Vous êtes sur la page 1sur 40

TRANSISTORSAEFFETDECHAMP

La dnomination transistor effet de champ (TEC ou FET) regroupe deux


typesdetransistors:
leTECjonction(JFET)
leTECgrilleisole(IGFET:insulatedgateFET,MOSFET:Mtal
OxydeSemiconductorFET)
Comparaisonautransistorbipolaire:
fonctionnementliaudplacementd'unseultypedeporteur(lesporteurs
majoritaires:lectronsoutrous);composantunipolaire.
simplefabriquer,surfacerduite(plushautniveaud'intgration).
trsforteimpdanced'entre(M).
facteurdebruitinfrieurautransistorbipolaire.
facteurdemrite(produitGxBP)infrieurautransistorbipolaire.

Polytech'NiceSophia

C.PETERV3.0

JFET
IEtudethorique
I.1Principe

LeTECestralisdansunbarreaude
semiconducteurdop(Nsurl'exemple
cicontre). Sa conductance dpend du
taux de dopage et des dimensions du
barreau.
Pour modulerles dimensionsducanal,
on ajoute deux zones de dopage P. En
polarisant les jonctions PN en inverse,
on peut agir sur les dimensions des
zonesdpltesetdoncsurlatailledu
canal.Onpeutainsimodulerlecourant
dans le transistor en intervenant sur le
champexistantdanslesjonctions.
Polytech'NiceSophia

drain

E
source

n
p

drain
p

grille

Vgg

source

C.PETERV3.0

JFET
I.2Symboles,tensionsetcourants
SOURCE :lectrodeparlaquellelesporteursentrentdanslecanal.
DRAIN :lectrodeparlaquellelesporteursquittentdanslecanal.
GRILLE :lectrodedecommande(IG=0).
canalN

canalP

D
ID

G
VGS

D
G

VDS

VDS>0

IS
trous S

S
VGS<0

VDS

VGS

IS

ID

ID>0

VGS>0

VDS<0

ID<0

Remarque:lesensdelaflchereprsenteladiodequidoittrepolariseeninverse.
Polytech'NiceSophia

C.PETERV3.0

JFET
I.3Fonctionnement
pourVDS=0
VGS=0
n

zonedplteenporteur

VGS<0

VGS=VGSoff
n

G
S

D
p

Vgg

Vgg

La conductance maximale du barreau est obtenu pour V GS = 0. Lorsque la tension VGS


devientngative,lazonedpltes'tendrduisantlatailleducanaletsaconductance.
LorsqueVGS=VGSoff,lesdeuxzonesdpltesserejoignentetlecanalestsupprim.La
conductancetendalorsvers0(impdanceinfinie).
LeTECfonctionneendpltionouappauvrissement.
Danscecas,onpeutconsidrerleTECcommeunersistancecommandeentension.
Polytech'NiceSophia

C.PETERV3.0

JFET
pourVDS>0

E
S

Pour VDS > 0, le potentiel du drain est suprieur au potentiel de la source. La


tensioninversegrillecanalseradoncplusimportanteducotdudrain.Lazonede
dpletions'largitdoncversledraindutransistor.
LorsqueVDS,ilyapincementducanalpourVDS=VP.
SiVDSencore,lecanalsertrcitetlecourantestlimit.

Polytech'NiceSophia

C.PETERV3.0

JFET
I.4Rseaudecaractristiques
ID
VGS

ID

transfert

sortie
C

IDSS

VDS

TECcanalN
VGS=0V
S

O
VGS=1V
VGS=2V

VDS=cste

VGS=3V

VGS

Vp

VGSoff

VDSmax VDS

LorsqueVDSaugmente,IDcroitlinairement(O)puisatteintlazoneducoudedueau
dbutdupincementducanal(C)etatteintfinalementunevaleurdesaturation(S).Si
VDSdpasseVDSmaxlesemiconducteurestdtruitpareffetd'avalanche.
Polytech'NiceSophia

C.PETERV3.0

JFET
rseaudesortie
pourVGS=0,IDestmaximal:IDSS
zoneO:zoneohmique,leTECsecomportecommeunersistance: R DS
zoneC:apparitiondupincement

VP
I DS

zoneS:zonelinaireoudesaturation,leTECsecomportecommeunesource
decourantcommandeentension(VDS>VP)
zoneA:zoned'avalanche
rseaudetransfert
quationducourantdedrain:

I D =I DSS 1

V GS
V GSoff

VGSoff:tensiondeblocage(ID=0,VDS),VGSoff=VP
dispersionimportantedesrseauxdecaractristiques(pourdesTECidentiques)
grandeursfondamentales:IDSS,VP.

Polytech'NiceSophia

C.PETERV3.0

JFET
IIPolarisation
II.1Polarisationparlagrille
Onappliqueunetensiondegrille
constante:VGG

ID
IDSS

VDD

transistor1

Q1

RD

droitedecharge

ID
VGG

VGS

Q2

VDS

VGG

VGS

transistor2
VDSmax VDS

Compte tenu de la dispersion de caractristiques pour des transistors de mmes


rfrences,lapolarisationparlagrilleestlaplusmauvaisemthodepourpolariser
letransistordanslazonelinairecarlepointQesttropinstable.
Polytech'NiceSophia

C.PETERV3.0

JFET
II.2Polarisationautomatique

ID

VDD

RSpetite

IDSS
RSpetite

RD
ID

RSmoyenne

VDS
RG

droitedecharge(RSmoyenne)

RS

Q1
RSgrande

Q2
VDSmax VDS

VGS

LecourantcirculantdansleTECetdansRSgnreunetension:VS=RSID.
Lecourantdegrilletantnul,VG=0doncVGS=RS ID .Lemontagecredoncsa
proprepolarisationenutilisantlatensionauxbornesdeR Spourpolariserlagrilleen
inverse.
Polytech'NiceSophia

C.PETERV3.0

JFET
II.3Polarisationpardiviseurdetension
ID

VDD

R1

IDSS

RD
ID

droitedecharge

VDS
R2

Q1

RS

Q2
VDSmax VDS

VGS
R

2
V G =V DD
Lepontdiviseurfournitunetension:

R 1 R2
V V

GS
OnendduitlatensionVS=VGVGSetlecourant
I D= G
avec

RS

Polytech'NiceSophia

10

V GS 0

C.PETERV3.0

JFET
II.4Polarisationparsourcedecourant
ID

VDD

IDSS

RD
ID

droitedecharge

VDS
Q1

RG

Q2

VSS

VDSmax VDS

VGS

BienquelatensionVGSvarie,lepointdepolarisationPrestefixe.
Toutefoiscemontagencessiteunesecondesourcedetension.

Polytech'NiceSophia

11

C.PETERV3.0

JFET
IIILeTECenrgimedynamique
Cette tudeconsiste analyserlefonctionnement d'untransistorpolarisen zone
de saturation lorsqu'on applique de petites variations l'une des grandeurs
lectriques.
IDS

III.1Modleenrgimedynamique

VGS=0V

IDSS

Dans la zone linaire, le TEC se comporte


comme une source de courant commande
parlatensionVGSID=f(VDS,VGS).

I DS =

I DS

V GS

V GS
i ds =g m vgs g ds v ds

I DS
V DS

g m=

v
gs

v ds=0

Polytech'NiceSophia

VGS=2V

V DS

VGS=3V

VDS=cste

avec:

i ds

VGS=1V

Vp

VGS

g ds =

:transconductance

i ds

v
ds

12

v gs =0

VDS
:admittancedudrain

C.PETERV3.0

JFET
Onendduitleschmaquivalent:

IDSS

id
vgs

gds

ID

vds

gm.vgs

VGS

Lesparamtresgmetgdspeuventtre

dterminssurlerseaudecaractristiques
aupointdepolarisationdutransistor.

VDS

g m =tan

Leparamtregmpeutaussitrecalculpartirdel'quation:
D'opourVGS=0: g mo=
etpourVGS0:

Polytech'NiceSophia

2 I DSS
V GSoff

g m=g mo 1

V GS
V GSoff

13

gm
gds

g ds =tan

I D =I DSS 1

V GS
V GSoff

0,1 20 mA/V
1 10 S (0,1 1 M)
C.PETERV3.0

JFET
Lorsquelafrquenceaugmente,ilfautprendreencomptelescapacitsparasites.
Toute jonction PN polarise en inverse constitue un condensateur. Pour le TEC,
onconsidredeuxcondensateursparasites,l'unentregrilleetsource,l'autreentre
grilleetdrain.
id
CGD
CGD

vgs
CGS

CGS

gds
gm.vgs

vds

LavaleurdeCGDestfaible(<pF),maisellepeutdevenirtrsgnantepareffet
Miller.

Polytech'NiceSophia

14

C.PETERV3.0

JFET
III.2Montagesfondamentaux
Commepourletransistorbipolaire,ilexistetroismontagestypespourleTEC.

Polytech'NiceSophia

T bipolaire

TEC

metteur commun

source commune

collecteur commun

drain commun

base commune

grille commune

15

C.PETERV3.0

JFET
III.2.1Montagesourcecommune
E

IDS

RD
Cle

droitedechargestatique

Cls

D
S

ve

Rg

droitedechargedynamique
pente:1/RD

vs

RS

Rch

CS

VDS

RS:rsistanced'autopolarisation
VGS=VGMVSM=RSID

ve

Rg

droitedecharge
dynamiqueavecRch

Schmaquivalentendynamique
G

vgs

gds

S
Polytech'NiceSophia

16

gm.vgs

RD

vs

Rch

C.PETERV3.0

JFET
III.2.2Montagedraincommun

CLe

ve

sourceEdsactive

Rg

CLs

RS

Rg

ve
vs

Rch

Rg
D
Polytech'NiceSophia

gm.vgs

gds

vgs

gds

RS

17

gm.vgs

RS

RS:rsistanced'autopolarisation
VGS=VGMVSM=RSID

Schmaquivalentendynamique
S
G vgs
ve

vs

vs

Rch

Rch

C.PETERV3.0

JFET
III.2.3Montagegrillecommune
E

RD

CLe
Rg

sourceEdsactive

ve

Cg

CLs

vgs
S

vs

Rch

RS

ve

gm.vgs

RS

gds

RD

vs

Rch

Schmaquivalentendynamique
S

ve

RS

vgs
G

Polytech'NiceSophia

gm.vgs
gds

RD

18

vs

Rch

C.PETERV3.0

JFET
III.3Propritsdesmontages

source C

drain C

grille C

ZE

RG

forte (> RG)

faible (<< RG)

ZS

moyenne

faible

forte

Av

ngatif fort (-100)

positif (1)

positif fort (100)

Polytech'NiceSophia

19

C.PETERV3.0

JFET
IVLeTECencommutationanalogique
OnutiliseleTECcommeuninterrupteur.Pourobtenircemodedefonctionnement,la
tensionVGSprendseulementdeuxvaleurs:zroouunevaleurinfrieureVGSoff .De
cettemanireleTECfonctionneenrgionohmiqueouenblocage.
LorsqueleTECestbloqu,lecourantIDSestnul,onpeutdoncconsidrerquele
transistorestquivalentuncircuitouvert.
LorsqueleTECfonctionneenrgionohmique,letransistorsecomportecomme
unersistancedevaleurRDS(conditionqueVDSrestefaible).
LeTECestdoncquivalentaumontagesuivant:
D

S
D

RDS

PourVGS=0,l'interrupteurestferm.
PourVGS<VGSoff,l'interrupteurestouvert.
Polytech'NiceSophia

20

C.PETERV3.0

JFET
VI.1L'interrupteurshunt
RD

RD
I

vin

VGS

vout

vin

RDS

vout

PourVGS<VGSoff,l'interrupteurestouvert:Vout=Vin
PourVGS=0,l'interrupteurestferm.SiRD>>RDS,VDSrestefaibledoncle
transistorfonctionnebienenzoneohmique:V out0.

Polytech'NiceSophia

21

C.PETERV3.0

JFET
VI.2L'interrupteursrie
RDS
vin

VG

RD

vout

vin

RD

vout

PourVGS<VGSoff,l'interrupteurestouvert:Vout0.
PourVGS=0,l'interrupteurestferm.SiRD>>RDS,VDSrestefaibledoncle
transistorfonctionnebienenzoneohmique:V out=Vin.
Lerapportonoffdel'interrupteursrieestsuprieurceluidel'interrupteurshunt.
Rapportonoff =

Polytech'NiceSophia

v out max
v in min
22

C.PETERV3.0

JFET
VI.3multiplexeuranalogique

V1

Polytech'NiceSophia

V2

V3

23

RD

vout

C.PETERV3.0

MOSFET
LesMOSFETsontdestransistorssimilairesauTECjonction,maispourlesquels
lagrilleesttotalementisoleducanal.
composantunipolaire
trsfaiblesdimensions(technologiesubmicronique)
trsfaibleconsommation
fabricationsimple

Composantsdominantsenlectroniquenumriqueintgre(mmoire,
processeurs,circuitmixtes).

Polytech'NiceSophia

24

C.PETERV3.0

MOSFET
ILesMOSFETs
n

I.1Constitution

NMOS

mtal
isolant(oxyde)
semiconducteur
(substrat)

I=0
Grille
(polysilicium)

Drain/
Source

VGS>0

Drain/
Source
n

G
n

G
+ + + ++ +
n

p
substratBulk

CeMOSFETfonctionneenenrichissement
Polytech'NiceSophia

VDS>0 I0

25

B
crationd'uncanald'lectrons
C.PETERV3.0

MOSFET

NMOSappauvrissement
I0
Grille
(polysilicium)

Drain/
Source

VGS<0

Drain/
Source
n

VDS>0

G
n

G
n + + + ++ + n

p
substratBulk

Leschargespositivesattiressouslagrillesecombinentavecleschargesngatives
ducanaletdiminuentainsilaconductivitducanal.Pourunevaleursuffisamment
faibledeVGSlecourantIDSestnul.

Polytech'NiceSophia

26

C.PETERV3.0

MOSFET

PMOSenrichissement

D/S
p

D/S
p

n
B
Polytech'NiceSophia

27

C.PETERV3.0

MOSFET
I.2Symboles,tensionsetcourants

NMOS
G

D
B

PMOS
D

t ne messi hci r net ne messi r vua ppa

D
B
S

D
S

D
B

D
B

D
B
S

D
S

Surlasource,lesensdelaflcheindiquelesensrelducourant.
Pourlaplupartdestransistors,lesubstratestconnectlasource.

Polytech'NiceSophia

28

C.PETERV3.0

MOSFET
I.3Fonctionnement

VDS=0

VDS<VDSsat

VDS>VDSsat

VGS>0

VGS>0

VGS>0

G
n

G
n

G
n

DansuntransistorNMOSenrichissement,lecanald'lectronsestcreparunetension
VGSpositive.Lorsqu'onappliqueunetensionV DS ,lecanalsertrcitducotdudrain.
PourVDS<VDSsat,letransistorfonctionneenrgimelinaire.
LorsqueVDSaugmenteaudeldeVDSsat ,Ilyapincementducanal.LecourantI DSest
alorslimitunevaleurdpendantdeVGS.Letransistorfonctionneensaturation.
Polytech'NiceSophia

29

C.PETERV3.0

MOSFET
I.4Rseauxdecaractristiques
NMOSenrichissement

Lorsquelesubstratestrelilasource,onobtientlescaractristiquessuivantes:
IDS VGSVT
C

IDS

VGS=5V

transfert

S
VDS=5V
(saturation)

VGS=3V

VGS=2V

zonelinaire

VGS=1V

VDSfaible

VDS

VGSoff=VT

VGS

PourqueleMOSFETenrichissementconduise,ilfautqueVGS>VT.
VT:tensiondeseuil.
Polytech'NiceSophia

30

C.PETERV3.0

MOSFET

NMOSappauvrissement

Lorsquelesubstratestrelilasource,onobtientlescaractristiquessuivantes:
IDS VGSVT
C

VGS=2V

transfert

IDS

S
VDS=5V
(saturation)

VGS=1V

enrichissemen
t

VGS=0V

appauvrissement

VGS=1V

VDS

VGSoff=VT

VGS

LesrseauxdecaractristiquesdesPMOSsontsimilaires,maistoutesles
grandeurssontngatives.

Polytech'NiceSophia

31

C.PETERV3.0

MOSFET
IIPolarisation
LesmontagesdepolarisationutilisspourlesMOSFETsontsimilairesceux
tudispourlesJFET.
Exemples:

VDD

VDD

R1

RD
ID

ID
VDS

RG

VDS
R2

RS

autopolarisation
MOSFETappauvrissement
VGS=0
Polytech'NiceSophia

RD

RS

polarisationparpont
MOSFETenrichissement
VGS>0
32

C.PETERV3.0

MOSFET
IIILeMOSFETenrgimedynamique
Cette tudeconsiste analyserlefonctionnement d'untransistorpolarisen zone
de saturation lorsqu'on applique de petites variations l'une des grandeurs
lectriques.

III.1Modleenrgimedynamique
Enzonedesaturation,lerseaudecaractristiquesIDS=f(VDS)tantsimilairepour
lesJFETetlesMOSFET,leschmaquivalentenrgimedynamiqueestidentique.
id
vgs

gds
gm.vgs

Polytech'NiceSophia

gm
gds

vds

33

0,1 50 mA/V
0,02 1 mS (1 50 k)

C.PETERV3.0

MOSFET
III.2Montagesfondamentaux
OnretrouvelestroismontagesfondamentauxtudispourlesJFET:source
commune,draincommunetgrillecommune.
Exemplesdemontagessourcecommune:
VDD

VDD

RD

R1
CLs

Cle
ve RG

RD

Cle
RS

vs
CS

Rch

ve R
2

RS

vs
CS

Rch

LespropritssontanaloguespourunMOSFETetunJFET.

Polytech'NiceSophia

34

C.PETERV3.0

MOSFET
VILeMOSFETencommutation
A l'image des JFET, les MOSFET peuvent fonctionner en commutateurs
analogiquessuivantlesmontagestudisprcdemment.
Une autre application pour ces transistors rsidedansles circuitsnumriques. En
effet,latensionseuilprovoqueunbasculementbrutaldel'tatbloqul'tatsatur
lorsquelatensiondegrillepassede0unetensionsuprieureVT.LeMOSFET
estdoncuncomposantidalpourlescircuitslogiques.
Rappel:

VDS
VGS

enrichissement
NMOS
PMOS
>0
<0
>0
<0

appauvrissement
NMOS
PMOS
>0
<0
VT < 0
VT > 0

Les circuits logiques tant aliments avec une tension unique, il faut que les
tensions VGS et VDS soient de mme polarit. Dans ces conditions, seuls les
transistorsenrichissementpeuventfonctionnerenrgimebloquetsatur.
LescircuitslogiquessontdoncralissavecdesMOSFETenrichissement.
Polytech'NiceSophia

35

C.PETERV3.0

MOSFET
VI.1Commutationchargepassive
IDS

VDD

VGS=5V

VDD/RD

RD
vout

VGS=3V

vin

VGS=2V
VGS=1V
VDD

pourvin=0,VGS=0doncID=0etvout=VDD.

VDS

pourvin=VDD,VGS>>VTdoncID0etvout0conditionqueRD>>RDS
(letransistorfonctionneenzoneohmique).
Cecircuitraliseunefonction:inverseur.
Polytech'NiceSophia

36

C.PETERV3.0

MOSFET
VI.2Commutationchargeactive
Afindediminuerlatailledescircuitsintgrs,lesrsistancesquioccupentune
surfaceimportanteonttsremplacespardestransistors.
IDS

VDD

VGS=5V

VGS=3V

vout

VGS=2V

vin

VGS=1V
1

VDS

Letransistorduhautsecomportecommeunersistancedontlavaleurvarie
lgrementenfonctiondelatensionsesbornes.
Lefonctionnementdececircuitestidentiqueauprcdentmaisiloccupeune
surfacepluspetite.
Polytech'NiceSophia

37

C.PETERV3.0

MOSFET
VI.3LeCMOS
Afin de diminuer la consommation, la rsistance est remplace par un transistor
I
complmentaire.
V =V
V =V
VDD
vout
VGSp
VDD
PMOS
GSn

vin

DD

GSp

DD

vout

VGSn

NMOS

VD

vout

vin
VDD

vin

VGSn

0
VDD

0
VDD

VGSp
- VDD
0

Polytech'NiceSophia

NMOS
PMOS
bloqu passant
passant bloqu

38

vout
VDD
0

Laconsommationd'unecellule
CMOS est proportionnelle la
frquencedecommutation.

C.PETERV3.0

MOSFET
VLeMOSFETdepuissance
Le MOSFET de puissance est un composant discret utilis dans les systmes de
commande des moteurs, lampes, imprimantes, alimentation de puissance,
amplificateurs,etc.C'estunMOSFETenrichissement.
Pour accrotre leur puissance limite, les gomtries de canal sont modifies
(VMOS,TMOS,HEXFET).
Gammesdetensionetcourant:200A,1200V,700W.
Le MOSFET tant un composant unipolaire, il peut couper un fort courant
beaucoupplusrapidementquenepeutlefaireuntransistorbipolaire.
Lorsquelatempratureaugmente,larsistanceRDSonducanalaugmentegalement.
Il n'existe donc pas de risque d'emballement thermique. Il est donc possible de
connecter plusieurs transistors MOS en parallle pour augmenter le courant
admissible.

Polytech'NiceSophia

39

C.PETERV3.0

MOSFET
VPrcautionsd'usage
Z

kV

Z
z

kV

MOS

kV

travaillersurunetableconductricerelielaterre.
utiliserunbraceletconducteurrelilaterre.
utiliserunfersouderisoldusecteurdontlapanneestrelielaterre.
nepasstockerlescircuitsMOSsurdupolystyrneexpans(utiliserdelamousse
chargeencarbone).
viterdemanipulerlescircuitsaveclesdoigts.
certainscircuitssontprotgsintrieurementpardesdiodeszener.

Polytech'NiceSophia

40

C.PETERV3.0