CAPITULO 4: DIODOS DE ESTADO SLIDO

TEMA A: Descripcin de la juntura

1) Introduccin a los diodos de Estado Slido: El diodo es un dispositivo no lineal, con
caracterstica de corriente contra tensin, la misma se conoce como lineal a segmentos ya que la
curva se construye con segmentos de rectas. Posee dos terminales que permite la circulacin de
la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. El ms comn en la actualidad; consta de una
pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. nodo (+) y Ctodo (-)
Diodos de juntura: est hecho de cristal semiconductor como el silicio con impurezas en l para
crear una regin que contiene portadores de carga negativos (electrones), llamado semiconductor de
tipo n, y una regin en el otro lado que contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado
semiconductor tipo p. Las terminales del diodo se unen a cada regin.
El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado UNION PN, es donde la importancia del
diodo toma su lugar. El cristal conduce una corriente de electrones del lado n (-) llamado ctodo,
pero no en la direccin opuesta; es decir, cuando una corriente convencional fluye del nodo (+) al
ctodo (opuesto al flujo de los electrones).
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (J e). Al
establecerse una corriente de difusin, aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin,
zona que recibe el nombre de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento va incrementando su
anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que
actuar sobre los electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre las zonas p y
n. Esta diferencia de potencial (V D) es de 0,7 V en el caso del Silicio y 0,3 V para los cristales
de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de
0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est polarizado,
pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
Mtodo de Fabricacin: Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material
semiconductor, en la que en un lado se contamina con material de tipo y en el otro con material tipo
N, los materiales mas comunes en la construccin de diodos son 3, germanio, silicio y arseniuro de
galio. En general el silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de
energa que permite la operacin a temperaturas mas altas y los costos del material son mucho
menores, el arseniuro de galio es til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La
caracterstica esencial de la unin PN es que el cambio en la concentracin de impurezas se debe
producir en una distancia relativamente corta, de otra manera la unin no se comportara como un
diodo,

Principios generales de funcionamiento:

En la figura se ven las caractersticas de operacin de un diodo practico, esta curva difiere de la de
un diodo ideal, en los siguientes puntos: conforme la tensin en directo aumenta mas alla de cero, la
corriente no fluye de inmediato, es necesaria una tensin minima, denotada por V para obtener
una corriente significativa. Conforme la tensin tiende a exceder V la corriente aumenta con
rapidez, la pendiente de la curva caracterstica es grande, pero no infinita, como en el caso del diodo
ideal.
Cuando el diodo esta polarizado en inverso, existe una pequea corriente de fuga, esta se produce
siempre que la tensin sea inferior a la requerida para romper la unin, la corriente de fuga es
mucho mayor para los diodos de germanio, si la tensin negativa es lo suficientemente grande como
para estar en la regin de ruptura, podra destruirse un diodo normal. Esta se define como la
tensin inversa pico PIV. El dao al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones
que fluyen a travs de la unin con poco incremento en la tensin. La corriente muy grande puede
destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura se conoce como la tensin de ruptura del
diodo.
2) Clculo de la corriente en el diodo. Existe una relacin exponencial entre la corriente del diodo
y el potencial aplicado, es posible escribir una expresin nica para la corriente que se aplique a
condiciones de dolarizacin tanto en directo como en inverso:
Ley de Juntura

iD

I 0 . e

q .VD

n . k .T

Solucin de la ecuacin de difusin para junturas

iD = corriente en el diodo
VD = diferencia de potencial a travs del diodo
I0 = corriente de fuga
q = carga del electrn: 1.6 x 10-19 coulombs
n = constante emprica entre 1 y 2
k = constante de Boltzman 1.38 x 10-23 J/ k
abruptas:
T = temperatura absoluta en grados kelvin

Determinacin de la corriente inversa de saturacin. Es la pequea corriente que se establece al

polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura,
admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura.
Procedemos ahora a derivar tericamente la ley de juntura y a determinar la corriente inversa de
saturacin a partir de considerar la situacin en polarizacin directa. Aqu cada zona ejerce sobre la

otra una inyeccin estacionaria de portadores mediante mecanismos de difusin. Esta difusin se da
por la diferencia de concentracin en ambos lados de la juntura, entre la polarizacin mayoritaria y
la minoritaria de ciertos portadores. Para ello haremos una simplificacin en que supondremos la
zona de transicin es nula de modo que queda reducida a un plano; A ambas caras de este plano se
verifica la diferencia de concentraciones indicada. En estas condiciones y con polarizacin directa
se produce la difusin de portadores de acuerdo al caso ya visto de inyeccin estacionaria.
El exceso de portadores inyectados pn( 0 ) es directamente proporcional al factor de Bolzman,
segn ya se ha indicado, de modo que si pn( 0 ) es la poblacin de equilibrio de huecos del lado n
qV

pn( 0 ) pn( 0 ) .e kT
De esta forma, la concentracin de huecos en el lado N, vara siguiendo la ley:
x
qV

pn( x ) pn( 0 ) .e kT .e lp pn( 0 )

La corriente que atraviesa el plano de juntura es propiamente y puramente corriente de difusin

(lejos de la juntura decae la corriente de difusin y aumenta la corriente de corrimiento por efecto
del campo elctrico externo aplicado) de esta forma, la densidad de corriente de huecos de difusin.
Jp ( diff ) q.Dp. pn x 0

Jp ( diff ) q.Dp.

d . pn x
dx

x 0
x

Jp ( diff )

qV
pn 0
q.Dp.
.e kT .e L . p
L. pn

Jp ( diff )

q.Dp. pn 0
L. pn

.e

qV
kT

x 0

Jp

De la misma forma, podemos razonar para el lado N

Jn

q.Dn.np 0 qV
.e kT
L.np

De modo que la densidad de corriente total es:

Dn.np 0 Dp. pn 0

L. pn
L.np

J Jn Jp q

Cte transversal de juntura

Dn.np 0 Dp. pn 0
I J . Aj q. Aj

L. pn
L.np

.e

q .V
kT

q .V

Podemos apreciar la corriente directa del diodo que es aproximadamente: I I .e k .T despreciado

0
la influencia de la corriente inversa de saturacin, lo que queda confirmado por la expresin
Dn.np 0 Dp. pn 0

L.np
L. pn

anterior. Adems resulta inmediatamente que: I 0 q. Aj

Notemos que la variacin trmica asociada a la I0 viene dada por la variacin trmica de la
concentracin de equilibrio np 0 y pn 0 y las variaciones trmicas de las constantes de difusin.
3) Limitaciones:
Tensin de arranque: La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin
directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al
polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la
corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa

supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos
incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente.
Resistencia dinmica: Cuando en un diodo se le superpone a la continua una pequea seal (o sea
una seal alterna), aparece para dicha seal una resistencia que depende del punto Q de
funcionamiento. El valor de dicha resistencia se la denomina resistencia dinmica del diodo. Y
como en el caso de la resistencia esttica, se la puede calcular de dos formas, una grfica y otra
analtica. La resistencia dinmica posee dos componentes, una el valor de resistencia que presenta la
juntura PN (llamado ru), y otro es el valor de la resistencia hmica del cuerpo del diodo (llamada
rb). O sea la resistencia dinmica es:
rd ru rb

Para valores chicos de corriente de polarizacin (o sea la corriente continua), predomina ru

ru rb , y para valores grandes de corriente predomina rb ru rb
Variacin de la caracterstica directa con la temperatura: La temperatura tiene un efecto
importante en la determinacin de las caractersticas operativas de los diodos.
Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensin de encendido V. por otra parte un descenso
de la temperatura provoca un incremento de V. esta tensin umbral varia linealmente con la
temperatura, segn la siguiente ecuacin y suponiendo que la corriente I D en el diodo se mantiene
constante:
V (t1 ) V (t 0 ) .(t1 t 2 )

T0 = Temp Ambiente
T1 = Nueva Temp del diodo
V(T0) = Tensin a Temp. Ambiente
V(T1) = Tensin a la nueva Temp..
Coeficiente de Temp. En V/C

La corriente de saturacin inversa I 0 es otro parmetro que depende de la temperatura. Aumenta

aproximadamente 7,2% / C tanto para diodos de Ge como de Si. En otras palabras, se duplica cada
10 C de aumento de la temperatura, segn la expresin:

I 0 (t2 ) I 0 (t1 ).e

0.072

C T2 T1

Y siendo e 0.072 2

I 0 (t 2 ) I 0 (t1 ).2

T2 T1
10

Tensin inversa: - Tensin inversa de ruptura: la tensin inversa de ruptura es la mxima tensin en
sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en conduccin; esta tensin para un diodo
rectificador es destructiva, por ello cuando se disea un circuito siempre se utiliza un factor de
seguridad que no est determinado, sino que depende del diseador, as por ejemplo, si la hoja de
caractersticas de un diodo expresa un valor para la tensin inversa de ruptura de 80 V, un diseador
muy conservador puede utilizar un factor de seguridad de 2. El diodo no soportar, en ningn caso,
tensiones inversas superiores a 40 V.
Mecanismos de ruptura:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco
que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se
aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia
pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran

por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El

resultado es una avalanchade electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se
produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener: (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de
la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V
entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico
ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de
arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones
de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede
producir por ambos efectos.
4) Efectos reactivos asociados a la juntura:
Capacidades de transicin y difusin: Un diodo rectificador puede presentar dos tipos de
capacidad: de transicin y de difusin. La capacidad de transicin aparece en polarizacin inversa,
como consecuencia del enfrentamiento de las cargas a lo largo de la zona de agotamiento.
La capacidad de difusin aparece en polarizacin directa a causa de un proceso que requiere algo de
explicacin.
En polarizacin directa la corriente se produce como consecuencia del paso de la zona de
agotamiento por parte de los portadores mayoritarios. Por ejemplo, electrones que van de la zona N
a la zona P del diodo. Pero cuando llegan a la zona P los electrones pasan a ser minoritarios, y si
contina el proceso llegar a haber una gran concentracin de electrones al otro lado de la frontera.
Una situacin anloga ocurre para los huecos que han atravesado la frontera hacia la zona N, por lo
que al final acabaremos teniendo una gran concentracin de portadores minoritarios a cada lado de
la frontera. Dicha concentracin aumentar conforme aumente la tensin directa aplicada entre
nodo y ctodo. Dicho aumento de la concentracin es lo que hace que surja la capacidad de
difusin.
Una unin P-N polarizada inversamente, con cargas enfrentadas a lo largo de una zona de
agotamiento de longitud L y encapsulada en un (componente) diodo de rea de seccin S, equivale a
un condensador de capacidad C=S/L. En este caso tenemos un varactor o varicap, que es un
diodo rectificador polarizado en inversa que se usa como condensador.
Respuesta dinmica: Respuesta a un escaln: TEMA B: Tipos de diodos y aplicaciones
1) Diodos rectificadores de silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen
detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos sensibles que los
foto multiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos) en contacto con un semiconductor
de tipo n (electrones). La radiacin comunica la energa para liberar los electrones que se desplazan
hacia los huecos, estableciendo una corriente elctrica proporcional a la potencia radiante.
Diodos Zener: Es un diodo de cromo que se ha construido para que funcione en las zonas de
rupturas. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi constantes con
independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensin de red, de la resistencia de
carga y temperatura.
Si a un diodo Zener se le aplica una corriente elctrica del nodo al ctodo (polarizacin directa)
toma las caractersticas de un diodo rectificador bsico, pero si se le suministra corriente
elctrica de ctodo a nodo (polarizacin inversa), el diodo solo dejara pasar un voltaje constante.
En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado en inversa para que adopte su caracterstica de
regulador de tensin

Diodos PIN de conductividad modulada: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en
otras palabras una capa intrnseca formando una estructura p-intrinseca-n. Son usados como
interruptores de alta frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como detectores de radiacin
ionizante de gran volumen y como foto detectores. Los diodos PIN tambin se usan en
la electrnica de potencia y su capa central puede soportar altos voltajes. Adems, la estructura del
PIN
puede
encontrarse
en
dispositivos
semiconductores
de
potencia,
tales
como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.
2) Diodos metal-semiconductor de contacto puntual y de barrera (diodo Schottky): El
diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de semiconductor. Tiene una tensin de
ruptura mucho menor que los diodos PN. Su tensin de ruptura en corrientes de 1mA est en el
rango de 0.15V a 0.45V, lo cual los hace tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de
saturacin en un transistor. Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque
su corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky son portadores
de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de almacenamiento de los portadores de
carga minoritarios que ralentizan la mayora de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos
tiene una recuperacin inversa ms rpida que los diodos de unin PN. Tienden a tener una
capacitancia de unin mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como interruptores veloces
y se usan para circuitos de alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de frecuencias y
detectores.
3) Diodos Tnel: basta con contaminar ambas zonas semiconductoras, que componen la pastilla
con la concentracin de impurezas necesarias para que el nivel de Fermi coincida exactamente con
el techo de la BV del material tipo P y con el piso de la BC del material tipo N. Esto es
sumamente difcil de cumplir en la prctica. Podemos controlar la cantidad de impurezas que
agregamos, pero con relativa precisin, podemos agrupar un nmero excesivo de impurezas y
obtendremos un diodo de un comportamiento muy especial, al que llamaremos diodo tnel. Este
diodo es un dispositivo cuya caracterstica directa no tiene la forma de la de un diodo normal, se
observa que la zona de polarizacin inversa, es la misma que la del diodo inverso, pero la zona de
conduccin directa, en lugar de sostener corrientes muy bajas, hasta la tensin umbral Vt, presenta
una primer zona en que la corriente crece rpidamente hasta un mximo, luego desciende y llega a
un valle y crece nuevamente, ya en forma definida. Es un diodo muy utilizado en alta frecuencia.
Diodos de retroceso o inversin: Es un caso particular de un diodo Zener con tensin de ruptura
Vz=0, la ruptura se produce en cuanto apliquemos una tensin inversa por pequea que esta sea. La
caracterstica directa del diodo inverso es la de un diodo convencional, en ella puede verse la zona
de poca conduccin limitada por la tensin umbral, de entre 0.2 y 0.6 volts. Este dispositivo
solamente podr ser utilizado para rectificar tensiones de valores tan bajos como los mencionados
para la tensin umbral. Como en la zona de baja resistencia (3er cuadrante) la conduccin se
produce por efecto tnel, dicha conduccin tendr lugar por medio del pasaje de electrones ligados
de una banda de valencia del material tipo p a la banda de conduccin del material tipo n. como no
interviene en ningn momento el proceso de difusin de minoritarios, no habr acumulacin de
excesos que son los que constituyen cargas elctricas, responsables de la aparicin de retardos de
tiempo en la respuesta del dispositivo, en consecuencia el diodo inverso puede ser utilizado para
rectificar seales de baja amplitud y elevada frecuencia.
4) Diodos Varicap: aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante
variaciones de la tensin aplicada, como un capacitor variable. Polarizado en inversa, este
dispositivo electrnico presenta caractersticas que son de suma utilidad en circuitos sintonizados
(L-C), donde son necesarios los cambios de capacidad. Cuando un diodo es polarizado en inversa,

la barrera de potencial o juntura que forman los materiales N y P a partir del punto de unin de las
junturas. Visto en forma metafrica y prctica, es el equivalente a dos placas de un capacitor que
van separndose a medida que la tensin de alimentacin se incrementa.
5) Aplicaciones con diodos.
Circuitos rectificadores.
Reguladores con diodos Zener.