-
-, ,.._l. .1... .
' 1
,.,.i
\i
22u3
o
r ' ' -
J.
i
"
1 i
! i
i 1
ii
...i 1
w "
- i -
... i
-ii 1
^:f"-
i... -i
Ti
lr
i _.j._..._
1 1
25u3
V(R11:l,R9:ll
1. Un courant de rsonance circulant dans les lments parasites, et pouvant influer sur
la tension d'alimentation.
105
C^^^C^
:oCo = 10xC^
(4.15)
Alors que la valeur de Roi 270^2 est calcul selon l'quation (4.16)
RD=-
^1
(4.16)
amor
106
jj
1.OKV-
0.5KV-
.. ,
ii
;!
22ua
25u9 30u
!i
. 1..; i. i.[ [ i _
i1
1
-r " T t
!i
s 35u
s 40u
--
T
4 [.. _ L - L
1' 1
t
ii
|[..._.,..
^
1
1
11
!
m
!!
i1
iJ
ov-
i1
\1
ii
11
s 4Su
'
3 SOu
a V(D1:C )
Time
4 - , - -_,- -
tl.,.,i ,.,_
fV K
m
\\ \\ rJ\/\y\^\
-^^M ^
i
i
fl '
LZ2
L...,
.[..A
h.18...
i
Ai
1A ^
1 .J , WX/V^vx.
- - yU
i
(1
1
1
(1
'\ 1
^ .^
111 ^/ \J J \ yv>
lU' V
:i.::
"T.
1j V
lj
A, ,
1 \ A /\
/l/Vv^J^
1 l \)
\^
(
l
22ua
25U3
30u3
35ua
-lOua
45ua
SOus
Q V(D1 :C)
Time
107
valeur de la rsistance correspondante est de 0.03 Q. Ce qui cause des pertes de 25 W (le
courant maxiiual est de 40A).
Rappelons que La mise en parallle des rsistances divise le courant circulant dans chacune
et par suite la puissance y dissipe. C'est pourquoi nous utilisons cinq rsistances de valeur
de 1.5 ri et supportant chacune 10 W.
le rapport de
transformation(Ferroxcube 2003).
L'inductance de magntisation est calcule afin que le courant y circulant ne dpasse pas 1%
de courant de secondaire qui est gal au centime de courant circulant dans le bras de pont
des MOSFETs. Afin
d'assurer
la dcharge de l'inductance
de magntisation
de
108
de mesure Td (Tc2
109
110
Pour assurer un fonctionnement normal de l'UCC3895, il faut que la tension aux homes de la
rsistance Rs, pour le courant maximal admissible, ne dpasse pas 2 V. Ce qui implique la
valeur de Rs est 0.67Q.
Puisque le rapport cyclique peut avoir des valeurs suprieures 0.5, une rampe de
compensation est ncessaire afin d'assurer la stabilit, cette rampe est gnre par un circuit
form d'un transistor bipolaire PNP Qi et les rsistances Ri, R2 et R3.
4.8.7 Rgulateu r de courant et de tension
Nous allons, dans ce paragraphe, concevoir les rgulateurs de courant et de tension assurant
le fonctionnement du systme. Le modle dynamique dcrit dans le chapitre 3 au paragraphe
3.5 Modlisation dynamique-Modlisation en petits signaux p.69 forme la base pour le
design des contrleurs. Les fonctions de transferts trouves dans le chapitre 3 se sont
reproduites ci-dessous :
, ,
/,
v^
7x10'^ -42x10'
r + 53,5x10^5 + 0.875x104
, ,
v,
V S-+
149.52 + 8.5x10'
53.5x10'^ + 0.875x10'
(4.17)
La prsence d'un zro positif dans la fonction de transfert g, (5), influe directement sur la
rponse dynamique de systme. Un bonne boucle de retour minimise ses effets, et peut les
liminer (Kanaan 2002).
4.8.7.1 L
a boucle de courant :
11
Amplificateur d'erreur
de courant
Rgulateur
calcul
112
H,(s) = K,
s +iK^
10 =3.1639-^^ + 2 ^ ^ ' ^
f
s 5-i-;rxlO
(4.18)
s~ +1KS
2
La figure suivante montre le trac de Bode du systme en boucle ferm.
uode magram
10
m'
2.
u
-1 0
la
C
o>
Q
^ -2
0
-30
.,
135
90
5 4
(D
lA
S.
. 0
-45
"^
-90
13'
10'
10'
10"
io'
10^
10^
10^
Frequency (rad/sec )
4.8.7.2 L
a boucle de tension :
13
4. La boucle de tension doit tre lente par rapport celle de courant, ce qui implique que
la frquence de passage par zro doit tre petite par rapport celle de courant.
5. Erreur en rgime statique trs faible, afin de permettre de stabiliser la tension autour
de la consigne.
Les critres 1 et 2 seront vrifis par le choix d'un rgulateur contenant un ple zro et dont
le degr de numrateur est strictement infrieur celle de dnominateur. Le quatrime et le
troisime critre sont vrifis par le choix d'un ple la frquence de 15Hz et un zro au
dixime de la frquence de ple (maximum de 1.5Hz).
l/i-^y. Amplificateur drreur
de tension
Rgulateur
calcul
S + 2K
HM) =
l^v
J VI
10
s-+2Kf\.s
0.0224
1 s + 3x;r
s 5 + 30x;r
(4.19)
14
Rl 12.4
-* W
\
GS.,Ucc3895
output
IRF2110S
Mosfet Base
R2 2Q Di
A/\/\
High side
output
-^W\
R3 22.10
'^
GS. .
R4
.Cl
lOnF
10K
R5
100
Mosfet Emetteur
15
+Vcc -Vcc
6.8Kn
360V
120KO I20KO
120KQ
120KO 120KO
120Ka
6.3 V
%%
l\ SI
-Vcc 6.SK
- Vcc +1/C
vw
+l^cc -Vcc
6.8KO
360V ^
l20Ka I2KO
120KO
$$
^ -
^^W\iA/VV-^WV
I2OKO l20Kn
120KO
^
Vpp2 D2
l\ ^
7
Vcc*
-Vcc 6.SKO
VW
Vx
6.8 V
16
4.8.9.1 Protectio
La protection contre les surtensions est ralise par le signal de sortie de comparateur (Figure
4.23). Ce signal passe zro lorsque la tension de rseau dpasse 284 RMS. Alors qu'il
change d'tat (0-> 1), quand la tension diminue au dessous de 265RMS.
VH
K,
R, lOKO
-A/VV
Rj WKn
Vx
265
V
Vr
284
V
La protection contre les surtensions est ralise par le signal de sortie d'un comparateur
(Figure 4.24). Lorsque la tension de sortie diminue au dessous de 170
VRMS,
la sortie de
comparateur VL passe zro Alors que lorsqu'elle augmente au dessus 190 VRMS, VL passe
1.
La rfrence Vre/e 2.5 V est obtenue l'aide d'un rgulateur TL431 (Figure 4.25). La
tension V^e/ garde sa valeur de 2.5 V tant que la tension aux bornes de rgulateur est
suprieure 2.5V.
117
i-Vcc
Rs 36.5KO
I^A^
+ktc
- ^
VL
R, lOKQ
TWW
Vrel
R2^
R3 294KQ
VL
tSKQ^
R4
191KC
CO.SfjF
170
190
Vr
+Vcc=12 V
R
WK
A Vo
^
C
4.7nF
R, 72Kn
54 V 70
V V,
119
comparateurs dlivrent un signal ngatif, invers l'aide des inverseurs pour gnrer le
signal de commande des IGBTs (Figure 4.28).
oa, \7
-J
^^1
VAC
T \
cA
^ \ \
Figure 4.27 Commutateur de courant
200KQ R2
IVW ^
+Vcc +Vcc
+Vcc
R10KQ
Signal de
commande G2-3
R, 4KO
+Vcc
R 10KO
Vcc-
Vcc-
-^w
Vcc
200Kn R2
R WKn
- ^
+Vcc +Vcc
f-Vcc
Signal de
commande G1-4
R 10KO
-^wv
-^ywR 10K
6.8 V
Vcc-
-Vcc
+Vcc
Vcc-
-VA
R WKn
120
JRV\ ^"^'
Connexion
cot rseau
499KnL^^Fti
499KQ[^^R2
SA, A?
1tjF
4.7nF
2mH
C4
Ce
4.7nF
1,JF
c,
Cs
4.7nF
4.7nF
connexion
cot
convertisseur
./y-7 /-n
121
Ensuite, le filtre en mode commun limine les raies spectrales gnres par les gradients de
tension lors de la commutation. II est form de l'inductance en mode commun Li associe
aux capacits C2, Cs, C4 et C5 (275Vac type Y qui se court-circuite lors d'un dfaut.).Notons
que Le calcul de l'inductance est ralis selon le guide (MAGNETICS, 2005).
4.8.13 Circui t de commande des gchettes des IGBTs
L'amorage des IGBTs ncessite une puissance leve. D'o le besoin d'un circuit
d'amorage comme celui utilis pour la commande des MOSFETs. Le circuit d'amorage
des IGBTs est base d'un opto-coupleur amplificateur HCPL-3120. Ce dernier mont en
amont un circuit suiveur assure la puissance ncessaire pour l'amorage des gchettes des
IGBT (Figure 4.30).
R2
Signai de
commande
HCPL-3120
iGBT_Base
2n
R3
Wv
ion
> Rs
WKn
ion'
IGBT_Emetteur
122
redmarre quand la tension augmente au dessus de 13.5 V. Ce circuit est base d'un
rgulateur prcision ajuste.
Vcc
Vcc *
R, .
2Ka :
49.9Ka<. ^
R,.
IfSK ^
'i'
j
2KO
R,
R, 2K0
5^ ^
EN_Vcc
4.7/7
2 74KO
(a)
Rl
2K0
Rj
2K0
R>
: Re
'49.9KO
c.
4.7n
Rs
2.74KQ
11.5KO f Rl
2K0
R4
499KO
4.99KO
Rs
Vcc
VRilf
.R4
49.9Ka
'499KO
c
4.7n
.Rs
2 74KD
(b)
(c)
123
AC_Low ^
AC High
J T_High_s
EnableJGBT Opto_
"~
| coupleur
1~
J EN
Vcc
J EN_
Vol
y-
Opto_
coupleur
T Higfi p '
1^
!*
Enable_mos
124
4.9 Rsea
125
TP12
TEST POINT
-VC
\7r
\7r
lRFB4110PbF IRFB4110Pb
-*
F
t1
XGATt C 2 T
RFlWnOPbF
IRFB4110PbF
, ^
GATE C 3 '
h-4- '
L|
l GA1
EC I
EMT_C
%" %
l_SENSE_C; 2
<t^
TP11
TEST POINT
^" ^
SENSE D
IJ
IRFB4l10PbF
IRFB4110PbF
IRFB4110Pb F ] I
GAT D i
GATE O '. 1
t!!lp
LJH '
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
^
J7
DFIEL D
VTA
1
2
3
4
5
6
7
TPI 6 TP2
2
TEST POINT TES T POINT
CD
g
10
V?
GAT^D 4
126
TP12
TEST POIN T
IHFB41IOPbF
T;_A1
RFB4110PbF :2
^[Ilj
E^tT_A
Ll^l
<<
6 iRFB4nOPb
GATE_A3 >;, -
5? ^
;< GATC_A 4
TPIO
TEST POIN T
TtST POIN T
J-"
poir Iransfortnc r
SI;
50n Inductanc e
GATt_B1 >
^B ^
;
IRFB4110PbF
J -
S? ^ u
<
DtO
srm4P03S6
^T2
>
127
power transforme l
APTdq120
128
TP1
TEST POINT
011
[ APT60DQ120B G
GATE_1IG^>-
012
APT600Q120BG '
X}
RG4PH50KPBF
EM 2I G
2 2u
- VA
C EMI 2 VA C EM U
086
APT60OQ120BG'^
, 06 5
, APT60D120B G
GATE ^IG
Q20
IRG4PH50KPBF
019
IRG4PH50KPBF
GATE 4I G yyTP14
TP36
TtST POINT TES T POINT
^=1 cz
T
Figure 4.36 tage de puissance (le commutateur).
4.9.2 Schm
a lectrique de l'UCC2818.
La figure 4.37 montre le circuit de contrle et les rgulateurs de tension d'entre de la charge
et le courant de l'inductance de sortie de convertisseur base de rUCC2818. Le rgulateur
de tension est form par (R126, C74, C75) alors que celui de tension est form par (R123,
C70, C72). Le filtre RMS est ralis par (R127, C76) alors que le signal d'erreur est envoy
rUCC3895 l'aide de CNY17-2 . Ce Circuit reoit trois signaux (Mout_Rl de l'tage de
puissance, VSENSE et lacCl).
129
TP31
TEST POINT
MOUT R l
^
- CA0UT
I CNY17-
R118
2k
>R119> R12 0
>3.9k > I k
R117<
2k
__ C6 8
220p
R239
-AA^10k
8
D1 J4148
CAI DRVOU
- PKLIMIT 1
PKLIMIT1 R123 12
^ II
BZ>S4C11/S0T
k C70.,270
]r
VSENSE.
D56
BZ>B4C11/S0T
R126 51
k C7
52
GND
C71 ,,560 p
CT
MOUT
IACC1 C74 ,, 0 22 u
2u
lAC
SS
RT1
VSENSE
C73,|1_0n
R124 12
'v'V
-VSENSE
-OVP_EN
C76 , ^ 2,2 u
VREF
13 3 k R12
>R121
, Ik
VCC s p
PKLIMIT
CAOUT VC
-0
R125
10k
C77"o.lu
-VREF4
130
de mesure de courant form par (C135, C136, D81, D82, D83, D84, Q40, Q42, R229, R230,
R231, R232, R233). N'oublions le circuit d'activation (C78, C82, Q31, R129, R130, R131 et
R133) qui arrte les MOSFETs pour un niveau logique '0' du signal EN.
:<
TP20
TEST POIN T
TP15
TEST POIN T
r ~ 1 VDDP_CTRL.
TP23
TEST POIN T
CD
ue
T'
EAN
VDOP_CTT^Lv^EF '
:79
^ R13 3
ss
EAOUT
"^
R128>
RAWP
OJTA
- OR
REF
OUTB
- * - DR
%-
-lit
R I 32 330
V I J
PGND
SYNC
Q30 C8
UMBT44D3
V 1. A
CT
- CAOUT
EAP
TP34
OUTC
DR
V1 C
OUTO
- 0RV_'_
-0
TEST POIN T
R136
AD S
RI3A..e87k
10.
R138
CS
^ UCC3e9
sj;
d;: 0 8 3
220p
l_SENSE_C~
S7.
083
1N414I
^
Q40
DRV 1
A 084
Cyy0136
3.3n
082
I SENS E D
l
Df^V_ i . D
C135
33n
JB
: 04 2 A
eSS123 T
R232 , .
-A^Ar
M'A
0 56
>
08 1
INdl ^
E"
131
_ r 2 1
|-^ MJD44H11 T
R45'^ ^ 1 2 4
ic34 lc35
T470n "r470n
LIN VC
VD0P_CTRL_1_AB
600V
ic38 it:3 9
T<ron T * " "
-\ VDDP_CTR L
-R^V^Fi
132
D19
-0
-W
22 l
I , D2 0
' B2T52C18S
GATEAI
- EMET_
^> G
R38
J , 02 2
* ? B2T52Cias
A lt A i
V0DP_CTRL_1_AB
- EMET
,A
D23
-<h_ k ^ Q2 1
I V MJD44H11T
- GAT
R42
D25
EMT_
H<1
<
- >>
- EMET
t AJ
GAT E A4
D26
>
B2T5i:CiBS>
-w023
MJD44H11T4(.
030
^.
HO-
- GAT
RS;
s/V
^ BZT52C18S
tB 2
"^
"^
D32
R61
22 1
GATE_B3
BZT52C18S
034
"^
-Kh-
- GATE.Br
R65
lC44
133
VDDP_CTRL_1_C0
RBO
n
-=^^
VODP C T R L J _ C D
CM
Tcil
NC
NC
470ft
VDD
MIN
LIN VC
SD
VSS
NC L
v;
C
_L C5 5 J.C5
T470n Tj70
COK
C
- EMET_
J.C52
"|"470n
600V
- EME
TC
^ usu
044
^
R90
- GATt
R69
- W
22 1
.C)
D37
B2T52C18S|
_ j ^
D38
-w-
-Sy EME
TC
- GATE_C
J , 03 9
' ^ BZT52
C IBS I
VDDP_CTRL_1_C0
- EM
D40
TC
R7e
-W
R77
GAT
EC 3
EME
TC
22 1
042
R8I
H<1~
GATE_C.
RB2
EMET
- ' W
22 1
<, 04 3
" ? BZT52C18S
>
EMET
134
D4S
-yTPa
RB6
TEST POIN T
Q27
IAJD44H11T4{.
- > y GAT
R87
-^
22 1
J. 04 6
^ BZT52C1BS
E 0 1
047
HO-
J , 04 6
' BZT52C1BS
<ri
- GATE_0
|
_ C5 9
y lO n
~^
049
HO
CATE_D
050
BZT52C18S|
051
"^
HO-
GAT
R100
E0 4
22 1
J <^,
TP29
TEST POIN T
CD
ENJCBT > > -
IGBT1_
R112
CD40eiB
USB
R114
Vac_c_2
V\^r
249k
vcO.p
Le contrle des IGBTs est ralis l'aide des comparateurs. La sortie de ces comparateurs
est inverse. C'est pourquoi nous utilisons des inverseurs. Les deux figures 4.45 et 4.46
135
montrent le circuit de contrle qui gnre les signaux de commande des IGBTs (IGBT 1 4 et
IGBT2_3) respectivement.
D53
R103 " ^ " "
rmW-
1\^
ENJGDT yyVac_c_1
1=?
IGBT2_ 3
'USA
CD40eiB
136
>ir NC Vc
IGBT 14
VCCJGB_P |
-1 'S
068
T niM4i4
A N O O E VO
a3
_ CATHODE V
NC V
c
c
TP17
TEST POIN T
067
- - l l l _ EM.il
HO
Riei
yy
GATE 1IG
- EM.II
NC v c
A N O D E Vo
CATHODE V
S
VCCJGB_P (
D70
1 nii i - E
M 2I G
HO-
07
R186
T ni i
^N
TP18
TEST POIN T
^ 011
IGBT2 3
- GAl
t 2I G
yy EM_2i
Vo
U19
NC Vc
IGBT:,. -
s
VCC_IGB_P 1
A N O D E Ve
CATHODE V
0 74
X niNdid
W3
NC
"X
-Xdl"
073
-W
- GA^E.3I
R191
Vo
hcpl-3i2J
U20
A n N C Vc
IGBT1 rt
yy-
V C C IG B p h
S 07
J QI
076
c
i C12
A N O O E Ve
CATHODE V
NC
i_J lUi
-W
GATT
; 4I G
R196
^ V
Vo
C121
inn
^ 0
137
vc >;
1 Lo d C I N
|PN
C
Led A 2
" 7 1 , PD I C PD 2 C T T
PDI A PD2
4.
- VSENS_
vcc s p
TP19
TEST POINT
R235
i^VW ^\N\
68k 2
VSENS_C
R236
k
VSENS
100k
138
R2ie
200II
TP30
en
TEST POIN T
R240
V
=
* T t
VRF4
U24A
LM293
R220 < 0
lOh < :
'
EN VOLTAG E
VSEMS C
R223
200k
V4EF-
R227
U24B
V- LM29 3
13
2mH"
VAC_EMil
^ C12 7
lu
C128^
lu
rw~\-^r>r\
I-NA^A-'
499k R20 3
499k R20 4
499k R20 5
RV1
V300LS40AP
VAC_EMI2
-
C12ai
C13(Ii
^ C13 1
4 7n
C132
4 7n
RV2>
V300LS404
vt\
Figure 4.51 Filtre EMl.
RV3
W300LS40AP
139
VAC_EMI t > ) W V
R147
120k
VAC.EMI2
T lOOp
600V
R149
^L
j ^
R143 R14
R150 R15
-AW W
120k 120
--<=-^"'^ 1
^ ^C9
V
k
3W
: lOO p
VAC_EP/I1
^ R16 8 R16
-^'mm-JVW
R171
6 81 k
Les deux figures 4.53 et 4.54 montrent les circuits de mesure de la tension de rseau base
des comparateurs comme montr dans le paragraphe 4.8.9 Dtection de rseau et Protection
contre les basses et les hautes tensions p.l 14.
140
i AC_LO W
LOW=LIMIT EXCEED
STOP: 176Vrtns
RESTART: 190Vrms
TP25
VCC s p
VREF3 y ^
TEST POIN T
R165
10k
R161
V^
i AC_HIG
R166
10k
R170=r C9 4
-0
LOW=LIMIT EXCEED
STOP: 284Vrms
RESTART: 2 6 5Vrm
-0
La figure 4.55 montre le circuit qui gnre la tension de rfrence utilise dans le circuit de
mesure de la tension de rseau. Cette valeur de rfrence est compare l'image de la valeur
efficace de la tension de rseau.
vcc s p
R172
Ik
- VRE
D65
TL431
F3
=;= C9 5
4,7n
- 0
-0
141
R173
Ik
> R23 4
<'"
- T
HIG H p
yy T
HiGH S
U25
d^ C9 5
4 7n
U\
F11606
X7.
Fl1e D6
- C13 7
_ 4.7 n
"0
\7.
vcc s p
VCC_E
142
AC_LOi.'V>_>
143
4.10 Conclusio
Tous ces circuits cits prcdemment sont conus dans le but d'tre implants sous
ORCADCAPTURE. Le schma lectrique dessin a permis de raliser le PCB de la carte
lectrique afin de l'exprimenter.
CONCLUSION
La volatilit des prix de l'nergie lectrique qui rsulte de la croissance de sa demande
mondiale, a rendu la diminution de la consommation de l'nergie lectrique d'une part, et la
recherche des nouvelles sources d'nergie renouvelables comme les cellules photovoltaques
et les gnratrices oliennes d'autre part, les deux principaux axes la recherche en
lectronique de puissance.
145
En remplaant la rsistance thermique utilise comme charge lors de test des convertisseurs,
par un circuit non dissipatif, nous pouvons diminuer la consommation de l'nergie associe.
Ce circuit doit se comporter comme une charge active et rinjecter l'nergie dans le rseau au
lieu de la dissiper.
Dans ce mmoire, nous avons trait deux aspects. D'abord la commutation douce dans les
convertisseurs pont double. Par la suite, la conception de la charge active tait aborde.
ce propos, le premier chapitre a prsent une introduction sur les diffrentes topologies des
convertisseurs abaisseurs et les techniques proposes pour minimiser les pertes de
commutation. En outre, une prsentation des diffrents types de commande et des techniques
de commutation utilises dans les convertisseurs pont double tait couverte.
Dans le deuxime chapitre, nous avons prsent la nouvelle technique de la commutation
douce des convertisseurs pont double base des condensateurs. Par ailleurs, la mthode de
la conception de la topologie propose, son fonctionnement, sa modlisation, ainsi que les
rsultats des simulations taient prsents.
Par la suite, au troisime chapitre, nous avons expliqu l'ide d'une charge active.
galement, nous avons dduis le modle mathmatique et nous avons prsent les rsultats
de simulations afin de valider le modle.
Enfin, au quatrime chapitre, nous avons trait la validation exprimentale de la charge
active. ce sujet, nous avons justifi le choix des composants lectroniques et nous nous
ralis le schma lectrique.
RECOMMANDATIONS
Ce projet se porte sur la conception des nouvelles topologies des convertisseurs de puissance
et la minimisation de la consommation de l'nergie lectrique. 11 prsente une nouvelle
technique assurant la commutation douce dans un convertisseur C.C.-C.C. pont double et la
conception d'une charge active en base d'un convertisseur C.C.-C.C. et un commutateur de
courant.
Les simulations sont lances sous deux logiciels diffrents afin de valider le fonctionnement,
et une conception complte de la charge active est ralise afin de l'exprimenter.
Une validation pratique des deux modles est une perspective raliser. Puisque la carte
lectrique de la charge active devra tre prte, la ralisation des tests pour confirmer les
rsultats des simulations et l'optimisation de design sont deux tapes recommander.
ANNEXE I
COMPARATEURS A HYSTERESIS
Vo
L V'>V"^V^
= 0
La diode D conduit et la tension V* est donne par :
l- = (V ,-VAx
\ ref
R.
^+ 1
D , D
R,^R,
V^ est la tension aux bornes de la diode pendant sa conduction, elle est gale 0.6 V.
2.
r>F"=>Fo=+F^,
La tension aux homes de la diode est ngative, la diode ne conduit pas et la boucle de
rtroaction est inutile et la tension V* = V^^j..
148
ANNEXE II
CALCUL NUMRIQUE DES FILTRES
La figure suivante montre le filtre utilis pour le calcul de la valeur moyenne de tension lors
de la dtection de la ligne haute tension et basse tension.
Rl
ANV
VR,
R,<
V,
F,=F^,+F2
F,=/?3
c^.il
dt R
2J
+ V,
^2 1= ^2 M
^\m_i-] ^2_i-\
/?i C /\
2 1- 1
| cA
2c
A/
BIBLIOGRAPHIE
1.
2.
3.
Chang, C. (2004). Mixed voltage /current mode control of PWM synchronous buck
converter. Power Electronics and Motion Control Confrence, 2004. IPEMC 2004.
The 4th International.
4.
5.
http://fr.wikipedia.org/wiki/Cascade hyposvnchrone.
6.
http://fr.wikipedia.org/wiki/%C3%89lectronique_de_puissance
7.
Jie, C. and W, Anhua (2004). "Exprimental development and valuations of VFinput high-frequency ac-ac converter supporting distributed power gnration."
Power Electronics, IEEE Transactions on 19(5): 1214.
8.
Jun Shan, L., L. Ma, et al. (2004). A novel ZVS dual bridge DC/DC converter using
SiC Schottky diode. Power Electronics and Motion Control Confrence, 2004. IPEMC
2004. The 4th International.
9.
10.
Klein, J. (2006). AN-6005 Synchronous buck MOSFET loss calculations with Excel
model. Power Management Applications, Fairchild semiconductor.
11.
12.
13.
Kutkut, N. H., G. Luckjiff, et al. ( 1997). A dual bridge high current DC-to-DC
converter with soft switching capability. Industry Applications Confrence, 1997.
Thirty-Second lAS Annual Meeting, lAS '97., Confrence Record of the 1997 IEEE.
150
14.
Kutkut, N. H., G. Luckjiff, et al. (1997). A dual bridge high current C.C.-to-C.C.
converter with soft switching capability.
15.
16.
17.
Morad, E., P. D. Ziogas, et al. (1991). High frequency high power C.C.-C.C. full
bridge converter with zero-current zero-voltage commutation. Applied Power
Electronics Confrence and Exposition, 1991. APEC '91. Confrence Proceedings,
1991., Sixth Annual.
18.
19.
20.
21.
Wu, T. F., H. S. Nien, et al. (2005). A half-bridge 1/spl Phi/2 WPV inverter system
with active power filtering and real power injection. Applied Power Electronics
Confrence and Exposition, 2005. APEC 2005. Twentieth Annual IEEE.
18.
19.
Tsai-Fu, W., N. Hung-Shou, et al. (2005). "A single-phase inverter System for PV
power injection and active power filtering with nonlinear inductor considration."
Industry Applications, IEEE Transactions on 41(4): 1075.
20.
21.
Sung-Soo, H., J. Byeong-Rim, et al. (1996). "Duty cycle generator for average model
of buck converter with current-mode control-using analog behavioral modeling
ofPSPlCE." Power Electronics. IEEE Transactions on 11(6) : 785.
151
22.
23.
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
31.
MEMOIRE PRESENTE A
L'COLE DE TECHNOLOGIE SUPRIEURE
PAR
EL KASSIR, Fawzia