Universidad Nacional Autónoma de México

CCH Vallejo

Semiconductores y Circuitos Integrados

Marian Martínez Gómez

Semiconductores
La tecnología del estado sólido ha remplazado por completo a los tubos al
vacío, en casi todas las aplicaciones de alta especialización. Esto ha sido
posible a causa de las características singulares de los semiconductores.
Estos materiales están conformados por unos cuantos elementos y
compuestos que en realidad no son aisladores eléctricos, pero que tampoco
presentan el grado extremadamente alto de conductividad que caracteriza a los
verdaderos conductores.

¿A qué se debe que un material sea conductor?

Los electrones externos de un átomo, conocidos como electrones de
valencia, están unidos al átomo más débilmente que los electrones ubicados
más cerca del núcleo. En un conductor, la unión correspondiente es bastante
débil en realidad, y en el estado sólido, muchos de esos electrones consiguen
escapar de los átomos y se mueven libremente a través del sólido. Por esta
razón se le llaman electrones libres. Cuando se usa una batería o cualquier
otro medio que cause una diferencia de potencial a través del sólido, estos
electrones libres son atraídos hacia el potencial positivo y se produce una
corriente eléctrica.

Los aisladores, como el caucho y el vidrio, se comportan precisamente en la

forma contraria. En ellos, los electrones de valencia externos están fuertemente
unidos a los átomos y no se pueden mover libremente a través del sólido. A
menos que se aplique un voltaje extremadamente alto a un aislador, no fluirá
corriente a través de él.
Los semiconductores tienen un comportamiento intermedio entre los
conductores y los aisladores. Sus electrones de valencia no se encuentran tan
libres como en el caso de un conductor, pero tampoco están tan unidos como
sucede con un aislador. En el semiconductor, los electrones de valencia son
compartidos en realidad por los átomos. Este proceso se conoce como enlace
covalente y es el causante de muchas de las propiedades de los
semiconductores.
 -
1
+ +
1 1

-
1

Enlace covalente de dos

átomos de hidrógeno

En esta imagen se muestra la forma en que los átomos de hidrógeno

comparten los electrones en la molécula de H2. El enlace covalente permite
que los electrones se muevan de un átomo a otro, aunque sin una libertad
completa.
Otra forma de percibir la diferencia entre conductores, aisladores y
semiconductores es por la teoría de banda de energía. Puesto que los
electrones pueden ocupar un número discreto de niveles de energía, pueden
tener solamente aquellas energías que caen dentro de las bandas permitidas.
La banda de energía en la que los electrones de valencia se mueven
normalmente se conoce como banda de valencia. Los electrones que se
pueden mover con libertad y que conducen la corriente se encuentran en la
banda de conducción.

Las bandas de conducción y de valencia se traslapan en los conductores, están

muy separados en los aisladores y se encuentran separadas por una estrecha
banda de energía de semiconductores. En el caso de los conductores, el
traslape favorece que los electrones se muevan en la banda de conducción. En
los aisladores, la gran separación casi siempre les impide que se muevan, y en
los semiconductores, la pequeña separación hace que sea relativamente fácil
moverse.

Analicemos a un verdadero semiconductor. Debido a su amplia disponibilidad y

sus características, el silicio es el semiconductor más comúnmente utilizado.
En su estado natural el silicio es un cristal. Esto significa que, es un trozo de
silicio, los átomos se localizan en puntos específicos en una red ordenada.

En esta imagen se muestra un diagrama de la red de silicio. Hay cuatro

electrones de valencia rodeando a cada átomo. Es un cristal perfecto, cada uno
de estos electrones estaría compartido con un átomo vecino. El cristal sería un
aislador porque no habría electrones disponibles para que fluyera la corriente.
Sin embargo, cualquier imperfección hará que el silicio conduzca cierta
cantidad de corriente.
Las impurezas más comunes se presentan cuando se coloca en un átomo de
otra sustancia en uno de los puntos de la red cristalina que normalmente
estaría ocupado por un átomo de silicio. Existen dos tipos de impurezas
importantes: los donadores tipo N y los aceptores tipo P.

Semiconductores tipos N y P
Cuando un átomo de impureza tiene más de los cuatro electrones de valencia
que requiere para emparejarse con el vecino átomo de silicio, los electrones
adicionales no tiene una clase covalente y pueden moverse libremente. Por lo
tantota impureza puede donar electrones con carga negativa al cristal. Esto
explica el nombre del donador y de tipo N (por negativo).

En un semiconductor tipo N,
un átomo de impureza se ha
incorporado a la estructura de
silicio y dona un electrón
adicional
El material semiconductor de tipo N comercial se fabrica añadiendo a un cristal
de silicio pequeñas cantidades controladas de una impureza seleccionad. A las
impurezas que se agregan en forma intencional se les denomina
contaminantes. Entre los contaminantes tipo N de uso común podemos
mencionas el fósforo, el arsénico, y el antimonio. Cada uno de ellos tiene cinco
electrones de valencia y, por lo tanto, le proporciona un electrón libre al cristal.
El silicio tipo P se produce también comercialmente por el proceso de
contaminación. En este caso el contaminante tiene un electrón de valencia
menos que el silicio. Por lo tanto, los contaminantes tipo P tienen tres
electrones de valencia y entre los más comunes se puede mencionar el
aluminio, el boro el galio y el indio. Cualquiera de estos contaminantes permite
fabricar un semiconductor.

En un semiconductor y
tipo P, la ausencia de
un electrón de
valencia produce un
huevo electrónico.

Cuando son atraídos por medio de un potencial positivo, los electrones

cercanos a los huecos vecinos pueden saltar y ocupar sus huecos. Cada vez
que un electrón se mueve a una dirección, el hueco se mueve en dirección
contraria a la del átomo de la cual provenía el electrón. De este modo el
movimiento de los electrones en una dirección dada provoca el movimiento de
los huecos en la contraria. Puesto que las cargas negativas y positivas siempre
se comportan en forma opuesta, justamente parece que los huecos son cargas
positivas y que la corriente se puede considerar como un movimiento de cargas
positivas (los huecos).
Unión PN
De la combinación de materiales del tipo P y de tipo N se obtienen algunos
efectos interesantes. El más elemental es la formación de unión NP al colocar
una capa de material tipo P en contacto con otra de material tipo N. En el
momento en que se ponen en contacto los dos semiconductores, algunos de
los electrones libres del material del tipo N saltan a través de la superficie de
contacto y llenan algunos de los huecos del material P. Esto deja una delgada
capa de iones cargados positivamente a lo largo de la unión del material N.
Estos iones positivos son átomos que han perdido un electrón. En forma
análoga, los átomos del material tipo P que han adquirido electrones forman
una capa de iones negativos. Una vez que han formado estas capas, los iones
negativos repelen a los otros electrones, evitando que salten más electrones y
los iones positivos evitan que otros huecos salten.
En este estado la unión PN es bastante estable. Sin embargo, la situación
cambia cuando se conecta una batería a través de la unión. Primeros e verá
cuando se conecta la batería de modo que su terminal negativo corresponda al
lado P de la unión y su terminal positivo de conecte al lado N.

Entonces los huecos positivos en el material tipo P se mueven hacia el

potencial negativo de la batería, y los electrones negativos se dirigen hacia el
potencial positivo de la batería. El resultado es que tanto los huecos como los
electrones se alejan de la unión y que no fluye ninguna corriente a través de
dicha unión. Cuando la conexión se hace en esta forma, se dice que la unión
tiene polarización inversa.
Si la batería se conecta a través de la unión en dirección opuesta, el positivo al
lado P y el negativo al lado N, el comportamiento es muy diferente. Los
electrones de los átomos donadores en el material tipo N son atraídos al
potencial positivo y fluyen hacia la unión. Los huecos fluyen hacia la unión en
dirección opuesta hacia el potencial negativo. En resumen, hay un flujo de
corriente. Este tipo de conexión se le llama polarización directa de la unión. El
dispositivo semiconductor que hemos analizado se comporta en la misma
forma que el más sencillo tubo al vacío, esto permite que la corriente fluya en
un solo sentido. Debido a esta similitud, también se conoce como un diodo.

Las ventajas importantes que presenta un diodo semiconductor sobre su

antecesor, el tubo al vacío, con compartidas pos todos los dispositivos
fabricados con materiales semiconductores. Son componentes pequeños, su
operación no requiere alto voltaje y son más durables.
El dioso semiconductor también muestra otra característica interesante. No
obedece la ley de Ohm. Esto se debe a que la resistencia del diodo no es
constante, ya que varía según el voltaje de la polarización aplicado.

Aplicaciones de Diodos
Ya hemos visto que un diodo de unión PN transmite corriente solo cuando está
en polarización directa. Esto hace que represente una excelente opción para
convertir la corriente alterna en corriente continua (rectificación)
Con frecuencia, la salida de rectificador de media onda no es suficiente para
satisfacer las necesidades de una aplicación específica. En este caso es
posible filtrar la salida del rectificador para aplanar las fluctuaciones y hacer
que sea más parecida a la salida continua de una batería. Un capacitor de filtro
mantiene la corriente a través de la carga (RL) cuando el voltaje pulsatorio
decae. Con un capacitor grande, la constante de tiempo de descarga también
es grande y el voltaje de carga es lo suficientemente estable para usarlo en
múltiples aplicaciones.
El rectificador de media onda no es el único medio de logar ese propósito. Es
más común un rectificador de puente, que utiliza cuatro diodos colocados.

La entrada de ca se conecta al puente de los puntos 1 y 3, y la carga de salida

en los puntos 2 y 4. Cuando el punto 1 es positivo y el punto 2 es negativo la
corriente fluye. La corriente que entra al puente en el punto 1 no puede pasar a
través del diodo D4, que tiene unión con polarización inversa, pero si puede
circular a través del diodo D1, y lo hace. Luego deja el puente en el punto 2 y
pasa a través de la carga RL. La corriente vuelve entrar al puente en el punto 4
donde se encuentra frente a dos trayectorias posibles. D4 sigue manteniendo
una polarización inversa y no conduce, de modo que la corriente continúa a
través de D3 y sale por el punto 3. Durante la otra mitad del ciclo, cuando se
invierte la polaridad a la entrada, la corriente fluye por la trayectoria utilizando el
otro par de diodos D2 y D4, en forma análoga. De este modo el par de diodos
que conducen se van alternando de acuerdo a las modificaciones en la
polaridad de entrada. Este tipo de rectificador se llama rectificador de onda
completa debido a que se transmite toda la señal de entrada.
Una desventaja muy apreciable del rectificador de onda completa es la forma
de su salida, en comparación con la entrada ca y con la salida de un
rectificador de media onda, el rectificador de onda completa no deja espacios
donde la corriente de salida sea igual a cero. En cambio la corriente varía
continuamente, entre cero y su valor máximo, en la dirección de conducción.
Por lo tanto la salida requiere un grado mucho menos de aplanamiento de las
fluctuaciones (filtración) para lograr que la corriente sea más parecida a la
salida constante de una batería, y este dispositivo no desperdicia en realidad
ninguna de las mitades de la corriente procedente de la fuente.

El Transistor
Está formada por una capa de semiconductor tipo N colocada entre dos capas
de semiconductor tipo P (llamado transistor PNP) o una capa de semiconductor
tipo P colocado entre dos capas de semiconductor tipo N (llamado transistor
NPN). Este transistor fue inventado por Shockley Bardeen y Brattain en los Bell
Laboratories, en 1948 y desde entonces el campo de la electrónica se ha
revolucionado por completo.

Cuando los electrones se retiran de la base, hay una corriente de electrones

que proviene de la base. La corriente del emisor Ie se divide entre la corriente
de la base Ib y la corriente del colector Ic. O sea
Ie = Ib+Ic

La razón de la corriente del colector entre la corriente del emisor se representa

con alpha.

Alpha = Ic/Ie

Este número es una especificación que debe indicar el fabricante en cada

transistor. Puesto que entre el 95 y el 99 por ciento de los electrones que
provienen del emisor circulan a través de la base hacia el colector sin ser
atrapados, los valores de alpha varían generalmente entre 0.95 y 0.99.

Si conocemos alpha podemos calcular la relación de la pequeña corriente de la

base a la corriente del emisor. Utilizando la ecuación (40-1) podemos
determinar el valor de Ib en términos de Ie y Ic

Ib = Ie – alpha Ie

Por último una expresión para la corriente de la base de un transistor es:

Ib = Ie (1 – alpha)

Supongamos que tenemos un transistor con valor de alpha = 0.97; calcule Ib e

Ic cuando Ie = 50 mA y el transistor se conecta.

Al sustituir en la ecuación (40 – 3) se obtiene:

Ib = Ie (1 – alpha) = (50 mA) (1 – 0.97)

= (50 mA) (0.03)
= 1.5 mA

Ahora la corriente del colector se determina partiendo de la ecuación (40 – 1):

Ic = Ie – Ib = 50 mA – 1.5 mA
=48.5 mA

El transistor PNP se fabrica igual que el transistor NPN, excepto que el material
de tipo N se coloca entre dos capas de material tipo P. Debido a esta inversión
en las posiciones de los tipos de materiales, la corriente primaria en este
transistor es de huecos y no de electrones. Puesto que los huecos son
efectivamente cargas positivas, se tienen que invertir las polarizaciones. Para
que la unión de emisor tenga una polarización directa, el voltaje del emisor
debe ser positivo con respecto al de la base, y para que la unión del colector
sea de polarización inversa, el colector debe ser negativo con respecto a la
base.
El cambio de polarización no afecta la forma en que funcionan las uniones,
pues simplemente reordena los materiales y sus propiedades. Durante el
funcionamiento del transistor la mayoría de los huecos fluyen de la unión de
emisor a la base y luego al colector.

Circuitos Integrados
Tan grande como la revolución tecnológica originada por el transistor en la
década de los cincuentas y de los sesentas, es una nueva revolución debida al
circuito integrado (CI). Estos dispositivos cambian numerosos elementos del
circuito (resistores, capacitares, transistores, diodos y otros) en delgadas capas
de silicio ultrapuro. Cada CI representa un circuito completo de algún tipo
particular y los Cis se pueden combinar entre sí y con otros dispositivos
semiconductores para formar componentes en gran escala. Ellos también han
hecho posible fabricar ciertos dispositivos como microprocesadores, que por sí
mismos, han creado una revolución en la electrónica.
El atributo más evidente de los CI es su tamaño increíblemente pequeño. Un CI
típico tiene una superficie total de 0.05in2 y aproximadamente un espesor de
0.01in. Esta oblea puede contener miles de dispositivos separados, lo que se
aprovecha para lograr múltiples y complejo propósitos. Se protege con un
recipiente que suele medir tan solo una fracción pulgada en cualquier dirección.
Aunque es notable, el tamaño de los CI no es su única ventaja sobre los
dispositivos convencionales. En vista de que todo el circuito se fabrica al mismo
tiempo, es un dispositivo muy confiable, más que ninguno de sus
procesadores. Esta característica es invaluable en dispositivos tales como
sistemas de guías de naves espaciales y marcapasos.
Los dispositivos individuales que conforman el CI funcionan de acuerdo con los
mismos principios que todos los dispositivos semiconductores que ya hemos
estudiado. Sus diversas propiedades dependen de la unión PN y de la acción
tanto de los electrones como de huecos.
La oblea de silicio que forma el CI se conoce como el sustrato y los dos
procesos que se emplean en su fabricación son la difusión y el grabado. La
difusión, como en la fabricación de dispositivos dependientes de la unión, es la
inyección controlada de impurezas apropiadas en el silicio. El grabado
electroquímico consiste en el uso de ácido fluorhídrico para eliminar materiales
de la superficie del sustrato a fin de exponer esa zona a un procesamiento
posterior. Estos pasos se combinan con diversas etapas en las que se
depositan materiales sobre el sustrato para elaborar las regiones necesarias
del tipo P o del tipo N para formar diodos, transistores y dispositivos afines.

Ahora se indicaran los pasos necesarios para crear un área de silicio tipo P en
el sustrato. El primer paso es la oxidación de la parte superior de la superficie
de silicio para formar una delgada capa de óxido de silicio. Esta capa de óxido
es impermeable a la mayoría de los contaminantes y sirve para aislar y
proteger el sustrato.
Después de la capa de oxidación se vuelve la capa fotorresistente. El
fotorresistor es un material que se vuelve resistente al ácido cuando se expone
a la luz ultravioleta. La exposición de la luz ultravioleta cambia sus propiedades
químicas de modo que las áreas expuestas no puedan disolverse con ácidos.
La exposición de la luz ultravioleta se realiza después que el sustrato recubierto
se tapa con una máscara. Este es un patrón opaco en las áreas en las que
finalmente se difundirán las impurezas. Las máscaras se producen
fotográficamente al tomar una imagen del patrón apropiado y luego se reduce
al tamaño de microminiatura necesaria para el CI.
Después de colocar la máscara y de llevar a cabo la exposición, el material
fotorresistente expuesto se lava con un disolvente. Con esto se deja una capa
de óxido de silicio expuesto que cubre el área que se convertirá en la región de
tipo P. El ataque químico con ácido fluorhídrico elimina el óxido y deja al
descubierto el sustrato de silicio. Las diferentes etapas de este proceso son las
siguientes:

a) La capa de silicio (sustrato) tiene óxido de silicio en la superficie.

b) Se aplica la película fotorresistente a la superficie.
c) Se aplica la fotomáscara y se expone a la luz ultravioleta.
d) Con un disolvente se elimina el fotorresistor que no fue expuesto a la luz
ultravioleta, dejando intactas las porciones que si fueron expuestas.
e) El óxido de silicio se elimina por ataque químico con ácido fluorhídrico
(HF)
f) El fotorresistor de quita para que aparezca la capa de óxido.
g) La impureza tipo P se difunde en el sustrato para formar una región tipo
P.
El silicio puesto al descubierto se encuentra ya en condiciones de ser
contaminado con la impureza deseada a fin de producir una región tipo P en el
sustrato. Si este mismo proceso se repite en un área colindante que tenga una
impureza tipo N, se obtendrá una región tipo P que bordea una región tipo N y
se creará una unión PN. La adición de contactos metálicos en la porción
superior de estas regiones produce un diodo semiconductor.

Cátodo Ánodo

Óxido
P N

Sustrato de Silicio

Se pueden utilizar procesos similares para fabricar todos los demás

componentes que es necesario incluir en el CI. La región superior tipo N se
forma mediante la difusión de una cantidad suficiente de contaminante
(impureza) del tipo N en la región tipo P recién formada, para convertirla en una
región de tipo N en esa área. El propósito de las dos regiones tipo N es aislar al
resistor del sustrato y el resto del CI. La resistencia se controla ajustando la
longitud y el área de sección transversal de la región conductora tipo P, y la
cantidad de impureza que se difundió en la región.
La elaboración de un capacitor es similar a la de un resistor. Una capa
conductora difundida actúa como una de las placas del capacitor, un contacto
metálico realiza la función de la otra placa, y la capa de óxido que queda en
medio de ellas desempeña el papel de un dieléctrico.

Desde luego los CI no podrían ser tan complejos si no se dispusiera de la

posibilidad de utilizar transistores en su elaboración. En los CI se pueden incluir
diversos tipos de transistores, y estos pueden colocarse en distintas
configuraciones para producir diferentes arreglos.
 Contacto
s

Óxido

N+
N P

Sustrato tipo P

Los CI se fabrican a partir de obleas circulares de silicio, Cada rodaja es lo

suficientemente grande para producir con ella mucho CI. Después de su
fabricación, los CI se prueban en forma individual y se descartan todos los
circuitos que resultan defectuosos.
Entonces, se corta la oblea y los circuitos defectuosos se desechan. Puesto
que se fabrican un gran número de circuitos a la vez, el CI es en realidad uno
de los dispositivos electrónicos más baratos, más pequeños y más confiables
que se producen. Este hecho hace que los teléfonos móviles, las pequeñas
computadoras y los productos electrónicos de alta calidad sean tan baratos y
tan ampliamente utilizados en la actualidad. El grado que es difícil imaginar a
dónde nos conduciría la siguiente etapa del avance de la electrónica.

Información: Tippens, Paul E. Física: Conceptos y aplicaciones.